JP2005223399A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
チップ面積の増大を抑止し、さらに、コスト低減及び実装面積の増大を抑止できる半導体集積回路を提供すること。
【解決手段】
本発明にかかるパワーIC1は、L負荷3に流れる電流を制御する出力トランジスタM0と、過電圧をクランプするダイナミッククランプ回路31と、ダイナミッククランプ回路31の動作を制御するクランプ制御回路32とを備え、クランプ制御回路32は、L負荷3による逆起電圧を検出した場合には、通常時に非動作状態に制御されたダイナミッククランプ回路31を動作状態とするものである。
【選択図】 図3
Description
冨永 保他著、「最新 カーエレクトロニクスと車載電子部品・機器の信頼性対策」、第1版、株式会社 技術情報協会、1989年7月31日、p.31(図2)
まず、図1を用いて、本発明の実施の形態1にかかるパワーICを有するシステムの構成について説明する。このシステムは、L負荷に流れる電流を制御するシステムであり、図に示すように、パワーIC1、マイコン2及びL負荷3を備えている。パワーIC1とマイコン2は、例えば、それぞれワンチップの半導体集積回路であるが、任意の数のチップとしてもよい。
次に、表1に従来例と本実施形態のパワーICのチップ面積の算出例を示す。ここでは、図10で示した従来例であるパワーIC91と、図3に示したパワーIC1を比較する。従来例では、耐圧用ダイオードD101のブレークダウン耐圧よりも出力MOSトランジスタM10の出力耐圧を大きくする必要があるため、耐圧用ダイオードD101のブレークダウン耐圧は、ダンプサージの60Vに対して、10Vの余裕をとり、70Vとなる。出力MOSトランジスタM10の出力耐圧は、耐圧用ダイオードのばらつき(±10V)と出力MOSトランジスタM10の出力耐圧のばらつき(±10V)を考慮し、90Vとなる。また、ここでは、従来例における出力MOSトランジスタM10の素子の面積を9mm2、出力MOSトランジスタM10以外の回路である制御回路の素子の面積を1mm2とし、パワーIC91のチップ面積を10mm2とする。
次に、図6の回路図を用いて、本発明の実施の形態2にかかるパワーICを回路構成について説明する。図6は、図3と同様に、図2で示したパワーIC1の出力MOSトランジスタM0、逆起電圧保護回路11及びチャージポンプ回路12付近の回路を示している。
次に、図7の回路図を用いて、本発明の実施の形態3にかかるパワーICを回路構成について説明する。図7は、図3と同様に、図2で示したパワーIC1の出力MOSトランジスタM0、逆起電圧保護回路11及びチャージポンプ回路12付近の回路を示している。
次に、図8の回路図を用いて、本発明の実施の形態3にかかるパワーICを回路構成について説明する。図8は、図3と同様に、図2で示したパワーIC1の出力MOSトランジスタM0、逆起電圧保護回路11及びチャージポンプ回路12付近の回路を示している。
尚、上述のパワーICにおいて、クランプ制御回路は、出力MOSトランジスタのゲート電圧を参照し、ダイナミッククランプ回路の動作を制御したが、これに限らず、例えば、ターンオフや逆起電圧発生のタイミングで制御信号をクランプ制御回路に入力し、ダイナミッククランプ回路の動作を制御してもよい。
11 逆起電圧保護回路 12 チャージポンプ回路
13 電流制限回路 14 電流検出回路
15 過熱検出回路 16ラッチ回路 17 自己診断回路
31 ダイナミッククランプ回路 32 クランプ制御回路
M0 出力MOSトランジスタ
N1 ゲート放電用MOSトランジスタ
N2 ゲート検出用MOSトランジスタ
R3 抵抗 R4 抵抗
P5 クランプスイッチ用MOSトランジスタ
D6 耐圧用ダイオード
D7 逆流防止用ダイオード
Claims (7)
- 電源と誘導性負荷との間に接続される半導体集積回路であって、
前記誘導性負荷に流れる電流を制御する出力トランジスタと、
前記出力トランジスタに印加される過電圧をクランプするクランプ回路と、
前記クランプ回路の動作を制御するクランプ制御回路とを備え、
前記クランプ制御回路は、
前記誘導性負荷による逆起電圧を検出した場合には、通常時に非動作状態に制御された前記クランプ回路を動作状態とする半導体集積回路。 - 前記クランプ制御回路は、前記出力トランジスタのゲート電圧を参照し、当該ゲート電圧の変化に基づいて、前記クランプ回路の動作を制御する請求項1に記載の半導体集積回路。
- 前記クランプ制御回路は、前記出力トランジスタのゲートと前記誘導性負荷が接続される出力端子との電位差によりゲート電圧を参照する請求項2に記載の半導体集積回路。
- 前記クランプ制御回路は、
前記参照するゲート電圧が変化ありの場合には、前記クランプ回路を動作状態とし、
前記参照するゲート電圧が変化なしの場合には、前記クランプ回路を非動作状態とする請求項2又は3に記載の半導体集積回路。 - 前記クランプ制御回路は、
前記出力トランジスタのゲート電圧の変化を検出するゲート検出用トランジスタと、
前記ゲート検出用トランジスタの状態に基づいて前記クランプ回路を導通あるいは非導通とするクランプスイッチ用トランジスタとを有する請求項2、3又は4に記載の半導体集積回路。 - 前記出力トランジスタは、Nチャネル型MOSトランジスタである請求項1乃至5のいずれかに記載の半導体集積回路。
- ドレインが電源に接続され、ソースが誘導性負荷に接続された出力トランジスタと、
前記電源と前記出力トランジスタのゲートとの間に、直列に接続された第1のトランジスタ及びダイナミッククランプ回路と、
前記電源と前記誘導性負荷との間に接続され、前記出力トランジスタのゲート電圧の変化に基づいて、前記第1のトランジスタをオン・オフする第2のトランジスタとを備える半導体集積回路。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004026603A JP4401183B2 (ja) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | 半導体集積回路 |
DE102004061326A DE102004061326B4 (de) | 2004-02-03 | 2004-12-20 | Integrierte Schaltung |
US11/035,060 US7129759B2 (en) | 2004-02-03 | 2005-01-14 | Integrated circuit including an overvoltage protection circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004026603A JP4401183B2 (ja) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | 半導体集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005223399A true JP2005223399A (ja) | 2005-08-18 |
JP4401183B2 JP4401183B2 (ja) | 2010-01-20 |
Family
ID=34805839
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004026603A Expired - Fee Related JP4401183B2 (ja) | 2004-02-03 | 2004-02-03 | 半導体集積回路 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7129759B2 (ja) |
JP (1) | JP4401183B2 (ja) |
DE (1) | DE102004061326B4 (ja) |
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JP6122542B1 (ja) * | 2016-12-01 | 2017-04-26 | イサハヤ電子株式会社 | アクティブクランプ回路 |
JP2018093344A (ja) * | 2016-12-01 | 2018-06-14 | イサハヤ電子株式会社 | アクティブクランプ回路 |
JP2018139346A (ja) * | 2017-02-24 | 2018-09-06 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及びそれを備えた電子制御システム |
JP7435359B2 (ja) | 2020-08-24 | 2024-02-21 | 株式会社デンソー | 負荷駆動回路 |
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Publication number | Publication date |
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DE102004061326B4 (de) | 2010-01-21 |
US20050168264A1 (en) | 2005-08-04 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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