JP5315026B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。図1に本発明の実施の形態1にかかる半導体装置の回路図を示す。図1に示すように半導体装置100は、第1の端子K1と、第2の端子K2と、負荷Zと、第1のトランジスタ(特許請求の範囲における出力トランジスタ)T1と、制御入力端子K3と、電圧制御回路SBと、ゲート放電回路SCと、温度センサー回路TSと、電圧制御検出回路SDと、を備える。
次に、本発明の実施の形態2について図面を参照して詳細に説明する。図3に示す半導体装置100aは、図1の本発明の実施の形態1に示す半導体装置100と比較して、負荷Zの接続位置が異なる。第1の端子K1には第1の電源V+が接続され、第2の端子K2には負荷Zを介して第2の電源GNDに接続される。つまり、半導体装置100aはハイサイドスイッチの構成(以下、ハイサイド構成と称す)を採用している。また、半導体装置100aは昇圧回路A4をさらに備え、昇圧回路A4によって昇圧された電圧によって第1のトランジスタT1のオンオフが制御される。その他の回路構成については、実施の形態1の場合と同様であるため説明を省略する。
100a 半導体装置
A3 駆動回路
A4 昇圧回路
D1 ダイオード
GND 第2の電源
K1 第1の端子
K2 第2の端子
K3 制御入力端子
R2 抵抗素子
R3 抵抗素子
SB 電圧制御回路
SD 電圧制御検出回路
SC ゲート放電回路
T1 第1のトランジスタ
T2 第2のトランジスタ
T3 第3のトランジスタ
T4 第4のトランジスタ
T5 第5のトランジスタ
T6 第6のトランジスタ
T7 第7のトランジスタ
TS 温度センサー回路
V+ 第1の電源
Z 負荷
Z1 第1のツェナーダイオード
Z2 第2のツェナーダイオード
Claims (9)
- ゲートに印加される制御電圧に応じて負荷への電源供給が制御される出力トランジスタと、
前記出力トランジスタのゲートとドレインとの間に接続され、前記出力トランジスタのソース−ドレイン間の電位差に応じて導通状態が制御される電圧制御回路と、
前記電圧制御回路の導通状態に基づいて電圧制御検出信号を出力する電圧制御検出回路と、
前記出力トランジスタのゲートとソースとの間に接続され、前記電圧制御検出信号に応じてオンオフが制御される第1の放電スイッチと、
前記出力トランジスタのゲートとソースとの間において前記第1の放電スイッチに直列に接続され、前記出力トランジスタの温度状態に基づく温度検出信号に応じてオンオフが制御される第2の放電スイッチと、
前記第1及び前記第2の放電スイッチに並列に接続され、前記出力トランジスタをオンオフする制御信号に基づいてオンオフ制御され、前記温度検出信号に対応する信号が前記出力トランジスタの温度状態が異常であることを示す場合には、前記制御信号に関わらずオンに制御される、第3の放電スイッチと、を備えた半導体装置。 - 前記電圧制御回路は、
直列接続されたツェナーダイオードとダイオードとを有する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記電圧制御検出回路は、
前記電圧制御回路と前記出力トランジスタのドレインとの間に接続された第1のトランジスタを備え、
当該第1のトランジスタと前記電圧制御回路との接続ノードの電圧に応じて前記電圧制御検出信号を出力する請求項1又は2に記載の半導体装置。 - 前記第1のトランジスタは、
ソースが前記出力トランジスタのドレインに接続され、ゲート及びドレインが前記電圧制御回路に接続されたPチャネル型MOSトランジスタである請求項3に記載の半導体装置。 - 前記電圧制御検出回路は、
入力端子に前記接続ノードの電圧が印加され、出力端子から前記電圧制御検出信号を出力するインバータ回路をさらに備える請求項3又は4に記載の半導体装置。 - 前記第1〜3の放電スイッチはいずれもNチャネル型MOSトランジスタである請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記第1の放電スイッチと前記第2の放電スイッチとの抵抗成分の和は、前記第3の放電スイッチの抵抗成分よりも小さい請求項1〜6のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記負荷は、高電位側電源と前記出力トランジスタとの間に接続される請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記負荷は、低電位側電源と前記出力トランジスタとの間に接続される請求項1〜7のいずれか一項に記載の半導体装置。
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