JPH08107632A - スイッチング装置 - Google Patents

スイッチング装置

Info

Publication number
JPH08107632A
JPH08107632A JP7235562A JP23556295A JPH08107632A JP H08107632 A JPH08107632 A JP H08107632A JP 7235562 A JP7235562 A JP 7235562A JP 23556295 A JP23556295 A JP 23556295A JP H08107632 A JPH08107632 A JP H08107632A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transistor
terminal
switching device
field effect
connection terminal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7235562A
Other languages
English (en)
Inventor
Michael Walther
ヴァルター ミヒャエル
Gerhard Siese
ジーゼ ゲルハルト
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Publication of JPH08107632A publication Critical patent/JPH08107632A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
    • H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
    • H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
    • H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
    • H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03K—PULSE TECHNIQUE
    • H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
    • H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
    • H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
    • H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
    • H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches

Landscapes

  • Electronic Switches (AREA)
  • Direct Current Feeding And Distribution (AREA)

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 電源電圧を誤った極性で接続した場合でも保
護作用をするスイッチング装置を提供する。 【解決手段】 第１および第２端子１０５，１０６と制
御端子１０７を有するスイッチング装置１０１におい
て、少なくとも第１および第２のトランジスタ１１０，
１２０が設けられており、そのうちの一方が制御接続端
子１０７に加わる信号に依存して制御され、第２トラン
ジスタ１２０はスイッチング装置１０１の第１端子１０
５と第１トランジスタ１１０との間に直列に接続されて
おり、第２トランジスタ１２０は逆方向に作動される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は少なくとも第１およ
び第２の接続端子ならびに制御接続端子を具備し、第２
接続端子に接続された第１のトランジスタを少なくとも
備えたスイッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】制御接続端子に加えて第１および第２接
続端子を具備したスイッチング装置が公知である。いわ
ゆる電界効果トランジスタがスイッチ素子として頻繁に
用いられている。
【０００３】このようなスイッチング装置の１つの欠点
は、それらは極性を誤って接続した場合に対する保護を
保証するものではないということである。もし誤った極
性の電源電圧を加えた場合、負荷に電流が流れ続けると
いう事態も起こる。そうなると、たとえば負荷が電磁弁
の場合、駆動信号の如何に関わらず電磁弁が一定の位置
に保持され続けるということにもなりかねない。また、
他の負荷の場合に、スイッチング装置および／またはス
イッチング装置により電流が流れている負荷、あるいは
電流消費装置が損傷を受けたり破壊されたりという事態
も起こる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、電源
電圧の極性を逆に接続した場合における、スイッチング
装置および／または負荷の損傷を防止するための逆極性
保護システムを具備したスイッチング装置を提供するこ
とにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題は以下の構成により解決される。すなわち、少なくと
も１つの第２トランジスタが設けられており、第１およ
び第２トランジスタのうち少なくとも一方が制御接続端
子に加わる信号に依存して制御可能であり、第２トラン
ジスタはスイッチング装置の第１接続端子と第１トラン
ジスタの間に直列に接続されており、第２トランジスタ
は逆方向に作動させることにより解決される。
【０００６】
【実施例】以下に図面に示した実施例を参照しながら、
本発明を説明する。
【０００７】図１に本発明によるスイッチング装置１０
１の第１実施例を示す。このスイッチング装置１０１は
第１接続端子１０５により電源電圧ＵBatに接続され、
また、負荷１００を介してアースに接続されている。制
御ユニット１５０は、制御接続端子１０７を介して駆動
信号をスイッチング装置に加える。負荷１００は任意の
電力消費装置であればよく、たとえば電磁弁、モータあ
るいは白熱電球である。
【０００８】制御ユニット１５０はたとえばマイクロプ
ロセッサーまたは出力段であり、種々の信号に応じて、
スイッチング装置１０１に加える駆動信号を供給する。
駆動信号の発生に依存して、スイッチング装置１０１に
は電源電圧ＵBat（接続端子１０５）から電流が負荷１
００を通ってアースへ流れる。
【０００９】スイッチング装置１０１は第１電界効果ト
ランジスタ１１０を具備し、このトランジスタはそのソ
ース端子１１１を介してスイッチング装置１０１の第２
接続端子１０６に接続されている。電界効果トランジス
タ１１０のゲート端子１１３は制御接続端子１０７に接
続されている。電界効果トランジスタ１１０の寄生サブ
ストレートダイオードは１１５で示されている。
【００１０】第１電界効果トランジスタ１１０のドレイ
ン端子１１２は直接第２電界効果トランジスタ１２０の
ドレイン端子１２２に接続されている。第２電界効果ト
ランジスタ１２０のソース端子１２１はスイッチング装
置１０１の第１接続端子１０５に接続されている。第２
電界効果トランジスタ１２０のゲート端子１２３も同様
に制御接続端子１０７に接続されている。
【００１１】ドレイン端子同士を直接接続し、第２スイ
ッチ素子を第１スイッチ素子とは逆方向に接続して作動
させるために、寄生ダイオード１１５と１２５とは逆向
きに接続されている。その結果、スイッチング装置を逆
の極性で接続した場合に、スイッチ素子１２０が遮断状
態にあるとき、電流はこれらのダイオードの直列接続を
介して流れることはない。
【００１２】さらに、リレーのコイル１４０およびダイ
オード１４５が第１接続端子１０５と２つの電界効果ト
ランジスタのドレイン端子１１２および１２２に接続さ
れている。この実施例では、ダイオード１４５のカソー
ドはコイル１４０に接続され、そしてアノードはドレイ
ン端子に接続されている。このリレーコイルによりスイ
ッチ素子１３０が作動され、その結果、第１接続端子１
０５と、２つの電界効果トランジスタ１１０および１２
０のゲート端子１２３、１１３との接続が形成される。
【００１３】図１にはスイッチング装置１０１の正しい
極性が示されている。極性が正しい場合、電源電圧はア
ースに対して正電位となる。この場合、ゲート端子１１
３およびゲート端子１２３に駆動信号を印加することに
より２つの電界効果トランジスタをオンすることがで
き、よって電流が接続端子１０５より接続端子１０６を
介して負荷１００へ流れる。
【００１４】正常動作状態、つまり正しい極性で接続さ
れた場合、ダイオード１４５があるため、電流はコイル
１４０を流れず、スイッチ素子１３０は開いている。し
たがって他の素子に何の影響も及ぼさない。
【００１５】一方、スイッチング装置および負荷を一緒
に極性を逆にして接続した場合、つまり、第１接続端子
１０５がアースに接続され負荷１００ないし第２接続端
子１０６が電源電圧ＵBatに接続された場合、電流は第
１電界効果トランジスタ１１０の寄生サブストレートダ
イオード１１５を介してリレーのコイル１４０を通り、
アースへと流れる。その結果、スイッチ素子１３０は閉
じ、２つの電界効果トランジスタ１１０と１２０のゲー
ト端子１２３および１１３がアースに接続される。これ
は、電界効果トランジスタ１２０とその寄生ダイオード
１２５が電流の流れを遮断するということを意味する。
この場合、コイルの抵抗値を適当な大きさにして、コイ
ル１４０、ダイオード１１５および負荷１００を介して
流れる電流が負荷１００に反作用しないようにするる。
これは、電磁弁のコイルを例にとれば、抵抗値、よって
電流値を適当に選択して、電磁弁の可動子が動かないよ
うにすることを意味する。
【００１６】第２実施例を図２に示す。図１においてす
でに説明された素子には同一の参照番号が付けられてお
り、本実施例ではリレーコイル１４０とスイッチ素子１
３０が省かれている。
【００１７】制御接続端子１０７はトランジスタ２３０
を介して第１接続端子１０５に接続され、ゲート端子１
１３および１２３に、好ましくは抵抗１０８を介して接
続されている。トランジスタ２３０のベース端子２３１
は抵抗２４０、抵抗２４２およびダイオード２４４から
成る分圧器の中間タップに接続されている。抵抗２４２
のもう一方の端子はダイオード２４４のカソードに接続
されている。ダイオード２４４のアノードはスイッチン
グ装置１０１のもう１つの接続端子２４６に接続されて
いる。この接続端子２４６は付加的なアース接続端子を
形成している。
【００１８】正しい極性で接続されている場合、抵抗２
４２と２４０から成る分圧器には電圧が生じるが、この
電圧はトランジスタ２３０を非導通状態のままに保持す
る。その結果、制御接続端子１０７に加わる信号が電界
効果トランジスタ１１０および１２０に加えられること
になる。
【００１９】誤った極性で接続した場合、つまり接続端
子１０５がアース電位につながっている場合、トランジ
スタのベースはアース電位をとる。そのためトランジス
タ２３０により接続端子１０５のアース電位が電界効果
トランジスタ１１０および１２０のゲート端子に印加さ
れる。その結果、電界効果トランジスタ１２０およびそ
の寄生ダイオード１２５により、負荷１００を通る電流
の流れが遮断される。
【００２０】接続端子１０５および１０６の極性を反転
した場合、電界効果トランジスタ１１０の寄生サブスト
レートダイオード１１５は導通状態である。極性を反転
した場合、電界効果トランジスタ１２０自体が遮断状態
にあるとして、電流は電界効果トランジスタ１２０の寄
生ダイオード１２５により遮断される。電界効果トラン
ジスタ１２０はトランジスタ２３０により確実に遮断状
態にあるが、それはトランジスタ２３０が、電界効果ト
ランジスタ１２０のゲート端子１２３がソース電位にな
るように、抵抗２４０と２４２およびダイオード２４４
から成る分圧器を介して駆動されるからである。
【００２１】本実施例の特に有利な形態を破線を用いて
示す。この形態においてダイオード２４４のアノードは
トランジスタ１２０および１１０のドレイン端子１２２
および１１２に接続されている。これにより、アースへ
の付加的な外部接続端子を省くことができる。動作の仕
方は図１に示された実施例と同様である。
【００２２】図３に示す別の実施例では、トランジスタ
２３０に代えて電界効果トランジスタ３３０が用いられ
ている。また、電界効果トランジスタ３３０のドレイン
端子３３２にはダイオード３１０のカソードが接続され
ており、このダイオードのアノードは電界効果トランジ
スタ１１０および１２０のゲート端子１２３および１１
３に接続されている。また、電界効果トランジスタ３３
０の寄生サブストレートダイオード３３５が示されてい
る。
【００２３】電界効果トランジスタ３３０のソース端子
３３１はスイッチング装置１０１の第１接続端子１０５
および抵抗３２０に接続されている。 抵抗３２０のも
う一方の端子は電界効果トランジスタ３３０のゲート端
子３３３に接続され、また、ドレイン端子１２２と１１
２との接続点にも接続されている。
【００２４】正しい極性で接続された場合、電界効果ト
ランジスタ３３０は、ゲート端子３３３がアース電位と
なっているため、非導通状態である。
【００２５】逆の極性で接続された場合、電流は電池電
圧につながっている接続端子１０６から電界効果トラン
ジスタ１１０の寄生サブストレートダイオード１１５お
よび抵抗３２０を介して、アース電位となっている第１
接続端子１０５へと流れる。抵抗３２０および負荷１０
０それぞれの電圧降下によりゲート端子３３３の電位は
ソース端子３３１に対して正となり、その結果、電界効
果トランジスタ３３０は導通状態に移行する。電界効果
トランジスタ３３０が導通状態であれば、電界効果トラ
ンジスタ１２０および１１０のゲート端子１２３および
１１３はアース電位となる。そのため、トランジスタ１
２０とその寄生ダイオード１２５は遮断され、その結果
負荷は保護される。
【００２６】電界効果トランジスタ３３０を用いること
により誤極性接続に対する保護用トランジスタ１２０が
確実に電流を遮断するようにしている。ダイオード３１
０により、正常な動作時においてトランジスタ１２０お
よび１１０が不必要に駆動されるのを防いでいる。こう
した構成により、極性が逆に接続された場合でも電流が
負荷１００を介して流れることを防止できる。
【００２７】本実施例は図１の実施例と同様、別個のア
ース接続を必要しないので、特に有利である。図３に示
した実施例において特に有利な点は、逆極性接続保護用
装置を、３端子のケーシング内で用いられる通常の電界
効果トランジスタと一体化できるということである。し
たがって、逆極性接続に対する保護のために接続端子を
付加する必要がない。さらに、逆極性接続に対する保護
システムは通常の電界効果トランジスタの製造過程で製
造することができる。
【００２８】上述の各実施例においては、電界効果トラ
ンジスタとしてＮチャネルＭＯＳ電界効果トランジスタ
が使用されているが、本発明の構成はそれ以外の半導体
スイッチ素子を使用しても実現可能である。その際に
は、各端子は適切に置き換える必要がある。たとえば、
ＰチャネルＭＯＳトランジスタを用いる場合には、ドレ
イン端子とソース端子を入れ換える。負の電源電圧を使
用する場合にも同様のことが言える。
【００２９】
【発明の効果】本発明のスイッチング装置により、負荷
は逆極性での接続に対して保護される。極性を逆に接続
した場合でも、スイッチング装置および負荷は損傷を免
れる。逆極性保護システムに別個のアース接続端子を設
ける必要がない点が特に有利である。また、逆極性保護
システムを、通常使用される電界効果トランジスタと一
体化して三端子のケーシング内に設けることができる。
つまり、内部で逆極性保護システムが組み込まれている
ため、付加的な接続端子を必要としない。さらに、逆極
性保護システムは通常の電界効果トランジスタと同じ製
造工程で製造することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】リレーを用いた第１実施例の回路。
【図２】バイポーラトランジスタを用いた第２実施例の
回路。
【図３】電界効果トランジスタを用いた第３実施例の回
路。
【符号の説明】
１００ 負荷 １０１ スイッチング装置 １０５ 第１接続端子 １０６ 第２接続端子 １０７ 制御接続端子 １０８ 抵抗 １１０ 第１電解効果トランジスタ １１１ ソース端子 １１２ ドレイン端子 １１３ ゲート端子 １１５ 寄生サブストレートダイオード １２０ 第２電解効果トランジスタ １２１ ソース端子 １２２ ドレイン端子 １２３ ゲート端子 １２５ 寄生サブストレートダイオード １３０ スイッチ素子 １４０ リレーコイル １４５ ダイオード １５０ 制御ユニット ２３０ トランジスタ ２３１ ベース端子 ２４０、２４２ 抵抗 ２４４ ダイオード ２４６ 接続端子 ３１０ ダイオード ３２０ 抵抗 ３３０ 電解効果トランジスタ ３３１ ソース端子 ３３２ ドレイン端子 ３３３ ゲート端子 ３３５ 寄生サブストレートダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ゲルハルト ジーゼ ドイツ連邦共和国 ルートヴィヒスブルク シュポッテンベルガー ヴェーク 12

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 少なくとも第１および第２接続端子（１
    ０５、１０６）ならびに制御接続端子（１０７）を具備
    し、該第２接続端子に接続された第１トランジスタ（１
    １０）を少なくとも備えたスイッチング装置（１０１）
    において、 少なくとも１つの第２トランジスタ（１２０）が設けら
    れており、前記２つのトランジスタ（１１０、１２０）
    のうち少なくとも一方が、制御接続端子（１０７）に加
    わる信号に依存して制御可能であり、該第２トランジス
    タはスイッチング装置（１０１）の第１接続端子（１０
    ５）と第１トランジスタ（１１０）との間に直列に接続
    されており、第２トランジスタ（１２０）は逆方向に作
    動されることを特徴とするスイッチング装置（１１
    ０）。
  2. 【請求項２】 正常動作においては、第１トランジスタ
    （１１０）の第１端子（１１１）が負荷（１００）に接
    続されており、第２トランジスタ（１２０）の第１端子
    （１２１）が電源電圧（ＵBat）に接続されており、前
    記２つのトランジスタ（１２０、１１０）の第２端子
    （１１２、１２２）が相互に直接接続されていることを
    特徴とする請求の範囲第１項記載のスイッチング装置。
  3. 【請求項３】 逆極性で接続した場合には、第１および
    ／または第２トランジスタ（１１０、１２０）が電流の
    流れを遮断する請求の範囲第１項または第２項記載のス
    イッチング装置。
  4. 【請求項４】 ２つの第２端子（１１２、１２２）の接
    続点が抵抗装置（３２０）またはリレーコイル（１４
    ０）を介して第１接続端子（１０５）に接続可能である
    請求の範囲 第１項から第３項までのいずれか１項記載
    のスイッチング装置。
  5. 【請求項５】 第１および／または第２トランジスタ
    を、第２スイッチ素子（１３０、２３０、３３０）によ
    り抵抗装置（３２０）またはリレーコイル（１４０）を
    通る電流の流れに依存して駆動して、該第１および／ま
    たは第２トランジスタ（１１０、１２０）の電流の流れ
    を遮断する請求の範囲第１項から第４項までのいずれか
    １項記載のスイッチング装置。
  6. 【請求項６】 前記２つのトランジスタが電界効果トラ
    ンジスタにより構成されており、それらの第２端子（１
    １２、１２２）がドレイン端子である請求の範囲第１項
    から第５項までのいずれか１項記載のスイッチング装
    置。
  7. 【請求項７】 逆極性で接続された場合に、第１および
    ／または第２電界効果トランジスタのゲート端子（１１
    ３、１２３）を、第２スイッチ素子（１３０、２３０、
    ３３０）によりアースおよび／または第２トランジスタ
    （１２０）の第１端子（１２１）に接続可能である請求
    の範囲第１項から第６項のうちいずれか１項記載のスイ
    ッチング装置。
  8. 【請求項８】 前記第２スイッチ素子（１３０、２３
    ０、３３０）も同様に電界効果トランジスタとして実現
    されている請求の範囲第１項から第７項記載のうちいず
    れか１項記載のスイッチング装置。
JP7235562A 1994-09-16 1995-09-13 スイッチング装置 Pending JPH08107632A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE4432957.1 1994-09-16
DE4432957A DE4432957C1 (de) 1994-09-16 1994-09-16 Schaltmittel

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08107632A true JPH08107632A (ja) 1996-04-23

Family

ID=6528343

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7235562A Pending JPH08107632A (ja) 1994-09-16 1995-09-13 スイッチング装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5648739A (ja)
JP (1) JPH08107632A (ja)
DE (1) DE4432957C1 (ja)
FR (1) FR2724790B1 (ja)
GB (1) GB2293290B (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244487A (ja) * 2008-04-21 2008-10-09 Renesas Technology Corp 複合型ｍｏｓｆｅｔ
JP2010081536A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Sanken Electric Co Ltd 電気回路のスイッチング装置
JP2013255017A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Rohm Co Ltd パワーパス回路
WO2017199793A1 (ja) * 2016-05-20 2017-11-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
JP2020036146A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 新日本無線株式会社 負荷駆動回路
WO2021131698A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5796274A (en) * 1996-10-16 1998-08-18 Lockheed Martin Corporation Fault tolerant MOSFET driver
DE19803040A1 (de) * 1997-01-31 1998-08-06 Int Rectifier Corp Leistungsschaltung
KR100234720B1 (ko) * 1997-04-07 1999-12-15 김영환 Tft-lcd의 구동회로
US6072676A (en) * 1998-04-13 2000-06-06 Analog Devices, Inc. Protection circuit for an excitation current source
US6064253A (en) * 1998-04-20 2000-05-16 Endgate Corporation Multiple stage self-biasing RF transistor circuit
JP3926975B2 (ja) * 1999-09-22 2007-06-06 株式会社東芝 スタック型ｍｏｓトランジスタ保護回路
TW490907B (en) * 2000-11-14 2002-06-11 Silicon Touch Tech Inc Circuit with protection for inverted connection of power source polarity
DE10154158A1 (de) * 2001-11-03 2003-05-22 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung zur Ansteuerung einer elektrischen Last und Steuergerät
DE10314601B4 (de) * 2003-03-31 2005-04-21 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltung mit einer Schutzschaltung gegen Verpolung bzw. Über- oder Unterspannung am Ausgang
DE10349282A1 (de) * 2003-10-23 2005-05-25 Hella Kgaa Hueck & Co. Verpol- und Überspannungsschutz für 5V-Sensoren
KR100513380B1 (ko) * 2003-12-05 2005-09-06 주식회사 팬택앤큐리텔 휴대용 기기의 과전압 보호 장치
US7119999B2 (en) * 2004-03-20 2006-10-10 Texas Instruments Incorporated Pre-regulator with reverse current blocking
EP1669831A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-14 Dialog Semiconductor GmbH Voltage regulator output stage with low voltage MOS devices
DE102005003682A1 (de) * 2005-01-26 2006-08-24 Siemens Ag Schutzschaltung in einem Stromversorgungseingang einer elektrischen Einrichtung und Verwendung einer Schutzschaltung
DE102005031085A1 (de) * 2005-07-04 2007-01-18 Robert Bosch Gmbh Steuergerät für den Personenschutz
DE102006006878A1 (de) * 2006-01-20 2007-07-26 Continental Teves Ag & Co. Ohg Schaltungsanordnung mit Rückspeiseschutz zum Schalten in Leistungsanwendungen
US7636011B2 (en) * 2006-07-27 2009-12-22 Artesyn Technologies, Inc. Controller for ORing field effect transistor
DE102008012896A1 (de) * 2008-03-06 2009-09-10 Robert Bosch Gmbh Steuergerät und Verfahren zur Ansteuerung von Personenschutzmitteln für ein Fahrzeug
US8164378B2 (en) 2008-05-06 2012-04-24 Freescale Semiconductor, Inc. Device and technique for transistor well biasing
US9621020B2 (en) 2008-05-16 2017-04-11 Astec International Limited Control circuits and methods for controlling switching devices
US8207779B2 (en) 2008-05-16 2012-06-26 Astec International Limited Control circuits and methods for controlling switching devices
FR2953078B1 (fr) * 2009-11-24 2012-12-28 Thales Sa Dispositif de sortie de commande logique a faible tension de dechet
SI23247A (sl) * 2009-12-18 2011-06-30 Hidria AET DruĹľba za proizvodnjo vĹľignih sistemov in elektronike d.o.o. Električno močnostno vezje za krmiljenje plamenske čepne svečke in magnetnega ventila
DE102010015096A1 (de) * 2010-04-15 2011-10-20 Continental Automotive Gmbh Treiberschaltung für eine Last
CN102012073B (zh) * 2010-12-17 2012-09-26 苏州新海宜通信科技股份有限公司 一种应用于通信基站的空调器
EP3101686B1 (en) * 2014-01-31 2019-04-17 Alps Alpine Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit device

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2638177C2 (de) * 1976-08-25 1985-10-24 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Schutzvorrichtung gegen Spannungsumpolung und Überspannungen für eine Halbleiterschaltung
FR2463543A1 (fr) * 1979-05-25 1981-02-20 Dassault Electronique Dispositif de commutation electrique a l'etat solide
DE3133518A1 (de) * 1981-08-25 1983-03-17 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt "elektronischer schalter"
US4672246A (en) * 1986-03-10 1987-06-09 Honeywell Inc. Low offset MOSFET transistor switch control
IT1226439B (it) * 1988-07-05 1991-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Circuito elettronico protetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione.
IT1226438B (it) * 1988-07-05 1991-01-15 Sgs Thomson Microelectronics Circuito elettronico con dispositivo di protezione da variazioni di tensione della batteria di alimentazione.
IT1227104B (it) * 1988-09-27 1991-03-15 Sgs Thomson Microelectronics Circuito integrato autoprotetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione
DE3835662A1 (de) * 1988-10-20 1990-04-26 Daimler Benz Ag Vorrichtung zur ansteuerung induktiver verbraucher in einem kraftfahrzeug
US5012381A (en) * 1989-09-13 1991-04-30 Motorola, Inc. Motor drive circuit with reverse-battery protection
DE59103234D1 (de) * 1991-01-16 1994-11-17 Siemens Ag Verpolungs- und Überspannungsschutz für Schaltungsanordnungen.
US5333093A (en) * 1991-11-06 1994-07-26 Siemens Aktiengesellschaft Protection apparatus for series pass MOSFETS
DE4137452A1 (de) * 1991-11-14 1993-05-19 Bosch Gmbh Robert Verpolschutzanordnung fuer leistungsendstufen-feldeffekt-transistoren
US5410441A (en) * 1993-02-01 1995-04-25 Motorola, Inc. Circuit for protecting DC powered devices from improper supply voltages

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008244487A (ja) * 2008-04-21 2008-10-09 Renesas Technology Corp 複合型ｍｏｓｆｅｔ
JP2010081536A (ja) * 2008-09-29 2010-04-08 Sanken Electric Co Ltd 電気回路のスイッチング装置
JP2013255017A (ja) * 2012-06-05 2013-12-19 Rohm Co Ltd パワーパス回路
WO2017199793A1 (ja) * 2016-05-20 2017-11-23 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
JP2017208766A (ja) * 2016-05-20 2017-11-24 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
CN109155626A (zh) * 2016-05-20 2019-01-04 株式会社自动网络技术研究所 供电控制装置
CN109155626B (zh) * 2016-05-20 2022-03-25 株式会社自动网络技术研究所 供电控制装置
JP2020036146A (ja) * 2018-08-29 2020-03-05 新日本無線株式会社 負荷駆動回路
WO2021131698A1 (ja) * 2019-12-26 2021-07-01 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置
JP2021106475A (ja) * 2019-12-26 2021-07-26 株式会社オートネットワーク技術研究所 給電制御装置

Also Published As

Publication number Publication date
GB2293290A (en) 1996-03-20
GB9518450D0 (en) 1995-11-08
DE4432957C1 (de) 1996-04-04
GB2293290B (en) 1996-09-25
FR2724790B1 (fr) 1997-10-31
US5648739A (en) 1997-07-15
FR2724790A1 (fr) 1996-03-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH08107632A (ja) スイッチング装置
EP0186282B1 (en) Apparatus for driving a vehicle window
EP0442688A2 (en) Switching circuit
JP2504586B2 (ja) 接地外れ保護回路を有する電子回路装置
US6353521B1 (en) Device and method for protecting an integrated circuit during an ESD event
JP2002512498A (ja) 極性誤り保護回路
JPH02266712A (ja) 半導体装置
JP4018077B2 (ja) 電力用スイッチのためのバッテリ逆接続の保護回路
KR100286509B1 (ko) 전력트랜지스터용 제어 전극 디스에이블 회로
JPH02119535A (ja) 電源バッテリの電圧の変動に対する保護デバイスを有する電子回路
JPH0213115A (ja) 電力用電界効果トランジスタ駆動回路
US6429550B1 (en) Polarity reversal protection circuit for a final electronic power stage
US6034448A (en) Semiconductor switch
JPH11146558A (ja) バッテリー逆接続保護付きｉｐｄ及びバッテリー逆接続保護付きｉｐｄを備えた駆動装置
US7268508B2 (en) Direct current motor control circuit and wiper system using said circuit
US6762576B2 (en) Motor driving device for supplying driving current to a three-phase motor through output transistors
JP4228960B2 (ja) 負荷駆動装置及び負荷駆動装置の高電圧印加試験方法
JP3258050B2 (ja) 誘導性負荷用ｍｏｓｆｅｔを備えた回路装置
JP2001177387A (ja) 負荷駆動装置
JP2000133778A (ja) Ｌｃｄコントローラｉｃ用フューズトリミング回路
US5023493A (en) FET and bipolar transistor bridge circuit for driving a load
JP2002175124A (ja) 車両用電源回路
EP0606746B1 (en) A circuit for increasing the breakdown voltage of a bipolar transistor
JPH09205796A (ja) モータの正逆運転装置
EP1211809A1 (en) Protection circuit for field effect transistor