DE3835662A1 - Vorrichtung zur ansteuerung induktiver verbraucher in einem kraftfahrzeug - Google Patents

Description

Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung zur Ansteue­ rung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahrzeug nach der Gattung des Hauptanspruchs.

Die Vervollkommung des Kraftfahrzeugs durch Einsatz elektronischer Systeme und Hilfseinrichtungen verlangt vermehrt nach dem Ersatz herkömmlicher elektromechani­ scher Relais durch Festkörper-Halbleiterschalter, insbe­ sondere Halbleiterendstufen, insbesondere zur Ansteuerung induktiver Verbraucher.

Die On-Chip-Integration elektronischer Steuer- und Regel­ funktionen zusammen mit Halbleiterendstufen hoher Schalt­ leistung bedingt jedoch eine große Empfindlichkeit gegen das Einwirken versehentlich falsch gepolter Betriebsspan­ nung, weil über die z.B. von einer Endstufe oder einem Servokreis ausgehenden Anschlußleitungen hohe Verpol­ ströme bis ins Innere eines Steuergeräts oder auf einen entsprechenden Halbleiterchip gelangen können.

Demgegenüber sollen elektronische Steuergeräten in Kraft­ fahrzeugen auch bei versehentlichem Falschanschluß der Batterie nicht zerstörbar sein. Insbesondere soll eine mit falscher Polung an die Bordelektrik eines Fahrzeugs angeschlossene Batterie nicht zu Verpolungsdefekten in elektronischen Steuergeräten führen können. Um eine hohe Reverspolfestigkeit elektronischer Komponenten zu errei­ chen, wurden schon zahlreiche Lösungen bekannt.

Beispielsweise ist bekannt, in einem elektronischen Steu­ ergerät ein zentrales Verpolschutzrelais vorzusehen, das die Betriebsspannung nur dann an die Endstufen gelangen läßt, wenn sie richtig gepolt anliegt. Es arbeitet mit einer oder mehreren seiner Erregerwicklung zugeordneten Halbleiterdioden zusammen. Diese bekannte Lösung bietet den Vorteil eines sehr geringen Verlustspannungsabfalles, da der stromführende Schaltkontakt des Relais mit sehr geringem Einschaltwiderstand ausgebildet werden kann. Allerdings leidet die Zuverlässigkeit eines entsprechen­ den Kontakts bei atmosphärisch aggressiven Einwirkungen bzw. bei hoher klimatischer Wechselbeanspruchung. Dazu ist ein Verpolschutzrelais teuer, nimmt wertvollen Bau­ raum in Anspruch, und kann meist auch nicht automatisch bestückt werden. Der niederohmige Verpolschutzkontakt bewirkt zwar erwünschtermaßen eine geringe Verlustlei­ stung durch Spannungsabfall daran. Dafür stört aber die Verlustleistung aufgrund des erforderlichen Spulenbe­ triebsstromes eines solchen Relais in der Größenordnung von 200 mA, der den Wirkungsgrad eines solchen Gerätes verschlechtert.

Auch ist die Verwendung diskreter Verpolschutzdioden, die in der Betriebsspannungsversorgung entsprechender Ein­ richtungen oder Endstufen wirksam sind, bekannt. In mo­ dernen, für Steueranwendungen im Kraftfahrzeug vorgese­ henen integrierten Treiberschaltungen sind sie teilweise als intere Schutzdioden für die Halbleiterendstufe On- Chip mitintegriert.

Die letztgenannten Lösungen besitzen den Nachteil eines verhältnismäßig hohen Verlustspannungsabfalls an der Ver­ polschutzdiode. Bei einem Steuerstrom von 5 A, wie er bei modernen Magnetventilen der im Kraftfahrzeug üblichen Art gängig ist, entsteht im eingeschalteten Zustand der steuernden Halbleiterendstufe die Hauptverlustleistung nicht mehr an deren Schalttransistoren, sondern an den Verpolschutzdioden; unter "Worst-Case"-Bedingungen treten an letzteren Spannungsabfälle bis zu 1,6 V auf, woraus dann eine Verpolschutz-Verlustleistung von 8 Watt resul­ tiert. Konstruktive Maßnahmen zur Abfuhr der entsprechen­ den Verlustwärme können ein entsprechendes Gerätegehäuse mehr verteuern als der Einsatz eines herkömmlichen Ver­ polschutzrelais.

Aktuatoren, Steller und Schrittmotoren mit induktiver Antriebsimpedanz werden im Kraftfahrzeug durch getaktet beaufschlagten Gleichstrom betätigt. Die Bereitstellung und taktweise Zerhackung des Gleichstromes besorgen vor­ zugsweise eingangs erwähnte Festkörper-Halbleiterschal­ ter, insbesondere Halbleiterendstufen.

Um diese vor induktiven Abschaltspannungsspitzen zu schützen und das Einwandern transienter Schaltspikes in das Bordnetz zu verhindern, ist es bekannt, mit indukti­ ven Verbrauchern abzuschließenden Ausgängen von Steuer­ einrichtungen herkömmliche Halbleiterdioden so parallel­ zuschalten, daß nach Abschalten des Ansteuerstromes eines induktiven Verbrauchers der damit bewirkte Induktions­ stromstoß über diese Halbleiterdiode abfließen, und somit das zusammenbrechende Magnetfeld keine Spannung gefähr­ licher Höhe aufbauen kann.

Die Freilaufstromstärke kann beträchtlich sein. Wird - zwecks geringen Kupferverbrauchs für Magnetwicklungen - zudem eine schnelle Stromtaktung vorgesehen, treten Frei­ laufstomstöße entsprechend oft, d.h. in kurzer zeitlicher Abfolge auf mit der Wirkung, daß ihr Stromintegral be­ trächtlich sein kann. Dieses Integral bewirkt in Ana­ logie zum betriebsstrombedingten Spannungsabfall an einer Verpolschutzdiode eine gewisse Verlustleistung, die sich aus der Durchlaßspannung der Freilaufdiode bei entspre­ chender Bestromung ergibt; bei praktikablen Strömen liegt sie über 1 V. Weil Steuergeräte in Kraftfahrzeugen mit wachsender Tendenz eine Vielzahl von mit Freilaufmitteln zu schützender Ausgänge aufweisen, ist es insoweit auch wünschenswert, die an Freilaufmitteln abfallende Verlust­ wärme ebenfalls geringstmöglich zu halten.

Es ist also Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zur Ansteuerung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahrzeug zu schaffen, welche es erlaubt, den insoweit auf den Her­ stellungspreis eines elektronischen Steuergerätes direkt durchgreifenden Verlustspannungsabfall an von Steuer- bzw. Abschaltströmen durchflossenen Verpolschutz- bzw. Freilaufmitteln zu minimieren. Diese Vorrichtung soll zudem geeignet sein, herkömmliche Verpolschutz- und Frei­ laufmittel unmittelbar zu ersetzen, d.h. insoweit in bestehende Konzepte entsprechender Steuergeräten leicht integrierbar sein.

Diese Aufgabe wird mit einer gattungsgemäßen Einrichtung nach dem kennzeichnenden Teil des Hauptanspruches gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Ein­ richtung sind nach Lehre der Unteransprüche gegeben.

Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, eine für Polschutz- oder Freilaufzwecke vorgesehene herkömmliche Halbleiter- Diodenstrecke durch die Schaltstrecke eines Leistungs- MOS-Transistor in Inversbetrieb zu ersetzen. Bei dieser normalerweise vermiedenen Betriebsart weisen moderne Leistungs-MOS-Transistoren einen sehr niedrigen On- Widerstand in der Größenordnung von ca. 20 bis 100 mOhm auf, an welchem bei den im Kraftfahrzeug üblichen Ansteu­ erströmen eine Spannungsabfall von nur 0,1 V bis 0,5 V - und folglich eine dementsprechend im Quadrat reduzierte Verlustwärmeleistung - abfällt.

In vorteilhafter Weise kann die Beaufschlagung einer Mehrzahl solcher in einem Steuergerät derart eingesetzter Transistoren mit für Inversbetrieb jeweils erforderlichen Steuersignalen kann unter Verwendung vorzugsweise einer zentralen Ladungspumpe geschehen, die ihrerseits ohne Anfall nennenswerter Verlustleistung auf herkömmliche Weise kostengünstig verpolgeschützt werden kann.

Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenen Beschreibung näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 das Prinzipschaltbild einer bekannten Vorrich­ tung zur - vorzugsweise getakteten - Ansteuer­ ung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahr­ zeug, welche sowohl eine Verpolschutzdiode als auch eine Abschaltspannungsspitzen unterdrüc­ kende Freilaufdiode aufweist und als Ausgangs­ punkt der Erfindung anzusehen ist;

Fig. 2 das Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäß entsprechenden Vorrichtung, bei der sowohl Ver­ polschutz- als auch Freilaufdioden durch invers betriebene Leistungs-MOS-Transistoren ersetzt sind;

Fig. 3 das Prinzipschaltbild einer entsprechenden Vor­ richtung, die eine zentrale Ladungspumpschal­ tung für die Vorspannung einer Mehrzahl von MOS-Feldeffekt-Transistoren verwendet;

Fig. 4 das Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäßen Abwandlung des Ausführungsbeispiels gemäß Fig. 2, welches ohne Ladungspumpschaltung auskommt.

Fig. 1 zeigt eine typische Schaltungsanordnung in einem elektronischen Steuergerät zum geschalteten oder getakte­ ten Ansteuern eines Verbrauchers 2, vorzugsweise eines Aktuators oder Stellgliedes mit induktiver Komponente seiner Impedanz. Eine Ansteuerelektronik 1 empfängt An­ steuersignale an ihren Steuerklemmen 1 c und 1 d und ist an ihren Versorgungsklemmen 1 a und 1 b zwischen die von der an Klemme 10 anliegenden Bordspannung U _Batt abgelei­ tete positive Betriebsspannung U _v und Masse 20 geschal­ tet. Sie soll den Verbraucher 2 über den Halbleiterschal­ ter 3 zeitweise mit der Betriebsspannung U _v beaufschla­ gen. Als Halbleiterschalter 3 ist beispielhaft ein N-Kanal-Leistungs-MOS-Transistor mit Elektroden Source 3 a, Drain 3 b und Gate 3 c sowie einer parasitär wirksamen Kanaldiode 3 d vorgesehen. Soweit erforderlich kann das Gate 3 c des Transistors 3 in bekannter Weise mittels einer hier nur symbolisch angedeuteten und als Bestand­ teil der Elektronik 1 zu verstehenden "Ladungspumpe" 7 c angesteuert sein, ähnlich wie dies z.B. vom integrierten Endstufenbaustein BTS 412A von Siemens bekannt ist; jener Baustein ist selbst nicht verpolfest.

Als Schutz gegen Anschluß der Betriebsspannung U _Batt an Anschlußklemmen 10 und 20 mit falscher Polung sowohl bezüglich des Verbrauchers 2 als auch der Elektronik 1 mit Schalttransistor 3 ist bekanntermaßen die Diode 4 vorgesehen. Die Diode 5 wirkt in gleichbekannter Weise als Freilaufdiode, welche durch zeitliche Streckung des Stromabbaus in der induktiven Komponente des Verbrauchers 2 zu einer Begrenzung der induzierten Abschaltspannung am Verbraucher 2 bewirkt.

Dieselbe Funktion wird von der erfindungsgemäßen Vorrich­ tung gemäß Fig. 2 bewirkt. Sie nutzt aus, daß der Kanal­ widerstand eines MOS-Transistors im durchgeschalteten Inversbetrieb praktisch dem Kanalwiderstand bei Normal­ betrieb entspricht (die internen parasitären Dioden sind wegen des geringen Längswiderstandes normalerweise nicht leitend). Gegenüber der bekannten Vorrichtung gemäß Fig. 1 sind die Ventilstrecken der betreffenden Dioden durch bezüglich üblicher Polung jeweils invers beaufschlagte Schaltstrecken eines N-Kanal-Leistungs-MOS-Transistors ersetzt.

Der Leistungs-MOS-Transistor 6 mit Elektroden Source 6 a, Drain 6 b und Gate 6 c sowie einer parasitär wirksamen Kanaldiode 6 d, ersetzt die Polschutzdiode 4. Das Gate 6 c ist mit einer Ladungspumpe 7 a verbunden, die das Gate 6 c mit einer Vorspannung beaufschlagt, welche so bemessen ist, daß sie bei richtiger Polung der Betriebsspannung U _Batt an Klemmen 10 und 20 zwischen Source 6 a und Drain 6 b ein niederohmiges Durchschalten des Leistungs-MOS- Transistors 6 bewirkt. Ist z.B. bei richtiger Polung der Betriebsspannung U _Batt das Gate 6 c des Transistors 6 positiv gegenüber der Source 6 a vorgespannt, dann ist die Kanalstrecke zwischen Source 6 a und Drain 6 b des Tran­ sistors 6 in den leitenden Zustand geschaltet.

Bei falsch gepoltem Anschluß der Betriebsspannung U _Batt an Klemmen 10 und 20 wird dann - z.B. durch entsprechend gesteuerte Aufhebung der Wirkung der Ladungspumpe 7 a - zwischen Source 6 a und Gate 6 c des Transistors 6 z.B. annähernde Potentialgleichheit hergestellt. Damit wird der in diesem Falle dann für üblichen Normalbetrieb gepolte Transistor 6 gesperrt und somit als Verpolschutz wirksam.

Bei der Ladungspumpe 7 a handelt es sich um eine separat versorgte Hilfsschaltung mit einer Funktionsweise ähnlich der eines Gleichspannungswandlers, welcher es erlaubt, zu einem beliebigen Ansteuersignalpegel zwischen Masse und U _Batt ein definiertes Potential hinzuzuaddieren, so daß das Gate 6 c eine höhere (positivere) Spannung gegenüber Masse annehmen kann als die Source 6 a. Eine solche Hilfs­ schaltung kann eine aufaddierbares Potential entweder mittels eines Trenntransformators, oder aber als Lade­ spannung wenigstens eines Ladekondensators erzeugen, welche durch geeignete gesteuerte Schaltmittel zyklisch auf das steuernde Signal aufschaltbar ist, so daß die Summenspannung in einem Siebkondensator gehalten werden kann. Eine Aufhebung der Wirkung einer solchen Pumpschal­ tung ist dadurch möglich, daß diese z.B. in herkömmlicher Weise durch eine separate, bekannte und symbolisch ange­ deutete Verpolschutzdiode 9 a aus Klemme 10 versorgt wird. Der Wirkungsgrad der gesamten Anordnung wird dadurch kaum beeinträchtigt, weil der sehr hohe Eingangswiderstand von Leistungs-MOS-Transistoren eine quasi-elektrostatische Ansteuerung erlaubt und deshalb die Leistungsaufnahme einer solchen Pumpschaltung im Milliwattbereich liegt. Der Spannungverlust an einer entsprechenden Polschutz­ diode 9 a für die Ladungspumpe selbst bewirkt somit nur eine vernachlässigbare Verlustwärme.

So von der Ladungspumpe 7 a unterstützt substituiert der Transistor 6 eine herkömmliche Verpolschutzdiode, jedoch mit drastisch reduzierter Wärmeentwicklung. Unter Zugrun­ delegung eines inversen Kanalwiderstandes von 50 mOhm des Transistors 6 und einer an einer herkömmlichen Polschutz­ diode abfallenden Verlustspannung von 1 V bezogen auf einen jeweils angenommenen Schaltstrom von 1 A fällt die am erfindungsgemäß invers in Durchlaß betriebenen MOS- Transistor entstehende Verlustleistung somit rund 20fach geringer aus.

In analoger Weise ersetzt der von der elektronischen Ansteuerschaltung 1 angesteuerte Leistungs-MOS-Transistor 8 mit Elektroden Source 8 a, Drain 8 b und Gate 8 c sowie einer parasitär wirksamen Kanaldiode 8 d die Freilaufdiode 5 gemäß Fig. 1. Auch das Gate 8 c kann von einer entspre­ chenden Ladungspumpe 7 b beaufschlagt sein, wie angedeu­ tet. Durch eine geeignete Vorspannung des Gates 8 c wird bewirkt, daß - nach dem Öffnen des Transistors 3 - bei Umpolung der Spannung am Verbraucher 2 einen sehr niedri­ gen Widerstand zwischen Source 8 a und Drain 8 b und somit eine Begrenzung des Abschaltspannungsstoßes an der Induk­ tivität des Verbrauchers 2 bewirkt.

In ähnlicher Weise kann auch das Gate 3 c des MOS-Tran­ sistors 3 von einer Ladungspumpe 7 c mit einem Hilfs­ potential vorgespannt sein, damit sich der Spannungshub der Ansteuerspannung zwischen Gate 3 c und Source 3 a in einem für einwandfreies Schaltverhalten optimalen Bereich befindet; eine solche Pumpschaltung kann - wie symbolisch angedeutet - auch Bestandteil einer komplexeren inte­ grierten Ansteuerschaltung 1 sein. Soweit erforderlich kann eine solche Ladungspumpe 7 c auch beide Transistoren 3 und 8 mit unterschiedlichen statischen Potentialen vorspannen, so daß die Ladungspumpe 7 b dann entfällt. Die gestrichelte Verbindung 11 versinnbildlicht diesen Fall.

Die beiden Transistoren 3 und 8 bilden eine steuerbare Halbbrücke, die den Verbraucher 2 entweder kurzschließt oder an die Betriebsspannung U _v , d.h. über den Verpol­ schutztransistor 6 an die Betriebsspannung +U _Batt anlegt. Vorzugsweise werden die beiden Transistoren 3 und 8 von der Steuerung 1 abwechselnd im Gegentakt angesteuert so, daß einerseits eine gleichzeitige Leitung beider Transis­ toren ausgeschlossen ist, und daß andererseits aber auch keine nennenswerte Totzeit zwischen abwechselnden Lei­ tungsphasen der beiden Transistoren existiert.

In einer praktischen Anwendung kann es sich bei dem induktiven Verbraucher 2 z.B. um ein mit 5 kHz oder höher pulsweitengetaktetes Proportional-Magnetventil handeln. Bei derart schnell getakteter Bestromung ist die Wärme­ entwicklung in der Freilaufdiode 5 gemäß Fig. 1 relativ groß. Zunächst erlaubt die erfindungsgemäße Vorrich­ tung diese deutlich zu reduzieren. Die erfindungsgemäße Vorrichtung bewirkt durch den auf einen sehr niedrigen Wert begrenzbaren Abschaltinduktionsspannung der Erreger­ wicklung auch noch ein gerade bei Proportional-Magnetven­ tilen sehr erwünschte Tiefpaßwirkung für das bewegliche Ventilelement zur Unterdrückung Vibration mit der Takt­ frequenz.

Gemäß Fig. 3 umfaßt die Erfindung des weiteren eine gemeinsame Ladungspumpschaltung 7 zur Erzeugung einer Mehrzahl voneinander unabhängiger und ggfs. verschiedener Potentiale 12 a, 12 b, 12 c für die individuelle Hilfsvor­ spannung mehrerer der MOS-Transistoren 3, 6 und 8, erfor­ derlichenfalls für alle drei MOS-Transistoren, vorzuse­ hen. Eine solche gemeinsame Pumpschaltung 7 kann analog zur Pumpschaltung 7 a in beliebiger Weise - etwa durch eine angedeutete Flußdiode 9 - verpolungsgeschützt zwi­ schen den Klemmen 10 und 20 angeschlossen sein, so daß eine ordnungsgemäße Vorspannungserzeugung für ein Leiten der Transistoren 3 und 8 bei Falschpolung erst gar nicht zustande kommt bzw. sogar unterbunden wird, mit erhöhtem Schutzeffekt.

Fig. 4 veranschaulicht noch eine Abwandlung der erfin­ dungsgemäßen Vorrichtung. Sie kommt ohne Ladungspumpe zum Betrieb des als Verpolungsschutz fungierenden MOS-Tran­ sistors 6 aus. Zugunsten einer sehr einfache Vorspan­ nungserzeugung zur Ansteuerung in den durchgeschalteten Inversbetrieb ist hier eine Unterbrechung der Masselei­ tung vorgesehen bzw. in Kauf genommen. Als Vorspannung gelangt die an die Klemme 10 angelegte - normalerweise positive - Batteriespannung über einen Schutz- und Vorwi­ derstand 13 an das Gate 6 c des MOS-Transistors 6. Dieses Ausführungsbeispiel kann vorteilhaft genutzt werden, wenn z.B. ein induktiver Verbraucher zur Bestromung gegen Masse getaktet werden soll. Bei Verwendung eines ent­ sprechend komplementären MOS-Transistors mit komplemen­ tärem Kennfeldverhalten kann diese Variante aber auch mit nicht unterbrochener Masseleitung angewandt werden, so­ fern die Source-Drain-Schaltstrecke eines solchen Tran­ sistors in die positive Versorgungsleitung gelegt werden kann und sein Gate über einen entsprechenden Widerstand 13 direkt mit der Masse-Anschlußklemme 20 in Verbindung bringbar ist.

Claims (12)

1. Vorrichtung zur Ansteuerung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahrzeug, umfassend:

• - eine elektronische Ansteuerschaltung mit Signalein­ gängen und Steuerausgängen;
• - ein der elektronischen Ansteuerschaltung vorgeschal­ tetes Schutzmittel gegen Beaufschlagung mit falsch gepolter Bordnetzspannung;
• - wenigstens ein Freilaufmittel, das einem induktiven Verbraucher im wesentlichen parallelgeschaltet ist;

dadurch gekennzeichnet,

• - daß sowohl als besagtes Schutzmittel als auch als besagtes Freilaufmittel die Schaltstrecke (Source- Drain) eines MOS-Feldeffekt-Transistors (3, 8) be­ liebigen Kanal-Typs (N- oder P-Kanal) Verwendung findet, und
• - daß die Schaltstrecke des MOS-Feldeffekt-Transistors (6 a-6 b; 8 a-8 b) jeweils so geschaltet ist, daß derselbe in Durchlaßrichtung im durchgeschalteten Inversbetrieb und in Sperrichtung im gesperrten Normalbetrieb betreibbar ist.

2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gate (6 c) des der elektronischen Ansteuerschal­ tung (1) vorgeschalteten MOS-Feldeffekt-Transistors (6) mit einer zwischen die Bordnetzanschlußklemmen (10, 20) der Vorrichtung geschalteten Ladungspumpe (7 a) verbunden ist.

3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungspumpe ihrerseits einen Verpolungsschutz aufweist, welcher so beschaffen ist, daß bei Anlegen an die Bordnetzanschlußklemmen (10, 20) einer falsch gepol­ ten Bordnetzspannung die Ladungspumpe (7 a) an das Gate (6 c) des MOS-Feldeffekt-Transistors ein Potential abgibt, das den letzteren sperrt.

4. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Ladungspumpe (7 a) im wesentlichen monolithisch als Bestandteil einer integrierten elektronischen Ansteuerschaltung (1) ausgebildet ist.

5. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gate (8 c) des dem induktiven Verbraucher (2) als Freilaufmittel parallel geschalteten MOS-Feldeffekt-Tran­ sistors (8) wenigstens mittelbar mit der elektronischen Ansteuerschaltung (1) verbunden ist.

6. Vorrichtung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Gate (8 c) besagten MOS-Feldeffekt-Transistors (8) zusammenwirkend mit einer Ladungspumpe (7 b) mit der elek­ tronischen Ansteuerschaltung (1) verbunden ist.

7. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als den induktiven Verbraucher mit der Betriebsspannung beaufschlagender Schalter ein diesem in Serie vorgeschalteter und in Normalrichtung durchschalt­ barer MOS-Feldeffekt-Transistor (3) vorgesehen ist, des­ sen Gate (3 c) von der elektronischen Ansteuerschaltung (1) ansteuerbar ist.

8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß beide MOS-Feldeffekt-Transistoren (3, 8) von der elektronischen Ansteuerschaltung im Gegentakt (1) ansteuerbar sind.

9. Vorrichtung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß beide MOS-Feldeffekt-Transistoren (3, 8) abwechselnd komplementär mit variablem Tastverhältnis ansteuerbar sind so, daß ein gleichzeitiges Leiten nicht stattfindet.

10. Vorrichtung nach Ansprüchen 2 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden Ladungspumpen (7 a, 7 b) identisch (7) sind, wobei von der einzigen Ladungspumpe (7) mehrere verschiedene Ladungspotentiale (12 a, 12 b, 12 c) abgebbar sind.

11. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Gate (6 c) des der elektronischen Ansteuerschal­ tung (1) vorgeschalteten MOS-Feldeffekt-Transistors (6) im wesentlichen über einen Schutzwiderstand (13) mit der anderen Bordnetzanschlußklemme (10) verbunden ist.