DE3835662A1 - Vorrichtung zur ansteuerung induktiver verbraucher in einem kraftfahrzeug - Google Patents
Vorrichtung zur ansteuerung induktiver verbraucher in einem kraftfahrzeugInfo
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Description
Die Erfindung geht aus von einer Vorrichtung zur Ansteue
rung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahrzeug nach
der Gattung des Hauptanspruchs.
Die Vervollkommung des Kraftfahrzeugs durch Einsatz
elektronischer Systeme und Hilfseinrichtungen verlangt
vermehrt nach dem Ersatz herkömmlicher elektromechani
scher Relais durch Festkörper-Halbleiterschalter, insbe
sondere Halbleiterendstufen, insbesondere zur Ansteuerung
induktiver Verbraucher.
Die On-Chip-Integration elektronischer Steuer- und Regel
funktionen zusammen mit Halbleiterendstufen hoher Schalt
leistung bedingt jedoch eine große Empfindlichkeit gegen
das Einwirken versehentlich falsch gepolter Betriebsspan
nung, weil über die z.B. von einer Endstufe oder einem
Servokreis ausgehenden Anschlußleitungen hohe Verpol
ströme bis ins Innere eines Steuergeräts oder auf einen
entsprechenden Halbleiterchip gelangen können.
Demgegenüber sollen elektronische Steuergeräten in Kraft
fahrzeugen auch bei versehentlichem Falschanschluß der
Batterie nicht zerstörbar sein. Insbesondere soll eine
mit falscher Polung an die Bordelektrik eines Fahrzeugs
angeschlossene Batterie nicht zu Verpolungsdefekten in
elektronischen Steuergeräten führen können. Um eine hohe
Reverspolfestigkeit elektronischer Komponenten zu errei
chen, wurden schon zahlreiche Lösungen bekannt.
Beispielsweise ist bekannt, in einem elektronischen Steu
ergerät ein zentrales Verpolschutzrelais vorzusehen, das
die Betriebsspannung nur dann an die Endstufen gelangen
läßt, wenn sie richtig gepolt anliegt. Es arbeitet mit
einer oder mehreren seiner Erregerwicklung zugeordneten
Halbleiterdioden zusammen. Diese bekannte Lösung bietet
den Vorteil eines sehr geringen Verlustspannungsabfalles,
da der stromführende Schaltkontakt des Relais mit sehr
geringem Einschaltwiderstand ausgebildet werden kann.
Allerdings leidet die Zuverlässigkeit eines entsprechen
den Kontakts bei atmosphärisch aggressiven Einwirkungen
bzw. bei hoher klimatischer Wechselbeanspruchung. Dazu
ist ein Verpolschutzrelais teuer, nimmt wertvollen Bau
raum in Anspruch, und kann meist auch nicht automatisch
bestückt werden. Der niederohmige Verpolschutzkontakt
bewirkt zwar erwünschtermaßen eine geringe Verlustlei
stung durch Spannungsabfall daran. Dafür stört aber die
Verlustleistung aufgrund des erforderlichen Spulenbe
triebsstromes eines solchen Relais in der Größenordnung
von 200 mA, der den Wirkungsgrad eines solchen Gerätes
verschlechtert.
Auch ist die Verwendung diskreter Verpolschutzdioden, die
in der Betriebsspannungsversorgung entsprechender Ein
richtungen oder Endstufen wirksam sind, bekannt. In mo
dernen, für Steueranwendungen im Kraftfahrzeug vorgese
henen integrierten Treiberschaltungen sind sie teilweise
als intere Schutzdioden für die Halbleiterendstufe On-
Chip mitintegriert.
Die letztgenannten Lösungen besitzen den Nachteil eines
verhältnismäßig hohen Verlustspannungsabfalls an der Ver
polschutzdiode. Bei einem Steuerstrom von 5 A, wie er bei
modernen Magnetventilen der im Kraftfahrzeug üblichen Art
gängig ist, entsteht im eingeschalteten Zustand der
steuernden Halbleiterendstufe die Hauptverlustleistung
nicht mehr an deren Schalttransistoren, sondern an den
Verpolschutzdioden; unter "Worst-Case"-Bedingungen treten
an letzteren Spannungsabfälle bis zu 1,6 V auf, woraus
dann eine Verpolschutz-Verlustleistung von 8 Watt resul
tiert. Konstruktive Maßnahmen zur Abfuhr der entsprechen
den Verlustwärme können ein entsprechendes Gerätegehäuse
mehr verteuern als der Einsatz eines herkömmlichen Ver
polschutzrelais.
Aktuatoren, Steller und Schrittmotoren mit induktiver
Antriebsimpedanz werden im Kraftfahrzeug durch getaktet
beaufschlagten Gleichstrom betätigt. Die Bereitstellung
und taktweise Zerhackung des Gleichstromes besorgen vor
zugsweise eingangs erwähnte Festkörper-Halbleiterschal
ter, insbesondere Halbleiterendstufen.
Um diese vor induktiven Abschaltspannungsspitzen zu
schützen und das Einwandern transienter Schaltspikes in
das Bordnetz zu verhindern, ist es bekannt, mit indukti
ven Verbrauchern abzuschließenden Ausgängen von Steuer
einrichtungen herkömmliche Halbleiterdioden so parallel
zuschalten, daß nach Abschalten des Ansteuerstromes eines
induktiven Verbrauchers der damit bewirkte Induktions
stromstoß über diese Halbleiterdiode abfließen, und somit
das zusammenbrechende Magnetfeld keine Spannung gefähr
licher Höhe aufbauen kann.
Die Freilaufstromstärke kann beträchtlich sein. Wird -
zwecks geringen Kupferverbrauchs für Magnetwicklungen -
zudem eine schnelle Stromtaktung vorgesehen, treten Frei
laufstomstöße entsprechend oft, d.h. in kurzer zeitlicher
Abfolge auf mit der Wirkung, daß ihr Stromintegral be
trächtlich sein kann. Dieses Integral bewirkt in Ana
logie zum betriebsstrombedingten Spannungsabfall an einer
Verpolschutzdiode eine gewisse Verlustleistung, die sich
aus der Durchlaßspannung der Freilaufdiode bei entspre
chender Bestromung ergibt; bei praktikablen Strömen liegt
sie über 1 V. Weil Steuergeräte in Kraftfahrzeugen mit
wachsender Tendenz eine Vielzahl von mit Freilaufmitteln
zu schützender Ausgänge aufweisen, ist es insoweit auch
wünschenswert, die an Freilaufmitteln abfallende Verlust
wärme ebenfalls geringstmöglich zu halten.
Es ist also Aufgabe der Erfindung, eine Vorrichtung zur
Ansteuerung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahrzeug
zu schaffen, welche es erlaubt, den insoweit auf den Her
stellungspreis eines elektronischen Steuergerätes direkt
durchgreifenden Verlustspannungsabfall an von Steuer-
bzw. Abschaltströmen durchflossenen Verpolschutz- bzw.
Freilaufmitteln zu minimieren. Diese Vorrichtung soll
zudem geeignet sein, herkömmliche Verpolschutz- und Frei
laufmittel unmittelbar zu ersetzen, d.h. insoweit in
bestehende Konzepte entsprechender Steuergeräten leicht
integrierbar sein.
Diese Aufgabe wird mit einer gattungsgemäßen Einrichtung
nach dem kennzeichnenden Teil des Hauptanspruches gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der erfindungsgemäßen Ein
richtung sind nach Lehre der Unteransprüche gegeben.
Erfindungsgemäß wird vorgeschlagen, eine für Polschutz-
oder Freilaufzwecke vorgesehene herkömmliche Halbleiter-
Diodenstrecke durch die Schaltstrecke eines Leistungs-
MOS-Transistor in Inversbetrieb zu ersetzen. Bei dieser
normalerweise vermiedenen Betriebsart weisen moderne
Leistungs-MOS-Transistoren einen sehr niedrigen On-
Widerstand in der Größenordnung von ca. 20 bis 100 mOhm
auf, an welchem bei den im Kraftfahrzeug üblichen Ansteu
erströmen eine Spannungsabfall von nur 0,1 V bis 0,5 V
- und folglich eine dementsprechend im Quadrat reduzierte
Verlustwärmeleistung - abfällt.
In vorteilhafter Weise kann die Beaufschlagung einer
Mehrzahl solcher in einem Steuergerät derart eingesetzter
Transistoren mit für Inversbetrieb jeweils erforderlichen
Steuersignalen kann unter Verwendung vorzugsweise einer
zentralen Ladungspumpe geschehen, die ihrerseits ohne
Anfall nennenswerter Verlustleistung auf herkömmliche
Weise kostengünstig verpolgeschützt werden kann.
Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenen Beschreibung näher
erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 das Prinzipschaltbild einer bekannten Vorrich
tung zur - vorzugsweise getakteten - Ansteuer
ung induktiver Verbraucher in einem Kraftfahr
zeug, welche sowohl eine Verpolschutzdiode als
auch eine Abschaltspannungsspitzen unterdrüc
kende Freilaufdiode aufweist und als Ausgangs
punkt der Erfindung anzusehen ist;
Fig. 2 das Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäß
entsprechenden Vorrichtung, bei der sowohl Ver
polschutz- als auch Freilaufdioden durch invers
betriebene Leistungs-MOS-Transistoren ersetzt
sind;
Fig. 3 das Prinzipschaltbild einer entsprechenden Vor
richtung, die eine zentrale Ladungspumpschal
tung für die Vorspannung einer Mehrzahl von
MOS-Feldeffekt-Transistoren verwendet;
Fig. 4 das Prinzipschaltbild einer erfindungsgemäßen
Abwandlung des Ausführungsbeispiels gemäß Fig.
2, welches ohne Ladungspumpschaltung auskommt.
Fig. 1 zeigt eine typische Schaltungsanordnung in einem
elektronischen Steuergerät zum geschalteten oder getakte
ten Ansteuern eines Verbrauchers 2, vorzugsweise eines
Aktuators oder Stellgliedes mit induktiver Komponente
seiner Impedanz. Eine Ansteuerelektronik 1 empfängt An
steuersignale an ihren Steuerklemmen 1 c und 1 d und ist
an ihren Versorgungsklemmen 1 a und 1 b zwischen die von
der an Klemme 10 anliegenden Bordspannung U Batt abgelei
tete positive Betriebsspannung U v und Masse 20 geschal
tet. Sie soll den Verbraucher 2 über den Halbleiterschal
ter 3 zeitweise mit der Betriebsspannung U v beaufschla
gen. Als Halbleiterschalter 3 ist beispielhaft ein
N-Kanal-Leistungs-MOS-Transistor mit Elektroden Source
3 a, Drain 3 b und Gate 3 c sowie einer parasitär wirksamen
Kanaldiode 3 d vorgesehen. Soweit erforderlich kann das
Gate 3 c des Transistors 3 in bekannter Weise mittels
einer hier nur symbolisch angedeuteten und als Bestand
teil der Elektronik 1 zu verstehenden "Ladungspumpe" 7 c
angesteuert sein, ähnlich wie dies z.B. vom integrierten
Endstufenbaustein BTS 412A von Siemens bekannt ist;
jener Baustein ist selbst nicht verpolfest.
Als Schutz gegen Anschluß der Betriebsspannung U Batt an
Anschlußklemmen 10 und 20 mit falscher Polung sowohl
bezüglich des Verbrauchers 2 als auch der Elektronik 1
mit Schalttransistor 3 ist bekanntermaßen die Diode 4
vorgesehen. Die Diode 5 wirkt in gleichbekannter Weise
als Freilaufdiode, welche durch zeitliche Streckung des
Stromabbaus in der induktiven Komponente des Verbrauchers
2 zu einer Begrenzung der induzierten Abschaltspannung am
Verbraucher 2 bewirkt.
Dieselbe Funktion wird von der erfindungsgemäßen Vorrich
tung gemäß Fig. 2 bewirkt. Sie nutzt aus, daß der Kanal
widerstand eines MOS-Transistors im durchgeschalteten
Inversbetrieb praktisch dem Kanalwiderstand bei Normal
betrieb entspricht (die internen parasitären Dioden sind
wegen des geringen Längswiderstandes normalerweise nicht
leitend). Gegenüber der bekannten Vorrichtung gemäß Fig.
1 sind die Ventilstrecken der betreffenden Dioden durch
bezüglich üblicher Polung jeweils invers beaufschlagte
Schaltstrecken eines N-Kanal-Leistungs-MOS-Transistors
ersetzt.
Der Leistungs-MOS-Transistor 6 mit Elektroden Source 6 a,
Drain 6 b und Gate 6 c sowie einer parasitär wirksamen
Kanaldiode 6 d, ersetzt die Polschutzdiode 4. Das Gate 6 c
ist mit einer Ladungspumpe 7 a verbunden, die das Gate 6 c
mit einer Vorspannung beaufschlagt, welche so bemessen
ist, daß sie bei richtiger Polung der Betriebsspannung
U Batt an Klemmen 10 und 20 zwischen Source 6 a und Drain
6 b ein niederohmiges Durchschalten des Leistungs-MOS-
Transistors 6 bewirkt. Ist z.B. bei richtiger Polung der
Betriebsspannung U Batt das Gate 6 c des Transistors 6
positiv gegenüber der Source 6 a vorgespannt, dann ist die
Kanalstrecke zwischen Source 6 a und Drain 6 b des Tran
sistors 6 in den leitenden Zustand geschaltet.
Bei falsch gepoltem Anschluß der Betriebsspannung U Batt
an Klemmen 10 und 20 wird dann - z.B. durch entsprechend
gesteuerte Aufhebung der Wirkung der Ladungspumpe 7 a -
zwischen Source 6 a und Gate 6 c des Transistors 6 z.B.
annähernde Potentialgleichheit hergestellt. Damit wird
der in diesem Falle dann für üblichen Normalbetrieb
gepolte Transistor 6 gesperrt und somit als Verpolschutz
wirksam.
Bei der Ladungspumpe 7 a handelt es sich um eine separat
versorgte Hilfsschaltung mit einer Funktionsweise ähnlich
der eines Gleichspannungswandlers, welcher es erlaubt, zu
einem beliebigen Ansteuersignalpegel zwischen Masse und
U Batt ein definiertes Potential hinzuzuaddieren, so daß
das Gate 6 c eine höhere (positivere) Spannung gegenüber
Masse annehmen kann als die Source 6 a. Eine solche Hilfs
schaltung kann eine aufaddierbares Potential entweder
mittels eines Trenntransformators, oder aber als Lade
spannung wenigstens eines Ladekondensators erzeugen,
welche durch geeignete gesteuerte Schaltmittel zyklisch
auf das steuernde Signal aufschaltbar ist, so daß die
Summenspannung in einem Siebkondensator gehalten werden
kann. Eine Aufhebung der Wirkung einer solchen Pumpschal
tung ist dadurch möglich, daß diese z.B. in herkömmlicher
Weise durch eine separate, bekannte und symbolisch ange
deutete Verpolschutzdiode 9 a aus Klemme 10 versorgt wird.
Der Wirkungsgrad der gesamten Anordnung wird dadurch kaum
beeinträchtigt, weil der sehr hohe Eingangswiderstand von
Leistungs-MOS-Transistoren eine quasi-elektrostatische
Ansteuerung erlaubt und deshalb die Leistungsaufnahme
einer solchen Pumpschaltung im Milliwattbereich liegt.
Der Spannungverlust an einer entsprechenden Polschutz
diode 9 a für die Ladungspumpe selbst bewirkt somit
nur eine vernachlässigbare Verlustwärme.
So von der Ladungspumpe 7 a unterstützt substituiert der
Transistor 6 eine herkömmliche Verpolschutzdiode, jedoch
mit drastisch reduzierter Wärmeentwicklung. Unter Zugrun
delegung eines inversen Kanalwiderstandes von 50 mOhm des
Transistors 6 und einer an einer herkömmlichen Polschutz
diode abfallenden Verlustspannung von 1 V bezogen auf
einen jeweils angenommenen Schaltstrom von 1 A fällt die
am erfindungsgemäß invers in Durchlaß betriebenen MOS-
Transistor entstehende Verlustleistung somit rund 20fach
geringer aus.
In analoger Weise ersetzt der von der elektronischen
Ansteuerschaltung 1 angesteuerte Leistungs-MOS-Transistor
8 mit Elektroden Source 8 a, Drain 8 b und Gate 8 c sowie
einer parasitär wirksamen Kanaldiode 8 d die Freilaufdiode
5 gemäß Fig. 1. Auch das Gate 8 c kann von einer entspre
chenden Ladungspumpe 7 b beaufschlagt sein, wie angedeu
tet. Durch eine geeignete Vorspannung des Gates 8 c wird
bewirkt, daß - nach dem Öffnen des Transistors 3 - bei
Umpolung der Spannung am Verbraucher 2 einen sehr niedri
gen Widerstand zwischen Source 8 a und Drain 8 b und somit
eine Begrenzung des Abschaltspannungsstoßes an der Induk
tivität des Verbrauchers 2 bewirkt.
In ähnlicher Weise kann auch das Gate 3 c des MOS-Tran
sistors 3 von einer Ladungspumpe 7 c mit einem Hilfs
potential vorgespannt sein, damit sich der Spannungshub
der Ansteuerspannung zwischen Gate 3 c und Source 3 a in
einem für einwandfreies Schaltverhalten optimalen Bereich
befindet; eine solche Pumpschaltung kann - wie symbolisch
angedeutet - auch Bestandteil einer komplexeren inte
grierten Ansteuerschaltung 1 sein. Soweit erforderlich
kann eine solche Ladungspumpe 7 c auch beide Transistoren
3 und 8 mit unterschiedlichen statischen Potentialen
vorspannen, so daß die Ladungspumpe 7 b dann entfällt. Die
gestrichelte Verbindung 11 versinnbildlicht diesen Fall.
Die beiden Transistoren 3 und 8 bilden eine steuerbare
Halbbrücke, die den Verbraucher 2 entweder kurzschließt
oder an die Betriebsspannung U v , d.h. über den Verpol
schutztransistor 6 an die Betriebsspannung +U Batt anlegt.
Vorzugsweise werden die beiden Transistoren 3 und 8 von
der Steuerung 1 abwechselnd im Gegentakt angesteuert so,
daß einerseits eine gleichzeitige Leitung beider Transis
toren ausgeschlossen ist, und daß andererseits aber auch
keine nennenswerte Totzeit zwischen abwechselnden Lei
tungsphasen der beiden Transistoren existiert.
In einer praktischen Anwendung kann es sich bei dem
induktiven Verbraucher 2 z.B. um ein mit 5 kHz oder höher
pulsweitengetaktetes Proportional-Magnetventil handeln.
Bei derart schnell getakteter Bestromung ist die Wärme
entwicklung in der Freilaufdiode 5 gemäß Fig. 1 relativ
groß. Zunächst erlaubt die erfindungsgemäße Vorrich
tung diese deutlich zu reduzieren. Die erfindungsgemäße
Vorrichtung bewirkt durch den auf einen sehr niedrigen
Wert begrenzbaren Abschaltinduktionsspannung der Erreger
wicklung auch noch ein gerade bei Proportional-Magnetven
tilen sehr erwünschte Tiefpaßwirkung für das bewegliche
Ventilelement zur Unterdrückung Vibration mit der Takt
frequenz.
Gemäß Fig. 3 umfaßt die Erfindung des weiteren eine
gemeinsame Ladungspumpschaltung 7 zur Erzeugung einer
Mehrzahl voneinander unabhängiger und ggfs. verschiedener
Potentiale 12 a, 12 b, 12 c für die individuelle Hilfsvor
spannung mehrerer der MOS-Transistoren 3, 6 und 8, erfor
derlichenfalls für alle drei MOS-Transistoren, vorzuse
hen. Eine solche gemeinsame Pumpschaltung 7 kann analog
zur Pumpschaltung 7 a in beliebiger Weise - etwa durch
eine angedeutete Flußdiode 9 - verpolungsgeschützt zwi
schen den Klemmen 10 und 20 angeschlossen sein, so daß
eine ordnungsgemäße Vorspannungserzeugung für ein Leiten
der Transistoren 3 und 8 bei Falschpolung erst gar nicht
zustande kommt bzw. sogar unterbunden wird, mit erhöhtem
Schutzeffekt.
Fig. 4 veranschaulicht noch eine Abwandlung der erfin
dungsgemäßen Vorrichtung. Sie kommt ohne Ladungspumpe zum
Betrieb des als Verpolungsschutz fungierenden MOS-Tran
sistors 6 aus. Zugunsten einer sehr einfache Vorspan
nungserzeugung zur Ansteuerung in den durchgeschalteten
Inversbetrieb ist hier eine Unterbrechung der Masselei
tung vorgesehen bzw. in Kauf genommen. Als Vorspannung
gelangt die an die Klemme 10 angelegte - normalerweise
positive - Batteriespannung über einen Schutz- und Vorwi
derstand 13 an das Gate 6 c des MOS-Transistors 6. Dieses
Ausführungsbeispiel kann vorteilhaft genutzt werden, wenn
z.B. ein induktiver Verbraucher zur Bestromung gegen
Masse getaktet werden soll. Bei Verwendung eines ent
sprechend komplementären MOS-Transistors mit komplemen
tärem Kennfeldverhalten kann diese Variante aber auch mit
nicht unterbrochener Masseleitung angewandt werden, so
fern die Source-Drain-Schaltstrecke eines solchen Tran
sistors in die positive Versorgungsleitung gelegt werden
kann und sein Gate über einen entsprechenden Widerstand
13 direkt mit der Masse-Anschlußklemme 20 in Verbindung
bringbar ist.
Claims (12)
1. Vorrichtung zur Ansteuerung induktiver Verbraucher
in einem Kraftfahrzeug, umfassend:
- - eine elektronische Ansteuerschaltung mit Signalein gängen und Steuerausgängen;
- - ein der elektronischen Ansteuerschaltung vorgeschal tetes Schutzmittel gegen Beaufschlagung mit falsch gepolter Bordnetzspannung;
- - wenigstens ein Freilaufmittel, das einem induktiven Verbraucher im wesentlichen parallelgeschaltet ist;
dadurch gekennzeichnet,
- - daß sowohl als besagtes Schutzmittel als auch als besagtes Freilaufmittel die Schaltstrecke (Source- Drain) eines MOS-Feldeffekt-Transistors (3, 8) be liebigen Kanal-Typs (N- oder P-Kanal) Verwendung findet, und
- - daß die Schaltstrecke des MOS-Feldeffekt-Transistors (6 a-6 b; 8 a-8 b) jeweils so geschaltet ist, daß derselbe in Durchlaßrichtung im durchgeschalteten Inversbetrieb und in Sperrichtung im gesperrten Normalbetrieb betreibbar ist.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gate (6 c) des der elektronischen Ansteuerschal
tung (1) vorgeschalteten MOS-Feldeffekt-Transistors (6)
mit einer zwischen die Bordnetzanschlußklemmen (10, 20)
der Vorrichtung geschalteten Ladungspumpe (7 a) verbunden
ist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ladungspumpe ihrerseits einen Verpolungsschutz
aufweist, welcher so beschaffen ist, daß bei Anlegen an
die Bordnetzanschlußklemmen (10, 20) einer falsch gepol
ten Bordnetzspannung die Ladungspumpe (7 a) an das Gate
(6 c) des MOS-Feldeffekt-Transistors ein Potential abgibt,
das den letzteren sperrt.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Ladungspumpe (7 a) im wesentlichen monolithisch
als Bestandteil einer integrierten elektronischen
Ansteuerschaltung (1) ausgebildet ist.
5. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gate (8 c) des dem induktiven Verbraucher (2) als
Freilaufmittel parallel geschalteten MOS-Feldeffekt-Tran
sistors (8) wenigstens mittelbar mit der elektronischen
Ansteuerschaltung (1) verbunden ist.
6. Vorrichtung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gate (8 c) besagten MOS-Feldeffekt-Transistors (8)
zusammenwirkend mit einer Ladungspumpe (7 b) mit der elek
tronischen Ansteuerschaltung (1) verbunden ist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als den induktiven Verbraucher mit der
Betriebsspannung beaufschlagender Schalter ein diesem in
Serie vorgeschalteter und in Normalrichtung durchschalt
barer MOS-Feldeffekt-Transistor (3) vorgesehen ist, des
sen Gate (3 c) von der elektronischen Ansteuerschaltung
(1) ansteuerbar ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß beide MOS-Feldeffekt-Transistoren (3, 8) von der
elektronischen Ansteuerschaltung im Gegentakt (1)
ansteuerbar sind.
9. Vorrichtung nach Anspruch 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß beide MOS-Feldeffekt-Transistoren (3, 8) abwechselnd
komplementär mit variablem Tastverhältnis ansteuerbar
sind so, daß ein gleichzeitiges Leiten nicht stattfindet.
10. Vorrichtung nach Ansprüchen 2 und 6,
dadurch gekennzeichnet,
daß die beiden Ladungspumpen (7 a, 7 b) identisch (7)
sind, wobei von der einzigen Ladungspumpe (7) mehrere
verschiedene Ladungspotentiale (12 a, 12 b, 12 c) abgebbar
sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß das Gate (6 c) des der elektronischen Ansteuerschal
tung (1) vorgeschalteten MOS-Feldeffekt-Transistors (6)
im wesentlichen über einen Schutzwiderstand (13) mit der
anderen Bordnetzanschlußklemme (10) verbunden ist.
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Family Applications (1)
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