FR2724790A1 - Circuit de commutation - Google Patents
Circuit de commutation Download PDFInfo
- Publication number
- FR2724790A1 FR2724790A1 FR9509840A FR9509840A FR2724790A1 FR 2724790 A1 FR2724790 A1 FR 2724790A1 FR 9509840 A FR9509840 A FR 9509840A FR 9509840 A FR9509840 A FR 9509840A FR 2724790 A1 FR2724790 A1 FR 2724790A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- transistor
- terminal
- switching circuit
- field effect
- terminals
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0822—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H11/00—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result
- H02H11/002—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection
- H02H11/003—Emergency protective circuit arrangements for preventing the switching-on in case an undesired electric working condition might result in case of inverted polarity or connection; with switching for obtaining correct connection using a field effect transistor as protecting element in one of the supply lines
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/081—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit
- H03K17/0812—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit
- H03K17/08122—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage without feedback from the output circuit to the control circuit by measures taken in the control circuit in field-effect transistor switches
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
- Direct Current Feeding And Distribution (AREA)
Abstract
a) Circuit de commutation, b) circuit caractérisé par au moins un second transistor (120), et au moins l'un des deux transistors (110, 120) peut être commandé par un signal appliqué à la borne de commande (107), le second transistor étant monté en série entre la première borne (105) du moyen de commutation (101) et le premier transistor (110), le second transistor (120) fonctionnant en mode inversé.
Description
" Circuit de commutation " Etat de la technique L'invention concerne un
circuit de commutation
comportant au moins une première et une seconde bornes ain-
si qu'une borne de commande, le circuit de commutation com- prenant au moins un premier transistor relié à la seconde borne. On connaît des moyens de commutation comportant une première et une seconde borne ainsi qu'une borne de commande. Comme moyens de commutation, on utilise souvent
des transistors à effet de champ.
L'inconvénient de tels moyens de commutation
est de ne pas assurer de sécurité contre l'inversion de po-
larité. Lorsque la tension d'alimentation est couplée de
manière inversée, il peut arriver que la charge soit ali-
mentée en permanence. Lorsque cette charge est par exemple une électrovanne, celle-ci reste en permanence dans une
certaine position, indépendamment du signal de commande.
Pour d'autres charges, il peut arriver que des moyens de commutation et/ou la charge ou l'utilisateur alimenté en courant par le moyen de commutation soient endommagés ou
même totalement détruits.
La présente invention a pour but de créer un
moyen de commutation à protection contre l'inversion de po-
larité, qui évite, lorsque les bornes sont mal branchées, que la tension d'alimentation risque d'endommager le moyen
de commutation et/ou l'utilisateur.
A cet effet l'invention concerne un circuit de
commutation correspondant au type défini ci-dessus, carac-
térisé par au moins un second transistor, et au moins l'un
des deux transistors peut être commandé par un signal ap-
pliqué à la borne de commande, le second transistor étant
monté en série entre la première borne du moyen de commuta-
tion et le premier transistor, le second transistor fonc-
tionnant en mode inversé.
Le circuit de commutation protège l'utilisateur contre les inversions de polarité. En cas d'inversion de polarité, ni le moyen de commutation, ni l'utilisateur ne
risquent d'être endommagés.
Il est particulièrement avantageux que le dis-
positif de protection contre l'inversion de polarité ne né-
cessite pas de borne de masse séparée. Le dispositif de protection contre l'inversion de polarité peut être intégré avec les transistors à effet de champ utilisés usuellement,
en commun dans un boîtier à trois pôles. La protection in-
terne contre toute erreur de branchement, rend inutile un branchement supplémentaire. En outre, la protection contre une erreur de branchement peut se réaliser en même temps
que l'usuel transistor à effet de champ.
Dessins La présente invention sera décrite ci-après de
manière plus détaillée à l'aide de modes de réalisation re-
présentés dans les dessins, dans lesquels: - la figure 1 montre un premier mode de réalisation avec un relais; - la figure 2 montre un second mode de réalisation avec un transistor bipolaire; et - la figure 3 montre un troisième mode de réalisation avec
un transistor à effet de champ.
Description des exemples de réalisation
La figure 1 montre un premier mode de réalisa-
tion du circuit de commutation 101 selon l'invention. Le circuit de commutation 101 est relié par une première borne 105 à une tension d'alimentation UBat. Sa seconde borne 106
est reliée à un utilisateur 100 lui-même relié à la masse.
Une unité de commande 150 fournit un signal de commande au moyen de commutation par l'intermédiaire d'une borne de
commande 107.
L'utilisateur 100 peut être un utilisateur
électrique quelconque. Il s'agit par exemple d'électrovan-
nes de moteur ou d'ampoules d'éclairage.
L'unité de commande 150 est usuellement un mi-
croprocesseur ou un étage de sortie fournissant un signal
de commande pour le circuit de commutation 101, indépendam-
ment des différents autres signaux. Indépendamment de la présence du signal de commande, le moyen de commutation 101 libère le passage du courant de la tension d'alimentation UBat (borne 105) à travers l'utilisateur 100 jusqu'à la
masse.
Le moyen de commutation 101 comprend un premier transistor à effet de champ 110 dont la borne 111 de la
source est reliée à la seconde borne 106 du circuit de com-
mutation 101. La borne de porte 113 du transistor à effet
de champ 110 est reliée à la borne de commande 107. La ré-
férence 115 désigne la diode parasite du substrat du tran-
sistor à effet de champ 110.
La borne de drain 112 du premier transistor à effet de champ 110 est reliée directement à la borne de drain 122 du second transistor à effet de champ 120. La borne de source 121 du second transistor à effet de champ
est reliée à la première borne 105 du circuit de commu-
tation 101. La borne de porte 123 du second transistor à
effet de champ 120 est également reliée à la borne de com-
mande 107.
Comme les bornes de drain sont reliées directe-
ment l'une à l'autre et que le second moyen de commutation est commuté et fonctionne à l'inverse du premier moyen de
commutation, les diodes parasites 115 et 125 sont générale-
ment branchées en sens opposés. Cela fait qu'un défaut de pôle par le montage en série de ces diodes ne laisse passer aucun courant dans la mesure o les moyens de commutation
sont bloqués.
De plus, une bobine 140 d'un relais ainsi qu'une diode 145 sont branchées entre la première borne 105 et les bornes de drain 112 et 122 des deux transistors à effet de champ. La cathode de la diode 145 est reliée à la bobine 140; l'anode de cette diode est reliée à la borne
de drain. Cette bobine de relais comporte un moyen de com-
mutation 130 qui établit une liaison entre la première
borne 105 et les bornes de portes 113, 123 des deux tran-
sistors à effet de champ 110, 120.
La figure 1 montre la polarisation correcte du
circuit de commutation 101. Lorsque les pôles sont appli-
qués correctement, la tension d'alimentation prend une va-
leur de potentiel positive par rapport à la masse. Dans ce cas, en appliquant un signal de commande à la borne de porte 113 et à la borne de porte 123 des deux transistors à effet de champ, on peut les débloquer et libérer ainsi le passage du courant de la borne 105 par la borne 106 jusqu'à
l'utilisateur 100.
En fonctionnement normal, c'est-à-dire lorsque la polarité correcte est branchée, la diode 145 interdit le passage du courant à travers la bobine 140 et le moyen de
commutation 130 est ouvert. Ces moyens n'exercent aucun ef-
fet. Par contre, si le circuit de commutation et la
charge sont montés avec une inversion de polarité, c'est-à-
dire si la première borne 105 est reliée à la masse et si l'utilisateur 100 ou la seconde borne 106 sont reliés à la
tension d'alimentation Ubat, la diode de substrat 115, pa-
rasite, du premier transistor à effet de champ 110 laisse
passer un courant qui traverse la bobine 140 du relais jus-
qu'à la masse. Il en résulte que le moyen de commutation 130 se ferme et relie à la masse les bornes de porte 113, 123 des deux transistors à effet de champ 110, 120. Cela signifie que le transistor à effet de champ 120 ainsi que sa diode parasite 125 bloquent le courant. La résistance de
la bobine est choisie pour que le courant traversant la bo-
bine 140, la diode 115 et l'utilisateur 100, ne conduise pas une réaction de l'utilisateur 100. Cela signifie que
par exemple dans le cas d'une bobine d'électrovanne, la ré-
sistance ainsi que le courant sont choisis pour que l'in-
duit de l'électro-aimant ne se déplace pas.
La figure 2 montre un second mode de réalisa-
tion. En plus des éléments déjà décrits dans le cas de la figure 1, et qui portent ici les mêmes références, dans ce mode de réalisation, on a supprimé la bobine de relais 140
et le moyen de commutation 130.
La borne de commande 107 est reliée par une ré-
sistance 108, de préférence ohmique, aux bornes des portes 113 et 123 ainsi que, par un transistor 230, à la première
borne 105. La borne de base 231 du transistor 230 est re-
liée à la prise médiane d'un diviseur de tension formé du montage en série d'une résistance 240, d'une résistance 242
et d'une diode 244. La résistance 242 est reliée par sa se-
conde borne à la cathode de la diode 244. L'anode de la diode 244 est reliée à une autre borne 246 du circuit de commutation 101. Cette borne 246 constitue une borne de
mise à la masse supplémentaire.
Lorsque le circuit de commutation est branché à
la polarité correcte, ce diviseur de tension formé des ré-
sistances 242 et 240 a une tension qui fait que le transis-
tor 230 reste à l'état bloqué. Il en résulte que les transistors à effet de champ 110 et 120 reçoivent le signal
appliqué à la borne de commande 107.
Lorsque la polarisation est inversée, c'est-à-
dire lorsque la borne 105 est à la masse, la base du tran-
sistor est à la masse. Le transistor 230 applique alors aux bornes de porte des transistors à effet de champ 110 et
, le potentiel de la masse de la borne 105. Il en ré-
sulte que le transistor à effet de champ 120 ainsi que sa diode parasite 125 bloquent le passage du courant dans
l'utilisateur 100.
Lorsque les bornes 105 et 106 ne sont pas bran-
chées correctement, la diode parasite 115 du substrat du transistor à effet de champ 110 est conductrice. La diode parasite 125 du transistor à effet de champ 120 se bloque
en cas d'inversion de polarité, à condition que le transis-
tor à effet de champ 120 soit lui-même bloqué. Le transis-
tor 230 garantit le blocage du transistor à effet de champ , commande le diviseur de tension formé des résistances 240, 242 et de la diode 244, et le commande pour que la borne de porte 123 du transistor à effet de champ 120 se
trouve au potentiel de la source.
Une réalisation particulièrement avantageuse de cet exemple est représentée en traits interrompus. Dans cette réalisation, l'anode de la diode 244 est reliée aux bornes de drain 122 et 112 des transistors 120 et 110. De ce fait, on peut éviter de relier l'autre borne externe à la masse. Le fonctionnement correspond à celui de l'exemple
de réalisation de la figure 1.
La figure 3 montre un autre mode de réalisation
dans lequel le transistor 230 est remplacé par un transis-
tor à effet de champ 330. De plus, la borne de source 332 du transistor à effet de champ 330 est reliée à la cathode d'une diode 310 elle-même reliée aux bornes de porte 123 et 113 des transistors à effet de champ 110 et 120. De plus, la diode de substrat 335, parasite, du transistor à effet
de champ 330 a également été représentée.
La borne de source 331 du transistor à effet de champ 330 est reliée à la première borne 105 du circuit de commutation 101 ainsi qu'avec une résistance 320. La se- conde borne de la résistance 320 est en contact avec la borne de porte 333 du transistor à effet de champ 330 et
avec le point de jonction des bornes de drain 122 et 112.
Lorsque la polarité est correcte, le transistor à effet de champ 330 est bloqué puisque la borne de porte
333 est au potentiel de la masse.
En cas d'inversion de polarité, un courant passe de la borne 106 (mise à la tension de la batterie)
par la diode de substrat 115, parasite, du transistor à ef-
fet de champ 110, et la résistance 320, vers la première borne 105 qui est au potentiel de la masse. La chute de tension aux bornes de la résistance 320 et de la résistance
de l'utilisateur 100 met la borne de porte 333 à un poten-
tiel positif par rapport à la borne de source 331, ce qui débloque le transistor à effet 330. Lorsque le transistor à effet de champ 330 est conducteur, la borne de porte 123 et la borne de porte 113 des transistors à effet de champ 120 et 110 sont au potentiel de la masse. Ainsi le transistor et sa diode parasite 125 se bloquent, ce qui protège la
charge.
Le transistor à effet de champ 330 garantit un blocage du transistor de protection contre l'inversion de
polarité 120. La diode 310 évite toute commande acciden-
telle des transistors 125 et 115 en fonctionnement normal.
Ce dispositif permet d'éviter qu'en cas d'inversion de po-
larité, un courant traverse la charge 100.
Ce mode de réalisation est particulièrement avantageux car, comme le mode de réalisation de la figure 1, il ne nécessite pas bornes de masse distinctes. Dans le mode de réalisation de la figure 3, il est particulièrement
avantageux que l'ensemble du dispositif de protection con-
tre une inversion de polarité puisse être intégré en commun
avec les autres transistors à effet de champ dans un boî-
tier tripolaire. Du fait de la protection contre l'inver-
sion de polarité, aucun branchement supplémentaire n'est nécessaire. De plus la protection contre toute inversion de
polarité est réalisée au cours de la même opération de fa-
brication que celle du transistor à effet de champ usuel.
Dans les modes de réalisation représentés, les transistors à effet de champ sont des transistors à effets
de champ de type MOS à canal N. Le dispositif selon l'in-
vention s'applique également à d'autres composants semi-
conducteurs. Les bornes doivent alors être inversées. Par exemple pour des transistors à effet de champ de type MOS à
canal P, il faut inverser les bornes de drain et de source.
La même remarque s'applique à des tensions d'alimentation
qui seraient négatives.
Claims (8)
1 ) Circuit de commutation (101) comportant au moins une première et une seconde bornes (105, 106) ainsi qu'une borne de commande (107), le circuit de commutation (101) comprenant au moins un premier transistor (110) relié
à la seconde borne, circuit caractérisé par au moins un se-
cond transistor (120), et au moins l'un des deux transis-
tors (110, 120) peut être commandé par un signal appliqué à
la borne de commande (107), le second transistor étant mon-
té en série entre la première borne (105) du moyen de com-
mutation (101) et le premier transistor (110), le second
transistor (120) fonctionnant en mode inversé.
2 ) Circuit de commutation selon la revendica-
tion 1, caractérisé en ce qu'en fonctionnement normal, une première borne (111) du premier transistor (110) est reliée à une charge (100), et une première borne (121) du second transistor (120) est reliée à une tension d'alimentation (UBat) tandis que les secondes bornes (112, 122) des deux transistors (120, 110) sont reliées directement l'une à
l'autre.
3 ) Circuit de commutation selon l'une des re-
vendications précédentes, caractérisé en ce qu'en cas d'in-
version de polarité du premier et/ou du second transistor
(110, 120), le passage du courant est coupé.
4 ) Circuit de commutation selon l'une des re-
vendications précédentes, caractérisé en ce que le point de
jonction des deux secondes bornes (112, 122) peut être re-
lié par une résistance (320, 140) à la première borne
(105).
5 ) Circuit de commutation selon l'une des re-
vendications précédentes, caractérisé en ce qu'en fonction du passage du courant à travers la résistance (320, 140),
le premier et/ou le second transistor (110, 120) sont com-
mandés par un second moyen de commutation (130, 230, 330) de façon que le premier et/ou le second transistor (110,
) coupent le passage du courant.
6 ) Circuit de commutation selon l'une des re-
vendications précédentes, caractérisé en ce que les deux transistors sont des transistors à effet de champ et les
secondes bornes (112, 122) sont les bornes de drain.
7 ) Circuit de commutation selon l'une des re-
vendications précédentes, caractérisé en ce que les bornes de porte (113, 123) du premier et/ou du second transistor à effet de champ peuvent être reliées par le second moyen de
commutation (130, 230, 330), en cas d'inversion de polari-
té, avec la masse et/ou avec la première borne (121) du se-
cond transistor (120).
8 ) Circuit de commutation selon l'une des re-
vendications précédentes, caractérisé en ce que le second
moyen de commutation (130, 230, 330) est également un tran-
sistor à effet de champ.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE4432957A DE4432957C1 (de) | 1994-09-16 | 1994-09-16 | Schaltmittel |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2724790A1 true FR2724790A1 (fr) | 1996-03-22 |
| FR2724790B1 FR2724790B1 (fr) | 1997-10-31 |
Family
ID=6528343
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR9509840A Expired - Fee Related FR2724790B1 (fr) | 1994-09-16 | 1995-08-16 | Circuit de commutation |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5648739A (fr) |
| JP (1) | JPH08107632A (fr) |
| DE (1) | DE4432957C1 (fr) |
| FR (1) | FR2724790B1 (fr) |
| GB (1) | GB2293290B (fr) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5796274A (en) * | 1996-10-16 | 1998-08-18 | Lockheed Martin Corporation | Fault tolerant MOSFET driver |
| DE19803040A1 (de) * | 1997-01-31 | 1998-08-06 | Int Rectifier Corp | Leistungsschaltung |
| KR100234720B1 (ko) * | 1997-04-07 | 1999-12-15 | 김영환 | Tft-lcd의 구동회로 |
| US6072676A (en) * | 1998-04-13 | 2000-06-06 | Analog Devices, Inc. | Protection circuit for an excitation current source |
| US6064253A (en) * | 1998-04-20 | 2000-05-16 | Endgate Corporation | Multiple stage self-biasing RF transistor circuit |
| JP3926975B2 (ja) | 1999-09-22 | 2007-06-06 | 株式会社東芝 | スタック型ｍｏｓトランジスタ保護回路 |
| TW490907B (en) * | 2000-11-14 | 2002-06-11 | Silicon Touch Tech Inc | Circuit with protection for inverted connection of power source polarity |
| DE10154158A1 (de) * | 2001-11-03 | 2003-05-22 | Bosch Gmbh Robert | Vorrichtung zur Ansteuerung einer elektrischen Last und Steuergerät |
| DE10314601B4 (de) * | 2003-03-31 | 2005-04-21 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterschaltung mit einer Schutzschaltung gegen Verpolung bzw. Über- oder Unterspannung am Ausgang |
| DE10349282A1 (de) * | 2003-10-23 | 2005-05-25 | Hella Kgaa Hueck & Co. | Verpol- und Überspannungsschutz für 5V-Sensoren |
| KR100513380B1 (ko) * | 2003-12-05 | 2005-09-06 | 주식회사 팬택앤큐리텔 | 휴대용 기기의 과전압 보호 장치 |
| US7119999B2 (en) * | 2004-03-20 | 2006-10-10 | Texas Instruments Incorporated | Pre-regulator with reverse current blocking |
| EP1669831A1 (fr) * | 2004-12-03 | 2006-06-14 | Dialog Semiconductor GmbH | Étape de sortie d'un régulateur de voltage avec transistors MOS à basse tension |
| DE102005003682A1 (de) * | 2005-01-26 | 2006-08-24 | Siemens Ag | Schutzschaltung in einem Stromversorgungseingang einer elektrischen Einrichtung und Verwendung einer Schutzschaltung |
| DE102005031085A1 (de) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Robert Bosch Gmbh | Steuergerät für den Personenschutz |
| DE102006006878A1 (de) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Continental Teves Ag & Co. Ohg | Schaltungsanordnung mit Rückspeiseschutz zum Schalten in Leistungsanwendungen |
| US7636011B2 (en) * | 2006-07-27 | 2009-12-22 | Artesyn Technologies, Inc. | Controller for ORing field effect transistor |
| DE102008012896A1 (de) * | 2008-03-06 | 2009-09-10 | Robert Bosch Gmbh | Steuergerät und Verfahren zur Ansteuerung von Personenschutzmitteln für ein Fahrzeug |
| JP2008244487A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-10-09 | Renesas Technology Corp | 複合型ｍｏｓｆｅｔ |
| US8164378B2 (en) | 2008-05-06 | 2012-04-24 | Freescale Semiconductor, Inc. | Device and technique for transistor well biasing |
| US9621020B2 (en) | 2008-05-16 | 2017-04-11 | Astec International Limited | Control circuits and methods for controlling switching devices |
| US8207779B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-06-26 | Astec International Limited | Control circuits and methods for controlling switching devices |
| JP5217849B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2013-06-19 | サンケン電気株式会社 | 電気回路のスイッチング装置 |
| FR2953078B1 (fr) * | 2009-11-24 | 2012-12-28 | Thales Sa | Dispositif de sortie de commande logique a faible tension de dechet |
| SI23247A (sl) * | 2009-12-18 | 2011-06-30 | Hidria AET DruĹľba za proizvodnjo vĹľignih sistemov in elektronike d.o.o. | Električno močnostno vezje za krmiljenje plamenske čepne svečke in magnetnega ventila |
| DE102010015096A1 (de) * | 2010-04-15 | 2011-10-20 | Continental Automotive Gmbh | Treiberschaltung für eine Last |
| CN102012073B (zh) * | 2010-12-17 | 2012-09-26 | 苏州新海宜通信科技股份有限公司 | 一种应用于通信基站的空调器 |
| JP5999987B2 (ja) * | 2012-06-05 | 2016-09-28 | ローム株式会社 | パワーパス回路 |
| EP3101686B1 (fr) * | 2014-01-31 | 2019-04-17 | Alps Alpine Co., Ltd. | Dispositif de circuit intégré à semi-conducteur |
| JP6740709B2 (ja) * | 2016-05-20 | 2020-08-19 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電制御装置 |
| JP7094181B2 (ja) * | 2018-08-29 | 2022-07-01 | 日清紡マイクロデバイス株式会社 | 負荷駆動回路 |
| JP7294127B2 (ja) | 2019-12-26 | 2023-06-20 | 株式会社オートネットワーク技術研究所 | 給電制御装置 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2463543A1 (fr) * | 1979-05-25 | 1981-02-20 | Dassault Electronique | Dispositif de commutation electrique a l'etat solide |
| DE3133518A1 (de) * | 1981-08-25 | 1983-03-17 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | "elektronischer schalter" |
| US4672246A (en) * | 1986-03-10 | 1987-06-09 | Honeywell Inc. | Low offset MOSFET transistor switch control |
| DE3835662A1 (de) * | 1988-10-20 | 1990-04-26 | Daimler Benz Ag | Vorrichtung zur ansteuerung induktiver verbraucher in einem kraftfahrzeug |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2638177C2 (de) * | 1976-08-25 | 1985-10-24 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Schutzvorrichtung gegen Spannungsumpolung und Überspannungen für eine Halbleiterschaltung |
| IT1226439B (it) * | 1988-07-05 | 1991-01-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito elettronico protetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione. |
| IT1226438B (it) * | 1988-07-05 | 1991-01-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito elettronico con dispositivo di protezione da variazioni di tensione della batteria di alimentazione. |
| IT1227104B (it) * | 1988-09-27 | 1991-03-15 | Sgs Thomson Microelectronics | Circuito integrato autoprotetto da inversioni di polarita' della batteria di alimentazione |
| US5012381A (en) * | 1989-09-13 | 1991-04-30 | Motorola, Inc. | Motor drive circuit with reverse-battery protection |
| DE59103234D1 (de) * | 1991-01-16 | 1994-11-17 | Siemens Ag | Verpolungs- und Überspannungsschutz für Schaltungsanordnungen. |
| US5333093A (en) * | 1991-11-06 | 1994-07-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Protection apparatus for series pass MOSFETS |
| DE4137452A1 (de) * | 1991-11-14 | 1993-05-19 | Bosch Gmbh Robert | Verpolschutzanordnung fuer leistungsendstufen-feldeffekt-transistoren |
| US5410441A (en) * | 1993-02-01 | 1995-04-25 | Motorola, Inc. | Circuit for protecting DC powered devices from improper supply voltages |
-
1994
- 1994-09-16 DE DE4432957A patent/DE4432957C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1995
- 1995-08-16 FR FR9509840A patent/FR2724790B1/fr not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-08 GB GB9518450A patent/GB2293290B/en not_active Expired - Fee Related
- 1995-09-13 JP JP7235562A patent/JPH08107632A/ja active Pending
- 1995-09-18 US US08/529,480 patent/US5648739A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2463543A1 (fr) * | 1979-05-25 | 1981-02-20 | Dassault Electronique | Dispositif de commutation electrique a l'etat solide |
| DE3133518A1 (de) * | 1981-08-25 | 1983-03-17 | Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt | "elektronischer schalter" |
| US4672246A (en) * | 1986-03-10 | 1987-06-09 | Honeywell Inc. | Low offset MOSFET transistor switch control |
| DE3835662A1 (de) * | 1988-10-20 | 1990-04-26 | Daimler Benz Ag | Vorrichtung zur ansteuerung induktiver verbraucher in einem kraftfahrzeug |
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| L. MISKIN ET. AL.: "VMOS TRANSISTOREN EIGENSCHAFTEN UND SCHALTUNGSBEISPIELE", MESSEN UND PRUFEN/AUTOMATIK, no. 11, 1 November 1979 (1979-11-01), MUNCHEN ,DE, pages 861 - 906, XP002017619 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2293290A (en) | 1996-03-20 |
| US5648739A (en) | 1997-07-15 |
| FR2724790B1 (fr) | 1997-10-31 |
| DE4432957C1 (de) | 1996-04-04 |
| JPH08107632A (ja) | 1996-04-23 |
| GB9518450D0 (en) | 1995-11-08 |
| GB2293290B (en) | 1996-09-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| FR2724790A1 (fr) | Circuit de commutation | |
| EP0362080A1 (fr) | Commutateur bidirectionnel monolithique à transistors MOS de puissance | |
| EP0711014A1 (fr) | Circuit de protection pour alimentation continue et son utilisation associé à une alimentation continue | |
| EP1653619A1 (fr) | Protection d'un transistor de puissance | |
| FR2498389A1 (fr) | Protection d'un circuit de ligne contre les surtensions | |
| EP1005161A1 (fr) | Circuit de commande d'un interrupteur a composants semiconducteurs fonctionnant en alternatif | |
| FR2888392A1 (fr) | Dispositif pour reduire la puissance lors de l'exploitation d'une charge inductive. | |
| EP0798910B1 (fr) | Protection contre les surtensions d'une interface de lignes téléphoniques | |
| EP1638146A2 (fr) | Circuit électronique à double alimentation et à moyens de protection contre les claquages, et moyens de protection correspondants | |
| FR2619262A1 (fr) | Dispositif de protection d'un equipement contre les surtensions induites sur une ligne lui etant raccordee | |
| FR2741999A1 (fr) | Dispositif integrant un transistor bipolaire dit a grille isolee et son circuit de commande | |
| FR2767976A1 (fr) | Dispositif d'aide au demarrage pour une pluralite de sources de courant | |
| EP0053526B1 (fr) | Commutateur à commande par impulsions en ouverture et en fermeture, et son intégration | |
| EP3900187B1 (fr) | Systeme d'interrupteur comprenant un dispositif de limitation de courant | |
| EP0895331A1 (fr) | Dispositif de protection d'une charge électrique et circuit d'alimentation comportant un tel dispositif | |
| EP0163332A1 (fr) | Relais statique pour courant continu | |
| EP0700142B1 (fr) | Circuit de détection de la fermeture d'une clé de contact pour la commande d'un régulateur de la charge d'une batterie par un alternateur, équipé de moyens de dérivation des courants de fuite parasites | |
| EP0457397B1 (fr) | circuit pour réguler le courant de ligne dans un poste téléphonique | |
| FR2535539A1 (fr) | Montage de protection pour signaux analogiques et/ou numeriques | |
| FR2564263A1 (fr) | Relais statique pour courant continu basse tension | |
| FR2790341A1 (fr) | Alternateur equipe de moyens perfectionnes de protection contre le delestage de charges, et dispositif regulateur associe | |
| FR3047853A1 (fr) | Systeme de commande d'un onduleur d'un moteur electrique, systeme de moteur comportant un tel systeme de commande | |
| EP0280616B1 (fr) | Appareil d'alimentation en énergie électrique d'un câble et son application | |
| WO2020260271A1 (fr) | Commutateur electronique | |
| WO2016124334A1 (fr) | Circuit electronique de commande d'un demi-pont en h |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |