JP6740709B2 - 給電制御装置 - Google Patents
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Description
また、給電経路の中途において、半導体の上流側に第2の半導体スイッチが配置されている。第2の半導体スイッチは、制御端の電圧が第2の閾値以上である場合にオンである。更に、給電経路の電流入力側の一端と第2の半導体スイッチの制御端の間に抵抗が接続される。半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチの制御端間にダイオードが接続される。ここで、ダイオードについて、アノードは半導体スイッチの制御端に接続され、カソードは第2の半導体スイッチの制御端に接続される。第2の半導体スイッチの制御端にも寄生容量が接続されている。電力出力部が出力端の電圧を上昇させることによって、半導体スイッチだけではなく、第2の半導体スイッチもオンに切替える。
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1における電源システム1の回路図である。電源システム1は、車両に好適に搭載されており、給電制御装置10、負荷11、導体12及びバッテリ13を備える。給電制御装置10は、負荷11の一端、及び、正極端子T1に各別に接続されている。負荷11の他端、及び、負極端子T2は導体12に接続されている。導体12は、例えば車両のボディである。バッテリ13の正極及び負極夫々は、正極端子T1及び負極端子T2に接続される。
半導体スイッチ20がオンである場合、ソース電圧はバッテリ13の出力電圧Vtと略一致する。従って、半導体スイッチ20は、ゲート電圧Vgが、バッテリ13の出力電圧にオン閾値を加算した閾値以上である場合にオンである。
半導体スイッチ20のゲートは制御端として機能する。
半導体スイッチ20がオンである場合、電流は半導体スイッチ20のドレイン及びソースの順に流れる。従って、半導体スイッチ20のドレイン及びソース夫々は電流入力端及び電流出力端として機能する。
充電回路23が電圧を出力している場合、ベース電圧Vbはゲート電圧Vg以上であるため、ゲート電圧Vgからベース電圧Vbを減算した差分電圧が第2基準電圧未満であり、第2スイッチ22はオフである。
ソース電圧Vsは、バッテリ13の出力電圧Vtに到達した後、バッテリ13の出力電圧Vtに維持される。
更に、前述したように、ソース電圧Vsが上昇した場合にキャパシタC1のダイオードD2側の一端における電圧も上昇するので、ゲート電圧Vgをベース電圧Vbの上昇速度よりも確実に速い速度で上昇させることができる。
ベース電圧Vb及びゲート電圧Vgが目標電圧Vmである場合、ベース電圧Vbからゲート電圧Vgを減算した差分電圧が第1基準電圧未満であり、ゲート電圧Vgがベース電圧Vbを減算した差分電圧が第2基準電圧未満であるので、第1スイッチ21及び第2スイッチ22はオフである。
放電回路24が、入力端を、内部抵抗を介して導体12に接続している場合、ゲート電圧Vgはベース電圧Vb以上であるため、ベース電圧Vbからゲート電圧Vgを減算した差分電圧は第1基準電圧未満であり、第1スイッチ21はオフである。
図3は、実施の形態2における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態2について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
また、半導体スイッチ30に関して、導体12の電位を基準としたゲートの電圧から、導体12の電位を基準としたソースの電圧を減算した差分電圧が第2のオフ閾値未満である場合、ドレイン及びソース間の抵抗値が十分に大きく、電流がソース及びドレイン間を流れることはない。このとき、半導体スイッチ30はオフである。第2のオフ閾値は、正であり、第2のオン閾値未満である。
第3スイッチ31がオンである場合、半導体スイッチ30において、ソースの電位を基準としたゲートの電圧は略ゼロVであり、第2のオフ閾値未満である。従って、第3スイッチ31がオンである場合、半導体スイッチ30はオフである。
充電回路23が電圧を出力している場合、実施の形態1と同様に、第2スイッチ22はオフである。
更に、ソース電圧Vsが上昇した場合にキャパシタC1のダイオードD2側の一端における電圧も上昇するので、実施の形態1と同様に、ゲート電圧Vgをベース電圧Vbの上昇速度よりも確実に速い速度で上昇させることができる。
実施の形態2においても、充電回路23が電圧の出力を停止し、かつ、放電回路24が入力端を、内部抵抗を介して導体12に接続することによって、半導体スイッチ20,30のオフへの切替えを開始する。
図4は、実施の形態3における電源システム1の回路図である。
以下では、実施の形態3について、実施の形態1と異なる点を説明する。後述する構成を除く他の構成については、実施の形態1と共通しているため、実施の形態1と共通する構成部には実施の形態1と同一の参照符号を付してその説明を省略する。
更に、ソース電圧Vsが上昇した場合にキャパシタC1のダイオードD2側の一端における電圧も上昇するので、ゲート電圧Vgをベース電圧Vbの上昇速度よりも確実に速い速度で上昇させることができる。
20 半導体スイッチ
21 第1スイッチ
23 充電回路(電圧出力部)
30 半導体スイッチ(第2の半導体スイッチ)
C1 キャパシタ
R1 抵抗
Claims (3)
- 給電経路の中途に配置され、制御端の電圧が閾値以上である場合にオンである半導体スイッチを備える給電制御装置において、
前記給電経路の中途における前記半導体スイッチの上流側に配置され、制御端の電圧が第2の閾値以上である場合にオンである第2の半導体スイッチと、
前記給電経路の電流入力側の一端と該第2の半導体スイッチの制御端との間に接続される抵抗と、
アノードが前記半導体スイッチの制御端に接続され、カソードが前記第2の半導体スイッチの制御端に接続されるダイオードと、
電圧を出力する電圧出力部と、
前記給電経路の前記一端と前記半導体スイッチの制御端との間に接続されるスイッチと、
前記電圧出力部が電圧を出力する出力端、及び、前記半導体スイッチの前記制御端間に接続される第2の抵抗と
を備え、
前記スイッチは、前記電圧出力部が出力している出力電圧から前記半導体スイッチの制御端の電圧を減算した差分電圧が所定電圧以上である場合にオンであり、該差分電圧が前記所定電圧未満である場合にオフであり、
前記半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチそれぞれの制御端に寄生容量が接続されており、
前記半導体スイッチ及び第2の半導体スイッチをオンに切替える場合、前記電圧出力部は出力端の電圧を上昇させ、
前記電圧出力部が前記第2の抵抗を介して前記半導体スイッチの寄生容量を充電する期間は、前記スイッチを介して前記半導体スイッチの寄生容量が充電される期間よりも短いこと
を特徴とする給電制御装置。 - 前記給電経路の前記一端と前記半導体スイッチの電流出力端との間に接続されるキャパシタを備えること
を特徴とする請求項1に記載の給電制御装置。 - 前記第2の半導体スイッチは、前記給電経路の他端の電位を基準として該給電経路の前記一端に負の電圧が印加された場合にオフに切替わること
を特徴とする請求項1又は請求項2に記載の給電制御装置。
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