JP3779904B2 - レベルシフト回路 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、パワー素子ドライブ用集積回路におけるレベルシフト回路に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
家電・産業用のパワー素子ドライブ用集積回路として、高電圧集積回路(HVIC)が従来のフォトカプラに代わり、広く使用されるようになっている。アプリケーションによっては、HVIC自体にもパワー素子の電源電圧に近い数100Vの電圧が印加されるため、高耐圧のものが不可欠であり、そのため半導体の高電圧プロセスで製作されている。
【0003】
このHVICは、マイコンからの信号で直接駆動されることが多く、そのため、マイコンの低電位の信号(5V程度)をパワー素子に伝達するには、信号を高電位(数100V)に変換するレベルシフト回路を構成している。そのレベルシフト回路には、高耐圧の信号伝達用素子が使用されており、パワー素子の電源電圧以上の耐圧を有している。
【0004】
この高耐圧素子は主にMOSトランジスタが用いられるが、数100Vの電圧が印加されている動作状態において、過大電流が同高耐圧MOSトランジスタに流れた場合、素子が過熱して破壊に至ることがある。
【0005】
この点について、図6に示した従来のHVICのレベルシフト回路を用いて詳しく述べる。同回路は、HVIC用電源VCC(1)、パワー素子用電源HV(2)、出力電圧を電源とするオフセット電源VS(3)、負極をオフセット電源VS(3)に接続したフローティング電源VB(4)、高耐圧MOSトランジスタ(5)、高耐圧MOSトランジスタ(5)の駆動用インバータ(7)、高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレインを前記VB(4)の電圧にプルアップするための抵抗(9)、および、高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレインと前記VS(3)間に挿入されたダイオード(10)で構成されている。
【0006】
入力信号により、駆動用インバータ(7)のPchのMOSトランジスタがオンし、高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート電圧が持ち上げられると、高耐圧MOSトランジスタ(5)がオンする。このときのドレイン電流は、フローティング電源VB(4)からプルアップ抵抗(9)を通じて供給される。そのドレイン電流が十分あれば、高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレイン電位Vdsは後段のインバータ(パワー素子)の閾値を超え、そのパワー素子のゲートに駆動信号が送出される。
【0007】
オフセット電源VS(3)が数100Vに昇圧されている場合、オフセット電源VS(3)と高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレイン間に挿入されているダイオード(10)がオンし、ドレイン電位Vdsは、VS―VF(ダイオード(10)の順方向電圧)にクランプされる。高耐圧MOSトランジスタ(5)の電流シンク能力が十分にあれば、ダイオード(10)を通じ、オフセット電源VS(3)よりドレイン電流は供給される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
高耐圧MOSトランジスタ(5)の電流シンク能力は、ゲート〜ソース間に印加される電圧Vgsに応じ増加するため、数100Vの電圧がドレインからソース間に印加されている状態で、ゲート〜ソース間に、電源Vccに近い電圧(15〜20V)が印加されると、高耐圧MOSトランジスタ(5)に過大な電流が流れ、素子破壊に至る場合があった。
【0009】
又、高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート〜ソース間の容量(ゲート容量)はかなり大きいため、この高耐圧MOSトランジスタ(5)が動作するゲート電圧に達する時間に満たない極めて短い入力信号が入力された場合、その高耐圧MOSトランジスタ(5)がオンしないという応答速度の低さがあった。
【0010】
この発明は、高耐圧MOSトランジスタの素子破壊を防止でき、かつ、応答速度を向上させたレベルシフト回路を提供するものである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明は、数Vのレベル信号を高レベルの信号に変換・伝達するレベルシフト回路において、信号レベル変換部に用いられる高耐圧素子のゲート〜ソース間に印加された過大電圧を低減する電圧低減手段として、ゲート〜接地間に、定電流源を挿入するとともに、前記高耐圧素子を駆動する前段のインバータのPチャルネルMOSトランジスタのドレインと、前記高耐圧素子のゲート間に抵抗を挿入したことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
実施形態1
図1に示したHVICは、
HVIC用電源VCC(1)、パワー素子用電源HV(2)、出力電圧を電源とするオフセット電源VS(3)、負極をオフセット電源VS(3)に接続したフローティング電源VB(4)、高耐圧MOSトランジスタ(5)、高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート〜ソース間に、アノードをソース側にして接続されたツェナーダイオード(6)、高耐圧MOSトランジスタ(5)の駆動用インバータ(7)、
駆動用インバータ(7)のNchMOSトランジスタのドレインおよび高耐圧MOSトランジスタ(5)ゲートの接続点と、駆動用インバータ(7)のPchMOSトランジスタのドレインとの間に挿入された抵抗(8)、高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレインを前記VB(4)の電圧にプルアップするための抵抗(9)、および、高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレインと前記VS(3)間に挿入されたダイオード(10)で構成されている。
【0013】
この回路構成において、入力信号により、駆動用インバータ(7)のPchMOSトランジスタがオンし、高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート電圧が持ち上げられると、高耐圧MOSトランジスタ(5)がオンする。このときのドレイン電流は、フローティング電源VB(4)からプルアップ抵抗(9)を通じて供給される。そのドレイン電流が十分あれば、高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレイン電位Vdsは後段のインバータ(パワー素子)の閾値を超え、そのパワー素子のゲートに駆動信号が送出される。
【0014】
オフセット電源VS(3)が数100Vに昇圧されている場合、オフセット電源VS(3)と高耐圧MOSトランジスタ(5)のドレイン間に挿入されているダイオード(10)がオンし、ドレイン電位Vdsは、VS―VF(ダイオード(10)の順方向電圧)にクランプされる。高耐圧MOSトランジスタ(5)の電流シンク能力が十分にあれば、ダイオード(10)を通じ、オフセット電源VS(3)よりドレイン電流は供給される。
【0015】
ここで、ツェナーダイオード(6)が無かった場合は図6に関して既述したように、ゲート〜ソース間の電圧Vgsが大きいと、高耐圧MOSトランジスタ(5)に過大な電流が流れ、素子破壊に至る場合があった。しかし図1の回路構成によれば、ゲート〜ソース間の電圧Vgsは、ツェナーダイオード(6)の降伏電圧(6V程度)以上には大きくならないので、高耐圧MOSトランジスタ(5)に過大なドレイン電流が流れることはなく、素子破壊に至らない信頼性の高い製品を実現できる。抵抗(8)はツェナーダイオード(6)に流れる電流を制限するためのものである。
【0016】
実施形態2
図2に示したHVICは、図1におけるツェナーダイオード(6)に代えて、n個直列接続したダイオード(11)を、カソード側を高耐圧MOSトランジスタ(5)のソースに接続している。この場合、ゲート〜ソース間電圧Vgsは最大でも、ダイオード(11)の順方向電圧×nVに抑制される。個数nの加減により、Vgsを随意な値に設定できるため、高耐圧MOSトランジスタ(5)に過大なドレイン電流が流れることはなく、素子破壊に至らない信頼性の高い製品を実現できる。抵抗(8)はダイオード(11)に流れる電流を制限するためのものである。
【0017】
実施形態3
図3に示したHVICは、図6において、高耐圧MOSトランジスタ(5)のソース〜接地間に抵抗(12)を挿入したものである。既述したように、ゲート〜ソース間に印加される電圧Vgsに応じ増加するため、数100Vの電圧がドレインからソース間に印加されている状態で、ゲート〜ソース間に、電源Vccに近い電圧(15〜20V)が印加されると、高耐圧MOSトランジスタ(5)に過大な電流が流れたが、本実施形態のように、高耐圧MOSトランジスタ(5)のソース〜接地間に抵抗(12)が挿入されていると、ドレイン電流が増大すれば、抵抗(12)の両端電圧が増大し、ソース電位が持ち上げられる。ソース電位が持ち上がった分だけ、ゲート〜ソース間電圧Vgsが小さくなり、ドレイン電流が抑制され、高耐圧MOSトランジスタ(5)の素子破壊を防止できる。
【0018】
実施形態4
図4に示したHVICは、図1におけるツェナーダイオード(6)に代えて、温度補償付定電流源(13)を用いている。この定電流源(13)のシンク電流により、抵抗(8)の両端電圧が発生し、ゲート〜ソース間電圧Vgsが小さくなるため、ドレイン電流が抑制され、高耐圧MOSトランジスタ(5)の素子破壊を防止できる。
【0019】
また、定電流源(13)の電流シンク特性に温度補償機能を持たせたことにより、抵抗(8)の温度特性および高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート〜ソース間電圧Vgsに対するドレイン電流の温度特性を補償することができ、より高精度でドレイン電流を制限できる。
【0020】
実施形態5
図5に示したHVICは、図5における抵抗(8)と並列に、コンデンサ(14)を接続したものである。高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート〜ソース間には、破線で示したゲート容量(15)に示されるように、大きなキャパシタンスが存在する。そのため、非常に短い信号が入力された場合、高耐圧MOSトランジスタ(5)の動作可能なゲート電位まで持ち上がらず、信号を伝達できなかった。
【0021】
しかし、本実施形態では、入力信号により、駆動用インバータ(7)のPchMOSトランジスタがオンした瞬間、高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート電位Vgsは、コンデンサ(14)が充電されていないため、ほぼ電源VCC(1)に近い電位まで持ち上がる。高耐圧MOSトランジスタ(5)は十分なゲート電位により動作し、信号を伝達することができる。その後、定電流源(13)のシンク電流により、コンデンサ(14)が充電され、高耐圧MOSトランジスタ(5)のゲート電位Vgsは所定の電位(ドレイン電流値を制限するためのVgs)に収束する。本実施形態によれば、高耐圧MOSトランジスタ(5)の応答速度を向上させ。高精度な製品を実現させる。
【0022】
【発明の効果】
この発明は、数Vのレベル信号を高レベルの信号に変換・伝達するレベルシフト回路において、信号レベル変換部に用いられる高耐圧素子のゲート〜ソース間に印加された過大電圧を低減する電圧低減手段を備えたので、ゲート〜ソース間に過大電圧の印加による素子破壊を防止でき、高い信頼性のレベルシフト回路を実現できる。
【0023】
又、高耐圧素子のゲートに挿入される抵抗と並列にコンデンサを接続したので、高耐圧MOSトランジスタが動作するゲート電圧に達する時間に満たない極めて短い入力信号が入力された場合でも、その高耐圧MOSトランジスタ(5)が確実にオンするようになり、応答速度が改善される。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1実施形態を示した高電圧集積回路(HVIC)の図
【図2】 本発明の第2実施形態を示した高電圧集積回路(HVIC)の図
【図3】 本発明の第3実施形態を示した高電圧集積回路(HVIC)の図
【図4】 本発明の第4実施形態を示した高電圧集積回路(HVIC)の図
【図5】 本発明の第5実施形態を示した高電圧集積回路(HVIC)の図
【図6】 従来の高電圧集積回路(HVIC)の図
【符号の説明】
1 HVIC用電源VCC、2 パワー素子用電源HV、3 オフセット電源VS、4 フローティング電源VB、5 高耐圧MOSトランジスタ、6 ツェナーダイオード、7 駆動用インバータ、8 抵抗、9 抵抗、10 ダイオード、11 ダイオード、12 抵抗、13 定電流源、14 コンデンサ、15 ゲート容量
Claims (2)
- 数Vのレベル信号を高レベルの信号に変換・伝達するレベルシフト回路において、
信号レベル変換部に用いられる高耐圧素子のゲート〜ソース間に印加された過大電圧を低減する電圧低減手段として、ゲート〜接地間に、定電流源を挿入するとともに、前記高耐圧素子を駆動する前段のインバータのPチャルネルMOSトランジスタのドレインと、前記高耐圧素子のゲート間に抵抗を挿入したことを特徴とするレベルシフト回路。 - 上記高耐圧素子を駆動する前段のインバータのPチャルネルMOSトランジスタのドレインと、前記高耐圧素子のゲート間に挿入した抵抗と並列にコンデンサを接続した請求項1記載のレベルシフト回路。
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