WO2016124334A1 - Circuit electronique de commande d'un demi-pont en h - Google Patents

Circuit electronique de commande d'un demi-pont en h Download PDF

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WO2016124334A1
WO2016124334A1 PCT/EP2016/000181 EP2016000181W WO2016124334A1 WO 2016124334 A1 WO2016124334 A1 WO 2016124334A1 EP 2016000181 W EP2016000181 W EP 2016000181W WO 2016124334 A1 WO2016124334 A1 WO 2016124334A1
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resistor
mosfet
diode
gate
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PCT/EP2016/000181
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Julien MOURET
Christian PRADELLES
Original Assignee
Continental Automotive France
Continental Automotive Gmbh
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Publication date
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic control circuit of an H-half bridge.
  • the present invention finds a particularly advantageous, although in no way limiting, application in the H-half-bridge control circuits embedded in motor vehicles and driving supplying a load, such as an actuator.
  • Such a circuit is generally intended to drive the power supply of a load, arranged in the center of said H-bridge, the latter being configured so that a determined current circulates from one terminal to another of said load in order to polarize it.
  • a load arranged in the center of said H-bridge, the latter being configured so that a determined current circulates from one terminal to another of said load in order to polarize it.
  • injectors or self-synchronous motors are embarked for the purpose of driving, for example, injectors or self-synchronous motors.
  • the assembly formed of the control circuit and the H-bridge has a symmetrical structure, comprising two identical parts arranged on either side of the terminals of said load. Also, the description of the characteristics of one of said two parts, further comprising one half of the so-called "H-half bridge" H bridge, is sufficient for the knowledge of the characteristics of said assembly.
  • the H-half bridge comprises two transistors connected to a terminal of said load, controlled by a control module, and adapted to switch between a blocked state and a on state.
  • the document JP H01 228319 proposes to partly simplify the structure of an integrated power control circuit of an H bridge and secondly to reduce the losses of said integrated circuit of power insertion of a circuit parallel electronics consisting of resistors and diodes.
  • the resistors and the diodes are coupled to the gate of each of the P-channel MOSFET transistors and the N-channel MOSFET transistors of the parallel electronic circuit.
  • the P-channel MOSFET transistor is turned off and the N-channel MOSFET transistor is turned on causing the switching of a N-channel MOSFET transistor of the power circuit from a state to a blocked state and the switching of a P-channel MOSFET transistor from a blocked state to a passing state.
  • the switching of the transistors of the power circuit generates the passage to a high level of an output signal of the power circuit. Thanks to the presence of resistors and diodes, the transistors of the power circuit do not switch simultaneously.
  • circuits with electronics less provided such as those comprising two MOSFET transistors of different respective types, and coupled to a supply by means of a single command. If such a configuration allows a PCB surface gain and a simplification of the routing scheme, they are not however suitable, on the one hand, to completely avoid the transconduction phenomena between MOSFET transistors, and on the other hand, to to put in high impedance the load in case of defect of the order.
  • the present invention aims to remedy all or part of the disadvantages of the prior art, including those described above, by proposing a solution that allows to have H-half bridge electronic control circuits with a load and MOSFET transistors, and having a simple routing scheme adapted to avoid the phenomena of transconduction during the switching of said MOSFET transistors, and to put said load in high impedance in case of control fault.
  • the invention relates to an electronic control circuit of an H-half bridge, said H-half bridge comprising first and second MOSFET transistors of different respective types, from sources respectively connected to a line of power supply and an electrical ground, and respective drains connected to a midpoint, said midpoint being intended to be connected to a terminal of a load, said control circuit being adapted to switch said MOSFET respectively a passing state in a blocked state.
  • said electronic circuit comprises first and second bipolar transistors of different respective types, transmitters respectively connected to a first node and a second node, collectors respectively connected to the supply line and to the electrical ground, and respective bases connected to a third node, said third node being connected to a control module of said MOSFET transistors, configurable in two states, a so-called "high” state and a so-called “low” state, as well as a first and a second branches connected in parallel with each other between the grids of said MOSFET transistors, the first branch comprising a first diode and a first resistor, the second branch comprising a second diode and a second resistor: The first node being connected to both the first resistor and the anode of the first diode of the first branch, said first resistor of the first branch being furthermore connected to the gate of the second MOSFET transistor, and the cathode of said first diode of the first branch being connected to the gate of the first MOSFET transistor,
  • the second node being connected to both the second resistor and the cathode of the second diode of the second branch, said second resistor of the second branch being furthermore connected to the gate of the first MOSFET transistor, and the anode of said second diode of the second branch being connected to the gate of the second MOSFET transistor.
  • the electronic control circuit of an H-half bridge may further comprise one or more of the following characteristics, taken separately or in any technically possible combination.
  • the second branch comprises a first auxiliary control module comprising a switch and a control of said switch, said switch being adapted to open and close the second branch between the second resistor and the second diode of said second branch, and the gate of the first transistor being connected to the feed line via a third resistor.
  • the switch of the second branch is a drain MOSFET transistor connected to the second resistance of the second gate branch, connected to an output of said control of the first auxiliary control module of the second branch. , and source connected to the cathode of the second diode of the second branch.
  • the first branch comprises a second auxiliary control module, comprising a switch and a control of said switch, said switch being adapted to open and close the first branch between the first resistance and the first diode of said first branch. and the gate of the second transistor being connected to the electrical ground via a fourth resistor.
  • the switch of the first branch is a drain MOSFET transistor connected to the first resistance of the first gate branch, connected to an output of said control of the second auxiliary control module of the first branch. , and source connected to the cathode of the first diode of the first branch.
  • the collector of the first bipolar transistor is connected to the supply line via a fifth resistor, and the collector of the second bipolar transistor is connected to the electrical mass via a sixth resistance.
  • control module comprises a control adapted to generate voltage signals, as well as a drain MOSFET transistor connected to the supply line, gate connected to an output of the control, and source connected to both said third node and the electrical ground.
  • a seventh resistor is arranged between the source of the MOSFET transistor of the control module and the electrical ground.
  • FIG. 1 a schematic representation of an exemplary embodiment of an electronic control circuit of a half-bridge in H.
  • FIG. 2 a schematic representation of a first preferred embodiment of the circuit of FIG. 1.
  • FIG. 1 a schematic representation of a second preferred embodiment of the circuit of Figure 1.
  • FIG. 1 shows schematically an exemplary embodiment of an electronic control circuit of a half-bridge in H.
  • Said electronic circuit is implemented to control an H half-bridge (the other half of the H bridge not being shown) connected to a load 1.
  • Said load 1 is adapted to be coupled to a power supply line 2 of predefined potential and delivering a predefined current.
  • the electronic control circuit is supported by a PCB embedded in a motor vehicle (not shown).
  • Said half-H bridge controls a load 1, such as an injector actuator, and said feed line 2 is connected to the battery of said vehicle.
  • Said H half-bridge comprises a power supply branch 3 connected, on the one hand, to the supply line 2, and on the other hand, to an electrical ground 4, said electric ground 4 corresponding to a reference potential .
  • said electric mass 4 is for example the metal casing of the motor vehicle, and corresponds to a zero potential.
  • Said supply branch 3 comprises a midpoint 5 connected to a terminal 6 of the load 1.
  • said supply branch 3 is divided into two arranged parts on either side of said midpoint 5, a first portion and a second portion respectively comprising a first MOSFET transistor 7 and a second MOSFET transistor 8, said MOSFET transistors being of different respective types.
  • the first MOSFET transistor 7 is of the P-channel type, of the source connected to the supply line 2, and of the drain connected to the midpoint 5.
  • the second MOSFET transistor 8 is, as for him, of type N channel, of source connected to the electric mass 4, and of drain connected to the midpoint 5.
  • the control circuit also comprises a first bipolar transistor 9 and a second bipolar transistor 10, said bipolar transistors being of different respective types.
  • the first bipolar transistor 9 is an emitter connected to a first node 11, a collector connected to the feed line 2, base connected to a third node 13, and adapted to convey the current from the feed line 2 to the grids of the MOSFET transistors of the half-bridge in H.
  • the second bipolar transistor 10 is, for its part, an emitter connected to a second node 12, of collector connected to the electrical ground 4, base connected to said third node 13, and adapted to convey the gate currents of the MOSFET transistors to the electrical ground 4.
  • the first bipolar transistor 9 is of the NPN type
  • the second bipolar transistor 10 is of the PNP type.
  • the collector of the first bipolar transistor 9 is connected to a first resistor 14 called “power supply”, the latter also being connected to the power supply line. 2 and adapted to limit the current supplied to said collector of the first bipolar transistor 9.
  • the collector of the second bipolar transistor 10 is connected to a first resistor 15 called “return”, the latter being further connected to the electrical ground 4 and adapted to limit any electrical flow returning to said electric mass 4.
  • control circuit comprises a control module 16 of the MOSFET transistors of the half-bridge in H.
  • Said control module 16 comprises on the one hand a control 161 adapted to generate voltage signals, and configurable in two states, a so-called "high” state and a "low” state respectively corresponding to a high voltage signal and a low voltage signal.
  • said command 161 is a microcontroller adapted to provide voltages of 0 volts and 5 volts when configured respectively in the low state and the high state.
  • control module 16 comprises a transistor
  • MOSFET 162 a drain connected to the supply line 2, and a gate connected to an output of the control 161, so that said gate is biased by the high voltage or the voltage according to the state of said control 161.
  • the source of the MOSFET transistor 162 of the control module 16 is connected to both said third node 13 and the electrical ground 4.
  • the MOSFET transistor 162 of the control module 16 is of the N-channel type.
  • a second return resistor 17 is arranged between the source of the MOSFET transistor 162 of the control module 16 and the electrical ground 4.
  • the control circuit comprises a first 18 and a second 19 branches, connected in parallel between the gates of the MOSFET transistors of the H-half bridge, and each having a diode 181, 191 and a resistor 182, 192 connected in series.
  • the first node 11 is connected to both the resistor 182 and the anode of the diode 181 of the first branch 18.
  • Said resistor 182 of the first branch 18 is further connected to the gate of the second MOSFET transistor 8.
  • the cathode of said diode 181 of the first branch 18 is in turn connected to the gate of the first MOSFET transistor 7.
  • the second node 12 is, in turn, connected to both the resistor 192 and the cathode of the diode 191 of the second branch 19.
  • Said resistor 192 of the second branch 19 is further connected to the gate of the first MOSFET transistor 7.
  • the anode of said diode 191 of the second branch 19 is, as for it, connected to the gate of the second MOSFET transistor 8.
  • the command 161 is configured in the high state so that the gate of the MOSFET transistor 162 of the control module 16 is biased by the high voltage. Said MOSFET transistor 162 of the control module 16 then switches to the on state, because it is of the N-channel type and the potential difference between its gate and its source is strictly positive. Therefore, the third node 13, then the respective bases of the first 9 and second 10 bipolar transistors, are coupled to the supply line 2, so that only the first bipolar transistor 9, because it is NPN type and that the potential difference between its base and its emitter is strictly positive, switches to the on state.
  • the first node 1 1, then the respective gates of the first 7 and second 8 MOSFET transistors, are coupled to the power supply line 2, so that only said second MOSFET transistor 8 switches to the on state, because It is of the N-channel type.
  • the mid-point 5, connected to the terminal 6 of the load 1 is coupled to the electrical ground 4.
  • the command 161 is configured in the low state so that the gate of the MOSFET transistor 162 of the control module 16 is biased by the low voltage.
  • Said MOSFET transistor 162 of the control module 16 then switches to the off state, because it is of the N-channel type and the potential difference between its gate and its source is zero. Therefore, the third node 13, then the second node 12, are coupled to the electric ground 4.
  • first 7 and second 8 MOSFET transistors are then coupled to the electrical ground 4.
  • first MOSFET transistor 7 switches in the on state, because it is P-channel type and the potential difference between its gate and its source is strictly negative.
  • the second MOSFET transistor 8 switches, in turn, to the off state, because it is N-channel type and the potential difference between its gate and its source is zero. In this way, the midpoint 5, connected to the terminal 6 of the load 1, is coupled to the supply line 2.
  • the configuration of the control circuit is advantageously adapted so that the first 7 and second 8 MOSFET transistors are not in the on state simultaneously.
  • diodes 181, 191 and resistors 182, 192, first 18 and second 19 branches is advantageous because it limits the transconduction effects between the first 7 and second 8 MOSFET transistors when they switch.
  • a MOSFET transistor is, between its gate and its source, comparable to a capacitor. Therefore, assuming that the potential of the source of a MOSFET transistor is constant, said capacitor is charged and discharged as a function of the potential at which the gate of said MOSFET transistor is connected, said charge / discharge corresponding to an increase / decrease in absolute value of the potential difference between the gate and the source.
  • the gate and the source of the first MOSFET transistor 7 are both connected to the power supply line 2. Furthermore, the gate and the source of the second MOSFET transistor 8 are respectively connected to the line D.
  • the second MOSFET transistor 8 is charged through the resistor 182 of the first branch 18 while the first MOSFET transistor 7 discharges through the diode 181 of the first branch 18, which is of negligible equivalent strength. Therefore, the time constant associated with the discharge of the first MOSFET transistor 7 is negligible with respect to the time constant associated with the load of the second MOSFET transistor 8. In other words, the first MOSFET transistor 7 discharges faster. that the second MOSFET transistor 8 does not charge, so that the first MOSFET transistor 7 switches off before the second MOSFET transistor 8 switches on.
  • the gate and the source of the second MOSFET transistor 8 are both connected to the electric ground 4. Furthermore, the gate and the source of the first MOSFET transistor 7 are respectively connected to the electrical ground 4 and at the supply line 2.
  • the first MOSFET transistor 7 loads through the resistor 192. the second branch 19 while the second MOSFET transistor 8 discharges through the diode 191 of the second branch 19, which is of negligible resistance. Therefore, the time constant associated with the discharge of the second MOSFET transistor 8 is negligible compared to the time constant associated with the load of the first MOSFET transistor 7. In other words, the second MOSFET transistor 8 discharges faster. that the first MOSFET transistor 7 is not charged, so that the second MOSFET transistor 8 switches to the off state before the first MOSFET transistor 7 switches to the on state.
  • FIG. 2 schematically represents a first preferred embodiment of the electronic control circuit of the H-half-bridge of FIG. 1, in which the second branch 19 comprises an auxiliary control module 20.
  • Said auxiliary control module 20 comprises a switch 202 and a command 201 of said switch 202, said switch 202 being adapted to open and close the second branch 19 between the resistor 192 and the diode 191 of said second branch 19.
  • the gate of the first transistor 7 is connected to the line supply 2 via a resistor 21.
  • said switch of the second branch 19 is a MOSFET transistor 202.
  • the control 201 of said MOSFET transistor 202 is adapted to generate voltage signals, and configurable in two states, a state called " high "and a so-called” low “state respectively corresponding to a high voltage signal and a low voltage signal.
  • said MOSFET transistor 202 of said auxiliary control module 20 is drain connected to the resistor 192 of the second branch 19, gate connected to an output of said control 201 of the auxiliary control module 20 of the second branch 19, and source connected to the cathode of the diode 191 of the second branch 19.
  • the MOSFET transistor 202 of the auxiliary control module 20 is of N-channel type.
  • control 201 of the auxiliary control module 20 of the second branch 19 is common with the control 161 of the control module 16, so that the switch 202 of said auxiliary control module 20 is controllable by the control 161 of the control module 16.
  • Such a configuration of the control circuit of the H-half bridge is advantageous because it is adapted to put the load 1 in high impedance in the event of a fault in the control 161 of the control module 16 in the case of the second mode of operation.
  • a second step in the event of a fault in the command 161 of the control module 16 during the second mode of operation, the command 201 of the auxiliary control module 20 of the second branch 19 goes low so that the MOSFET transistor 202 of said auxiliary control module 20 switches to the off state.
  • the gate of the first MOSFET transistor 7 is connected to the power supply line 2, so that the first MOSFET transistor 7 switches to the off state. Since the second MOSFET transistor 8 is also in the off state, the load 1 is set to high impedance.
  • FIG. 3 schematically represents a second preferred embodiment of the electronic control circuit of the H-half-bridge of FIG. 1, in which the first branch 18 comprises an auxiliary control module 22.
  • Said auxiliary control module 22 comprises a switch 222 and a control 221 of said switch 222, said switch 222 being adapted to open and close the first branch 18 between the resistor 182 and the diode 181 of said first branch 18.
  • the gate of the second transistor 8 is connected to ground electrical 4 via a resistor 23.
  • said switch of the first branch 18 is a MOSFET transistor 222.
  • the control 221 of said MOSFET transistor 222 is adapted to generate voltage signals, and configurable in two states, a so-called "high” state and a "low” state respectively corresponding to a high voltage signal and a low voltage signal.
  • said MOSFET transistor 222 of said auxiliary control module 22 is drain connected to the resistor 182 of the first gate branch 18 connected to an output of said control 221 of the auxiliary control module 20 of the first branch 18, and source connected to the cathode of the diode 181 of the first branch 18.
  • the MOSFET transistor 222 of the auxiliary control module 22 is of P-channel type.
  • control 221 of the auxiliary control module 22 of the first branch 18 is common with the control 161 of the control module 16, so that the switch 222 of said auxiliary control module 22 is controllable by the control 161 of the control module 16.
  • Such a configuration of the control circuit of the H-half bridge is advantageous because it is adapted to put the load 1 in high impedance in the event of a fault in the control 161 of the control module 16 in the case of the first mode of operation.
  • control 221 of auxiliary control module 22 of first branch 18 goes high so that the MOSFET transistor 222 of said auxiliary control module 22 switches to the off state.
  • the gate of the second MOSFET transistor 8 is connected to the electrical earth 4, so that the second MOSFET transistor 8 switches to the off state. Since the first MOSFET transistor 7 is also in the off state, the load 1 is set to high impedance.
  • the first branch 18 as well as the second branch 19 each comprise an auxiliary control module as described above with reference to FIGS. 2 and 3.
  • Such a configuration is advantageous because it makes it possible to put the load 1 in high impedance both in the first mode of operation and the second mode of operation.

Landscapes

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Abstract

L'invention concerne un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H, ledit demi-pont en H comportant un premier (7) et un deuxième (8) transistors MOSFET de types respectifs différents, de sources reliées respectivement à une ligne d'alimentation (2) et à une masse électrique (4), et de drains respectifs reliés à une charge (1 ). En outre, ledit circuit de commande comporte un premier (9) et un deuxième (10) transistors bipolaires de types respectifs différents, de collecteurs reliés respectivement à la ligne d'alimentation (2) et à la masse électrique (4), et de bases respectives reliées un module de commande (16) desdits transistors MOSFET (7, 8), ainsi qu'une première (18) et une deuxième (19) branches montées en parallèle une par rapport à l'autre entre les grilles desdits transistors MOSFET (7, 8), reliées à l'émetteur respectivement du premier transistor bipolaire (9) et du deuxième transistor bipolaire (10), la première (18) branche comportant une première diode (181) et une première résistance (182), la seconde (19) branche comportant une seconde diode (191) et une deuxième résistance (192).

Description

Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H
La présente invention concerne un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H. La présente invention trouve une application particulièrement avantageuse, bien que nullement limitative, dans les circuits de commande de demi-pont en H embarqués dans des véhicules automobiles et pilotant l'alimentation d'une charge, telle qu'un actionneur.
Actuellement, il existe différents circuits électroniques de commande d'un pont en H. Un tel circuit est généralement destiné à piloter l'alimentation d'une charge, agencée au centre dudit pont en H, ce dernier étant configuré pour qu'un courant déterminé circule d'une borne à une autre de ladite charge afin de la polariser. Dans le cas d'un véhicule automobile, de tels circuits sont embarqués dans le but de piloter, par exemple, des injecteurs ou des moteurs autosynchrones.
Classiquement, l'ensemble formé du circuit de commande et du pont en H présente une structure symétrique, comportant deux parties identiques agencées de part et d'autre des bornes de ladite charge. Aussi, la description des caractéristiques d'une des deux dites parties, comportant en outre une moitié du pont en H dite « demi-pont en H », est suffisante pour la connaissance des caractéristiques dudit ensemble.
De manière conventionnelle, le demi-pont en H comprend deux transistors reliés à une borne de ladite charge, pilotés par un module de commande, et adaptés à commuter entre un état bloqué et un état passant.
On connaît plusieurs types de circuits électroniques de commande d'un demi- pont en H fonctionnant selon le principe général décrit ci-avant, notamment ceux comportant deux transistors à effet de champ MOSFET (acronyme de l'expression anglaise « metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ») de mêmes types. Ils comportent aussi généralement deux modules de commande distincts couplant, de manière indépendante, les grilles respectives desdits transistors MOSFET à une ligne d'alimentation, ou à une masse électrique, au moyen d'une pluralité de composants électroniques. Dès lors, ces composants imposent, outre une surface PCB (acronyme de l'expression anglaise « Printed Circuit Board ») non négligeable relativement au dispositif dans lequel ils sont embarqués, un schéma de routage complexe en vue d'assurer le respect de norme de compatibilités électromagnétiques.
Le document JP H01 228319 propose pour d'une part simplifier la structure d'un circuit intégré de puissance de commande d'un pont en H et d'autre part pour réduire les pertes dudit circuit intégré dé puissance l'insertion d'un circuit électronique parallèle constitué de résistances et de diodes. Les résistances et les diodes sont couplées à la grille de chacun des transistors de type MOSFET canal P et MOSFET canal N du circuit électronique parallèle. Ainsi, lorsqu'un signal d'entrée Vin passe à un niveau haut, le transistor MOSFET canal P est désactivé et le transistor MOSFET canal N est activé provocant la commutation d'un transistor MOSFET canal N du circuit de puissance d'un état passant vers un état bloqué et la commutation d'un transistor MOSFET canal P d'un état bloqué vers un état passant. La commutation des transistors du circuit de puissance engendre le passage à un niveau haut d'un signal de sortie du circuit de puissance. Grâce à la présence des résistances et des diodes, les transistors du circuit de puissance ne commutent pas simultanément.
Il existe aussi des circuits comportant une électronique moins fournie, comme par exemple ceux comportant deux transistors MOSFET de types respectifs différents, et couplés à une alimentation au moyen d'une commande unique. Si une telle configuration autorise un gain de surface PCB ainsi qu'une simplification du schéma de routage, ils ne sont toutefois pas adaptés, d'une part, à éviter complètement les phénomènes de transconduction entre transistors MOSFET, et d'autre part, à mettre en haute impédance la charge en cas de défaut de la commande.
La présente invention a pour objectif de remédier à tout ou partie des inconvénients de l'art antérieur, notamment ceux exposés ci-avant, en proposant une solution qui permette d'avoir des circuits électroniques de commande de demi-pont en H comportant une charge et des transistors MOSFET, et présentant un schéma de routage simple adapté à éviter les phénomènes de transconduction lors de la commutation desdits transistors MOSFET, ainsi qu'à mettre ladite charge en haute impédance en cas de défaut de commande.
A cet effet, l'invention concerne un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H, ledit demi-pont en H comportant un premier et un deuxième transistors MOSFET de types respectifs différents, de sources reliées respectivement à une ligne d'alimentation et à une masse électrique, et de drains respectifs reliés à un point milieu, ledit point milieu étant destiné à être relié à une borne d'une charge, ledit circuit de commande étant adapté à commuter lesdits transistor MOSFET respectivement d'un état passant à un état bloqué. En outre, ledit circuit électronique comporte un premier et un deuxième transistors bipolaires de types respectifs différents, d'émetteurs reliés respectivement à un premier nœud et à un deuxième nœud, de collecteurs reliés respectivement à la ligne d'alimentation et à la masse électrique, et de bases respectives reliées à un troisième nœud, ledit troisième nœud étant relié à un module de commande desdits transistors MOSFET, configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas », ainsi qu'une première et une deuxième branches montées en parallèle l'une par rapport à l'autre entre les grilles desdits transistors MOSFET, la première branche comportant une première diode et une première résistance, la seconde branche comportant une seconde diode et une deuxième résistance : • le premier nœud étant relié à la fois à la première résistance et à l'anode de la première diode de la première branche, ladite première résistance de la première branche étant en outre reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET, et la cathode de ladite première diode de la première branche étant reliée à la grille du premier transistor MOSFET,
• le deuxième nœud étant relié à la fois à la deuxième résistance et à la cathode de la seconde diode de la deuxième branche, ladite deuxième résistance de la deuxième branche étant en outre reliée à la grille du premier transistor MOSFET, et l'anode de ladite seconde diode de la deuxième branche étant reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET.
Dans des modes particuliers de réalisation, le circuit électronique de commande d'un demi-pont en H peut comporter en outre l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou selon toutes les combinaisons techniquement possibles.
Dans un mode particulier de réalisation, la deuxième branche comporte un premier module auxiliaire de commande comportant un interrupteur et une commande dudit interrupteur, ledit interrupteur étant adapté à ouvrir et fermer la deuxième branche entre la deuxième résistance et la seconde diode de ladite deuxième branche, et la grille du premier transistor étant reliée à la ligne d'alimentation par l'intermédiaire d'une troisième résistance.
Dans un mode particulier de réalisation, l'interrupteur de la deuxième branche est un transistor MOSFET, de drain relié à la deuxième résistance de la deuxième branche, de grille reliée à une sortie de ladite commande du premier module auxiliaire de commande de la deuxième branche, et de source reliée à la cathode de la seconde diode de la deuxième branche.
Dans un mode particulier de réalisation, la première branche comporte un second module auxiliaire de commande, comportant un interrupteur et une commande dudit interrupteur, ledit interrupteur étant adapté à ouvrir et fermer la première branche entre la première résistance et la première diode de ladite première branche, et la grille du deuxième transistor étant reliée à la masse électrique par l'intermédiaire d'une quatrième résistance.
Dans un mode particulier de réalisation, l'interrupteur de la première branche est un transistor MOSFET, de drain relié à la première résistance de la première branche, de grille reliée à une sortie de ladite commande du second module auxiliaire de commande de la première branche, et de source reliée à la cathode de la première diode de la première branche. Dans un mode particulier de réalisation, le collecteur du premier transistor bipolaire est relié à la ligne d'alimentation par l'intermédiaire d'une cinquième résistance, et le collecteur du deuxième transistor bipolaire est relié à la masse électrique par l'intermédiaire d'une sixième résistance.
Dans un mode particulier de réalisation, le module de commande comporte une commande adaptée à générer des signaux de tension, ainsi qu'un transistor MOSFET, de drain relié à la ligne d'alimentation, de grille reliée à une sortie de la commande, et de source reliée à la fois audit troisième n ud et à la masse électrique.
Dans un mode particulier de réalisation, une septième résistance est agencée entre la source du transistor MOSFET du module de commande et la masse électrique.
Les caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux appréciés grâce à la description qui suit, description qui expose les caractéristiques de l'invention au travers de modes de réalisation préférés, qui n'en sont nullement limitatifs.
La description s'appuie sur les figures annexées qui représentent :
- Figure 1 : une représentation schématique d'un exemple de réalisation d'un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H.
- Figure 2 : une représentation schématique d'un premier mode préféré de réalisation du circuit de la figure 1.
- Figure 3 : une représentation schématique d'un deuxième mode préféré de réalisation du circuit de la figure 1.
La figure 1 représente schématiquement un exemple de réalisation d'un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H.
Ledit circuit électronique est mis en œuvre pour contrôler un demi-pont en H (l'autre moitié du pont en H n'étant pas représentée) relié à une charge 1. Ladite charge 1 est adaptée à être couplée à une ligne d'alimentation 2 de potentiel prédéfini et délivrant un courant prédéfini.
Dans le cas présent, et à titre d'exemple nullement limitatif, le circuit électronique de commande est supporté par une carte PCB embarquée dans un véhicule automobile (non représenté). Ledit demi-pont en H contrôle une charge 1 , telle qu'un actionneur d'injecteur, et ladite ligne d'alimentation 2 est reliée à la batterie dudit véhicule.
Ledit demi-pont en H comporte une branche d'alimentation 3 reliée, d'une part, à la ligne d'alimentation 2, et d'autre part, à une masse électrique 4, ladite masse électrique 4 correspondant à un potentiel de référence. Dans le présent exemple de réalisation, ladite masse électrique 4 est par exemple la carcasse métallique du véhicule automobile, et correspond à un potentiel nul.
Ladite branche d'alimentation 3 comporte un point milieu 5 relié à une borne 6 de la charge 1. Ainsi, ladite branche d'alimentation 3 se divise en deux parties agencées de part et d'autre dudit point milieu 5, une première partie et une deuxième partie comportant respectivement un premier transistor MOSFET 7 et un deuxième transistor MOSFET 8, lesdits transistors MOSFET étant de types respectifs différents.
Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 1 , le premier transistor MOSFET 7 est de type canal P, de source reliée à la ligne d'alimentation 2, et de drain relié au point milieu 5. Le deuxième transistor MOSFET 8 est, quant à lui, de type canal N, de source reliée à la masse électrique 4, et de drain relié au point milieu 5.
Le circuit de commande comporte aussi un premier transistor bipolaire 9 et un deuxième transistor bipolaire 10, lesdits transistors bipolaires étant de types respectifs différents. Le premier transistor bipolaire 9 est d'émetteur relié à un premier nœud 11 , de collecteur relié à la ligne d'alimentation 2, de base reliée à un troisième nœud 13, et adapté à acheminer le courant de la ligne d'alimentation 2 vers les grilles des transistors MOSFET du demi-pont en H. Le deuxième transistor bipolaire 10 est, quant à lui, d'émetteur relié à un deuxième nœud 12, de collecteur relié à la masse électrique 4, de base reliée audit troisième nœud 13, et adapté à acheminer les courants de grille des transistors MOSFET vers la masse électrique 4.
Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 1, le premier transistor bipolaire 9 est de type NPN, et le deuxième transistor bipolaire 10 est de type PNP.
Dans un mode particulier de réalisation, illustré par la figure 1 à titre nullement limitatif, le collecteur du premier transistor bipolaire 9 est relié à une première résistance 14 dite « d'alimentation », cette dernière étant en outre reliée à la ligne d'alimentation 2 et adaptée à limiter le courant acheminé vers ledit collecteur du premier transistor bipolaire 9. Le collecteur du deuxième transistor bipolaire 10 est quant à lui relié à une première résistance 15 dite « de retour », cette dernière étant en outre reliée à la masse électrique 4 et adaptée à limiter tout flux électrique retournant vers ladite masse électrique 4.
Par ailleurs, le circuit de commande comporte un module de commande 16 des transistors MOSFET du demi-pont en H. Ledit module de commande 16 comporte d'une part une commande 161 adaptée à générer des signaux de tension, et configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas » correspondant respectivement à un signal de tension haute et à un signal de tension basse. Par exemple, et à titre nullement limitatif, ladite commande 161 est un microcontrôleur adapté à fournir des tensions de 0 volts et 5 volts lorsqu'elle est configurée respectivement dans l'état bas et l'état haut.
D'autre part, le module de commande 16 comporte un transistor
MOSFET 162, de drain relié à la ligne d'alimentation 2, et de grille reliée à une sortie de la commande 161 , de sorte que ladite grille est polarisée par la tension haute ou la tension basse selon l'état de ladite commande 161. De plus, la source du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est reliée à la fois audit troisième nœud 13 et à la masse électrique 4.
Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 1, le transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est de type canal N.
Dans un mode particulier de réalisation, illustré par la figure 1 à titre nullement limitatif, une deuxième résistance de retour 17 est agencée entre la source du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 et la masse électrique 4.
Le circuit de commande comporte une première 18 et une deuxième 19 branches, montées en parallèle entre les grilles des transistors MOSFET du demi-pont en H, et comportant chacune une diode 181 , 191 et une résistance 182, 192 montées en série.
Tel qu'illustré sur la figure 1 , le premier nœud 11 est relié à la fois à la résistance 182 et à l'anode de la diode 181 de la première branche 18. Ladite résistance 182 de la première branche 18 est en outre reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET 8. La cathode de ladite diode 181 de la première branche 18 est quant à elle reliée à la grille du premier transistor MOSFET 7. Le deuxième nœud 12 est, quant à lui, relié à la fois à la résistance 192 et à la cathode de la diode 191 de la deuxième branche 19. Ladite résistance 192 de la deuxième branche 19 est en outre reliée à la grille du premier transistor MOSFET 7. L'anode de ladite diode 191 de la deuxième branche 19 est, quant à elle, reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET 8.
Dans un premier mode de fonctionnement, et en référence à la figure 1, la commande 161 est configurée dans l'état haut de sorte que la grille du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est polarisée par la tension haute. Ledit transistor MOSFET 162 du module de commande 16 commute alors à l'état passant, du fait qu'il est de type canal N et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est strictement positive. Dès lors, le troisième nœud 13, puis les bases respectives des premier 9 et deuxième 10 transistors bipolaires, sont couplés à la ligne d'alimentation 2, de sorte que seul le premier transistor bipolaire 9, du fait qu'il est de type NPN et que la différence de potentiel entre sa base et son émetteur est strictement positive, commute à l'état passant. Ainsi, le premier nœud 1 1 , puis les grilles respectives des premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET, sont couplés à la ligne d'alimentation 2, de sorte que seul ledit deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état passant, du fait qu'il est de type canal N. De cette manière, le point milieu 5, relié à la borne 6 de la charge 1 , est couplé à la masse électrique 4. Dans un second mode de fonctionnement, la commande 161 est configurée dans l'état bas de sorte que la grille du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est polarisée par la tension basse. Ledit transistor MOSFET 162 du module de commande 16 commute alors à l'état bloqué, du fait qu'il est de type canal N et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est nulle. Dès lors, le troisième nœud 13, puis le deuxième nœud 12, sont couplés à la masse électrique 4. Les grilles respectives des premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET sont alors couplées à la masse électrique 4. Ainsi, le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état passant, du fait qu'il est de type canal P et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est strictement négative. Le deuxième transistor MOSFET 8 commute, quant à lui, à l'état bloqué, du fait qu'il est de type canal N et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est nulle. De cette manière, le point milieu 5, relié à la borne 6 de la charge 1 , est couplé à la ligne d'alimentation 2.
Suivant les caractéristiques du premier mode de fonctionnement, il est clair que lorsque la commande 161 est à nouveau configurée dans l'état bas, consécutivement au deuxième mode de fonctionnement, les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET commutent respectivement à l'état passant et à l'état bloqué. Dès lors, on comprend que la configuration du circuit de commande est avantageusement adaptée à ce que les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET ne soient pas à l'état passant simultanément.
Par ailleurs, l'agencement des diodes 181 , 191 et résistances 182, 192, des première 18 et deuxième 19 branches, est avantageux car il permet de limiter les effets de transconduction entre les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET lorsque ces derniers commutent.
En effet, un transistor MOSFET est, entre sa grille et sa source, assimilable à un condensateur. Dès lors, en supposant que le potentiel de la source d'un transistor MOSFET est constant, ledit condensateur se charge et se décharge en fonction du potentiel auquel est reliée la grille dudit transistor MOSFET, ladite charge/décharge correspondant à une augmentation/baisse en valeur absolue de la différence de potentiel entre la grille et la source.
Dans le premier mode de fonctionnement, la grille et la source du premier transistor MOSFET 7 sont toutes les deux reliées à la ligne d'alimentation 2. Par ailleurs, la grille et la source du deuxième transistor MOSFET 8 sont reliées respectivement à la ligne d'alimentation 2 et à la masse électrique 4. Ainsi, dans l'hypothèse où les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET sont initialement respectivement à l'état passant et à l'état bloqué, le deuxième transistor MOSFET 8 se charge à travers la résistance 182 de la première branche 18 tandis que le premier transistor MOSFET 7 se décharge à travers la diode 181 de la première branche 18, qui est de résistance équivalente négligeable. Par conséquent, la constante de temps associée à la décharge du premier transistor MOSFET 7 est négligeable par rapport à la constante de temps associée à la charge du deuxième transistor MOSFET 8. En d'autres termes, le premier transistor MOSFET 7 se décharge plus rapidement que le deuxième transistor MOSFET 8 ne se charge, de sorte que le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état bloqué avant que le deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état passant.
Dans le deuxième mode de fonctionnement, la grille et la source du deuxième transistor MOSFET 8 sont toutes les deux reliées à la masse électrique 4. Par ailleurs, la grille et la source du premier transistor MOSFET 7 sont reliées respectivement à la masse électrique 4 et à la ligne d'alimentation 2. Ainsi, dans l'hypothèse où les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET sont initialement respectivement à l'état bloqué et à l'état passant, le premier transistor MOSFET 7 se charge à travers la résistance 192 de la deuxième branche 19 tandis que le deuxième transistor MOSFET 8 se décharge à travers la diode 191 de la deuxième branche 19, qui est de résistance négligeable. Par conséquent, la constante de temps associée à la décharge du deuxième transistor MOSFET 8 est négligeable par rapport à la constante de temps associée à la charge du premier transistor MOSFET 7. En d'autres termes, le deuxième transistor MOSFET 8 se décharge plus rapidement que le premier transistor MOSFET 7 ne se charge, de sorte que le deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état bloqué avant que le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état passant.
La figure 2 représente schématiquement un premier mode préféré de réalisation du circuit électronique de commande du demi-pont en H de la figure 1 , dans lequel la deuxième branche 19 comporte un module auxiliaire de commande 20. Ledit module auxiliaire de commande 20 comporte un interrupteur 202 et une commande 201 dudit interrupteur 202, ledit interrupteur 202 étant adapté à ouvrir et fermer la deuxième branche 19 entre la résistance 192 et la diode 191 de ladite deuxième branche 19. En outre, la grille du premier transistor 7 est reliée à la ligne d'alimentation 2 par l'intermédiaire d'une résistance 21.
Par exemple, dans ledit premier mode préféré de réalisation, ledit interrupteur de la deuxième branche 19 est un transistor MOSFET 202. La commande 201 dudit transistor MOSFET 202 est adaptée à générer des signaux de tension, et configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas » correspondant respectivement à un signal de tension haute et à un signal de tension basse. Par ailleurs, ledit transistor MOSFET 202 dudit module auxiliaire de commande 20 est de drain relié à la résistance 192 de la deuxième branche 19, de grille reliée à une sortie de ladite commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19, et de source reliée à la cathode de la diode 191 de la deuxième branche 19.
Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 2, le transistor MOSFET 202 du module auxiliaire de commande 20 est de type canal N.
Dans un mode particulier de réalisation, la commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19 est commune avec la commande 161 du module de commande 16, de sorte que l'interrupteur 202 dudit module auxiliaire de commande 20 est commandable par la commande 161 du module de commande 16.
Une telle configuration du circuit de commande du demi-pont en H est avantageuse car adaptée à mettre en haute impédance la charge 1 en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 dans le cas du deuxième mode de fonctionnement.
En effet, et dans un premier temps, lorsque la commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19 est à l'état haut, le transistor MOSFET 202 dudit module auxiliaire de commande 20 est à l'état passant, de sorte que le circuit électronique de commande de la figure 2 se comporte comme le circuit électronique de commande de la figure 1 dans le deuxième mode de fonctionnement.
Dans un deuxième temps, en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 lors du deuxième mode de fonctionnement, la commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19 se met à l'état bas de sorte que le transistor MOSFET 202 dudit module auxiliaire de commande 20 commute à l'état bloqué. Ainsi, la grille du premier transistor MOSFET 7 est reliée à la ligne d'alimentation 2, de sorte que le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état bloqué. Dans la mesure où le deuxième transistor MOSFET 8 est lui aussi à l'état bloqué, la charge 1 est mise en haute impédance.
La figure 3 représente schématiquement un deuxième mode préféré de réalisation du circuit électronique de commande du demi-pont en H de la figure 1, dans lequel la première branche 18 comporte un module auxiliaire de commande 22. Ledit module auxiliaire de commande 22 comporte un interrupteur 222 et une commande 221 dudit interrupteur 222, ledit interrupteur 222 étant adapté à ouvrir et fermer la première branche 18 entre la résistance 182 et la diode 181 de ladite première branche 18. En outre, la grille du deuxième transistor 8 est reliée à la masse électrique 4 par l'intermédiaire d'une résistance 23.
Par exemple, dans ledit deuxième mode préféré de réalisation, ledit interrupteur de la première branche 18 est un transistor MOSFET 222. La commande 221 dudit transistor MOSFET 222 est adaptée à générer des signaux de tension, et configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas » correspondant respectivement à un signal de tension haute et à un signal de tension basse. Par ailleurs, ledit transistor MOSFET 222 dudit module auxiliaire de commande 22 est de drain relié à la résistance 182 de la première branche 18, de grille reliée à une sortie de ladite commande 221 du module auxiliaire de commande 20 de la première branche 18, et de source reliée à la cathode de la diode 181 de la première branche 18.
Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 3, le transistor MOSFET 222 du module de commande auxiliaire 22 est de type canal P.
Dans un mode particulier de réalisation, la commande 221 du module auxiliaire de commande 22 de la première branche 18 est commune avec la commande 161 du module de commande 16, de sorte que l'interrupteur 222 dudit module auxiliaire de commande 22 est commandable par la commande 161 du module de commande 16.
Une telle configuration du circuit de commande du demi-pont en H est avantageuse car adaptée à mettre en haute impédance la charge 1 en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 dans le cas du premier mode de fonctionnement.
En effet, et dans un premier temps, lorsque la commande 221 du module auxiliaire de commande 22 de la première branche 18 est à l'état bas, le transistor MOSFET 222 dudit module auxiliaire de commande 22 est à l'état passant, de sorte que le circuit électronique de commande de la figure 3 se comporte comme le circuit électronique de commande de la figure 1 dans le premier mode de fonctionnement.
Dans un deuxième temps, en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 lors du premier mode de fonctionnement, la commande 221 du module auxiliaire de commande 22 de la première branche 18 se met à l'état haut de sorte que le transistor MOSFET 222 dudit module auxiliaire de commande 22 commute à l'état bloqué. Ainsi, la grille du deuxième transistor MOSFET 8 est reliée à la masse électrique 4, de sorte que le deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état bloqué. Dans la mesure où le premier transistor MOSFET 7 est lui aussi à l'état bloqué, la charge 1 est mise en haute impédance.
Dans une variante de réalisation de l'invention, la première branche 18 ainsi que la deuxième branche 19 comportent chacune un module auxiliaire de commande tel que décrit ci-avant en référence aux figures 2 et 3. Une telle configuration est avantageuse car elle permet de mettre la charge 1 en haute impédance à la fois dans le premier mode de fonctionnement et le deuxième mode de fonctionnement.

Claims

REVENDICATIONS
1. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H, ledit demi-pont en H comportant un premier (7) et un deuxième (8) transistors MOSFET de types respectifs différents, de sources reliées respectivement à une ligne d'alimentation (2) et à une masse électrique (4), et de drains respectifs reliés à un point milieu (5), ledit point milieu (5) étant destiné à être relié à une borne (6) d'une charge (1 ),
ledit circuit de commande étant adapté à commuter lesdits transistor MOSFET (7,8) respectivement d'un état passant à un état bloqué,
caractérisé en ce qu'il comporte un premier (9) et un deuxième (10) transistors bipolaires de types respectifs différents, d'émetteurs reliés respectivement à un premier nœud (1 1 ) et à un deuxième nœud (12), de collecteurs reliés respectivement à la ligne d'alimentation (2) et à la masse électrique (4), et de bases respectives reliées à un troisième nœud (13), ledit troisième nœud (13) étant relié à un module de commande (16) desdits transistors MOSFET (7,8), configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas »,
ainsi qu'une première (18) et une deuxième (19) branches montées en parallèle une par rapport à l'autre entre les grilles desdits transistors MOSFET (7,8), la première (18) branche comportant une première diode (181 ) et une première résistance (182), la deuxième (19) branche comportant une seconde diode (191 ) et une deuxième résistance (192) :
- le premier nœud (1 1 ) étant relié à la fois à la première résistance (182) et à l'anode de la première diode (181 ) de la première (18) branche, ladite première résistance (182) de la première branche (18) étant en outre reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET (8), et la cathode de ladite première diode (181 ) de la première (18) branche étant reliée à la grille du premier transistor MOSFET (7),
- le deuxième nœud (12) étant relié à la fois à la deuxième résistance (192) et à la cathode de la seconde diode (191 ) de la deuxième (19) branche, ladite deuxième résistance (192) de la deuxième (19) branche étant en outre reliée à la grille du premier transistor MOSFET (7), et l'anode de ladite seconde diode (191 ) de la deuxième (19) branche étant reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET (8).
2. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 1 , caractérisé en ce que la deuxième (19) branche comporte un premier module auxiliaire de commande (20) comportant un interrupteur (202) et une commande (201 ) dudit interrupteur (202), ledit interrupteur (202) étant adapté à ouvrir et fermer la deuxième (19) branche entre la deuxième résistance (192) et la seconde diode (191 ) de ladite deuxième (19) branche, et la grille du premier transistor (7) étant reliée à la ligne d'alimentation (2) par l'intermédiaire d'une troisième résistance (21 ).
3. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'interrupteur (202) de la deuxième (19) branche est un transistor MOSFET (202), de drain relié à la deuxième résistance (192) de la deuxième (19) branche, de grille reliée à une sortie de ladite commande (201 ) du premier module auxiliaire de commande (20) de la deuxième branche (19), et de source reliée à la cathode de la seconde diode (191 ) de la deuxième branche (19).
4. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la première (18) branche comporte un second module auxiliaire de commande (22), comportant un interrupteur (222) et une commande (221 ) dudit interrupteur (222), ledit interrupteur (222) étant adapté à ouvrir et fermer la première (18) branche entre la première résistance (182) et la première diode (181 ) de ladite première (18) branche, et la grille du deuxième transistor (8) étant reliée à la masse électrique (4) par l'intermédiaire d'une quatrième résistance (23).
5. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'interrupteur (222) de la première (18) branche est un transistor MOSFET (222), de drain relié à la première résistance (182) de la première (18) branche, de grille reliée à une sortie de ladite commande (221 ) du second module auxiliaire de commande (22) de la première (18)branche, et de source reliée à la cathode de la première diode (181 ) de la première (18)branche.
6. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le collecteur du premier transistor bipolaire (9) est relié à la ligne d'alimentation (2) par l'intermédiaire d'une cinquième résistance (14), et le collecteur du deuxième transistor bipolaire (10) est relié à la masse électrique (4) par l'intermédiaire d'une sixième résistance (15).
7. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le module de commande (16) comporte une commande (161 ) adaptée à générer des signaux de tension, ainsi qu'un transistor MOSFET (162), de drain relié à la ligne d'alimentation (2), de grille reliée à une sortie de la commande (161 ), et de source reliée à la fois audit troisième nœud (13) et à la masse électrique (4).
8. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'une septième résistance (17) est agencée entre la source du transistor MOSFET (162) du module de commande (16) et la masse électrique (4).
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