EP1113352A1 - Dispositif de régulation - Google Patents

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EP1113352A1
EP1113352A1 EP00403691A EP00403691A EP1113352A1 EP 1113352 A1 EP1113352 A1 EP 1113352A1 EP 00403691 A EP00403691 A EP 00403691A EP 00403691 A EP00403691 A EP 00403691A EP 1113352 A1 EP1113352 A1 EP 1113352A1
Authority
EP
European Patent Office
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voltage
transistor
satisfied
condition
variable
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EP00403691A
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German (de)
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EP1113352B1 (fr
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Laurent Micheli
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STMicroelectronics SA
Original Assignee
STMicroelectronics SA
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Publication date
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    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10Regulating voltage or current
    • G05F1/46Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G05F1/565Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor
    • G05F1/569Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
    • GPHYSICS
    • G05CONTROLLING; REGULATING
    • G05FSYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
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    • G05F1/569Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection
    • G05F1/571Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices sensing a condition of the system or its load in addition to means responsive to deviations in the output of the system, e.g. current, voltage, power factor for protection with overvoltage detector

Definitions

  • the present invention relates to the field of regulators of voltage, of the type providing a constant DC voltage while being themselves supplied by a DC voltage which may vary.
  • a regulator having to provide an output 3.3 volts voltage will be supplied with a DC voltage, for example between 5.1 and 9.5 volts.
  • the upper feed limit of a regulator depends essentially on the technology of the components assets with which it is provided.
  • the object of the present invention is to propose a regulator of tension not destroying itself when the tension to which it is subjected exceeds the breakdown voltage of its active components.
  • the regulating device is supplied by a variable voltage V v and is intended to supply a constant voltage for the supply of consumer elements.
  • the device comprises a regulating element, a means of comparing the variable voltage V v with a reference voltage V ref , a means of dividing the variable voltage V v by a factor k 1 , and a switching means able to supply the regulating element by a voltage V r equal to either the variable voltage V v or the divided variable voltage V v / k 1 , the switching means being controlled by the comparison means so that the regulation is supplied by the variable voltage V v if a voltage condition is satisfied and by the divided variable voltage V v / k 1 if the voltage condition is not satisfied, the variable voltage V v being able to take higher values to those that are capable of supporting the active components of the device.
  • the device may include an inverter mounted at the output of the amplifier to obtain a reverse control signal V - .
  • the means of dividing by the factor k 2 can comprise at least two resistors connected in series between the variable voltage V v and the ground.
  • the means of dividing by the factor k 1 can comprise at least two resistors connected in series between the variable voltage V v and the ground.
  • the means for dividing by factor k 1 and the means for dividing by factor k 2 may include at least one common resistor.
  • the switching means comprises a first transistor, one terminal of which is connected to the input of said switching means and sees the variable voltage V v , another terminal is connected to the output of said switching means and sees the voltage V r , and a control terminal connected to a control means generating a voltage capable of turning the first transistor on if the voltage condition is not satisfied or blocked if the voltage condition is satisfied.
  • the first transistor can be of the MOS type.
  • the switching means comprises at least a second transistor, one terminal of which is connected to the input of said switching means and sees the variable voltage V v , another terminal is connected to the output of said switching means and sees the voltage V r , and a control terminal sees a control voltage equal to the divided variable voltage V v / k 1 able to block the second transistor if the voltage condition is not satisfied and to turn it on if the voltage condition is satisfied so that the voltage V r is equal to the divided variable voltage V v / k 1 .
  • the second transistor can be replaced by an assembly cascode of multiple transistors, for example bipolar, to provide more of current at the output of the switching means.
  • the means for controlling the first transistor comprises a third transistor controlled by an output voltage of the comparison means and a fourth transistor controlled by the reverse of said output voltage of the comparison means, the third transistor being connected by a terminal to ground and by another terminal at the output of the switching means seeing the voltage V r via two resistors R21 and R22 in series, the point common to said two resistors seeing the voltage V r if the voltage condition is not satisfied and a voltage equal to V r * R21 / (R21 + R22) if the voltage condition is satisfied.
  • the fourth transistor is connected by a terminal to ground and by another terminal to the output of the switching means via a fifth transistor, the control terminal of which is connected to the point common to said two resistors, the fifth transistor passing if the voltage condition is satisfied and blocked if the voltage condition is not satisfied, so that the point common to the fourth and fifth transistors sees a voltage substantially zero if the voltage condition is not satisfied and at less equal to the voltage V r if the voltage condition is satisfied.
  • the third and fourth transistors can be of the MOS type with their source grounded.
  • the fifth transistor can be of the MOS type with the source subjected to the voltage V r .
  • the means for controlling the first transistor further comprises a sixth transistor provided with a terminal connected to the point common to the fourth and fifth transistors, the other terminal and the control terminal being short-circuited and connected to the output.
  • switching means seeing the voltage V r by means of two resistors R27 and R28 in series, the sixth transistor being on if the voltage condition is not satisfied and blocked if the voltage condition is satisfied, the common point to said two resistors R27 and R28 seeing the voltage V r * R27 / (R27 + R28) if the voltage condition is not satisfied and the voltage V r if the voltage condition is satisfied.
  • a seventh transistor is provided with a control terminal connected to the point common to said two resistors R27 and R28, a terminal connected to the point common to the fourth and fifth transistors, and another terminal connected to the point common to the fourth and fifth transistors via a resistor R33, the other terminal of the seventh transistor also being connected to the control terminal of the first transistor of the switching means via a resistor R32, a resistor R31 connecting the terminal for controlling the first transistor and the input of the switching means seeing the variable voltage V v , so that the seventh transistor is on if the voltage condition is not satisfied, the control terminal of the first transistor being subjected to a voltage substantially equal to V v * R32 / (R31 + R32) able to turn it on, and that the seventh transistor is blocked if the voltage condition is satisfied, the terminal for controlling the first transistor being subjected to a voltage substantially equal to V v able to block it.
  • the sixth transistor can be of bipolar type with collector and base short-circuited.
  • the seventh transistor can be of the bipolar type with the collector connected to the point common to resistors R32 and R33.
  • a regulator can be implemented in technology HF5 CMOS for which the breakdown voltage is around 15 volts.
  • the general principle is to detect the voltage applied by compared to a threshold of 12.5 volts by means of a resistive bridge and a comparator and switch the control structure while maintaining a normal operation if the voltage is less than 12 volts and dividing the applied voltage if it is greater than 12 volts. So not only the regulator is protected against destruction in the event of voltage power too high, but still the regulator continues to operate satisfactorily at a voltage greater than the breakdown voltage.
  • the regulator is designed so that none of its components likely to banging around 15 volts is subject to such tension.
  • the invention also relates to a regulation method intended to supply a constant voltage for the supply of consumer elements from a variable voltage V v , method in which the variable voltage V v is compared to a reference voltage V ref , divide the variable voltage V v by a factor k 1 , and supply the regulating element with a voltage V r equal either by the variable voltage V v , or by the variable voltage divided V v / k 1 by switching between the two voltages, the switching being controlled as a function of the comparison so that the regulating element is supplied by the variable voltage V v if a voltage condition is not satisfied and by the divided variable voltage V v / k 1 if the voltage condition is satisfied, the variable voltage V v being capable of assuming values greater than those capable of supporting the active components of the device.
  • the invention applies to the automotive field, in particular for safety air bags. So we can make a regulator supporting a supply voltage higher than that allowed normally by the technology used, which presents many advantages in terms of choice of technology, reduction of the surface of silicon used and optimization. Indeed, in the case of an automobile, the regulator is normally powered from a battery of a alternator operating at 12 volts. However, in case of disconnection of the battery, the alternator output voltage may reach much higher values.
  • the vehicle's electrical network is also subject to radiation due to the high voltage used by engine spark plugs. As a result, a regulator mounted in an automobile must be capable of withstanding voltages up to 25 volts.
  • the regulating device comprises a regulating element 1 of conventional type, supplied by a direct voltage likely to vary between 5.1 and 12.5 volts and providing at the output a regulated voltage of 3.3 volts.
  • the regulatory system also includes a reference module 2 providing the element with regulates a reference voltage, allowing it to develop the voltage regulated.
  • the regulation device comprises a means for dividing 3 the supply voltage V v , the latter being between 5.1 and 25 volts.
  • the dividing means 3 divides the supply voltage by two.
  • the regulating device also comprises a switching means 4, one input of which is connected directly to the supply voltage V v of between 5.1 and 25 volts, another input is connected to the output of the dividing means 3 and sees a voltage V r between 5.1 and 12.5 volts, the output supplies the regulating element 1 and a control input receives a setpoint from a comparison means 5.
  • the comparison means 5 comprises an amplifier 6 mounted as a comparator, the negative terminal of which receives a reference voltage V ref from the reference module 2, the positive terminal of which receives a voltage V comp proportional to the supply voltage V v via two resistors 7 and 8 connected in series between the voltage supply between 5.1 and 25 volts and ground, the positive terminal of the amplifier 6 being connected to the common point between the two resistors 7 and 8.
  • the output of the amplifier 6 is connected to the control input of the switching means 4.
  • the switching means 4 supplies the regulating element 1 directly with the supply voltage V v . This is due to the fact that the supply voltage V v is less than 12.5 volts. If the supply voltage is greater than 12.5 volts, the amplifier 6 outputs an opposite setpoint. The switching means 4 then supplies the regulating element 1 from the divided voltage V r supplied by the dividing means 3. Thus, the regulating element 1 always sees as input a voltage less than or equal to 12.5 volts, while the regulator as a whole sees a supply voltage less than or equal to 25 volts.
  • the module 9 which groups the dividing means 3 and the switching means 4, is connected not only to the output of the amplifier 6 by which it receives a control signal denoted V + by l intermediary of the conductor 10. However, the module 9 also receives a reverse control signal V - which is obtained by means of an inverter 11 receiving the control signal V + as an input.
  • the comparison voltage V comp is supplied to the negative terminal of the amplifier 6 by the module 9, the resistors making it possible to obtain the comparison voltage V comp can also be integrated into the module 9.
  • the detail of the module 9 is illustrated in figure 3.
  • module 9 is divided into three parts having different functionalities and separated by mixed lines.
  • the dividing means 3 is formed by three resistors R12, R13 and R14 arranged in series between a line supplying the variable supply voltage V v between 5.1 and 25 volts and the ground line, it being understood that the mass can be floating, that is to say that the voltage V v is understood to be taken with respect to the mass.
  • V comp V v * R14 / (R12 + R13 + R14)
  • V d V v * (R13 + R14) / (R12 + R13 + R14).
  • ak 1 (R13 + R14) / (R12 + R13 + R14)
  • k 2 R14 / (R12 + R13 + R14).
  • the rest of the module 9 forms the switching means 4 and can be divided into a switching part 15 and a control part switching 16.
  • the switching part 15 comprises a first transistor T17 of the MOS type, the source of which is connected to the supply at the voltage V v , the drain of which is connected to the output of the module 9 which supplies the regulating element 1 of the Figure 1 a supply voltage V r less than or equal to 12.5 volts and the gate of which receives a control signal from the switching control part 16 which will be described later.
  • the switching part 15 also includes a second transistor T18 of the bipolar PNP type, the collector of which is connected to the supply line under the voltage V v , the base of which is connected to the point common to the resistors R12 and R13 and sees the voltage V d and the emitter of which is here connected to an additional bipolar transistor T19 forming a cascode circuit in order to be able to supply a high output current under the voltage V r . If the required output current is lower, the presence of the additional transistor T19 is not necessary.
  • the transistor T19 of NPN type, has its collector connected to the supply line under the voltage V v , its base connected to the emitter of the transistor T18 and its emitter connected to the output line of the voltage V r .
  • V r V d - V BET18 - V BET19 .
  • V v 25 volts
  • V d 14 volts
  • V r substantially equal to 12.5 volts.
  • the maximum voltage that these transistors see is equal to V v - V r and therefore does not exceed 12.5 volts.
  • the switching control part 16 is used to generate the control signal of the gate of the transistor T17 so that the said transistor T17 is blocked if the variable voltage V v is greater than 12.5 volts and is on in the other cases.
  • the switching control part receives the control signal V + and the reverse control signal V - from the comparison means 5 illustrated in FIG. 1.
  • the switching control part 16 comprises a MOS transistor T20 whose source is connected to ground, whose gate receives the control signal V + and whose drain is connected to the output line under the voltage V r by the intermediate of two resistors in series R21 and R22.
  • the switching control part 16 comprises a MOS transistor T23 of the same type as the previous one, the source of which is connected to ground, the gate of which receives the reverse control signal V - and the drain of which is connected to a point referenced 24.
  • a MOS transistor T25 has its drain connected to point 24, its source connected to the output line under voltage V r and its gate connected to the common point between resistors R21 and R22.
  • An NPN T26 bipolar transistor has its emitter connected to point 24 and its base and its collector short-circuited and connected to the output line under voltage V r via two resistors R27 and R28.
  • An NPN-type bipolar transistor T29 has its emitter connected to point 24, its base connected to the common point between resistors R27 and R28 and its collector connected to a point referenced 30.
  • Three resistors in series, R31, R32 and R33 are arranged between the input line under the variable voltage V v and point 24.
  • Point 30 is the common point between resistors R32 and R33.
  • the transistor T29 is able to short-circuit the resistor R33 when it is on.
  • the common point between the resistors R31 and R32 is connected to the gate of the transistor T17 of the switching part 15 and therefore supplies it with the control signal.
  • the operation of the switching control part 16 is as follows. If the voltage V v is greater than 12.5 volts, the transistor T20 receives a positive control signal V + which turns it on, while the transistor T23 receives a reverse control signal V - zero which blocks it.
  • the voltage at point 24 is therefore equal to the supply voltage V r to which is added the almost zero voltage between the drain and the source of transistor T25.
  • the voltage between the base and the emitter of transistor T26 is zero.
  • the transistor T26 is blocked. The same is true for transistor T29.
  • the operation is as follows.
  • the transistor T20 receives on its gate a zero V + control signal which blocks it, while the transistor T23 receives on its gate a reverse V - positive control signal which turns it on.
  • the voltage at point 24 is therefore substantially zero.
  • the transistor T25 has its gate and its source substantially at the same potential and is therefore blocked.
  • the transistor T26 is turned on by the current flowing from the output line at the voltage V r by the resistors R28 and R27. Due to its mounting, the transistor T26 behaves like a diode. It is therefore conducting as soon as the voltage V r becomes greater than 0.7 volts.
  • resistors R27 and R28 identical values equal to 100 kOhms.
  • the base of transistor T29 is subjected to a voltage substantially equal to 0.7 volts to which is added half of the difference between the voltage V r and 0.7 volts. In other words, the transistor T29 turns on as soon as the voltage V r exceeds 0.7 volts. The transistor T29 thus short-circuits the resistor R33. The voltage at point 30 is therefore close to zero.
  • the transistor T17 then short-circuits the bipolar transistors T18 and T19 which block.
  • the regulating device operates by dividing the supply voltage, which guarantees the safety of the regulating element 1 .
  • the regulating device receives at start-up a voltage V v equal to 10 volts
  • the base of the transistor T18 is subjected to a voltage of the order of 5.6 volts.
  • V r 4.2 volts approximately on the output line, causing the polarization of the transistors T20, T23, T25, T26, T29 and the emission of 'A control signal on the gate of transistor T17 able to turn it on and short-circuit the transistors T18 and T19, so that the voltage V r reaches the value of 10 volts.
  • the various transistors are not subjected to voltages greater than 15 volts.
  • the transistor T20 is mounted between V r and the ground and is subjected to a maximum of 12.5 volts.
  • the transistor T23 mounted between point 24 and ground can be subjected to a voltage very slightly higher than 12.5 volts but in any case limited by the fact that the resistance R33 is of high value and will therefore tend to limit the current passing through the transistor T25 when it is on.
  • the transistor T25 when it is blocked is subjected to the voltage V r .
  • the transistor T26 when it is blocked is also subjected to the voltage V r .
  • the transistor T29 when it is off is subjected to the voltage across the terminals of the resistor R33, which always remains less than the voltage difference between V v and V r and therefore at 12.5 volts.
  • the switching control means 16 is supplied, in general, by the voltage V r limited to 12.5 volts maximum, while being able to control the gate of the transistor T17 at a voltage between 12.5 and 25 volts.
  • a voltage regulator can be produced by integrated technology, for example HF5 CMOS, Bi-CMOS not supporting not high voltages, while the regulator will be able to withstand significantly higher tensions, for example double.

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Abstract

Le dispositif de régulation alimenté par une tension variable Vv est destiné à fournir une tension constante. Le dispositif comprend un élément de régulation 1, un moyen de comparaison 5 de la tension variable Vv à une tension de référence Vréf, un moyen de division 3 de la tension variable Vv par un facteur k1, et un moyen de commutation 4 apte à alimenter l'élément de régulation 1 par une tension Vr égale soit par la tension variable Vv, soit par la tension variable divisée Vv/k1, le moyen de commutation 4 étant commandé par le moyen de comparaison 5 de façon que l'élément de régulation 1 soit alimenté par la tension variable Vv si une condition de tension n'est pas satisfaite et par la tension variable divisée Vv/k1 si la condition de tension est satisfaite. <IMAGE>

Description

La présente invention concerne le domaine des régulateurs de tension, du type fournissant une tension continue constante tout en étant eux-mêmes alimentés par une tension continue susceptible de varier.
De façon classique, un régulateur devant fournir en sortie une tension de 3,3 volts sera alimenté avec une tension continue, par exemple comprise entre 5,1 et 9,5 volts. La limite supérieure d'alimentation d'un régulateur dépend essentiellement de la technologie des composants actifs dont il est pourvu.
La présente invention a pour objet de proposer un régulateur de tension ne se détruisant pas lorsque la tension à laquelle il est soumis dépasse la tension de claquage de ses composants actifs.
Le dispositif de régulation, selon l'invention, est alimenté par une tension variable Vv et est destiné à fournir une tension constante pour l'alimentation d'éléments consommateurs. Le dispositif comprend un élément de régulation, un moyen de comparaison de la tension variable Vv à une tension de référence Vréf, un moyen de division de la tension variable Vv par un facteur k1, et un moyen de commutation apte à alimenter l'élément de régulation par une tension Vr égale, soit à la tension variable Vv, soit à la tension variable divisée Vv/k1, le moyen de commutation étant commandé par le moyen de comparaison de façon que l'élément de régulation soit alimenté par la tension variable Vv si une condition de tension est satisfaite et par la tension variable divisée Vv/k1 si la condition de tension n'est pas satisfaite, la tension variable Vv étant susceptible de prendre des valeurs supérieures à celles que sont capables de supporter les composants actifs du dispositif.
Avantageusement, le moyen de comparaison comprend un moyen de division de la tension variable Vv par un facteur k2 pour obtenir une tension de comparaison Vcomp=Vv/k2, et un amplificateur monté en comparateur recevant sur une entrée la tension de comparaison Vcomp et sur l'autre entrée la tension de référence Vréf pour émettre en sortie un signal de commande V+ de valeur conventionnelle 1 si la tension de comparaison Vcomp est supérieure à la tension de référence Vréf et de valeur conventionnelle 0 si la tension de comparaison Vcomp est inférieure à la tension de référence Vréf.
Le dispositif peut comprendre un inverseur monté à la sortie de l'amplificateur pour obtenir un signal de commande inverse V-. Le moyen de division par le facteur k2 peut comprendre au moins deux résistances montées en série entre la tension variable Vv et la masse.
Le moyen de division par le facteur k1 peut comprendre au moins deux résistances montées en série entre la tension variable Vv et la masse.
Le moyen de division par le facteur k1 et le moyen de division par le facteur k2 peuvent comprendre au moins une résistance commune.
Avantageusement, le moyen de commutation comprend un premier transistor dont une borne est connectée à l'entrée du dit moyen de commutation et voit la tension variable Vv, une autre borne est connectée à la sortie du dit moyen de commutation et voit la tension Vr, et une borne de commande reliée à un moyen de commande générant une tension apte à rendre le premier transistor passant si la condition de tension n'est pas satisfaite ou bloqué si la condition de tension est satisfaite. Le premier transistor peut être de type MOS.
Dans un mode de réalisation de l'invention, le moyen de commutation comprend au moins un deuxième transistor dont une borne est connectée à l'entrée du dit moyen de commutation et voit la tension variable Vv, une autre borne est connectée à la sortie du dit moyen de commutation et voit la tension Vr, et une borne de commande voit une tension de commande égale à la tension variable divisée Vv/k1 apte à bloquer le deuxième transistor si la condition de tension n'est pas satisfaite et à le rendre passant si la condition de tension est satisfaite de façon que la tension Vr soit égale à la tension variable divisée Vv/k1.
Le deuxième transistor peut être remplacé par un montage cascode de plusieurs transistors, par exemple bipolaires, pour fournir plus de courant en sortie du moyen de commutation.
Avantageusement, le moyen de commande du premier transistor comprend un troisième transistor commandé par une tension de sortie du moyen de comparaison et un quatrième transistor commandé par l'inverse de la dite tension de sortie du moyen de comparaison, le troisième transistor étant connecté par une borne à la masse et par une autre borne à la sortie du moyen de commutation voyant la tension Vr par l'intermédiaire de deux résistances R21 et R22 en série, le point commun auxdites deux résistances voyant la tension Vr si la condition de tension n'est pas satisfaite et une tension égale à Vr *R21/(R21+R22) si la condition de tension est satisfaite. Le quatrième transistor est connecté par une borne à la masse et par une autre borne à la sortie du moyen de commutation par l'intermédiaire d'un cinquième transistor dont la borne de commande est connectée au point commun aux dites deux résistances, le cinquième transistor étant passant si la condition de tension est satisfaite et bloqué si la condition de tension n'est pas satisfaite, de façon que le point commun aux quatrième et cinquième transistors voit une tension sensiblement nulle si la condition de tension n'est pas satisfaite et au moins égale à la tension Vr si la condition de tension est satisfaite. Les troisième et quatrième transistors peuvent être du type MOS avec leur source mise à la masse. Le cinquième transistor peut être du type MOS avec la source soumise à la tension Vr.
Avantageusement, le moyen de commande du premier transistor comprend, en outre, un sixième transistor pourvu d'une borne connectée au point commun aux quatrième et cinquième transistors, l'autre borne et la borne de commande étant court-circuitées et reliées à la sortie du moyen de commutation voyant la tension Vr par l'intermédiaire de deux résistances R27 et R28 en série, le sixième transistor étant passant si la condition de tension n'est pas satisfaite et bloqué si la condition de tension est satisfaite, le point commun aux dites deux résistances R27 et R28 voyant la tension Vr *R27/(R27+R28) si la condition de tension n'est pas satisfaite et la tension Vr si la condition de tension est satisfaite. Un septième transistor est pourvu d'une borne de commande connectée au point commun aux dites deux résistances R27 et R28, d'une borne connectée au point commun aux quatrième et cinquième transistors, et d'une autre borne connectée au point commun aux quatrième et cinquième transistors par l'intermédiaire d'une résistance R33, l'autre borne du septième transistor étant également connectée à la borne de commande du premier transistor du moyen de commutation par l'intermédiaire d'une résistance R32, une résistance R31 reliant la borne de commande du premier transistor et l'entrée du moyen de commutation voyant la tension variable Vv, de façon que le septième transistor soit passant si la condition de tension n'est pas satisfaite, la borne de commande du premier transistor étant soumise à une tension sensiblement égale à Vv*R32/(R31+R32) apte à le rendre passant, et que le septième transistor soit bloqué si la condition de tension est satisfaite, la borne de commande du premier transistor étant soumise à une tension sensiblement égale à Vv apte à le bloquer.
Le sixième transistor peut être de type bipolaire à collecteur et base court-circuités. Le septième transistor peut être de type bipolaire avec le collecteur relié au point commun aux résistances R32 et R33.
A titre d'exemple, un régulateur peut être réalisé en technologie HF5 CMOS pour laquelle la tension de claquage se situe aux alentours de 15 volts. Le principe général est de détecter la tension appliquée par rapport à un seuil de 12,5 volts au moyen d'un pont résistif et d'un comparateur et de commuter la structure de régulation en maintenant un fonctionnement normal si la tension est inférieure à 12 volts et en divisant la tension appliquée si elle est supérieure à 12 volts. Ainsi, non seulement le régulateur est protégé contre la destruction en cas de tension d'alimentation trop forte, mais encore le régulateur continue à fonctionner de façon satisfaisante à une tension supérieure à la tension de claquage. Le régulateur est conçu de façon qu'aucun de ses composants susceptibles de claquer aux alentours de 15 volts ne soit soumis à une telle tension.
L'invention a également pour objet un procédé de régulation destiné à fournir une tension constante pour l'alimentation d'éléments consommateurs à partir d'une tension variable Vv, procédé dans lequel on compare la tension variable Vv à une tension de référence Vréf, on divise la tension variable Vv par un facteur k1, et on alimente l'élément de régulation par une tension Vr égale soit par la tension variable Vv, soit par la tension variable divisée Vv/k1 par commutation entre les deux tensions, la commutation étant commandée en fonction de la comparaison de façon que l'élément de régulation soit alimenté par la tension variable Vv si une condition de tension n'est pas satisfaite et par la tension variable divisée Vv/k1 si la condition de tension est satisfaite, la tension variable Vv étant susceptible de prendre des valeurs supérieures à celles que sont capables de supporter les composants actifs du dispositif.
L'invention s'applique au domaine automobile, en particulier pour les sacs gonflables de sécurité. Ainsi, on peut réaliser un régulateur supportant une tension d'alimentation supérieure à celle permise normalement par la technologie utilisée, ce qui présente de nombreux avantages en termes de choix de technologie, de réduction de la surface de silicium utilisée et d'optimisation. En effet, dans le cas d'une automobile, le régulateur est normalement alimenté à partir d'une batterie d'un alternateur fonctionnant en 12 volts. Toutefois, en cas de débranchement de la batterie, la tension de sortie de l'alternateur risque d'atteindre des valeurs beaucoup plus élevées. Le réseau électrique du véhicule est également soumis au rayonnement dû à la haute tension utilisée par les bougies d'allumage du moteur. Il en résulte qu'un régulateur monté dans une automobile doit être apte à supporter des tensions allant jusqu'à 25 volts.
La présente invention sera mieux comprise à l'étude de la description détaillée d'un mode de réalisation pris à titre d'exemple nullement limitatif et illustré par les dessins annexés, sur lesquels :
  • la figure 1 est un schéma de principe du dispositif de régulation conforme à l'invention;
  • la figure 2 est un schéma général du moyen de comparaison; et
  • la figure 3 est un schéma du moyen de commutation.
  • Comme on peut le voir sur la figure 1, le dispositif de régulation comprend un élément de régulation 1 de type classique, alimenté par une tension continue susceptible de varier entre 5,1 et 12,5 volts et fournissant en sortie une tension régulée de 3,3 volts. Le dispositif de régulation comprend également un module de référence 2 fournissant à l'élément de régulation une tension de référence, lui permettant d'élaborer la tension régulée.
    Le dispositif de régulation comprend un moyen de division 3 de la tension d'alimentation Vv, celle-ci étant comprise entre 5,1 et 25 volts. Dans l'exemple illustré, le moyen de division 3 divise la tension d'alimentation par deux. Le dispositif de régulation comprend aussi un moyen de commutation 4 dont une entrée est reliée directement à la tension d'alimentation Vv comprise entre 5,1 et 25 volts, une autre entrée est reliée à la sortie du moyen de division 3 et voit une tension Vr comprise entre 5,1 et 12,5 volts, la sortie alimente l'élément de régulation 1 et une entrée de commande reçoit une consigne en provenance d'un moyen de comparaison 5. Le moyen de comparaison 5 comprend un amplificateur 6 monté en comparateur dont la borne négative reçoit une tension de référence Vréf en provenance du module de référence 2, dont la borne positive reçoit une tension Vcomp proportionnelle à la tension d'alimentation Vv par l'intermédiaire de deux résistances 7 et 8 montées en série entre l'alimentation de tension comprise entre 5,1 et 25 volts et la masse, la borne positive de l'amplificateur 6 étant reliée au point commun entre les deux résistances 7 et 8. La sortie de l'amplificateur 6 est reliée à l'entrée de commande du moyen de commutation 4.
    Dans le cas de la figure 1, on voit que le moyen de commutation 4 alimente l'élément de régulation 1 directement avec la tension d'alimentation Vv. Ceci provient du fait que la tension d'alimentation Vv est inférieure à 12,5 volts. Si la tension d'alimentation est supérieure à 12,5 volts, l'amplificateur 6 émet en sortie une consigne opposée. Le moyen de commutation 4 alimente alors l'élément de régulation 1 à partir de la tension divisée Vr fournie par le moyen de division 3. Ainsi, l'élément de régulation 1 voit toujours en entrée une tension inférieure ou égale à 12,5 volts, tandis que le dispositif de régulation dans son ensemble voit une tension d'alimentation inférieure ou égale à 25 volts.
    Sur la figure 2, on voit que le module 9 qui regroupe le moyen de division 3 et le moyen de commutation 4, est relié non seulement à la sortie de l'amplificateur 6 par lequel il reçoit un signal de commande noté V+ par l'intermédiaire du conducteur 10. Mais, le module 9 reçoit également un signal de commande inverse V- que l'on obtient grâce à un inverseur 11 recevant en entrée le signal de commande V+. La tension de comparaison Vcomp est fournie à la borne négative de l'amplificateur 6 par le module 9, les résistances permettant d'obtenir la tension de comparaison Vcomp pouvant également être intégrées dans le module 9. Le détail du module 9 est illustré sur la figure 3.
    Pour faciliter la compréhension, on peut considérer que le module 9 est divisé en trois parties possédant des fonctionnalités différentes et séparées par des traits mixtes. Le moyen de division 3 est formé par trois résistances R12, R13 et R14 disposées en série entre une ligne fournissant la tension d'alimentation variable Vv comprise entre 5,1 et 25 volts et la ligne de masse, étant entendu que la masse peut être flottante, c'est-à-dire que la tension Vv s'entend prise par rapport à la masse.
    La tension de comparaison Vcomp est prélevée au point commun entre les résistances R13 et R14 et une tension divisée Vd est prélevée au point commun entre les résistances R12 et R13. On a donc Vcomp = Vv * R14/(R12 + R13 + R14) et Vd = Vv * (R13 + R14)/(R12 + R13 + R14). En d'autres termes, on a k1 = (R13 + R14)/(R12 + R13 + R14) et k2 = R14/(R12 + R13 + R14). A titre d'exemple, on peut prendre R12 = 55 kOhms, R13 = 45 kOhms et R14 = 25 kOhms d'où il découle que Vcomp est inférieur ou égal à 5 volts et que Vd est inférieur ou égal à 14 volts.
    Le reste du module 9 forme le moyen de commutation 4 et peut être divisé en une partie de commutation 15 et une partie de commande de commutation 16.
    La partie de commutation 15 comprend un premier transistor T17 de type MOS dont la source est reliée à l'alimentation sous la tension Vv, dont le drain est relié à la sortie du module 9 qui fournit à l'élément de régulation 1 de la figure 1 une tension d'alimentation Vr inférieure ou égale à 12,5 volts et dont la grille reçoit un signal de commande en provenance de la partie de commande de commutation 16 qui sera décrite plus loin. La partie de commutation 15 comprend également un second transistor T18 de type bipolaire PNP dont le collecteur est relié à la ligne d'alimentation sous la tension Vv, dont la base est reliée au point commun aux résistances R12 et R13 et voit la tension Vd et dont l'émetteur est ici relié à un transistor bipolaire supplémentaire T19 formant un montage cascode pour pouvoir fournir un fort courant de sortie sous la tension Vr. Si le courant de sortie exigé est plus faible, la présence du transistor supplémentaire T19 n'est pas nécessaire. Le transistor T19, de type NPN, a son collecteur relié à la ligne d'alimentation sous la tension Vv, sa base reliée à l'émetteur du transistor T18 et son émetteur relié à la ligne de sortie de la tension Vr.
    On voit donc que si le transistor T17 est passant, on a Vr = Vv et les deux transistors bipolaires T18 et T19 sont court-circuités et donc bloqués. Au contraire, si le transistor T17 est bloqué, la tension à l'émetteur du transistor T19 est inférieure ou égale à 12,5 volts. Dès que la différence entre les tensions Vd et Vr devient suffisante pour rendre passants les transistors T18 et T19, c'est-à-dire supérieure ou égale à 1,4 volts en général, les transistors T18 et T19 deviennent passants. On obtient ainsi une tension Vr qui est égale à la tension Vd aux tensions base-émetteur des transistors T18 et T19 près. Plus précisément, on a Vr = Vd - VBET18 - VBET19. Par exemple, si à ce moment Vv = 25 volts, on a Vd = 14 volts et Vr sensiblement égal à 12,5 volts. Pour augmenter la tension de claquage des transistors T17, T18 et T19, on prévoit de les réaliser en caisson isolé. Toutefois, on remarque que la tension maximale que voient ces transistors est égale à Vv - Vr et ne dépasse donc pas 12,5 volts.
    La partie de commande de commutation 16 sert à générer le signal de commande de la grille du transistor T17 de façon que ledit transistor T17 soit bloqué si la tension variable Vv est supérieure à 12,5 volts et soit passant dans les autres cas. La partie de commande de commutation reçoit le signal de commande V+ et le signal de commande inverse V- en provenance du moyen de comparaison 5 illustré sur la figure 1.
    La partie de commande de commutation 16 comprend un transistor MOS T20 dont la source est connectée à la masse, dont la grille reçoit le signal de commande V+ et dont le drain est connecté à la ligne de sortie sous la tension Vr par l'intermédiaire de deux résistances en série R21 et R22.
    La partie de commande de commutation 16 comprend un transistor MOS T23 du même type que le précédent dont la source est reliée à la masse, dont la grille reçoit le signal de commande inverse V- et dont le drain est relié à un point référencé 24. Un transistor MOS T25 a son drain relié au point 24, sa source reliée à la ligne de sortie sous la tension Vr et sa grille reliée au point commun entre les résistances R21 et R22.
    Un transistor bipolaire de type NPN T26 a son émetteur relié au point 24 et sa base et son collecteur court-circuités et reliés à la ligne de sortie sous la tension Vr par l'intermédiaire de deux résistances R27 et R28. Un transistor bipolaire T29 de type NPN a son émetteur relié au point 24, sa base reliée au point commun entre les résistances R27 et R28 et son collecteur relié à un point référencé 30.
    Trois résistances en série, R31, R32 et R33 sont disposées entre la ligne d'entrée sous la tension variable Vv et le point 24. Le point 30 est le point commun entre les résistances R32 et R33. En d'autres termes, le transistor T29 est apte à court-circuiter la résistance R33 lorsqu'il est passant. Le point commun entre les résistances R31 et R32 est relié à la grille du transistor T17 de la partie de commutation 15 et lui fournit donc le signal de commande.
    Le fonctionnement de la partie de commande de commutation 16 est le suivant. Si la tension Vv est supérieure à 12,5 volts, le transistor T20 reçoit un signal de commande V+ positif qui le rend passant, tandis que le transistor T23 reçoit un signal de commande inverse V- nul qui le bloque. La grille du transistor T25 est soumise à une tension nettement inférieure à la tension Vr sur sa source. A cet effet, on peut prendre R21 = 150 kOhms et R22 = 100 kOhms. La tension au point 24 est donc égale à la tension d'alimentation Vr à laquelle se rajoute la tension quasi nulle entre le drain et la source du transistor T25. La tension entre la base et l'émetteur du transistor T26 est nulle. Le transistor T26 est bloqué. Il en est de même pour le transistor T29. Il en résulte qu'un courant circule entre la ligne d'entrée à la tension Vv et le point 24 par l'intermédiaires des résistances R31, R32 et R33. Toutefois, on choisit pour la résistance R31 une valeur faible par rapport à la résistance R33, par exemple de l'ordre de 10%, de façon que la tension sur la grille du transistor T 17 soit élevée et très proche de la tension variable Vv. On obtient ainsi le blocage du transistor T17. A titre d'exemple, on peut prendre R31 = 30 kOhms, R32 = 45 kOhms et R33 = 300 kOhms.
    Dans l'autre cas à envisager, si la tension Vv est inférieure ou égale à 12,5 volts, le fonctionnement est le suivant. Le transistor T20 reçoit sur sa grille un signal de commande V+ nul qui le bloque, tandis que le transistor T23 reçoit sur sa grille un signal de commande inverse V- positif qui le rend passant. La tension au point 24 est donc sensiblement nulle. Le transistor T25 a sa grille et sa source sensiblement au même potentiel et est donc bloqué. Le transistor T26 est rendu passant grâce au courant circulant à partir de la ligne de sortie à la tension Vr par les résistances R28 et R27. En raison de son montage, le transistor T26 se comporte comme une diode. Il est donc passant dès que la tension Vr devient supérieure à 0,7 volt.
    A titre d'exemple, on peut choisir pour les résistances R27 et R28 des valeurs identiques égales à 100 kOhms. La base du transistor T29 est soumise à une tension sensiblement égale à 0,7 volt à laquelle se rajoute la moitié de la différence entre la tension Vr et 0,7 volt. En d'autres termes, le transistor T29 devient passant dès que la tension Vr dépasse 0,7 volt. Le transistor T29 court-circuite ainsi la résistance R33. La tension au point 30 est donc proche de zéro. La tension à la grille du transistor T17 est sensiblement égale à Vv * R32/(R31 + R32) = 0,4 * Vv, ce qui est suffisant pour rendre le transistor T17 passant même si la tension Vv se rapproche de son seuil de 5,1 volt. Le transistor T17 court-circuite alors les transistors bipolaires T18 et T19 qui se bloquent.
    Au démarrage, même si la tension variable Vv est inférieure à 12,5 volts, les transistors bipolaires T18 et T19 du montage cascode, qui ne sont pas encore court-circuités par le transistor T17, sont naturellement passants. Ainsi, dans le court intervalle de temps entre l'application de la tension Vv et la commutation du transistor T17, le dispositif de régulation fonctionne en division de la tension d'alimentation, ce qui garantit la sécurité de l'élément de régulation 1.
    A titre d'exemple, si le dispositif de régulation reçoit au démarrage une tension Vv égale à 10 volts, la base du transistor T18 est soumise à une tension de l'ordre de 5,6 volts. Il en résulte que les transistors T18 et T19 conduisent, ce qui permet d'avoir Vr = 4,2 volts environ sur la ligne de sortie, provoquant la polarisation des transistors T20, T23, T25, T26, T29 et l'émission d'un signal de commande sur la grille du transistor T17 apte à le rendre passant et à court-circuiter les transistors T18 et T19, de façon que la tension Vr atteigne la valeur de 10 volts.
    On remarque également que les différents transistors ne sont pas soumis à des tensions supérieures à 15 volts. En effet, le transistor T20 est monté entre Vr et la masse et est soumis au maximum à 12,5 volts. Le transistor T23 monté entre le point 24 et la masse peut être soumis à une tension très légèrement supérieure à 12,5 volts mais de toutes façons limitée par le fait que la résistance R33 est de forte valeur et tendra donc à limiter le courant traversant le transistor T25 lorsqu'il est passant. Le transistor T25 lorsqu'il est bloqué est soumis à la tension Vr. Le transistor T26 lorsqu'il est bloqué est également soumis à la tension Vr. Le transistor T29 lorsqu'il est bloqué est soumis à la tension aux bornes de la résistance R33, qui reste toujours inférieure à la différence de tension entre Vv et Vr et donc à 12,5 volts.
    Ainsi, le moyen de commande de commutation 16 est alimenté, de façon générale, par la tension Vr limitée à 12,5 volts maximum, tout en étant apte à commander la grille du transistor T17 à une tension comprise entre 12,5 et 25 volts.
    Grâce à l'invention, on peut réaliser un régulateur de tension en technologie intégrée, par exemple HF5 CMOS, Bi-CMOS ne supportant pas des tensions élevées, tandis que le régulateur sera apte à supporter des tensions nettement plus fortes, par exemple du double.
    Ainsi, on peut utiliser des technologies d'intégration économiques et permettant des vitesses de fonctionnement élevées tout en ayant un régulateur compatible avec un environnement difficile susceptible de fortes surtensions.
    Il est à remarquer que l'on peut augmenter la vitesse de fonctionnement du moyen de commutation en réduisant la valeur des résistances R31 et R32, de façon que les capacités de grille du transistor MOS T17 se chargent plus rapidement.

    Claims (10)

    1. Dispositif de régulation alimenté par une tension variable Vv et destiné à fournir une tension constante pour l'alimentation d'éléments consommateurs, le dispositif comprenant un élément de régulation (1), caractérisé par le fait qu'il comprend un moyen de comparaison (5) de la tension variable Vv à une tension de référence Vréf, un moyen de division (3) de la tension variable Vv par un facteur k1, et un moyen de commutation (4) apte à alimenter l'élément de régulation par une tension Vr égale soit par la tension variable Vv, soit par la tension variable divisée Vv/k1, le moyen de commutation étant commandé par le moyen de comparaison de façon que l'élément de régulation soit alimenté par la tension variable Vv si une condition de tension n'est pas satisfaite et par la tension variable divisée Vv/k1 si la condition de tension est satisfaite, la tension variable Vv étant susceptible de prendre des valeurs supérieures à celles que sont capables de supporter les composants actifs du dispositif.
    2. Dispositif selon la revendication 1, caractérisé par le fait que le moyen de comparaison comprend un moyen de division de la tension variable Vv par un facteur k2 pour obtenir une tension de comparaison Vcomp = Vv/k2, et un amplificateur (6) monté en comparateur recevant sur une entrée la tension de comparaison Vcomp et sur l'autre entrée la tension de référence Vréf pour émettre en sortie un signal de commande V+ de valeur conventionnelle 1 si la tension de comparaison Vcomp est supérieure à la tension de référence Vréf et de valeur conventionnelle 0 si la tension de comparaison Vcomp est inférieure à la tension de référence Vréf.
    3. Dispositif selon la revendication 2, caractérisé par le fait qu'il comprend un inverseur (11) monté à la sortie de l'amplificateur pour obtenir un signal de commande inverse V-.
    4. Dispositif selon la revendication 2 ou 3, caractérisé par le fait que le moyen de division par le facteur k2 comprend au moins deux résistances montées en série entre la tension variable Vv et la masse.
    5. Dispositif selon la revendication 4, caractérisé par le fait que le moyen de division par le facteur k1 comprend au moins deux résistances montées en série entre la tension variable Vv et la masse, le moyen de division par le facteur k1 et le moyen de division par le facteur k2 comprenant au moins une résistance commune.
    6. Dispositif selon l'une quelconque des revendications précédentes, caractérisé par le fait que le moyen de commutation comprend un premier transistor (T17) dont une borne est connectée à l'entrée du dit moyen de commutation et voit la tension variable Vv, une autre borne est connectée à la sortie du dit moyen de commutation et voit la tension Vr, et une borne de commande reliée à un moyen de commande (16) générant une tension apte à rendre le premier transistor passant si la condition de tension n'est pas satisfaite ou bloqué si la condition de tension est satisfaite.
    7. Dispositif selon la revendication 6, caractérisé par le fait que le moyen de commutation comprend au moins un deuxième transistor (T18) dont une borne est connectée à l'entrée du dit moyen de commutation et voit la tension variable Vv, une autre borne est connectée à la sortie du dit moyen de commutation et voit la tension Vr, et une borne de commande voit une tension de commande égale à la tension variable divisée Vv/k1 apte à bloquer le deuxième transistor si la condition de tension n'est pas satisfaite et à le rendre passant si la condition de tension est satisfaite de façon que la tension Vr soit égale à la tension variable divisée Vv/k1.
    8. Dispositif selon la revendication 6 ou 7, caractérisé par le fait que le moyen de commande du premier transistor comprend un troisième transistor (T20) commandé par une tension de sortie du moyen de comparaison et un quatrième transistor (T23) commandé par l'inverse de la dite tension de sortie du moyen de comparaison, le troisième transistor étant connecté par une borne à la masse et par une autre borne à la sortie du moyen de commutation voyant la tension Vr par l'intermédiaire de deux résistances (R21) et (R22) en série, le point commun aux dites deux résistances voyant la tension Vr si la condition de tension n'est pas satisfaite et une tension égale à Vr *R21/(R21+R22) si la condition de tension est satisfaite, le quatrième transistor étant connecté par une borne à la masse et par une autre borne à la sortie du moyen de commutation par l'intermédiaire d'un cinquième transistor (T25) dont la borne de commande est connectée au point commun aux dites deux résistances, le cinquième transistor étant passant si la condition de tension est satisfaite et bloqué si la condition de tension n'est pas satisfaite, de façon que le point commun (24) aux quatrième et cinquième transistors voit une tension sensiblement nulle si la condition de tension n'est pas satisfaite et sensiblement égale à la tension Vr si la condition de tension est satisfaite.
    9. Dispositif selon la revendication 8, caractérisé par le fait que le moyen de commande du premier transistor comprend, en outre, un sixième transistor (T26) pourvu d'une borne connectée au point commun (24) aux quatrième et cinquième transistors, l'autre borne et la borne de commande étant court-circuitées et reliées à la sortie du moyen de commutation voyant la tension Vr par l'intermédiaire de deux résistances (R27) et (R28) en série, le sixième transistor étant passant si la condition de tension n'est pas satisfaite et bloqué si la condition de tension est satisfaite, le point commun aux dites deux résistances (R27) et (R28) voyant la tension Vr *R27/(R27+R28) si la condition de tension n'est pas satisfaite et la tension Vr si la condition de tension est satisfaite, et un septième transistor (T29) pourvu d'une borne de commande connectée au point commun aux dites deux résistances (R27) et (R28), d'une borne connectée au point commun (24) aux quatrième et cinquième transistors, et d'une autre borne connectée au point commun (24) aux quatrième et cinquième transistors par l'intermédiaire d'une résistance (R33), l'autre borne du septième transistor étant également connectée à la borne de commande du premier transistor (T17) du moyen de commutation par l'intermédiaire d'une résistance (R32), une résistance (R33) reliant la borne de commande du premier transistor et l'entrée du moyen de commutation voyant la tension variable Vv, de façon que le septième transistor soit passant si la condition de tension n'est pas satisfaite, la borne de commande du premier transistor étant soumise à une tension sensiblement égale à Vv*R32/(R31+R32) apte à le rendre passant et que le septième transistor soit bloqué si la condition de tension est satisfaite, la borne de commande du premier transistor étant soumise à une tension sensiblement égale à Vv apte à le bloquer.
    10. Procédé de régulation destiné à fournir une tension constante pour l'alimentation d'éléments consommateurs à partir d'une tension variable Vv, dans lequel on compare la tension variable Vv à une tension de référence Vréf, on divise la tension variable Vv par un facteur k1, et on alimente l'élément de régulation par une tension Vr égale soit par la tension variable Vv, soit par la tension variable divisée Vv/k1 par commutation entre les deux tensions, la commutation étant commandée en fonction de la comparaison de façon que l'élément de régulation soit alimenté par la tension variable Vv si une condition de tension n'est pas satisfaite et par la tension variable divisée Vv/k1 si la condition de tension est satisfaite, la tension variable Vv étant susceptible de prendre des valeurs supérieures à celles que sont capables de supporter les composants actifs du dispositif.
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