FR3032319A1 - Circuit electronique de commande d'un demi-pont en h - Google Patents

Abstract

L'invention concerne un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H, ledit demi-pont en H comportant un premier (7) et un deuxième (8) transistors MOSFET de types respectifs différents, de sources reliées respectivement à une ligne d'alimentation (2) et à une masse électrique (4), et de drains respectifs reliés à une charge (1). En outre, ledit circuit de commande comporte un premier (9) et un deuxième (10) transistors bipolaires de types respectifs différents, de collecteurs reliés respectivement à la ligne d'alimentation (2) et à la masse électrique (4), et de bases respectives reliées un module de commande (16) desdits transistors MOSFET (7,8), ainsi qu'une première (18) et une deuxième (19) branches montées en parallèle entre les grilles desdits transistors MOSFET (7,8), reliées à l'émetteur respectivement du premier transistor bipolaire (9) et du deuxième transistor bipolaire (10), et comportant chacune une diode (181,191) et une résistance (182,192).

Description

La présente invention concerne un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H. La présente invention trouve une application particulièrement avantageuse, bien que nullement limitative, dans les circuits de commande de demi-pont en H embarqués dans des véhicules automobiles et pilotant l'alimentation d'une charge, telle qu'un actionneur. Actuellement, il existe différents circuits électroniques de commande d'un pont en H. Un tel circuit est généralement destiné à piloter l'alimentation d'une charge, agencée au centre dudit pont en H, ce dernier étant configuré pour qu'un courant déterminé circule d'une borne à une autre de ladite charge afin de la polariser. Dans le cas d'un véhicule automobile, de tels circuits sont embarqués dans le but de piloter, par exemple, des injecteurs ou des moteurs autosynchrones. Classiquement, l'ensemble formé du circuit de commande et du pont en H présente une structure symétrique, comportant deux parties identiques agencées de part et d'autre des bornes de ladite charge. Aussi, la description des caractéristiques d'une des deux dites parties, comportant en outre une moitié du pont en H dite « demi-pont en H », est suffisante pour la connaissance des caractéristiques dudit ensemble. De manière conventionnelle, le demi-pont en H comprend deux transistors reliés à une borne de ladite charge, pilotés par un module de commande, et adaptés à commuter entre un état bloqué et un état passant.

On connaît plusieurs types de circuits électroniques de commande d'un demi- pont en H fonctionnant selon le principe général décrit ci-avant, notamment ceux comportant deux transistors à effet de champ MOSFET (acronyme de l'expression anglaise « metal-oxide-semiconductor field-effect transistor ») de mêmes types. Ils comportent aussi généralement deux modules de commande distincts couplant, de manière indépendante, les grilles respectives desdits transistors MOSFET à une ligne d'alimentation, ou à une masse électrique, au moyen d'une pluralité de composants électroniques. Dès lors, ces composants imposent, outre une surface PCB (acronyme de l'expression anglaise « Printed Circuit Board ») non négligeable relativement au dispositif dans lequel ils sont embarqués, un schéma de routage complexe en vue d'assurer le respect de norme de compatibilités électromagnétiques. Il existe aussi des circuits comportant une électronique moins fournie, comme par exemple ceux comportant deux transistors MOSFET de types respectifs différents, et couplés à une alimentation au moyen d'une commande unique. Si une telle configuration autorise un gain de surface PCB ainsi qu'une simplification du schéma de routage, ils ne sont toutefois pas adaptés, d'une part, à éviter complètement les phénomènes de transconduction entre transistors MOSFET, et d'autre part, à mettre en haute impédance la charge en cas de défaut de la commande. La présente invention a pour objectif de remédier à tout ou partie des inconvénients de l'art antérieur, notamment ceux exposés ci-avant, en proposant une solution qui permette d'avoir des circuits électroniques de commande de demi-pont en H comportant une charge et des transistors MOSFET, et présentant un schéma de routage simple adapté à éviter les phénomènes de transconduction lors de la commutation desdits transistors MOSFET, ainsi qu'a mettre ladite charge en haute impédance en cas de défaut de commande.

A cet effet, l'invention concerne un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H, ledit demi-pont en H comportant un premier et un deuxième transistors MOSFET de types respectifs différents, de sources reliées respectivement à une ligne d'alimentation et à une masse électrique, et de drains respectifs reliés à un point milieu, ledit point milieu étant destiné à être relié à une borne d'une charge, ledit circuit de commande étant adapté à commuter lesdits transistor MOSFET respectivement d'un état passant à un état bloqué. En outre, ledit circuit électronique comporte un premier et un deuxième transistors bipolaires de types respectifs différents, d'émetteurs reliés respectivement à un premier noeud et à un deuxième noeud, de collecteurs reliés respectivement à la ligne d'alimentation et à la masse électrique, et de bases respectives reliées à un troisième noeud, ledit troisième noeud étant relié à un module de commande desdits transistors MOSFET, configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas », ainsi qu'une première et une deuxième branches montées en parallèle entre les grilles desdits transistors MOSFET, comportant chacune une diode et une résistance : - le premier noeud étant relié à la fois à la résistance et à l'anode de la diode de la première branche, ladite résistance de la première branche étant en outre reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET, et la cathode de ladite diode de la première branche étant reliée à la grille du premier transistor MOSFET, - le deuxième noeud étant relié à la fois à la résistance et à la cathode de la diode de la deuxième branche, ladite résistance de la deuxième branche étant en outre reliée à la grille du premier transistor MOSFET, et l'anode de ladite diode de la deuxième branche étant reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET. Dans des modes particuliers de réalisation, le circuit électronique de commande d'un demi-pont en H peut comporter en outre l'une ou plusieurs des caractéristiques suivantes, prises isolément ou selon toutes les combinaisons 35 techniquement possibles. Dans un mode particulier de réalisation, la deuxième branche comporte un module auxiliaire de commande comportant un interrupteur et une commande dudit interrupteur, ledit interrupteur étant adapté à ouvrir et fermer la deuxième branche entre la résistance et la diode de ladite deuxième branche, et la grille du premier transistor étant reliée à la ligne d'alimentation par l'intermédiaire d'une résistance. Dans un mode particulier de réalisation, l'interrupteur de la deuxième branche 5 est un transistor MOSFET, de drain relié à la résistance de la deuxième branche, de grille reliée à une sortie de ladite commande du module auxiliaire de commande de la deuxième branche, et de source reliée à la cathode de la diode de la deuxième branche. Dans un mode particulier de réalisation, la première branche comporte un module auxiliaire de commande, comportant un interrupteur et une commande dudit 10 interrupteur, ledit interrupteur étant adapté à ouvrir et fermer la première branche entre la résistance et la diode de ladite première branche, et la grille du deuxième transistor étant reliée à la masse électrique par l'intermédiaire d'une résistance. Dans un mode particulier de réalisation, l'interrupteur de la première branche est un transistor MOSFET, de drain relié à la résistance de la première branche, de grille 15 reliée à une sortie de ladite commande du module auxiliaire de commande de la première branche, et de source reliée à la cathode de la diode de la première branche. Dans un mode particulier de réalisation, le collecteur du premier transistor bipolaire est relié à la ligne d'alimentation par l'intermédiaire d'une résistance, et le collecteur du deuxième transistor bipolaire est relié à la masse électrique par 20 l'intermédiaire d'une autre résistance. Dans un mode particulier de réalisation, le module de commande comporte une commande adaptée à générer des signaux de tension, ainsi qu'un transistor MOSFET, de drain relié à la ligne d'alimentation, de grille reliée à une sortie de la commande, et de source reliée à la fois audit troisième noeud et à la masse électrique. 25 Dans un mode particulier de réalisation, une résistance est agencée entre la source du transistor MOSFET du module de commande et la masse électrique. Les caractéristiques et avantages de l'invention seront mieux appréciés grâce à la description qui suit, description qui expose les caractéristiques de l'invention au travers de modes de réalisation préférés, qui n'en sont nullement limitatifs. 30 La description s'appuie sur les figures annexées qui représentent : Figure 1 : une représentation schématique d'un exemple de réalisation d'un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H. Figure 2 : une représentation schématique d'un premier mode préféré de réalisation du circuit de la figure 1. 35 Figure 3 : une représentation schématique d'un deuxième mode préféré de réalisation du circuit de la figure 1.

La figure 1 représente schématiquement un exemple de réalisation d'un circuit électronique de commande d'un demi-pont en H. Ledit circuit électronique est mis en oeuvre pour contrôler un demi-pont en H (l'autre moitié du pont en H n'étant pas représentée) relié à une charge 1. Ladite charge 1 5 est adaptée à être couplée à une ligne d'alimentation 2 de potentiel prédéfini et délivrant un courant prédéfini. Dans le cas présent, et à titre d'exemple nullement limitatif, le circuit électronique de commande est supporté par une carte PCB embarquée dans un véhicule automobile (non représenté). Ledit demi-pont en H contrôle une charge 1, telle qu'un 10 actionneur d'injecteur, et ladite ligne d'alimentation 2 est reliée à la batterie dudit véhicule. Ledit demi-pont en H comporte une branche d'alimentation 3 reliée, d'une part, à la ligne d'alimentation 2, et d'autre part, à une masse électrique 4, ladite masse électrique 4 correspondant à un potentiel de référence. Dans le présent exemple de réalisation, ladite masse électrique 4 est par exemple la carcasse métallique du véhicule 15 automobile, et correspond à un potentiel nul. Ladite branche d'alimentation 3 comporte un point milieu 5 relié à une borne 6 de la charge 1. Ainsi, ladite branche d'alimentation 3 se divise en deux parties agencées de part et d'autre dudit point milieu 5, une première partie et une deuxième partie comportant respectivement un premier transistor MOSFET 7 et un deuxième transistor 20 MOSFET 8, lesdits transistors MOSFET étant de types respectifs différents. Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 1, le premier transistor MOSFET 7 est de type canal P, de source reliée à la ligne d'alimentation 2, et de drain relié au point milieu 5. Le deuxième transistor MOSFET 8 est, quant à lui, de type canal N, de source reliée à la masse électrique 4, et de drain relié au point milieu 5. 25 Le circuit de commande comporte aussi un premier transistor bipolaire 9 et un deuxième transistor bipolaire 10, lesdits transistors bipolaires étant de types respectifs différents. Le premier transistor bipolaire 9 est d'émetteur relié à un premier noeud 11, de collecteur relié à la ligne d'alimentation 2, de base reliée à un troisième noeud 13, et adapté à acheminer le courant de la ligne d'alimentation 2 vers les grilles des transistors 30 MOSFET du demi-pont en H. Le deuxième transistor bipolaire 10 est, quant à lui, d'émetteur relié à un deuxième noeud 12, de collecteur relié à la masse électrique 4, de base reliée audit troisième noeud 13, et adapté à acheminer les courants de grille des transistors MOSFET vers la masse électrique 4. Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 1, le premier transistor 35 bipolaire 9 est de type NPN, et le deuxième transistor bipolaire 10 est de type PNP. Dans un mode particulier de réalisation, illustré par la figure 1 à titre nullement limitatif, le collecteur du premier transistor bipolaire 9 est relié à une première résistance 14 dite « d'alimentation », cette dernière étant en outre reliée à la ligne d'alimentation 2 et adaptée à limiter le courant acheminé vers ledit collecteur du premier transistor bipolaire 9. Le collecteur du deuxième transistor bipolaire 10 est quant à lui relié à une première résistance 15 dite « de retour », cette dernière étant en outre reliée à la masse électrique 4 et adaptée à limiter tout flux électrique retournant vers ladite masse électrique 4. Par ailleurs, le circuit de commande comporte un module de commande 16 des transistors MOSFET du demi-pont en H. Ledit module de commande 16 comporte d'une part une commande 161 adaptée à générer des signaux de tension, et configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas » correspondant respectivement à un signal de tension haute et à un signal de tension basse. Par exemple, et à titre nullement limitatif, ladite commande 161 est un microcontrôleur adapté à fournir des tensions de 0 volts et 5 volts lorsqu'elle est configurée respectivement dans l'état bas et l'état haut.

D'autre part, le module de commande 16 comporte un transistor MOSFET 162, de drain relié à la ligne d'alimentation 2, et de grille reliée à une sortie de la commande 161, de sorte que ladite grille est polarisée par la tension haute ou la tension basse selon l'état de ladite commande 161. De plus, la source du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est reliée à la fois audit troisième noeud 13 et à la masse électrique 4. Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 1, le transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est de type canal N. Dans un mode particulier de réalisation, illustré par la figure 1 à titre nullement limitatif, une deuxième résistance de retour 17 est agencée entre la source du 25 transistor MOSFET 162 du module de commande 16 et la masse électrique 4. Le circuit de commande comporte une première 18 et une deuxième 19 branches, montées en parallèle entre les grilles des transistors MOSFET du demi-pont en H, et comportant chacune une diode 181, 191 et une résistance 182, 192 montées en série. 30 Tel qu'illustré sur la figure 1, le premier noeud 11 est relié à la fois à la résistance 182 et à l'anode de la diode 181 de la première branche 18. Ladite résistance 182 de la première branche 18 est en outre reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET 8. La cathode de ladite diode 181 de la première branche 18 est quant à elle reliée à la grille du premier transistor MOSFET 7. Le deuxième noeud 12 est, 35 quant à lui, relié à la fois à la résistance 192 et à la cathode de la diode 191 de la deuxième branche 19. Ladite résistance 192 de la deuxième branche 19 est en outre reliée à la grille du premier transistor MOSFET 7. L'anode de ladite diode 191 de la deuxième branche 19 est, quant à elle, reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET 8. Dans un premier mode de fonctionnement, et en référence à la figure 1, la commande 161 est configurée dans l'état haut de sorte que la grille du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est polarisée par la tension haute. Ledit transistor MOSFET 162 du module de commande 16 commute alors à l'état passant, du fait qu'il est de type canal N et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est strictement positive. Dès lors, le troisième noeud 13, puis les bases respectives des premier 9 et deuxième 10 transistors bipolaires, sont couplés à la ligne d'alimentation 2, de sorte que seul le premier transistor bipolaire 9, du fait qu'il est de type NPN et que la différence de potentiel entre sa base et son émetteur est strictement positive, commute à l'état passant. Ainsi, le premier noeud 11, puis les grilles respectives des premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET, sont couplés à la ligne d'alimentation 2, de sorte que seul ledit deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état passant, du fait qu'il est de type canal N. De cette manière, le point milieu 5, relié à la borne 6 de la charge 1, est couplé à la masse électrique 4. Dans un second mode de fonctionnement, la commande 161 est configurée dans l'état bas de sorte que la grille du transistor MOSFET 162 du module de commande 16 est polarisée par la tension basse. Ledit transistor MOSFET 162 du module de commande 16 commute alors à l'état bloqué, du fait qu'il est de type canal N et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est nulle. Dès lors, le troisième noeud 13, puis le deuxième noeud 12, sont couplés à la masse électrique 4. Les grilles respectives des premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET sont alors couplées à la masse électrique 4. Ainsi, le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état passant, du fait qu'il est de type canal P et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est strictement négative. Le deuxième transistor MOSFET 8 commute, quant à lui, à l'état bloqué, du fait qu'il est de type canal N et que la différence de potentiel entre sa grille et sa source est nulle. De cette manière, le point milieu 5, relié à la borne 6 de la charge 1, est couplé à la ligne d'alimentation 2.

Suivant les caractéristiques du premier mode de fonctionnement, il est clair que lorsque la commande 161 est à nouveau configurée dans l'état bas, consécutivement au deuxième mode de fonctionnement, les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET commutent respectivement à l'état passant et à l'état bloqué. Dès lors, on comprend que la configuration du circuit de commande est avantageusement adaptée à ce que les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET ne soient pas à l'état passant simultanément.

Par ailleurs, l'agencement des diodes 181, 191 et résistances 182, 192, des première 18 et deuxième 19 branches, est avantageux car il permet de limiter les effets de transconduction entre les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET lorsque ces derniers commutent.

En effet, un transistor MOSFET est, entre sa grille et sa source, assimilable à un condensateur. Dès lors, en supposant que le potentiel de la source d'un transistor MOSFET est constant, ledit condensateur se charge et se décharge en fonction du potentiel auquel est reliée la grille dudit transistor MOSFET, ladite charge/décharge correspondant à une augmentation/baisse en valeur absolue de la différence de potentiel entre la grille et la source. Dans le premier mode de fonctionnement, la grille et la source du premier transistor MOSFET 7 sont toutes les deux reliées à la ligne d'alimentation 2. Par ailleurs, la grille et la source du deuxième transistor MOSFET 8 sont reliées respectivement à la ligne d'alimentation 2 et à la masse électrique 4. Ainsi, dans l'hypothèse où les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET sont initialement respectivement à l'état passant et à l'état bloqué, le deuxième transistor MOSFET 8 se charge à travers la résistance 182 de la première branche 18 tandis que le premier transistor MOSFET 7 se décharge à travers la diode 181 de la première branche 18, qui est de résistance équivalente négligeable. Par conséquent, la constante de temps associée à la décharge du premier transistor MOSFET 7 est négligeable par rapport à la constante de temps associée à la charge du deuxième transistor MOSFET 8. En d'autres termes, le premier transistor MOSFET 7 se décharge plus rapidement que le deuxième transistor MOSFET 8 ne se charge, de sorte que le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état bloqué avant que le deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état passant.

Dans le deuxième mode de fonctionnement, la grille et la source du deuxième transistor MOSFET 8 sont toutes les deux reliées à la masse électrique 4. Par ailleurs, la grille et la source du premier transistor MOSFET 7 sont reliées respectivement à la masse électrique 4 et à la ligne d'alimentation 2. Ainsi, dans l'hypothèse où les premier 7 et deuxième 8 transistors MOSFET sont initialement respectivement à l'état bloqué et à l'état passant, le premier transistor MOSFET 7 se charge à travers la résistance 192 de la deuxième branche 19 tandis que le deuxième transistor MOSFET 8 se décharge à travers la diode 191 de la deuxième branche 19, qui est de résistance négligeable. Par conséquent, la constante de temps associée à la décharge du deuxième transistor MOSFET 8 est négligeable par rapport à la constante de temps associée à la charge du premier transistor MOSFET 7. En d'autres termes, le deuxième transistor MOSFET 8 se décharge plus rapidement que le premier transistor MOSFET 7 ne se charge, de sorte que le deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état bloqué avant que le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état passant. La figure 2 représente schématiquement un premier mode préféré de réalisation du circuit électronique de commande du demi-pont en H de la figure 1, dans 5 lequel la deuxième branche 19 comporte un module auxiliaire de commande 20. Ledit module auxiliaire de commande 20 comporte un interrupteur 202 et une commande 201 dudit interrupteur 202, ledit interrupteur 202 étant adapté à ouvrir et fermer la deuxième branche 19 entre la résistance 192 et la diode 191 de ladite deuxième branche 19. En outre, la grille du premier transistor 7 est reliée à la ligne d'alimentation 2 par 10 l'intermédiaire d'une résistance 21. Par exemple, dans ledit premier mode préféré de réalisation, ledit interrupteur de la deuxième branche 19 est un transistor MOSFET 202. La commande 201 dudit transistor MOSFET 202 est adaptée à générer des signaux de tension, et configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas » correspondant respectivement 15 à un signal de tension haute et à un signal de tension basse. Par ailleurs, ledit transistor MOSFET 202 dudit module auxiliaire de commande 20 est de drain relié à la résistance 192 de la deuxième branche 19, de grille reliée à une sortie de ladite commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19, et de source reliée à la cathode de la diode 191 de la deuxième branche 19. 20 Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 2, le transistor MOSFET 202 du module auxiliaire de commande 20 est de type canal N. Dans un mode particulier de réalisation, la commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19 est commune avec la commande 161 du module de commande 16, de sorte que l'interrupteur 202 dudit module 25 auxiliaire de commande 20 est commandable par la commande 161 du module de commande 16. Une telle configuration du circuit de commande du demi-pont en H est avantageuse car adaptée à mettre en haute impédance la charge 1 en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 dans le cas du deuxième mode de 30 fonctionnement. En effet, et dans un premier temps, lorsque la commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19 est à l'état haut, le transistor MOSFET 202 dudit module auxiliaire de commande 20 est à l'état passant, de sorte que le circuit électronique de commande de la figure 2 se comporte comme le circuit 35 électronique de commande de la figure 1 dans le deuxième mode de fonctionnement. Dans un deuxième temps, en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 lors du deuxième mode de fonctionnement, la commande 201 du module auxiliaire de commande 20 de la deuxième branche 19 se met à l'état bas de sorte que le transistor MOSFET 202 dudit module auxiliaire de commande 20 commute à l'état bloqué. Ainsi, la grille du premier transistor MOSFET 7 est reliée à la ligne d'alimentation 2, de sorte que le premier transistor MOSFET 7 commute à l'état bloqué.

Dans la mesure où le deuxième transistor MOSFET 8 est lui aussi à l'état bloqué, la charge 1 est mise en haute impédance. La figure 3 représente schématiquement un deuxième mode préféré de réalisation du circuit électronique de commande du demi-pont en H de la figure 1, dans lequel la première branche 18 comporte un module auxiliaire de commande 22. Ledit module auxiliaire de commande 22 comporte un interrupteur 222 et une commande 221 dudit interrupteur 222, ledit interrupteur 222 étant adapté à ouvrir et fermer la première branche 18 entre la résistance 182 et la diode 181 de ladite première branche 18. En outre, la grille du deuxième transistor 8 est reliée à la masse électrique 4 par l'intermédiaire d'une résistance 23.

Par exemple, dans ledit deuxième mode préféré de réalisation, ledit interrupteur de la première branche 18 est un transistor MOSFET 222. La commande 221 dudit transistor MOSFET 222 est adaptée à générer des signaux de tension, et configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas » correspondant respectivement à un signal de tension haute et à un signal de tension basse. Par ailleurs, ledit transistor MOSFET 222 dudit module auxiliaire de commande 22 est de drain relié à la résistance 182 de la première branche 18, de grille reliée à une sortie de ladite commande 221 du module auxiliaire de commande 20 de la première branche 18, et de source reliée à la cathode de la diode 181 de la première branche 18. Dans l'exemple non limitatif illustré par la figure 3, le transistor MOSFET 222 25 du module de commande auxiliaire 22 est de type canal P. Dans un mode particulier de réalisation, la commande 221 du module auxiliaire de commande 22 de la première branche 18 est commune avec la commande 161 du module de commande 16, de sorte que l'interrupteur 222 dudit module auxiliaire de commande 22 est commandable par la commande 161 du module de 30 commande 16. Une telle configuration du circuit de commande du demi-pont en H est avantageuse car adaptée à mettre en haute impédance la charge 1 en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 dans le cas du premier mode de fonctionnement.

35 En effet, et dans un premier temps, lorsque la commande 221 du module auxiliaire de commande 22 de la première branche 18 est à l'état bas, le transistor MOSFET 222 dudit module auxiliaire de commande 22 est à l'état passant, de sorte que le circuit électronique de commande de la figure 3 se comporte comme le circuit électronique de commande de la figure 1 dans le premier mode de fonctionnement. Dans un deuxième temps, en cas de défaut de la commande 161 du module de commande 16 lors du premier mode de fonctionnement, la commande 221 du module 5 auxiliaire de commande 22 de la première branche 18 se met à l'état haut de sorte que le transistor MOSFET 222 dudit module auxiliaire de commande 22 commute à l'état bloqué. Ainsi, la grille du deuxième transistor MOSFET 8 est reliée à la masse électrique 4, de sorte que le deuxième transistor MOSFET 8 commute à l'état bloqué. Dans la mesure où le premier transistor MOSFET 7 est lui aussi à l'état bloqué, la charge 1 est mise en haute 10 impédance. Dans une variante de réalisation de l'invention, la première branche 18 ainsi que la deuxième branche 19 comportent chacune un module auxiliaire de commande tel que décrit ci-avant en référence aux figures 2 et 3. Une telle configuration est avantageuse car elle permet de mettre la charge 1 en haute impédance à la fois dans le 15 premier mode de fonctionnement et le deuxième mode de fonctionnement.

Claims (8)

1. REVENDICATIONS1. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H, ledit demi-pont en H comportant un premier (7) et un deuxième (8) transistors MOSFET de types respectifs différents, de sources reliées respectivement à une ligne d'alimentation (2) et à une masse électrique (4), et de drains respectifs reliés à un point milieu (5), ledit point milieu (5) étant destiné à être relié à une borne (6) d'une charge (1), ledit circuit de commande étant adapté à commuter lesdits transistor MOSFET (7,8) respectivement d'un état passant à un état bloqué, caractérisé en ce qu'il comporte un premier (9) et un deuxième (10) transistors bipolaires de types respectifs différents, d'émetteurs reliés respectivement à un premier noeud (11) et à un deuxième noeud (12), de collecteurs reliés respectivement à la ligne d'alimentation (2) et à la masse électrique (4), et de bases respectives reliées à un troisième noeud (13), ledit troisième noeud (13) étant relié à un module de commande (16) desdits transistors MOSFET (7,8), configurable selon deux états, un état dit « haut » et un état dit « bas », ainsi qu'une première (18) et une deuxième (19) branches montées en parallèle entre les grilles desdits transistors MOSFET (7,8), comportant chacune une diode (181,191) et une résistance (182,192) : - le premier noeud (11) étant relié à la fois à la résistance (182) et à l'anode de la diode (181) de la première branche (18), ladite résistance (182) de la première branche (18) étant en outre reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET (8), et la cathode de ladite diode (181) de la première branche (18) étant reliée à la grille du premier transistor MOSFET (7), - le deuxième noeud (12) étant relié à la fois à la résistance (192) et à la cathode de la diode (191) de la deuxième branche (19), ladite résistance (192) de la deuxième branche (19) étant en outre reliée à la grille du premier transistor MOSFET (7), et l'anode de ladite diode (191) de la deuxième branche (19) étant reliée à la grille du deuxième transistor MOSFET (8).
2. 2. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 1, caractérisé en ce que la deuxième branche (19) comporte unmodule auxiliaire de commande (20) comportant un interrupteur (202) et une commande (201) dudit interrupteur (202), ledit interrupteur (202) étant adapté à ouvrir et fermer la deuxième branche (19) entre la résistance (192) et la diode (191) de ladite deuxième branche (19), et la grille du premier transistor (7) étant reliée à la ligne d'alimentation (2) par l'intermédiaire d'une résistance (21).
3. 3. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 2, caractérisé en ce que l'interrupteur (202) de la deuxième branche (19) est un transistor MOSFET (202), de drain relié à la résistance (192) de la deuxième branche (19), de grille reliée à une sortie de ladite /0 commande (201) du module auxiliaire de commande (20) de la deuxième branche (19), et de source reliée à la cathode de la diode (191) de la deuxième branche (19).
4. 4. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon l'une quelconque des revendications 1 à 3, caractérisé en ce que la première 15 branche (18) comporte un module auxiliaire de commande (22), comportant un interrupteur (222) et une commande (221) dudit interrupteur (222), ledit interrupteur (222) étant adapté à ouvrir et fermer la première branche (18) entre la résistance (182) et la diode (181) de ladite première branche (18), et la grille du deuxième transistor (8) étant reliée à la masse électrique (4) par l'intermédiaire 20 d'une résistance (23).
5. 5. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 4, caractérisé en ce que l'interrupteur (222) de la première branche (18) est un transistor MOSFET (222), de drain relié à la résistance (182) de la première branche (18), de grille reliée à une sortie de ladite commande (221) 25 du module auxiliaire de commande (22) de la première branche (18), et de source reliée à la cathode de la diode (181) de la première branche (18).
6. 6. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon l'une quelconque des revendications 1 à 5, caractérisé en ce que le collecteur du premier transistor bipolaire (9) est relié à la ligne d'alimentation (2) par 30 l'intermédiaire d'une résistance (14), et le collecteur du deuxième transistor bipolaire (10) est relié à la masse électrique (4) par l'intermédiaire d'une autre résistance (15).
7. 7. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon l'une quelconque des revendications 1 à 6, caractérisé en ce que le module decommande (16) comporte une commande (161) adaptée à générer des signaux de tension, ainsi qu'un transistor MOSFET (162), de drain relié à la ligne d'alimentation (2), de grille reliée à une sortie de la commande (161), et de source reliée à la fois audit troisième noeud (13) et à la masse électrique (4).
8. 8. Circuit électronique de commande d'un demi-pont en H selon la revendication 7, caractérisé en ce qu'une résistance (17) est agencée entre la source du transistor MOSFET (162) du module de commande (16) et la masse électrique (4).