DE4137452A1 - Verpolschutzanordnung fuer leistungsendstufen-feldeffekt-transistoren - Google Patents
Verpolschutzanordnung fuer leistungsendstufen-feldeffekt-transistorenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Verpolschutzanordnung für Leistungs
endstufen-Feldeffekt-Transistoren (FET) mit einem in Reihe zum
Endstufen-FET geschalteten Verpolschutzelement, das bei ver
polter Versorgungsspannung sperrt.
Bei der Herstellung von Leistungs-FET entsteht prozeßbedingt
parallel zum Drain-Source-Kanal eine Diode, die im Normalbetrieb
gesperrt ist. Bei Verpolung der Versorgungsspannung wird sie
jedoch leitend und überbrückt in störender Weise den Drain-
Source-Kanal. Hierdurch wird ein im Lastkreis befindlicher
Verbraucher in unerwünschter Weise angesteuert. Bei Endstufen
transistoren bzw. Verbrauchern, die nicht für den Dauerbetrieb
ausgelegt sind, kann dies neben Fehlfunktionen zu einer Zer
störung dieser Bauelemente führen.
Um einen Verpolschutz sicherzustellen , ist es bekannt, in Reihe
um Leistungs-FET eine Diode zu schalten,
die bei einer Verpolung der Versorgungsspannung sperrt. Im
Normalbetrieb bringt jedoch diese Diode einen Spannungsabfall
mit sich, um den sich die für den Verbraucher zur Verfügung
stehende Spannung vermindert, was vor allem bei niedrigeren
Versorgungsspannungen, wie zum Beispiel der Spannungsversorgung
in einem Kraftfahrzeug, von wesentlichem Nachteil sein kann.
Aus der DE-OS 39 30 896 ist die Verwendung eines FET als Verpol
schutzelement in allgemeiner Form bekannt, nicht dagegen die
Anwendung für FET-Endstufen.
Die erfindungsgemäße Verpolschutzanordnung mit den kennzeichnenden
Merkmal des Hauptanspruchs hat den Vorteil, daß bei sicherem
Verpolschutz in der Leistungs-Endstufe nur geringe Spannungsver
luste bei nichtverpoltem Betrieb auftreten. Dabei kann ein
sehr kleiner Einschaltwiederstand erreicht werden. Für voll
ständig integrierte Endstufen ist diese Verpolschutzanordnung
in besonderer Weise geeignet.
Durch die in den unter Ansprüchen aufgeführten Maßnahmen sind
vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen der im Haupt
anspruch angegebenen Verpolschutzanordnung möglich.
Der Endstufen-FET und der Verpolschutz-FET können zweckmäßiger
weise identisch ausgebildet sein, um die Herstellung der End
stufe insgesamt zu vereinfachen. Auch bei der vollständigen
Integration ist dies von Vorteil.
Eine vorteilhafte Schaltungsausführung besteht darin, daß die
Source-Anschlüsse der beiden FETs miteinander verbunden sind,wo
bei insbesondere dar Drain-Anschluß des zweiten FET mit Masse
und der Drain-Anschluß des Endstufen-FET über einen durch diesen
gesteuerten Verbraucher mit dem positiven Pol der Versorgungs
spannung verbunden ist.
Zum Schutz gegen Überspannungen ist eine mit wenigstens einem
Teil der Versorgungsspannung beaufschlagte Spannungsbegren
zungsvorrichtung mit wenigstens dem Gate-Anschluß des zweiten
FET zur Begrenzung der Gate-Spannung auf einen unterhalb des
kritischen Werts liegenden Wert verbunden. Hierdurch wird nicht
nur ein Schutz des FET erreicht, sondern dieser wird auch bei
unverpolter Versorgungsspannung sicher im stromleitenden Zustand
gehalten. Als derartige Spannungsbegrenzungsvorrichtung eignet
sich insbesondere eine Z-Diode.
Um mit einer einzigen, insbesondere als Z-Diode ausgebildeten
Spannungsbegrenzungsvorrichtung beide FETs zu schützen wird die
Spannungsbegrenzungsvorrichtung über Entkopplungsdioden mit den
Gate-Anschlüssen aller FETs verbunden.
Um den zweiten FET bei unverpolter Versorgungsspannung aufzu
steuern und im verpolten Zustand zu sperren, ist der positive
Pol der Versorgungsspannung zweckmäßigerweise über wenigstens
einen Widerstand mit dem Gate-Anschluß dieses zweiten FET
verbunden (inverser Betrieb ist bei FETs möglich).
Derartige Leistungsendstufen können in Spannungsnetzen ein
gesetzt sein, bei denen unterschiedliche geschaltete Versorgungs
spannungen vorliegen, beispielsweise im Kraftfahrzeug, wo Lei
stungsendstufen von einer ersten Versorgungsspannung versorgt
werden (ständig anliegende Batteriespannung), während ein
Steuersignalteil für die Leistungsendstufe von einer anderen
zweiten Versorgungsspannung (die über ein Zündschloß geschaltete
Batteriespannung) versorgt wird. Um bei diesen Verhältnissen
einen sicheren Verpolschutz zu erreichen, ist vorteilhafter
weise der Gate-Anschluß des zweiten FET mit von beiden Versorgungs
spannungen abgeleiteten, jeweils diesen zweiten FET bei korrekt
gepolten Versorgungsspannungen aufsteuernden Steuerspannungen
beaufschlagt. Hierdurch ist auch beispielsweise der Verpolschutz
noch gewährleistet, wenn bei abgeschalteter zweiter Versorgungs
spannung die erste Versorgungsspannung verpolt ist, also beispiels
weise die Batterie falsch angeschlossen ist. Durch diese Anord
nung kann der Anschluß für die aus der ersten Versorgungsspannung
gewonnenen Steuerspannung zwischen dem Endstufen-FET und dem von
diesem gesteuerten Verbraucher angeordnet sein, muß also bei-
spielsweise nicht an
der sogenannten "Klemme 30" in einem Kraftfahrzeug angeschlossen
sein.
Eine vorteilhafte Schaltungsanordnung besteht darin, daß die
zweite Versorgungsspannung über eine Diode an einer Widerstands
ordnung liegt, über die die erste Versorgungsspannung an den
Gate-Anschluß des zweiten FET gelegt ist.
Zwei Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung
dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Schaltungsanordnung eines ersten Ausführungs
beispiels mit einer Versorgungsspannung und
Fig. 2 eine Schaltungsanordnung eines zweiten Ausführungs
beispiels mit 2 Versorgungsspannungen.
Bei dem in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbeispiel ist der
Drain-Source-Kanal eines Leistungsendstufen-Feldeffekt-Tran
sistors 10 - im folgenden Endstufen-FET genannt - in Reihe zu
einem Verbraucher 11 und dem Drain-Source-Kanal eines zweiten
als Verpolschutzelement dienenden FET 12 geschaltet. Dabei sind
die beiden Source-Anschlüsse (S) miteinander verbunden, während
der Drain-Anschluß (D) des Endstufen-FET 10 mit dem Ver
braucher 11 und der Drain-Anschluß des zweiten FET 12 mit
Masse verbunden ist. Der Verbraucher ist mit seinem zweiten An
schluß mit dem positiven Pol 13 einer Versorgungsspannungs
quelle (Ub) verbunden.
Der positive Pol 13 ist weiterhin über einen Wiederstand 14
mit dem Gase-Anschluß (G) des zweiten FET 12 und über einen
Widerstand 15 mit dem Gase-Anschluß (G) des Endstufen-FET 10
verbunden. Eine Z-Diode 16 liegt mit ihrer Anode an Masse,
während ihre Kathode über eine erste Diode 17 mit dem Gase-Anschluß
des zweiten FET 12 und über eine zweite Diode 18 mit dem
Gase-Anschluß des Endstufen-FET 10 verbunden ist. Die Dioden
17, 18 sind dabei gegensinnig zur Z-Diode 16 geschaltet.
Schließlich ist ein Steueranschluß 19 für den Endstufen-FET 10
über einen Widerstand 20 mit dem Gase-Anschluß dieses End
stufen-FET 10 verbunden.
Die Wirkungsweise des in Fig. 1 dargestellten Ausführungsbei
spiels besteht darin, daß der als Verpolschutz dienende FET 12
invers zum Endstufen-FET 10 betrieben wird. Die prozeßbedingt
parallel zum Drain-Source-Kanal derartiger FETs ent
stehende Diode (Inversdiode) ist jeweils symbolisch dargestellt.
Im nichtverpolten, korrekten Betrieb ist der zweite FET 12
ständig leitend, da sein Gase-Anschluß über den Wiederstand 14
mit einem entsprechenden positiven Potential beaufschlagt wird.
Dieses wird durch die Z-Diode 16 auf einen für den FET 12 un
gefährlichen Wert unter 10 Volt begrenzt, beispielsweise auf
9,1 Volt. Eine entsprechende Spannungsbegrenzung erfolgt auch
durch dieselbe Z-Diode und die Diode 18 für den Endstufen
FET 10. Dieser kann durch entsprechende Steuersignalfolgen am
Steueranschluß 19 über die Widerstände 15, 20 angesteuert
werden. An der Drain-Source-Strecke des zweiten FET 12 ent
stehen dabei geringe Spannungsverluste bei kleinem Einschalt-
Widerstand.
Bei verpoltem Betrieb, also bei vertauschten Anschlüssen von
Masse und positivem Pol der Versorgungsspannung Ub liegt der
Gase-Anschluß des zweiten FET 12 an Masse, also an 0 Volt.
Auch der Source-Anschluß dieses zweiten FET 12 liegt über die
Reihenschaltung der Invers-Diode des Endstufen-FET 10 und dem
Verbraucher 11 an 0 Volt. Somit ist der zweite FET
12 gesperrt und die Kathode der Invers-Diode des zweiten FET 12
liegt jetzt an +Ub, wodurch auch sie gesperrt ist. Hier
durch ist eine sichere Verpolfestigkeit der Endstufe gewähr
leistet.
Das in Fig. 2 dargestellte zweite Ausführungsbeispiel entspricht
weitgehend dem ersten Ausführungsbeispiel, so daß gleiche oder
gleichwirkende Bauteile mit demselben Bezugszeichen versehen
und nicht nochmals beschrieben sind.
Im Unterschied zum ersten Ausführungsbeispiel ist der Wider
stand 14 nicht mit dem positiven Pol 13, sondern über einen
weiteren Widerstand 21 mit dem Drain-Anschluß des Endstufen-
FET 10 verbunden. Die Spannungsversorgung des Widerstands 15
erfolgt nicht über den positiven Pol 13, sondern über ein Span
nungsversorgungsteil 22. Dieses wird versorgungsseitig über
eine Klemme 23 gespeist, die an eine weitere Versorgungsspannung
Ub′ angeschlossen ist. In einem Kraftfahrzeug entspricht der
positive Pol 13 beispielsweise der sog. "Klemme 30" die ständig
mit dem positiven Pol der Kraftfahrzeugbatterie verbunden ist.
Demgegenüber entspricht die Klemme 23 der sog. "Klemme 15" im
Kraftfahrzeug, die in Abhängigkeit der Schaltstellung eines hier
nicht dargestellten Zündschalters entweder mit der Klemme 30
verbunden oder von dieser getrennt ist.
Die Klemme 23 ist über die Reihenschaltung einer Diode 24 mit
einem Widerstand 25 mit dem Widerstand 15 verbunden, wobei der
Verknüpfungspunkt zwischen den Widerständen 25, 15 über eine
Z-Diode 26 zur Spannungsstabilisierung an Masse liegt. Weiterhin
ist die Klemme 23 über eine Diode 27 mit dem Verknüpfungspunkt
zwischen den Widerständen 14, 21 verbunden. Die Dioden 24, 27
dienen dabei zur Spannungsentkoppelung.
In diesem Ausführungsbeispiel wird der Verbraucher 11 von der
Versorgungsspannung Ub und die Gate-Ansteuerung des Endstufen-FET
10 von einer anderen Versorgungsspannung versorgt, nämlich von
der Versorgungsspannung Ub′. Beide Versorgungsspannungen steuern
jedoch über den Widerstand 14 den zweiten FET 12, nämlich die
Versorgungsspannung Ub über den Widerstand 21 sowie die Last 11
und die Versorgungsspannung Ub′ über die Diode 27. Bei einge
schalteter Versorgungsspannung Ub′, also im falle einer einge
schalteten Zündung bei der Verwendung in einem Kraftfahrzeug,
wird der zweite FET 12 über die Diode 27 und den Widerstand 14
stromleitend. Bei abgeschalteter Versorgungsspannung Ub′ , also
zum Beispiel bei ausgeschalteter Zündung im Kraftfahrzeug, wird
der zweite FET 12 dagegen über den Verbraucher 11 und die Wider
stände 21, 14 stromleitend. Zur Versorgung der Schaltung bzw.
des zweiten FETs 12 ist daher lediglich eine Verbindung zur
Klemme 23 erforderlich, nicht mehr dagegen zum positiven Pol
13, da hier die Verbindung mit dem Verbraucher 11 ausreicht.
Die Endstufe ist in jedem Fall verpolgesichert, beispielsweise
auch bei abgeschalteter Versorgungsspannung Ub′ und verpolter
Versorgungsspannung Ub.
Claims (12)
1. Verpolschutzanordnung von Leistungs-Endstufen-Feldeffekt-
Transistoren (FET) mit einem in Reihe zum Endstufen-FET ge
schalteten Verpolschutzelement, das bei verpolter Versorgungs
spannung sperrt, dadurch gekennzeichnet, daß das Verpol
schutzelement als zum Endstufen-FET (10) invers gepolter zweiter
FET (12) ausgebildet ist, dessen Gase-Anschluß mit einer von
der Versorgungsspannung abgeleiteten, den zweiten FET (12)
bei korrekt gepolter Versorgungsspannung aufsteuernden Steuer
spannung beaufschlagt ist.
2. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, das die beiden FETs (10, 12) im wesentlichen ident
isch sind.
3. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Source-Anschlüsse (S) der beiden FETs
(10, 12) miteinander verbunden sind.
4. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 3, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Drain-Anschluß (D) des zweiten FET (12)
mit Masse und der Drain-Anschluß (D) des Endstufen FET (10)
über einen durch diesen gesteuerten Verbraucher (11) mit dem
positiven Pol (13) der Versorgungsspannung verbunden ist.
5. Verpolschutzanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche
dadurch gekennzeichnet, daß eine mit wenigstens einem Teil
der Versorgungsspannung beaufschlagte Spannungsbegrenzungs
vorrichtung (16) mit wenigstens dem Gate-Anschluß (G) des
zweiten FET (12) zur Begrenzung der Gate-Spannung auf den
unterhalb des kritischen Werts liegenden Wert verbunden
ist.
6. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet
daß die Spannungsbegrenzungsvorrichtung (16) als Z-Diode
ausgebildet ist.
7. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Spannungsbegrenzungsvorrichtung (16) über
Entkopplungsdioden (17, 18) mit dem Gate-Anschlüssen (G)
aller FETs (10, 12) verbunden ist.
8. Verpolschutzanordnung nach einem der vorhergehenden An
sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der positive Pol
(13) der Versorgungsspannung über wenigstens einen Wider
stand (14, 21) mit dem Gate-Anschluß (G) des zweiten FET
(12) verbunden ist.
9. Verpolschutzanordnung nach einem der Ansprüche 1-7 für eine
Leistungsendstufe, die von einer ersten Versorgungsspannung
(Ub) versorgt wird, während ein Steuersignalteil für die
Leistungsendstufe von einer anderen, zweiten Versorgungs
spannung (Ub′) versorgt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der
Gase-Anschluß (G) des zweiten FET (12) mit von beiden Ver
sorgungsspannungen (Ub, Ub′) abgeleiteten, jeweils diesen
FET (12) bei korrekt gepolter Versorgungsspannung auf
steuernden Steuerspannungen beaufschlagt wird.
10. Verpolschutzordnung nach Anspruch 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Anschluß für die aus der ersten Ver
sorgungsspannung (Ub) gewonnenen Steuerspannung für
den zweiten FET (12) der Drain-Anschluß (D) des End
stufen FET (10) ist.
11. Verpolschutzanordnung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die zweite Versorgungsspannung (Ub′)
über eine Diode (27) an einer Widerstandsanordnung
(14, 21) liegt, über die die erste Versorgungsspannung (Ub)
an den Gate-Anschluß des zweiten FET (12) gelegt ist.
12. Verpolschutzanordnung nach einem der Ansprüche 9 bis 10
für die Anordnung in einem Kraftfahrzeug dadurch gekenn
zeichnet, daß die erste Versorgungsspannung (Ub) die
ständig anliegende Batteriespannung und die zweite Ver
sorgungsspannung (Ub′) die über ein Zündschloß ge
schaltete Batteriespannung ist.
Priority Applications (2)
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DE19914137452 DE4137452A1 (de) | 1991-11-14 | 1991-11-14 | Verpolschutzanordnung fuer leistungsendstufen-feldeffekt-transistoren |
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