JPH11146558A

JPH11146558A - バッテリー逆接続保護付きｉｐｄ及びバッテリー逆接続保護付きｉｐｄを備えた駆動装置

Info

Publication number: JPH11146558A
Application number: JP9307025A
Authority: JP
Inventors: Kenichi Fujimoto; 賢一藤本
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-11-10
Filing date: 1997-11-10
Publication date: 1999-05-28
Anticipated expiration: 2017-11-10
Also published as: JP3087705B2

Abstract

(57)【要約】【課題】バッテリーを逆接続した場合における電子機
器を破壊から保護すると共に、Ｄｉによるドロップ電圧
を下げ無効な消費電力を下げることが可能なバッテリー
逆接続保護付きＩＰＤ及びバッテリー逆接続保護付きＩ
ＰＤを備えた駆動装置を提供する。【解決手段】バッテリーを順方向に接続した場合（バ
ッテリー４ａ）は、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ、２
ａが導通状態となると共に、Ｄｉ１４にも電流が流れて
負荷１０に電流を流すため、Ｄｉ１４によるドロップ電
圧を低減することが可能になると共に、バッテリーが逆
方向に接続されている場合は（バッテリー４ｂ）、Ｎｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ、２ａがＯＦＦ状態となり、
Ｄｉ１４が逆方向接続状態となっているため、電圧がク
ランプし、負荷１０に電流が流れず、電子機器の破壊を
防止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はバッテリー逆接続保
護付きＩＰＤ及びバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備
えた駆動装置に関し、特に自動車電装分野のソレノイド
負荷、レギュレータの駆動装置に用いて好適な、バッテ
リー逆接続保護付きＩＰＤ及びバッテリー逆接続保護付
きＩＰＤを備えた駆動装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、自動車電装分野における、バッテ
リーの逆接続から各電子機器を保護するために、さまざ
まなバッテリー逆接続保護付きＩｎｔｅｌｌｉｇｅｎｔ
ＰｏｗｅｒＤｅｖｉｃｅ（以下、単にＩＰＤと記
す。）を備えた駆動装置が提案されている。

【０００３】この種のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ
を備えた駆動装置を構成する電子部品としては、電源逆
接続保護用ダイオード（以下、単にＤｉと記す。）、レ
ギュレータ、マイコン及びＩＰＤにより構成されてい
る。

【０００４】この従来のバッテリー逆接続保護付きＩＰ
Ｄを備えた駆動装置の一例について、図３を参照して説
明する。

【０００５】図３に、従来のバッテリー逆接続保護付き
ＩＰＤを備えた駆動装置の回路図を示す。

【０００６】図３に示されるように、このバッテリー逆
接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置は、バッテリー４
ａ（順方向）と、この駆動回路のスイッチとなるＩＧＮ
スイッチ（以下、単にＩＧＮＳＷと記す。）１１と、
バッテリーが逆接続された場合に、各電子機器を保護す
るための電源逆接続保護用Ｄｉ１０１と、ソレノイド負
荷等により構成される負荷１０と、マイコン５と、ＩＰ
Ｄ６とから構成されている。

【０００７】また、上述のＩＰＤ６は、レギュレータ７
と、マイコン５から駆動信号が入力し、マイコン５に診
断信号を出力すると共に、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏ
ｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ、
以下、単にＭＯＳＦＥＴと記す。）２をＯＮさせるため
の信号を出力する診断ロジック８と、この診断ロジック
８から出力された信号に基づきＯＮ状態となるＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ２と、このＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
２に並列に接続され、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２のソ
ースからドレインへの方向が順方向となるＤｉ１０２と
から構成されている。

【０００８】従って、この従来のバッテリー逆接続保護
付きＩＰＤを備えた駆動装置によれば、例えば図３に示
されるバッテリー４ｂのように、バッテリーを逆接続し
た場合では、ＩＧＮＳＷ１１をＯＮすると、外付けの
電源逆接続保護用Ｄｉ１０１によりバッテリー電圧がク
ランプされ電流が流れることはない。

【０００９】そのため、バッテリーが逆接続された場合
にあっても、有効に各電子機器を破壊から保護すること
ができるとしている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
図３に示されるような従来のバッテリー逆接続保護付き
ＩＰＤを備えた駆動装置においては、全てのシステムが
電源逆接続保護用Ｄｉ１０１により保護されているた
め、バッテリーの根本の電源逆接続保護用Ｄｉ１０１が
破壊された場合、保護素子の無い部品は破壊に至ること
となり、１つの保護素子の破壊により、全てのシステム
が破壊に至ることがあるという問題点を有している。

【００１１】さらに、接続するシステムが増加するとＤ
ｉ１０１に流れる電流が増加しＤｉ１０１によるドロッ
プ電圧が増加するため、バッテリーを順方向に接続した
時に、Ｄｉ１０１によるドロップ電圧が大きくなってし
まうという問題点を有している。

【００１２】ここで、バッテリーが逆接続された場合の
保護回路として、特開平４−１５６２２６号公報に、
「逆接続防止スイッチング回路」が開示されているが、
この回路は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳト
ランジスタは電流を流す方向と逆方向に寄生Ｄｉが構造
的に入るはずであるが、何等、示唆されておらず、従っ
て、ドロップ電流（ドロップ電圧）が大きくなるという
問題点の対処については全く考慮されていない。また、
バッテリー逆接続時にフォトカプラと並列に接続される
Ｄｉに電流が流れるためバッテリー上がりに関しての配
慮も成されていない。

【００１３】本発明は上記事情に鑑みなされたもので、
バッテリーを逆接続した場合における電流を阻止し、電
子機器を破壊から保護すると共に、バッテリーを順接続
した場合のＤｉによるドロップ電圧を下げ無効な消費電
力を下げることが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰ
Ｄ及びバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装
置を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の発明は、
第１のダイオードが、ソース・ドレイン間に並列に接続
されている第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと、第２の
ダイオードが、ソース・ドレイン間に並列に接続されて
いる第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴとを有し、バッテ
リーが順方向に接続されている場合には、前記第１のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴが共にＯＮ状態となり、かつ、前記第１のダイオ
ードが順方向、かつ、前記第２のダイオードが逆方向と
なり、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと前記第１
のダイオードとを電流が流れることにより、第１のダイ
オードにおけるドロップ電圧を低減させ、バッテリーが
逆方向に接続されている場合には、前記第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
が共にＯＦＦ状態となり、かつ、前記第１のダイオード
が逆方向となり、電圧をクランプすることにより、バッ
テリーが逆接続の場合の電子機器の破壊を防止すること
を特徴とする。

【００１５】従って、この発明によれば、バッテリー
が、順方向に接続されている場合には、第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴに電流が流れると共に、この第１のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている第１の
ダイオードが順方向となっているので、第１のダイオー
ドにも電流が流れ、従って、第１のダイオードにおける
ドロップ電圧を下げることができると共に、バッテリー
が逆接続されている場合には、第１のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ、及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが共に
ＯＦＦ状態となり、かつ、第１のダイオードが逆方向と
なり、電圧をクランプし、電流が流れることによる破壊
から電子機器を保護することができる。

【００１６】請求項２記載の発明は、外部電源（４ａ）
と直列に接続されている抵抗（１３）と直列に接続さ
れ、外部電源が順方向に接続された場合、該外部電源か
らの電圧に基づき第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１
ａ）をＯＮさせるための信号を出力する第１の光ＭＯＳ
スイッチ（９ａ）と、前記外部電源と直列に接続され、
前記抵抗（１３）と並列に接続されている外部負荷（１
０）と直列に接続され、かつ、前記外部負荷とソースと
が接続され、前記第１の光ＭＯＳスイッチから出力され
た信号によりＯＮされる第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ（１ａ）と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並
列に接続され、かつ、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔの、ソースからドレインへの方向が順方向になるよう
に接続された第１のダイオード（１４）と、外部制御回
路（５）から出力された駆動信号に基づき、第２のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ａ）をＯＮさせるための信号
を出力する診断ロジック（８ａ）と、前記第１のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）と直列に接続され、かつ、
前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのドレインとドレ
インとが接続され、前記診断ロジックから出力された信
号によりＯＮされる第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
（２ａ）と、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列
に接続され、かつ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
の、ソースからドレインへの方向が順方向になるように
接続された第２のダイオード（１５）とを有することを
特徴とする。

【００１７】従って、この発明によれば、外部電源が順
方向に接続されている場合は、抵抗と直列に接続されて
いる第１の光ＭＯＳスイッチが第１のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴをＯＮするための信号を出力して、第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にすると共に、この第
１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている
第１のダイオードが順方向となり、この第１のダイオー
ドにも電流が流れ、従って、この第１のダイオードにお
けるドロップ電圧を下げることができると共に、診断ロ
ジックが外部制御回路から出力された駆動信号に基づ
き、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるため
の信号を出力して、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴを
ＯＮ状態にするので、外部負荷に電流を流すことができ
る。

【００１８】また、外部電源が逆方向に接続されている
場合は、第１の光ＭＯＳスイッチから、第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号が出力され
ず、従って、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが非導通
状態（ＯＦＦ状態）になると共に、診断ロジックからの
ＯＮ信号が第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに与えられ
ず、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態とな
り、かつ、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接
続されている第１のダイオードが逆方向状態となってい
るので、電圧がクランプされ、外部負荷に電流が流れ
ず、電流が流れることによる電子機器の破壊を有効に阻
止することができる。

【００１９】請求項３記載の発明は、請求項２記載の発
明において、前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）が、
前記外部電源から供給された電圧により発光するＬｉｇ
ｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（１６）と、該Ｌｉ
ｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅの発光に基づき導
通状態となる光ダイオード（１７）とを有し、該光ダイ
オードから出力された信号が、前記第１のＮｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴをＯＮさせることを特徴とする。

【００２０】従って、この発明によれば、請求項２記載
の発明の作用が得られると共に、第１の光ＭＯＳスイッ
チが、外部電源が順方向に接続されている場合に、この
外部電源から供給された電圧により発光するＬｉｇｈｔ
ＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（以下、ＬＥＤと記
す。）と、このＬＥＤからの光により導通状態となり、
第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信
号を出力する光ダイオードとから構成されているため、
さらに確実に、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのスイ
ッチングを実行することができる。

【００２１】請求項４記載の発明は、請求項２又は３に
記載の発明において、前記外部電源（４ａ）が、バッテ
リーであることを特徴とする。

【００２２】従って、この発明によれば、請求項２又は
３に記載の発明の作用が得られると共に、外部電源が、
バッテリーであることから、このバッテリー逆接続保護
付きＩＰＤの適用範囲をさらに拡大することができる。

【００２３】請求項５記載の発明は、請求項２から４の
いずれかに記載の発明において、前記外部制御回路
（５）が、マイコンであることを特徴とする。

【００２４】従って、この発明によれば、請求項２から
４のいずれかに記載の発明の作用が得られると共に、外
部制御回路が、マイコンであることから、マイコンから
の駆動信号により動作する診断ロジックの制御をより容
易に行うことができ、その結果、第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴのＯＮ、ＯＦＦ状態の変更をさらに確実に実
行することができる。

【００２５】請求項６記載の発明は、請求項２から５の
いずれかに記載の発明において、前記外部負荷（１０）
が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴
とする。

【００２６】従って、この発明によれば、請求項２から
５のいずれかに記載の発明の作用が得られると共に、外
部負荷が、自動車電装分野のソレノイド負荷であること
から、このバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを自動車電
装分野に適用することがさらに容易となる。

【００２７】請求項７記載の発明は、外部電源（４ａ）
と直列に接続されている第１の抵抗（３１）と直列に接
続され、該外部電源が順方向に接続された場合、該外部
電源からの電圧に基づき第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ（３ｂ）をＯＮさせるための信号を出力する第１の光
ＭＯＳスイッチ（９ｂ）と、外部電源（４ａ）と直列に
接続され、かつ、前記第１の抵抗（３１）と並列に接続
されている第２の抵抗（４０）と直列に接続され、外部
電源が順方向に接続された場合、該外部電源からの電圧
に基づき第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）をＯ
Ｎさせるための信号を出力する第２の光ＭＯＳスイッチ
（９ｃ）とを有する。

【００２８】さらに、前記外部電源と直列に接続され、
前記第１の抵抗（３１）と並列に接続され、前記第１の
光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）から出力された信号に基づき
ＯＮされる第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）
と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続さ
れ、かつ、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソー
スからドレインへの方向が順方向になるように接続され
た第１のダイオード（３６）と、前記第１のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と直列に接続されたレギュレー
タ（７）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び
前記レギュレータと直列に接続され、外部制御回路から
出力された駆動信号に基づき、第３のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ（２ｂ）をＯＮさせるための信号を出力する診
断ロジック（８ｂ）とを有する。

【００２９】さらに、前記外部電源に直列に接続され、
かつ、前記第１の抵抗と並列に接続されている外部負荷
（１０）と直列に接続され、かつ、前記外部負荷とソー
スとが接続され、前記第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）
から出力された信号によりＯＮされる第２のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）と、該第２のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴと並列に接続され、かつ、該第２のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴの、ソースからドレインへの方向が順方
向になるように接続された第２のダイオード（３７）と
を有する。

【００３０】さらに、前記第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ（１ｂ）と直列に接続され、かつ、前記第２のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴのドレインとドレインとが接続さ
れ、前記診断ロジック（８ｂ）から出力された信号に基
づきＯＮする第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）
と、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続さ
れ、かつ、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソー
スからドレインへの方向が順方向になるように接続され
た第３のダイオード（３８）とを有することを特徴とす
る。

【００３１】従って、この発明によれば、外部電源が順
方向に接続されている場合には、第１の光ＭＯＳスイッ
チから第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるた
めの信号が出力され、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
がＯＮ状態となることから、第３のＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴのＯＮ、ＯＦＦを制御するための信号を出力する
診断ロジックが動作可能となり、また、第２の光ＭＯＳ
スイッチが、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさ
せるための信号を出力して、第２のＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴをＯＮ状態とし、さらに、診断ロジックから出力
された信号により、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが
ＯＮ状態となることから、外部負荷に電流を流すことが
可能になると共に、外部電源が順方向接続となっている
場合は、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び第２の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴにそれぞれ並列に接続されて
いる第１のダイオード、及び第２のダイオードが共に順
方向となっているため、それぞれのダイオードにおける
ドロップ電圧を下げることができる。

【００３２】また、外部電源が逆方向接続となっている
場合は、第１の光ＭＯＳスイッチ、及び第２の光ＭＯＳ
スイッチから、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ
させるための信号、及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
ＴをＯＮさせるための信号が出力されず、従って、第１
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び第２のＮｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴが非導通状態（ＯＦＦ状態）となり、か
つ、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続され
ている第１のダイオード、及び第２のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴに並列に接続されている第２のダイオードが共
に逆方向接続となっているため、電圧がクランプされ、
電流が流れないため、電流の流れによる電子機器の破壊
を防止することができる。

【００３３】請求項８記載の発明は、請求項７記載の発
明において、前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）及び
第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）の少なくともいずれか
一方が、前記外部電源から供給された電圧により発光す
るＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（３２，
３４）と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄ
ｅの発光に基づき導通状態となる光ダイオード（３３，
３５）とを有し、該光ダイオードから出力された信号
が、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）若し
くは第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）をＯＮさ
せることを特徴とする。

【００３４】従って、この発明によれば、請求項７記載
の発明の作用が得られると共に、第１の光ＭＯＳスイッ
チ、及び、第２の光ＭＯＳスイッチの少なくともいずれ
か一方が、外部電源が順方向に接続された場合に発光す
るＬＥＤと、このＬＥＤからの光に基づいて導通状態と
なる光ダイオードとにより構成されているため、さらに
確実に第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、若しくは、第
２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態とすることが
できる。

【００３５】請求項９記載の発明は、請求項７又は８に
記載の発明において、前記外部電源（４ａ）が、バッテ
リーであることを特徴とする。

【００３６】従って、この発明によれば、請求項７又は
８に記載の発明の作用が得られると共に、外部電源が、
バッテリーであることから、このバッテリー逆接続保護
付きＩＰＤの適用範囲をさらに拡大することができる。

【００３７】請求項１０記載の発明は、請求項７から９
のいずれかに記載の発明において、前記外部制御回路
（５）が、マイコンであることを特徴とする。

【００３８】従って、この発明によれば、請求項７から
９のいずれかに記載の発明の作用が得られると共に、外
部制御回路が、マイコンであることから、診断ロジック
の制御をより容易に行うことができ、その結果、第３の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのＯＮ、ＯＦＦ状態の変更を
さらに確実に実行することができる。

【００３９】請求項１１記載の発明は、請求項７から１
０のいずれかに記載の発明において、前記外部負荷（１
０）が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることを
特徴とする。

【００４０】従って、この発明によれば、請求項７から
１０のいずれかに記載の発明の作用が得られると共に、
外部負荷が、自動車電装分野のソレノイド負荷であるこ
とから、このバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを自動車
電装分野に適用することをさらに容易にすることができ
る。

【００４１】請求項１２記載の発明は、Ｖ端子と、ＧＮ
Ｄ端子であるＧ端子との間において、Ｇ端子からＶ端子
への方向を順方向としてバッテリーが接続され、前記バ
ッテリーと直列に接続される負荷と、前記負荷と直列に
接続され、第１のダイオードが、ソース・ドレイン間に
並列に接続されている第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
と、前記負荷と直列に接続され、第２のダイオードが、
ソース・ドレイン間に並列に接続されている第２のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴとを有し、バッテリーが順方向に
接続されている場合には、前記第１のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが共にＯ
Ｎ状態となり、かつ、前記第１のダイオードが順方向、
かつ、前記第２のダイオードが逆方向となり、前記第１
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと前記第１のダイオードと
を電流が流れることにより、第１のダイオードにおける
ドロップ電圧を低減させ、バッテリーが逆方向に接続さ
れている場合には、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＦＦ状
態となり、かつ、前記第１のダイオードが逆方向とな
り、電圧をクランプすることにより、バッテリーが逆接
続の場合の電子機器の破壊を防止することを特徴とす
る。

【００４２】従って、この発明によれば、バッテリーが
順方向に接続された状態においては、第１のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ、及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
が共にＯＮ状態となり、さらに、この第１のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている第１のダイオー
ドが順方向状態となっているので、負荷に電流を流すこ
とができ、さらに、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及
び第１のダイオードのそれぞれに電流が流れることとな
り、第１のダイオードにおけるドロップ電圧を下げるこ
とができると共に、バッテリーが逆方向に接続されてい
る状態においては、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、
及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＦＦ状態
となり、しかも、第１のダイオードが逆方向状態となっ
ているので、電圧がクランプされるので、電流が流れる
ことによる電子機器の破壊を防止することができる。

【００４３】請求項１３記載の発明は、端子Ｇから端子
Ｖへの方向を順方向として、バッテリー（４ａ）が接続
される端子Ｇ及び端子Ｖと、前記バッテリーと直列に接
続されるＩＧＮスイッチ（１１）と、前記バッテリーと
直列に接続され、前記端子Ｖから端子Ｇへの方向が順方
向となるように接続された第３のダイオード（１２）
と、該第３のダイオードと直列に接続されたレギュレー
タ（７）と、該レギュレータと直列に接続されたマイコ
ン（５）とを備えたレギュレータラインと、前記レギュ
レータラインと並列に接続され、抵抗（１３）と、前記
抵抗と直列に接続され、前記バッテリーが順方向に接続
された場合、該バッテリーからの電圧に基づき第１のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）をＯＮさせるための信
号を出力する第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）とを備え
た光ＭＯＳスイッチラインとを有する。

【００４４】さらに、前記光ＭＯＳスイッチラインと並
列に接続され、負荷（１０）と、該負荷と直列に接続さ
れ、前記負荷とソースとが接続され、前記第１の光ＭＯ
Ｓスイッチ（９ａ）から出力された信号によりＯＮされ
る第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）と、該第１
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、かつ、
該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースからドレ
インへの方向が順方向になるように接続された第１のダ
イオード（１４）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ（１ａ）と直列に接続され、かつ、前記第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴのドレインとドレインとが接続さ
れ、診断ロジック（８ａ）から出力された信号によりＯ
Ｎされる第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ａ）と、
該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
かつ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
２のダイオード（１５）とを備えた負荷ラインとを有す
る。

【００４５】さらに、前記マイコン（５）と並列に接続
され、前記マイコンから出力された駆動信号に基づき、
第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ａ）をＯＮさせる
ための信号を出力する診断ロジック（８ａ）とを有する
ことを特徴とする。

【００４６】従って、この発明によれば、バッテリーが
順方向に接続され、かつ、ＩＧＮＳＷがＯＮされた場合
は、レギュレータライン上の第３のダイオードが順方向
となり、従って、診断ロジックに駆動信号を出力するマ
イコンが駆動可能状態となり、光ＭＯＳスイッチライン
上の第１の光ＭＯＳスイッチが、第１のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮするための信号を出力して、第１のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にし、診断ロジック
が、マイコンからの駆動信号に基づき、第２のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴをＯＮするための信号を出力して、第
２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にして、負荷
に電流を流すことが可能になると共に、第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている第１のダイオ
ードが順方向接続状態となっているため、第１のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴと共に、第１のダイオードに電流が
流れるため、第１のダイオードにおけるドロップ電圧を
下げることができる。

【００４７】また、バッテリーが逆方向に接続され、か
つ、ＩＧＮＳＷがＯＮされた場合は、レギュレータラ
イン上の第３のダイオードが逆方向接続状態となるた
め、電流が流れず、マイコンが駆動せず、第２のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にするための信号を出力
する診断ロジックに駆動信号を出力するこができないた
め、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態とな
り、光ＭＯＳスイッチライン上の第１の光ＭＯＳスイッ
チが、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にす
るための信号を出力しないため、第１のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態となり、さらに、第１のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている第１のダイ
オードが逆方向接続状態となるため、バッテリー電圧が
クランプされ、負荷に電流が流れず、電子機器に電流が
流れることによる破壊を防止することができる。

【００４８】請求項１４記載の発明は、請求項１３記載
の発明において、前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）
が、前記バッテリーから供給された電圧により発光する
ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（１６）
と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅの発
光に基づき導通状態となる光ダイオード（１７）とを有
し、該光ダイオードから出力された信号が、前記第１の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）をＯＮさせることを
特徴とする。

【００４９】従って、この発明によれば、請求項１３記
載の発明の作用が得られると共に、第１の光ＭＯＳスイ
ッチがバッテリーが順方向に接続されている場合に、こ
のバッテリーから供給された電圧により発光するＬＥＤ
と、このＬＥＤからの光により導通状態となり、第１の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にするための信号
を出力する光ダイオードとから構成されているため、さ
らに確実に、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのＯＮ、
ＯＦＦのスイッチングを実行することができる。

【００５０】請求項１５記載の発明は、請求項１３又は
１４に記載の発明において、前記負荷（１０）が、自動
車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴とする。

【００５１】従って、この発明によれば、請求項１３又
は１４に記載の発明の作用が得られると共に、負荷が、
自動車電装分野のソレノイド負荷であることから、自動
車電装分野に適用することがさらに容易にすることがで
きる。

【００５２】請求項１６記載の発明は、端子Ｇから端子
Ｖへの方向を順方向として、バッテリー（４ａ）が接続
される端子Ｇ及び端子Ｖと、前記バッテリーと直列に接
続されるＩＧＮスイッチ（１１）と、前記バッテリーと
直列に接続され、第１の抵抗（３１）と、前記第１の抵
抗と直列に接続され、前記バッテリーが順方向に接続さ
れた場合、該バッテリーからの電圧に基づき第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）をＯＮさせるための信号
を出力する第１の光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）とを備えた
第１の光ＭＯＳスイッチラインと、前記第１の光ＭＯＳ
スイッチラインと並列に接続され、第２の抵抗（４０）
と、前記第２の抵抗と直列に接続され、前記バッテリー
が順方向に接続された場合、該バッテリーからの電圧に
基づき第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）をＯＮ
させるための信号を出力する第２の光ＭＯＳスイッチ
（９ｃ）とを備えた第２の光ＭＯＳスイッチラインとを
有する。

【００５３】さらに、前記第２の光ＭＯＳスイッチライ
ンと並列に接続され、前記Ｖ端子とソースとが接続さ
れ、前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）から出力され
た信号に基づきＯＮされる第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ（３ｂ）と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと
並列に接続され、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの
ソースからドレインへの方向が順方向となるように接続
された第１のダイオード（３６）と、前記第１のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と直列に接続されたレギュ
レータ（７）と、前記レギュレータと直列に接続され、
第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）をＯＮさせる
ための信号を出力する診断ロジック（８ｂ）とを備えた
レギュレータラインとを有する。

【００５４】さらに、前記レギュレータラインと並列に
接続され、負荷（１０）と、該負荷と直列に接続され、
前記負荷とソースとが接続され、前記第２の光ＭＯＳス
イッチ（９ｃ）から出力された信号によりＯＮされる第
２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）と、該第２のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）と並列に接続され、か
つ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースから
ドレインへの方向が順方向になるように接続された第２
のダイオード（３７）と、前記第２のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴと直列に接続され、かつ、前記第２のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴのドレインとドレインとが接続され、
前記診断ロジックから出力された信号によりＯＮされる
第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）と、該第３の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）と並列に接続され、
かつ、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
３のダイオード（３８）とを備えた負荷ラインとを有す
る。

【００５５】さらに、前記診断ロジック（８ｂ）と並列
に接続され、前記診断ロジックに前記第３のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号を出力させるた
めの駆動信号を出力するマイコン（５）とを有すること
を特徴とする。

【００５６】従って、この発明によれば、バッテリーが
順方向に接続され、かつ、ＩＧＮＳＷがＯＮされた状態
においては、第１の光ＭＯＳスイッチライン上の第１の
光ＭＯＳスイッチが、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
をＯＮさせるための信号を出力して、第１のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にして、この第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴに接続されているマイコン、及び診断
ロジックを動作可能とし、第２の光ＭＯＳスイッチライ
ン上の第２の光ＭＯＳスイッチが第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮ状態にするための信号を出力して、第
２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にし、診断ロ
ジックがマイコンから出力された駆動信号に基づき、第
３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にするための
信号を出力して、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯ
Ｎ状態にすることにより、負荷に電流を流すと共に、第
１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び、第２のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴのそれぞれに並列に接続されている第
１のダイオード、及び、第２のダイオードが共に順方向
接続状態となっているため、第１のダイオード及び第２
のダイオードにおけるドロップ電圧を下げることができ
る。

【００５７】また、バッテリーが逆方向に接続され、か
つ、ＩＧＮＳＷがＯＮされた状態においては、第１の
光ＭＯＳスイッチライン上の第１の光ＭＯＳスイッチか
ら第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮするための信
号が出力されず、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯ
ＦＦ状態になると共に、第２の光ＭＯＳスイッチライン
上の第２の光ＭＯＳスイッチから第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮ状態にするための信号が出力されず、
第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態になると
共に、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続さ
れている第１のダイオードが逆方向接続状態となってい
るため、マイコン、及び、診断ロジックが動作せず、従
って、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態と
なり、かつ、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に
接続されている第２のダイオードが逆方向接続状態とな
っているため、負荷に電流が流れないため、電流が流れ
ることによる電子機器の破壊を防止することができる。

【００５８】請求項１７記載の発明は、請求項１６記載
の発明において、前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）
及び第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）の少なくともいず
れか一方が、前記バッテリー（４ａ）から供給された電
圧により発光するＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏ
ｄｅ（３２，３４）と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎ
ｇＤｉｏｄｅの発光に基づき導通状態となる光ダイオ
ード（３３，３５）とを有し、該光ダイオードから出力
された信号が、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ若
しくは第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるこ
とを特徴とする。

【００５９】従って、この発明によれば、請求項１６記
載の発明の作用が得られると共に、第１の光ＭＯＳスイ
ッチ、及び、第２の光ＭＯＳスイッチの少なくともいず
れか一方が、バッテリーが順方向に接続された場合に発
光するＬＥＤと、このＬＥＤからの光に基づいて導通状
態となる光ダイオードとにより構成されているため、さ
らに確実に第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、若しく
は、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態とする
ことができる。

【００６０】請求項１８記載の発明は、請求項１６又は
１７に記載の発明において、前記負荷（１０）が、自動
車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴とする。

【００６１】従って、この発明によれば、請求項１６又
は１７に記載の発明の作用が得られると共に、負荷が、
自動車電装分野のソレノイド負荷であることから、自動
車電装分野に適用することをさらに容易にすることがで
きる。

【００６２】以上から、本発明における作用を総合する
と、システム毎に独立して保護回路を内蔵するため他の
システムに影響を与えず全てのシステムがダウンするこ
とがなく、また、Ｄｉと並列にＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
ＴをＯＮするためバッテリー順接続時のＤｉによるドロ
ップ電圧を下げることができる。

【００６３】

【発明の実施の形態】次に、本発明に係る、バッテリー
逆接続保護付きＩＰＤ、及びバッテリー逆接続保護付き
ＩＰＤを備えた駆動装置の実施形態について、図面を参
照して詳細に説明する。ただし、以下の説明において
は、本発明に係るバッテリー逆接続保護付きＩＰＤにつ
いては、バッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動
装置と共に説明する。

【００６４】図１に、本発明に係るバッテリー逆接続保
護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第１の実施形態の回路
図を示す。ただし、図３に示される、従来のバッテリー
逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置と同様な部材に
は、同じ番号を付す。

【００６５】図１に示されるように、このバッテリー逆
接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第１の実施形態
は、順方向のバッテリー４ａ、若しくは、逆方向のバッ
テリー４ｂが接続されるＧ端子と、Ｖ端子とを有する。
バッテリーとしては、一般的に１２Ｖのものを使用する
のが好ましい。ただし、Ｇ端子はグランドに接地されて
おり、さらに、Ｇ端子をマイナスにし、Ｖ端子をプラス
にした場合がバッテリーの順方向接続であるとする。

【００６６】また、このバッテリー逆接続保護付きＩＰ
Ｄを備えた駆動装置の全体の電源のＯＮ、ＯＦＦを決定
するＩＧＮＳＷ１１と、バッテリー４ａに直列に接続
され、Ｖ端子からＧ端子への方向が順方向となるＤｉ
（ダイオード）１２と、電流の調整を行うレギュレータ
７と、ＩＰＤ６ａに具備される診断ロジック８ａに駆動
信号を出力するマイコン５とを有する。

【００６７】さらに、バッテリーに直列に接続される負
荷１０と、ＩＰＤ６ａとを有する。ここで、負荷１０と
しては、一般的なソレノイド負荷を用いるのが好まし
い。

【００６８】前述のＩＰＤ６ａは、図１に示されるよう
に、バッテリー４ａと直列に接続され、かつ、Ｄｉ１２
に並列に接続されている抵抗１３と、この抵抗１３に直
列に接続され、バッテリーが順方向に接続されている場
合に、このバッテリーからの電圧に基づいてＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１ａをＯＮ状態（導通状態）にするため
の信号を出力する光ＭＯＳスイッチ９ａとを有する。

【００６９】この光ＭＯＳスイッチ９ａは、バッテリー
が順方向に接続されている場合（バッテリー４ａ）に発
光するＬＥＤ１６と、このＬＥＤ１６からの光に基づ
き、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａをＯＮさせるための
信号を出力する、少なくとも１以上の光ダイオード１７
とから構成されていることが好ましい。

【００７０】また、前述の負荷１０と直列に接続され、
Ｄｉ１２及び抵抗１３と並列に接続され、さらに、ソー
スが負荷１０に接続され、光ＭＯＳスイッチ９ａからの
信号に基づき、導通状態となるＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１ａと、このＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａと直列に
接続され、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａのドレインと
ドレインとが接続されているＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
２ａとを有している。

【００７１】さらに、前述のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
１ａには、このＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａと並列
に、かつ、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａのソースから
ドレインへの方向が順方向になるように接続されたＤｉ
１４が接続されており、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａ
には、このＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａと並列に、か
つ、このＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａのソースからド
レインへの方向が順方向になるように接続されたＤｉ１
５とが接続されている。

【００７２】ただし、上述の、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔに並列に接続されているダイオードには、Ｎｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴの寄生ダイオードが含まれるものとす
る。以下の説明においても同じである。

【００７３】また、マイコン５と並列に、診断ロジック
８ａが接続されており、この診断ロジック８ａは、マイ
コン５からの駆動信号に基づきＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ２ａをＯＮさせるための信号を出力すると共に、マイ
コン５に診断信号を出力する。

【００７４】すなわち、このバッテリー逆接続保護付き
ＩＰＤを備えた駆動装置は、１つのシステムとしての電
子部品が、マイコン５、ＩＰＤ６ａ、レギュレータ７で
構成される。

【００７５】マイコン５はＩＰＤ６ａに負荷１０に対す
る駆動信号を出力し、ＩＰＤ６ａはマイコン５に診断信
号を出力する。ソレノイド負荷としての負荷１０の駆動
に関しては、バッテリーの逆接続防止用にＤ−Ｓ間を反
転接続したＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａと、負荷１０
のＯＮ／ＯＦＦ制御用にＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａ
と、診断ロジック８ａをＩＰＤ６ａに内蔵する。

【００７６】さらに、バッテリーの接続方向によってＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａのゲート電圧を制御するた
めの光ＭＯＳスイッチ９ａをＩＰＤ６ａに内蔵する。な
お、レギュレータ７は逆接続保護用Ｄｉ１２を外付けに
配置する。

【００７７】次に、図１に示される本発明に係るバッテ
リー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第１の実
施形態の動作について、以下に説明する。

【００７８】まず、バッテリーが順方向に接続され、従
って、図１に示されるバッテリー４ａの状態で、端子Ｇ
と端子Ｖとの間に接続された状態について説明する。

【００７９】バッテリー４ａが順方向状態で接続され、
ＩＧＮＳＷ１１をＯＮすると、Ｄｉ１２が、Ｖ端子か
らＧ端子への方向が順方向接続となっているため、ま
ず、Ｄｉ１２、レギュレータ７、及びマイコン５により
構成されるレギュレータラインに電流が流れる。

【００８０】そして、レギュレータラインに電流が流れ
ると、レギュレータ７を経た電流は、マイコン５、診断
ロジック８ａに流入し、マイコン５を駆動可能にする。

【００８１】マイコン５は、駆動可能になると、駆動信
号を診断ロジック８ａに出力することにより、Ｎｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ２ａをＯＮ状態にするための信号を、
診断ロジック８ａに出力させる。

【００８２】診断ロジック８ａは、マイコン５からの駆
動信号に基づき、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａをＯＮ
させるための信号を出力して、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ２ａをＯＮ状態（導通状態）にする。

【００８３】一方、バッテリー４ａと直列に接続され、
かつ、抵抗１３と直列に接続されている光ＭＯＳスイッ
チ９ａは、バッテリー４ａが順方向に接続されている
と、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａをＯＮ状態にするた
めの信号を出力して、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａを
ＯＮ状態にする。

【００８４】具体的には、バッテリーが順方向に接続さ
れることにより、ＬＥＤ１６が発光し、この光により、
光ダイオード１７からＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａを
ＯＮ状態にするための信号が出力される。この光ＭＯＳ
スイッチ９ａからの信号により、ＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１ａがＯＮ状態（導通状態）となる。

【００８５】上述のように、バッテリーが順方向に接続
されると、負荷１０に直列に接続されているＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１ａ、及び、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
２ａは共にＯＮ状態となる。

【００８６】また、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａに並
列に接続されているＤｉ１４は、バッテリー４ａが順方
向に接続されていると、順方向接続となり、図１からも
明らかなように、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａだけで
なく、Ｄｉ１４にも電流が流れる。

【００８７】また、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａに並
列に接続されているＤｉ１５は、バッテリー４ａが順方
向に接続されていると、逆方向接続となりＤｉ１５には
電流は流れない。

【００８８】従って、バッテリーが順方向に接続されて
いる場合においては、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａ、
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａが共に導通状態となると
共に、Ｄｉ１４が順方向接続状態となっているので、こ
のＤｉ１４にも電流が流れ、負荷に電流を流すことがで
きると共に、Ｄｉ１４におけるドロップ電圧を下げるこ
とができる。

【００８９】次に、バッテリーが逆方向接続となってい
る場合（バッテリー４ｂ）について説明する。

【００９０】バッテリーが逆方向接続となっている状態
では、レギュレータライン上のＤｉ１２が逆方向状態と
なっているため、上述のレギュレータラインには電流が
流れない。

【００９１】従って、マイコン５が駆動されず、診断ロ
ジック８ａに駆動信号を出力することがなく、診断ロジ
ック８ａは、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａをＯＮ状態
にするための信号を出力しないので、ＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ２ａは非導通状態（ＯＦＦ状態）となる。

【００９２】また、光ＭＯＳスイッチ９ａにおいても、
バッテリーが逆方向接続となっているため、ＬＥＤ１６
が発光せず、光ダイオード１７から、ＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ１ａをＯＮ状態にするための信号が出力されな
いので、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａがＯＮ状態とな
ることはない。

【００９３】また、バッテリーが逆方向接続状態となっ
ている場合（バッテリー４ｂ）は、ＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴ２ａに並列に接続されているＤｉ１５は順方向と
なっているが、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａに並列に
接続されているＤｉ１４は、逆方向となっている。

【００９４】従って、バッテリーが逆方向接続状態とな
っている場合、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａがＯＦＦ
状態となり、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａがＯＦＦ状
態となり、Ｄｉ１４が逆方向接続状態となっているの
で、電圧がクランプされ、負荷に電流は流れず、従っ
て、バッテリーの逆接続時の各電子機器の破壊を防止す
ることができる。

【００９５】ここで、本発明に係るバッテリー逆接続保
護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第１の実施形態の動作
について、さらに詳細に説明する。バッテリーが順方向
接続の場合は、ＩＧＮＳＷ１１をＯＮすると、光ＭＯ
Ｓスイッチ９ａに発生した電圧がＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ１ａに印加され、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａは
ＯＮ状態となる。

【００９６】また、マイコン５の駆動信号に基づき、診
断ロジック８ａがＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａをＯＮ
するための信号を出力して、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
２ａをＯＮ状態にする。その結果、負荷ラインに電流が
流れるが、Ｄ−Ｓ間を反転接続したＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴ１ａ及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａに並列に
接続されているＤｉ１４に電流が分岐されるため、Ｄｉ
１４におけるドロップ電圧を下げることができる。

【００９７】一方、バッテリーが逆接続されている場合
は、光ＭＯＳスイッチ９ａに電圧が発生しないためＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａがＯＦＦ状態になると共に、
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ａに並列に接続されている
Ｄｉ１４により、バッテリーからの電圧がクランプさ
れ、電流は流れない。

【００９８】なお、レギュレータ７に直列に接続されて
いるＤｉ１２に流れる電流は５０ｍＡ程度と小さいため
Ｄｉ１２によるドロップ電圧は約０．６Ｖと小さい。

【００９９】また、図１からも明らかなように、バッテ
リーが逆に接続された場合の保護は、１つのシステムを
構成するＩＰＤ６ａのそれぞれについて行われているた
め、たとえＩＰＤ６ａ内部の保護素子がダウンしたとし
ても、他のシステムに影響を及ぼすことはなく、バッテ
リー逆接続時の保護効果をさらに向上させることができ
る。

【０１００】次に、本発明に係るバッテリー逆接続保護
付きＩＰＤを備えた駆動装置の第２の実施形態につい
て、図面を参照して詳細に説明する。図２に、本発明に
係るバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置
の第２の実施形態の回路図を示す。ただし、図１に示さ
れる本発明に係るバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備
えた駆動装置の第１の実施形態と同様な部材には同じ番
号を付す。

【０１０１】まず、この第２の実施形態に係るバッテリ
ー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置の構成につい
て、以下に説明する。

【０１０２】図２に示されるバッテリー逆接続保護付き
ＩＰＤを備えた駆動装置は、グランドに接地されている
Ｇ端子と、Ｖ端子とを有し、このＧ端子とＶ端子との間
にバッテリーが接続される。ここで、Ｇ端子をマイナス
にし、Ｖ端子をプラスにした状態を順方向のバッテリー
４ａとし、その逆接続を逆接続のバッテリー４ｂとす
る。

【０１０３】バッテリー４ａには直列に、この駆動装置
全体の電源のＯＮ、ＯＦＦを制御するためのＩＧＮＳ
Ｗ１１が接続されている。

【０１０４】また、バッテリー４ａに直列に抵抗３１
と、光ＭＯＳスイッチ９ｂとが接続され、第１の光ＭＯ
Ｓスイッチラインを構成している。

【０１０５】この光ＭＯＳスイッチ９ｂは、バッテリー
４ａが順方向に接続されている場合に発光するＬＥＤ３
２と、このＬＥＤ３２からの光に基づき、Ｎｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴ３ｂをＯＮさせるための信号を出力する、
少なくとも１以上の光ダイオード３３とから構成されて
いることが好ましい。

【０１０６】また、上述の第１の光ＭＯＳスイッチライ
ンに並列に接続された、抵抗４０と、光ＭＯＳスイッチ
９ｃとにより構成された第２の光ＭＯＳスイッチライン
を有している。

【０１０７】上述の光ＭＯＳスイッチ９ｃも、バッテリ
ー４ａが順方向に接続されている場合に発光するＬＥＤ
３４と、このＬＥＤ３４からの光に基づき、Ｎｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１ｂをＯＮさせるための信号を出力す
る、少なくとも１以上の光ダイオード３５とから構成さ
れていることが好ましい。

【０１０８】また、上述の第２の光ＭＯＳスイッチライ
ンと並列に接続され、光ＭＯＳスイッチ９ｂからの信号
に基づきＯＮ状態にされるＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３
ｂと、レギュレータ７と、診断ロジック８ｂとが直列に
接続された、レギュレータラインとを有する。

【０１０９】ここで、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂ
は、そのソースがＶ端子に接続されている。さらに、こ
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂに並列に、ソースから
ドレインへの方向が順方向となるようにダイオードＤｉ
３６が接続されている。

【０１１０】また、診断ロジック８ｂは、マイコン５か
ら出力された駆動信号に基づき、ＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ２ｂをＯＮさせるための信号を出力すると共に、マ
イコン５に診断信号を出力する。

【０１１１】また、上述のレギュレータラインに並列に
接続され、負荷１０と、光ＭＯＳスイッチ９ｃから出力
された信号によりＯＮ状態とされるＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴ１ｂと、診断ロジック８ｂから出力された信号に
基づきＯＮ状態にされるＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂ
とが直列に接続されている負荷ラインとを有する。

【０１１２】負荷ライン上の負荷１０は、一般的には、
自動車電装分野におけるソレノイド負荷が用いられる。

【０１１３】また、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂは、
ソースが負荷１０に接続されている。さらに、このＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂに並列に、そのソースからド
レインへの方向が順方向となるようにＤｉ３７が接続さ
れている。

【０１１４】また、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂは、
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂのドレインとドレインと
が接続されている。さらに、このＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ２ｂと並列に、そのソースからドレインへの方向が
順方向となるようにＤｉ３８が接続されている。

【０１１５】従って、この本発明に係るバッテリー逆接
続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第２の実施形態の
電子部品は、マイコン５、及びＩＰＤ６ｂで構成され
る。マイコン５はＩＰＤ６ｂに負荷１０に対する駆動信
号を出力し、ＩＰＤ６ｂはマイコン５に診断信号を出力
する。

【０１１６】ソレノイド負荷による負荷１０の駆動に関
しては、バッテリー逆接続防止用にＤ−Ｓ間を反転接続
したＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂと、負荷１０のＯＮ
／ＯＦＦ制御用のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂと診断
ロジック８ｂをＩＰＤ６ｂに内蔵する。

【０１１７】レギュレータ７に関しては、バッテリー逆
接続防止用にＤ−Ｓ間を反転接続したＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ３ｂをＩＰＤ６ｂに内蔵する。さらに、バッテ
リーの接続方向によってＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂ
及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂのゲート電圧を制御
するための光ＭＯＳスイッチ９ｂ、及び光ＭＯＳスイッ
チ９ｃをＩＰＤ６ｂに内蔵させる。

【０１１８】次に、図２に示される本発明に係るバッテ
リー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第２の実
施形態の動作について、以下に説明する。

【０１１９】まず、バッテリーが順方向に接続され、バ
ッテリー４ａとなっている場合、ＩＧＮＳＷ１１がＯ
Ｎされると、第１の光ＭＯＳスイッチライン上に電流が
流れ、光ＭＯＳスイッチ９ｂからＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴ３ｂをＯＮさせるための信号が出力される。

【０１２０】具体的には、バッテリーが順方向に接続さ
れると、光ＭＯＳスイッチ９ｂに具備されるＬＥＤ３２
が発光し、この光により光ダイオード３３からＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ３ｂをＯＮさせるための信号が出力さ
れる。

【０１２１】次に、第２の光ＭＯＳスイッチライン上に
電流が流れ、光ＭＯＳスイッチ９ｃからＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１ｂをＯＮさせるための信号が出力される。

【０１２２】具体的には、バッテリーが順方向に接続さ
れると、光ＭＯＳスイッチ９ｃに具備されるＬＥＤ３４
が発光し、この光により光ダイオード３５からＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ１ｂをＯＮさせるための信号が出力さ
れる。

【０１２３】次に、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂがＯ
Ｎ状態となっていることから、レギュレータライン上に
電流が流れ、レギュレータ７を経た電流が、マイコン
５、及び診断ロジック８ｂに入力し、マイコン５、及び
診断ロジック８ｂが動作可能状態となる。

【０１２４】動作可能状態となったマイコン５は、診断
ロジック８ｂに駆動信号を出力し、この駆動信号を受け
た診断ロジック８ｂは、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂ
をＯＮさせるための信号を出力し、ＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴ２ｂをＯＮ状態にする。

【０１２５】次に、負荷１０、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ１ｂ、及び、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂが直列に
接続されている負荷ライン上においては、バッテリーが
順方向に接続されていると、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
１ｂ、及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂが共にＯＮ状
態となっているため、負荷１０に電流を流すことができ
る。

【０１２６】ここで、バッテリーが順方向に接続されて
いると、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂ、及びＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ１ｂに並列に接続されているＤｉ３
６、及びＤｉ３７が順方向となり、ＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴ３ｂ及びＤｉ３６の両方、及びＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ１ｂ及びＤｉ３７の両方に電流が流れるため、
Ｄｉ３６、及びＤｉ３７におけるドロップ電圧を低減さ
せることができる。

【０１２７】次に、バッテリーが逆方向に接続され、バ
ッテリー４ｂとなっている場合の動作について説明す
る。

【０１２８】バッテリーが逆方向に接続されると、光Ｍ
ＯＳスイッチ９ｂにおけるＬＥＤ３２が発光せず、光ダ
イオード３３から、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂをＯ
Ｎさせるための信号が出力されないため、Ｎｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴ３ｂはＯＦＦ状態（非導通状態）になる。

【０１２９】さらに、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂに
並列に接続されているＤｉ３６も逆方向状態となってい
るので、電圧がクランプされ、電流が流れることはな
い。

【０１３０】また、バッテリーが逆方向に接続される
と、光ＭＯＳスイッチ９ｃにおけるＬＥＤ３４が発光せ
ず、光ダイオード３５から、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
１ｂをＯＮさせるための信号が出力されないため、Ｎｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂはＯＦＦ状態（非導通状態）
になる。

【０１３１】また、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂがＯ
ＦＦ状態であり、Ｄｉ３６が逆方向状態となっているた
め、レギュレータライン上に電流が流れず、マイコン
５、及び診断ロジック８ｂが動作可能状態になることは
ない。

【０１３２】そのため、診断ロジック８ｂからＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ２ｂをＯＮさせるための信号が出力さ
れないため、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂはＯＦＦ状
態となる。

【０１３３】従って、バッテリーが逆方向接続状態の場
合は、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂ、及びＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ２ｂがＯＦＦ状態になると共に、Ｎｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴ１ｂに並列に接続されているＤｉ３
７が逆方向状態となっているため、電圧がクランプさ
れ、負荷１０に電流が流れず、バッテリー逆接続時の電
子機器の破壊を防止することができる。

【０１３４】以上から、図２に示される、バッテリー逆
接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置の第２の実施形態
の動作について総合すると、バッテリーが順方向接続の
場合には、ＩＧＮＳＷ１１をＯＮすると、光ＭＯＳス
イッチ９ｂ、及び光ＭＯＳスイッチ９ｃに発生した電圧
がＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂ、及びＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴ１ｂに印加され、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
３ｂ、及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂはＯＮ状態に
なる。

【０１３５】また、マイコン５の駆動信号により診断ロ
ジック８ｂからＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂをＯＮさ
せるための信号が出力され、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
２ｂがＯＮ状態になると、負荷ライン上に電流が流れ、
負荷１０に電流が流入する。

【０１３６】この場合、Ｄ−Ｓ間を反転接続したＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴ１ｂ及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
１ｂに並列に接続されているＤｉ３７に電流が分岐され
るためドロップ電圧を下げることができる。

【０１３７】レギュレータライン上においてもＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ３ｂ及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３
ｂに並列に接続されているＤｉ３６に電流が分岐される
ためドロップ電圧を下げることができる。

【０１３８】一方、バッテリー逆接続時は、光ＭＯＳス
イッチ９ｂ及び光ＭＯＳスイッチ９ｃに電圧が発生しな
いため、ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂ及びＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ１ｂがＯＦＦ状態になると共に、Ｎｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴ１ｂに並列に接続されているＤｉ３
７及びＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂに並列に接続され
ているＤｉ３６によりバッテリー電圧がクランプされ、
電流は負荷ライン上に流れない。

【０１３９】また、図２からも明らかなように、バッテ
リーが逆方向に接続された場合の保護は、１つのシステ
ムを構成するＩＰＤ６ｂのそれぞれについて行われてい
るため、たとえＩＰＤ内部の保護素子がダウンしたとし
ても、他のシステムに影響を及ぼすことはなく、バッテ
リー逆接続時の保護効果をさらに向上させることができ
る。

【０１４０】

【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、ソ
レノイド負荷を駆動するための駆動装置及びレギュレー
タに逆接続保護用回路を内蔵したＩＰＤをシステム毎に
配置するため、バッテリー逆接続時に最悪１つのシステ
ムが破壊した場合でもシステム全体が破壊することを防
止することが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ及
びバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置を
提供することができる。

【０１４１】また、Ｄｉに並列にＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴをＯＮするため、バッテリーが順方向に接続された
場合のドロップ電圧を下げ、無効な消費電力を下げるこ
とが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ及びバッテ
リー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置を提供する
ことができる。

【０１４２】例えば、従来のＤｉだけの場合、１０Ａ流
すと約１Ｖのドロップ電圧が発生するため消費電力は１
０Ｗになる。一方、本発明の場合、Ｄｉと並列に配置し
たＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのオン抵抗を１０ｍΩとす
ると、ドロップ電圧は約０．１Ｖとなり消費電力は約１
Ｗとなる。このため本発明によれば、従来に比べて消費
電力を約１／１０に下げることが可能なバッテリー逆接
続保護付きＩＰＤ及びバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ
を備えた駆動装置を提供することができる。

【０１４３】すなわち、請求項２記載の発明によれば、
外部電源が順方向に接続された場合は、第１の光ＭＯＳ
スイッチから第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさ
せるための信号が出力されて第１のＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴがＯＮ状態になると共に、外部制御回路及び診断
ロジックが動作可能となり、診断ロジックからの信号に
基づき第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＮ状態とな
り、さらに、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に
接続されている第１のダイオードが順方向状態となって
いるため、外部電源、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ、及び第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに直列に接続
されている負荷に電流を流すことが可能になると共に、
第１のダイオードにおけるドロップ電圧を低減すること
が可能となる。

【０１４４】また、外部電源が逆方向に接続された場合
は、第１の光ＭＯＳスイッチから第１のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号が出力されず、第１
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態にされると共
に、レギュレータライン上に電流が流れないため、外部
制御回路、及び診断ロジックが動作せず、従って、第２
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号が
出力されず、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ
状態となる。さらに、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
に並列に接続されている第１のダイオードが逆方向接続
状態となっているため、外部電源、第１のＮｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴ、及び、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
に直列に接続されている負荷に電流が流れないため、外
部電源が逆接続された場合、各電子機器の破壊を防止す
ることが可能な外部電源逆接続保護付きＩＰＤを提供す
ることができる。

【０１４５】また、請求項３記載の発明によれば、請求
項２記載の発明の効果が得られると共に、第１の光ＭＯ
Ｓスイッチが外部電源が順方向に接続されている場合
に、この外部電源から供給された電圧により発光するＬ
ＥＤと、このＬＥＤからの光により導通状態となり、第
１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮするための信号を
出力する光ダイオードとから構成されているため、さら
に確実に、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのＯＮ、Ｏ
ＦＦのスイッチングを実行することが可能なバッテリー
逆接続保護付きＩＰＤを提供することができる。

【０１４６】また、請求項４記載の発明によれば、請求
項２又は３に記載の発明の効果が得られると共に、外部
電源として、バッテリーを用いることができるので、さ
らにその適用範囲を拡大することが可能なバッテリー逆
接続保護付きＩＰＤを提供することができる。

【０１４７】また、請求項５記載の発明によれば、請求
項２から４のいずれかに記載の発明の効果が得られると
共に、外部制御回路として、マイコンを用いることがで
きるので、診断ロジックの制御をより正確にし、従っ
て、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのＯＮ、ＯＦＦを
さらに確実に実行することが可能なバッテリー逆接続保
護付きＩＰＤを提供することができる。

【０１４８】また、請求項６記載の発明は、請求項２か
ら５のいずれかに記載の発明の効果が得られると共に、
外部負荷が、自動車電装分野のソレノイド負荷であるこ
とから、このバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを自動車
電装分野に適用することをさらに容易にすることが可能
なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを提供することがで
きる。

【０１４９】また、請求項７記載の発明によれば、外部
電源が順方向に接続された場合、外部電源に直列に接続
されている第１の光ＭＯＳスイッチが、第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号を出力して、
第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にし、この
第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＮ状態になること
により、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに接続されて
いる診断ロジック、及び外部制御回路が動作可能にな
り、この外部制御回路から出力された駆動信号により、
診断ロジックから第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯ
Ｎさせるための信号が出力され、第３のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴがＯＮ状態となる。

【０１５０】さらに、外部電源と直列に接続されている
第２の光ＭＯＳスイッチが第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴをＯＮ状態にするための信号を出力することによ
り、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＮ状態とな
り、外部電源に直列に接続されている外部負荷、第２の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び第３のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴが導通状態になり、外部負荷に電流を流すこ
とが可能になる。

【０１５１】この際、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
に並列に接続されている第１のダイオード、及び、第２
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている第
２のダイオードがそれぞれ順方向接続状態となっている
ため、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと第１のダイオ
ードの両方に電流が流れ、さらに、第２のＮｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴと第２のダイオードの両方に電流が流れる
ため、第１のダイオード、及び、第２のダイオードにお
けるドロップ電圧を低減させることが可能となる。

【０１５２】また、外部電源が逆方向に接続されている
場合は、第１の光ＭＯＳスイッチ及び第２の光ＭＯＳス
イッチからそれぞれ、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
をＯＮさせるための信号、及び、第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号が出力されないた
め、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び、第２のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがそれぞれＯＦＦ状態となる。

【０１５３】従って、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
に接続されている外部制御回路、及び、診断ロジックが
動作不可能状態となるため、診断ロジックから第３のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号が出力
されず、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴはＯＦＦ状態
となる。

【０１５４】従って、外部電源に直列に接続されている
外部負荷、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び、第
３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴには電流が流れず、さら
に、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続され
ている第２のダイオードが逆接続状態となっているた
め、電圧がクランプされるので、外部電源を逆接続した
時の各電子機器の破壊を防止することが可能なバッテリ
ー逆接続保護付きＩＰＤを提供することができる。

【０１５５】また、請求項８記載の発明によれば、請求
項７記載の発明の効果が得られると共に、第１の光ＭＯ
Ｓスイッチ、及び、第２の光ＭＯＳスイッチの少なくと
もいずれか一方が、外部電源が順方向に接続された場合
に発光するＬＥＤと、このＬＥＤからの光に基づいて導
通状態となる光ダイオードとにより構成されているた
め、さらに確実に第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、若
しくは、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態と
することが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを提
供することができる。

【０１５６】また、請求項９記載の発明によれば、請求
項７又は８に記載の発明の効果が得られると共に、外部
電源が、バッテリーであることから、このバッテリー逆
接続保護付きＩＰＤの適用範囲をさらに拡大することが
可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを提供すること
ができる。

【０１５７】また、請求項１０記載の発明によれば、請
求項７から９のいずれかに記載の発明の効果が得られる
と共に、外部制御回路が、マイコンであることから、診
断ロジックの制御をより容易に行うことができ、その結
果、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのＯＮ、ＯＦＦ状
態の変更をさらに確実に実行することが可能なバッテリ
ー逆接続保護付きＩＰＤを提供することができる。

【０１５８】また、請求項１１記載の発明によれば、請
求項７から１０のいずれかに記載の発明の効果が得られ
ると共に、外部負荷が、自動車電装分野のソレノイド負
荷であることから、このバッテリー逆接続保護付きＩＰ
Ｄを自動車電装分野に適用することをさらに容易にする
ことが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを提供す
ることができる。

【０１５９】また、請求項１３記載の発明は、バッテリ
ーが順方向に接続され、ＩＧＮＳＷがＯＮされた場
合、バッテリーに直列に接続されているレギュレータラ
インに電流が流れ、マイコン、及び診断ロジックを動作
可能にし、さらに、マイコンからの駆動信号により、診
断ロジックが第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさ
せるための信号を出力して、第２のＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴをＯＮ状態にする。

【０１６０】また、バッテリーに直列に接続されている
光ＭＯＳスイッチが、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
をＯＮするための信号を出力して、第１のＮｃｈパワー
ＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にする。

【０１６１】従って、負荷、第１のＮｃｈパワーＭＯＳ
ＦＥＴ、及び、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが直列
に接続されている負荷ラインが導通状態となっているた
め、負荷に電流を流すことが可能になると共に、第１の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されている第１
のダイオードが順方向接続状態となっているため、第１
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び、第１のダイオード
の両方に電流が流れ、第１のダイオードにおけるドロッ
プ電圧を低減することができる。

【０１６２】さらに、バッテリーが逆接続状態の場合
は、第３のダイオードが逆方向接続状態となっているた
め、レギュレータラインに電流が流れず、従って、マイ
コン、及び、診断ロジックに電流が流れないため、第２
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態とすることがで
きず、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態と
なり、さらに、第１の光ＭＯＳスイッチが、第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号を出力し
ないため、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状
態となる。

【０１６３】さらに、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
に並列に接続されている第１のダイオードが逆方向接続
状態となっているため、電圧がクランプされ、負荷ライ
ンに電流が流れないため、バッテリーが逆接続の場合の
各電子機器の破壊を有効に防止することが可能なバッテ
リー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置を提供する
ことができる。

【０１６４】また、請求項１４記載の発明によれば、請
求項１３記載の発明の効果が得られると共に、第１の光
ＭＯＳスイッチがバッテリーが順方向に接続されている
場合に、このバッテリーから供給された電圧により発光
するＬＥＤと、このＬＥＤからの光により導通状態とな
り、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にする
ための信号を出力する光ダイオードとから構成されてい
るため、さらに確実に、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
ＴのＯＮ、ＯＦＦのスイッチングを実行することが可能
なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置を
提供することができる。

【０１６５】また、請求項１５記載の発明によれば、請
求項１３又は１４に記載の発明の効果が得られると共
に、負荷が、自動車電装分野のソレノイド負荷であるこ
とから、自動車電装分野に適用することをさらに容易に
することが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備
えた駆動装置を提供することができる。

【０１６６】また、請求項１６記載の発明によれば、バ
ッテリーが順方向に接続され、かつ、ＩＧＮＳＷがＯ
Ｎされた場合、バッテリーに直列に接続されている第１
の光ＭＯＳスイッチが第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
をＯＮさせるための信号を出力して、第１のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にする。そして、第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＮ状態となることにより、マ
イコン、及び診断ロジックが動作可能になり、診断ロジ
ックから出力された信号により、第３のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴがＯＮ状態となる。

【０１６７】また、バッテリーが順方向に接続されてい
ると、第２の光ＭＯＳスイッチが第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号を出力して、第２の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にする。

【０１６８】従って、バッテリーが順方向に接続されて
いる場合は、負荷、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、
及び、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴにより構成され
る負荷ラインが導通状態となっているため、負荷に電流
を流すことが可能になると共に、第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴに並列に接続されている第２のダイオードが
順方向接続状態となっているため、この第２のダイオー
ドにも電流が流れ、従って、第２のダイオードにおける
ドロップ電圧を低減させることが可能になる。

【０１６９】バッテリーが逆方向に接続されている場合
は、第１の光ＭＯＳスイッチ、及び、第２の光ＭＯＳス
イッチから、それぞれ第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
をＯＮ状態にするための信号、及び、第２のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴをＯＮ状態にするための信号が出力され
ず、第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び第２のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態となり、かつ、この
第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続されてい
る第１のダイオードが逆方向接続状態となっているた
め、マイコン、及び診断ロジックが動作することができ
ず、従って、診断ロジックから、第３のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴをＯＮさせるための信号が出力されないた
め、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態とな
る。

【０１７０】従って、バッテリーが逆方向接続の場合
は、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び、第３のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＦＦ状態となり、か
つ、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続され
ている第２のダイオードが逆方向接続状態となっている
ため、バッテリー電圧がクランプされ、負荷、第２のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ、及び、第３のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴにより形成される負荷ラインに電流が流れな
いため、バッテリーを逆接続した場合の、電流が流れる
ことによる、各電子機器の破壊を有効に防止することが
可能になる。

【０１７１】さらに、各システム毎に独立にバッテリー
逆接続時の保護素子を導入しているため、１つのシステ
ムがダウンしても、全体のシステムがダウンすることが
なく、より確実に、バッテリー逆接続時の保護を図るこ
とが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆
動装置を提供することができる。

【０１７２】また、請求項１７記載の発明によれば、請
求項１６記載の発明の効果が得られると共に、第１の光
ＭＯＳスイッチ、及び、第２の光ＭＯＳスイッチの少な
くともいずれか一方が、バッテリーが順方向に接続され
た場合に発光するＬＥＤと、このＬＥＤからの光に基づ
いて導通状態となる光ダイオードとにより構成されてい
るため、さらに確実に第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ、若しくは、第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ
状態とすることが可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰ
Ｄを備えた駆動装置を提供することができる。

【０１７３】請求項１８記載の発明によれば、請求項１
６又は１７に記載の発明の効果が得られると共に、負荷
が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることから、
自動車電装分野に適用することをさらに容易にすること
が可能なバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動
装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ
を備えた駆動装置の第１の実施形態の回路図である。

【図２】本発明に係るバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ
を備えた駆動装置の第２の実施形態の回路図である。

【図３】従来例のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備
えた駆動装置の回路図である。

【符号の説明】

１ａＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ１ｂＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ａＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ２ｂＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ３ｂＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ４ａバッテリー（順方向）４ｂバッテリー（逆方向）５マイコン６ａ，６ｂＩＰＤ７レギュレータ８ａ，８ｂ診断ロジック９ａ，９ｂ，９ｃ光ＭＯＳスイッチ１０負荷１１ＩＧＮＳＷ１２ダイオード１３抵抗１４ダイオード１５ダイオード１６ＬＥＤ１７光ダイオード３１抵抗３２ＬＥＤ３３光ダイオード３４ＬＥＤ３５光ダイオード３６，３７，３８ダイオード４０抵抗

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１のダイオードが、ソース・ドレイン
間に並列に接続されている第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦ
ＥＴと、第２のダイオードが、ソース・ドレイン間に並列に接続
されている第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴとを有し、バッテリーが順方向に接続されている場合には、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＮ状態となり、かつ、前記第１のダイオードが順方向、かつ、前記第２のダイ
オードが逆方向となり、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと前記第１のダイ
オードとを電流が流れることにより、第１のダイオード
におけるドロップ電圧を低減させ、バッテリーが逆方向
に接続されている場合には、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＦＦ状態となり、かつ、前記第１のダイオードが逆方向となり、電圧をクランプ
することにより、バッテリーが逆接続の場合の電子機器
の破壊を防止することを特徴とするバッテリー逆接続保
護付きＩＰＤ。
【請求項２】外部電源（４ａ）と直列に接続されてい
る抵抗（１３）と直列に接続され、外部電源が順方向に
接続された場合、該外部電源からの電圧に基づき第１の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）をＯＮさせるための
信号を出力する第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）と、前記外部電源と直列に接続され、前記抵抗（１３）と並
列に接続されている外部負荷（１０）と直列に接続さ
れ、かつ、前記外部負荷とソースとが接続され、前記第
１の光ＭＯＳスイッチから出力された信号によりＯＮさ
れる第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続され、
かつ、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
１のダイオード（１４）と、外部制御回路（５）から出力された駆動信号に基づき、
第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ａ）をＯＮさせる
ための信号を出力する診断ロジック（８ａ）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）と直列に
接続され、かつ、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
のドレインとドレインとが接続され、前記診断ロジック
から出力された信号によりＯＮされる第２のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ（２ａ）と、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
かつ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
２のダイオード（１５）とを有することを特徴とするバ
ッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項３】前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）
が、前記外部電源から供給された電圧により発光するＬｉｇ
ｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（１６）と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅの発光に
基づき導通状態となる光ダイオード（１７）とを有し、該光ダイオードから出力された信号が、前記第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮさせることを特徴とする請
求項２記載のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項４】前記外部電源（４ａ）が、バッテリーであることを特徴とする請求項２又は３に記
載のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項５】前記外部制御回路（５）が、マイコンであることを特徴とする請求項２から４のいず
れかに記載のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項６】前記外部負荷（１０）が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴とす
る請求項２から５のいずれかに記載のバッテリー逆接続
保護付きＩＰＤ。
【請求項７】外部電源（４ａ）と直列に接続されてい
る第１の抵抗（３１）と直列に接続され、該外部電源が
順方向に接続された場合、該外部電源からの電圧に基づ
き第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）をＯＮさせ
るための信号を出力する第１の光ＭＯＳスイッチ（９
ｂ）と、外部電源（４ａ）と直列に接続され、かつ、前記第１の
抵抗（３１）と並列に接続されている第２の抵抗（４
０）と直列に接続され、外部電源が順方向に接続された
場合、該外部電源からの電圧に基づき第２のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）をＯＮさせるための信号を出力
する第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）と、前記外部電源と直列に接続され、前記第１の抵抗（３
１）と並列に接続され、前記第１の光ＭＯＳスイッチ
（９ｂ）から出力された信号に基づきＯＮされる第１の
ＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
かつ、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
１のダイオード（３６）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と直列に
接続されたレギュレータ（７）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び前記レギュレ
ータと直列に接続され、外部制御回路から出力された駆
動信号に基づき、第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２
ｂ）をＯＮさせるための信号を出力する診断ロジック
（８ｂ）と、前記外部電源に直列に接続され、かつ、前記第１の抵抗
と並列に接続されている外部負荷（１０）と直列に接続
され、かつ、前記外部負荷とソースとが接続され、前記
第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）から出力された信号に
よりＯＮされる第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１
ｂ）と、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
かつ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
２のダイオード（３７）と、前記第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）と直列に
接続され、かつ、前記第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
のドレインとドレインとが接続され、前記診断ロジック
（８ｂ）から出力された信号に基づきＯＮする第３のＮ
ｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）と、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴに並列に接続され、
かつ、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
３のダイオード（３８）とを有することを特徴とするバ
ッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項８】前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）及
び第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）の少なくともいずれ
か一方が、前記外部電源から供給された電圧により発光するＬｉｇ
ｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（３２，３４）
と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅの発光に
基づき導通状態となる光ダイオード（３３，３５）とを
有し、該光ダイオードから出力された信号が、前記第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）若しくは第２のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）をＯＮさせることを特徴とす
る請求項７記載のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項９】前記外部電源（４ａ）が、バッテリーであることを特徴とする請求項７又は８に記
載のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項１０】前記外部制御回路（５）が、マイコンであることを特徴とする請求項７から９のいず
れかに記載のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤ。
【請求項１１】前記外部負荷（１０）が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴とす
る請求項７から１０のいずれかに記載のバッテリー逆接
続保護付きＩＰＤ。
【請求項１２】Ｖ端子と、ＧＮＤ端子であるＧ端子と
の間において、Ｇ端子からＶ端子への方向を順方向とし
てバッテリーが接続され、前記バッテリーと直列に接続される負荷と、前記負荷と直列に接続され、第１のダイオードが、ソー
ス・ドレイン間に並列に接続されている第１のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴと、前記負荷と直列に接続され、第２のダイオードが、ソー
ス・ドレイン間に並列に接続されている第２のＮｃｈパ
ワーＭＯＳＦＥＴとを有し、バッテリーが順方向に接続されている場合には、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＮ状態となり、かつ、前記第１のダイオードが順方向、かつ、前記第２のダイ
オードが逆方向となり、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと前記第１のダイ
オードとを電流が流れることにより、第１のダイオード
におけるドロップ電圧を低減させ、バッテリーが逆方向に接続されている場合には、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ及び第２のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴが共にＯＦＦ状態となり、かつ、前記第１のダイオードが逆方向となり、電圧をクランプ
することにより、バッテリーが逆接続の場合の電子機器
の破壊を防止することを特徴とするバッテリー逆接続保
護付きＩＰＤを備えた駆動装置。
【請求項１３】端子Ｇから端子Ｖへの方向を順方向と
して、バッテリー（４ａ）が接続される端子Ｇ及び端子
Ｖと、前記バッテリーと直列に接続されるＩＧＮスイッチ（１
１）と、前記バッテリーと直列に接続され、前記端子Ｖから端子Ｇへの方向が順方向となるように接
続された第３のダイオード（１２）と、該第３のダイオードと直列に接続されたレギュレータ
（７）と、該レギュレータと直列に接続されたマイコン（５）とを
備えたレギュレータラインと、前記レギュレータラインと並列に接続され、抵抗（１３）と、前記抵抗と直列に接続され、前記バッテリーが順方向に
接続された場合、該バッテリーからの電圧に基づき第１
のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）をＯＮさせるため
の信号を出力する第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）とを
備えた光ＭＯＳスイッチラインと、前記光ＭＯＳスイッチラインと並列に接続され、負荷（１０）と、該負荷と直列に接続され、前記負荷とソースとが接続さ
れ、前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）から出力され
た信号によりＯＮされる第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ（１ａ）と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
かつ、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
１のダイオード（１４）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）と直列に
接続され、かつ、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ
のドレインとドレインとが接続され、診断ロジック（８
ａ）から出力された信号によりＯＮされる第２のＮｃｈ
パワーＭＯＳＦＥＴ（２ａ）と、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
かつ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、ソースか
らドレインへの方向が順方向になるように接続された第
２のダイオード（１５）とを備えた負荷ラインと、前記マイコン（５）と並列に接続され、前記マイコンか
ら出力された駆動信号に基づき、第２のＮｃｈパワーＭ
ＯＳＦＥＴ（２ａ）をＯＮさせるための信号を出力する
診断ロジック（８ａ）とを有することを特徴とするバッ
テリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置。
【請求項１４】前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ａ）
が、前記バッテリーから供給された電圧により発光するＬｉ
ｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（１６）と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅの発光に
基づき導通状態となる光ダイオード（１７）とを有し、該光ダイオードから出力された信号が、前記第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ａ）をＯＮさせることを特徴
とする請求項１３記載のバッテリー逆接続保護付きＩＰ
Ｄを備えた駆動装置。
【請求項１５】前記負荷（１０）が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴とす
る請求項１３又は１４に記載のバッテリー逆接続保護付
きＩＰＤを備えた駆動装置。
【請求項１６】端子Ｇから端子Ｖへの方向を順方向と
して、バッテリー（４ａ）が接続される端子Ｇ及び端子Ｖと、前記バッテリーと直列に接続されるＩＧＮスイッチ（１
１）と、前記バッテリーと直列に接続され、第１の抵抗（３１）と、前記第１の抵抗と直列に接続され、前記バッテリーが順
方向に接続された場合、該バッテリーからの電圧に基づ
き第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）をＯＮさせ
るための信号を出力する第１の光ＭＯＳスイッチ（９
ｂ）とを備えた第１の光ＭＯＳスイッチラインと、前記第１の光ＭＯＳスイッチラインと並列に接続され、第２の抵抗（４０）と、前記第２の抵抗と直列に接続され、前記バッテリーが順
方向に接続された場合、該バッテリーからの電圧に基づ
き第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）をＯＮさせ
るための信号を出力する第２の光ＭＯＳスイッチ（９
ｃ）とを備えた第２の光ＭＯＳスイッチラインと、前記第２の光ＭＯＳスイッチラインと並列に接続され、前記Ｖ端子とソースとが接続され、前記第１の光ＭＯＳ
スイッチ（９ｂ）から出力された信号に基づきＯＮされ
る第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と、該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと並列に接続され、
該第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのソースからドレイ
ンへの方向が順方向となるように接続された第１のダイ
オード（３６）と、前記第１のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（３ｂ）と直列に
接続されたレギュレータ（７）と、前記レギュレータと直列に接続され、第３のＮｃｈパワ
ーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）をＯＮさせるための信号を出力
する診断ロジック（８ｂ）とを備えたレギュレータライ
ンと、前記レギュレータラインと並列に接続され、負荷（１０）と、該負荷と直列に接続され、前記負荷とソースとが接続さ
れ、前記第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）から出力され
た信号によりＯＮされる第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥ
Ｔ（１ｂ）と、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（１ｂ）と並列に接
続され、かつ、該第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、
ソースからドレインへの方向が順方向になるように接続
された第２のダイオード（３７）と、前記第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴと直列に接続さ
れ、かつ、前記第２のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴのドレ
インとドレインとが接続され、前記診断ロジックから出
力された信号によりＯＮされる第３のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴ（２ｂ）と、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴ（２ｂ）と並列に接
続され、かつ、該第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴの、
ソースからドレインへの方向が順方向になるように接続
された第３のダイオード（３８）とを備えた負荷ライン
と、前記診断ロジック（８ｂ）と並列に接続され、前記診断
ロジックに前記第３のＮｃｈパワーＭＯＳＦＥＴをＯＮ
させるための信号を出力させるための駆動信号を出力す
るマイコン（５）とを有することを特徴とするバッテリ
ー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置。
【請求項１７】前記第１の光ＭＯＳスイッチ（９ｂ）
及び第２の光ＭＯＳスイッチ（９ｃ）の少なくともいず
れか一方が、前記バッテリー（４ａ）から供給された電圧により発光
するＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅ（３
２，３４）と、該ＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅの発光に
基づき導通状態となる光ダイオード（３３，３５）とを
有し、該光ダイオードから出力された信号が、前記第１のＮｃ
ｈパワーＭＯＳＦＥＴ若しくは第２のＮｃｈパワーＭＯ
ＳＦＥＴをＯＮさせることを特徴とする請求項１６記載
のバッテリー逆接続保護付きＩＰＤを備えた駆動装置。
【請求項１８】前記負荷（１０）が、自動車電装分野のソレノイド負荷であることを特徴とす
る請求項１６又は１７に記載のバッテリー逆接続保護付
きＩＰＤを備えた駆動装置。