JP2010062265A - 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 - Google Patents

可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010062265A
JP2010062265A JP2008225157A JP2008225157A JP2010062265A JP 2010062265 A JP2010062265 A JP 2010062265A JP 2008225157 A JP2008225157 A JP 2008225157A JP 2008225157 A JP2008225157 A JP 2008225157A JP 2010062265 A JP2010062265 A JP 2010062265A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electrode
film
forming
variable resistor
insulating film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2008225157A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2010062265A5 (enrdf_load_stackoverflow
Inventor
Yoshiaki Tabuchi
良志明 田渕
Yasunari Hosoi
康成 細井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2008225157A priority Critical patent/JP2010062265A/ja
Publication of JP2010062265A publication Critical patent/JP2010062265A/ja
Publication of JP2010062265A5 publication Critical patent/JP2010062265A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Semiconductor Memories (AREA)
JP2008225157A 2008-09-02 2008-09-02 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 Pending JP2010062265A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008225157A JP2010062265A (ja) 2008-09-02 2008-09-02 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008225157A JP2010062265A (ja) 2008-09-02 2008-09-02 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010062265A true JP2010062265A (ja) 2010-03-18
JP2010062265A5 JP2010062265A5 (enrdf_load_stackoverflow) 2010-11-18

Family

ID=42188770

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008225157A Pending JP2010062265A (ja) 2008-09-02 2008-09-02 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2010062265A (enrdf_load_stackoverflow)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011030559A1 (ja) * 2009-09-14 2011-03-17 パナソニック株式会社 不揮発性記憶装置及びその製造方法
WO2013046603A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法
WO2013136798A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 日本電気株式会社 抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法
WO2014076869A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子及びその製造方法
KR20150005509A (ko) * 2011-12-16 2015-01-14 인터몰레큘러 인코퍼레이티드 금속 질화물 함유 스위칭 층을 갖는 비휘발성 저항 메모리 소자
CN104347662A (zh) * 2013-07-26 2015-02-11 科洛斯巴股份有限公司 具有增强电场的三维双端存储器
US20150137059A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Resistive Random Access Memory (RRAM) with Improved Forming Voltage Characteristics and Method for Making
WO2016105673A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-30 Silicon Storage Technology, Inc. Geometrically enhanced resistive random access memory (rram) cell and method of forming same
WO2017170149A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 日本電気株式会社 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
JP2019062183A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． イメージセンサ
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
US10910561B1 (en) 2012-04-13 2021-02-02 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
CN113270543A (zh) * 2020-02-17 2021-08-17 铠侠股份有限公司 半导体存储装置
US11094883B2 (en) 2019-10-31 2021-08-17 International Business Machines Corporation Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament
CN115377286A (zh) * 2022-06-21 2022-11-22 昕原半导体(杭州)有限公司 阻变存储器及其制造方法和电子装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059914A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Samsung Electronics Co Ltd イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法
JP2008306005A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059914A (ja) * 2005-08-24 2007-03-08 Samsung Electronics Co Ltd イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法
JP2008306005A (ja) * 2007-06-07 2008-12-18 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法

Cited By (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8492743B2 (en) 2009-09-14 2013-07-23 Panasonic Corporation Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same
JP4722236B2 (ja) * 2009-09-14 2011-07-13 パナソニック株式会社 不揮発性記憶装置及びその製造方法
US8389972B2 (en) 2009-09-14 2013-03-05 Panasonic Corporation Nonvolatile memory device and method of manufacturing the same
WO2011030559A1 (ja) * 2009-09-14 2011-03-17 パナソニック株式会社 不揮発性記憶装置及びその製造方法
JP5404977B2 (ja) * 2011-09-27 2014-02-05 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法
US9082974B2 (en) 2011-09-27 2015-07-14 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nonvolatile memory element, nonvolatile memory device, and methods of manufacturing the same
WO2013046603A1 (ja) * 2011-09-27 2013-04-04 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置及びそれらの製造方法
KR101972195B1 (ko) * 2011-12-16 2019-04-24 인터몰레큘러 인코퍼레이티드 금속 질화물 함유 스위칭 층을 갖는 비휘발성 저항 메모리 소자
KR20150005509A (ko) * 2011-12-16 2015-01-14 인터몰레큘러 인코퍼레이티드 금속 질화물 함유 스위칭 층을 갖는 비휘발성 저항 메모리 소자
JPWO2013136798A1 (ja) * 2012-03-16 2015-08-03 日本電気株式会社 抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法
WO2013136798A1 (ja) * 2012-03-16 2013-09-19 日本電気株式会社 抵抗変化素子、その抵抗変化素子を有する半導体装置、その半導体装置の製造方法およびその抵抗変化素子を用いたプログラミング方法
US9548115B2 (en) 2012-03-16 2017-01-17 Nec Corporation Variable resistance element, semiconductor device having variable resistance element, semiconductor device manufacturing method, and programming method using variable resistance element
US10910561B1 (en) 2012-04-13 2021-02-02 Crossbar, Inc. Reduced diffusion in metal electrode for two-terminal memory
JP5555821B1 (ja) * 2012-11-14 2014-07-23 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子及びその製造方法
WO2014076869A1 (ja) * 2012-11-14 2014-05-22 パナソニック株式会社 不揮発性記憶素子及びその製造方法
US9172038B2 (en) 2012-11-14 2015-10-27 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Nonvolatile memory element and method of manufacturing the same
CN104347662A (zh) * 2013-07-26 2015-02-11 科洛斯巴股份有限公司 具有增强电场的三维双端存储器
US20150137059A1 (en) * 2013-11-15 2015-05-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Resistive Random Access Memory (RRAM) with Improved Forming Voltage Characteristics and Method for Making
KR101851101B1 (ko) * 2013-11-15 2018-04-20 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드 개선된 형성 전압 특성을 갖는 저항성 랜덤 액세스 메모리 (ｒｒａｍ) 및 이의 제조 방법
US9985203B2 (en) * 2013-11-15 2018-05-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Resistive random access memory (RRAM) with improved forming voltage characteristics and method for making
US10290801B2 (en) 2014-02-07 2019-05-14 Crossbar, Inc. Scalable silicon based resistive memory device
WO2016105673A1 (en) * 2014-12-23 2016-06-30 Silicon Storage Technology, Inc. Geometrically enhanced resistive random access memory (rram) cell and method of forming same
JP2018506846A (ja) * 2014-12-23 2018-03-08 シリコン ストーリッジ テクノロージー インコーポレイテッドＳｉｌｉｃｏｎ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ， Ｉｎｃ． 幾何学的に改良された抵抗変化型メモリ（ｒｒａｍ）セル及びその形成方法
CN107278320A (zh) * 2014-12-23 2017-10-20 硅存储技术公司 几何增强电阻式随机存取存储器(rram)单元及其形成方法
CN107278320B (zh) * 2014-12-23 2020-10-23 硅存储技术公司 几何增强电阻式随机存取存储器(rram)单元及其形成方法
TWI596607B (zh) * 2014-12-23 2017-08-21 超捷公司 幾何強化電阻式隨機存取記憶體（ｒｒａｍ）單元以及其形成方法
WO2017170149A1 (ja) * 2016-03-30 2017-10-05 日本電気株式会社 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
US10615339B2 (en) 2016-03-30 2020-04-07 Nec Corporation Variable resistance element and method for fabricating the variable resistance element
JPWO2017170149A1 (ja) * 2016-03-30 2019-02-07 日本電気株式会社 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
JP7165976B2 (ja) 2016-03-30 2022-11-07 ナノブリッジ・セミコンダクター株式会社 抵抗変化素子、および抵抗変化素子の製造方法
JP2019062183A (ja) * 2017-09-25 2019-04-18 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． イメージセンサ
US11094883B2 (en) 2019-10-31 2021-08-17 International Business Machines Corporation Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament
US11937521B2 (en) 2019-10-31 2024-03-19 International Business Machines Corporation Structure and method to fabricate resistive memory with vertical pre-determined filament
CN113270543A (zh) * 2020-02-17 2021-08-17 铠侠股份有限公司 半导体存储装置
US11482572B2 (en) 2020-02-17 2022-10-25 Kioxia Corporation Semiconductor memory device with resistance change memory element and manufacturing method of semiconductor memory device with resistance change memory element
CN113270543B (zh) * 2020-02-17 2024-10-18 铠侠股份有限公司 半导体存储装置
CN115377286A (zh) * 2022-06-21 2022-11-22 昕原半导体(杭州)有限公司 阻变存储器及其制造方法和电子装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2010062265A (ja) 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法
CN100593868C (zh) 非易失性存储器件及其制造方法
JP4061328B2 (ja) 可変抵抗素子及びその製造方法
JP4577695B2 (ja) 半導体記憶装置及び半導体記憶装置の製造方法
TWI338392B (en) Phase-change memory element and method for fabricating the same
CN101866942B (zh) 环状电极及其制造方法
JP3896576B2 (ja) 不揮発性メモリおよびその製造方法
JP5016699B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
JP5996324B2 (ja) 不揮発性半導体記憶装置とその製造方法
TWI324823B (en) Memory device and fabrications thereof
JP4560818B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
US8916847B2 (en) Variable resistance memory device and method for fabricating the same
US20080035961A1 (en) Phase-change memory and fabrication method thereof
WO2007125674A1 (ja) 可変抵抗素子及びその製造方法
CN102656689B (zh) 存储装置及其制造方法
JP2006210882A (ja) 抵抗体を利用した不揮発性メモリ素子及びその製造方法
JP5308105B2 (ja) 可変抵抗素子及びその製造方法
JP2007019475A (ja) 相変化メモリ素子及びその製造方法
CN102217067A (zh) 非易失性存储装置及其制造方法
JP2009071304A (ja) 抵抗変化型メモリ素子及びその形成方法
US8345463B2 (en) Resistive memory device and method for fabricating the same
JP4648940B2 (ja) 可変抵抗素子の製造方法
CN102347440A (zh) 一种电阻型存储器及其制备方法
US8222628B2 (en) Phase change memory device having a bottleneck constriction and method of manufacturing the same
CN110176471B (zh) 交叉点阵列器件及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101004

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20101004

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20121228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130723