JP2007059914A - イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法 - Google Patents
イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007059914A JP2007059914A JP2006226988A JP2006226988A JP2007059914A JP 2007059914 A JP2007059914 A JP 2007059914A JP 2006226988 A JP2006226988 A JP 2006226988A JP 2006226988 A JP2006226988 A JP 2006226988A JP 2007059914 A JP2007059914 A JP 2007059914A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data storage
- layer
- storage layer
- lower electrode
- memory device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 65
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title abstract description 54
- 238000013500 data storage Methods 0.000 claims abstract description 259
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 55
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 53
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 421
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 85
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 42
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 31
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 claims description 30
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 22
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 20
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 10
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 10
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 35
- 239000000463 material Substances 0.000 description 21
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 17
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 5
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 229910010037 TiAlN Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N alumane;titanium Chemical compound [AlH3].[Ti] UQZIWOQVLUASCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003609 titanium compounds Chemical class 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical group [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B63/00—Resistance change memory devices, e.g. resistive RAM [ReRAM] devices
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/801—Constructional details of multistable switching devices
- H10N70/881—Switching materials
- H10N70/883—Oxides or nitrides
Landscapes
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備える不揮発性メモリ装置において、ストレージノードは、スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、下部電極上に形成され、その一部は下部電極と離隔されたデータ保存層と、下部電極から離隔された前記データ保存層の部分に側面が連結され、下部電極と離隔されている側部電極と、データ保存層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置とその製造及び動作方法。
【選択図】図3
Description
図23を参照すれば、トランジスタ(Tr)をオン状態に維持した状態で、下部電極50と上部電極60との間に書き込み電圧(Vw)を印加する。データ保存層58の物質が特定されれば、書き込み電圧(Vw)は図8の電気的特性を考慮して所定電圧に定められうる。
図24を参照すれば、下部電極50はフローティングさせた状態で側部電極54と上部電極60との間に所定の読み出し電圧(Vr)を印加してデータ保存層58の抵抗を測定する。データ保存層58に、前記書き込み過程で下部電極50から供給されたイオンが存在する時のデータ保存層58の抵抗(以下、第1抵抗)は、データ保存層58に前記のイオンが存在していない時の抵抗(以下、第2抵抗)より低くなる。読み出し電圧(Vr)を印加して測定したデータ保存層58の抵抗は、メモリ装置に連結された比較器(図示せず)で前記第1及び第2抵抗の中間値を持つ基準抵抗と比較される。このような比較を通じてデータ保存層58に記録されたビットデータを再生できる。データ保存層58にマルチビットデータが記録された場合、測定されたデータ保存層58の抵抗は、それぞれ相異なる基準抵抗値が設定された複数の比較器で設定された基準抵抗と比較される。このような比較を通じて、データ保存層58に記録されたマルチビットデータが再生される。
42d 第2不純物領域
42s 第1不純物領域
44 ゲート積層物
46 層間絶縁層
48 導電性プラグ
50 下部電極
52 第1絶縁膜
54 側部電極
56 第2絶縁膜
58 データ保存層
60 上部電極
h1 コンタクトホール
S1 ストレージノード
Claims (51)
- 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備える不揮発性メモリ装置において、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成され、その一部は前記下部電極と離隔されたデータ保存層と、
前記下部電極から離隔された前記データ保存層の部分に側面が連結され、前記下部電極と離隔されている側部電極と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記側部電極と前記下部電極との間に第1絶縁膜が存在し、前記側部電極と前記データ保存層との間に第2絶縁膜が存在することを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層、タングステン酸化物層及びチタン酸化物層のうちいずれか一つであることを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記側部電極と前記上部電極とは、白金電極であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記第1及び第2絶縁膜は、二酸化ケイ素(SiO2)膜であることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記データ保存層は、前記第2絶縁膜上に拡張されたことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。
- 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備える不揮発性メモリ装置において、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成されたデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記データ保存層にその一部が連結され、前記上部電極及び下部電極と離隔されるとともに互いに離隔された第1及び第2側部電極と、を備えることを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記データ保存層は上向き突出部を備え、前記上部電極は前記突出部上に形成されたことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記突出部周囲の前記データ保存層上に層間絶縁層が存在し、前記第1及び第2側部電極は、前記層間絶縁層を貫通して前記データ保存層に連結されたことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層であることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層であることを特徴とする請求項11に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記上部電極と前記第1及び第2側部電極とは、白金電極であることを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記データ保存層は、前記第1及び第2側部電極上に拡張されたことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 第1及び第2側部電極と前記下部電極との間に絶縁膜が存在することを特徴とする請求項14に記載の不揮発性メモリ装置。
- 前記上部及び下部電極は上下に対向し、前記第1及び第2側部電極は左右に対向することを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。
- 基板にスイッチング素子を形成する第1工程と、
前記基板上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁層を形成する第2工程と、
前記層間絶縁層上に前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極を形成する第3工程と、
前記下部電極上に第1絶縁膜、側部電極層及び第2絶縁膜を備える積層物を形成する第4工程と、
前記積層物の一部を除去して前記下部電極を露出させる第5工程と、
前記下部電極の露出された領域上に、前記積層物の一部が除去されることによって露出される前記積層物の側面を覆うデータ保存層を形成する第6工程と、
前記データ保存層上に上部電極を形成する第7工程と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第5工程で、前記積層物に前記積層物を二分するグルーブを形成することを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記データ保存層は、前記積層物上にも形成することを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記データ保存層は、前記グルーブを満たすように形成することを特徴とする請求項18に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層で形成することを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層であることを特徴とする請求項21に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記下部電極は遷移金属層であり、前記上部電極は貴金属層であることを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記第1及び第2絶縁膜は、二酸化ケイ素膜で形成することを特徴とする請求項17に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 基板にスイッチング素子を形成する第1工程と、
前記基板上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁層を形成する第2工程と、
前記層間絶縁層上に、前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極を形成する第3工程と、
前記下部電極上にデータ保存層を形成する第4工程と、
前記データ保存層上に互いに離隔された第1ないし第3上部電極を形成する第5工程と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第5工程は、
前記データ保存層に上向き突出部を形成する工程と、
前記突出部周囲の前記データ保存層上に層間絶縁層を形成する工程と、
前記層間絶縁層に前記第2及び第3上部電極が満たされる第1及び第2ビアホ―ルを形成する工程と、
前記層間絶縁層上に前記第1及び第2ビアホ―ルを満たして前記突出部を覆う上部電極層を形成する工程と、
前記上部電極層で、前記第1及び第2ビアホ―ルとその周囲の一部領域と前記突出部を覆う一部領域とを除外した残りの領域を除去する工程と、をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層で形成することを特徴とする請求項25に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層であることを特徴とする請求項27に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記下部電極は遷移金属層であり、前記第1ないし第3上部電極は貴金属層であることを特徴とする請求項25に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層で形成することを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記下部電極は遷移金属層であり、前記第1ないし第3上部電極は貴金属層であることを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 基板にスイッチング素子を形成する第1工程と、
前記基板上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁層を形成する第2工程と、
前記層間絶縁層上に前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極を形成する第3工程と、
前記下部電極上に第1絶縁膜及び側部電極層を備える積層物を形成する第4工程と、
前記積層物に前記下部電極の一部を露出させ、前記積層物を二分するグルーブを形成する第5工程と、
前記下部電極の露出された領域上に、前記積層物の前記グルーブを通じて露出された面を覆って前記積層物の一部領域上に拡張されるデータ保存層を形成する第6工程と、
前記データ保存層の上部面に上部電極を形成する第7工程と、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層で形成することを特徴とする請求項32に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層であることを特徴とする請求項33に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 前記下部電極は遷移金属層であり、前記側部電極層と前記上部電極とは貴金属層であることを特徴とする請求項32に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。
- 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極の上に形成され、側面が露出される側部電極を備える積層物と、
前記下部電極上に形成され、前記積層物の側面を覆うデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、を備える不揮発性メモリ装置の書き込み方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加するステップと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の書き込み方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極の上に形成され、側面が露出される側部電極を備える積層物と、
前記下部電極上に形成され、前記積層物の側面を覆うデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、を備える不揮発性メモリ装置の動作方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加して前記データ保存層にデータを記録するステップと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記書き込み電圧の印加前に消去電圧を印加することを特徴とする請求項37に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記書き込み電圧を印加した後、前記下部電極をフローティングさせるステップと、
前記上部電極と前記側部電極との間に読み出し電圧を印加して前記データ保存層に記録されたデータを読み出すステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項37に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層であることを特徴とする請求項37に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記下部電極は遷移金属層であり、前記側部電極と前記上部電極とは貴金属層であることを特徴とする請求項37に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成され、側面が露出される側部電極を備える積層物と、
前記下部電極上に形成され、前記積層物の側面を覆うデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、を備える不揮発性メモリ装置の読み出し方法において、
前記下部電極をフローティングさせるステップと、
前記上部電極と前記側部電極との間に読み出し電圧を印加して前記データ保存層に記録されたデータを読み出すステップと、をさらに含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の読み出し方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成されたデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記データ保存層に連結され、前記上部電極及び前記下部電極と離隔され、互いに対向する第1及び第2側部電極と、を備える不揮発性メモリ装置の動作方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加するステップと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記書き込み電圧の印加前に消去電圧を印加することを特徴とする請求項43に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記書き込み電圧を印加した後、前記上部及び下部電極をフローティングさせるステップと、
前記第1及び第2側部電極に読み出し電圧を印加するステップと、をさらに含むことを特徴とする請求項43に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層であることを特徴とする請求項43に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 前記下部電極は遷移金属層であり、前記第1及び第2側部電極と前記上部電極とは貴金属層であることを特徴とする請求項43に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。
- 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成されたデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記データ保存層に連結され、前記上部電極及び下部電極と離隔され、互いに対向する第1及び第2側部電極と、を備える不揮発性メモリ装置の書き込み方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加するステップと、を含むことを特徴とする不揮発性メモリ装置の書き込み方法。 - 前記書き込み電圧の印加前に消去電圧を印加することを特徴とする請求項48に記載の不揮発性メモリ装置の書き込み方法。
- 前記データ保存層は、上向き突出した突出部を備え、前記上部電極は、前記突出部上に形成されており、前記第1及び第2側部電極は、前記突出部周囲の前記データ保存層に連結されたことを特徴とする請求項48に記載の不揮発性メモリ装置の書き込み方法。
- 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層であることを特徴とする請求項48に記載の不揮発性メモリ装置の書き込み方法。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2005-0078038 | 2005-08-24 | ||
KR1020050078038A KR101100427B1 (ko) | 2005-08-24 | 2005-08-24 | 이온 전도층을 포함하는 불휘발성 반도체 메모리 장치와 그제조 및 동작 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007059914A true JP2007059914A (ja) | 2007-03-08 |
JP5122776B2 JP5122776B2 (ja) | 2013-01-16 |
Family
ID=37778788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006226988A Active JP5122776B2 (ja) | 2005-08-24 | 2006-08-23 | イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8193569B2 (ja) |
JP (1) | JP5122776B2 (ja) |
KR (1) | KR101100427B1 (ja) |
CN (1) | CN100578803C (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009141275A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法 |
JP2010062265A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Sharp Corp | 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 |
US8237147B2 (en) | 2007-10-19 | 2012-08-07 | Nec Corporation | Switching element and manufacturing method thereof |
US8391050B2 (en) | 2008-03-19 | 2013-03-05 | Nec Corporation | Resistance change element, semiconductor memory device, manufacturing method and driving method thereof |
JP5345052B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-11-20 | 富士通株式会社 | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7524722B2 (en) * | 2006-10-12 | 2009-04-28 | Macronix International Co., Ltd. | Resistance type memory device and fabricating method and operating method thereof |
US7527985B2 (en) * | 2006-10-24 | 2009-05-05 | Macronix International Co., Ltd. | Method for manufacturing a resistor random access memory with reduced active area and reduced contact areas |
KR20090115288A (ko) * | 2008-05-01 | 2009-11-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
US8021897B2 (en) * | 2009-02-19 | 2011-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating a cross point memory array |
US8269204B2 (en) | 2009-07-02 | 2012-09-18 | Actel Corporation | Back to back resistive random access memory cells |
US8830725B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-09-09 | International Business Machines Corporation | Low temperature BEOL compatible diode having high voltage margins for use in large arrays of electronic components |
JP6050015B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-12-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 記憶素子および記憶装置 |
US10270451B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-04-23 | Microsemi SoC Corporation | Low leakage ReRAM FPGA configuration cell |
US10147485B2 (en) | 2016-09-29 | 2018-12-04 | Microsemi Soc Corp. | Circuits and methods for preventing over-programming of ReRAM-based memory cells |
WO2018106450A1 (en) | 2016-12-09 | 2018-06-14 | Microsemi Soc Corp. | Resistive random access memory cell |
US10522224B2 (en) | 2017-08-11 | 2019-12-31 | Microsemi Soc Corp. | Circuitry and methods for programming resistive random access memory devices |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001525606A (ja) * | 1997-12-04 | 2001-12-11 | アクソン テクノロジーズ コーポレイション | プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法 |
WO2003028124A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Japan Science And Technology Agency | Dispositif electrique comprenant un electrolyte solide |
WO2003094227A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Japan Science And Technology Agency | Solid electrolyte switching device, fpga using same, memory device, and method for manufacturing solid electrolyte switching device |
WO2005008783A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Nec Corporation | スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |
JP2005101535A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-04-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
Family Cites Families (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02222571A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
US5185689A (en) * | 1992-04-29 | 1993-02-09 | Motorola Inc. | Capacitor having a ruthenate electrode and method of formation |
JP2942088B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1999-08-30 | ローム株式会社 | 半導体装置の動作方法、および半導体装置 |
JP2991931B2 (ja) * | 1994-07-12 | 1999-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH1098163A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置のキャパシタ構造及びその形成方法 |
WO1997032343A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Sierra Semiconductor Coporation | High-precision, linear mos capacitor |
US5917230A (en) * | 1997-04-09 | 1999-06-29 | United Memories, Inc. | Filter capacitor construction |
KR100218275B1 (ko) * | 1997-05-09 | 1999-09-01 | 윤종용 | 벌크형 1트랜지스터 구조의 강유전체 메모리소자 |
US5946567A (en) * | 1998-03-20 | 1999-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making metal capacitors for deep submicrometer processes for semiconductor integrated circuits |
TW463372B (en) * | 1998-07-30 | 2001-11-11 | United Microelectronics Corp | Capacitor structure for DRAM and the manufacturing method thereof |
TW429607B (en) * | 1999-04-13 | 2001-04-11 | United Microelectronics Corp | Structure of dynamic random access memory capacitor and its fabricating method |
US6710425B2 (en) * | 2001-04-26 | 2004-03-23 | Zeevo, Inc. | Structure to increase density of MIM capacitors between adjacent metal layers in an integrated circuit |
NZ513637A (en) * | 2001-08-20 | 2004-02-27 | Canterprise Ltd | Nanoscale electronic devices & fabrication methods |
JP4011334B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 富士通株式会社 | 強誘電体キャパシタの製造方法およびターゲット |
KR100456577B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조 방법 |
KR100456697B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 캐패시터 및 그 제조방법 |
US6807079B2 (en) * | 2002-11-01 | 2004-10-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Device having a state dependent upon the state of particles dispersed in a carrier |
US6818936B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Scaled EEPROM cell by metal-insulator-metal (MIM) coupling |
US6800923B1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Multilayer analog interconnecting line layout for a mixed-signal integrated circuit |
KR100773537B1 (ko) * | 2003-06-03 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
-
2005
- 2005-08-24 KR KR1020050078038A patent/KR101100427B1/ko active IP Right Grant
-
2006
- 2006-08-17 CN CN200610121211A patent/CN100578803C/zh active Active
- 2006-08-23 JP JP2006226988A patent/JP5122776B2/ja active Active
- 2006-08-24 US US11/508,991 patent/US8193569B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001525606A (ja) * | 1997-12-04 | 2001-12-11 | アクソン テクノロジーズ コーポレイション | プログラム可能なサブサーフェス集合メタライゼーション構造およびその作製方法 |
WO2003028124A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Japan Science And Technology Agency | Dispositif electrique comprenant un electrolyte solide |
WO2003094227A1 (en) * | 2002-04-30 | 2003-11-13 | Japan Science And Technology Agency | Solid electrolyte switching device, fpga using same, memory device, and method for manufacturing solid electrolyte switching device |
WO2005008783A1 (ja) * | 2003-07-18 | 2005-01-27 | Nec Corporation | スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |
JP2005101535A (ja) * | 2003-08-27 | 2005-04-14 | Nec Corp | 半導体装置 |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5345052B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2013-11-20 | 富士通株式会社 | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
US8237147B2 (en) | 2007-10-19 | 2012-08-07 | Nec Corporation | Switching element and manufacturing method thereof |
JP5446869B2 (ja) * | 2007-10-19 | 2014-03-19 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子、およびスイッチング素子の製造方法 |
JP2009141275A (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-25 | Fujitsu Ltd | 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法 |
US8391050B2 (en) | 2008-03-19 | 2013-03-05 | Nec Corporation | Resistance change element, semiconductor memory device, manufacturing method and driving method thereof |
JP2010062265A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Sharp Corp | 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP5122776B2 (ja) | 2013-01-16 |
US20070045728A1 (en) | 2007-03-01 |
KR20070023452A (ko) | 2007-02-28 |
CN1921134A (zh) | 2007-02-28 |
CN100578803C (zh) | 2010-01-06 |
KR101100427B1 (ko) | 2011-12-30 |
US8193569B2 (en) | 2012-06-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5122776B2 (ja) | イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法 | |
KR100657956B1 (ko) | 다치 저항체 메모리 소자와 그 제조 및 동작 방법 | |
JP5446393B2 (ja) | 記憶素子とその製造方法および半導体記憶装置 | |
KR101785727B1 (ko) | 기억 소자 및 기억 장치, 및 기억 장치의 동작 방법 | |
TWI401791B (zh) | 具有鎢化合物之嵌入式電阻記憶體的記憶體裝置及其製程方法 | |
TWI497694B (zh) | 一種基於相變化記憶材料的高密度記憶裝置及其製作方法 | |
JP5056096B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
JP2005317976A (ja) | 段階的な抵抗値を有する多層構造を利用したメモリ素子 | |
KR20100089857A (ko) | 메모리 셀 | |
WO2005041303A1 (ja) | 抵抗変化素子、その製造方法、その素子を含むメモリ、およびそのメモリの駆動方法 | |
US8193030B2 (en) | Methods of fabricating non-volatile memory devices having carbon nanotube layer and passivation layer | |
JP2007103906A (ja) | 相変化記憶素子及びその製造方法 | |
TWI555245B (zh) | 非揮發性阻值變化元件 | |
JP2007158344A (ja) | 金属層−絶縁層−金属層構造を備えるストレージノード、及び、そのストレージノードを備える不揮発性メモリ素子及びその動作方法 | |
JP2008305888A (ja) | 不揮発性記憶装置およびその製造方法 | |
KR100723419B1 (ko) | 불휘발성 메모리소자 및 그 동작방법 | |
TW200816493A (en) | Integrated circuit memory system employing silicon rich layers | |
JP5282176B1 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
US10553645B2 (en) | Resistive memory device by substrate reduction | |
JP2004096014A (ja) | 半導体不揮発性メモリセル、半導体不揮発性メモリ装置および半導体不揮発性メモリセルの製造方法 | |
JP2008042033A (ja) | 記憶素子及び記憶装置 | |
JP4961843B2 (ja) | 記憶素子の製造方法 | |
JP6162931B2 (ja) | 記憶素子および記憶装置 | |
JPWO2009142165A1 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090126 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120306 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120531 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120626 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120911 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121002 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20121025 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20151102 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5122776 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |