JP5122776B2 - イオン伝導層を備える不揮発性半導体メモリ装置とその製造及び動作方法 - Google Patents
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N70/00—Solid-state devices having no potential barriers, and specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching
- H10N70/20—Multistable switching devices, e.g. memristors
-
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- Semiconductor Memories (AREA)
Description
図23を参照すれば、トランジスタ(Tr)をオン状態に維持した状態で、下部電極50と上部電極60との間に書き込み電圧(Vw)を印加する。データ保存層58の物質が特定されれば、書き込み電圧(Vw)は図8の電気的特性を考慮して所定電圧に定められうる。
図24を参照すれば、下部電極50はフローティングさせた状態で側部電極54と上部電極60との間に所定の読み出し電圧(Vr)を印加してデータ保存層58の抵抗を測定する。データ保存層58に、前記書き込み過程で下部電極50から供給されたイオンが存在する時のデータ保存層58の抵抗(以下、第1抵抗)は、データ保存層58に前記のイオンが存在していない時の抵抗(以下、第2抵抗)より低くなる。読み出し電圧(Vr)を印加して測定したデータ保存層58の抵抗は、メモリ装置に連結された比較器(図示せず)で前記第1及び第2抵抗の中間値を持つ基準抵抗と比較される。このような比較を通じてデータ保存層58に記録されたビットデータを再生できる。データ保存層58にマルチビットデータが記録された場合、測定されたデータ保存層58の抵抗は、それぞれ相異なる基準抵抗値が設定された複数の比較器で設定された基準抵抗と比較される。このような比較を通じて、データ保存層58に記録されたマルチビットデータが再生される。
42d 第2不純物領域
42s 第1不純物領域
44 ゲート積層物
46 層間絶縁層
48 導電性プラグ
50 下部電極
52 第1絶縁膜
54 側部電極
56 第2絶縁膜
58 データ保存層
60 上部電極
h1 コンタクトホール
S1 ストレージノード
Claims (37)
- 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備える不揮発性メモリ装置において、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成され、その一部は前記下部電極と離隔されたデータ保存層と、
前記データ保存層の前記下部電極から離隔された部分に側面が連結され、前記下部電極と離隔されている側部電極と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、を備え、
前記側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜をさらに備え、前記第1絶縁膜と前記側部電極とは前記下部電極上に順次に積層されており、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記側部電極と前記下部電極との間に第1絶縁膜が存在し、前記側部電極と前記データ保存層との間に第2絶縁膜が存在する
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層である
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層、タングステン酸化物層及びチタン酸化物層のうちいずれか一つである
ことを特徴とする請求項3に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記側部電極と前記上部電極とは、白金電極である
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記第1及び第2絶縁膜は、二酸化ケイ素(SiO2)膜である
ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記データ保存層は、前記第2絶縁膜上に拡張された
ことを特徴とする請求項2に記載の不揮発性メモリ装置。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備える不揮発性メモリ装置において、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成されたデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記データ保存層にその一部が連結され、前記上部電極及び下部電極と離隔されるとともに互いに離隔された第1及び第2側部電極と、を備え、
前記第1及び第2側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜をさらに備え、前記第1絶縁膜と前記第1及び第2側部電極とは前記下部電極上に順次に積層され、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置。 - 前記データ保存層は上向き突出部を備え、前記上部電極は前記突出部上に形成された
ことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記突出部周囲の前記データ保存層上に層間絶縁層が存在し、前記第1及び第2側部電極は、前記層間絶縁層を貫通して前記データ保存層に連結された
ことを特徴とする請求項9に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層である
ことを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記上部電極と前記第1及び第2側部電極とは、白金電極である
ことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記データ保存層は、前記第1及び第2側部電極上に拡張された
ことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。 - 前記上部及び下部電極は上下に対向し、前記第1及び第2側部電極は左右に対向する
ことを特徴とする請求項8に記載の不揮発性メモリ装置。 - 基板にスイッチング素子を形成する第1工程と、
前記基板上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁層を形成する第2工程と、
前記層間絶縁層上に前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極を形成する第3工程と、
前記下部電極上に第1絶縁膜、側部電極層及び第2絶縁膜を備える積層物を形成する第4工程と、
前記積層物の一部を除去して前記下部電極を露出させる第5工程と、
前記下部電極の露出された領域上に、前記積層物の一部が除去されることによって露出される前記積層物の側面を覆うデータ保存層を形成する第6工程と、
前記データ保存層上に上部電極を形成する第7工程と、を含み、
前記第1絶縁膜は、前記側部電極層と前記下部電極との接触を防止し、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第5工程で、前記積層物に前記積層物を二分するグルーブを形成する
ことを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記データ保存層は、前記積層物上にも形成する
ことを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記データ保存層は、前記グルーブを満たすように形成する
ことを特徴とする請求項16に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層である
ことを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記下部電極は遷移金属層であり、前記上部電極は貴金属層である
ことを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記第1及び第2絶縁膜は、二酸化ケイ素膜で形成する
ことを特徴とする請求項15に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 基板にスイッチング素子を形成する第1工程と、
前記基板上に前記スイッチング素子を覆う層間絶縁層を形成する第2工程と、
前記層間絶縁層上に前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極を形成する第3工程と、
前記下部電極上に第1絶縁膜及び側部電極層を備える積層物を形成する第4工程と、
前記積層物に前記下部電極の一部を露出させ、前記積層物を二分するグルーブを形成する第5工程と、
前記下部電極の露出された領域上に、前記積層物の前記グルーブを通じて露出された面を覆って前記積層物の一部領域上に拡張されるデータ保存層を形成する第6工程と、
前記データ保存層の上部面に上部電極を形成する第7工程と、を含み、
前記第1絶縁膜は、前記側部電極層と前記下部電極との接触を防止し、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記化合物層は、CuSx(0.4<x<0.6)層である
ことを特徴とする請求項22に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 前記下部電極は遷移金属層であり、前記側部電極層と前記上部電極とは貴金属層である
ことを特徴とする請求項22に記載の不揮発性メモリ装置の製造方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極の上に形成され、側面が露出される側部電極を備える積層物と、
前記下部電極上に形成され、前記積層物の側面を覆うデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜と、を備える不揮発性メモリ装置の書き込み方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加するステップと、を含み、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の書き込み方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極の上に形成され、側面が露出される側部電極を備える積層物と、
前記下部電極上に形成され、前記積層物の側面を覆うデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜と、を備える不揮発性メモリ装置の動作方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加して前記データ保存層にデータを記録するステップと、を含み、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記書き込み電圧の印加前に消去電圧を印加する
ことを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記書き込み電圧を印加した後、前記下部電極をフローティングさせるステップと、
前記上部電極と前記側部電極との間に読み出し電圧を印加して前記データ保存層に記録されたデータを読み出すステップと、をさらに含む
ことを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記下部電極は遷移金属層であり、前記側部電極と前記上部電極とは貴金属層である
ことを特徴とする請求項26に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成され、側面が露出される側部電極を備える積層物と、
前記下部電極上に形成され、前記積層物の側面を覆うデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜と、を備える不揮発性メモリ装置の読み出し方法において、
前記下部電極をフローティングさせるステップと、
前記上部電極と前記側部電極との間に読み出し電圧を印加して前記データ保存層に記録されたデータを読み出すステップと、をさらに含み、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の読み出し方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成されたデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記データ保存層に連結され、前記上部電極及び前記下部電極と離隔され、互いに対向する第1及び第2側部電極と、
前記第1及び第2側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜と、を備える不揮発性メモリ装置の動作方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加するステップと、を含み、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記書き込み電圧の印加前に消去電圧を印加する
ことを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記書き込み電圧を印加した後、前記上部及び下部電極をフローティングさせるステップと、
前記第1及び第2側部電極に読み出し電圧を印加するステップと、をさらに含む
ことを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 前記下部電極は遷移金属層であり、前記第1及び第2側部電極と前記上部電極とは貴金属層である
ことを特徴とする請求項31に記載の不揮発性メモリ装置の動作方法。 - 基板と、前記基板に形成されたスイッチング素子と、前記スイッチング素子に連結されたストレージノードと、を備え、
前記ストレージノードは、
前記スイッチング素子に連結され、イオンソースとして使われる下部電極と、
前記下部電極上に形成されたデータ保存層と、
前記データ保存層上に形成された上部電極と、
前記データ保存層に連結され、前記上部電極及び下部電極と離隔され、互いに対向する第1及び第2側部電極と、
前記側部電極と前記下部電極との接触を防止する第1絶縁膜と、を備える不揮発性メモリ装置の書き込み方法において、
前記スイッチング素子をオン状態に維持するステップと、
前記上部及び下部電極間に書き込み電圧を印加するステップと、を含み、
前記データ保存層は、遷移金属と酸素族元素とを含む化合物層からなりイオン濃度によって抵抗が変わるイオン伝導層である
ことを特徴とする不揮発性メモリ装置の書き込み方法。 - 前記書き込み電圧の印加前に消去電圧を印加する
ことを特徴とする請求項35に記載の不揮発性メモリ装置の書き込み方法。 - 前記データ保存層は、上向き突出した突出部を備え、前記上部電極は、前記突出部上に形成されており、前記第1及び第2側部電極は、前記突出部周囲の前記データ保存層に連結された
ことを特徴とする請求項35に記載の不揮発性メモリ装置の書き込み方法。
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WO2008117371A1 (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Fujitsu Limited | 抵抗記憶素子及び不揮発性半導体記憶装置 |
US8237147B2 (en) | 2007-10-19 | 2012-08-07 | Nec Corporation | Switching element and manufacturing method thereof |
JP5374865B2 (ja) * | 2007-12-10 | 2013-12-25 | 富士通株式会社 | 抵抗変化素子、これを用いた記憶装置、及びそれらの作製方法 |
WO2009116564A1 (ja) | 2008-03-19 | 2009-09-24 | 日本電気株式会社 | 抵抗変化素子、半導体記憶装置、その製造方法及び駆動方法 |
KR20090115288A (ko) * | 2008-05-01 | 2009-11-05 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
JP2010062265A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Sharp Corp | 可変抵抗素子及びその製造方法、並びにその駆動方法 |
US8021897B2 (en) * | 2009-02-19 | 2011-09-20 | Micron Technology, Inc. | Methods of fabricating a cross point memory array |
US8415650B2 (en) * | 2009-07-02 | 2013-04-09 | Actel Corporation | Front to back resistive random access memory cells |
US8830725B2 (en) * | 2011-08-15 | 2014-09-09 | International Business Machines Corporation | Low temperature BEOL compatible diode having high voltage margins for use in large arrays of electronic components |
JP6050015B2 (ja) * | 2012-03-30 | 2016-12-21 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 記憶素子および記憶装置 |
US10270451B2 (en) | 2015-12-17 | 2019-04-23 | Microsemi SoC Corporation | Low leakage ReRAM FPGA configuration cell |
US10147485B2 (en) | 2016-09-29 | 2018-12-04 | Microsemi Soc Corp. | Circuits and methods for preventing over-programming of ReRAM-based memory cells |
DE112017006212T5 (de) | 2016-12-09 | 2019-08-29 | Microsemi Soc Corp. | Resistive Speicherzelle mit wahlfreiem Zugriff |
DE112018004134T5 (de) | 2017-08-11 | 2020-04-23 | Microsemi Soc Corp. | Schaltlogik und verfahren zur programmierung von resistiven direktzugriffs-speichervorrichtungen |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02222571A (ja) * | 1989-02-23 | 1990-09-05 | Sharp Corp | 半導体記憶装置 |
US5185689A (en) * | 1992-04-29 | 1993-02-09 | Motorola Inc. | Capacitor having a ruthenate electrode and method of formation |
JP2942088B2 (ja) * | 1993-03-19 | 1999-08-30 | ローム株式会社 | 半導体装置の動作方法、および半導体装置 |
JP2991931B2 (ja) * | 1994-07-12 | 1999-12-20 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置およびそれらの製造方法 |
JPH1098163A (ja) * | 1996-09-24 | 1998-04-14 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体記憶装置のキャパシタ構造及びその形成方法 |
WO1997032343A1 (en) * | 1996-02-28 | 1997-09-04 | Sierra Semiconductor Coporation | High-precision, linear mos capacitor |
US5917230A (en) * | 1997-04-09 | 1999-06-29 | United Memories, Inc. | Filter capacitor construction |
KR100218275B1 (ko) * | 1997-05-09 | 1999-09-01 | 윤종용 | 벌크형 1트랜지스터 구조의 강유전체 메모리소자 |
ATE235093T1 (de) * | 1997-12-04 | 2003-04-15 | Axon Technologies Corp | Programmierbare metallisierungsstruktur mit oberflächennaher verfestigung undherstellungsverfahren dafür |
US5946567A (en) * | 1998-03-20 | 1999-08-31 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for making metal capacitors for deep submicrometer processes for semiconductor integrated circuits |
TW463372B (en) * | 1998-07-30 | 2001-11-11 | United Microelectronics Corp | Capacitor structure for DRAM and the manufacturing method thereof |
TW429607B (en) * | 1999-04-13 | 2001-04-11 | United Microelectronics Corp | Structure of dynamic random access memory capacitor and its fabricating method |
US6710425B2 (en) * | 2001-04-26 | 2004-03-23 | Zeevo, Inc. | Structure to increase density of MIM capacitors between adjacent metal layers in an integrated circuit |
NZ513637A (en) | 2001-08-20 | 2004-02-27 | Canterprise Ltd | Nanoscale electronic devices & fabrication methods |
WO2003028124A1 (fr) * | 2001-09-25 | 2003-04-03 | Japan Science And Technology Agency | Dispositif electrique comprenant un electrolyte solide |
JP4011334B2 (ja) * | 2001-12-04 | 2007-11-21 | 富士通株式会社 | 強誘電体キャパシタの製造方法およびターゲット |
KR100456577B1 (ko) * | 2002-01-10 | 2004-11-09 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 커패시터 및 그 제조 방법 |
EP1501124B1 (en) * | 2002-04-30 | 2011-06-08 | Japan Science and Technology Agency | Solid electrolyte switching devices, fpga and memory devices using the same, and method of manufacturing the same |
KR100456697B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2004-11-10 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 캐패시터 및 그 제조방법 |
US6807079B2 (en) | 2002-11-01 | 2004-10-19 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Device having a state dependent upon the state of particles dispersed in a carrier |
US6818936B2 (en) * | 2002-11-05 | 2004-11-16 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Scaled EEPROM cell by metal-insulator-metal (MIM) coupling |
US6800923B1 (en) * | 2003-04-25 | 2004-10-05 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Multilayer analog interconnecting line layout for a mixed-signal integrated circuit |
KR100773537B1 (ko) | 2003-06-03 | 2007-11-07 | 삼성전자주식회사 | 한 개의 스위칭 소자와 한 개의 저항체를 포함하는비휘발성 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
JP4321524B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2009-08-26 | 日本電気株式会社 | スイッチング素子、スイッチング素子の駆動方法、書き換え可能な論理集積回路およびメモリ素子 |
JP4356542B2 (ja) * | 2003-08-27 | 2009-11-04 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
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