JP2010008921A - マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターンを高精度に形成することができるマスクパターンデータの生成方法を提供する。
【解決手段】反射型露光用マスク１に形成されるデバイスパターン形成用のマスクパターンデータの生成方法であって、マスクパターン６のパターン寸法およびパターンピッチの少なくとも一つに応じて生じるマスクパターン６を被露光体７上に転写した際の転写位置ずれ量を補正するための位置補正量テーブルに基づいてマスクパターン６のデータを生成する。
【選択図】 図１

Description

本願発明は、半導体装置の製造技術に係り、特に反射型光学系を用いるリソグラフィ工程用の露光用マスクに関する。

近年、半導体装置の微細化に伴い、回路パターンの線幅が益々縮小化している。このような縮小化要求に対して、リソグラフィ技術では、レジストの露光に用いる露光光の波長をより短波長化することで対応している。そして、パターン幅が約４５ｎｍの世代からは、極短紫外光（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ）と呼ばれる波長が約１３．５ｎｍを中心とする波長領域を含む露光光を用いることが検討されている。このＥＵＶを用いることにより、従来では達成できなかったパターン幅、パターンサイズ、あるいはパターンピッチの縮小化にも対応可能と考えられている。

ただし、ＥＵＶを用いる露光では、従来の光透過型の露光用マスクおよび光学系ではなく、反射型の露光用マスクおよび光学系を用いる必要がある。これは、露光用マスクを所望の厚さに形成した場合に、波長が約１３．５ｎｍのＥＵＶを透過させることができるマスク材料が、これまでのところ存在しないためである。

そして、反射型マスクを用いる場合、マスク面で反射された反射光を、同じマスクへの入射光と相互に干渉させずに投影光学系に入らせなくてはならない。このため、反射型マスクに入射されるＥＵＶ光は、マスク面に対して所定の角度（オフセット角）を付けられて斜めに入射（オフセット入射）させられる。この際、マスクに入射するＥＵＶ光とマスクパターンとのなす角度によっては、ウェーハ上におけるマスクパターンの転写像がマスクパターンとは異なるパターンになる可能性がある。例えば、パターンの長辺が入射光の方向に対して直交する方向に配置されているか、あるいは平行に配置されているかによってパターンコントラストに差異が生じ、ウェーハ上におけるマスクパターンの転写像がそれぞれ異なる結果となる。特に、入射するＥＵＶ光とマスクパターンとが直交していると、ウェーハ上におけるマスクパターンの転写像の位置が入射光の方向に移動（シフト）してしまう。

このパターン像のシフト現象は、例えば後記の特許文献１に開示されているように、シフトを打ち消す方向にマスクパターン全体をオフセットさせたり、あるいは露光時に露光装置側でそのオフセット値（オフセット量）を設定したりすることで補正することが可能である。しかしながら、このように一律にマスクパターンをオフセットしても、全てのマスクパターンのシフト現象を適正に補正することが困難な場合がある。
特開２００５−７２３０９号公報

本願発明では、反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターンを高精度に形成することができるマスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法を提供する。

前記課題を解決するために、本願発明の一態様に係るマスクパターンデータの生成方法は、反射型露光用マスクに形成されるデバイスパターン形成用のマスクパターンデータの生成方法であって、前記マスクパターンのパターン寸法およびパターンピッチの少なくとも一つに応じて生じる前記マスクパターンを被露光体上に転写した際の転写位置ずれ量を補正するための位置補正量テーブルに基づいて前記マスクパターンのデータを生成することを特徴とするものである。

また、前記課題を解決するために、本願発明の他の態様に係るマスクの製造方法は、本願発明に係るマスクパターンデータの生成方法により生成されたマスクパターンデータに基づいてマスクパターンを形成することを特徴とするものである。

本願発明によれば、反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターンを高精度に形成することができるマスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法を提供することができる。

以下、本願発明に係る各実施形態を図面を参照しつつ説明する。

（第１の実施の形態）
この第１実施形態は、反射型露光用マスクを用いるリソグラフィ技術に関する。背景技術において説明したように、マスクパターンに対して斜めに入射する露光光に対応する反射型露光用マスクを用いるリソグラフィ工程では、斜め入射効果による影響により被露光体上のマスクパターンの転写像に位置ずれが発生する。そこで本実施形態では、被露光体上に転写されるマスクパターンの像であるデバイスパターンの寸法およびピッチに依存する位置ずれ量（シフト量）をマスク上で補正して、所望のパターンを被露光体上に忠実に転写することができるマスクパターンデータの生成方法を提供する。特に、本実施形態では、実際のパターン転写に先立って予め求めておいた被露光体上に転写されたパターンの寸法およびピッチに対応する位置ずれ量に基づいて、位置ずれ補正量テーブルを作成する。そして、このテーブルに基づいてマスクパターンのデータを補正する。以下、図１〜図５を参照しつつ、本願発明に係る第１実施形態について具体的に説明する。

先ず、図１に示すように、本実施形態に係る反射型露光用マスク１は、基板２、反射層３、および吸収層（吸収膜）４からなる。反射層３は、基板としてのマスクブランクス２上に設けられており、露光光５を反射する。吸収層４は、反射層３上に設けられているとともに、少なくとも被露光体上に転写するデバイスパターンに対応するマスクパターン６の形状に形成されている。すなわち、マスクパターン６はデバイスパターン形成用マスクパターンである。また、本実施形態では、露光光５として、極短紫外光（Extreme Ultra Violet：ＥＵＶ）と呼ばれる波長が約１３．５ｎｍを中心とする波長領域を含む露光光を用いて露光工程（パターン転写）を行う。

ＥＵＶ露光光５は、図１中白抜き矢印を用いて示すように、反射層３の表面およびマスクパターン６に対して、予め定められた所定の角度を付けられて斜めに入射する。本実施形態では、ＥＵＶ露光光５を、マスクパターン６に対して約６°の入射角度（オフセット角）で入射させる。ＥＵＶ露光光５がマスクパターン６に対して斜めに入射すると、その入射光５ａは反射層３上にパターニングされて設けられた吸収層４の側壁等によって吸収および反射される。すると、図２のグラフで表わすように、被露光体としてのウェーハ上に伝達される反射光５ｂの光量に損失が発生する。それとともに、図２中矢印を用いて示すように、ウェーハ上に転写されるマスクパターン６の転写像について、設計段階における理想の転写位置からの位置ずれ（転写誤差）が発生する。

図３には、ウェーハ上に転写されるマスクパターン６の転写像であるデバイスパターンに含まれるパターンのうち隣接するラインパターン同士の間隔を１ピッチとした場合の、その半分の値であるハーフピッチ（Half Pitch：ＨＰ）とデバイスパターンの位置ずれ量との関係を、入射光５ａの入射角の大きさごとに分類してグラフにして示す。この図３に示す各グラフによれば、デバイスパターンの位置ずれ量は、デバイスパターンの寸法およびピッチ、ならびに入射光５ａの入射角の大きさに依存して変化することが分かる。

図４には、デバイスパターンの位置ずれ量を補正してデバイスパターンを設計通りにウェーハ上に形成するための位置ずれ量補正テーブルを示す。すなわち、マスクパターン６の転写誤差の補正量をデバイスパターンのパターン寸法およびパターンピッチに応じて示す位置補正量テーブル（パターンシフト量補正テーブル）を示す。この図４に示す位置補正量テーブルは、ウェーハ上へのデバイスパターンの転写に先立って予め求めておくことが好ましい。具体的には、先ず、ウェーハ上に転写されるデバイスパターンのサイズやピッチに応じた位置ずれ量を、実験およびシミュレーションの少なくとも一方によって算出する。そして、この算出された位置ずれ量を、様々なデバイスパターンに対する補正量としてテーブル化する。本実施形態においては、この図４に示す位置補正量テーブルに基づいて設計段階におけるマスクパターン６の形成位置のデータを補正する。これにより、ウェーハ上の適正な位置にデバイスパターンを設計通りに形成することができるマスクパターン６の設計データを生成する。

図５の上段には、反射型露光用マスク１上に形成されたマスクパターン６の一例を示す。図５の上段の図に示すように、本実施形態のマスクパターン６においては、寸法やピッチが互いに異なる複数のラインパターンが同一レイヤー内に混在している。このような構成からなるマスクパターン６が形成された反射型露光用マスク１に対して、マスクパターン６に何ら補正を施すことなく、ＥＵＶ露光光５を斜め照射（オフセット照射）する。すると、図５の中段の図に実線で示すように、ウェーハ７上に転写されたマスクパターン６の転写像であるデバイスパターン８には、その寸法やピッチに応じて位置ずれが生じる。この結果、より微細なパターンとより粗なパターンとの間の位置関係が設計上とは異なってしまう。なお、図５の中段の図において一点鎖線で示すパターン９が、ウェーハ７上における本来のマスクパターン６の転写像である。すなわち、パターン９が設計段階における理想のデバイスパターンの形成位置を示す。

これに対して、先ず、図４に示す位置補正量テーブルに基づいてマスクパターン６にその形成位置の補正（修正）を施す。この後、図示しない補正済みマスクパターンが形成された反射型露光用マスク１に対してＥＵＶ露光光５を斜め照射して、パターン転写を行う。すると、図５の下段の図に実線で示すように、設計通りの所望の位置に補正済みマスクパターンを転写して、理想のデバイスパターン９を適正に形成できることが確認された。

以上説明したように、この第１実施形態によれば、反射型露光用マスク１への露光光５の斜入射効果によるウェーハ７上へのマスクパターン６の転写像８の位置ずれを、パターン転写を行うのに先立って予め求めておいた位置補正量テーブルを用いることによって、形成すべき所望のデバイスパターン９の寸法およびピッチに応じた適正に補正することができる。この結果、反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターン９を高精度に形成することができるマスクパターン６のデータの生成方法を提供することができる。

（第２の実施の形態）
次に、本願発明に係る第２実施形態について図６を参照しつつ説明する。なお、前述した第１実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。本実施形態においては、パターンの寸法（サイズ）に起因するパターン転写位置のシフト量（位置ずれ量）を、パターンのサイズごとに計測する方法について説明する。

図６（ａ）には、パターン転写位置のシフト現象が生じていない場合のマスクパターンの転写像を示す。すなわち、１回目の露光と１回目の露光とでパターン同士の位置ずれが生じていない場合の転写パターン３０を示す。より具体的には、図６（ａ）の下段には、一対が２本の第１のラインパターン３１ａ，３１ｂからなる第１のアウターパターン３１と、一対が２本の第２のラインパターン３２ａ，３２ｂからなるとともに第１のアウターパターン３１の内側に転写された第１のインナーパターン３２とを示す。各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂは１回目の露光でウェーハ７上に転写されたパターンである。これに対して、各第２のラインパターン３２ａ，３２ｂは２回目の露光でウェーハ７上に転写されたパターンである。各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂおよび各第２のラインパターン３２ａ，３２ｂは４本とも全て同一の寸法（サイズ）に形成されている。そして、図６（ａ）の下段の左側に示す第１のラインパターン３１ａと第２のラインパターン３２ａとのピッチはｘ１１となっている。また、図６（ａ）の下段の右側に示す第１のラインパターン３１ｂと第２のラインパターン３２ｂとのピッチはｘ１２となっている。

また、図６（ａ）の中段には、一対が２本の第３のラインパターン３３ａ，３３ｂからなる第２のアウターパターン３３と、一対が２本の第４のラインパターン３４ａ，３４ｂからなるとともに第２のアウターパターン３３の内側に転写された第２のインナーパターン３４とを示す。各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂは、図６（ａ）の下段に示す各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂと同じく、１回目の露光でウェーハ７上に転写されたパターンである。これに対して、各第４のラインパターン３４ａ，３４ｂは、図６（ａ）の下段に示す各第２のラインパターン３２ａ，３２ｂと同じく、２回目の露光でウェーハ７上に転写されたパターンである。各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂ同士はともに同一の寸法に形成されている。同様に、各第４のラインパターン３４ａ，３４ｂ同士もともに同一の寸法に形成されている。ただし、各第４のラインパターン３４ａ，３４ｂは各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂよりも幅を広く形成されている。これに対して、各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂは、前述した各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂと同一の寸法に形成されている。そして、図６（ａ）の中段の左側に示す第３のラインパターン３３ａと第４のラインパターン３４ａとのピッチはｘ２１となっている。また、図６（ａ）の中段の右側に示す第３のラインパターン３３ｂと第４のラインパターン３４ｂとのピッチはｘ２２となっている。

また、図６（ａ）の上段には、一対が２本の第５のラインパターン３５ａ，３５ｂからなる第３のアウターパターン３５と、一対が２本の第６のラインパターン３６ａ，３６ｂからなるとともに第３のアウターパターン３５の内側に転写された第３のインナーパターン３６とを示す。各第５のラインパターン３５ａ，３５ｂは、図６（ａ）の中段に示す各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂおよび図６（ａ）の下段に示す各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂと同じく、１回目の露光でウェーハ７上に転写されたパターンである。これに対して、各第６のラインパターン３６ａ，３６ｂは、図６（ａ）の中段に示す各第４のラインパターン３４ａ，３４ｂおよび図６（ａ）の下段に示す各第２のラインパターン３２ａ，３２ｂと同じく、２回目の露光でウェーハ７上に転写されたパターンである。各第５のラインパターン３５ａ，３５ｂ同士はともに同一の寸法に形成されている。同様に、各第６のラインパターン３６ａ，３６ｂ同士もともに同一の寸法に形成されている。ただし、各第６のラインパターン３６ａ，３６ｂは各第５のラインパターン３５ａ，３５ｂよりも幅を広く形成されている。そして、各第６のラインパターン３６ａ，３６ｂは、前述した各第４のラインパターン３４ａ，３４ｂよりもさらに幅を広く形成されている。これに対して、各第５のラインパターン３５ａ，３５ｂは、前述した各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂおよび各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂと同一の寸法に形成されている。そして、図６（ａ）の上段の左側に示す第５のラインパターン３５ａと第６のラインパターン３６ａとのピッチはｘ３１となっている。また、図６（ａ）の上段の右側に示す第５のラインパターン３５ｂと第６のラインパターン３６ｂとのピッチはｘ３２となっている。

以上説明したように、転写パターン３０は、いわゆるバー・イン・バー・パターン（Bar in Bar Pattern）として形成されている。そして、この転写パターン３０には、前述したように１回目の露光と１回目の露光とでパターン同士の位置ずれが生じていない。このため、図６（ａ）に示すように、第１〜第３の各アウターパターン３１，３３，３５および第１〜第３の各インナーパターン３２，３４，３６は、それらの中心が全て図６（ａ）中一点鎖線で示す設計段階における所望の転写位置（基準位置）に乗っている。すなわち、第１〜第６の各ラインパターン３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂは、全て設計段階における所望の位置に転写されている。したがって、転写パターン３０は、そのままデバイスパターンとして用いられる。また、この場合、転写パターン３０では、ｘ１１＝ｘ１２となっている。また、ｘ２１＝ｘ２２となっている。さらに、ｘ３１＝ｘ３２となっている。

これに対して、図６（ｂ）には、パターン転写位置のシフト現象が生じている場合のマスクパターンの転写像を示す。すなわち、１回目の露光と１回目の露光とでパターン同士の位置ずれが生じている場合の転写パターン４０を示す。なお、転写パターン４０のバー・イン・バー・パターンとしての構成や転写パターン４０が備える各パターンの寸法、露光方法、および露光回数は、図６（ａ）に示す第１〜第６の各ラインパターン３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂ，３３ａ，３３ｂ，３４ａ，３４ｂ，３５ａ，３５ｂ，３６ａ，３６ｂと同様とする。

図６（ｂ）に示すように、１回目の露光でパターン形成された第１〜第３の各アウターパターン３１，３３，３５は、それらの中心が全て図６（ｂ）中一点鎖線で示す基準位置に乗っている。すなわち、各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂ、各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂ、および各第５のラインパターン３５ａ，３５ｂは、全て設計段階における所望の位置に転写されている。これに対して、２回目の露光でパターン形成された第１〜第３の各インナーパターン３２，３４，３６は、それらの中心が全て図６（ｂ）中一点鎖線で示す基準位置から外れている。

具体的には、図６（ｂ）の下段の左側に示す第２のラインパターン３２ａは、基準位置よりも第１のラインパターン３１ａに近寄って形成されている。これに対して、図６（ｂ）の下段の右側に示す第２のラインパターン３２ｂは、基準位置よりも第１のラインパターン３１ｂから遠ざかって形成されている。この結果、転写パターン４０においては、前述した転写パターン３０と異なり、ｘ１１＜ｘ１２となっている。

また、図６（ｂ）の中段の左側に示す第４のラインパターン３４ａは、基準位置よりも第３のラインパターン３３ａから遠ざかって形成されている。これに対して、図６（ｂ）の中段の右側に示す第４のラインパターン３４ｂは、基準位置よりも第３のラインパターン３３ｂに近寄って形成されている。この結果、転写パターン４０においては、前述した転写パターン３０と異なり、ｘ２１＞ｘ２２となっている。

さらに、図６（ｂ）の上段の左側に示す第６のラインパターン３６ａは、基準位置よりも第５のラインパターン３５ａから遠ざかって形成されている。この際、第６のラインパターン３６ａは、この第６のラインパターン３６ａよりも幅を狭く形成されている第４のラインパターン３４ａよりもさらに大きく基準位置から外れて形成されている。これに対して、図６（ｂ）の上段の右側に示す第６のラインパターン３６ｂは、基準位置よりも第５のラインパターン３５ｂに近寄って形成されている。この際、第６のラインパターン３６ｂは、この第６のラインパターン３６ｂよりも幅を狭く形成されている第４のラインパターン３４ｂよりもさらに大きく基準位置から外れて形成されている。この結果、転写パターン４０においては、前述した転写パターン３０と異なり、ｘ３１＞ｘ３２となっている。

以上説明した構成からなる図６（ｂ）に示す転写パターン４０においては、第１のアウターパターン３１と第２のインナーパターン３２との間の位置ずれ量（位置シフト量）Ｘ１は、図示しない合わせずれ測定器を用いてＸ１＝（ｘ１１−ｘ１２）／２と算出される。前述したように、第１のアウターパターン３１を構成する２本の第１のラインパターン３１ａ，３１ｂおよび第２のインナーパターン３２を構成する２本の第２のラインパターン３２ａ，３２ｂは、４本とも全て同一寸法に形成されている。そして、それら第１および第２の各ラインパターン３１ａ，３１ｂ，３２ａ，３２ｂのうち、各第１のラインパターン３１ａ，３１ｂだけが位置ずれを起こさずに基準位置に形成されている。したがって、Ｘ１が、１回目の露光と２回目の露光との間における露光工程に起因する同一寸法のパターン同士の位置ずれ量となる。そして、このＸ１を１回目の露光と２回目の露光との間における基準の位置ずれ量として用いることにより、各第３のラインパターン３３ａ，３３ｂに対する各第４のラインパターン３４ａ，３４ｂの位置ずれ量Ｘ２は、Ｘ２＝（ｘ２１−ｘ２２）／２−Ｘ１と算出される。同様に、各第５のラインパターン３５ａ，３５ｂに対する各第６のラインパターン３６ａ，３６ｂの位置ずれ量Ｘ３は、３＝（ｘ３１−ｘ３２）／２−Ｘ１と算出される。当然のことながら、位置ずれを起こしているパターン３２ａ，３２ｂ，３４ａ，３４ｂ，３６ａ，３６ｂを含む転写パターン４０は、そのままではデバイスパターンとして用いることは不適当である。

以上説明したように、この第２実施形態によれば、前述した第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、露光工程を２回行うことにより、ウェーハ７上にバー・イン・バー・パターンを形成することで、１枚のマスク１上に異なるサイズのマスクパターンが混在している場合においても、パターンの寸法（サイズ）ごとの位置シフト量を、一般的な合わせずれ測定器を用いて容易にかつ迅速に計測することが可能となる。さらに、１回目および２回目の各露光工程に同一寸法のパターンを入れることで、１回目の露光と２回目の露光との間における、露光工程に起因する露光位置ずれ量を計測することができる。したがって、反射型ＥＵＶ露光工程におけるパターンサイズごとの位置ずれ量をより短時間で、かつ、より正確に測定することが可能となり、より精度の高いデータをより効率よく取得可能となる。

（第３の実施の形態）
次に、本願発明に係る第３実施形態について図７〜図９を参照しつつ説明する。なお、前述した第１および第２の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。

前述したように、反射型光学系を用いるリソグラフィ工程においては、マスクパターン６を形成する際に、そのサイズに応じた位置ずれ量（パターンシフト量）をパターンサイズごとに考慮した上でパターンを配置する必要がある。そのためには、パターンサイズに応じたパターンシフト量を、マスクパターン６の形成に先立って予め把握しておくことが好ましい。本実施形態においては、ＥＵＶ露光工程における露光後のパターンの転写位置のシフト量を、マスクパターン６の形成に先立って予め適正に測定（計測）することができる方法について説明する。

図示は省略するが、背景技術において説明したように、反射型光学系を利用するＥＵＶ露光装置においては、ライン・アンド・スペースパターン（Line and Space Pattern：Ｌ／Ｓパターン）のラインパターンの長辺が露光光５の入射方向に対して直交して配置されているか、あるいは平行に配置されているかによってパターンコントラストに差異が生じる。特に、ラインパターンの長辺が露光光５の入射方向に対して直交して配置されている場合には、ウェーハ７上における光強度に位置シフトが発生し、これにより露光後のパターンシフトが発生する。そこで、本実施形態では、図示しない一般的な合わせずれ測定器で使用されるバー・イン・バー・パターンを利用して、ＥＵＶ露光工程における露光後のパターンの転写位置のシフト量をマスクパターン６の形成に先立って予め適正に測定する。

図７には、本実施形態に係るバー・イン・バー・パターン１１の概略を示す。このバー・イン・バー・パターン１１は、ウェーハ７上に転写されたデバイスパターン８の転写誤差を測定する測定用マスクパターンとして用いられる。この測定用マスクパターン１１は、吸収層４を用いてマスクパターン６と同一ピッチの周期パターンまたは同一寸法のパターンに形成されている。それとともに、測定用マスクパターン１１は、反射型露光用マスク１上のマスクパターン６とは異なる領域に形成されている。具体的には、測定用マスクパターン１１は、実際に製造される製品のデバイスパターン形成領域内にデバイスパターンとともに転写されないように、デバイスパターン形成領域の外側に転写される領域に形成されている。

より具体的には、測定用マスクパターン１１は、同一ピッチの周期パターンまたは同一寸法のパターン１２ａ，１２ｂを対向するように配置した一対のアウターパターン１２を複数対有するアウターパターン群を備えている。ここでは、測定用マスクパターン１１は、一対が少なくとも２本の同一寸法のパターン１２ａ，１２ｂを互いに平行に配置した組み合わせからなるとともに、この一対のパターン１２ａ，１２ｂの組み合わせが互いに直交して二対配置されたアウターパターン１２を備えている。また、測定用マスクパターン１１は、各アウターパターン１２ａ，１２ｂの対の内側において同一ピッチの周期パターンまたは同一寸法のパターン１３ａ，１３ｂを対向するように配置した一対のインナーパターン１３を複数対有し、かつ、各インナーパターン１３の対はそれぞれ異なるピッチの周期パターンまたはそれぞれ異なる寸法のパターン１３ａ，１３ｂから構成されるインナーパターン群を備えている。ここでは、測定用マスクパターン１１は、一対が少なくとも２本の同一寸法のパターン１３ａ，１３ｂを互いに平行に配置した組み合わせからなるとともに、この一対のパターン１３ａ，１３ｂの組み合わせがアウターパターン１２の内側において互いに直交して二対配置されており、かつ、各パターン１３ａ，１３ｂの寸法が各対ごとに異なるインナーパターン１３を備えている。

そして、本実施形態の測定用マスクパターン１１は、１回のＥＵＶ露光でウェーハ７上に一括して転写されるアウターパターン１２およびインナーパターン１３のそれぞれの像についてアウターパターン１２の像に対するインナーパターン１３の像のずれ量を測定することにより、アウターパターン１２のサイズとインナーパターン１３のサイズとの差異に応じたそれぞれの転写像の位置ずれ量の差分を測定可能であるパターンレイアウトに構成されている。

また、本実施形態では、一対のアウターパターン１２ａおよびインナーパターン１３ａを、図７中白抜き矢印で示す入射露光光５ａの入射方向に対して垂直にして反射型露光用マスク１上に配置する。そして、前述した構成からなる複数のバー・イン・バー・マーク１２，１３からなる測定用マスクパターン１１のうち、各アウターマーク１２ａ，１２ｂおよび各インナーマーク１３ａ，１３ｂのいずれか一方に、位置ずれ測定（合わせずれ測定）の基準となるサイズのマーク（パターン）を採用する。また、他方のマークの一部には、同じく基準となるサイズのパターンを採用するとともに、他方のマークの残りにはシフト量を得たいサイズのパターンを採用する。測定用マスクパターン１１をウェーハ７上に露光することにより、基準パターンに対するパターンサイズごとの位置シフト量の差分を合わせずれ測定器にて計測することが可能となる。この結果、位置ずれ量のデータをより短時間で、かつ、より正確に取得可能となる。ここでは、各アウターマーク１２ａ，１２ｂに基準となるサイズのパターンを採用する。なお、測定用マスクパターン１１は、必ずしもマスクパターン６とともに反射型露光用マスク１に形成される必要はない。測定用マスクパターン１１は、図示しない測定用マスクパターン専用のマスクに形成されても構わない。

より具体的には、図８に示すように、例えばＨＰが約２０ｎｍのサイズの第１のパターン１４のシフト量に対して、他のサイズからなる第２のパターン１５および第３のパターン１６のそれぞれのシフト量の差分を計測するとする。なお、第２のパターン１５と第３のパターン１６とは、互いにサイズが異なっているものとする。また、図８中矢印で示すように、第１のパターン１４同士のピッチはｘ１１またはｘ１２とする。同様に、第１のパターン１４と第２のパターン１５とのピッチはｘ２１またはｘ２２とする。同様に、第１のパターン１４と第３のパターン１６とのピッチはｘ３１またはｘ３２とする。そして、ｘ１１＝ｘ１２＝ｘ２１＝ｘ２２＝ｘ３１＝ｘ３２とする。また、図８中一点鎖線が、各第１のパターン１４、各第２のパターン１５、および各第３のパターン１６の中心となる基準位置を示す。

この場合、先ず、第１のパターン１４でバー・イン・バー・パターン（測定用マスクパターン）を反射型露光用マスク１に形成する。それとともに、第１のパターン１４を外側もしくは内側のバーに配置した上で、残りのバーに第２のパターン１５および第３のパターン１６を配置したバー・イン・バー・パターンを反射型露光用マスク１に形成する。そして、このようなバー・イン・バー・パターンが形成された反射型露光用マスク１を用いて反射型ＥＵＶ露光を行う。

図９には、前述した反射型ＥＵＶ露光の結果を示す。この図９に示す転写パターン１７から明らかなように、図７に示す各第１のパターン１４、各第２のパターン１５、および各第３のパターン１６と異なり、各第１のパターン１４の転写像１４ａ、各第２のパターン１５の転写像１５ａ、および各第３のパターン１６の転写像１６ａは、それらの形成位置の中心が基準となる一点鎖線からずれている。すなわち、図８において反射型露光用マスク１上におけるパターン間のピッチをｘ１１＝ｘ１２＝ｘ２１＝ｘ２２＝ｘ３１＝ｘ３２として配置されていた各第１のパターン１４、各第２のパターン１５、および各第３のパターン１６は、露光後においてシフト量の違いによりそれぞれの形成位置が変化している。すなわち、各第１のパターン１４の転写像１４ａ、各第２のパターン１５の転写像１５ａ、および各第３のパターン１６の転写像１６ａは、それぞれの形成位置が設計段階とは異なっている。ただし、本実施形態によれば、例えば各第１のパターン１４に対する各第２のパターン１５のシフト量は、（ｘ２１−ｘ２２）／２として算出することが可能である。同様に、各第１のパターン１４に対する各第３のパターン１６のシフト量も、（ｘ３１−ｘ３２）／２として算出することが可能である。

すなわち、本実施形態によれば、アウターパターン１２とはサイズが異なるインナーパターン１３内側の転写ずれを合わせずれ測定器で計測することにより、アウターパターン１２のサイズとインナーパターン１３のサイズとの差異に起因する転写パターンの位置シフト量（位置ずれ量）の差分を、容易にかつ迅速に計測することができる。なお、測定用マスクパターン１１を反射型露光用マスク１上に形成するためのパターンデータも、マスクパターン６と同様に位置補正量テーブルに基づいて求めることが好ましい。

以上説明したように、この第３実施形態によれば、前述した第１および第２の各実施形態と同様の効果を得ることができる。また、１枚のマスク１上に異なるサイズのパターンが混在している場合においても、パターンサイズごとの位置シフト量を、一般的な合わせずれ測定器を用いて容易にかつ迅速に計測することが可能となる。したがって、反射型ＥＵＶ露光工程におけるパターンサイズごとの位置ずれ量をより短時間で、かつ、より正確に測定することが可能となり、より精度の高いデータをより効率よく取得可能となる。

（第４の実施の形態）
次に、本願発明に係る第４実施形態について図１０〜図１２を参照しつつ説明する。本実施形態においては、第３実施形態とは異なり、２回の露光でパターンサイズごとの位置シフト量を測定することができる技術について説明する。なお、前述した第１〜第３の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。

図１０には、第２実施形態において説明した第１のパターン１４のみを露光した１回目の露光の結果を示す。すなわち、図１０には、各第１のパターン１４の１回目の転写像１４ａを示す。また、図１１には、同じく第２実施形態において説明した各第１のパターン１４、各第２のパターン１５、および各第３のパターン１６をまとめて露光した２回目の露光の結果を示す。すなわち、図１１には、各第１のパターン１４の２回目の転写像１４ｂ、ならびに各第２のパターン１５および各第３のパターン１６のそれぞれの１回目の転写像１５ａ，１６ａを示す。また、図１２には、前述した第１のパターン１４のみを露光した１回目の露光の結果と、各第１のパターン１４、各第２のパターン１５、および各第３のパターン１６をまとめて露光した２回目の露光の結果とを重ね合わせて示す。すなわち、図１２においては、各第１のパターン１４の転写像１４ｃだけが２回の露光の重ね合わせの結果である。これに対して、各第２のパターン１５の転写像１５ａおよび各第３のパターン１６の転写像１６ａは、それぞれ１回の露光の結果である。なお、本実施形態では、パターン重ね合わせずれ測定用マスクパターンとしてのバー・イン・バー・パターン１１は、インナーパターン１３の少なくとも一部はアウターパターン１２と同一寸法に形成されている。

このような２回の露光の重ね合わせの結果によれば、１回目の露光と２回目の露光の重ね合わせのずれＸ１を、例えば第１のパターン１４のみで形成されたバー・イン・バー・パターン１１を用いてＸ１＝（ｘ１１−ｘ１２）／２と算出することができる。そして、第１のパターン１４は１回目の露光と２回目の露光で同一寸法であるので、露光光５の社入射に起因する転写像１４ａの位置シフト量Ｘ１は、そのまま図示しない露光装置に起因する位置シフト量であることが分かる。そして、位置シフト量Ｘ１を用いることにより、純粋に第１のパターン１４のサイズと第２のパターン１５のサイズとの違いに起因する第１のパターン１４に対する第２のパターン１５の位置シフト量の差分は、Ｘ２＝（ｘ２１−ｘ２２）／２−Ｘ１として算出することができる。同様に、純粋に第１のパターン１４のサイズと第３のパターン１６のサイズとの違いに起因する第１のパターン１４に対する第３のパターン１６の位置シフト量の差分も、Ｘ３＝（ｘ３１−ｘ３２）／２−Ｘ１として算出することができる。

なお、２回目の露光で転写されるパターンは、１回目の露光で転写されるパターンの外側に転写されることが好ましい。また、パターン重ね合わせずれ測定用マークとしてのバー・イン・バー・パターン１１は、図示しないＥＵＶ露光装置の露光サイズを適宜、適正に調整することにより、１回目の露光でウェーハ７上に形成するパターンと２回目の露光でウェーハ７上に形成するパターンとを、１枚のマスク１で形成できるパターンレイアウトに構成されていることが好ましい。

以上説明したように、この第４実施形態によれば、前述した第１〜第３の各実施形態と同様の効果を得ることができる。また、本実施形態によれば、露光装置に起因する位置ずれ量を取り除くことができるので、純粋なパターンサイズごと応じた位置シフト量の差分を、一般的な合わせずれ測定器にて計測することができる。これにより、一般的な合わせずれの測定を実施するのと同様に、外側と内側のそれぞれのバー・パターンの露光をそれぞれ個別に実施する場合でも、パターンサイズごとの位置ずれ量をより短時間で、かつ、より正確に測定することが可能となる。すなわち、より精度の高いデータをより効率よく取得可能となる。

（第５の実施の形態）
次に、本願発明に係る第５実施形態について図１３〜図１６を参照しつつ説明する。なお、前述した第１〜第４の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。

例えば、一般的なパターン重ね合わせずれ測定用マークは、通常はパターン幅が約１μｍ以上の大パターンを用いて形成されている。そして、先ず、図１３（ａ）に示すように、重ね合わせ先の下層に形成されたインナーパターン１０１に露光層のアウターパターン１０２を形成する。その後、それらインナーパターン１０１とアウターパターン１０２との間の距離を測定することにより、それら各パターン１０１，１０２同士の重ね合わせずれを計測する。ところが、このような方法では、図１３（ｂ）に示すように、露光層の本体パターン１０３の寸法と重ね合わせずれ測定用マスクパターン１０４の寸法とが互いに異なることにより、本体パターン１０３の位置ずれ量を正確に計測することはできない。従来の重ね合わせずれ測定用マーク２４で測定した重ね合わせのずれ量（ずれ幅）がたとえゼロ“０”であったとしても、図１３（ｂ）中破線で示すように、本体の微細ライン・アンド・スペースパターン２３には僅かな位置ずれＺが生じている。

このような不具合を解消するために、本実施形態では、本体パターンの位置ずれ量を正確に計測することが可能な重ね合わせずれ測定用マスクパターンを提供する。すなわち、本実施形態においては、前述した露光時のパターンの位置ずれ量を、マスク射影効果の影響を除いて適正に測定することができるアライメント測定技術について説明する。そして、そのような技術を実現するために、本実施形態においては、アライメント測定用マスクパターンを、ウェーハ７上に転写するマスクパターン６本体と同じ寸法およびピッチで形成するとともに、マスクパターン６本体と同じ量だけ同じ方向にシフトさせて反射型露光用マスク１上に形成する。

図１４（ａ）には、反射型露光用マスク１上におけるアライメント測定用マスクパターンとしての重ね合わせずれ測定用マスクパターン（重ね合わせずれ測定用マーク）２１のレイアウトを示す。また、図１４（ｂ）には、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１をウェーハ７に転写することにより形成された重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写像（転写パターン）２１ａ，２１ｂのレイアウトを示す。

重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１は、ウェーハ７上に転写するマスクパターン６本体と同じ寸法およびピッチで形成されている。それとともに、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１は、マスクパターン６本体と同じ方向に同じ量だけシフトさせて反射型露光用マスク１上に形成される。具体的には、図１４（ａ）に示すように、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１が備える４本のパターン２１のうち左右両側の２本のパターン２１は、それらの中心を形成位置の基準を示す破線の上から外されて形成されている。より具体的には、図１４（ａ）に示す左右両側の２本のパターン２１は、それらの中心を基準位置よりも右側にずらされて形成されている。それとともに、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１が備える４本のパターン２１のうち上下両側の２本のパターン２１は、それらの上下の中心は基準位置に乗せられて設計通りに形成されているが、前述した左右両側の２本のパターン２１と同じ量だけそれぞれ右側にずらされて形成されている。

このように、図１４（ａ）に示す重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１には、露光工程を行うのに先立って、予めパターンの位置補正が施されている。そして、ウェーハ７上における重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写像は、図１４（ｂ）に示すパターン２１ａ，２１ｂのような形状になる。図１４（ｂ）に示すように、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１のウェーハ７上への転写像である転写パターン２１ａ，２１ｂには、重ね合わせずれが生じていない。すなわち、外側の４本の転写パターン２１ａの中心と、内側の４本の転写パターン２１ｂの中心とが互いに一致してウェーハ７上に形成されている。また、外側の４本の転写パターン２１ａは、それらの中心を基準位置に乗せられて設計通りに形成されている。そして、露光工程を行うのに先立って、この重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１に施した位置補正と同様の位置補正をデバイスパターン形成用マスクパターンとしての本体パターン６に予め施しておく。これにより、図１４（ｂ）に示すように、その下層の本体パターン６の転写像と露光層の本体パターン６の転写像との間に重ね合わせずれが生じるおそれを殆どなくすことができる。

また、図１５（ａ），（ｂ）には、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１を用いて重ね合わせずれを測定した場合に、ウェーハ７上において重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写像２１ａ，２１ｂとマスクパターン６本体の転写像９との間に重ね合わせずれが生じていない場合の状態を示す。図１５（ａ）に示すように、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写パターン２１ａは、それらの中心が形成位置の基準を示す破線の上に乗って形成されている。また、外側の４本の転写パターン２１ａの中心と、内側の４本の転写パターン２１ｂの中心とが互いに一致して形成されている。さらに、図１５（ｂ）中破線で示すように、マスクパターン６本体の転写パターン９と重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写パターン２１ａとの間の重ね合わせずれ量は殆どゼロ“０”である。

これに対して、図１６（ａ），（ｂ）には、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１を用いて重ね合わせずれを測定した場合に、ウェーハ７上において重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写像２１ａ，２１ｂとマスクパターン６本体の転写像９との間に重ね合わせずれが生じている場合の状態を示す。図１６（ａ）に示すように、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写パターン２１ａは、それらの中心が形成位置の基準を示す破線の上からずれて形成されている。また、外側の４本の転写パターン２１ａの中心と、内側の４本の転写パターン２１ｂの中心とが互いにずらされて形成されている。さらに、図１６（ｂ）中破線で示すように、マスクパターン６本体の転写パターン９と重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写パターン２１ａとの間には、図１６（ｂ）中Ｘで示す大きさの重ね合わせずれが生じている。

このように、本実施形態においては、重ね合わせずれ測定用マスクパターン２１の転写像２１ａ，２１ｂがマスクパターン６本体の転写像９の位置ずれを明確に反映している。

以上説明したように、この第５実施形態によれば、前述した第１〜第４の各実施形態と同様の効果を得ることができる。特に、本実施形態によれば、露光時のパターンの位置ずれ量を、マスク射影効果の影響を除いて適正に測定することができる。

（第６の実施の形態）
次に、本願発明に係る第６実施形態について図示を省略して説明する。本実施形態においては、本実施形態においては、前述した第１〜第５の各実施形態のうちの少なくとも一つに係るマスクパターンデータの生成方法により生成されたマスクパターンデータに基づいてマスクパターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法について説明する。なお、前述した第１〜第５の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。

先ず、第１〜第５の各実施形態のうちの少なくとも一つに係るマスクパターンデータの生成方法によりマスクパターン６のデータを生成する。続けて、このデータに基づいて吸収層４をパターン加工して、反射層３（マスクブランクス２）上にマスクパターン６を形成する。これにより、微細なパターンを高い精度でウェーハ７上に転写して形成することができる所望のマスクパターン６を備える反射型露光用マスク１を製造することができる。

以上説明したように、この第６実施形態によれば、前述した第１〜第５の各実施形態のうちの少なくとも一つに係るマスクパターンデータの生成方法を利用するので、反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターンを高精度に形成することができるマスクの製造方法を提供することができる。

（第７の実施の形態）
次に、本願発明に係る第７実施形態について図示を省略して説明する。本実施形態においては、前述した第１〜第５の各実施形態のうちの少なくとも一つに係るマスクパターンデータの生成方法を利用する半導体装置の製造方法について説明する。なお、前述した第６実施形態に係るマスクの製造方法により製造される反射型露光用マスク１は、前述したように第１〜第５の各実施形態のうちの少なくとも一つに係るマスクパターンデータの生成方法を利用して製造される反射型露光用マスク１である。このため、本実施形態においては、第６実施形態に係るマスクの製造方法により製造される反射型露光用マスク１を用いて半導体装置を製造する方法について説明する。なお、前述した第１〜第６の各実施形態と同一部分には同一符号を付して、それらの詳しい説明を省略する。

先ず、第６実施形態に係るマスクの製造方法により製造される反射型露光用マスク１を用いてウェーハ（半導体基板）７上の図示しないレジスト膜にマスクパターン６を転写するとともに、レジスト膜を現像してレジストパターンを形成する。続けて、レジスト膜に形成されたレジストパターンに沿ってレジスト膜の下方の図示しない被加工膜や半導体基板７をエッチング等により加工する。これにより、被加工膜や半導体基板７に所望の微細なデバイスパターン９を高い精度で形成することができる。この後、デバイスパターン９が形成された半導体基板７を、トランジスタ製造工程、配線形成工程、ダイシング工程、チップマウンティング工程、ボンディング工程、およびモールディング工程等に流す。これにより、本実施形態に係る図示しない所望の半導体装置を得る。

以上説明したように、この第７実施形態においては、第６実施形態に係るマスクの製造方法により製造される反射型露光用マスク１を用いてパターン転写を行う。これにより、反射型光学系を用いるリソグラフィ工程において微細なパターンを高精度に形成することができるので、微細な各種半導体素子や配線等を高い精度で効率良く、かつ、容易に半導体基板等の上に形成することができる。このため、パターンが高い精度で形成されており、性能、信頼性、品質、および歩留まり等が向上された高品質な半導体装置を効率良く、かつ、容易に製造することができる。

なお、本願発明に係るマスクパターンデータの生成方法、マスクの製造方法、および半導体装置の製造方法は、前述した第１〜第７の各実施形態には制約されない。本願発明の趣旨を逸脱しない範囲で、それらの構成、あるいは製造工程などの一部を種々様々な設定に変更したり、あるいは各種設定を適宜、適当に組み合わせて用いたりして実施することができる。

本願発明の第１実施形態に係る反射型露光用マスクを概略的に示す斜視図。 反射型露光工程におけるウェーハ上の露光光の損失量および転写パターンの位置ずれ量をグラフにして示す図。 反射型露光工程におけるウェーハ上の転写パターンのハーフピッチと位置ずれ量との関係を露光光の入射角の大きさごとに分類してグラフにして示す図。 本願発明の第１実施形態に係る位置補正量テーブルを示す図。 本願発明の第１実施形態に係る反射型露光工程の結果と第１実施形態に対する比較例に係る反射型露光工程の結果とを並べて示す平面図。 本願発明の第２実施形態に係るパターン位置シフト量計測方法を概略的に示す平面図。 本願発明の第３実施形態に係る測定用マスクパターンを概略的に示す平面図。 図７に示す測定用マスクパターンの構成の一例を示す平面図。 図８に示す測定用マスクパターンの転写像を示す平面図。 本願発明の第４実施形態に係る測定用マスクパターンを用いて１回目の反射型露光工程を行った結果を示す平面図。 本願発明の第４実施形態に係る測定用マスクパターンを用いて２回目の反射型露光工程を行った結果を示す平面図。 図１０に示す１回目の反射型露光工程を行った結果と図１１に示す２回目の反射型露光工程を行った結果とを重ね合わせて示す平面図。 ウェーハ上に転写された本願発明の第５実施形態に対する比較例に係る重ね合わせずれ測定用マスクパターンおよびこの重ね合わせずれ測定用マスクパターンとデバイスパターン形成用マスクパターとの重ね合わせずれを示す平面図。 本願発明の第５実施形態に係る重ね合わせずれ測定用マスクパターンを用いる重ね合わせずれが生じていない場合の反射型露光工程の結果を示す平面図。 本願発明の第５実施形態に係る重ね合わせずれ測定用マスクパターンとデバイスパターン形成用マスクパターとの間に重ね合わせずれが生じていない場合の反射型露光の結果を示す平面図。 本願発明の第５実施形態に係る重ね合わせずれ測定用マスクパターンとデバイスパターン形成用マスクパターとの間に重ね合わせずれが生じている場合の反射型露光の結果を示す平面図。

符号の説明

１…反射型露光用マスク、２…マスクブランクス（基板）、３…反射層、４…吸収層、５…露光光、６…デバイスパターン形成用マスクパターン、７…ウェーハ（半導体基板、被露光体）、８，９，３０…デバイスパターン、１１…バー・イン・バー・パターン（測定用マスクパターン）、１２…アウターパターン（測定用マスクパターン）、１２ａ，１２ｂ…２本の同一寸法のアウターパターン（アウターパターン、測定用マスクパターン）、１３…インナーパターン（測定用マスクパターン）、１３ａ，１３ｂ…２本の同一寸法のインナーパターン（インナーパターン、測定用マスクパターン）、１４…第１のパターン（測定用マスクパターン）、１４ａ…第１のパターンの転写像（第１のパターンの１回目の転写像、測定用マスクパターンを被露光体上に転写した際のアウターパターン群）、１４ｂ…第１のパターンの転写像（第１のパターンの２回目の転写像、測定用マスクパターンを被露光体上に転写した際のアウターパターン群）、１４ｃ…第１のパターンの転写像（第１のパターンの１回目の転写像と２回目の転写像との重ね合わせの像、測定用マスクパターンを被露光体上に転写した際のアウターパターン群）、１５…第２のパターン（測定用マスクパターン）、１５ａ…第２のパターンの転写像（第２のパターンの１回目の転写像、測定用マスクパターンを被露光体上に転写した際のインナーパターン群）、１６…第３のパターン（測定用マスクパターン）、１６ａ…第３のパターンの転写像（第３のパターンの１回目の転写像、測定用マスクパターンを被露光体上に転写した際のインナーパターン群）、２１…バー・イン・バー・パターン（重ね合わせずれ測定用マスクパターン）、３１…第１のアウターパターン（デバイスパターン）、３１ａ，３１ｂ…第１のラインパターン（第１のアウターパターン、デバイスパターン）、３２…第１のインナーパターン（デバイスパターン）、３２ａ，３２ｂ…第２のラインパターン（第１のインナーパターン、デバイスパターン）、３３…第２のアウターパターン（デバイスパターン）、３３ａ，３３ｂ…第３のラインパターン（第２のアウターパターン、デバイスパターン）、３４…第２のインナーパターン（デバイスパターン）、３４ａ，３４ｂ…第４のラインパターン（第２のインナーパターン、デバイスパターン）、３５…第３のアウターパターン（デバイスパターン）、３５ａ，３５ｂ…第５のラインパターン（第３のアウターパターン、デバイスパターン）、３６…第３のインナーパターン（デバイスパターン）、３６ａ，３６ｂ…第６のラインパターン（第３のインナーパターン、デバイスパターン）、ｘ１１，ｘ１２，ｘ２１，ｘ２２，ｘ３１，ｘ３２…パターンピッチ

Claims (5)

1. 反射型露光用マスクに形成されるデバイスパターン形成用のマスクパターンデータの生成方法であって、
   前記マスクパターンのパターン寸法およびパターンピッチの少なくとも一つに応じて生じる前記マスクパターンを被露光体上に転写した際の転写位置ずれ量を補正するための位置補正量テーブルに基づいて前記マスクパターンのデータを生成することを特徴とするマスクパターンデータの生成方法。
2. 前記反射型露光用マスクに形成される、前記デバイスパターン形成用マスクパターンと同じパターン寸法およびパターンピッチを有する重ね合わせずれ測定用マスクパターンのマスクパターンデータも前記位置補正量テーブルに基づいて求めることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンデータの生成方法。
3. 同一ピッチの周期パターンまたは同一寸法のパターンを対向するように配置した一対のアウターパターンを複数対有するアウターパターン群と、
   前記各アウターパターン対の内側において同一ピッチの周期パターンまたは同一寸法のパターンを対向するように配置した一対のインナーパターンを有し、かつ、各インナーパターン対はそれぞれ異なるピッチの周期パターン又はそれぞれ異なる寸法のパターンから構成されるインナーパターンを有しているインナーパターン群と、
   を有する測定用マスクパターンが形成された反射型露光用マスクを用いて、前記測定用マスクパターンを被露光体上に転写した際の前記アウターパターン群とインナーパターン群の転写位置に基づき、前記位置補正量テーブルが求められることを特徴とする請求項１に記載のマスクパターンデータの生成方法。
4. 前記位置補正量テーブルは、前記アウターパターン対とその内側に配置されるインナーパターン対の転写位置の差を、前記測定用マスクパターンに含まれる前記アウターパターン対とその内側に配置されるインナーパターン対毎に測定することにより求めることを特徴とする請求項３に記載のマスクパターンデータの生成方法。
5. 請求項１〜４のうちのいずれか１項に記載のマスクパターンデータの生成方法により生成されたマスクパターンデータに基づいてマスクパターンを形成することを特徴とするマスクの製造方法。

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