JP2011119646A - オーバーレイの方法及びその装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体デバイスの製造方法は、基板を準備する工程13と、基板の中にオーバーレイマークの第1の部分を形成し、第1の部分は、第1の方向で測定される第1の寸法と、第1の方向に対して略垂直な第2の方向で測定され、第1の寸法より大きな第2の寸法と、をそれぞれ有する複数の第1のフィーチャを有する工程15と、基板の中にオーバーレイマークの第2の部分を形成し、第2の部分は、第1の方向で測定される第3の寸法と、第2の方向で測定され、第3の寸法より小さい第4の寸法と、をそれぞれ有する複数の第2のフィーチャを有する工程17と、を含む。
【選択図】図1
Description
第1の部分及び第2の部分を備え、
前記第1の部分は、複数の第1のフィーチャを有し、前記第1のフィーチャのそれぞれは、
第1の方向で測定する第1の寸法と、前記第1の方向に対して略垂直な第2の方向で測定し、前記第1の寸法より大きな第2の寸法と、を有し、
前記第2の部分は、複数の第2のフィーチャを有し、前記第2のフィーチャのそれぞれは、
前記第1の方向で測定する第3の寸法と、前記第2の方向で測定し、前記第3の寸法より小さな第4の寸法と、を有し、
前記第2のフィーチャの少なくとも1つは、前記第1の方向及び前記第2の方向で、複数の前記第1のフィーチャにより部分的に囲まれることを特徴とする。
前記第1の層には、前記第1の部分が配置され、前記第2の層には、前記第2の部分が配置された半導体デバイスをさらに備えてもよい。
前記第2の部分は、第2のフォトマスクの中に配置されてもよい。
前記複数の第2のフィーチャは、前記第2の方向で測定される第2の距離を有し、
前記第1のフォトマスクは、前記第1の方向で測定される前記第1の距離を有する第3のフィーチャを有し、
前記第2のフォトマスクは、前記第2の方向で測定される前記第2の距離を有する第4のフィーチャを有し、
前記第1の距離は、第1のサイズと関連し、
前記第2の距離は、第2のサイズと関連してもよい。
前記複数の第2のフィーチャは、前記第2の方向で測定された第2の距離を有し、
前記第1の距離及び前記第2の距離は、半導体製造技術の限界寸法と関連し、
前記限界寸法は、前記第1の方向又は前記第2の方向により測定されてもよい。
前記第1の軸に対して略垂直な第2の軸に沿ってそれぞれ延伸した細長い第2のグレーティングのグループを有する第2のオーバーレイマークと、を備え、
前記第2のオーバーレイマークは、前記第1の軸及び前記第2の軸に沿って、前記第1のオーバーレイマークにより部分的に囲まれてもよい。
前記第1のオーバーレイマークは、前記第1の層の上方に位置し、
前記第2のオーバーレイマークは、前記第2の層の上方に位置してもよい。
前記第1のグレーティングのそれぞれは、第1の幅を有し、第1の距離により離間され、
前記第1の幅及び前記第1の距離は、第2の軸により測定され、
前記第2のグレーティングのそれぞれは、第2の幅を有し、第2の距離により離間され、
前記第2の幅及び前記第2の距離は、前記第1の軸により測定され、
前記限界寸法は、前記第1の幅、前記第2の幅、前記第1の距離及び前記第2の距離の関数であってもよい。
基板を準備する工程と、
前記基板の中にオーバーレイマークの第1の部分を形成し、前記第1の部分は、第1の方向で測定される第1の寸法と、前記第1の方向に対して略垂直な第2の方向で測定され、前記第1の寸法より大きな第2の寸法と、をそれぞれ有する複数の第1のフィーチャを有する工程と、
前記基板の中にオーバーレイマークの第2の部分を形成し、前記第2の部分は、第1の方向で測定される第3の寸法と、前記第2の方向で測定され、前記第3の寸法より小さい第4の寸法と、をそれぞれ有する複数の第2のフィーチャを有する工程と、を含み、
前記第1の部分及び前記第2の部分を形成することにより、少なくとも1つの前記第2のフィーチャは、前記第1の方向及び前記第2の方向で、前記複数の第1のフィーチャにより部分的に囲まれることを特徴とする。
40 オーバーレイマーク
40A パターン(オーバーレイマーク)
40B パターン(オーバーレイマーク)
40C パターン(オーバーレイマーク)
41 オーバーレイマーク
41A パターン(オーバーレイマーク)
41B パターン(オーバーレイマーク)
41C パターン(オーバーレイマーク)
54 フィーチャ
54A 細長いフィーチャ
54B フィーチャ
54C フィーチャ
55 フィーチャ
55A 細長いフィーチャ
55B フィーチャ
55C フィーチャ
60 長さ
60A 長さ
60B 長さ
60C 長さ
61 幅
61A 幅
61B 幅
61C 幅
64 長さ
64A 長さ
64B 長さ
64C 長さ
65 幅
65A 幅
65B 幅
65C 幅
70 距離
70A 距離
70B 距離
70C 距離
75 距離
75A 距離
75B 距離
75C 距離
84 フィーチャ
84A 細長いフィーチャ
84C 細長いフィーチャ
85 フィーチャ
85A 細長いフィーチャ
85C 細長いフィーチャ
90 長さ
90A 長さ
91 幅
91A 幅
94 長さ
94A 長さ
95 幅
95A 幅
100 距離
100A 距離
100B 距離
100C 距離
105 距離
105A 距離
105B 距離
105C 距離
110 フォトマスク
120A〜139A パターン
120B〜139B パターン
120C〜139C パターン
150A フィーチャ
150B フィーチャ
150C フィーチャ
151A フィーチャ
151B フィーチャ
151C フィーチャ
152A フィーチャ
152B フィーチャ
152C フィーチャ
155A 幅
155B 幅
155C 幅
160 フォトマスク
170A〜189A パターン
170B〜189B フィーチャ
170C〜189C パターン
200A フィーチャ
200B フィーチャ
200C フィーチャ
201A フィーチャ
201B フィーチャ
201C フィーチャ
202A フィーチャ
202B フィーチャ
202C フィーチャ
205A 幅
205C 幅
205B 幅
220 ウェーハ
230 層
240 Y双極子の孔径
250 X双極子の孔径
255 開口
256 開口
265 開口
266 開口
270 ウェーハ
280 層
290 層
Claims (11)
- オーバーレイマークを備える装置であって、
第1の部分及び第2の部分を備え、
前記第1の部分は、複数の第1のフィーチャを有し、前記第1のフィーチャのそれぞれは、
第1の方向で測定する第1の寸法と、前記第1の方向に対して略垂直な第2の方向で測定し、前記第1の寸法より大きな第2の寸法と、を有し、
前記第2の部分は、複数の第2のフィーチャを有し、前記第2のフィーチャのそれぞれは、
前記第1の方向で測定する第3の寸法と、前記第2の方向で測定し、前記第3の寸法より小さな第4の寸法と、を有し、
前記第2のフィーチャの少なくとも1つは、前記第1の方向及び前記第2の方向で、複数の前記第1のフィーチャにより部分的に囲まれることを特徴とするオーバーレイマークを備える装置。 - 第1の層と、前記第1の層と異なる第2の層と、を有し、
前記第1の層には、前記第1の部分が配置され、前記第2の層には、前記第2の部分が配置された半導体デバイスをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイマークを備える装置。 - 前記第1の部分及び前記第2の部分が配置された層を有する半導体デバイスをさらに備えることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイマークを備える装置。
- 前記第1の部分は、第1のフォトマスクの中に配置され、
前記第2の部分は、第2のフォトマスクの中に配置されることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイマークを備える装置。 - 前記複数の第1のフィーチャは、前記第1の方向で測定される第1の距離を有し、
前記複数の第2のフィーチャは、前記第2の方向で測定される第2の距離を有し、
前記第1のフォトマスクは、前記第1の方向で測定される前記第1の距離を有する第3のフィーチャを有し、
前記第2のフォトマスクは、前記第2の方向で測定される前記第2の距離を有する第4のフィーチャを有し、
前記第1の距離は、第1のサイズと関連し、
前記第2の距離は、第2のサイズと関連することを特徴とする請求項4に記載のオーバーレイマークを備える装置。 - 前記複数の第1のフィーチャは、前記第1の方向で測定された第1の距離を有し、
前記複数の第2のフィーチャは、前記第2の方向で測定された第2の距離を有し、
前記第1の距離及び前記第2の距離は、半導体製造技術の限界寸法と関連し、
前記限界寸法は、前記第1の方向又は前記第2の方向により測定されることを特徴とする請求項1に記載のオーバーレイマークを備える装置。 - 第1の軸に沿ってそれぞれ延伸した細長い第1のグレーティングのグループを有する第1のオーバーレイマークと、
前記第1の軸に対して略垂直な第2の軸に沿ってそれぞれ延伸した細長い第2のグレーティングのグループを有する第2のオーバーレイマークと、を備え、
前記第2のオーバーレイマークは、前記第1の軸及び前記第2の軸に沿って、前記第1のオーバーレイマークにより部分的に囲まれることを特徴とするオーバーレイマークを備える装置。 - 第1の層と、前記第1の層と異なる第2の層と、を有し、
前記第1のオーバーレイマークは、前記第1の層の上方に位置し、
前記第2のオーバーレイマークは、前記第2の層の上方に位置することを特徴とする請求項7に記載のオーバーレイマークを備える装置。 - 前記第1のオーバーレイマーク及び前記第2のオーバーレイマークが配置された層を有する半導体デバイスをさらに備えることを特徴とする請求項7に記載のオーバーレイマークを備える装置。
- 前記第1の軸又は前記第2の軸により測定される限界寸法を有する半導体デバイスをさらに備え、
前記第1のグレーティングのそれぞれは、第1の幅を有し、第1の距離により離間され、
前記第1の幅及び前記第1の距離は、第2の軸により測定され、
前記第2のグレーティングのそれぞれは、第2の幅を有し、第2の距離により離間され、
前記第2の幅及び前記第2の距離は、前記第1の軸により測定され、
前記限界寸法は、前記第1の幅、前記第2の幅、前記第1の距離及び前記第2の距離の関数であることを特徴とする請求項7に記載のオーバーレイマークを備える装置。 - 基板を準備する工程と、
前記基板の中にオーバーレイマークの第1の部分を形成し、前記第1の部分は、第1の方向で測定される第1の寸法と、前記第1の方向に対して略垂直な第2の方向で測定され、前記第1の寸法より大きな第2の寸法と、をそれぞれ有する複数の第1のフィーチャを有する工程と、
前記基板の中にオーバーレイマークの第2の部分を形成し、前記第2の部分は、第1の方向で測定される第3の寸法と、前記第2の方向で測定され、前記第3の寸法より小さい第4の寸法と、をそれぞれ有する複数の第2のフィーチャを有する工程と、を含み、
前記第1の部分及び前記第2の部分を形成することにより、少なくとも1つの前記第2のフィーチャは、前記第1の方向及び前記第2の方向で、前記複数の第1のフィーチャにより部分的に囲まれることを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
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