JP2008085007A - 多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置 - Google Patents
多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008085007A JP2008085007A JP2006261891A JP2006261891A JP2008085007A JP 2008085007 A JP2008085007 A JP 2008085007A JP 2006261891 A JP2006261891 A JP 2006261891A JP 2006261891 A JP2006261891 A JP 2006261891A JP 2008085007 A JP2008085007 A JP 2008085007A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- overlay
- layer
- marker
- overlay marker
- markers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】各層のパターン間の位置ずれを、それぞれ誤差の量や方向のばらつきが小さく検知することが可能であるとともに、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができ、さらに、多層薄膜上におけるオーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることが可能な、多層薄膜から成る多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置を提供する。
【解決手段】各層のパターン62,66,70間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカー62a,70a,66aを各層に備え、少なくとも一つの層の特定のオーバーレイマーカー70aの観測位置から、その層とは異なる複数の層のオーバーレイマーカー62a,66aを観測可能となるねらいで、オーバーレイマーカー62a,70a,66aが設けられている。
【選択図】図1
【解決手段】各層のパターン62,66,70間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカー62a,70a,66aを各層に備え、少なくとも一つの層の特定のオーバーレイマーカー70aの観測位置から、その層とは異なる複数の層のオーバーレイマーカー62a,66aを観測可能となるねらいで、オーバーレイマーカー62a,70a,66aが設けられている。
【選択図】図1
Description
本発明は、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置に関する。
磁気ヘッドや半導体チップ等において、所定パターンに形成された薄膜が多層に積層されて成る多層薄膜が広く用いられている。このような多層薄膜を製造する上で、各層のパターン間の、薄膜の面方向の相対的な位置ずれが、磁気ヘッドや半導体チップ等の製品の品質に影響する。そこで、従来、薄膜の積層工程の後、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知して、位置ずれ量や位置ずれ方向などの統計を取るなどし、その結果を薄膜の積層工程にフィードバックして、積層工程における位置合わせ精度を向上させることが行われている。
従来、積層工程後に、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知するために、オーバーレイマーカーが用いられている。すなわち、各層の薄膜を所定パターンに形成する際、パターンの一部をオーバーレイマーカーとなる所定形状に形成しておき、各層のオーバレーマーカー間の相対的な位置ずれを検出することで、各層のパターン間の位置ずれを検知する方法が採用されている。
特許文献1に、位置合わせマーク(オーバーレイマーカー)を用いた従来のオーバーレイ位置ずれ測定方法が開示されている。
特許文献1記載のオーバーレイ位置ずれ測定方法の説明図を図4および図5に示す。
特許文献1記載のオーバーレイ位置ずれ測定方法の説明図を図4および図5に示す。
特許文献1記載のオーバーレイ位置ずれ測定方法においては、図4に示すように、多層薄膜の各層のパターンをフォトリソグラフィ法により形成するために用いられる第1のフォトリソグラフィ処理マスク10に、半導体の回路の設計パターンに対応するパターン14、および、オーバーレイマーカーの形状に対応する箱型(正方形)の目標像12が形成されている。そしてフォトリソグラフィ処理により、ウエハー16表面に、パターン14に対応する回路の設計パターン20を設けると同時に、箱型(正方形)ターゲットまたは目標像12に対応する目標位置合わせマーク(オーバーレイマーカー)18を設ける。次に、位置合わせマーク18および回路の設計パターン20を、レジスト、酸化膜、スパッターした層等(中間層)で覆う。第2のマスク22には小さな箱型像24があり、その位置は前記箱型の目標像12とセンター・ツー・センターで一線上に並ぶように設計されている(特許文献1 段落0003)。
続いて、第2のマスク22のパターンに基づいて、前記中間層上に、位置合わせマーク(オーバーレイマーカー)28が形成される。
続いて、第2のマスク22のパターンに基づいて、前記中間層上に、位置合わせマーク(オーバーレイマーカー)28が形成される。
図5は、図4のウエハー16の2−2断面図である。第1のフォトリソグラフィ処理マスクに基づいて形成されたプロセス層44に、空白領域42を取り囲む位置合わせマーク18が形成されている。また、プロセス層44(位置合わせマーク18)の上層には、材料層(中間層)46が設けられている。さらに材料層46の上層に、第2のマスク22に基づいて形成された位置合わせマーク28が形成されている(特許文献1 段落0010)。
このように、位置合わせする層の一方に、四角形の空白領域を囲む形状のオーバーレイマーカー(位置あわせマーク18)を形成し、他方の層に、その空白領域内に配置させるねらいでオーバーレイマーカー(位置合わせマーク28)を形成し、各オーバーレイマーカー18,28間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知する。
なお、この位置ずれ検知方法は、一般に、ボックス・イン・ボックス方式と呼ばれる。
なお、この位置ずれ検知方法は、一般に、ボックス・イン・ボックス方式と呼ばれる。
さらに、第2のマスク22に対応して形成されたパターンと、その上層に形成するパターンとの位置ずれの検知を行う場合には、上記方法と同様のプロセスを行う。すなわち、図4に示すように、第2のマスク22に、四角形の空白領域を囲む形状のオーバーレイマーカーに対応する別の像26を形成し、さらに上層のパターンに対応する第3のマスク30に、その空白領域内に配置させるオーバーレイマーカーに対応する像34を形成し、像26および像34に基づいて形成された各オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知する。
第3のマスク30には、さらにその上層との位置合わせを行うための、四角形の空白領域を囲む形状のオーバーレイマーカーに対応する像32が形成される。
第3のマスク30には、さらにその上層との位置合わせを行うための、四角形の空白領域を囲む形状のオーバーレイマーカーに対応する像32が形成される。
このような多層薄膜における3層間の各オーバーレイマーカーの関係を、図6に模式的に表す。
図6の多層薄膜は、一層目の第一パターン50と、二層目の第二パターン52と、三層目の第三パターン54と、第一パターン50と第二パターン52との間に設けられた中間層56と、第二パターン52と第三パターン54との間に設けられた中間層58とを有する。
図6の多層薄膜は、一層目の第一パターン50と、二層目の第二パターン52と、三層目の第三パターン54と、第一パターン50と第二パターン52との間に設けられた中間層56と、第二パターン52と第三パターン54との間に設けられた中間層58とを有する。
第一パターン50には、所定の空白領域50aを囲む形状の第一オーバーレイマーカー50bが含まれる。第二パターン52には、第一オーバーレイマーカー50bの空白領域50aの対応位置内に配置させるねらいで形成された第二オーバーレイマーカー52aが含まれる。
同様に、第二パターン52の別の位置には、所定の空白領域52bを囲む形状の第三オーバーレイマーカー52cが含まれる。第三パターン54には、第三オーバーレイマーカー52cの空白領域52bの対応位置内に配置させるねらいで形成された第四オーバーレイマーカー54aが含まれる。
同様に、第二パターン52の別の位置には、所定の空白領域52bを囲む形状の第三オーバーレイマーカー52cが含まれる。第三パターン54には、第三オーバーレイマーカー52cの空白領域52bの対応位置内に配置させるねらいで形成された第四オーバーレイマーカー54aが含まれる。
第一パターン50と第二パターン52との間の位置ずれの検知は、多層薄膜の上方から多層薄膜の積層方向Aに向かって、多層薄膜を光学カメラで撮像し、その結果得た画像データから、第一オーバーレイマーカー50bの輪郭線50cと、第二オーバーレイマーカー52aの輪郭線52dとの相対的な位置関係を検出することで行うことができる。
同様に、第二パターン52と第三パターン54との間の位置ずれの検知は、前記画像データから、第三オーバーレイマーカー52cの輪郭線52eと、第四オーバーレイマーカー54aの輪郭線54bとの相対的な位置関係を検出することで行うことができる。
なお、中間層56,58は、前記光学カメラで撮像可能な光線を十分透過する材料で構成される。
同様に、第二パターン52と第三パターン54との間の位置ずれの検知は、前記画像データから、第三オーバーレイマーカー52cの輪郭線52eと、第四オーバーレイマーカー54aの輪郭線54bとの相対的な位置関係を検出することで行うことができる。
なお、中間層56,58は、前記光学カメラで撮像可能な光線を十分透過する材料で構成される。
また、第一パターン50と第三パターン54との間の位置ずれを検知する場合には、第一パターン50と第二パターン52との間の位置ずれ(位置ずれ量および位置ずれ方向を示す情報)と、第二パターン52と第三パターン54との間の位置ずれとを足す処理を行う。
上述の従来の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法では、3層以上の各層のパターン間の位置ずれを検知する場合、2層間で対応するオーバーレイマーカーを、位置を変えて複数組設ける必要がある。図6の例では、第一オーバーレイマーカー50bと第二オーバーレイマーカー52aとから成る第一組と、第三オーバーレイマーカー52cと第四オーバーレイマーカー54aとから成る第二組との、少なくとも2組が必要となる。
ところで、前記光学カメラで撮像した画像データ上におけるオーバーレイマーカーの位置は、厳密には、多層薄膜上での実際の位置とは異なる。
これは、多層薄膜の薄膜面内の位置に応じて、面方向に対する前記光学カメラに向かう光線の角度が異なるために、各オーバーレイマーカー毎に撮像されるマーカー側面の厚さが異なったり、また、この角度に応じて中間層による光の屈折角度が異なったりするためである。
これは、多層薄膜の薄膜面内の位置に応じて、面方向に対する前記光学カメラに向かう光線の角度が異なるために、各オーバーレイマーカー毎に撮像されるマーカー側面の厚さが異なったり、また、この角度に応じて中間層による光の屈折角度が異なったりするためである。
さて、前記従来方法には、以下のような課題がある。
3層以上の各層のパターン間の位置ずれを検知する場合、前述の通り複数組のオーバーレイマーカーを、別の位置に形成する必要がある。そのため、各組毎の形成位置の違いに影響され、前記光学カメラで撮像した画像データ上におけるオーバーレイマーカーの位置の、実際の位置に対する誤差の量および方向が、各組毎に大きく異なる。したがって、オーバーレイマーカーに基づいて検知される各パターン間の位置ずれ量および位置ずれ方向の、実際の位置ずれ量および位置ずれ方向との誤差の量および方向が、各組毎に大きく異なるという課題がある。
3層以上の各層のパターン間の位置ずれを検知する場合、前述の通り複数組のオーバーレイマーカーを、別の位置に形成する必要がある。そのため、各組毎の形成位置の違いに影響され、前記光学カメラで撮像した画像データ上におけるオーバーレイマーカーの位置の、実際の位置に対する誤差の量および方向が、各組毎に大きく異なる。したがって、オーバーレイマーカーに基づいて検知される各パターン間の位置ずれ量および位置ずれ方向の、実際の位置ずれ量および位置ずれ方向との誤差の量および方向が、各組毎に大きく異なるという課題がある。
なお、この課題は、図6の例における第一パターン50と第三パターン54との間の位置ずれを検知するために、前述の通り、前記第一組から検出される位置ずれ量および位置ずれ方向と、前記第二組から検出される位置ずれ量および位置ずれ方向とを足す処理にも影響を与える。すなわち、各組から求められる誤差の量および方向が大きく異なるために、両者を足し合わせて求めた第一パターン50と第三パターン54との間の位置ずれ量および位置ずれ方向は、実際の位置ずれ量および位置ずれ方向と大きく異なってしまう場合がある。
また、画像データ上から複数組のオーバーレイマーカーをそれぞれに認識して画像処理を行う必要があるから、位置ずれを検知するための処理が煩雑となり、また時間が掛かるという課題がある。
さらに、位置ずれを検知する層が増える毎に、オーバーレイマーカーを別の位置に設ける必要があるから、多層薄膜上におけるオーバーレイマーカーの占有面積が大きくなってしまうと言う課題がある。
本発明はこれらの課題を解決すべくなされ、その目的とするところは、各層のパターン間の位置ずれを、それぞれ誤差の量や方向のばらつきが小さく検知することが可能であるとともに、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができ、さらに、多層薄膜上におけるオーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることが可能な、多層薄膜から成る多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置を提供することにある。
本発明に係る多層ウェハは、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハにおいて、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能となるねらいで、該オーバーレイマーカーが設けられていることを特徴とする。
これによれば、複数層のパターン間の各オーバーレイマーカーを、前記特定のオーバーレイマーカーの前記抜かれた領域内にまとめて、至近距離に設けるから、各パターン間の位置ずれのそれぞれを、互いに誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能であるとともに、オーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることができる。また、前記特定のオーバーレイマーカーの範囲だけを撮像した一つの画像データに対する処理を行うだけで済むから、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができる。
すなわち、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハにおいて、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能となるねらいで、該オーバーレイマーカーが設けられていることを特徴とする。
これによれば、複数層のパターン間の各オーバーレイマーカーを、前記特定のオーバーレイマーカーの前記抜かれた領域内にまとめて、至近距離に設けるから、各パターン間の位置ずれのそれぞれを、互いに誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能であるとともに、オーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることができる。また、前記特定のオーバーレイマーカーの範囲だけを撮像した一つの画像データに対する処理を行うだけで済むから、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができる。
さらに、前記位置ずれ量が当該多層ウェハを不良品とする判定基準を超える場合には、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーが観測できなくなることを特徴とする。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
また、少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが箱形状であることを特徴とする。
また、少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが棒形状から構成されていることを特徴とする。
また、少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが棒形状から構成されていることを特徴とする。
また、本発明に係る多層ウェハの製造方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハの製造方法において、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能とするねらいで、前記多層ウェハの各前記オーバーレイマーカーを設けるステップと、前記特定のオーバーレイマーカーを観測するステップと、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定するステップとを備えることを特徴とする。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
すなわち、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハの製造方法において、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能とするねらいで、前記多層ウェハの各前記オーバーレイマーカーを設けるステップと、前記特定のオーバーレイマーカーを観測するステップと、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定するステップとを備えることを特徴とする。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
また、本発明に係る多層ウェハの検査装置は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、請求項1記載の多層ウェハを検査する多層ウェハの検査装置であって、前記特定のオーバーレイマーカーを観測する観測部と、前記観測部により、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定する判定部とを備えることを特徴とする。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
すなわち、請求項1記載の多層ウェハを検査する多層ウェハの検査装置であって、前記特定のオーバーレイマーカーを観測する観測部と、前記観測部により、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定する判定部とを備えることを特徴とする。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
また、本発明に付随する多層薄膜の層間位置ずれ検知方法は、上記課題を解決するため、以下の構成を備える。
すなわち、オーバーレイマーカーを含む所定パターンに形成された薄膜が多層に積層されて成る多層薄膜の、各層のオーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知する多層薄膜の層間位置ずれ検知方法において、前記多層薄膜の少なくとも一つの層に、第一オーバーレイマーカーを形成するステップと、該第一オーバーレイマーカーを形成する層と位置合わせする層のうちの一つに、第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいで第二オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記第一および第二オーバーレイマーカーを形成する各層と位置合わせする層のうちの少なくとも一つに、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとに挟まれた領域内に配置させるねらいで第三オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記多層薄膜の積層方向から前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーを観測して、該各オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知するステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、複数層のパターン間の各オーバーレイマーカーを、第二オーバーレイマーカーが取り囲む領域内にまとめて、至近距離に設けることができ、したがって、各パターン間の位置ずれのそれぞれを、互いに誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能であるとともに、多層薄膜上におけるオーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることができる。また、第二オーバーレイマーカーの範囲だけを撮像した一つの画像データに対する処理を行うだけで済むから、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができる。
すなわち、オーバーレイマーカーを含む所定パターンに形成された薄膜が多層に積層されて成る多層薄膜の、各層のオーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知する多層薄膜の層間位置ずれ検知方法において、前記多層薄膜の少なくとも一つの層に、第一オーバーレイマーカーを形成するステップと、該第一オーバーレイマーカーを形成する層と位置合わせする層のうちの一つに、第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいで第二オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記第一および第二オーバーレイマーカーを形成する各層と位置合わせする層のうちの少なくとも一つに、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとに挟まれた領域内に配置させるねらいで第三オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記多層薄膜の積層方向から前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーを観測して、該各オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知するステップとを含むことを特徴とする。
これによれば、複数層のパターン間の各オーバーレイマーカーを、第二オーバーレイマーカーが取り囲む領域内にまとめて、至近距離に設けることができ、したがって、各パターン間の位置ずれのそれぞれを、互いに誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能であるとともに、多層薄膜上におけるオーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることができる。また、第二オーバーレイマーカーの範囲だけを撮像した一つの画像データに対する処理を行うだけで済むから、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができる。
さらに、前記第三オーバーレイマーカーを、前記第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいの形状に形成することを特徴とする。
これによれば、第一オーバーレイマーカーと第三オーバーレイマーカー間、および、第二オーバーレイマーカーと第三オーバーレイマーカー間の位置ずれの検出を、薄膜の面の全方向に対して、正確に行うことができる。
これによれば、第一オーバーレイマーカーと第三オーバーレイマーカー間、および、第二オーバーレイマーカーと第三オーバーレイマーカー間の位置ずれの検出を、薄膜の面の全方向に対して、正確に行うことができる。
さらに、前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出する際、第一もしくは第三オーバーレイマーカーが、第二オーバーレイマーカーが取り囲む領域内に位置せず、または、第一オーバーレイマーカーが、第三オーバーレイマーカーが取り囲む領域内に位置していない場合には、前記多層薄膜を不良と判定することを特徴とする。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
これによれば、位置ずれ不良を簡単に判定できる。
また、前記第一オーバーレイマーカーを、四角形に形成し、前記第二および第三オーバーレイマーカーを、取り囲む領域が四角形となるよう形成することを特徴とする。
また、前記第一、第二、および/または第三オーバーレイマーカーを、バー形状を四角形配置とした形状に形成することを特徴とする。
また、前記多層薄膜は、前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーが形成された各層の間に、オーバーレイマーカーを含まない中間層を有することを特徴とする。
さらに、前記中間層は、アルミナから成ることを特徴とする。
本発明に係る多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置によれば、各層のパターン間の位置ずれを、それぞれ誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能であるとともに、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができ、さらに、多層ウェハ上におけるオーバーレイマーカーの占有面積を小さく抑えることができる。
以下、本発明に係る多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置を実施するための最良の形態を説明する。
本実施の形態において層間位置ずれの検知対象となる多層薄膜から成る多層ウェハは、磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドの製造工程上の形態である多層ウェハである。図1および図2は、本実施の形態に係る多層ウェハの層間位置ずれ検知方法において、各層のパターン間の位置ずれを検出するために形成するオーバーレイマーカーの例を示す。図1は、各層に形成されたオーバーレイマーカー62a,66a,70aを、多層ウェハFの上方から多層ウェハFの積層方向Aに向かって見た図であり、図2は、多層ウェハFのx−x断面図である。
図2に示すように、磁気ヘッドとなる多層薄膜(多層ウェハF)の製造工程において、所定の下地層60上に、所定の磁性体から成る、リード素子(図示せず)および第一オーバーレイマーカー62aを含む第一パターン62を形成する。
リード素子および第一オーバーレイマーカー62aを含む第一パターン62は、フォトリソグラフィ法により形成される。すなわち、まず下地層60上に感光性レジスト層を設け、その感光性レジスト層を、第一パターン62の形状に対応するマスクを用いて感光した後に現像する。そして、下地層60上の、感光性レジスト層から露出した箇所に、磁性体を形成することで第一パターン62を形成する。なお、フォトリソグラフィ法は周知の方法であるので、以下の説明においては、その具体的な手順は省略する。
リード素子および第一オーバーレイマーカー62aを含む第一パターン62は、フォトリソグラフィ法により形成される。すなわち、まず下地層60上に感光性レジスト層を設け、その感光性レジスト層を、第一パターン62の形状に対応するマスクを用いて感光した後に現像する。そして、下地層60上の、感光性レジスト層から露出した箇所に、磁性体を形成することで第一パターン62を形成する。なお、フォトリソグラフィ法は周知の方法であるので、以下の説明においては、その具体的な手順は省略する。
続いて、第一パターン62上に、中間層としてのアルミナから成る絶縁層64を積層する。絶縁層64の厚さは、約5μmである。
次に、絶縁層64上に、所定の磁性体から成る、ライト主磁極(図示せず)および第三オーバーレイマーカー66aを含む第二パターン66を、フォトリソグラフィ法により形成する。
次に、絶縁層64上に、所定の磁性体から成る、ライト主磁極(図示せず)および第三オーバーレイマーカー66aを含む第二パターン66を、フォトリソグラフィ法により形成する。
続いて、第二パターン66上に、中間層としてのアルミナから成る絶縁層68を積層する。絶縁層68の厚さは、1〜2.5μm程度である。
次に、絶縁層68上に、フォトリソグラフィ法によりトレーリングシールド(図示せず)を形成するための感光性レジストから成る第三パターン70を設ける。第三パターン70は、第二オーバーレイマーカー70aを含む。すなわち、後述する位置ずれの検知は、トレーリングシールドの形成前の工程で行う。
なお、第三パターン70は、感光性レジストの露出部に形成されるトレーリングシールドの材質で形成してもよい。この場合、トレーリングシールドの形成後に、後述する位置ずれの検知を行うことになる。
次に、絶縁層68上に、フォトリソグラフィ法によりトレーリングシールド(図示せず)を形成するための感光性レジストから成る第三パターン70を設ける。第三パターン70は、第二オーバーレイマーカー70aを含む。すなわち、後述する位置ずれの検知は、トレーリングシールドの形成前の工程で行う。
なお、第三パターン70は、感光性レジストの露出部に形成されるトレーリングシールドの材質で形成してもよい。この場合、トレーリングシールドの形成後に、後述する位置ずれの検知を行うことになる。
次に、第一、第二、および第三オーバーレイマーカー62a,70a,66aのそれぞれの形状について説明する。
図1に示すように、第一オーバーレイマーカー62aは、薄膜の平面内の形状が四角形(箱形状、ボックス形状ともいう)となるよう形成される。
また、第二オーバーレイマーカー70aは、第一オーバーレイマーカー62aを取り囲むねらいで、第一オーバーレイマーカー62aよりも大きく、第一オーバーレイマーカー62aと各辺が平行な四角形(箱形状、ボックス形状ともいう)の空白領域72を囲む形状に形成される。すなわち、第二オーバーレイマーカー70aは、所定形状(四角形)に抜かれて形成される。
第三オーバーレイマーカー66aは、第一オーバーレイマーカー62aと第二オーバーレイマーカー70aとに挟まれた領域内に配置させるねらいで設けられる。第三オーバーレイマーカー66aは、4つのバー形状(棒形状)を、第一オーバーレイマーカー62aと各辺が平行な四角形(正方形)配置とした形状に形成され、その取り囲む領域の形状が四角形(正方形)となっている。
図1に示すように、第一オーバーレイマーカー62aは、薄膜の平面内の形状が四角形(箱形状、ボックス形状ともいう)となるよう形成される。
また、第二オーバーレイマーカー70aは、第一オーバーレイマーカー62aを取り囲むねらいで、第一オーバーレイマーカー62aよりも大きく、第一オーバーレイマーカー62aと各辺が平行な四角形(箱形状、ボックス形状ともいう)の空白領域72を囲む形状に形成される。すなわち、第二オーバーレイマーカー70aは、所定形状(四角形)に抜かれて形成される。
第三オーバーレイマーカー66aは、第一オーバーレイマーカー62aと第二オーバーレイマーカー70aとに挟まれた領域内に配置させるねらいで設けられる。第三オーバーレイマーカー66aは、4つのバー形状(棒形状)を、第一オーバーレイマーカー62aと各辺が平行な四角形(正方形)配置とした形状に形成され、その取り囲む領域の形状が四角形(正方形)となっている。
すなわち、第三オーバーレイマーカー66aは第一オーバーレイマーカー62aを取り囲むねらいで形成され、第二オーバーレイマーカー70aは、第一および第三オーバーレイマーカー62a,66aを取り囲むねらいで形成される。
なお、図2に示すように、第一、第二、および第三オーバーレイマーカー62a,70a,66aは、それぞれ異なる層に形成されているが、本発明において「取り囲む」との表現は、多層ウェハFの積層方向Aから見た際に、図1に示したように、取り囲む形状および位置となっていることを表すものである。言い換えれば、オーバーレイマーカーの薄膜の面方向の形状および配置が、「取り囲む」ように形成されていることを示している。
なお、図2に示すように、第一、第二、および第三オーバーレイマーカー62a,70a,66aは、それぞれ異なる層に形成されているが、本発明において「取り囲む」との表現は、多層ウェハFの積層方向Aから見た際に、図1に示したように、取り囲む形状および位置となっていることを表すものである。言い換えれば、オーバーレイマーカーの薄膜の面方向の形状および配置が、「取り囲む」ように形成されていることを示している。
なお、第一、第二、および第三オーバーレイマーカー62a,70a,66aの形状は、正方形に限定されるものではなく、例えば、長方形や平行四辺形等の他の四角形に形成してもよく、あるいは、四角形以外の多角形や円形に形成してもよい。
図1は、第一、第二、および第三パターン62,66,70が、互いに相対的な位置ずれなく、ねらい通りに形成された状態を表す例である。すなわち、第一、第三、第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aは、図1に示すように、それぞれの正方形が同心状の入れ子状態となるねらいで形成される。
他方、図3は、第一、第三、第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aのそれぞれの正方形が、互いに同心状に配置されていない。すなわち、第一、第二、および第三パターン62,66,70の間に位置ずれのある状態を示している。
他方、図3は、第一、第三、第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aのそれぞれの正方形が、互いに同心状に配置されていない。すなわち、第一、第二、および第三パターン62,66,70の間に位置ずれのある状態を示している。
第一、第二、および第三パターン62,66,70の間の相対的な位置ずれの検知には、多層ウェハの検査装置(多層薄膜の層間位置ずれ検知装置)を用いる。
多層ウェハの検査装置は、可視光線を撮像可能な観測部としての光学カメラと、CPUやメモリを有し、所定のコンピュータプログラムを実行可能な制御部とを備える。
多層ウェハの検査装置は、可視光線を撮像可能な観測部としての光学カメラと、CPUやメモリを有し、所定のコンピュータプログラムを実行可能な制御部とを備える。
多層ウェハの検査装置は、多層ウェハFの上方から多層ウェハFの積層方向Aに向かって、多層ウェハFを前記光学カメラで撮像し、前記制御部は、その結果得た画像データから、第一、第三、および第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aの各輪郭線の相対的な位置関係を検出する。より具体的には、前記制御部は、前記検出した輪郭線に基づいて、各第一、第三、および第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aの正方形のそれぞれの重心位置を算出し、さらにその各重心位置の位置ずれを算出することで、第一、第二、および第三パターン62,66,70、すなわち、前記リード素子、ライト主磁極、およびトレーリングシールドの間の相対的な位置ずれを検知する。
なお、絶縁層(中間層)64,68は、アルミナから成るから、前記光学カメラで撮像される可視光線を透過する。したがって、前記光学カメラにより、第一、第三、および第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aを撮像することが可能である。
また、第一、第二、および第三パターン62,66,70の間の相対的な位置ずれが非常に大きい場合や、第一、第三、および第二オーバーレイマーカー62a,66a,70aを非常に小さく形成した場合には、第一もしくは第三オーバーレイマーカー62a,66aが、第二オーバーレイマーカー70aが取り囲む領域内に位置せず、または、第一オーバーレイマーカー62aが、第三オーバーレイマーカー66aが取り囲む領域内に位置しないことがあり得る。この際、オーバーレイマーカーの一部または全部が重なって、その一部または全部が光学カメラに撮像されないこととなる。制御部は、前記画像データ上で、オーバーレイマーカーの一部または全部が観測(検出)できない場合には、対応する多層ウェハFを不良品と判定する判定部としての処理を行うよう構成される。
これを多層ウェハFの構成の観点から言えば、多層ウェハFの各オーバーレイマーカー62a,66a,70aは、第三パターン70と、第一または第二パターン62,66との間の位置ずれ量が、当該多層ウェハFを不良品とする判定基準を超える場合には、第二オーバーレイマーカー70aから第一または第三オーバーレイマーカー62a,66aが観測できなくなるように設けられていると言うことができる。
本実施の形態に係る多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置によれば、複数層のパターン62,66,70間の各オーバーレイマーカー62a,66a,70aを、第二オーバーレイマーカー70aが取り囲む領域70a内にまとめて、至近距離に設けることができる。したがって、各オーバーレイマーカー62a,66a,70aから前記光学カメラに向かう光線の角度の差異が小さく、また、絶縁層64,68による光の屈折角度の各オーバーレイマーカー62a,66a,70a間の差異も小さくなる。これにより、各パターン62,66,70間の位置ずれのそれぞれを、互いに誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能である。さらに、多層ウェハF上におけるオーバーレイマーカー62a,66a,70aの占有面積を小さく抑えることができる。
特に、磁気ヘッドのリード素子、ライト主磁極、およびトレーリングシールドの間のように、位置合わせを行うパターン62,66,70間の絶縁層(中間層)64,68の厚さが数μm程度と厚い場合であっても、従来方法に比較して、各オーバーレイマーカー62a,66a,70aから前記光学カメラに向かう光線の角度や、絶縁層64,68による光の屈折角度の各オーバーレイマーカー62a,66a,70a間の差異も小さいから、各パターン62,66,70間の位置ずれのそれぞれを、互いに誤差の量や方向のばらつきが小さく高精度に検知することが可能である。
また、第二オーバーレイマーカー70aの範囲だけを撮像した一つの画像データに対する処理を行うだけで済むから、位置ずれを検知するための処理を、シンプルに構成できるとともに短時間に行うことができる。
また、オーバーレイマーカーが形成された層のうちで隣接していない層のパターン間の位置ずれを検知する場合でも、従来のように各隣接するパターン間の位置ずれを足し込むことなく、一つの前記画像データに基づいて、対応するオーバーレイマーカー間の位置関係を直接的に比較して位置ずれを検知できるから、検知した位置ずれの誤差が蓄積することなく、誤差を小さく抑えることができる。
また、オーバーレイマーカーが形成された層のうちで隣接していない層のパターン間の位置ずれを検知する場合でも、従来のように各隣接するパターン間の位置ずれを足し込むことなく、一つの前記画像データに基づいて、対応するオーバーレイマーカー間の位置関係を直接的に比較して位置ずれを検知できるから、検知した位置ずれの誤差が蓄積することなく、誤差を小さく抑えることができる。
なお、本実施の形態においては、最下層に第一オーバーレイマーカー62a、次に第三オーバーレイマーカー66a、最上層に第二オーバーレイマーカー70aを形成したが、この順序はこれに限定されず、任意の順序で形成できる。
また、本実施の形態では、3つのパターン62,66,70間の位置ずれを検知する例を挙げたが、本発明は、4層以上のパターンの位置ずれの検知にも適用可能である。この場合、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとに挟まれた領域内に配置させる第三オーバーレイマーカーを、複数層のパターンに含ませ、各第三オーバーレイマーカー同士は重ならない位置となるねらいで形成するとよい。
また、本実施の形態では、3つのパターン62,66,70間の位置ずれを検知する例を挙げたが、本発明は、4層以上のパターンの位置ずれの検知にも適用可能である。この場合、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとに挟まれた領域内に配置させる第三オーバーレイマーカーを、複数層のパターンに含ませ、各第三オーバーレイマーカー同士は重ならない位置となるねらいで形成するとよい。
(付記1)
各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハにおいて、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能となるねらいで、該オーバーレイマーカーが設けられていることを特徴とする多層ウェハ。
(付記2)
前記位置ずれ量が当該多層ウェハを不良品とする判定基準を超える場合には、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーが観測できなくなることを特徴とする付記1記載の多層ウェハ。
(付記3)
少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが箱形状であることを特徴とする付記1または2記載の多層ウェハ。
(付記4)
少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが棒形状から構成されていることを特徴とする付記1〜3のうちのいずれか一項記載の多層ウェハ。
(付記5)
各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハの製造方法において、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能とするねらいで、前記多層ウェハの各前記オーバーレイマーカーを設けるステップと、前記特定のオーバーレイマーカーを観測するステップと、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定するステップとを備えることを特徴とする多層ウェハの製造方法。
(付記6)
付記1記載の多層ウェハを検査する多層ウェハの検査装置であって、前記特定のオーバーレイマーカーを観測する観測部と、前記観測部により、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定する判定部とを備えることを特徴とする多層ウェハの検査装置。
(付記7)
オーバーレイマーカーを含む所定パターンに形成された薄膜が多層に積層されて成る多層薄膜の、各層のオーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知する多層薄膜の層間位置ずれ検知方法において、前記多層薄膜の少なくとも一つの層に、第一オーバーレイマーカーを形成するステップと、該第一オーバーレイマーカーを形成する層と位置合わせする層のうちの一つに、第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいで第二オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記第一および第二オーバーレイマーカーを形成する各層と位置合わせする層のうちの少なくとも一つに、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとに挟まれた領域内に配置させるねらいで第三オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記多層薄膜の積層方向から前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーを観測して、該各オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知するステップとを含むことを特徴とする多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記8)
前記第三オーバーレイマーカーを、前記第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいの形状に形成することを特徴とする付記7記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記9)
前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出する際、第一もしくは第三オーバーレイマーカーが、第二オーバーレイマーカーが取り囲む領域内に位置せず、または、第一オーバーレイマーカーが、第三オーバーレイマーカーが取り囲む領域内に位置していない場合には、前記多層薄膜を不良と判定することを特徴とする付記8記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記10)
前記第一オーバーレイマーカーを、四角形に形成し、前記第二および第三オーバーレイマーカーを、取り囲む領域が四角形となるよう形成することを特徴とする付記8または9記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記11)
前記第一、第二、および/または第三オーバーレイマーカーを、バー形状を四角形配置とした形状に形成することを特徴とする付記8〜10のうちのいずれか一項記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記12)
前記多層薄膜は、前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーが形成された各層の間に、オーバーレイマーカーを含まない中間層を有することを特徴とする付記7〜11のうちのいずれか一項記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記13)
前記中間層は、アルミナから成ることを特徴とする付記12記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハにおいて、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能となるねらいで、該オーバーレイマーカーが設けられていることを特徴とする多層ウェハ。
(付記2)
前記位置ずれ量が当該多層ウェハを不良品とする判定基準を超える場合には、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーが観測できなくなることを特徴とする付記1記載の多層ウェハ。
(付記3)
少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが箱形状であることを特徴とする付記1または2記載の多層ウェハ。
(付記4)
少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが棒形状から構成されていることを特徴とする付記1〜3のうちのいずれか一項記載の多層ウェハ。
(付記5)
各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハの製造方法において、少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能とするねらいで、前記多層ウェハの各前記オーバーレイマーカーを設けるステップと、前記特定のオーバーレイマーカーを観測するステップと、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定するステップとを備えることを特徴とする多層ウェハの製造方法。
(付記6)
付記1記載の多層ウェハを検査する多層ウェハの検査装置であって、前記特定のオーバーレイマーカーを観測する観測部と、前記観測部により、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定する判定部とを備えることを特徴とする多層ウェハの検査装置。
(付記7)
オーバーレイマーカーを含む所定パターンに形成された薄膜が多層に積層されて成る多層薄膜の、各層のオーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知する多層薄膜の層間位置ずれ検知方法において、前記多層薄膜の少なくとも一つの層に、第一オーバーレイマーカーを形成するステップと、該第一オーバーレイマーカーを形成する層と位置合わせする層のうちの一つに、第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいで第二オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記第一および第二オーバーレイマーカーを形成する各層と位置合わせする層のうちの少なくとも一つに、第一オーバーレイマーカーと第二オーバーレイマーカーとに挟まれた領域内に配置させるねらいで第三オーバーレイマーカーを形成するステップと、前記多層薄膜の積層方向から前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーを観測して、該各オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出することで、各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知するステップとを含むことを特徴とする多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記8)
前記第三オーバーレイマーカーを、前記第一オーバーレイマーカーを取り囲むねらいの形状に形成することを特徴とする付記7記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記9)
前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカー間の相対的な位置関係を検出する際、第一もしくは第三オーバーレイマーカーが、第二オーバーレイマーカーが取り囲む領域内に位置せず、または、第一オーバーレイマーカーが、第三オーバーレイマーカーが取り囲む領域内に位置していない場合には、前記多層薄膜を不良と判定することを特徴とする付記8記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記10)
前記第一オーバーレイマーカーを、四角形に形成し、前記第二および第三オーバーレイマーカーを、取り囲む領域が四角形となるよう形成することを特徴とする付記8または9記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記11)
前記第一、第二、および/または第三オーバーレイマーカーを、バー形状を四角形配置とした形状に形成することを特徴とする付記8〜10のうちのいずれか一項記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記12)
前記多層薄膜は、前記第一、第二、および第三オーバーレイマーカーが形成された各層の間に、オーバーレイマーカーを含まない中間層を有することを特徴とする付記7〜11のうちのいずれか一項記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
(付記13)
前記中間層は、アルミナから成ることを特徴とする付記12記載の多層薄膜の層間位置ずれ検知方法。
F 多層ウェハ(多層薄膜)
A 薄膜の積層方向
60 下地層
62 第一パターン
62a 第一オーバーレイマーカー
64,68 絶縁層(中間層)
66 第二パターン
66a 第三オーバーレイマーカー
70 第三パターン
70a 第二オーバーレイマーカー
A 薄膜の積層方向
60 下地層
62 第一パターン
62a 第一オーバーレイマーカー
64,68 絶縁層(中間層)
66 第二パターン
66a 第三オーバーレイマーカー
70 第三パターン
70a 第二オーバーレイマーカー
Claims (6)
- 各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハにおいて、
少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能となるねらいで、該オーバーレイマーカーが設けられていることを特徴とする多層ウェハ。 - 前記位置ずれ量が当該多層ウェハを不良品とする判定基準を超える場合には、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーが観測できなくなることを特徴とする請求項1記載の多層ウェハ。
- 少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが箱形状であることを特徴とする請求項1または2記載の多層ウェハ。
- 少なくとも一つの前記オーバーレイマーカーが棒形状から構成されていることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項記載の多層ウェハ。
- 各層のパターン間の相対的な位置ずれを検知可能にするためのオーバーレイマーカーを各層に備える多層ウェハの製造方法において、
少なくとも一つの層の特定の前記オーバーレイマーカーの観測位置から、該層とは異なる複数の層の前記オーバーレイマーカーを観測可能とするねらいで、前記多層ウェハの各前記オーバーレイマーカーを設けるステップと、
前記特定のオーバーレイマーカーを観測するステップと、
前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定するステップとを備えることを特徴とする多層ウェハの製造方法。 - 請求項1記載の多層ウェハを検査する多層ウェハの検査装置であって、
前記特定のオーバーレイマーカーを観測する観測部と、
前記観測部により、前記特定のオーバーレイマーカーの観測位置から前記複数の層のオーバーレイマーカーを観測できない場合には、前記多層ウェハを不良品と判定する判定部とを備えることを特徴とする多層ウェハの検査装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006261891A JP2008085007A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006261891A JP2008085007A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008085007A true JP2008085007A (ja) | 2008-04-10 |
Family
ID=39355563
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006261891A Withdrawn JP2008085007A (ja) | 2006-09-27 | 2006-09-27 | 多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2008085007A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010008921A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 |
CN104730869A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-06-24 | 上海华力微电子有限公司 | 一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法 |
US9087982B2 (en) | 2013-11-18 | 2015-07-21 | Tdk Corporation | Manufacturing method for pattern multilayer body and mask set |
JP2016180783A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、パターンの重ね合わせ検査方法 |
-
2006
- 2006-09-27 JP JP2006261891A patent/JP2008085007A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010008921A (ja) * | 2008-06-30 | 2010-01-14 | Toshiba Corp | マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法 |
US9087982B2 (en) | 2013-11-18 | 2015-07-21 | Tdk Corporation | Manufacturing method for pattern multilayer body and mask set |
JP2016180783A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法、パターンの重ね合わせ検査方法 |
CN104730869A (zh) * | 2015-03-25 | 2015-06-24 | 上海华力微电子有限公司 | 一种通过显微镜法实现纳米级套刻精度的方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9123649B1 (en) | Fit-to-pitch overlay measurement targets | |
JP2987112B2 (ja) | 半導体素子のオーバレイ検査方法 | |
US20120153281A1 (en) | Apparatus and methods for determining overlay of structures having rotational or mirror symmetry | |
US8260033B2 (en) | Method and apparatus for determining the relative overlay shift of stacked layers | |
TWI656584B (zh) | 具有正交底層冗餘填充之覆蓋標的 | |
US8847416B2 (en) | Multi-layer chip overlay target and measurement | |
CN104216234A (zh) | 光刻系统光源对称性的检测方法 | |
US10712674B2 (en) | Method of determining an overlay error, manufacturing method and system for manufacturing of a multilayer semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby | |
US9329495B2 (en) | Overlay metrology system and method | |
JP2008085007A (ja) | 多層ウェハ、その製造方法、およびその検査装置 | |
JPS6021523A (ja) | マスク欠陥検査方法 | |
TW202305972A (zh) | 產品上之疊對目標 | |
US9134628B2 (en) | Overlay mark and application thereof | |
KR100904732B1 (ko) | 오정렬 가늠 마크를 이용한 정렬도 측정 방법 | |
JP4525067B2 (ja) | 位置ずれ検出用マーク | |
CN102810529A (zh) | 叠对标记组与定位两种布局图案的方法 | |
US9424636B2 (en) | Method for measuring positions of structures on a mask and thereby determining mask manufacturing errors | |
JP2008117909A (ja) | 位置合せデータ算出方法および位置合せデータ算出装置、位置合せ方法および位置合せ装置と、露光方法および露光装置 | |
US20160043037A1 (en) | Mark, semiconductor device, and semiconductor wafer | |
TW202132907A (zh) | 度量衡方法 | |
US7466412B2 (en) | Method of detecting displacement of exposure position marks | |
JP2006140300A (ja) | 半導体装置、ウェーハ及び半導体装置の製造方法 | |
US20050244729A1 (en) | Method of measuring the overlay accuracy of a multi-exposure process | |
JP4300802B2 (ja) | マーク位置検出装置、マーク位置検出方法、重ね合わせ測定装置、および、重ね合わせ測定方法 | |
JP2018155842A (ja) | 計測方法、計測プログラム、及び計測システム |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20091201 |