KR100607201B1 - 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수편차를 보정하는 방법 - Google Patents

극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수편차를 보정하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100607201B1
KR100607201B1 KR1020050000591A KR20050000591A KR100607201B1 KR 100607201 B1 KR100607201 B1 KR 100607201B1 KR 1020050000591 A KR1020050000591 A KR 1020050000591A KR 20050000591 A KR20050000591 A KR 20050000591A KR 100607201 B1 KR100607201 B1 KR 100607201B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
reflective
reflective layer
wafer
critical
Prior art date
Application number
KR1020050000591A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20060080309A (ko
Inventor
이명수
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020050000591A priority Critical patent/KR100607201B1/ko
Priority to US11/319,245 priority patent/US7247412B2/en
Publication of KR20060080309A publication Critical patent/KR20060080309A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100607201B1 publication Critical patent/KR100607201B1/ko

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/72—Repair or correction of mask defects
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W16/00—Network planning, e.g. coverage or traffic planning tools; Network deployment, e.g. resource partitioning or cells structures
    • H04W16/02—Resource partitioning among network components, e.g. reuse partitioning
    • H04W16/10—Dynamic resource partitioning
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
    • G03F1/84—Inspecting
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70605—Workpiece metrology
    • G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
    • G03F7/70625—Dimensions, e.g. line width, critical dimension [CD], profile, sidewall angle or edge roughness
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W16/00—Network planning, e.g. coverage or traffic planning tools; Network deployment, e.g. resource partitioning or cells structures
    • H04W16/02—Resource partitioning among network components, e.g. reuse partitioning
    • H04W16/06—Hybrid resource partitioning, e.g. channel borrowing
    • H04W16/08—Load shedding arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W52/00—Power management, e.g. TPC [Transmission Power Control], power saving or power classes
    • H04W52/04—TPC
    • H04W52/18—TPC being performed according to specific parameters
    • H04W52/24—TPC being performed according to specific parameters using SIR [Signal to Interference Ratio] or other wireless path parameters
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04W—WIRELESS COMMUNICATION NETWORKS
    • H04W52/00—Power management, e.g. TPC [Transmission Power Control], power saving or power classes
    • H04W52/04—TPC
    • H04W52/30—TPC using constraints in the total amount of available transmission power
    • H04W52/34—TPC management, i.e. sharing limited amount of power among users or channels or data types, e.g. cell loading
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/22—Masks or mask blanks for imaging by radiation of 100nm or shorter wavelength, e.g. X-ray masks, extreme ultraviolet [EUV] masks; Preparation thereof
    • G03F1/24—Reflection masks; Preparation thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143—Electron beam

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법이 제공된다. 상기 방법은 반사층 및 상기 반사층 상에 형성되어 그들 사이에 반사영역들을 정의하는 흡수층 패턴들을 구비하는 반사형 포토 마스크를 준비하는 것을 구비한다. 상기 반사형 포토 마스크를 사용한 노광을 수행하여 웨이퍼 상에 패턴들을 형성한다. 상기 패턴들의 임계 치수들을 측정한다. 상기 임계 치수들로 부터 기준 임계 치수를 설정한다. 상기 기준 임계 치수와 상기 임계 치수들을 비교하여 임계 치수 편차들을 결정한다. 상기 임계 치수 편차들에 대응되는 에너지를 갖는 에너지 빔을 상기 반사층에 국부적으로 조사하여 상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시킨다.
EUVL, 반사층, 에너지 빔, 전자빔, 반사율

Description

극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법{method of correcting a deviation of critical dimension on wafer in EUVL process}
도 1은 본 발명이 일실시예에 의한 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법을 나타낸 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명의 일실시예에 사용되는 반사용 포토마스크를 나타낸 단면도이다.
도 3은 반사형 포토 마스크를 사용한 노광 공정 및 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수 편차를 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 도면이다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법에 있어서, 반사형 포토마스크의 위치에 따른 에너지 빔의 강도(intensity)를 나타낸 그래프이다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의하여 보정된 반사율을 갖는 반사형 포토 마스크를 사용하여 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수 편차를 나타내는 그래프이다.
본 발명은 극자외선 리소그래피(Extreme UltraViolet Lithography;EUVL) 공정에 관한 것으로, 특히 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상에서의 임계 치수 편차를 보정하는 방법에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조공정에 있어서, 고집적화를 위하여 디자인룰이 축소됨에 따라, 보다 높은 해상도를 갖는 리소그래피 공정이 요구되고 있다. 디유브이 리소그래피(Deep UltraViolet Lithography;DUVL) 공정은 248nm의 파장을 갖는 KrF 레이저를 광원으로 사용하여 약 250nm의 치수를 갖는 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 193nm의 파장을 갖는 ArF 레이저를 광원으로 사용하는 경우 약 100nm 내지 약 130nm의 치수를 갖는 패턴을 형성할 수 있다. 그러나, 100nm 이하의 해상도를 얻기 위하여는 상술한 디유브이 리소그래피 공정으로는 한계가 있다. 따라서, 연엑스선(soft X-ray)이라고도 불리우는 극자외선(Exetreme UltraViolet)을 광원으로 사용하는 EUVL 공정에 관한 연구가 활발히 이루어지고 있다.
상기 EUVL 공정은 상기 DUVL 공정과 현저히 다른점이 있다. 즉, 광원으로 사용되는 극자외선은 13.4nm의 파장을 갖는데, 이 파장에서 대부분의 물질이 큰 광흡수성을 갖는다. 따라서, 상기 DUVL 공정에서 사용되던 투과형 포토마스크는 상기 EUVL 공정에서 더이상 사용될 수 없으며 반사형 포토마스크가 사용되어야 한다. 상기 반사형 포토마스크는 미국특허 제5,052,033호에 예시적으로 개시된 바와 같이 기본적으로 마스크 기판, 상기 마스크 기판 상의 반사층(reflection layer) 및 상기 반사층 상의 흡수층 패턴(absorbtion pattern)을 포함한다.
한편, 리소그래피 공정에 있어서, 문제가 되는 것 중의 하나는 웨이퍼 상에서의 임계 치수 균일도가 디자인룰 감소에 따라 열악해 진다는 것이다. 즉, 동일한 치수로 설계된 패턴들이 동일한 포토 마스크를 통해서 웨이퍼 상으로 전사될때, 노광 과정에서 패턴들이 전사되는 위치에 따라 패턴의 치수가 원하지 않게 변동되는 정도가 심각하게 커지고 있다. 웨이퍼 상의 임계 치수 균일도는 포토레지스트층의 코팅, 베이크, 노광장치, 포토마스크, 현상 및 식각등의 여러 요인에 의하여 영향을 받는다. 특별히, 노광 과정 후에 웨이퍼 상에서 측정되는 치수 또는 치수들간의 차이를 의미하는 샷 균일도(shot uniformity)는 실질적으로 노광 장치와 포토마스크에 크게 의존하고 있다.
상기 DUVL 공정에 있어서, 웨이퍼 상의 임계 치수 균일도를 향상시키기 위하여 포토 마스크의 후면에 회절 격자(diffraction grating) 또는 필터를 도입하여 노광에 사용되는 조명계를 변화시키거나, 포토 마스크에 미리 준비된 필터를 도입하고 노광 광원으로 이용되는 레이저 펄스의 에너지를 변화시키는 방법이 시도되고 있다. 그러나, 이러한 방법들은 상기 투과형 마스크를 사용하는 상기 DUVL 공정에는 적용가능 하지만, 상기 반사형 마스크를 사용하는 상기 EUVL 공정에는 적용될 수 없다. 따라서, 상기 EUVL 공정에 있어서, 상기 투과형 마스크에 비하여 고가인 상기 반사형 포토마스크의 수율을 높이고 웨이퍼 상의 임계 치수 균일도를 개선시키기 위한 연구가 요구되고 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 EUVL 공정에 있어서 웨이퍼 상의 임 계 치수 균일도를 개선시키고 상기 EUVL 공정에 사용되는 반사형 포토 마스크 및 웨이퍼의 수율을 향상시키는 데 있다.
본 발명의 일태양에 의하면, EUVL 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법이 제공된다. 이 방법은 반사층을 구비하는 반사형 포토 마스크를 준비하는 것을 구비한다. 상기 반사층에 국부적인 에너지 빔을 조사하여 상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시킨다.
상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시키는 것은 상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것은 상기 반사층의 반사율을 국부적으로 감소시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 에너지 빔은 전자빔, 이온빔 또는 전자기빔일 수 있다. 바람직하게는 상기 에너지 빔은 집속 전자 빔(focused electron beam)일 수 있다.
상기 반사층은 2종의 다른막들이 교대로 적층된 다층막일 수 있다. 이 경우에, 상기 반사층은 몰리브덴막과 실리콘막이 교대로 적층된 다층막일 수 있다.
상기 반사형 포토 마스크는 상기 반사층이 그 상에 형성된 마스크 기판 및 상기 반사층 상의 흡수층 패턴들 포함할 수 있다. 더 나아가, 상기 반사형 포토 마스크는 상기 흡수층 패턴들 및 상기 반사층 사이의 캐핑층 및 상기 캐핑층 및 상기 흡수층 패턴 사이의 버퍼층을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 태양에 의하면, 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방 법은, 반사층 및 상기 반사층 상에 형성되어 그들 사이에 반사영역들을 정의하는 흡수층 패턴들을 갖는 반사형 포토 마스크를 준비하는 것을 구비한다. 상기 반사형 포토 마스크를 사용한 노광을 수행하여 웨이퍼 상에 패턴들을 형성한다. 상기 패턴들의 임계 치수들을 측정한다. 상기 임계 치수들로 부터 기준 임계 치수를 설정한다. 상기 기준 임계 치수와 상기 임계 치수들을 비교하여 임계 치수 편차들을 결정한다. 상기 임계 치수 편차들에 대응되는 에너지를 갖는 에너지 빔을 상기 반사층에 국부적으로 조사하여 상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시킨다.
상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시키는 것은 상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것을 포함할 수 있다. 또한, 상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것은 상기 반사층의 반사율을 국부적으로 감소시키는 것을 포함할 수 있다.
상기 패턴들의 임계 치수들이 상기 반사영역들로 부터 전사된 명 패턴들(clear patterns)의 임계 치수들인 경우에, 상기 기준 임계 치수는 상기 임계 치수들의 산포들 중 최소인 임계 치수로 설정된다. 이와는 달리, 상기 패턴들의 임계 치수들이 상기 흡수층 패턴들로 부터 전사된 암 패턴들(dark patterns)의 임계 치수들인 경우에, 상기 기준 임계 치수는 상기 임계 치수들의 산포들 중 최대인 임계 치수로 설정된다.
상기 에너지 빔은 전자빔, 이온빔 또는 전자기빔일 수 있다. 바람직하게는, 상기 에너지 빔은 집속 전자 빔(focused electron beam)일 수 있다.
상기 반사층은 2종의 다른막들이 교대로 적층된 다층막일 수 있다. 이 경우 에, 상기 반사층은 몰리브덴막과 실리콘막이 교대로 적층된 다층막일 수 있다.
상기 반사형 포토 마스크는 상기 흡수층 패턴들 및 상기 반사층 사이의 캐핑층 및 상기 캐핑층 및 상기 흡수층 패턴 사이의 버퍼층을 더 포함할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 도면들에 있어서, 층 및 영역들의 두께는 명확성을 기하기 위하여 과장되어진 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명이 일실시예에 의한 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법을 나타낸 공정 흐름도이고, 도 2는 본 발명의 일실시예에 사용되는 반사용 포토마스크를 나타낸 단면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 반사형 포토 마스크(10)를 준비한다.(도 1의 1) EUVL 공정에서 사용되는 극자외선은 13.4.nm의 파장을 갖는데, 상기 파장에서 대부분의 물질들은 큰 광흡수성을 갖는다. 따라서, 상기 EUVL 공정에 사용되는 상기 반사용 포토 마스크(10)은 도 2에 도시된 바와 같이 노광 공정에서 입사광을 반사시키기 위하여 마스크 기판(12) 상에 형성된 반사층(14)을 구비한다. 상기 마스크 기판(12)은 실리콘 기판 또는 석영 기판일 수 있다. 상기 반사층(14)은 2종의 서로 다른 층들이 교대로 적층된 다층막으로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 반사 층(14)은 실리콘막과 몰리브덴막가 교대로 적층된 다층막일 수 있다. 이 경우에, 상기 반사층(14)은 약 40개 내지 약 60개의 상기 실리콘막과 상기 몰리브덴막의 이중층(bilayer)으로 구성될 수 있다. 또한, 상기 반사층(14)을 구성하는 각각의 실리콘막과 몰리브덴막은 각각 약 3nm 및 4nm의 두께를 갖을 수 있다. 상기 반사층(14) 상에는 극자외선을 흡수하기 위한 흡수층 패턴들(20)이 형성된다. 상기 흡수층 패턴들(20)에 의하여 노출된 상기 반사층(14)의 영역들은 반사영역들(22)로 정의된다. 상기 흡수층 패턴들(20)은 약 200nm의 두께를 갖을 수 있으며, 탄탈륨 질화막(TaN layer), 탄탈륨막(Ta layer), 티타늄질화막(TiN), 티타늄막(Ti layer)등으로 형성될 수 있다. 상기 흡수층 패턴들(20) 및 상기 반사층(14) 사이에는 캐핑층(16)이 개재될 수 있다. 더 나아가, 상기 캐핑층(16) 및 상기 흡수층 패턴(20) 사이에는 버퍼층(18)이 개재될 수 있다. 상기 버퍼층(18)은 실리콘 산화막 또는 실리콘 산질화막으로 형성될 수 있다. 또한, 상기 캐핑층(16)은 상기 버퍼층(18)에 대하여 식각선택비를 갖는 물질막, 예를 들어 크롬막으로 형성될 수 있다.
상기 반사형 포토마스크(10)는 다음과 같은 공정을 통하여 형성될 수 있다. 상기 마스크 기판(12) 상에 상기 반사층(14), 캐핑 물질층, 버퍼 물질층 및 흡수층을 차례로 형성한다. 이후, 포토 및 건식 이방성 식각 공정을 사용하여 상기 흡수층을 패터닝하여 상기 흡수층 패턴(20)을 형성한다. 이 과정에서 상기 캐핑 물질층 및 버퍼 물질층은 상기 반사층(14)의 표면부가 식각손상을 받는 것을 방지하는 역할을 한다. 한편, 상기 흡수층 패턴(20)은 레이저 또는 전자빔을 사용한 직접 쓰기(direct-write) 방식으로 형성될 수 도 있다. 이후, 상기 흡수층 패턴(20)에 의하여 노출된 부분의 상기 캐핑 물질층 및 상기 버퍼 물질층을 습식식각하여 상기 캐핑층(16) 및 상기 버퍼층(18)을 형성한다.
이후, 상기 반사형 포토 마스크를 사용한 노광을 수행하여 웨이퍼 상에 패턴들을 형성한다.(도 1의 3) 이하, 도 3을 참조하여 상기 웨이퍼 상에 패턴들을 형성하는 과정을 설명하기로 한다.
도 3은 반사형 포토 마스크를 사용한 노광 공정 및 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수 편차를 설명하기 위하여 개략적으로 도시한 도면이다.
도 3을 참조하면, 상기 반사형 포토마스크(10)는 웨이퍼와 함께 EUVL 노광 장비 내로 도입된다. 상기 웨이퍼 상에는 패터닝 하고자 하는 하지막(underlying layer) 및 포토레지스트막이 형성되어 있다. 도시하지 않은 광원으로 부터 상기 반사형 포토마스크(10)로 입사광(IL)이 조사된다. 상기 흡수층 패턴들(20)에 조사된 상기 입사광(IL)은 상기 흡수층 패턴들(20) 의하여 흡수되며, 상기 반사영역 (22)으로 부터 반사된 반사광(RL)은 상기 웨이퍼 상으로 조사된다. 그 결과, 상기 웨이퍼 상의 상기 포토레지스트막으로 상기 반사형 포토마스크(10)에 구현된 패턴들이 전사된다. 이후, 현상 공정을 수행하여 상기 웨이퍼 상에 패턴을 형성한다. 이 때, 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴은 상기 반사영역들(22)로 부터 전사된 명 패턴들(clear patterns) 및 상기 흡수층 패턴들(20)로 부터 전사된 암 패턴들(dark patterns)로 구성될 수 있다. 예를 들어, 상기 웨이퍼 상에 형성된 상기 포토레지스트막이 포지티브 특성을 갖는 경우에, 상기 암 패턴들은 상기 현상 공정 후 상기 웨이퍼 상에 잔존하는 포토레지스트 패턴들이고, 상기 명 패턴들은 상기 포토레지 스트 패턴들 사이의 공간들일 수 있다.
계속하여 도 1 및 도 3을 함께 참조하면, 상기 웨이퍼 상에 패턴들을 형성한 후에, 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수들을 측정한다.(도 1의 5) 상기 임계 치수들은 주사 전자 현미경(SEM)을 사용하여 수동 또는 자동으로 측정될 수 있다. 상기 노광 및 현상 공정을 통하여 웨이퍼 상에 형성된 패턴들은 균일한 임계 치수를 가질 것으로 기대된다. 그러나, 실제 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수들은 위치에 따라 다른 값을 가질 수 있다. 즉, 임계 치수들의 산포가 커짐에 따라, 매우 낮은 샷 균일도를 나타낼 수 있다. 상기 반사형 포토마스크 (10)를 사용하는 EUVL 공정에 있어서, 임계 치수들이 큰 산포를 갖는 이유들 중의 하나는 상기 반사형 포토마스크(10)의 반사영역들(22) 즉, 상기 흡수층 패턴들(20)에 의하여 노출된 부분의 상기 반사층(14)의 반사율이 국부적으로 다르기 때문이다. 이 경우, 반사율이 높은 상기 반사영역들(22)로 부터 전사된 상기 명 패턴들은 큰 임계 치수를 가지며, 상대적으로 낮은 반사율을 갖는 상기 반사영역들(22)로 부터 전사된 상기 명 패턴들은 작은 임계 치수를 가질 것이다. 이와는 반대로, 반사율이 높은 반사영역들(22)사이의 상기 흡수층 패턴들(20)로 부터 전사된 상기 암 패턴들은 작은 임계 치수를 가지며, 상대적으로 낮은 반사율을 갖는 반사영역들 (22) 사이의 상기 흡수층 패턴들(20)로 부터 전사된 상기 암 패턴들은 큰 임계 치수를 가질 것이다. 상기 반사층(14)의 반사율이 국부적으로 다르게 나타나는 이유는 상기 반사층(14)을 형성하는 과정에서 상기 반사층(14) 내에 결함들이 유입되거나 상기 반사층(14)이 국부적인 두께 편차를 갖기 때문이다.
예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 상의 위치에 따른 상기 명 패턴들의 임계 치수들이 곡선 'U1'과 같이 나타나는 경우에, 상기 암 패턴들의 임계 치수들은 곡선 'U2'와 같이 나타날 수 있다.
상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수들을 측정한 후에, 측정된 임계 치수들로 부터 기준 임계 치수를 설정한다.(도 1의 7) 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 명 패턴들의 임계 치수들을 측정한 경우에, 상기 기준 임계 치수는 측정된 임계 치수들 중 최소의 값을 갖는 임계 치수(CDR1)로 설정될 수 있다. 반대로, 상기 암 패턴들의 임계 치수들을 측정한 경우에, 상기 기준 임계 치수는 측정된 임계 치수들 중 최대의 값을 갖는 임계 치수(CDR2)로 설정될 수 있다. 즉, 상기 기준 임계 치수는 상기 반사층(14) 중 최소의 반사율을 갖는 영역으로 부터 전사된 패턴들의 임계 치수일 수 있다.
상기 기준 임계 치수를 설정한 후에, 상기 기준 임계 치수와 도 1의 단계 5에서 측정된 임계 치수들을 비교하여 그들 사이의 차이, 즉, 임계 치수 편차들 (ΔCD)을 결정한다.(도 1의 9) 이 경우, 상기 임계 치수 편차들(ΔCD)의 최대값(ΔCDmax)은 상기 반사층(14) 중 최대의 반사율을 갖는 영역으로 부터 전사된 패턴의 임계 치수와 상기 기준 임계 치수 간의 차이가 된다.
상기 임계 치수 편차들(ΔCD)을 결정 한 후에, 상기 임계 치수 편차들(ΔCD)에 대응되는 에너지를 갖는 에너지 빔을 상기 반사층(14)에 국부적으로 조사하여 상기 반사층(14)의 두께를 국부적으로 감소시킨다.(도 1의 11) 상술한 바와 같이, 상기 반사층(14)은 수십개의 몰리브덴막 및 실리콘막의 이중층으로 구성된 다층막이다. 상기 반사층(14)의 두께가 감소되는 경우 상기 다층막들의 각 경계에서 명암대비(contrast)가 감소하여 반사율이 감소하는 것으로 알려져 있다. 본 발명에 의하면, 상기 반사층(14)의 두께 감소에 따른 반사율 감소를 이용하여 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수 편차를 보정할 수 있다. 즉, 상기 임계 치수 편차들(ΔCD)에 대응되는 에너지를 갖는 에너지 빔을 상기 반사층(14)에 국부적으로 조사한다. 상기 에너지 빔에 의하여 상기 반사층(14) 내에 국부적으로 축적된 에너지는 상기 반사층(14)을 구성하는 각층들을 열적으로 활성화시킨다. 그 결과, 상기 반사층(14)을 구성하는 각층들 간에 상호 확산이 일어나게 되고, 상기 반사층 (14)의 두께는 국부적으로 감소하게 된다. 또한, 두께가 감소된 부분에서는 반사율이 감소하게 된다. 상기 에너지 빔으로는 상기 반사층(14)을 열적으로 활성화 시킬 수 있는 에너지 소스가 제한 없이 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 에너지 빔은 전자기 빔(electromagnetic beam), 전자빔(electron beam) 또는 이온 빔(ion beam)일 수 있다. 바람직하게는, 상기 에너지 빔은 집속 전자빔(focused electron beam)일 수 있다. 이 경우에, 상기 집속 전자빔은 약 5nA 내지 약 5㎂의 전류, 약 100eV 내지 100KeV의 가속전압, 및 약 100nm 내지 1㎝ 빔 직경을 갖고 수십 ms의 노출시간 동안 조사될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일실시예에 의한 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법에 있어서, 반사형 포토마스크의 위치에 따른 에너지 빔의 강도(intensity)를 나타낸 그래프이다.
도 4를 참조하면, 상기 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수들이 도 3의 곡선 'U1' 및 'U2'와 같이 나타나는 경우에, 상기 임계 치수들의 편차를 보정하기 위하여 상기 반사층(10)으로 조사되는 국부적인 에너지 빔의 강도(E)는 도 4에서와 같은 분포를 가질 수 있다. 상기 에너지 빔은 상기 웨이퍼 상에서 최대의 임계 치수 편차(ΔCDmax)를 보이는 패턴과 대응되는 영역의 상기 반사층(14)에서 최대의 강도를 갖고 조사되며, 상기 임계 치수 편차들(ΔCD)의 크기와 비례하는 강도로 상기 반사층(14)으로 조사된다. 즉, 상기 임계 치수 편차들(ΔCD)은 상기 반사층 (14)의 위치에 따른 반사율 편차들로 표현될 수 있으며, 상기 기준 임계 치수를 갖는 패턴이 형성된 웨이퍼 상의 위치는 상기 반사층(14) 중 최소의 반사율을 갖는 위치에 대응될 수 있다. 상술한 바와 같은 국부적인 에너지 빔을 상기 반사층(10)에 조사함으로써 상기 반사층(10)에서의 위치에 따른 반사율 편차는 감소하게 되며, 바람직하게는 상기 반사층(10)은 전체적으로 균일한 반사율을 가질 수 있다.
도 5는 본 발명의 일실시예에 의하여 보정된 반사율을 갖는 반사형 포토 마스크를 사용하여 웨이퍼 상에 형성된 패턴들의 임계 치수 편차를 나타내는 그래프이다.
도 5를 참조하면, 상술한 바와 같은 국부적인 에너지 빔 조사를 통하여 보정된 반사율을 갖는 반사형 포토 마스크를 사용하여 노광 공정을 수행하는 경우에, 반사층에서 반사되어 웨이퍼 상으로 조사되는 반사광은 웨이퍼 전체에 걸쳐서 균일한 도즈(dose)를 갖는다. 그 결과, 웨이퍼 상에 형성된 패턴들은 도 5에 도시된 바와 같이 웨이퍼 상의 위치에 따른 편차 없이 균일한 임계 수치를 가질 수 있다. 이 경우, 바람직하게는, 명 패턴들이 갖는 임계 치수들은 도 5의 선 'U1′'으로 나타낸 바와 같이 최소 임계 치수(CDR1)에 근사하도록 보정되며, 암 패턴들이 갖는 임계 치수들은 도 5의 선 'U2′'로 나타낸 바와 같이 최대 임계 치수(CDR2)에 근사하도록 보정될 수 있다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 반사형 포토 마스크의 반사층에 국부적인 에너지 빔을 조사하여 상기 반사층의 반사율을 균일하게 조절할 수 있다. 그 결과, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴들의 임계 치수 편차를 보정하여 상기 임계 치수의 균일도를 개선 시킬 수 있다. 또한, 상기 반사형 포토 마스크를 다시 제조하지 않고도 임계 치수 편차를 보정할 수 있게 됨으로써 상기 반사형 포토 마스크 및 웨이퍼의 수율을 향상시킬 수 있다.

Claims (19)

  1. 반사층을 구비하는 반사형 포토 마스크를 준비하고,
    상기 반사층에 국부적인 에너지 빔을 조사하여 상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시키는 것을 포함하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시키는 것은 상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것은 상기 반사층의 반사율을 국부적으로 감소시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지 빔은 전자빔, 이온빔 또는 전자기빔인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 에너지 빔은 집속 전자 빔(focused electron beam)인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사층은 2종의 다른막들이 교대로 적층된 다층막인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 반사층은 몰리브덴막과 실리콘막이 교대로 적층된 다층막인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 반사형 포토 마스크는 상기 반사층이 그 상에 형성된 마스크 기판 및 상기 반사층 상의 흡수층 패턴들을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 반사형 포토 마스크는 상기 흡수층 패턴들 및 상기 반사층 사이의 캐핑층 및 상기 캐핑층 및 상기 흡수층 패턴 사이의 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  10. 반사층 및 상기 반사층 상에 형성되어 그들 사이에 반사영역들을 정의하는 흡수층 패턴들을 구비하는 반사형 포토 마스크를 준비하고,
    상기 반사형 포토 마스크를 사용한 노광을 수행하여 웨이퍼 상에 패턴들을 형성하고,
    상기 패턴들의 임계 치수들을 측정하고,
    상기 임계 치수들로 부터 기준 임계 치수를 설정하고,
    상기 기준 임계 치수와 상기 임계 치수들을 비교하여 임계 치수 편차들을 결정하고,
    상기 임계 치수 편차들에 대응되는 에너지를 갖는 에너지 빔을 상기 반사층에 국부적으로 조사하여 상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시키는 것을 포함하는 포함하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사층의 두께를 국부적으로 변화시키는 것은 상기 반사층의 두께를 국 부적으로 감소시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 반사층의 두께를 국부적으로 감소시키는 것은 상기 반사층의 반사율을 국부적으로 감소시키는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  13. 제 12 항에 있어서,
    상기 패턴들의 임계 치수들이 상기 반사영역들로 부터 전사된 명 패턴들(clear patterns)의 임계 치수들인 경우에, 상기 기준 임계 치수는 상기 임계 치수들 중 최소인 임계 치수로 설정되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  14. 제 12 항에 있어서,
    상기 패턴들이 임계 치수들이 상기 흡수층 패턴들로 부터 전사된 암 패턴들(dark patterns)의 임계 치수들인 경우에, 상기 기준 임계 치수는 상기 임계 치수들 중 최대인 임계 치수로 설정되는 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  15. 제 10 항에 있어서,
    상기 에너지 빔은 전자빔, 이온빔 또는 전자기빔인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  16. 제 10 항에 있어서,
    상기 에너지 빔은 집속 전자 빔(focused electron beam)인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  17. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사층은 2종의 다른막들이 교대로 적층된 다층막인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 반사층은 몰리브덴막과 실리콘막이 교대로 적층된 다층막인 것을 특징으로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
  19. 제 10 항에 있어서,
    상기 반사형 포토 마스크는 상기 흡수층 패턴들 및 상기 반사층 사이의 캐핑층 및 상기 캐핑층 및 상기 흡수층 패턴 사이의 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으 로 하는 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수 편차를 보정하는 방법.
KR1020050000591A 2005-01-04 2005-01-04 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수편차를 보정하는 방법 KR100607201B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050000591A KR100607201B1 (ko) 2005-01-04 2005-01-04 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수편차를 보정하는 방법
US11/319,245 US7247412B2 (en) 2005-01-04 2005-12-27 Method of correcting deviations of critical dimensions of patterns formed on a wafer in a EUVL process

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050000591A KR100607201B1 (ko) 2005-01-04 2005-01-04 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수편차를 보정하는 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20060080309A KR20060080309A (ko) 2006-07-10
KR100607201B1 true KR100607201B1 (ko) 2006-08-01

Family

ID=36640847

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050000591A KR100607201B1 (ko) 2005-01-04 2005-01-04 극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 임계 치수편차를 보정하는 방법

Country Status (2)

Country Link
US (1) US7247412B2 (ko)
KR (1) KR100607201B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101057194B1 (ko) * 2009-05-12 2011-08-16 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정방법

Families Citing this family (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7917244B2 (en) * 2007-03-14 2011-03-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method and system for reducing critical dimension side-to-side tilting error
DE102007026878A1 (de) * 2007-06-08 2008-12-18 Qimonda Ag Verfahren zur Korrektur des Abbildungsverhaltens einer Maske
JP5193700B2 (ja) * 2008-06-30 2013-05-08 株式会社東芝 マスクパターンデータの生成方法およびマスクの製造方法
KR100968154B1 (ko) * 2008-07-02 2010-07-06 주식회사 하이닉스반도체 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법
KR101385753B1 (ko) * 2008-11-04 2014-04-17 삼성전자주식회사 포토 마스크 패턴 크기의 균일성 검사방법
KR101069433B1 (ko) * 2008-12-26 2011-09-30 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피를 위한 마스크의 패턴 임계치수 보정방법
KR101096979B1 (ko) * 2010-05-07 2011-12-20 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 패턴 균일도 조절 방법
KR101204667B1 (ko) 2010-09-13 2012-11-26 에스케이하이닉스 주식회사 위상반전마스크의 시디 보정방법 및 그 제조방법
KR20130006747A (ko) * 2011-04-27 2013-01-18 에스케이하이닉스 주식회사 블랭크 극자외선 포토마스크 및 이를 이용한 극자외선 포토마스크 제조방법
KR101850493B1 (ko) 2011-11-15 2018-04-20 삼성전자주식회사 포토 마스크의 형성 방법 및 그에 의해 형성된 포토 마스크
KR102101837B1 (ko) 2013-06-11 2020-04-17 삼성전자 주식회사 포토마스크, 포토마스크의 레지스트레이션 에러 보정 방법, 포토마스크를 이용하여 제조된 집적 회로 및 그 제조 방법
JP6495025B2 (ja) 2014-01-31 2019-04-03 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 真空統合ハードマスク処理および装置
US9766536B2 (en) 2015-07-17 2017-09-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Mask with multilayer structure and manufacturing method by using the same
US9996004B2 (en) 2015-11-20 2018-06-12 Lam Research Corporation EUV photopatterning of vapor-deposited metal oxide-containing hardmasks
US10796912B2 (en) 2017-05-16 2020-10-06 Lam Research Corporation Eliminating yield impact of stochastics in lithography
KR20210076999A (ko) 2018-11-14 2021-06-24 램 리써치 코포레이션 차세대 리소그래피에서 유용한 하드 마스크들을 제조하기 위한 방법들
KR102539806B1 (ko) 2020-01-15 2023-06-05 램 리써치 코포레이션 포토레지스트 부착 및 선량 감소를 위한 하부층
KR102617884B1 (ko) * 2021-05-28 2023-12-27 한국세라믹기술원 리소그래피 마스크용 반사층의 제조 방법

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139407A (ja) * 1995-10-04 1997-05-27 Hyundai Electron Ind Co Ltd 半導体素子の工程欠陥検査方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3856054T2 (de) * 1987-02-18 1998-03-19 Canon Kk Reflexionsmaske
JP3377119B2 (ja) 1993-12-27 2003-02-17 Ｈｏｙａ株式会社 マスクパターンの欠陥修正方法
KR100361514B1 (ko) 2000-02-08 2002-11-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 마스크 수리방법
KR20020058445A (ko) 2000-12-30 2002-07-12 박종섭 전자빔 주사에 의한 국부적인 포토마스크 임계치수 보정방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09139407A (ja) * 1995-10-04 1997-05-27 Hyundai Electron Ind Co Ltd 半導体素子の工程欠陥検査方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101057194B1 (ko) * 2009-05-12 2011-08-16 주식회사 하이닉스반도체 극자외선 리소그래피용 마스크의 세정방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20060147818A1 (en) 2006-07-06
KR20060080309A (ko) 2006-07-10
US7247412B2 (en) 2007-07-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7247412B2 (en) Method of correcting deviations of critical dimensions of patterns formed on a wafer in a EUVL process
US9557649B2 (en) Assist feature for a photolithographic process
US7094507B2 (en) Method for determining an optimal absorber stack geometry of a lithographic reflection mask
EP1421443B1 (en) Damascene extreme ultraviolet lithography alternative phase shift photomask and method of making
US6905801B2 (en) High performance EUV mask
KR20090070025A (ko) 반사형 포토마스크 및 상기 반사형 포토마스크의 층 두께최적화 방법
US20090317728A1 (en) Method for Fabricating Extreme Ultraviolet Lithography Mask
US9244366B2 (en) Extreme ultraviolet lithography process and mask
KR101713382B1 (ko) 극자외선 리소그래피 공정 및 마스크
KR20090097493A (ko) 극자외선 리소그라피용 마스크 및 그 형성 방법.
US7939223B2 (en) Photomask using separated exposure technique, method of fabricating photomask, and apparatus for fabricating photomask by using the method
US8697318B2 (en) Method of forming photomasks and photomasks formed by the same
JP4483355B2 (ja) 極限紫外線露光用マスクブランク及びマスク並びに転写方法
JP2009519593A (ja) 反射フォトリソグラフィーマスクおよびこのマスクの作製方法
US7745070B2 (en) Structure of a lithography mask
US8673521B2 (en) Blank substrates for extreme ultra violet photo masks and methods of fabricating an extreme ultra violet photo mask using the same
KR20070054019A (ko) 원자힘 현미경 리소그래피 기술을 이용한 극자외선 마스크수정 방법
KR20070111203A (ko) 반사형 포토 마스크, 그의 제조방법 및 이를 이용하여극자외선 리소그래피 공정에서 웨이퍼 상의 수직 및 수평패턴의 임계 치수 편차를 보정하는 방법
US8906582B2 (en) Blank masks for extreme ultra violet lithography, methods of fabricating the same, and methods of correcting registration errors thereof
KR20210156461A (ko) 극자외선 노광 장치의 노광 마스크
KR20090095388A (ko) 반사형 포토마스크의 제조방법
KR20120081646A (ko) 극자외선용 블랭크 마스크 및 그 형성방법
JP6944255B2 (ja) 転写用マスクの製造方法、および半導体デバイスの製造方法
KR101069433B1 (ko) 극자외선 리소그래피를 위한 마스크의 패턴 임계치수 보정방법
CN110352365B (zh) 校正用于5nm和20nm之间波长范围的反射光学元件的方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130701

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140630

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150630

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160630

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170630

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180629

Year of fee payment: 13