KR100968154B1 - 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법 - Google Patents

Abstract

기판 상에 적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막을 형성하고, 다층막 상에, 광차단막을 형성한다. 광차단막을 선택적으로 식각하여 상기 다층막을 선택적으로 노출시키는 광차단막 패턴을 형성하고, 광차단막 패턴의 선폭을 측정하여 선폭 보정이 요구되는 보정 영역을 검출한다. 그리고 검출된 보정 영역에 대응되는 다층막 부분에 에너지를 가하여 상기 다층막에 포함된 적어도 두 개의 박막이 반응하여 형성된 화합물에 의해 투과율이 변화되어 선폭을 보정하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법을 제시한다.

비스무트, 인듐, 다층막, 화합물, 레이저, 투과율, 공융점

Description

포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법{Method for correcting pattern critical dimension in photomask}

본 발명은 포토마스크의 제조 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법에 관한 것이다.

반도체소자를 제조하는 과정에서 웨이퍼에 형성하고자 하는 패턴을 구현하기 위한 방법으로 패턴이 형성된 포토마스크(photomask)가 이용되고 있다. 포토마스크 상에 형성된 패턴은 리소그라피(lithography)공정을 통해 웨이퍼 상으로 전사되므로, 포토마스크의 제조 공정은 매우 중요하게 인식되고 있다.

그런데, 반도체소자의 집적도가 높아짐에 따라, 반도체소자를 구성하는 패턴들의 크기도 점점 미세해 지고 있다. 따라서, 포토마스크 상에 형성되는 패턴들도 보다 작은 선폭을 가진 패턴이 형성되고 있다. 포토마스크를 제조하기 위해서는, 먼저 석영과 같은 투명기판 상에 광차단막 및 제1 레지스트막을 형성하고, 제1 레지스트막에 노광 공정 및 현상공정을 수행하여 제1 레지스트막 패턴을 형성한다. 다음에, 제1 레지스트막 패턴을 식각마스크로 노출된 광차단막 부분을 식각하여 광차단막 패턴을 형성하고, 제1 레지스트막 패턴을 제거한다.

그런데, 포토마스크 제조 과정에서 여러 가지 원인을 인해 원하는 선폭(CD;Critical Dimension)을 가진 패턴을 정확하게 구현하기가 어려워 타겟 패턴(target pattern)과의 선폭 차이가 발생될 수 있다. 이러한 선폭 차이는 후속 웨이퍼 상에서 패턴결함을 유발시켜 반도체소자의 신뢰성을 저하시키게 된다.

그러나, 패턴 형성과정에서 패턴의 CD가 영역별로 불균일하는 경우, CD 보정공정을 수행하더라도 CD 불균일도는 개선되지 않아 CD 불균일도에 따른 포토마스크의 품질이 저하될 수 있다. 포토마스크의 CD가 불균일함에 따라, 웨이퍼 상의 패턴도 불균일하여 결국 반도체소자의 불량 요인이 되어 공정 수율을 감소시킬 수 있다.

본 발명에 다른 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법은, 기판 상에 적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막을 형성하는 단계; 상기 다층막 상에, 광차단막을 형성하는 단계; 상기 광차단막을 선택적으로 식각하여 상기 다층막을 선택적으로 노출시키는 광차단막 패턴을 형성하는 단계; 상기 광차단막 패턴의 선폭을 측정하여 선폭 보정이 요구되는 보정 영역을 검출하는 단계; 및 상기 검출된 보정 영역에 대응되는 다층막 부분에 에너지를 가하여 상기 다층막에 포함된 적어도 두 개의 박막이 반응하여 형성된 화합물에 의해 투과율이 변화되어 선폭을 보정하는 단계를 포함한다.

상기 광차단막 상에 하드마스크막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 다층막은 적어도 50%의 투과율을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.

상기 다층막은, 적어도 어느 하나의 박막을 형성하고, 산화공정을 수행하여 상기 다층막의 투과율을 조절하는 것이 바람직하다.

상기 다층막은 지르코늄, 갈륨, 인듐, 주석, 티타늄, 알루미늄, 비스무트를 포함하는 그룹 중에서 선택하여 적층하여 형성하는 것이 바람직하다.

상기 화합물은 상기 다층막에 레이저빔을 조사하거나 열 방출판을 이용한 열에너지를 가하여 형성하는 것이 바람직하다.

상기 레이저빔은 상기 기판의 상면, 또는 후면에서 레이저빔을 조사하는 것이 바람직하다.

상기 다층막 부분에 에너지를 가하여 선폭을 보정하는 단계는, 상기 다층막 에 포함된 어느 하나의 박막에 선택적으로 레이저를 조사하여 투과율을 변화시켜 선폭을 보정하는 단계로 이루어질 수 있다.

본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 선폭 보정 방법은, 기판 상에 적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막을 형성하는 단계; 상기 다층막 상에, 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계; 상기 광차단막을 선택적으로 제거하여 상기 위상반전막을 선택적으로 노출시키는 광차단막 패턴을 형성하는 단계; 상기 광차단막 패턴에 의해 노출된 위상반전막 부분을 식각하여 위상반전막패턴을 형성하는 단계; 상기 광차단막 패턴을 선택적으로 제거하여 상기 기판의 일부 영역에 상기 위상반전막 패턴을 노출시키는 단계; 상기 노출된 위상반전막 패턴의 선폭을 측정하여 선폭 보정이 요구되는 보정 영역을 검출하는 단계; 및 상기 검출된 보정 영역에 대응되는 다층막 부분에 에너지를 가하여 상기 다층막에 포함된 적어도 두 개의 박막이 반응하여 형성된 화합물에 의해 투과율이 변화되어 선폭을 보정하는 단계를 포함한다.

상기 광차단막 상에 하드마스크막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

상기 다층막은 적어도 50%의 투과율을 갖도록 형성하는 것이 바람직하다.

상기 다층막은, 적어도 어느 하나의 박막을 형성하고, 산화공정을 수행하여 상기 다층막의 투과율을 조절하는 것이 바람직하다.

상기 다층막은 지르코늄, 갈륨, 인듐, 주석, 티타늄, 알루미늄, 비스무트를 포함하는 그룹 중에서 선택하여 적층하여 형성하는 것이 바람직하다.

상기 화합물은 상기 다층막에 레이저빔을 조사하거나 열 방출판을 이용한 열 에너지를 가하여 형성하는 것이 바람직하다.

상기 레이저빔은 상기 기판의 상면, 또는 후면에서 레이저빔을 조사하는 것이 바람직하다.

상기 다층막 부분에 에너지를 가하여 선폭을 보정하는 단계는, 상기 다층막에 포함된 어느 하나의 박막에 선택적으로 레이저를 조사하여 투과율을 변화시켜 선폭을 보정하는 단계로 이루어질 수 있다.

(실시예 1)

도 1을 참조하면, 석영과 같은 투명기판(100) 상에 적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막(110)을 형성한다. 여기서, 투명기판(100)은 후속 위상반전 패턴이 배치되어 투과되는 광의 위상을 반전시키는 메인 영역과, 후속 위상반전 패턴 및 광차단막 패턴이 배치되어 불필요한 광을 차단하는 프레임영역으로 구분될 수 있다.

적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막(110)은 적어도 50%의 투과율을 갖도록 두 개의 박막의 두께를 조절하여 형성할 수 있다. 예를 들어, 다층막(110)에 크롬막을 포함하여 형성하는 경우, 크롬막이 590Å의 두께로 형성되면, 크롬막의 투과율은 0%가 되지만, 크롬막을 53Å의 두께로 형성되면, 크롬막의 투과율은 90%가 된다. 따라서, 다층막(110)은 원하는 투과율을 갖도록 두 개의 박막 두께를 조절하여 형성한다. 특히, 다층막(110)에 포함되는 박막의 경우, 박막의 일부 산화를 통해, 박막의 투과율을 설정할 수도 있다. 예컨대, 투명기판(100) 상에 어느 하나의 박막을 증착한 후, 증착된 박막에 추가적인 산화공정을 수행함으로써, 증착된 박막의 투과율을 증가시킬 수 있다.

이때, 다층막(110)은 금속막 예컨대, 지르코늄, 갈륨, 인듐, 주석, 티타늄, 알루미늄, 비스무트(Bi:bismuth) 등을 포함하는 그룹 중에서 선택된 물질을 적층하여 형성할 수 있다. 다층막(110)은 다층막(110)의 일부 영역에 선택적으로 형성되는 화합물에 의해 선택적으로 투과율을 증가시키는 역할을 한다. 예컨대, 적어도 두개의 박막을 포함하는 다층막(110)은, 공융점 이상의 에너지를 받게 되면 두 개의 박막이 서로 반응하여 화합물이 형성될 수 있다,

예를 들어, 다층막(110)은 비스무트층(111) 및 인듐층(112)을 순차적으로 형성할 수 있다. 및 본 발명의 실시예에서는 설명의 편의를 위하여, 다층막(110)을 비스무트층(111) 및 인듐층(112)이 적층되는 경우에 대해 설명하지만, 이에 한정되는 것은 아니다.

도 2를 참조하면, 다층막(110) 상에 위상반전막(120), 광차단막(130) 및 제1 레지스트막(140)을 형성한다. 위상반전막(120)은 투과되는 광의 위상을 반전시킬 수 있는 물질 예컨대, 몰리브덴실리콘옥사이드(MoSiO)막을 포함하여 형성할 수 있다. 광차단막(130)은 투과되는 광을 차단할 수 있는 물질막 예컨대, 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있다. 이때, 위상반전막(120)은 다층막(110)의 투과율에 따라 위상반전막(120)의 두께를 조절하여 투과되는 광의 위상을 반전시킬 수 있는 두께로 형성하는 것이 바람직하다.

한편, 광차단막(130)과 제1 레지스트막(140) 계면에 하드마스크(hard mask) 막을 형성할 수도 있다. 하드마스크막을 형성하는 경우, 하드마스크막은 탄소막 예컨대, 스핀온 카본 코팅(Spin On Carbon coating)을 이용한 탄소막으로 형성할 수 있다.

도 3을 참조하면, 제1 레지스트막(도 2의 140)에 리소그라피(lithography) 공정을 수행하여 광차단막을 선택적으로 노출시키는 제1 레지스트막 패턴(141)을 형성한다. 구체적으로, 제1 레지스트막(140)에 통상의 전자빔을 이용한 노광 공정을 수행하고, 노광된 레지스트막에 현상액을 이용한 현상공정을 수행한다. 그러면, 노광된 부분과 비노광된 부분의 용해도 차이에 의해 제1 레지스트막(140)이 선택적으로 제거되어 광차단막을 선택적으로 노출시키는 제1 레지스트막 패턴(141)이 형성된다.

제1 레지스트막 패턴(141)을 식각마스크로 노출된 광차단막 부분 및 위상반전막 부분을 식각하여 광차단막 패턴(131) 및 위상반전막 패턴(121)을 형성한다. 광차단막 패턴(131) 및 위상반전막 패턴(121)은 직진성이 우수한 건식각공정을 수행하여 형성할 수 있다.

한편, 광차단막 패턴(131) 및 위상반전막 패턴(121)을 형성하기 위해서, 먼저, 제1 레지스트막 패턴(141)을 식각마스크로, 노출된 광차단막 부분을 식각하여 광차단막 패턴(131)을 형성하고, 순차적으로 노출된 위상반전막 부분을 식각하여 다층막(110)을 노출시키는 위상반전막 패턴(121)을 형성할 수 있다. 또는, 제1 레지스트막 패턴(141)을 식각마스크로 노출된 광차단막 패턴(131)을 형성하고, 제1 레지스트막 패턴을 스트립(strip)공정을 수행하여 제거한 후, 광차단막 패턴(131) 을 식각마스크로 노출된 위상반전막 부분을 식각하여 위상반전막 패턴(121)을 형성할 수도 있다.

도 4를 참조하면, 제1 레지스트막 패턴(도 3의 141)을 스트립(strip)공정을 수행하여 제거한 후, 광차단막 패턴(131) 및 위상반전막 패턴(121)이 형성된 다층막(110) 상에 제2 레지스트막(150)을 형성한다. 제2 레지스트막(150)은 후속 패터닝되어 투명기판의 메인 영역에 형성된 광차단막 패턴(131)을 선택적으로 제거하기 위한 식각마스크 역할을 한다.

도 5를 참조하면, 제2 레지스트막(도 4의 150)에 리소그라피 공정을 수행하여 투명기판(100)의 메인 영역을 노출시키는 제2 레지스트막 패턴(151)을 형성한다. 구체적으로, 제2 레지스트막(150)에 통상의 전자빔을 이용한 노광 공정을 수행하고, 노광된 레지스트막(150)에 현상액을 이용한 현상공정을 수행한다. 그러면, 노광된 부분과 비노광된 부분의 용해도 차이에 의해 제2 레지스트막(150)이 선택적으로 제거되어 제2 레지스트막 패턴(151)이 형성된다. 여기서, 제2 레지스트막 패턴(151)은 후속 불필요한 광의 입사를 차단하는 광차단막 패턴을 선택적으로 제거하여, 투과되는 광의 위상을 반전시키는 위상 반전 패턴만 배치되는 메인 영역이 선택적으로 노출되게 형성한다.

제2 레지스트막 패턴(151)에 의해 노출된 메인 영역의 광차단막 패턴(131)을 선택적으로 제거한다. 그러면, 투명기판(100)의 메인 영역에는 위상반전막 패턴(121)만 남게 되고, 투명기판(100)의 프레임 영역에는 위상반전막 패턴(121) 및 광차단막 패턴(131)이 남게 된다.

도 6을 참조하면, 제2 레지스트막 패턴(도 5의 151)을 스트립(strip) 공정을 수행하여 제거한다. 다음에, 위상 반전막 패턴(121)의 선폭을 선폭 측정장비를 이용하여 측정한 후, 선폭 보정이 필요한 영역을 검출한다.

예컨대, 위상반전마스크 제조 과정에서, 위상 반전막 패턴(131)의 선폭이 형성하고자 하는 타겟 패턴(target pattern)의 선폭(CD;Critical Dimension)보다 상대적으로 큰 선폭으로 형성된 선폭 불량 패턴(121a)들이 형성될 수 있다. 선폭 불량 패턴(121a)들은 투명기판(100)의 위치에 따라 서로 다른 선폭으로 형성될 수도 있다.이러한 선폭 불량 패턴(121a)들은 후속 웨이퍼 노광 공정에 의해 웨이퍼 상으로 전사되므로, 웨이퍼 불량을 초래하게 된다.

따라서, 위상반전마스크를 제조한 후, 선폭 불량 패턴(121a)들이 발생하게 되면, 마스크를 폐기처리하고 재제작해야 한다. 또한, 선폭 불량 패턴(121a)들의 수정공정이 가능하더라도, 별도의 보정마스크를 이용해야 하므로, 별도의 보정마스크에 따른 레지스트 코팅, 노광, 현상 및 식각공정 등에 의해 공정 시간 및 공정 비용이 증가하여 수율을 저하시키게 된다. 또한, 선폭 불량 패턴(121a)들이 위치에 따라 서로 다른 선폭으로 형성되는 경우, 위치 별로 보정량을 달리해야 해야 하므로, 공정 시간 및 비용이 증가하고, 각각의 보정량을 정확히 맞추기가 어렵다. 따라서, 본 발명의 실시예에서는 다음과 같은 과정을 수행한다.

도 7을 참조하면, 선폭 불량 패턴(121a)에 의해 선폭 보정이 필요한 영역에 대응되는 다층막(110) 부분에 선택적으로 에너지를 가하여 다층막(110)에 포함된 적어도 두 개의 박막 예컨대, 비스무트층(111) 및 인듐층(112)을 반응시켜 화합 물(115)을 형성한다. 이때, 비스무트인듐화합물(115)을 형성하기 위해, 레이저빔 또는 열방출판을 이용하여 비스무트층(111) 및 인듐층(112)에 에너지를 가할 수 있다.

구체적으로, 선폭 보정이 필요한 영역에 대응되는 다층막(110) 부분을 오픈(open)하는 어퍼쳐(aperture)(170)를 사용하여 선폭 보정이 필요한 영역에 대응되는 다층막 부분에 레이저빔(160)을 조사한다. 이때, 레이저빔(160)은 위상반전막 패턴(121)이 형성된 상면 또는 기판 뒷면(back side)에 대해 조사할 수 있다. 그러면, 레이저빔(160)에 의해 비스무트층(111) 및 인듐층(112)이 에너지를 받아 반응되어 화합물(115)이 형성된다. 이러한, 화합물(115)은 선폭 불량 패턴(121a)과 대응되는 다층막 영역에만 선택적으로 형성되므로, 선폭 불량 패턴(121a)을 투과하는 광의 투과율을 증가시키게 된다. 따라서, 선폭 보정 공정을 수행하지 않고, 웨이퍼 상에 형성되는 패턴의 선폭을 보정할 수 있다.

한편, 선폭 보정이 필요한 영역에 대응되는 다층막 부분에, 단일 박막 예를 들어, 비스무트층 또는 인듐층에만 선택적으로 레이저를 가하여 단일 박막을 변화시켜 투과율을 증가시킬 수도 있다.

도 9는 비스무트와 인듐의 공융점(eutectic point)을 나타내는 그래프이다. 도 9를 살펴보면, 비스무트가 100%의 질량(mass)일 경우, 비스무트의 용융점(melting piont)은 (A) 지점 예컨대, 500 K 정도이며, 인듐이 100%의 질량일 경우, 인듐의 용융점은 (B) 지점 예컨대, 430 K 정도이다. 여기서, 비스무트가 50% 질량이고, 인듐이 50% 질량일 경우, 비스무트와 인듐 사이의 공융점은 (C) 지점으 로 나타나고 있다. 특히, 비스무트와 인듐 비율에 따른 극소 공융점은 (D) 지점으로 나타나고 있다. 또한, 비스무트층과 인듐층이 적층된 박막이거나, 비스무트와 인듐이 혼합되어 형성된 박막의 경우, 비스무트와, 인듐의 공융점은 각 박막이 100% 질량일 경우보다 낮아지는 것을 알 수 있다. 따라서, 비스무트층 및 인듐층의 질량 비율에 따라, 공융점 이상의 에너지를 받게 되면, 비스무트층 및 인듐층이 서로 반응하여 에너지를 받은 부분에서 선택적으로 화합물이 형성될 수 있다.

도 10은 비스무트층을 40nm 두께로 형성하고, 인듐층을 40nm 두께로 형성하는 경우, 비스무트층과 인듐층의 투과율을 측정한 그래프이다. 도 10에 제시된 바와 같이, 비스무트층과 인듐층을 적층한 후, 측정한 투과율 지수(a)는 3 내지 2.5 정도로 나타나고 있는 반면에, 비스무트층과 인듐층에 300 mW의 에너지를 가하여 형성된 화합물의 투과율 지수(b)는 1.3 내지 0.2 정도로 나타나고 있다. 여기서, 투과율 지수는 투과율이 높을 경우 낮게 나타나며, 투과율이 100%일 경우, 투과율 지수는 0이 된다. 따라서, 비스무트층과 인듐층이 적층된 투과율에 비해, 두 박막이 반응하여 형성된 화합물의 투과율이 증가된 것을 알 수 있다.

도 11는 다층막에 가해지는 에너지 파워에 따라 형성된 화합물의 투과율을 측정한 그래프이다. 도 11에 제시된 바와 같이, 비스무트층과 인듐층을 적층한 후, 형성된 화합물(c)은, 에너지 파워가 증가됨에 따라, 투과율 지수가 낮아지고 있는 것을 볼 수 있다. 또한, 주석층과 인듐층을 적층한 후, 형성된 화합물(d)의 투과율 또한, 에너지 파워가 증가됨에 따라, 투과율 지수가 낮아지고 있는 것을 볼 수 있다. 즉, 에너지 파워에 따라 두 개의 박막이 반응하여 형성되는 화합물의 투과율은 달라지며, 에너지 파워가 증가할수록 화합물의 투과율을 증가하게 된다.

이와 같이, 비스무트층과 인듐층이 순차적으로 증착된 영역과, 에너지를 받아 화합물이 형성된 영역은 투과율 차이가 발생하게 된다. 따라서, 선폭 불량 패턴의 선폭과 형성하고자 하는 타겟 패턴과의 선폭 보정량을 투과도로 환산하고, 이를 이용하여 선폭 보정량에 따라 화합물 형성 정도를 결정할 수 있다. 또한, 선폭 불량 패턴들이 포토마스크 위치에 따라 서로 다른 선폭으로 형성되는 경우, 각각의 위치마다 에너지를 달리하여 투과율을 조절하여 선폭을 보정할 수 있다.

도 8을 참조하면, 선폭 보정 영역에 선폭 보정량에 만큼 화합물(115)이 형성된 위상반전마스크를 이용하여 웨이퍼 노광 공정을 수행한다. 그러면, 위상반전마스크를 투과되는 광은, 타겟 패턴으로 형성된 영역보다 화합물이 형성된 영역으로 투과되는 광량이 증가하여 웨이퍼(200)의 레지스트막(220)에 전사된다.

즉, 타겟 선폭으로 위상반전 패턴(121)이 형성된 영역을 통해 투과되는 광은 식각대상막(210)의 형성된 웨이퍼(200)의 레지스트막(220)에 동일한 선폭으로 전사되고, 화합물(115)이 형성된 영역을 통해 투과되는 광은 화합물(115)에 의해 광량이 증가하여 선폭 불량 패턴(121a)의 선폭보다 좁은 선폭으로 전사되면서, 선폭 보정이 이루어진다. 이에 따라, 위상반전 마스크 상에 형성된 위상 반전 패턴(121)과 동일한 선폭을 가진 레지스트막(220) 패턴이 형성되고, 웨이퍼(200) 상에 형성되는 식각대상막(210) 패턴 또한, 동일한 선폭으로 형성되어, 패턴 균일도를 향상시킬 수 있다.

본 발명의 실시예에 따르면, 포토마스크 제조 과정에서 적어도 두 개의 박막 을 포함하는 다층막을 형성한 후, 최종 포토마스크 제작을 완료한다. 이후에, 마스크 패턴의 실제 선폭을 측정한 후, 보정 영역 별로 다층막 부분에 공융점 이상의 에너지를 가하여 화합물을 형성하여 마스크 패턴의 선폭을 타겟 패턴의 선폭으로 보정할 수 있다. 이에 따라, 보다 정밀하게 패턴 선폭을 제어할 수 있다.

이상, 본 발명의 바람직한 실시예를 들어 상세하게 설명하였으나, 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않으며, 본 발명의 바람직한 기술적 사상 내에서 당 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의하여 여러 가지 변형이 가능함은 당연하다.

도 1 내지 도 11은 본 발명의 실시예에 따른 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법을 설명하기 위해 나타내 보인 도면들이다.

Claims (16)

1. 기판 상에 적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막을 형성하는 단계;

   상기 다층막 상에, 광차단막을 형성하는 단계;

   상기 광차단막을 선택적으로 식각하여 상기 다층막을 선택적으로 노출시키는 광차단막 패턴을 형성하는 단계;

   상기 광차단막 패턴의 선폭을 측정하여 선폭 보정이 요구되는 보정 영역을 검출하는 단계; 및

   상기 검출된 보정 영역에 대응되는 다층막 부분에 에너지를 가하여 상기 다층막에 포함된 적어도 두 개의 박막이 반응하여 형성된 화합물에 의해 투과율이 변화되어 선폭을 보정하는 단계를 포함하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
2. 제1항에 있어서,

   상기 광차단막 상에 하드마스크막을 형성하는 단계를 더 포함하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
3. 제1항에 있어서,

   상기 다층막은 적어도 50%의 투과율을 갖도록 형성하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
4. 제1항에 있어서,

   상기 다층막은, 적어도 어느 하나의 박막을 형성하고, 산화공정을 수행하여 상기 다층막의 투과율을 조절하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
5. 제1항에 있어서,

   상기 다층막은 지르코늄, 갈륨, 인듐, 주석, 티타늄, 알루미늄, 비스무트를 포함하는 그룹 중에서 선택하여 적층하여 형성하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
6. 제1항에 있어서,

   상기 화합물은 상기 다층막에 레이저빔을 조사하거나 열 방출판을 이용한 열에너지를 가하여 형성하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
7. 제6항에 있어서,

   상기 레이저빔은 상기 기판의 상면, 또는 후면에서 레이저빔을 조사하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
8. 제1항에 있어서,

   상기 다층막 부분에 에너지를 가하여 선폭을 보정하는 단계는, 상기 다층막에 포함된 어느 하나의 박막에 선택적으로 레이저를 조사하여 투과율을 변화시켜 선폭을 보정하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
9. 기판 상에 적어도 두 개의 박막을 포함하는 다층막을 형성하는 단계;

   상기 다층막 상에, 위상반전막 및 광차단막을 형성하는 단계;

   상기 광차단막을 선택적으로 제거하여 상기 위상반전막을 선택적으로 노출시키는 광차단막 패턴을 형성하는 단계;

   상기 광차단막 패턴에 의해 노출된 위상반전막 부분을 식각하여 위상반전막패턴을 형성하는 단계;

   상기 광차단막 패턴을 선택적으로 제거하여 상기 기판의 일부 영역에 상기 위상반전막 패턴을 노출시키는 단계;

   상기 노출된 위상반전막 패턴의 선폭을 측정하여 선폭 보정이 요구되는 보정 영역을 검출하는 단계; 및

   상기 검출된 보정 영역에 대응되는 다층막 부분에 에너지를 가하여 상기 다층막에 포함된 적어도 두 개의 박막이 반응하여 형성된 화합물에 의해 투과율이 변화되어 선폭을 보정하는 단계를 포함하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
10. 제9항에 있어서,

    상기 광차단막 상에 하드마스크막을 형성하는 단계를 더 포함하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
11. 제9항에 있어서,

    상기 다층막은 적어도 50%의 투과율을 갖도록 형성하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
12. 제11항에 있어서,

    상기 다층막은, 적어도 어느 하나의 박막을 형성하고, 산화공정을 수행하여 상기 다층막의 투과율을 조절하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
13. 제9항에 있어서,

    상기 다층막은 지르코늄, 갈륨, 인듐, 주석, 티타늄, 알루미늄, 비스무트를 포함하는 그룹 중에서 선택하여 적층하여 형성하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
14. 제9항에 있어서,

    상기 화합물은 상기 다층막에 레이저빔을 조사하거나 열 방출판을 이용한 열에너지를 가하여 형성하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
15. 제14항에 있어서,

    상기 레이저빔은 상기 기판의 상면, 또는 후면에서 레이저빔을 조사하는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.
16. 제9항에 있어서,

    상기 다층막 부분에 에너지를 가하여 선폭을 보정하는 단계는, 상기 다층막에 포함된 어느 하나의 박막에 선택적으로 레이저를 조사하여 투과율을 변화시켜 선폭을 보정하는 단계로 이루어지는 포토마스크의 패턴 선폭 보정 방법.

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