KR101057185B1 - 포토마스크 및 그 제조방법 - Google Patents

포토마스크 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명의 포토마스크는, 투광기판과, 투광기판 위에 배치되어 투광영역을 한정하는 패턴들과, 그리고 투명기판과 패턴들 사이에 배치되되, 패턴들 중 정상크기인 정상패턴들 사이의 제1 투광영역과 중첩되는 제1 영역에서의 광투과도보다 정상크기보다 크게 형성된 불량패턴과 인접하는 제2 투광영역에 중첩되는 제2 영역에서의 광투과도가 상대적으로 더 큰 투광량 조절층을 구비한다.
포토마스크, 시디(CD) 에러, 투광량 조절층, 산화

Description

포토마스크 및 그 제조방법{Photomask and method of fabricating the same}
본 발명은 반도체소자 제조를 위한 노광공정시에 사용되는 포토마스크 및 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 반도체소자는 웨이퍼상의 각종 패턴들을 통해 구현되는데, 이와 같은 패턴들은 포토리소그라피 공정을 통해 형성된다. 통상의 포토리소그라피 공정에 따르면, 웨이퍼상의 패턴대상막 위에 포토레지스트막을 형성하고, 이 포토레지스트막의 일정 부분을 포토마스크를 이용하여 노광시킨다. 다음에 현상액을 사용한 현상으로 노광에 의해 용해도가 변화되거나 변화되지 않는 부분을 제거하여 패턴대상막의 일부표면을 노출시키는 포토레지스트막패턴을 형성한다. 그리고 포토레지스트막패턴을 식각마스크로 한 식각으로 패턴대상막의 노출부분을 제거하여 패턴을 형성한다. 이 과정에서 웨이퍼상에 형성되는 패턴은 포토레지스트막패턴에 의해 한정되며, 포토레지스트막패턴은 포토마스크상의 패턴이 전사됨에 따라 형성된다. 따라서 결과적으로는 포토마스크상의 패턴이 웨이퍼상의 패턴으로 전사되는 것이다.
그런데 최근에 반도체소자의 집적도가 증가함에 따라 포토마스크의 패턴 또한 그 크기가 점점 미세해지고 있다. 이와 같은 추세에 의해 포토마스크의 미세패 턴을 형성하는 과정에서 여러 가지 문제점들이 발생할 수 있다. 그 중 대표적인 것 중의 하나는 포토마스크의 패턴 크기가 정확하게 형성되지 않은 패턴 시디(CD; Critical Dimension) 오차이다. 이와 같은 패턴 시디(CD) 오차는, 노광장비에 의해 발생할 수도 있으며, 또는 노광공정이 수행되는 과정에서 발생할 수도 있다. 이와 같은 패턴 시디(CD) 오차가 발생하게 되면, 포토마스크의 패턴이 전사되는 포토레지스트막패턴이 원하는 크기로 형성되지 않게 되며, 결과적으로 웨이퍼상의 패턴 또한 원하는 형태로 만들어지지 않게 된다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 포토마스크의 패턴 시디(CD) 오차가 발생하더라도 이를 보상할 수 있도록 하는 포토마스크와, 그 포토마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크는, 투광기판과, 투광기판 위에 배치되어 투광영역을 한정하는 패턴들과, 그리고 투명기판과 패턴들 사이에 배치되되, 패턴들 중 정상크기인 정상패턴들 사이의 제1 투광영역과 중첩되는 제1 영역에서의 광투과도보다 정상크기보다 크게 형성된 불량패턴과 인접하는 제2 투광영역에 중첩되는 제2 영역에서의 광투과도가 상대적으로 더 큰 투광량 조절층을 구비한다.
상기 투광량 조절층은 산화되는 정도에 따라 광의 투과도가 변하는 재질로 이루어질 수 있다. 이 경우 상기 투광량 조절층은 산화된 부분이 산화되지 않은 부분에 비하여 상대적으로 광의 투과도가 증가하는 재질로 이루어질 수 있다. 일 예에서, 상기 투광량 조절층을 이루는 재질은 코발트(Co), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브데늄(Mo)일 수 있다.
상기 투광량 조절층은 상기 제2 영역이 산화된 구조를 가질 수 있다.
상기 패턴들은 차광층패턴들 또는 위상반전층패턴들을 포함할 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크는, 투광기판과, 투광기판의 제1 표면 위에 배치되어 투광영역을 한정하는 패턴들과, 그리고 제1 표면과 반대인 투 명기판의 제2 표면상에 배치되되, 패턴들 중 정상크기인 정상패턴들 사이의 제1 투광영역과 중첩되는 제1 영역에서의 광투과도보다 정상크기보다 크게 형성된 불량패턴과 인접하는 제2 투광영역에 중첩되는 제2 영역에서의 광투과도가 상대적으로 더 큰 투광량 조절층을 구비한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법은, 투광기판 위에 산화정도에 따라 투과하는 광량이 조절되는 투광량 조절층을 형성하는 단계와, 투광량 조절층 위에 투광영역을 한정하는 패턴들을 형성하는 단계와, 패턴들의 시디를 검사하여 정상보다 큰 크기의 불량패턴들의 시디 에러를 측정하는 단계와, 측정된 시디 에러를 분석하여 투광량 조절층의 산화정도를 계산하는 단계와, 그리고 투광량 조절층 중 불량패턴들과 인접한 투광영역에 중첩되는 부분을 선택적으로 계산된 산화정도만큼 산화시키는 단계를 포함한다.
상기 투광량 조절층은 코발트(Co)막, 실리콘(Si)막, 탄탈륨(Ta)막 또는 몰리브데늄(Mo)막으로 형성할 수 있다.
상기 패턴들은 차광층패턴들 또는 위상반전층 패턴들로 형성할 수 있다.
상기 측정된 시디 에러를 분석하여 상기 투광량 조절층의 산화정도를 계산하는 단계는, 측정된 시디 에러를 기준값과 비교하여 시디 보정량을 계산하는 단계와, 계산된 시디 보정량에 대응되는 투과도를 계산하는 단계와, 그리고 계산된 투과도에 대응되는 산화정도를 계산하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 투광량 조절층을 선택적으로 산화시키는 단계는 열산화방법 또는 산소이온주입방법을 사용하여 수행할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법은, 투광기판의 배면에 산화정도에 따라 투과하는 광량이 조절되는 투광량 조절층을 형성하는 단계와, 투광기판의 전면에 투광영역을 한정하는 패턴들을 형성하는 단계와, 패턴들의 시디를 검사하여 정상보다 큰 크기의 불량패턴들의 시디 에러를 측정하는 단계와, 측정된 시디 에러를 분석하여 투광량 조절층의 산화정도를 계산하는 단계와, 그리고 투광량 조절층 중 불량패턴들과 인접한 투광영역에 중첩되는 부분을 선택적으로 계산된 산화정도만큼 산화시키는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 포토마스크 제조과정에서 정상 크기보다 큰 불량 패턴들이 발생하더라도 그 부분의 투광량 조절층을 산화시켜 광 투과도를 증가시킴으로써, 결과적으로 원하는 프로파일의 패턴전사를 얻을 수 있다는 이점이 제공된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크를 나타내 보인 단면도이다. 도 1을 참조하면, 본 실시예에 따른 포토마스크(100)는, 쿼츠(quartz)와 같은 투광기판(110) 위에 투광량 조절층(120)이 배치된다. 투광량 조절층(120) 위에는 크롬층과 같은 차광층패턴(131, 132)들이 배치된다. 투광량 조절층(120)은 산화되는 정도에 따라 광의 투과도가 변하는 재질로 이루어지며, 따라서 일부 영역은 산화가 이루어진 산화영역(122)으로 존재한다. 산화영역(122)에서의 투과도는 다른 영역에서의 투과도에 비하여 상대적으로 더 높다. 본 예에서는 차광층패턴(131, 132)을 갖는 바이너리 포토마스크를 예시적으로 설명하고 있지만, 차광층패턴(131, 132) 대신 위상반전층패턴이 배치되는 위상반전 마스크의 경우에도 동일하게 적용할 수 있다는 것은 당연하다. 또한 본 실시예에서는 투광량 조절층(120)이 투광기판(110)의 표면 중 차광층패턴(131, 132)들이 배치되는 표면상에 위치하고 있지만, 경우에 따라서는 차광층패턴(131, 132)들이 배치되는 표면과 반대되는 표면, 즉 투광기판(110)의 배면상에 배치될 수도 있다.
투광량 조절층(120)은 코발트(Co), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브데늄(Mo) 재질로 이루어진다. 이와 같은 재질로 이루어진 투광량 조절층(120)은 산화된 부분이 산화되지 않은 부분에 비하여 상대적으로 광의 투과도가 증가하는 특성을 나타낸다. 예컨대 투과량 조절층(120)이 90%의 투과도를 갖는 경우, 투과량 조절층(120)의 일부분을 산화시키면, 산화된 부분은 그 산화정도에 따라 차이는 있지만 90%에서 100%에 이르는 투과도를 나타내도록 할 수 있다. 산화되지 않은 상태에서 투과량 조절층(120)의 투과도는 그 두께를 조절하여 적절하게 선택할 수 있다. 예컨대 크롬으로 투과량 조절층을 형성하는 경우 590Å 정도의 두께로 형성하면 투과도가 거의 0으로 나타나지만, 59Å의 두께로 형성하게 되면 투과도는 대략 90%가 된다. 따라서 투과량 조절층(120) 중에서 산화되지 않은 부분의 투과도는 그 재질과 두께에 의해 결정된다.
차광층패턴(131, 132)들에는 포토마스크(100) 제작과정에서 정상적인 크기로 형성되어진 정상 차광층패턴(131)들이 대부분 포함되지만, 포토마스크(100) 제작과정에서 정상적인 크기보다 더 크게 형성되어서 시디(CD) 에러를 발생시키는 불량 차광층패턴(132)들도 또한 포함된다. 이와 같은 불량 차광층패턴(132)들은 노광장 비에 의해서나 노광과정에서 만들어질 수도 있으며, 또는 차광층패턴(131, 132)들 형성시 사용되는 레지스트막 특성에 의해 만들어질 수도 있다. 불량 차광층패턴(132)들이 만들어지게 되면, 불량 차광층패턴(132)들에 인접한 제2 투광영역(142)은 정상 차광층패턴(131)들 사이의 제1 투광영역(141)보다 상대적으로 좁아지게 되고, 결과적으로 제1 투광영역(141)을 통과하는 광의 투과량보다 제2 투광영역(142)을 통과하는 광의 투과량이 더 작아지게 된다.
따라서 이와 같은 광 투과량의 편차를 보정하기 위하여, 투과량 조절층(120) 중에서 불량 차광층패턴(132)에 인접하는 제2 투광영역(142)에 중첩되는 부분을 산화영역(122)으로 배치시킨다. 앞서 언급한 바와 같이 투과량 조절층(120)의 광 투과도는 산화되지 않은 영역보다 산화영역(122)에서 더 크게 나타난다. 따라서 제1 투광영역(141)에서는 상대적으로 넓은 폭을 갖는 반면에 상대적으로 낮은 광 투과도를 갖는 투과량 조절층(120)이 배치되는 반면에, 제2 투광영역(142)에서는 상대적으로 좁은 폭을 갖지만 상대적으로 높은 광 투과도 갖는 산화영역(122)이 배치된다. 따라서 불량 차광층패턴(132)의 시디(CD) 보정량에 대응되도록 산화영역(122)의 광 투과도의 증가정도, 즉 산화영역(122)의 산화정도를 조절하여 제1 투과영역(141)을 통과하는 광량과 제2 투과영역(142)을 통과하는 광량을 동일하게 할 수 있으며, 결과적으로 불량 차광층패턴(142)이 존재하더라도 정상 차광층패턴(141)만 존재하는 경우와 동일하게 노광공정을 수행할 수 있게 된다.
도 2는 도 1의 포토마스크를 이용한 패터닝과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다. 도 2를 참조하면, 도면에서 화살표(210)로 표시한 바와 같이 광원 으로부터 광이 포토마스크(100)를 향해 조사되고, 이 광은 포토마스크(100)의 투광영역을 통해 웨이퍼(240)로 조사된다. 이때 정상 차광층패턴(131) 사이의 제1 투광영역을 통과하는 광은, 도면에서 얇은 화살표(220)로 나타낸 바와 같이, 제1 투광영역의 상대적으로 넓은 투광면적에 의해 원하는 양의 광이 웨이퍼(240)로 조사된다. 또한 불량 차광층패턴(132)에 인접한 제2 투광영역을 통과하는 광은, 투과량 조절층(120)의 산화영역(122)에 의해 투과도가 더 증가하여, 도면에서 두꺼운 화살표(230)로 나타낸 바와같이, 제2 투광영역의 상대적으로 좁은 투광면적에도 불구하고 원하는 양의 광이 웨이퍼(240)로 조사된다. 따라서 비록 포토마스크(100) 제조과정에서 불량 차광층패턴(132)이 발생하더라도, 웨이퍼(240)에 조사되는 광량은 모든 투광영역에 대해 일정하게 유지할 수 있으며, 그 결과 웨이퍼(240)상에 최종 형성되는 패턴(250)도 모든 영역에서 정상 차광층패턴(131)에 대응되는 정상적인 패턴(250)이 형성된다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다. 구체적으로 바이너리 형태의 포토마스크를 제조하기 위하여, 먼저 도 3에 나타낸 바와 같이, 쿼츠와 같은 투광기판(110) 위에 투과량 조절층(120)을 형성한다. 본 실시예에서는 투과량 조절층(120)을 투광기판(110)의 전면에 형성하고 있지만, 경우에 따라서는 투과량 조절층(120)을 투광기판(110)의 배면에 형성할 수도 있다. 이 경우 투과량 조절층(120)이 투광기판(110)의 전면이 아닌 배면에 위치하는 점을 제외하고는 이후의 공정과정은 동일하게 적용된다. 투과량 조절층(120)은 산화되는 정도에 따라 광의 투과도가 변하는 재질, 예컨대 코발트(Co), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브데늄(Mo) 재질로 형성한다. 이와 같은 재질로 이루어진 투과량 조절층(120)은 산화될 수도록 투과도가 증가한다. 다음에 투과량 조절층(120) 위에 차광층(130)을 형성한다. 차광층(130)은 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 차광층(130) 위에는 레지스트막패턴(150)을 형성한다. 레지스트막패턴(150)은 투광영역의 차광층(130)을 노출시키는 개구부(152)를 갖는다. 레지스트막패턴(150)은 통상의 전자빔 또는 레이저를 이용한 노광과 현상을 통해 형성할 수 있는데, 이 과정에서 비정상적인 시디(CD)의 불량 레지스트막패턴(151)이 만들어질 수 있다.
다음에 도 4에 나타낸 바와 같이, 레지스트막패턴(도 3의 150)을 식각마스크로 한 식각으로 차광층(도 3의 130)의 노출부분을 제거하여 차광층패턴(131, 132)을 형성한다. 그리고 레지스트막패턴(150)을 제거한다. 차광층패턴(131, 132)은 정상 시디(CD)를 갖는 정상 차광층패턴(131)만으로 이루어지는게 정상이지만, 레지스트막패턴(150) 형성과정에서 불량 레지스트막패턴(도 3의 151)이 발생하는 경우 정상 시디(CD)를 벗어난 불량 차광층패턴(132)도 만들어진다. 본 예에서는 불량 레지스트막패턴(도 3의 151)에 기인한 불량 차광층패턴(132)의 발생을 예로 들었지만, 이 외에도 레지스트막패턴(150이 정상적으로 형성된 경우라도 차광층(130)에 대한 식각과정에서 공정이 비정상적으로 이루어진 경우 정상 시디(CD)를 벗어난 불량 차광층패턴(132)도 만들어질 수 있다. 다음에 도면에서 화살표(160)로 나타낸 바와 같이, 차광층패턴(131, 132)에 대한 스캐닝을 수행하여 불량 차광층패턴(132)의 존재 유무와, 불량 차광층패턴(132)이 존재하는 경우 불량 차광층패턴(132)의 시 디(CD) 에러를 측정한다. 다음에 측정된 시디(CD) 에러를 기준값, 예컨대 정상 차광층패턴(131)의 시디(CD)와 비교하여 보정해야 할 시디(CD)를 계산한다. 그리고 계산된 시디(CD) 보정량에 대응되는 투과도를 계산한다. 투과도 계산은 미리 만들어진 시디(CD) 보정량과 투과도 사이의 상관관계를 정의한 테이블(table)에 의해 이루어질 수 있다. 이와 같은 테이블은 실제 노광을 수행하면서 시디(CD) 편차 및 투과도를 각각 측정함으로써 만들어질 수 있다. 다음에 계산된 투과도에 대응되는 산화정도를 계산한다. 이 과정 또한 미리 만들어진 투과도와 산화정도 사이의 상관관계를 정의한 테이블에 의해 이루어질 수 있다.
다음에 도 5에 나타낸 바와 같이, 계산된 산화정도만큼 투과량 조절층(120)의 일부분, 즉 불량 차광층패턴(132)에 인접하는 투광영역에 대해 선택적으로 산화처리를 수행한다. 산화처리에 의해 형성된 산화영역(122)에서의 광 투과도는 산화되지 않은 다른 영역에서의 광 투과도보다 증가된다. 산화처리는 차단막(170)을 이용한 산소이온주입방법을 사용하여 수행할 수 있다. 다른 예에서는 열산화방법을 사용하여 수행할 수도 있다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다. 구체적으로 위상반전 형태의 포토마스크를 제조하기 위하여, 먼저 도 6에 나타낸 바와 같이, 쿼츠와 같은 투광기판(310) 위에 투과량 조절층(320)을 형성한다. 본 실시예에서는 투과량 조절층(320)을 투광기판(310)의 전면에 형성하고 있지만, 경우에 따라서는 투과량 조절층(320)을 투광기판(310)의 배면에 형성할 수도 있다. 이 경우 투과량 조절층(320)이 투광기 판(310)의 전면이 아닌 배면에 위치하는 점을 제외하고는 이후의 공정과정은 동일하게 적용된다. 투과량 조절층(320)은 산화되는 정도에 따라 광의 투과도가 변하는 재질, 예컨대 코발트(Co), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브데늄(Mo) 재질로 형성한다. 이와 같은 재질로 이루어진 투과량 조절층(320)은 산화될 수도록 투과도가 증가한다. 다음에 투과량 조절층(320) 위에 위상반전층(330) 및 차광층(340)을 순차적으로 형성한다. 위상반전층(330)과 차광층(130)은 각각 몰리브데늄실리콘옥시나이트라이드(MoSiON)막 및 크롬(Cr)막으로 형성할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 차광층(340) 위에는 레지스트막패턴(350)을 형성한다. 레지스트막패턴(350)은 투광영역의 차광층(330)을 노출시키는 개구부(352)를 갖는다. 레지스트막패턴(350)은 통상의 전자빔 또는 레이저를 이용한 노광과 현상을 통해 형성할 수 있는데, 이 과정에서 비정상적인 시디(CD)의 불량 레지스트막패턴(351)이 만들어질 수 있다.
다음에 도 7에 나타낸 바와 같이, 레지스트막패턴(도 6의 350)을 식각마스크로 한 식각으로 차광층(도 6의 340)의 노출부분을 제거하여 차광층패턴(342)을 형성하고, 계속해서 위상반전층(도 6의 330)의 노출부분을 제거하여 위상반전층패턴(332)을 형성한다. 그리고 레지스트막패턴(350)을 제거한다. 위상반전층패턴(332) 및 차광층패턴(342)은 정상 시디(CD)를 갖는 정상 패턴만으로 이루어지는게 정상이지만, 레지스트막패턴(350) 형성과정에서 불량 레지스트막패턴(도 6의 351)이 발생하는 경우 정상 시디(CD)를 벗어난 불량 패턴(360)도 만들어진다. 본 예에서는 불량 레지스트막패턴(도 6의 351)에 기인한 불량 패턴(360)의 발생을 예 로 들었지만, 이 외에도 레지스트막패턴(350)이 정상적으로 형성된 경우라도 차광층(340)이나 위상반전층(330)에 대한 식각과정에서 공정이 비정상적으로 이루어진 경우 정상 시디(CD)를 벗어난 불량 패턴(360)도 만들어질 수 있다.
다음에 도 8에 나타낸 바와 같이, 차광층패턴(342)을 선택적으로 제거하기 위하여 일정 영역, 예컨대 프레임(frame) 영역에 레지스트막패턴(370)을 형성한다. 그리고 이 레지스트막패턴(370)을 식각마스크로 한 식각을 수행하여 노출된 차광층패턴(342)을 제거한다. 차광층패턴(342)을 선택적으로 제거한 후에는 레지스트막패턴(370)을 제거한다.
다음에 도 9에 나타낸 바와 같이, 도면에서 화살표(380)로 나타낸 바와 같이, 위상반전층패턴(332)에 대한 스캐닝을 수행하여 불량 위상반전층패턴(351)의 존재 유무와, 불량 위상반전층패턴(351)이 존재하는 경우 불량 위상반전층패턴(351)의 시디(CD) 에러를 측정한다. 다음에 측정된 시디(CD) 에러를 기준값, 예컨대 정상 위상반전층패턴(332)의 시디(CD)와 비교하여 보정해야 할 시디(CD)를 계산한다. 그리고 계산된 시디(CD) 보정량에 대응되는 투과도를 계산한다. 투과도 계산은 미리 만들어진 시디(CD) 보정량과 투과도 사이의 상관관계를 정의한 테이블(table)에 의해 이루어질 수 있다. 이와 같은 테이블은 실제 노광을 수행하면서 시디(CD) 편차 및 투과도를 각각 측정함으로써 만들어질 수 있다. 다음에 계산된 투과도에 대응되는 산화정도를 계산한다. 이 과정 또한 미리 만들어진 투과도와 산화정도 사이의 상관관계를 정의한 테이블에 의해 이루어질 수 있다.
다음에 도 10에 나타낸 바와 같이, 계산된 산화정도만큼 투과량 조절층(320) 의 일부분, 즉 불량 위상반전층패턴(351)에 인접하는 투광영역에 대해 선택적으로 산화처리를 수행한다. 산화처리에 의해 형성된 산화영역(322)에서의 광 투과도는 산화되지 않은 다른 영역에서의 광 투과도보다 증가된다. 산화처리는 차단막(390)을 이용한 산소이온주입방법을 사용하여 수행할 수 있다. 다른 예에서는 열산화방법을 사용하여 수행할 수도 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크를 나타내 보인 단면도이다.
도 2는 도 1의 포토마스크를 이용한 패터닝과정을 설명하기 위하여 나타내 보인 도면이다.
도 3 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.
도 6 내지 도 10은 본 발명의 다른 실시예에 따른 포토마스크의 제조방법을 설명하기 위하여 나타내 보인 단면도들이다.

Claims (13)

  1. 투광기판;
    상기 투광기판 위에 배치되어 투광영역을 한정하는 패턴들; 및
    상기 투광기판과 상기 패턴들 사이에 배치되되, 상기 패턴들 중 정상크기인 정상패턴들 사이의 제1 투광영역과 중첩되는 제1 영역에서의 광투과도보다 정상크기보다 크게 형성된 불량패턴과 인접하는 제2 투광영역에 중첩되는 제2 영역에서의 광투과도가 상대적으로 더 큰 투광량 조절층을 구비하는 포토마스크.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 투광량 조절층은 산화되는 정도에 따라 광의 투과도가 변하는 재질로 이루어진 포토마스크.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 투광량 조절층은 산화된 부분이 산화되지 않은 부분에 비하여 상대적으로 광의 투과도가 증가하는 재질로 이루어진 포토마스크.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 투광량 조절층을 이루는 재질은 코발트(Co), 실리콘(Si), 탄탈륨(Ta) 또는 몰리브데늄(Mo)인 포토마스크.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 투광량 조절층은 상기 제2 영역이 산화된 구조를 갖는 포토마스크.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 패턴들은 차광층패턴들 또는 위상반전층패턴들을 포함하는 포토마스크.
  7. 투광기판;
    상기 투광기판의 제1 표면 위에 배치되어 투광영역을 한정하는 패턴들; 및
    상기 제1 표면과 반대인 상기 투광기판의 제2 표면상에 배치되되, 상기 패턴들 중 정상크기인 정상패턴들 사이의 제1 투광영역과 중첩되는 제1 영역에서의 광투과도보다 정상크기보다 크게 형성된 불량패턴과 인접하는 제2 투광영역에 중첩되는 제2 영역에서의 광투과도가 상대적으로 더 큰 투광량 조절층을 구비하는 포토마스크.
  8. 투광기판 위에 산화정도에 따라 투과하는 광량이 조절되는 투광량 조절층을 형성하는 단계;
    상기 투광량 조절층 위에 투광영역을 한정하는 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 패턴들의 시디를 검사하여 정상보다 큰 크기의 불량패턴들의 시디 에러를 측정하는 단계;
    상기 측정된 시디 에러를 분석하여 상기 투광량 조절층의 산화정도를 계산하는 단계; 및
    상기 투광량 조절층 중 상기 불량패턴들과 인접한 투광영역에 중첩되는 부분을 선택적으로 상기 계산된 산화정도만큼 산화시키는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 투광량 조절층은 코발트(Co)막, 실리콘(Si)막, 탄탈륨(Ta)막 또는 몰리브데늄(Mo)막으로 형성하는 포토마스크의 제조방법.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 패턴들은 차광층패턴들 또는 위상반전층 패턴들로 형성하는 포토마스크의 제조방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 측정된 시디 에러를 분석하여 상기 투광량 조절층의 산화정도를 계산하는 단계는,
    상기 측정된 시디 에러를 기준값과 비교하여 시디 보정량을 계산하는 단계;
    상기 계산된 시디 보정량에 대응되는 투과도를 계산하는 단계; 및
    상기 계산된 투과도에 대응되는 산화정도를 계산하는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
  12. 제8항에 있어서,
    상기 투광량 조절층을 선택적으로 산화시키는 단계는 열산화방법 또는 산소이온주입방법을 사용하여 수행하는 포토마스크의 제조방법.
  13. 투광기판의 배면에 산화정도에 따라 투과하는 광량이 조절되는 투광량 조절층을 형성하는 단계;
    상기 투광기판의 전면에 투광영역을 한정하는 패턴들을 형성하는 단계;
    상기 패턴들의 시디를 검사하여 정상보다 큰 크기의 불량패턴들의 시디 에러를 측정하는 단계;
    상기 측정된 시디 에러를 분석하여 상기 투광량 조절층의 산화정도를 계산하는 단계; 및
    상기 투광량 조절층 중 상기 불량패턴들과 인접한 투광영역에 중첩되는 부분을 선택적으로 상기 계산된 산화정도만큼 산화시키는 단계를 포함하는 포토마스크의 제조방법.
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