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  1. ｎ型ＳｉＣ半導体基板層上のｎ型ＳｉＣ半導体材料の層上のｐ型ＳｉＣ半導体材料の層を選択的エッチングしてデバイスの中央部の下層のｎ型ＳｉＣ半導体材料を露出し、
    且つ
    前記のｐ型半導体材料の層および前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の層を選択的エッチングして前記デバイスの周辺部の下層のｎ型ＳｉＣ半導体基板層を露出し、
    これにより、前記ｎ型半導体材料の上面の周辺部上のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域によって囲まれた前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料の前記上面の中央部上に側壁および上面およびｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域を有する前記基板層上のｎ型ＳｉＣ半導体材料の突出領域を含むメサ構造を形成し、
    前記デバイスを熱酸化してｐ型ＳｉＣ半導体材料の未エッチング面上および前記のｎ型半導体材料の突出領域の前記側壁および前記の露出した半導体基板材料を含む前記デバイスのエッチング面上に酸化膜層を形成し、
    前記酸化膜層上に絶縁材料の１つあるいはそれ以上の層を形成してもよく、
    前記酸化膜層および前記離散ｐ型領域上および前記連続突出領域上のいずれかの絶縁材料の層を選択的エッチングして下層のｐ型ＳｉＣ半導体材料を露出し、
    前記酸化膜層および前記の露出したｎ型ＳｉＣ半導体材料上のいずれかの絶縁材料の層を選択的エッチングして前記デバイスの前記中央部の下層のｎ型ＳｉＣ半導体材料を露出し、
    前記離散ｐ型領域の露出したｐ型ＳｉＣ半導体材料上および前記のｐ型半導体材料の連続突出領域の露出したｐ型ＳｉＣ半導体材料上にオーミックコンタクトを形成し、
    前記オーミックコンタクト上および前記の露出したｎ型ＳｉＣ半導体材料上にショットキー金属を蒸着することを含む前記半導体デバイスの製造方法。
  2. 前記ショットキー金属上に金属層を形成することをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  3. 前記ｎ型半導体材料層の反対側の前記半導体基板層上にオーミックコンタクトを蒸着することをさらに含み、好ましくは、前記半導体基板層上の前記オーミックコンタクト上に金属層を形成することをさらに含む、請求項１又は２に記載の方法。
  4. 前記ｎ型ＳｉＣ基板層が＞１×１０１８ｃｍ−３のドーピング濃度を有する、請求項１ないし３のいずれか一項に記載の方法。
  5. 前記ｎ型ＳｉＣ基板層が５×１０１４〜１×１０１７ｃｍ−３のドーピング濃度を有する、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方法。
  6. 前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域がそれぞれ５×１０１４〜１×１０１７ｃｍ−３のドーピング濃度を有する、請求項１ないし５のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記ｎ型ＳｉＣ半導体層が０．７５μｍ〜１００μｍの厚さを有する、請求項１ないし６のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域がそれぞれ０．２〜５μｍの厚さを有する、請求項１ないし７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記オーミックコンタクトがニッケルを含む、請求項１ないし８のいずれか一項に記載の方法。
  10. 前記ｐ型ＳｉＣ半導体材料がアルミニウムでドーピングされる、請求項１ないし９のいずれか一項に記載の方法。
  11. 前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料が窒素でドーピングされる、請求項１ないし１０のいずれか一項に記載の方法。
  12. 請求項１又は３に記載の方法で製造される半導体デバイス。
  13. ｎ型ＳｉＣ半導体材料の離散突出領域が上面および側壁を有し且つｎ型ＳｉＣ半導体基板層が前記側壁を超えて拡張する、前記ｎ型ＳｉＣ半導体基板層上の前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の離散突出領域、
    前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料の前記上面の中央部上のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域、
    前記ｎ型ＳｉＣ半導体材料の前記上面の周辺部上にあって且つ前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の１つあるいはそれ以上の離散突出領域を取り囲むｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域であって、前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域が周辺部周縁を有する領域、
    前記のｐ型ＳｉＣの１つあるいはそれ以上の離散突出領域および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域上のオーミックコンタクト、
    前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の離散領域の前記周辺部を超えて拡張する前記の半導体基板層上および前記ｎ型領域の前記側壁上および前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域の前記周辺部周縁上の絶縁材料の１つあるいはそれ以上の層、および
    前記のｐ型ＳｉＣの１つあるいはそれ以上の離散突出領域上の前記オーミックコンタクト、前記のｐ型ＳｉＣ半導体材料の連続突出領域上の前記オーミックコンタクト、および前記のｎ型ＳｉＣ半導体材料の領域上にあって且つこれとコンタクトする第１の金属層を含む半導体デバイス。
  14. 前記ｎ型半導体材料の層の反対側の前記半導体基板層上にオーミックコンタクトをさらに含み、好ましくは、前記ｎ型半導体材料の層の反対側の前記半導体基板層上の前記オーミックコンタクトとコンタクトする第２の金属層をさらに含む、請求項１３に記載の半導体デバイス。
  15. 前記の絶縁材料の１つあるいはそれ以上の層が前記ＳｉＣ半導体基板層上の酸化膜層を含む、請求項１３に記載の半導体デバイス。
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Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7274083B1 (en) * 2006-05-02 2007-09-25 Semisouth Laboratories, Inc. Semiconductor device with surge current protection and method of making the same
US8193537B2 (en) 2006-06-19 2012-06-05 Ss Sc Ip, Llc Optically controlled silicon carbide and related wide-bandgap transistors and thyristors
US7821015B2 (en) 2006-06-19 2010-10-26 Semisouth Laboratories, Inc. Silicon carbide and related wide-bandgap transistors on semi insulating epitaxy
JP5261923B2 (ja) * 2006-10-17 2013-08-14 サンケン電気株式会社 化合物半導体素子
JP2009224603A (ja) * 2008-03-17 2009-10-01 Toyota Central R&D Labs Inc ダイオードの製造方法
JP5546759B2 (ja) * 2008-08-05 2014-07-09 トヨタ自動車株式会社 半導体装置及びその製造方法
JP5047133B2 (ja) * 2008-11-19 2012-10-10 昭和電工株式会社 半導体装置の製造方法
US8106487B2 (en) * 2008-12-23 2012-01-31 Pratt & Whitney Rocketdyne, Inc. Semiconductor device having an inorganic coating layer applied over a junction termination extension
KR101051578B1 (ko) * 2009-09-08 2011-07-22 삼성전기주식회사 반도체 소자 및 그 제조 방법
WO2011105434A1 (ja) * 2010-02-23 2011-09-01 富士電機ホールディングス株式会社 半導体装置
JP5106604B2 (ja) 2010-09-07 2012-12-26 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
US20120170163A1 (en) * 2010-12-31 2012-07-05 Adrian Mikolajczak Barrier diode for input power protection
KR101461886B1 (ko) * 2013-09-10 2014-11-13 현대자동차 주식회사 쇼트키 배리어 다이오드 및 그 제조 방법
JP2015149375A (ja) * 2014-02-06 2015-08-20 住友電気工業株式会社 ダイオード
JP2015177071A (ja) * 2014-03-14 2015-10-05 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
CN103904135B (zh) * 2014-04-18 2018-03-30 苏州捷芯威半导体有限公司 肖特基二极管及其制造方法
JP2017011060A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 住友電気工業株式会社 ショットキーバリアダイオード
US9960247B2 (en) * 2016-01-19 2018-05-01 Ruigang Li Schottky barrier structure for silicon carbide (SiC) power devices
ES2911200T3 (es) * 2016-12-15 2022-05-18 Univ Griffith Diodos de Schottky de carburo de silicio
EP3416184A1 (en) 2017-06-14 2018-12-19 ABB Schweiz AG High power semiconductor device with mesa termination structure and method for manufacturing the same
US10615292B2 (en) * 2018-03-27 2020-04-07 Hong Kong Applied Science And Technology Research Institute Co., Ltd. High voltage silicon carbide Schottky diode flip chip array
CN111081758B (zh) * 2019-11-21 2023-06-02 北京绿能芯创电子科技有限公司 降低导通电阻的SiC MPS结构及制备方法
WO2022209778A1 (ja) * 2021-03-29 2022-10-06 京セラ株式会社 半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法
CN114759080B (zh) * 2022-06-13 2022-09-09 深圳市时代速信科技有限公司 一种半导体器件及其制备方法
CN117174763B (zh) * 2023-11-03 2024-03-01 山东大学 碳化硅混合3C-SiC接触PN结肖特基二极管及制备方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5949713B2 (ja) * 1979-12-25 1984-12-04 日本電信電話株式会社 シヨツトキバリヤダイオ−ド
US4982260A (en) 1989-10-02 1991-01-01 General Electric Company Power rectifier with trenches
JPH04233281A (ja) * 1990-12-28 1992-08-21 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置
US5449925A (en) 1994-05-04 1995-09-12 North Carolina State University Voltage breakdown resistant monocrystalline silicon carbide semiconductor devices
JPH0897411A (ja) * 1994-09-21 1996-04-12 Fuji Electric Co Ltd 横型高耐圧トレンチｍｏｓｆｅｔおよびその製造方法
SE9700141D0 (sv) 1997-01-20 1997-01-20 Abb Research Ltd A schottky diode of SiC and a method for production thereof
JP3287269B2 (ja) * 1997-06-02 2002-06-04 富士電機株式会社 ダイオードとその製造方法
FR2803103B1 (fr) * 1999-12-24 2003-08-29 St Microelectronics Sa Diode schottky sur substrat de carbure de silicium
DE10004983C1 (de) * 2000-02-04 2001-09-13 Infineon Technologies Ag Schutzanordnung für Schottky-Diode
US6686616B1 (en) * 2000-05-10 2004-02-03 Cree, Inc. Silicon carbide metal-semiconductor field effect transistors
FR2816113A1 (fr) 2000-10-31 2002-05-03 St Microelectronics Sa Procede de realisation d'une zone dopee dans du carbure de silicium et application a une diode schottky
US6573128B1 (en) 2000-11-28 2003-06-03 Cree, Inc. Epitaxial edge termination for silicon carbide Schottky devices and methods of fabricating silicon carbide devices incorporating same
JP4872158B2 (ja) * 2001-03-05 2012-02-08 住友電気工業株式会社 ショットキーダイオード、ｐｎ接合ダイオード、ｐｉｎ接合ダイオード、および製造方法
US6844251B2 (en) * 2001-03-23 2005-01-18 Krishna Shenai Method of forming a semiconductor device with a junction termination layer
US6524900B2 (en) 2001-07-25 2003-02-25 Abb Research, Ltd Method concerning a junction barrier Schottky diode, such a diode and use thereof
US6693308B2 (en) * 2002-02-22 2004-02-17 Semisouth Laboratories, Llc Power SiC devices having raised guard rings
US6815304B2 (en) * 2002-02-22 2004-11-09 Semisouth Laboratories, Llc Silicon carbide bipolar junction transistor with overgrown base region
US7095050B2 (en) * 2002-02-28 2006-08-22 Midwest Research Institute Voltage-matched, monolithic, multi-band-gap devices
US6683334B2 (en) * 2002-03-12 2004-01-27 Microsemi Corporation Compound semiconductor protection device for low voltage and high speed data lines
DE10259373B4 (de) 2002-12-18 2012-03-22 Infineon Technologies Ag Überstromfeste Schottkydiode mit niedrigem Sperrstrom
US6955932B2 (en) * 2003-10-29 2005-10-18 International Business Machines Corporation Single and double-gate pseudo-FET devices for semiconductor materials evaluation
CN100524790C (zh) * 2004-02-02 2009-08-05 三垦电气株式会社 半导体发光元件与保护元件的复合半导体装置
US7470967B2 (en) * 2004-03-12 2008-12-30 Semisouth Laboratories, Inc. Self-aligned silicon carbide semiconductor devices and methods of making the same
CA2576960A1 (en) * 2004-07-08 2007-01-04 Semisouth Laboratories, Inc. Monolithic vertical junction field effect transistor and schottky barrier diode fabricated from silicon carbide and method for fabricating the same
US7202528B2 (en) * 2004-12-01 2007-04-10 Semisouth Laboratories, Inc. Normally-off integrated JFET power switches in wide bandgap semiconductors and methods of making
US7199442B2 (en) * 2004-07-15 2007-04-03 Fairchild Semiconductor Corporation Schottky diode structure to reduce capacitance and switching losses and method of making same
JP3914226B2 (ja) * 2004-09-29 2007-05-16 株式会社東芝 高耐圧半導体装置
US7119380B2 (en) * 2004-12-01 2006-10-10 Semisouth Laboratories, Inc. Lateral trench field-effect transistors in wide bandgap semiconductor materials, methods of making, and integrated circuits incorporating the transistors
EP2750194A1 (en) * 2005-06-22 2014-07-02 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting device comprising a plurality of light emitting diode cells
US7998761B2 (en) * 2006-01-09 2011-08-16 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same
US9455356B2 (en) * 2006-02-28 2016-09-27 Cree, Inc. High power silicon carbide (SiC) PiN diodes having low forward voltage drops
US8269262B2 (en) * 2006-05-02 2012-09-18 Ss Sc Ip Llc Vertical junction field effect transistor with mesa termination and method of making the same
US7274083B1 (en) * 2006-05-02 2007-09-25 Semisouth Laboratories, Inc. Semiconductor device with surge current protection and method of making the same
JP2007305708A (ja) * 2006-05-10 2007-11-22 Rohm Co Ltd 半導体発光素子アレイおよびこれを用いた照明用器具

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