JP2009515346A - ドープされた有機半導体材料およびこれを備える有機発光ダイオード - Google Patents
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Abstract
Description
a)有機ラジカルから構成される電子輸送層を用いる手法(米国特許第5,811,833号明細書)、b)分子のpi軌道の最適な重なりを許容する高級有機層を製造する手法。
a)荷電粒子が捕捉されることを妨げるため、上記材料を清掃および綿密に処理する手法、
b)以下のaa)、bb)、cc)またはdd)の手法によって、荷電粒子の移動密度を増加させる手法
aa)無機材料による手法(アルカリ金属:J. Kido et al., 米国特許第6,013,384明細書;J. Kido et al., Appl. Phys. Lett. 73, 2866 (1998), ヨウ素などの酸化物、SbCl5など)
bb)有機材料による手法(TNCQ:M. Maitrot et al., J. Appl. Phys., 60 (7), 2396-2400 (1986), F4TCNQ: M.Pfeiffer et al., Appl. Phys. Lett., 73 (22), 3202 (1998), BEDT-TTF: A.Nollau et al., J. Appl. Phys., 87 (9), 4340 (2000), naphthalene dicarboxylic acid amide: M.Thomson et al., 国際公開第03/088271号パンフレット, cationic dyes: A.G.Werner, Appl. Phys. Lett. 82, 4495 (2003))
cc)有機金属化合物による手法(メタロセン: M.Thomson et al., 国際公開第03/088271号パンフレット)
dd)金属錯体による手法(Ru0(terpy)3): K.Harada et al., Phys. Rev. Lett. 94, 036601 (2005)。
al., Appl. Phys. Lett., 78 (4), 410 (2001))。また、同様の成功が、セシウムまたはリチウムを電子輸送層にドープすることによって達成されている(J.Kido et al., Appl. Phys. Lett., 73 (20), 2866 (1998); J. S.Huang et al., Appl. Phys. Lett., 80, 139 (2002))。
これにより、マトリックスは減少する。n‐ドーパントからマトリックスへ電子が移動されるので、電子輸送層の荷電粒子密度は増加する。
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であり、
R1、R2、R4、R5、R7およびR8は、全てが同時にハロゲンではなく、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORxおよび‐SO2Rxからなる群から独立して選択され、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であり、
置換基R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、全てが同時にハロゲンではなく、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORxおよび‐SO2Rxからなる群から独立して選択され、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であり、
上記XはB、C、Si、Ge、Sn、N、O、SおよびPからなる群から選ばれる中心元素であって、上記nは1から上記選ばれた中心元素の最大の原子価までの整数であり、
または、上記Xは中心構成単位であって、通常のシクロアルカン、架橋を有するシクロアルカン、芳香族系構造、ヘテロ芳香族構造、または、スピロ結合を有する多環式構造であって、上記nは1からフェナントロリン単位の最大数までの整数であり、
置換基R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、全てが同時にハロゲンではなく、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORxおよび‐SO2Rxからなる群から互いに独立して選択され、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基である。
上記構造IVにおいて:構成要素a〜構成要素fは、構成要素aが‐CR9R10‐、構成要素bが‐CR11R12‐、構成要素cが‐CR13R14‐、構成要素dが‐CR15R16‐、構成要素eが‐CR17R18‐、構成要素fが‐CR19R20‐であり、
上記R9〜R20はそれぞれ互いに独立して、水素、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、‐NRRもしくは‐ORであり、
上記Rは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
好ましくは、R9、R11、R13、R15、R17、R19は水素であり、R10、R12、R14、R16、R18、R20は、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、‐NRRもしくは‐ORであってもよく、
または、構成要素cおよび/またはdに関し、炭素がケイ素に置換されていてもよく、
または、構成要素a、構成要素b、構成要素eもしくは構成要素fがNRであり、上記RがC1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であってもよく、
または、構成要素aおよび構成要素f、もしくは、構成要素bおよび構成要素eがNRであり、上記RがC1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基であってもよく、
構成要素a‐c、構成要素b‐d、構成要素c‐eおよび構成要素d‐fの各結合において、構成要素a‐cおよび構成要素c‐eの結合が同時に不飽和ではなく、かつ、構成要素b‐dおよび構成要素d‐fの結合が同時に不飽和でなくともよく、
構成要素a‐c、構成要素b‐d、構成要素c‐eおよび構成要素d‐fの各結合は、飽和または不飽和の環構造の一部であってよく、
上記環構造はヘテロ原子であるO、S、Se、N、P、Se、Ge、Snを含んでいてもよく、
または、構成要素a‐c、構成要素b‐d、構成要素c‐eおよび構成要素d‐fの各結合は、ヘテロ原子であるO、S、Si、Nを含んでいてもよい芳香族または芳香族が縮合した環構造の一部であってもよく、
上記原子Eは、C、N、P、AsおよびSbからなる群から選ばれる中心元素であり、
構成要素a‐E‐bは、ヘテロ原子であるO、S、Se、N、P、Si、Ge、Snを含んでいてもよい飽和または不飽和環構造の一部であってよく、
または、構成要素a‐E‐bは、ヘテロ原子であるO、S、Se、Nを含む芳香族環構造の一部であってよい。
以下の表2に示される、選択されたフェナントロリン誘導体は、W2(hpp)4(構造IVa)にてドープされたマトリックス材料として用いられており、その伝導率を測定した。結果を表2にまとめる。
インジウムスズ酸化物を備えたガラス基板を製造した。さらに、構造IVaのドーパントが添加されたIeの層(表2)を上記ガラス基板上に形成した。ドーパントである構造IVaのドープ濃度は4mol%である。上記層の伝導率は室温にて2×10−6S/cmであった。上記サンプルには温度サイクルの処理がなされる。温度サイクルは個々の工程にて構成されている。それぞれの工程において、上記サンプルはターゲット温度にまで加熱され、20分間上記ターゲット温度が保たれる。その後室温にまで冷却される。
比較例2は実施例2の製造方法と同様の方法に行なわれるが、マトリックス材料のIeの代わりに、BPhenが用いられる。得られた層の伝導率は4×10−7S/cmである。図2から理解できるように、このような半導体材料は、70℃までの領域においてのみ安定して伝導率が上昇した。図1および図2を比較すると、構造IVa:BPhenにて構成された半導体材料の伝導率は有機発光ダイオードとして用いるには低すぎることがわかる。マトリックス材料としてIeを用いると、第5の要素によって伝導率が増加し、温度安定性が70℃増加する。
インジウムスズ酸化物を備えたガラス基板を製造した。このスピロ-TTB層は、p-ドーパントである2-(6-ジシアノメチレン-1,3,4,5,7,8-ヘキサフルオロ-6H-ナフタレン-2-イリデン)マロン酸ニロリル(50nm,4mol%)、2,2’,7,7’-テトラキス(N,N’-ジフェニルアミノ)-9,9’-スピロビフルオレン、エミッタードーパントであるインジウム(III)ビス(2-メチルジベンゾ[f,h]キノキサリン)-(アセチルアセトナート)にてドープされたN,N’-ジ(ナフタレン-2-イル)-N,N’-ジフェニルベンジジン(20nm,10質量%)、Id(10nm)、構造IVa(60nm、4mol%)/AlにてドープされたId(100nm)が順次積層されている。この有機発光体ダイオードは、橙赤色の光を放出するよう上記のように製造される。
実施例3に従いOLEDを製造したが、Idの代わりにBPhenを用いて行った。図3の塗り潰されていない符号によって、連続作業の間における上記OLEDの輝度の減少が示されている。1時間以内に輝度は4800cd/m2から1000cd/m2以下に減少している。この事実は、同程度の初期輝度が比較例3および実施例3に係るOLEDから選択される輝度によって、2つの例に係る構造の安定性を直接比較することが可能であることを示している。それゆえ、マトリックス材料としてIdを用いたOLEDは、BPhenをドープしたOLEDよりも高い安定性を有している。
Claims (13)
- 少なくとも1種類の有機マトリックス材料によって構成された、ドープされた有機半導体材料において、
上記有機マトリックス材料は少なくとも1種類のドーパントを含んでおり、以下の構造I、構造IIおよび構造IIIにて示される複数のフェナントロリン誘導体からなる群から選ばれ、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であり、
R1、R2、R4、R5、R7およびR8は、全てが同時にハロゲンではなく、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORxおよび‐SO2Rxからなる群から独立して選択され、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であり、
置換基R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、全てが同時にハロゲンではなく、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORxおよび‐SO2Rxからなる群から独立して選択され、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であり、
上記XはB、C、Si、Ge、Sn、N、O、SおよびPからなる群から選ばれる中心元素であって、上記nは1から上記選ばれた中心元素の最大の原子価までの整数であり、
または、上記Xは中心構成単位であって、通常のシクロアルカン、架橋を有するシクロアルカン、芳香族系構造、ヘテロ芳香族構造、または、スピロ結合を有する多環式構造であって、上記nは1からフェナントロリン単位の最大数までの整数であり、
置換基R2、R3、R4、R5、R6、R7およびR8は、全てが同時にハロゲンではなく、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORxおよび‐SO2Rxからなる群から互いに独立して選択され、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、オリゴアリール基、オリゴへテロアリール基またはオリゴアリールへテロアリール基であって、
環結合に用いられていない、全てのsp2‐混成している炭素原子は、H、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、‐ORxで示されるアルキルオキシ基、‐NRxRyで示されるジアルキルアミノ基、‐SRxで示されるアルキルチオ基、‐NO2、‐CHO、‐COORx、‐F、‐Cl、‐Br、‐I、‐CN、‐NC、‐SCN、‐OCN、−SORx、‐SO2Rxまたはこれらの組み合わせによって互いに独立して置換されており、
上記RxおよびRyは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のアルケニル基またはC1‐C20のアルキニル基であることを特徴とするドープされた有機半導体材料。 - 上記有機マトリックス材料が可逆的に還元可能であることを特徴とする請求項1に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記有機マトリックス材料が還元される際に安定化し、酸化還元に対し不活性であることを特徴とする請求項1に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記ドーパントが金属錯体であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記金属錯体は、以下の構造IVで示され、
上記構造IVにおいて:構成要素a〜構成要素fは、構成要素aが‐CR9R10‐、構成要素bが‐CR11R12‐、構成要素cが‐CR13R14‐、構成要素dが‐CR15R16‐、構成要素eが‐CR17R18‐、構成要素fが‐CR19R20‐であり、
上記R9〜R20はそれぞれ互いに独立して、水素、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、‐NRRもしくは‐ORであり、
上記Rは、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であり、
好ましくは、R9、R11、R13、R15、R17、R19は水素であり、R10、R12、R14、R16、R18、R20は、C1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基、‐NRRもしくは‐ORであってもよく、
または、構成要素cおよび/またはdに関し、炭素がケイ素に置換されていてもよく、
または、構成要素a、構成要素b、構成要素eもしくは構成要素fがNRであり、上記RがC1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基もしくはヘテロアリール基であってもよく、
または、構成要素aおよび構成要素f、もしくは、構成要素bおよび構成要素eがNRであり、上記RがC1‐C20のアルキル基、C1‐C20のシクロアルキル基、C1‐C20のアルケニル基、C1‐C20のアルキニル基、アリール基、ヘテロアリール基であってもよく、
構成要素a‐c、構成要素b‐d、構成要素c‐eおよび構成要素d‐fの各結合において、構成要素a‐cおよび構成要素c‐eの結合が同時に不飽和ではなく、かつ、構成要素b‐dおよび構成要素d‐fの結合が同時に不飽和でなくともよく、
構成要素a‐c、構成要素b‐d、構成要素c‐eおよび構成要素d‐fの各結合は、飽和または不飽和の環構造の一部であってよく、
上記環構造はヘテロ原子であるO、S、Se、N、P、Se、Ge、Snを含んでいてもよく、
または、構成要素a‐c、構成要素b‐d、構成要素c‐eおよび構成要素d‐fの各結合は、ヘテロ原子であるO、S、Si、Nを含んでいてもよい芳香族または芳香族が縮合した環構造の一部であってもよく、
上記原子Eは、C、N、P、AsおよびSbからなる群から選ばれる中心元素であり、
構成要素a‐E‐bは、ヘテロ原子であるO、S、Se、N、P、Si、Ge、Snを含んでいてもよい飽和または不飽和環構造の一部であってよく、
または、構成要素a‐E‐bは、ヘテロ原子であるO、S、Se、Nを含む芳香族環構造の一部であってよいことを特徴とする請求項4に記載のドープされた有機半導体材料。 - 上記ドーパントが、アルカリ金属、および/または、アルカリ土類金属であり、好ましくはセシウムであることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記有機マトリックス材料は、上記ドーパントのイオン化電位(HOMO)から0〜0.5V、好ましくは0〜0.3V、特に好ましくは0〜0.15Vの差を有する最低空軌道(LUMO)であるエネルギー準位を有することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記有機マトリックス材料が、上記ドーパントのイオン化電位(HOMO)よりも低いLUMOのエネルギー準位を有することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記ドーパントの濃度が0.5〜25質量%、好ましくは1〜10質量%、特に好ましくは2.5〜5質量%であることを特徴とする請求項1〜9の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記有機マトリックス材料のガラス転位温度Tgが、4,7‐ジフェニル‐1,10‐フェナントロリンのガラス転位温度よりも高いことを特徴とする請求項1〜10の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 上記有機マトリックス材料の蒸発温度が少なくとも200℃であることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料。
- 請求項1〜12の何れか1項に記載のドープされた有機半導体材料を備えることを特徴とする有機発光ダイオード。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
EP05024515A EP1786050B1 (de) | 2005-11-10 | 2005-11-10 | Dotiertes organisches Halbleitermaterial |
PCT/EP2006/010816 WO2007054345A1 (de) | 2005-11-10 | 2006-11-10 | Dotiertes organisches halbleitermaterial |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009515346A true JP2009515346A (ja) | 2009-04-09 |
JP2009515346A5 JP2009515346A5 (ja) | 2012-06-21 |
Family
ID=36096482
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008539353A Pending JP2009515346A (ja) | 2005-11-10 | 2006-11-10 | ドープされた有機半導体材料およびこれを備える有機発光ダイオード |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7972541B2 (ja) |
EP (1) | EP1786050B1 (ja) |
JP (1) | JP2009515346A (ja) |
KR (1) | KR20080075137A (ja) |
CN (1) | CN101356663B (ja) |
DE (1) | DE502005009802D1 (ja) |
TW (2) | TWI378932B (ja) |
WO (1) | WO2007054345A1 (ja) |
Families Citing this family (97)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7919010B2 (en) * | 2005-12-22 | 2011-04-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
WO2007095061A2 (en) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Qd Vision, Inc. | Device including semiconductor nanocrystals and a layer including a doped organic material and methods |
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DE502006000749D1 (de) * | 2006-03-21 | 2008-06-19 | Novaled Ag | Heterocyclisches Radikal oder Diradikal, deren Dimere, Oligomere, Polymere, Dispiroverbindungen und Polycyclen, deren Verwendung, organisches halbleitendes Material sowie elektronisches Bauelement |
DE102007012794B3 (de) * | 2007-03-16 | 2008-06-19 | Novaled Ag | Pyrido[3,2-h]chinazoline und/oder deren 5,6-Dihydroderivate, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial |
DE102007018456B4 (de) * | 2007-04-19 | 2022-02-24 | Novaled Gmbh | Verwendung von Hauptgruppenelementhalogeniden und/oder -pseudohalogeniden, organisches halbleitendes Matrixmaterial, elektronische und optoelektronische Bauelemente |
EP1988587B1 (de) | 2007-04-30 | 2016-12-07 | Novaled GmbH | Oxokohlenstoff-, Pseudooxokohlenstoff- und Radialenverbindungen sowie deren Verwendung |
EP1990847B1 (de) * | 2007-05-10 | 2018-06-20 | Novaled GmbH | Verwendung von chinoiden Bisimidazolen und deren Derivaten als Dotand zur Dotierung eines organischen halbleitenden Matrixmaterials |
DE102007028238A1 (de) * | 2007-06-20 | 2008-12-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verwendung eines Metallkomplexes als p-Dotand für ein organisches halbleitendes Matrixmaterial, organisches Halbleitermaterial und organische Leuchtdiode |
DE102007031220B4 (de) * | 2007-07-04 | 2022-04-28 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
JP5635775B2 (ja) * | 2007-11-19 | 2014-12-03 | 出光興産株式会社 | モノベンゾクリセン誘導体、及びそれを含む有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、並びにそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 |
EP2072517B1 (de) * | 2007-12-21 | 2015-01-21 | Novaled GmbH | Asymmetrische Phenanthroline, deren Herstellungsverfahren und diese enthaltendes dotiertes organisches Halbleitermaterial |
DE102008024517A1 (de) | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierender Körper und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Körpers |
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EP2161272A1 (en) | 2008-09-05 | 2010-03-10 | Basf Se | Phenanthrolines |
DE102008056391B4 (de) | 2008-09-26 | 2021-04-01 | Osram Oled Gmbh | Organisches elektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
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EP2361009A4 (en) | 2008-12-22 | 2012-12-05 | Du Pont | ELECTRONIC DEVICE WITH A PHENANTHROLINE DERIVATIVE |
US8278651B2 (en) | 2008-12-22 | 2012-10-02 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electronic device including 1,7-phenanthroline derivative |
US8759818B2 (en) | 2009-02-27 | 2014-06-24 | E I Du Pont De Nemours And Company | Deuterated compounds for electronic applications |
TW201121117A (en) * | 2009-08-24 | 2011-06-16 | Du Pont | Organic light-emitting diode luminaires |
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TW201132737A (en) * | 2009-08-24 | 2011-10-01 | Du Pont | Organic light-emitting diode luminaires |
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US8617720B2 (en) | 2009-12-21 | 2013-12-31 | E I Du Pont De Nemours And Company | Electroactive composition and electronic device made with the composition |
EP2524913B1 (en) | 2010-01-15 | 2017-07-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Nitrogenated heterocyclic ring derivative and organic electroluminescent element comprising same |
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EP2381502B1 (en) | 2010-04-23 | 2013-08-14 | Novaled AG | Organic semiconducting layer |
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CN105051927B (zh) | 2013-03-20 | 2020-10-16 | Udc 爱尔兰有限责任公司 | 在oled中用作效率促进剂的氮杂苯并咪唑卡宾配体 |
JP6285538B2 (ja) | 2013-04-29 | 2018-02-28 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | カルベン配位子を有する遷移金属錯体及びそれらをoledに用いる使用 |
JP6506272B2 (ja) | 2013-07-02 | 2019-04-24 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 有機発光ダイオードにおいて使用するための一置換されたジアザベンゾイミダゾールカルベン金属錯体 |
JP6486353B2 (ja) | 2013-07-31 | 2019-03-20 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 発光性ジアザベンゾイミダゾールカルベン金属錯体 |
WO2015063046A1 (en) | 2013-10-31 | 2015-05-07 | Basf Se | Azadibenzothiophenes for electronic applications |
KR20160100961A (ko) | 2013-12-20 | 2016-08-24 | 바스프 에스이 | 매우 짧은 감쇠 시간을 갖는 고효율 oled 장치 |
US9862739B2 (en) | 2014-03-31 | 2018-01-09 | Udc Ireland Limited | Metal complexes, comprising carbene ligands having an O-substituted non-cyclometalated aryl group and their use in organic light emitting diodes |
KR102313854B1 (ko) | 2014-04-04 | 2021-10-20 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 고효율의 형광 유기 발광 소자 |
EP2963696A1 (en) | 2014-07-04 | 2016-01-06 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode (OLED) including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds |
EP3174885B1 (en) | 2014-07-28 | 2019-10-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 2,9-functionalized benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles as hosts for organic light emitting diodes (oleds) |
EP2982676B1 (en) | 2014-08-07 | 2018-04-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzimidazo[2,1-B]benzoxazoles for electronic applications |
EP3186264B1 (en) | 2014-08-08 | 2018-11-28 | UDC Ireland Limited | Electroluminescent imidazo-quinoxaline carbene metal complexes |
EP2993215B1 (en) | 2014-09-04 | 2019-06-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Azabenzimidazo[2,1-a]benzimidazoles for electronic applications |
EP2999019B1 (en) * | 2014-09-19 | 2019-06-12 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds and elemental metal |
CN106687561A (zh) | 2014-09-26 | 2017-05-17 | Udc爱尔兰有限责任公司 | 具有高效率的荧光有机发光元件 |
EP3002796A1 (en) | 2014-10-01 | 2016-04-06 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode including an electron transport layer comprising a three component blend of a matrix compound and two lithium compounds |
EP3015469B1 (en) | 2014-10-30 | 2018-12-19 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 5-(benzimidazol-2-yl)benzimidazo[1,2-a]benzimidazoles for electronic applications |
WO2016079667A1 (en) | 2014-11-17 | 2016-05-26 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Indole derivatives for electronic applications |
WO2016079169A1 (en) | 2014-11-18 | 2016-05-26 | Basf Se | Pt- or pd-carbene complexes for use in organic light emitting diodes |
EP3034506A1 (en) | 2014-12-15 | 2016-06-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | 4-functionalized carbazole derivatives for electronic applications |
EP3034507A1 (en) | 2014-12-15 | 2016-06-22 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | 1-functionalized dibenzofurans and dibenzothiophenes for organic light emitting diodes (OLEDs) |
EP3035400B1 (en) | 2014-12-17 | 2019-10-23 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode comprising electron transport layers with different matrix compounds |
EP3054498B1 (en) | 2015-02-06 | 2017-09-20 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Bisimidazodiazocines |
EP3053918B1 (en) | 2015-02-06 | 2018-04-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | 2-carbazole substituted benzimidazoles for electronic applications |
EP3093288A1 (en) | 2015-05-12 | 2016-11-16 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode comprising different matrix compounds in the first and second electron transport layer |
EP3061759B1 (en) | 2015-02-24 | 2019-12-25 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Nitrile substituted dibenzofurans |
EP3070144B1 (en) | 2015-03-17 | 2018-02-28 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Seven-membered ring compounds |
EP3072943B1 (en) | 2015-03-26 | 2018-05-02 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Dibenzofuran/carbazole-substituted benzonitriles |
EP3075737B1 (en) | 2015-03-31 | 2019-12-04 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying aryl- or heteroarylnitril groups for organic light emitting diodes |
JP6662913B2 (ja) | 2015-06-03 | 2020-03-11 | ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド | 減衰時間がきわめて短く高度に効率的なoledデバイス |
EP4084108A1 (en) | 2015-08-18 | 2022-11-02 | Novaled GmbH | Metal amides for use as hil for an organic light-emitting diode (oled) |
EP3133664A1 (en) | 2015-08-18 | 2017-02-22 | Novaled GmbH | Triaryl amine thick layer doped with metal amides for use as hole injection layer for an organic light-emitting diode (oled) |
EP3147961A1 (en) | 2015-09-28 | 2017-03-29 | Novaled GmbH | Organic electroluminescent device |
EP3147958B1 (en) | 2015-09-28 | 2019-10-23 | Novaled GmbH | Organic electroluminescent devices comprising borane compounds |
US20180291028A1 (en) | 2015-10-01 | 2018-10-11 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes |
EP3150606B1 (en) | 2015-10-01 | 2019-08-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazoles carrying benzofurane or benzothiophene groups for organic light emitting diodes |
WO2017056055A1 (en) | 2015-10-01 | 2017-04-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying triazine groups for organic light emitting diodes |
EP3150604B1 (en) | 2015-10-01 | 2021-07-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole carrying benzimidazolo[1,2-a]benzimidazolylyl groups, carbazolyl groups, benzofurane groups or benzothiophene groups for organic light emitting diodes |
US20180319813A1 (en) | 2015-11-04 | 2018-11-08 | Idemitsu Kosan Co., Ltd | Benzimidazole fused heteroaryls |
EP3171418A1 (en) | 2015-11-23 | 2017-05-24 | Novaled GmbH | Organic semiconductive layer comprising phosphine oxide compounds |
US11174258B2 (en) | 2015-12-04 | 2021-11-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Benzimidazolo[1,2-a]benzimidazole derivatives for organic light emitting diodes |
EP3182478B1 (en) | 2015-12-18 | 2018-11-28 | Novaled GmbH | Electron injection layer for an organic light-emitting diode (oled) |
WO2017109722A1 (en) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Nitrogen-containing heterocyclic compounds and organic electroluminescence devices containing them |
KR20170074170A (ko) | 2015-12-21 | 2017-06-29 | 유디씨 아일랜드 리미티드 | 삼각형 리간드를 갖는 전이 금속 착체 및 oled에서의 이의 용도 |
US10968229B2 (en) | 2016-04-12 | 2021-04-06 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Seven-membered ring compounds |
EP3252841A1 (en) | 2016-05-30 | 2017-12-06 | Novaled GmbH | Organic light emitting diode comprising an organic semiconductor layer |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A601 | Written request for extension of time |
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|
A602 | Written permission of extension of time |
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|
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|
A02 | Decision of refusal |
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