JPH04338760A - 電子写真感光体 - Google Patents
電子写真感光体Info
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- JPH04338760A JPH04338760A JP11036991A JP11036991A JPH04338760A JP H04338760 A JPH04338760 A JP H04338760A JP 11036991 A JP11036991 A JP 11036991A JP 11036991 A JP11036991 A JP 11036991A JP H04338760 A JPH04338760 A JP H04338760A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、静電潜像を形成させる
ための電子写真感光体に関する。更に詳述すると、電子
輸送能を有する化合物を含有する層を有する電子写真感
光体に関する。
ための電子写真感光体に関する。更に詳述すると、電子
輸送能を有する化合物を含有する層を有する電子写真感
光体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、有機光導電体を用いた電子写真感
光体は、無公害、高生産性、低コスト等の利点があるた
め種々研究されてきており、実際に、中低速用複写機の
感光体として実用に供されている。これら電子写真感光
体には、積層タイプと単層タイプのものがあるが、有機
光導電体を用いた感光体は一般に光照射により電荷を発
生する電荷発生層と、生じた電荷を輸送する電荷輸送層
からなる積層構造を採っている。この場合、電荷輸送層
に用いられる電荷輸送物質としてはポリ−N−ビニルカ
ルバゾールのような高分子材料や、ピラゾリン、ヒドラ
ゾン、トリフェニルアミン誘導体のような低分子化合物
が用いられている。
光体は、無公害、高生産性、低コスト等の利点があるた
め種々研究されてきており、実際に、中低速用複写機の
感光体として実用に供されている。これら電子写真感光
体には、積層タイプと単層タイプのものがあるが、有機
光導電体を用いた感光体は一般に光照射により電荷を発
生する電荷発生層と、生じた電荷を輸送する電荷輸送層
からなる積層構造を採っている。この場合、電荷輸送層
に用いられる電荷輸送物質としてはポリ−N−ビニルカ
ルバゾールのような高分子材料や、ピラゾリン、ヒドラ
ゾン、トリフェニルアミン誘導体のような低分子化合物
が用いられている。
【0003】しかしながら、これらの電荷輸送物質はい
ずれも正孔輸送能を有するため、感光体の表面を負に帯
電させる現像方式が採られているのがほとんどである。 このため、従来高速機で用いられてきたトナーが利用で
きず、高画質のものが少ないのが現状である。さらにこ
のように感光体表面を負に帯電させる場合、帯電時に空
気中の酸素との反応によりオゾンが発生し環境を害する
ばかりか感光体表面を劣化させるという問題がある。
ずれも正孔輸送能を有するため、感光体の表面を負に帯
電させる現像方式が採られているのがほとんどである。 このため、従来高速機で用いられてきたトナーが利用で
きず、高画質のものが少ないのが現状である。さらにこ
のように感光体表面を負に帯電させる場合、帯電時に空
気中の酸素との反応によりオゾンが発生し環境を害する
ばかりか感光体表面を劣化させるという問題がある。
【0004】また、一方では積層感光体の感光層の層構
成を逆にして、電荷輸送層を下側に、電荷発生層を上側
に設けた正帯電用積層感光体が開発されているが、帯電
電位が低く、耐刷性が劣っているため、電荷発生層の上
にさらに保護層を設けるといった構造になっている。
成を逆にして、電荷輸送層を下側に、電荷発生層を上側
に設けた正帯電用積層感光体が開発されているが、帯電
電位が低く、耐刷性が劣っているため、電荷発生層の上
にさらに保護層を設けるといった構造になっている。
【0005】上記のような問題を解決するためには、電
子輸送能を有する電荷輸送物質を電荷輸送層に用い、さ
らに感光体表面を正に帯電するようにした感光体を構成
すればよい。このような電子輸送性素材としては2,4
,7−トリニトロ−9−フルオレノンが知られている。 しかし、この物質はすべての電子写真感光体に有用なの
ではなく、さらに発癌性を有することからその使用が中
止されている。また、そのほかに有用な素材が少ないの
が現状である。
子輸送能を有する電荷輸送物質を電荷輸送層に用い、さ
らに感光体表面を正に帯電するようにした感光体を構成
すればよい。このような電子輸送性素材としては2,4
,7−トリニトロ−9−フルオレノンが知られている。 しかし、この物質はすべての電子写真感光体に有用なの
ではなく、さらに発癌性を有することからその使用が中
止されている。また、そのほかに有用な素材が少ないの
が現状である。
【0006】
【発明の目的】本発明は、上記のような問題点に鑑み、
本発明の目的は、電子輸送能を有する電荷輸送物質を用
いた電子写真感光体を提供することにある。
本発明の目的は、電子輸送能を有する電荷輸送物質を用
いた電子写真感光体を提供することにある。
【0007】本発明の他の目的は、優れた電子写真性能
を有する正帯電用積層型電子写真感光体を提供すること
にある。
を有する正帯電用積層型電子写真感光体を提供すること
にある。
【0008】
【発明の構成】本発明者らは研究の結果、本発明の目的
は下記のいづれの電子写真感光体によっても達成される
ことを見出した。即ち、導電性支持体上に感光層を設け
た電子写真感光体において、前記感光層に、電荷輸送物
質として下記一般式(A)〜(D)で示されるいづれか
の化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
は下記のいづれの電子写真感光体によっても達成される
ことを見出した。即ち、導電性支持体上に感光層を設け
た電子写真感光体において、前記感光層に、電荷輸送物
質として下記一般式(A)〜(D)で示されるいづれか
の化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。
【0009】
【化5】
【0010】前記一般式(A)において、X,Yは=O
,=C(Z)(W),=N(CN)であり、更にZ,W
は水素原子、ハロゲン原子又は−CN基、R3置換フェ
ニル基(R3はアルキル、アシル、エステル、メトキシ
、CF3、CN、ニトロの各基又は水素原子)、−CO
OR4(R4はアルキル基)である。
,=C(Z)(W),=N(CN)であり、更にZ,W
は水素原子、ハロゲン原子又は−CN基、R3置換フェ
ニル基(R3はアルキル、アシル、エステル、メトキシ
、CF3、CN、ニトロの各基又は水素原子)、−CO
OR4(R4はアルキル基)である。
【0011】Qは=C(R5)(R6)C=(R5,R
6は水素、ハロゲン原子又はアルキル、シアノ、置換さ
れてもよいフェニルの各基)、キノジメタン形環、2ケ
所に環外に向う二重結合手を有する複素環を表す。
6は水素、ハロゲン原子又はアルキル、シアノ、置換さ
れてもよいフェニルの各基)、キノジメタン形環、2ケ
所に環外に向う二重結合手を有する複素環を表す。
【0012】R1,R2はアルキルアルコキシ、アシル
、エステル、フェニル、アミド、スルホン、スルホンア
ミドの各基である。またm≧0、n≧0、但しm,nの
いづれかが2以上の時にはR1及びR2は互に異ってい
てもよい。
、エステル、フェニル、アミド、スルホン、スルホンア
ミドの各基である。またm≧0、n≧0、但しm,nの
いづれかが2以上の時にはR1及びR2は互に異ってい
てもよい。
【0013】また前記一般式(B)において、X,Yは
=O,=C(Z)(W),=N(CN)であり、更にZ
,Wは水素原子、ハロゲン原子、−CN、R2置換フェ
ニル(R2はアルキル、アシル、エステル、メトキシ、
−CN、−CF3、ニトロの各基或はハロゲン原子)、
−COOR3(R3はアルキル基)である。
=O,=C(Z)(W),=N(CN)であり、更にZ
,Wは水素原子、ハロゲン原子、−CN、R2置換フェ
ニル(R2はアルキル、アシル、エステル、メトキシ、
−CN、−CF3、ニトロの各基或はハロゲン原子)、
−COOR3(R3はアルキル基)である。
【0014】R1はアルキル、アルコキシ、アシル、エ
ステル、アミド、スルホン、スルホンアミドの各基であ
る。またm≧0、但しm≧2のときR1は互に異ってい
てもよい。
ステル、アミド、スルホン、スルホンアミドの各基であ
る。またm≧0、但しm≧2のときR1は互に異ってい
てもよい。
【0015】前記一般式(C)において、R1はアルキ
ル、アルコキシ、エステル、アミド、スルホン、スルホ
ンアミド、フェニルの各基、R2はハロゲン原子或はア
ルキル、アルコキシ、フェニル、エステル、アミド、ス
ルホン、スルホンアミド、シアノ、ニトロの各基を表す
。
ル、アルコキシ、エステル、アミド、スルホン、スルホ
ンアミド、フェニルの各基、R2はハロゲン原子或はア
ルキル、アルコキシ、フェニル、エステル、アミド、ス
ルホン、スルホンアミド、シアノ、ニトロの各基を表す
。
【0016】Yは=O,=N(CN),=C(Z)(W
)であり、X及びZ,Wは水素原子、ハロゲン原子、−
CN、−COOR3或は(R4)p置換フェニルの各基
である。ここにR3はアルキル、フェニルの各基であり
、R4はR2と同義である。
)であり、X及びZ,Wは水素原子、ハロゲン原子、−
CN、−COOR3或は(R4)p置換フェニルの各基
である。ここにR3はアルキル、フェニルの各基であり
、R4はR2と同義である。
【0017】またl,pは0〜5、mは0〜4の整数、
nは1又は2であり、l,m,pが2以上のときR1,
R2及びR4は夫々に異ってもよい。
nは1又は2であり、l,m,pが2以上のときR1,
R2及びR4は夫々に異ってもよい。
【0018】更に前記一般式(D)において、X,Yは
=N(CN),=C(CN)2,=C(H)(CN),
=C(CN)(COOR3),=C(H)(COOR3
),=C(COOR3)(COOR4)であり、ここに
R3,R4は炭素数8以下のアルキル基(例えばCH3
,C2H5,(n)C3H7,(i)C3H7,(n)
C4H9,(sec)C4H9,(t)C4H9,C5
H11,C6H13,C8H17等)である。X,Yは
同じでも異なっていてもよい。
=N(CN),=C(CN)2,=C(H)(CN),
=C(CN)(COOR3),=C(H)(COOR3
),=C(COOR3)(COOR4)であり、ここに
R3,R4は炭素数8以下のアルキル基(例えばCH3
,C2H5,(n)C3H7,(i)C3H7,(n)
C4H9,(sec)C4H9,(t)C4H9,C5
H11,C6H13,C8H17等)である。X,Yは
同じでも異なっていてもよい。
【0019】R1,R2は炭素数4以下のアルキル、ア
ルコキシ基(例えばCH3,C2H5,(t)C4H9
,(i)C3H7,OCH3,OC2H5,OC4H9
(t)等)、−NO2,−CN,−COOR4の各基又
はハロゲン原子である。またm,nは4≧m≧0,4≧
n≧0の整数である。
ルコキシ基(例えばCH3,C2H5,(t)C4H9
,(i)C3H7,OCH3,OC2H5,OC4H9
(t)等)、−NO2,−CN,−COOR4の各基又
はハロゲン原子である。またm,nは4≧m≧0,4≧
n≧0の整数である。
【0020】本発明で用いられる前記一般式(A)〜(
D)で示される化合物の例としては次のものが例示され
る。
D)で示される化合物の例としては次のものが例示され
る。
【0021】これらの化合物は、通常用いられる合成法
にしたがい合成される。
にしたがい合成される。
【0022】:一般式(A)で表される化合物:(合成
例A)
例A)
【0023】
【化6】
【0024】J.Chim.Chem.Soc.(Ta
ipei) 1989,36(3),219−25 (
Eng)の方法に従い合成した。
ipei) 1989,36(3),219−25 (
Eng)の方法に従い合成した。
【0025】2,6−ジ−t−ブチル4−メチルフェノ
ール(22g)と、2,4,6−トリメチルフェノール
(14g)を1lのクロロホルムに入れ、過マンガン酸
カリ(47g)を加え、58℃で3時間加熱還流した。
ール(22g)と、2,4,6−トリメチルフェノール
(14g)を1lのクロロホルムに入れ、過マンガン酸
カリ(47g)を加え、58℃で3時間加熱還流した。
【0026】後処理は、不溶分を濾別後シリカクロマト
にて単離し、再結して、例示化合物(A1)を橙色綿状
晶として26g、収率72%で得た。
にて単離し、再結して、例示化合物(A1)を橙色綿状
晶として26g、収率72%で得た。
【0027】この化合物は、FD−MSスペクトルでm
/z=350を示した。
/z=350を示した。
【0028】(例示化合物)
【0029】
【化7】
【0030】
【化8】
【0031】
【化9】
【0032】
【化10】
【0033】
【化11】
【0034】
【化12】
【0035】
【化13】
【0036】:一般式(B)で表される化合物:(合成
例B)
例B)
【0037】
【化14】
【0038】2,6−ナフトキノン(15.8g)とノ
ナノイルクロライド2(17.7g)をTHF1lの中
に入れ、ピペリジン(8.5g)を加え室温下24時間
撹拌し、後処理の後カラムクロマトで精製し、化合物2
を8.0g収率27%で得た。
ナノイルクロライド2(17.7g)をTHF1lの中
に入れ、ピペリジン(8.5g)を加え室温下24時間
撹拌し、後処理の後カラムクロマトで精製し、化合物2
を8.0g収率27%で得た。
【0039】化合物2(2.8g)とマロノニトリル(
0.7g)とをジオキサン100mlの中に入れ、酢酸
(0.06g)とピペリジン(0.09g)を加え70
℃で8時間撹拌し、後処理の後カラムクロマトで精製し
、例示化合物B1を1.3g収率32%で得た。この化
合物は、FD−MSスペクトルでm/z=394を示し
た。
0.7g)とをジオキサン100mlの中に入れ、酢酸
(0.06g)とピペリジン(0.09g)を加え70
℃で8時間撹拌し、後処理の後カラムクロマトで精製し
、例示化合物B1を1.3g収率32%で得た。この化
合物は、FD−MSスペクトルでm/z=394を示し
た。
【0040】(例示化合物)
【0041】
【化15】
【0042】
【化16】
【0043】
【化17】
【0044】
【化18】
【0045】:一般式(C)で表される化合物:(合成
例C)
例C)
【0046】
【化19】
【0047】フェニルアセトニトリル10g(0.08
5mol)と、ベンゾキノン5.12g(0.047m
ol)を酢酸(200ml)中で10時間反応させた。 反応液を1lの水中へ注ぎ、炭酸水素ナトリウムで中和
した。析出した結晶をアセトンから再結晶した。例示化
合物C1収量12g(収率46%)。
5mol)と、ベンゾキノン5.12g(0.047m
ol)を酢酸(200ml)中で10時間反応させた。 反応液を1lの水中へ注ぎ、炭酸水素ナトリウムで中和
した。析出した結晶をアセトンから再結晶した。例示化
合物C1収量12g(収率46%)。
【0048】(例示化合物)
【0049】
【化20】
【0050】
【化21】
【0051】
【化22】
【0052】
【化23】
【0053】:一般式(D)で表される化合物:(合成
例D)
例D)
【0054】
【化24】
【0055】2,2’−6,6’−テトラメチル1、1
’−ジフェノキノン10g(0.042mol)とマロ
ノニトリル8.8g(0.133mol)を乾燥ピリジ
ン200ml中、窒素雰囲気下、30時間還流した。こ
のとき、モレキュラーシーブ(3A,1/16)をソッ
クスレー抽出器中に入れて使用した。放冷後、減圧下で
ピリジンを濃縮し、エーテル(30ml)を加えて析出
した結晶を濾過した。これをアセトンから再結晶し、目
的化合物D1を得た。収量7.8g(収率60%)。
’−ジフェノキノン10g(0.042mol)とマロ
ノニトリル8.8g(0.133mol)を乾燥ピリジ
ン200ml中、窒素雰囲気下、30時間還流した。こ
のとき、モレキュラーシーブ(3A,1/16)をソッ
クスレー抽出器中に入れて使用した。放冷後、減圧下で
ピリジンを濃縮し、エーテル(30ml)を加えて析出
した結晶を濾過した。これをアセトンから再結晶し、目
的化合物D1を得た。収量7.8g(収率60%)。
【0056】(例示化合物)
【0057】
【化25】
【0058】
【化26】
【0059】
【化27】
【0060】
【化28】
【0061】
【化29】
【0062】本発明の電子写真感光体において、導電性
支持体としては、たとえば金属パイプ、金属板、金属シ
ート、金属箔、導電処理を施した高分子フィルム、A1
等の金属の蒸着層を設けた高分子フィルム、金属酸化物
、第4級アンモニウム塩等により被覆された高分子フィ
ルムまたは紙等が用いられる。
支持体としては、たとえば金属パイプ、金属板、金属シ
ート、金属箔、導電処理を施した高分子フィルム、A1
等の金属の蒸着層を設けた高分子フィルム、金属酸化物
、第4級アンモニウム塩等により被覆された高分子フィ
ルムまたは紙等が用いられる。
【0063】本発明の電子写真感光体において、導電性
支持体上には感光層が設けられるが、感光層は単層構造
でもよく、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された
積層構造のものでもよい。また、導電性支持体と感光層
の間に接着層を設けても良い。
支持体上には感光層が設けられるが、感光層は単層構造
でもよく、電荷発生層と電荷輸送層とに機能分離された
積層構造のものでもよい。また、導電性支持体と感光層
の間に接着層を設けても良い。
【0064】接着層は、樹脂単独で形成したもの、酸化
錫、酸化インジウム、酸化チタンなどの低抵抗化合物を
樹脂中に分散させたものを塗布したもの、または酸化ア
ルミニウム、酸化亜鉛、酸化珪素などの蒸着膜でも良い
。接着層に用いる樹脂としては、特に制限はないが、塩
化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、水溶性ポリビニル
ブチラール樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、酢
酸ビニル系樹脂、ポリビニルアルコール、ニトロセルロ
ース、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
錫、酸化インジウム、酸化チタンなどの低抵抗化合物を
樹脂中に分散させたものを塗布したもの、または酸化ア
ルミニウム、酸化亜鉛、酸化珪素などの蒸着膜でも良い
。接着層に用いる樹脂としては、特に制限はないが、塩
化ビニリデン−塩化ビニル共重合体、水溶性ポリビニル
ブチラール樹脂、アルコール可溶性ポリアミド樹脂、酢
酸ビニル系樹脂、ポリビニルアルコール、ニトロセルロ
ース、ポリイミド樹脂等が挙げられる。
【0065】結着層の膜厚は0.01〜10μm程度が
好ましく、特に0.01〜1μmが好ましい。感光層が
単層の場合には、たとえばポリビニルカルバゾール等の
公知の材料から構成された感光層中に上記一般式(A)
〜(D)で示される化合物を増感剤として含有させたも
の、または公知の電荷発生物質を含む感光層中に上記一
般式(A)〜(D)で示される化合物を電子輸送物質と
して含有させたものなどが挙げられる。
好ましく、特に0.01〜1μmが好ましい。感光層が
単層の場合には、たとえばポリビニルカルバゾール等の
公知の材料から構成された感光層中に上記一般式(A)
〜(D)で示される化合物を増感剤として含有させたも
の、または公知の電荷発生物質を含む感光層中に上記一
般式(A)〜(D)で示される化合物を電子輸送物質と
して含有させたものなどが挙げられる。
【0066】一方、感光層が積層型の場合においては、
電荷発生層は電荷発生物質を導電支持体上に蒸着して得
られたものでもよく、電荷発生物質と結着性樹脂とを主
成分とする塗布液を塗布することによって形成しても良
い。
電荷発生層は電荷発生物質を導電支持体上に蒸着して得
られたものでもよく、電荷発生物質と結着性樹脂とを主
成分とする塗布液を塗布することによって形成しても良
い。
【0067】電荷発生物質および結着樹脂としては公知
のどのようなものでも使用できる。例えば、電荷発生物
質としてはTri−Seなどの無機半導体、ポリビニル
カルバゾール等の有機半導体、ビスアゾ系化合物、トリ
スアゾ系化合物、無金属フタロシアニン系化合物、金属
フタロシニアン系化合物、ピリリウム系化合物、スクエ
アリウム系化合物、シアニン系化合物、ペリレン系化合
物、多環キノン系化合物等の有機顔料が使用できる。ま
た、結着樹脂としては、ポリスチレン、シリコーン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリエステル、ビニル系重合体、セルロース系樹脂
、ブチラール系樹脂、シリコーン変性ブチラール樹脂、
アルキッド樹脂等が使用できる。
のどのようなものでも使用できる。例えば、電荷発生物
質としてはTri−Seなどの無機半導体、ポリビニル
カルバゾール等の有機半導体、ビスアゾ系化合物、トリ
スアゾ系化合物、無金属フタロシアニン系化合物、金属
フタロシニアン系化合物、ピリリウム系化合物、スクエ
アリウム系化合物、シアニン系化合物、ペリレン系化合
物、多環キノン系化合物等の有機顔料が使用できる。ま
た、結着樹脂としては、ポリスチレン、シリコーン樹脂
、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、メタクリル樹
脂、ポリエステル、ビニル系重合体、セルロース系樹脂
、ブチラール系樹脂、シリコーン変性ブチラール樹脂、
アルキッド樹脂等が使用できる。
【0068】電荷発生層の膜厚は0.01〜10μm程
度が好ましく、特に0.05〜2μmが好ましい。
度が好ましく、特に0.05〜2μmが好ましい。
【0069】電荷発生層の上には電荷輸送層が形成され
る。この電荷輸送層は、上記一般式(A)〜(D)で示
される化合物と結着樹脂とで構成されるものであって、
上記一般式(A)〜(D)で示される化合物、結着樹脂
、および適当な溶剤を主成分とする塗布液を、アプリケ
ータ、バーコータ、ディップコータ等により、電荷発生
層上に塗布することによって形成される。この場合、各
種化合物と結着樹脂との混合比は1:100〜100:
1が好ましく、特に1:20〜20:1が好ましい。
る。この電荷輸送層は、上記一般式(A)〜(D)で示
される化合物と結着樹脂とで構成されるものであって、
上記一般式(A)〜(D)で示される化合物、結着樹脂
、および適当な溶剤を主成分とする塗布液を、アプリケ
ータ、バーコータ、ディップコータ等により、電荷発生
層上に塗布することによって形成される。この場合、各
種化合物と結着樹脂との混合比は1:100〜100:
1が好ましく、特に1:20〜20:1が好ましい。
【0070】電荷輸送層に用いる電荷輸送物質および結
着樹脂としては、公知のものならばどのようなものでも
使用できる。例えば結着樹脂としては、アクリロニトリ
ル−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、ビニルトルエン−スチレン共重合体、スチレン変性
アルキッド樹脂、シリコーン変性アルキッド樹脂、大豆
油変性アルキッド樹脂、塩化ビニリデン−塩化ビニル樹
脂、ポリビニルブチラール、ニトロ化ポリスチレン、ポ
リメチルスチレン、ポリイソプレン、ポリエステル、フ
ェノール樹脂、ケトン樹脂、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ポリチオカーボネット、ポリアリレート、ポリハ
ロアリレート、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン、ポリ
アリルエーテン、ポリビニルアクリレート、ポリスルホ
ン、ポリメタクリレート等が挙げられる。また、電荷輸
送層に電子供与性物質を添加しても良い。さらに、電荷
輸送層に酸化防止剤、ラジカルトラップ剤を添加しても
良い。
着樹脂としては、公知のものならばどのようなものでも
使用できる。例えば結着樹脂としては、アクリロニトリ
ル−ブタジエン共重合体、スチレン−ブタジエン共重合
体、ビニルトルエン−スチレン共重合体、スチレン変性
アルキッド樹脂、シリコーン変性アルキッド樹脂、大豆
油変性アルキッド樹脂、塩化ビニリデン−塩化ビニル樹
脂、ポリビニルブチラール、ニトロ化ポリスチレン、ポ
リメチルスチレン、ポリイソプレン、ポリエステル、フ
ェノール樹脂、ケトン樹脂、ポリアミド、ポリカーボネ
ート、ポリチオカーボネット、ポリアリレート、ポリハ
ロアリレート、酢酸ビニル系樹脂、ポリスチレン、ポリ
アリルエーテン、ポリビニルアクリレート、ポリスルホ
ン、ポリメタクリレート等が挙げられる。また、電荷輸
送層に電子供与性物質を添加しても良い。さらに、電荷
輸送層に酸化防止剤、ラジカルトラップ剤を添加しても
良い。
【0071】電荷輸送層の厚さは、2〜100μmが好
ましく、特に5〜50μmが好ましい。
ましく、特に5〜50μmが好ましい。
【0072】なお、本発明の電子写真感光体においては
、導電性支持体の上に障壁層を設けても良い。障壁層は
、導電性支持体からの不要な電荷の注入を阻止するため
に有効であり、画質を向上させる作用がある。障壁層を
形成する材料としては、酸化アルミニウム等の金属酸化
物あるいは、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリウレタン等がある。障壁層は接着層の上
に設けてもよく、また、上側に設けても良い。
、導電性支持体の上に障壁層を設けても良い。障壁層は
、導電性支持体からの不要な電荷の注入を阻止するため
に有効であり、画質を向上させる作用がある。障壁層を
形成する材料としては、酸化アルミニウム等の金属酸化
物あるいは、アクリル樹脂、フェノール樹脂、ポリエス
テル樹脂、ポリウレタン等がある。障壁層は接着層の上
に設けてもよく、また、上側に設けても良い。
【0073】
【実施例】以下、本発明を実施例A群〜D群によって説
明する。
明する。
【0074】(実施例 A群)
実施例A1
アルミニウムを蒸着したPETフィルム上に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物A1;0.16
gを塩化エチレン10mlに溶解させた溶液(ポリマー
:溶媒=0.75:1)2gをドクターブレードで塗布
し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μmの電子写真
感光体を作成した。この電子写真感光体について静電複
写紙試験装置(EPA−8100川口電機製作所(株)
製)を用いて+800Vおよび−800Vに帯電させ、
10luxの白色光を露光し、表面電位が半分になるま
での露光量を求め、感度とした。
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物A1;0.16
gを塩化エチレン10mlに溶解させた溶液(ポリマー
:溶媒=0.75:1)2gをドクターブレードで塗布
し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μmの電子写真
感光体を作成した。この電子写真感光体について静電複
写紙試験装置(EPA−8100川口電機製作所(株)
製)を用いて+800Vおよび−800Vに帯電させ、
10luxの白色光を露光し、表面電位が半分になるま
での露光量を求め、感度とした。
【0075】結果は表Aに示した。尚後記実施例B群〜
D群の感度も同様の手順によった。 実施例A2〜A12 例示化合物A1の代りに表Aに示したような化合物を用
いた以外は、実施例A1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Aに示す。
D群の感度も同様の手順によった。 実施例A2〜A12 例示化合物A1の代りに表Aに示したような化合物を用
いた以外は、実施例A1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Aに示す。
【0076】比較例A(1)
例示化合物A1の代りに2,4,7−トリニトロフルオ
レノン(TNF)を用いた以外は実施例A1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Aに示す。
レノン(TNF)を用いた以外は実施例A1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Aに示す。
【0077】比較例A(2)
例示化合物A1の代りにテトラシアノキノジメタン(T
CNQ)を用いた以外は実施例A1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Aに示す。
CNQ)を用いた以外は実施例A1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Aに示す。
【0078】
【表1】
【0079】(実施例 B群)
実施例B1
アルミニウムを蒸着したPETフィルム上に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物B1;0.16
gを塩化エチレン10mlに溶解させた溶液(ポリマー
:溶媒=0.75:1)2gをドクターブレードで塗布
し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μmの電子写真
感光体を作成した。
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物B1;0.16
gを塩化エチレン10mlに溶解させた溶液(ポリマー
:溶媒=0.75:1)2gをドクターブレードで塗布
し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μmの電子写真
感光体を作成した。
【0080】結果は表Bに示した。
【0081】実施例B2〜B6
例示化合物B1の代りに表Bに示したような化合物を用
いた以外は、実施例B1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Bに示す。
いた以外は、実施例B1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Bに示す。
【0082】比較例B(1)
例示化合物B1の代りに2,4,7−トリニトロフルオ
レノン(TNF)を用いた以外は実施例B1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Bに示す。
レノン(TNF)を用いた以外は実施例B1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Bに示す。
【0083】比較例B(2)
例示化合物B1の代りにテトラシアノキノジメタン(T
CNQ)を用いた以外は実施例B1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Bに示す。
CNQ)を用いた以外は実施例B1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Bに示す。
【0084】
【表2】
【0085】(実施例 C群)
実施例C1
アルミニウムを蒸着したPETフィルム上に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物C1;0.16
gおよびビスフェノールZポリカーボネート(ユーピロ
ンZ−200)を塩化エチレン10mlに溶解させた溶
液(ポリマー:溶媒=0.75:1)2gをドクターブ
レードで塗布し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μ
mの電子写真感光体を作成した。結果は表Cに示した。
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物C1;0.16
gおよびビスフェノールZポリカーボネート(ユーピロ
ンZ−200)を塩化エチレン10mlに溶解させた溶
液(ポリマー:溶媒=0.75:1)2gをドクターブ
レードで塗布し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μ
mの電子写真感光体を作成した。結果は表Cに示した。
【0086】実施例C2〜C8
例示化合物C1の代りに表Cに示したような化合物を用
いた以外は、実施例C1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Cに示す。
いた以外は、実施例C1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Cに示す。
【0087】比較例C(1)
例示化合物C1の代りに2,4,7−トリニトロフルオ
レノン(TNF)を用いた以外は実施例C1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Cに示す。
レノン(TNF)を用いた以外は実施例C1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Cに示す。
【0088】比較例C(2)
例示化合物C1の代りにテトラシアノキノジメタン(T
CNQ)を用いた以外は実施例C1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Cに示す。
CNQ)を用いた以外は実施例C1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Cに示す。
【0089】
【表3】
【0090】(実施例 D群)
実施例D1
アルミニウムを蒸着したPETフィルム上に、塩化ビニ
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物D3;0.16
gおよびビスフェノールZポリカーボネート(ユーピロ
ンZ−200)を塩化エチレン10mlに溶解させた溶
液(ポリマー:溶媒=0.75:1)2gをドクターブ
レードで塗布し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μ
mの電子写真感光体を作成した。結果は表Dに示した。
ル−酢酸ビニル−無水マレイン酸共重合体よりなる厚さ
0.05μmの中間層を設け、その上にビスアゾ化合物
とポリビニルブチラール(ビスアゾ化合物:ブチラール
=3:1)からなる電荷発生層(0.5μm)をバーコ
ータを用いて設け、その上に例示化合物D3;0.16
gおよびビスフェノールZポリカーボネート(ユーピロ
ンZ−200)を塩化エチレン10mlに溶解させた溶
液(ポリマー:溶媒=0.75:1)2gをドクターブ
レードで塗布し、90℃で1時間乾燥させ、膜厚20μ
mの電子写真感光体を作成した。結果は表Dに示した。
【0091】実施例D2〜D8
例示化合物D3の代りに表Dに示したような化合物を用
いた以外は、実施例D1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Dに示す。
いた以外は、実施例D1と同様にして電子写真感光体を
作成し、同様に感度を測定した。結果を表Dに示す。
【0092】比較例D(1)
例示化合物D3の代りに2,4,7−トリニトロフルオ
レノン(TNF)を用いた以外は実施例D1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Dに示す。
レノン(TNF)を用いた以外は実施例D1におけると
同様にして電子写真感光体を作成し、同様にして感度を
測定した。結果を表Dに示す。
【0093】比較例D(2)
例示化合物D3の代りにテトラシアノキノジメタン(T
CNQ)を用いた以外は実施例D1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Dに示す。
CNQ)を用いた以外は実施例D1におけると同様にし
て電子写真感光体を作成し、同様にして感度を測定した
。結果を表Dに示す。
【0094】
【表4】
【0095】表A〜Dに明かなように、本発明の実施例
においては、充分に実用域にある正帯電感度を示してい
る。
においては、充分に実用域にある正帯電感度を示してい
る。
【0096】
【発明の効果】本発明の化合物は電子輸送能を有し実用
性ある正帯電用感光体を提供することができる。
性ある正帯電用感光体を提供することができる。
Claims (4)
- 【請求項1】 導電性支持体上に感光層を設けた電子
写真感光体において、前記感光層に電荷輸送物質として
下記一般式(A)で示される化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化1】 〔一般式(A)において、X,Yは=O,=C(Z)(
W),=N(CN)であり、更にZ,Wは水素原子、ハ
ロゲン原子又は−CN基、R3置換フェニル基(R3は
アルキル、アシル、エステル、メトキシ、−CF3、−
CN、ニトロの各基又は水素原子)、−COOR4(R
4はアルキル基)である。Qは=C(R5)(R6)C
=(R5,R6は水素、ハロゲン原子又はアルキル、シ
アノ、置換されてもよいフェニルの各基)、キノジメタ
ン形環、2ケ所に環外に向う二重結合手を有する複素環
を表す。R1,R2はアルキル、アルコキシ、アシル、
エステル、フェニル、アミド、スルホン、スルホンアミ
ドの各基である。またm≧0、n≧0、但しm,nのい
づれかが2以上の時にはR1及びR2は互に異っていて
もよい。〕 - 【請求項2】 導電性支持体上に感光層を
設けた電子写真感光体において、前記感光層に電荷輸送
物質として下記一般式(B)で示される化合物を含有す
ることを特徴とする電子写真感光体。 【化2】 〔一般式(B)において、X,Yは=O,=C(Z)(
W),=N(CN)であり、更にZ,Wは水素原子、ハ
ロゲン原子、−CN、R2置換フェニル(R2はアルキ
ル、アシル、エステル、メトキシ、−CN、−CF3、
ニトロの各基或はハロゲン原子)、−COOR3(R3
はアルキル基)である。R1はアルキル、アルコキシ、
アシル、エステル、アミド、スルホン、スルホンアミド
の各基である。またm≧0、但しm≧2のときR1は互
に異っていてもよい。〕 - 【請求項3】 導電性支持体上に感光層を設けた電子
写真感光体において、前記感光層に電荷輸送物質として
下記一般式(C)で示される化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化3】 〔一般式(C)において、R1はアルキル、アルコキシ
、エステル、アミド、スルホン、スルホンアミド、フェ
ニルの各基、R2はハロゲン原子或はアルキル、アルコ
キシ、フェニル、エステル、アミド、スルホン、スルホ
ンアミド、シアノ、ニトロの各基を表す。Yは=O,=
N(CN),=C(Z)(W)であり、X及びZ,Wは
水素原子、ハロゲン原子、−CN、−COOR3或は(
R4)p置換フェニルの各基である。ここにR3はアル
キル、フェニルの各基であり、R4はR2と同義である
。またl,pは0〜5、mは0〜4の整数、nは1又は
2であり、l,m,pが2以上のときR1,R2及びR
4は夫々に異ってもよい。〕 - 【請求項4】 導電性支持体上に感光層を設けた電子
写真感光体において、前記感光層に電荷輸送物質として
下記一般式(D)で示される化合物を含有することを特
徴とする電子写真感光体。 【化4】 〔一般式(D)において、X,Yは=N(CN),=C
(CN)2,=C(H)(CN),=C(CN)(CO
OR3),=C(H)(COOR3),=C(COOR
3)(COOR4)であり、ここにR3,R4は炭素数
8以下のアルキル基である。X,Yは同じでも異なって
いてもよい。R1,R2は炭素数4以下のアルキル、ア
ルコキシ基、−NO2、−CN、−COOR4、アミド
、スルホン、スルホンアミドの各基又はハロゲン原子で
ある。またm,nは4≧m≧0,4≧n≧0の整数であ
る。m≧2,n≧2のとき、R1およびR2は互いに異
ってよい。〕
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11036991A JPH04338760A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 電子写真感光体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11036991A JPH04338760A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 電子写真感光体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04338760A true JPH04338760A (ja) | 1992-11-26 |
Family
ID=14534050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11036991A Pending JPH04338760A (ja) | 1991-05-15 | 1991-05-15 | 電子写真感光体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04338760A (ja) |
Cited By (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383698B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-05-07 | Kyocera Mita Corporation | Electrophotosensitive material using quinone derivative |
US6825359B2 (en) | 2002-02-13 | 2004-11-30 | Fuji Electric Imaging Device Co., Ltd. | Quinomethane compounds |
US6852458B2 (en) | 2002-02-04 | 2005-02-08 | Fuji Electric Imaging Device Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and electrophotographic apparatus using the same |
US6933091B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-08-23 | Fuji Electric Imaging Devices Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography and quinomethane compound |
WO2009003455A1 (de) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Novaled Ag | Chinoide verbindungen und deren verwendung in halbleitenden matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen bauelementen |
US7807687B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-10-05 | Novaled Ag | Pyrido[3,2-h]quinazolines and/or 5,6-dihydro derivatives thereof, a method for the production thereof and doped organic semiconductor material containing these |
US7919010B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-04-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
US7972541B2 (en) | 2005-11-10 | 2011-07-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
US7981324B2 (en) | 2007-04-30 | 2011-07-19 | Novaled Ag | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US8057712B2 (en) | 2008-04-29 | 2011-11-15 | Novaled Ag | Radialene compounds and their use |
US8134146B2 (en) | 2006-03-21 | 2012-03-13 | Novaled Ag | Heterocyclic radical or diradical, the dimers, oligomers, polymers, dispiro compounds and polycycles thereof, the use thereof, organic semiconductive material and electronic or optoelectronic component |
US8431046B2 (en) | 2006-03-22 | 2013-04-30 | Novaled Ag | Use of heterocyclic radicals for doping organic semiconductors |
US8460581B2 (en) | 2007-05-10 | 2013-06-11 | Novaled Ag | Imidazole derivatives and their use of dopants for doping organic semiconductor matrix material |
JP2015031709A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子写真感光体、及び画像形成装置 |
US9156868B2 (en) | 2007-04-19 | 2015-10-13 | Novaled Ag | Aryl-substituted and/or heteroaryl-substituted main group element halides and/or pseudohalides, use of main group element halides and/or pseudohalides, organic semiconducting matrix material, electronic and optoelectronic components |
JP2018091989A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子写真感光体 |
EP4223739A1 (en) * | 2022-02-02 | 2023-08-09 | Novaled GmbH | 3,6-bis(cyanomethylidene)cyclohexa-1,4-diene compounds and their use in organic electronic devices |
-
1991
- 1991-05-15 JP JP11036991A patent/JPH04338760A/ja active Pending
Cited By (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6383698B1 (en) * | 1999-11-19 | 2002-05-07 | Kyocera Mita Corporation | Electrophotosensitive material using quinone derivative |
US6852458B2 (en) | 2002-02-04 | 2005-02-08 | Fuji Electric Imaging Device Co., Ltd. | Electrophotographic photoreceptor, and electrophotographic apparatus using the same |
US6825359B2 (en) | 2002-02-13 | 2004-11-30 | Fuji Electric Imaging Device Co., Ltd. | Quinomethane compounds |
US6933091B2 (en) | 2002-05-28 | 2005-08-23 | Fuji Electric Imaging Devices Co., Ltd. | Photoconductor for electrophotography and quinomethane compound |
US7972541B2 (en) | 2005-11-10 | 2011-07-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
US7919010B2 (en) | 2005-12-22 | 2011-04-05 | Novaled Ag | Doped organic semiconductor material |
US8134146B2 (en) | 2006-03-21 | 2012-03-13 | Novaled Ag | Heterocyclic radical or diradical, the dimers, oligomers, polymers, dispiro compounds and polycycles thereof, the use thereof, organic semiconductive material and electronic or optoelectronic component |
US9118019B2 (en) | 2006-03-21 | 2015-08-25 | Novaled Ag | Heterocyclic radical or diradical, the dimers, oligomers, polymers, dispiro compounds and polycycles thereof, the use thereof, organic semiconductive material and electronic or optoelectronic component |
US8431046B2 (en) | 2006-03-22 | 2013-04-30 | Novaled Ag | Use of heterocyclic radicals for doping organic semiconductors |
US7807687B2 (en) | 2007-03-16 | 2010-10-05 | Novaled Ag | Pyrido[3,2-h]quinazolines and/or 5,6-dihydro derivatives thereof, a method for the production thereof and doped organic semiconductor material containing these |
US9156868B2 (en) | 2007-04-19 | 2015-10-13 | Novaled Ag | Aryl-substituted and/or heteroaryl-substituted main group element halides and/or pseudohalides, use of main group element halides and/or pseudohalides, organic semiconducting matrix material, electronic and optoelectronic components |
US9876172B2 (en) | 2007-04-30 | 2018-01-23 | Novaled Gmbh | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US10586926B2 (en) | 2007-04-30 | 2020-03-10 | Novaled Gmbh | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US7981324B2 (en) | 2007-04-30 | 2011-07-19 | Novaled Ag | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US11342504B2 (en) | 2007-04-30 | 2022-05-24 | Novaled Gmbh | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US8617426B2 (en) | 2007-04-30 | 2013-12-31 | Novaled Ag | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US8911645B2 (en) | 2007-04-30 | 2014-12-16 | Novaled Ag | Oxocarbon-, pseudooxocarbon- and radialene compounds and their use |
US8460581B2 (en) | 2007-05-10 | 2013-06-11 | Novaled Ag | Imidazole derivatives and their use of dopants for doping organic semiconductor matrix material |
US9490432B2 (en) | 2007-07-04 | 2016-11-08 | Novaled Ag | Quinoid compounds and their use in semiconducting matrix materials, electronic and optoelectronic structural elements |
JP2010533646A (ja) * | 2007-07-04 | 2010-10-28 | ノヴァレッド・アクチエンゲゼルシャフト | キノイド化合物、ならびに半導体基質材料、電子素子および光電子素子におけるキノイド化合物の使用 |
US10431747B2 (en) | 2007-07-04 | 2019-10-01 | Novaled Gmbh | Quinoid compounds and their use in semiconducting matrix materials, electronic and optoelectronic structural elements |
US20100193774A1 (en) * | 2007-07-04 | 2010-08-05 | Novaled Ag | Quinoid Compounds and Their Use in Semiconducting Matrix Materials, Electronic and Optoelectronic Structural Elements |
DE102007031220B4 (de) | 2007-07-04 | 2022-04-28 | Novaled Gmbh | Chinoide Verbindungen und deren Verwendung in halbleitenden Matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen Bauelementen |
WO2009003455A1 (de) * | 2007-07-04 | 2009-01-08 | Novaled Ag | Chinoide verbindungen und deren verwendung in halbleitenden matrixmaterialien, elektronischen und optoelektronischen bauelementen |
US8057712B2 (en) | 2008-04-29 | 2011-11-15 | Novaled Ag | Radialene compounds and their use |
JP2015031709A (ja) * | 2013-07-31 | 2015-02-16 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子写真感光体、及び画像形成装置 |
JP2018091989A (ja) * | 2016-12-02 | 2018-06-14 | 京セラドキュメントソリューションズ株式会社 | 電子写真感光体 |
EP4223739A1 (en) * | 2022-02-02 | 2023-08-09 | Novaled GmbH | 3,6-bis(cyanomethylidene)cyclohexa-1,4-diene compounds and their use in organic electronic devices |
WO2023148215A1 (en) * | 2022-02-02 | 2023-08-10 | Novaled Gmbh | 3,6-bis(cyanomethylidene)cyclohexa-1,4-diene compounds and their use in organic electronic devices |
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