JP2009302517A5

JP2009302517A5 - 半導体装置

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Publication number: JP2009302517A5
Application number: JP2009111743A
Authority: JP
Filing date: 2009-05-01
Publication date: 2012-05-24
Anticipated expiration: 2029-05-01

Claims

第１の衝撃拡散層上に第１の耐衝撃層と、
前記第１の耐衝撃層上に、半導体集積回路と、
前記半導体集積回路上に、第２の衝撃拡散層と、
前記第２の衝撃拡散層上に、第２の耐衝撃層と、
前記第１の衝撃拡散層の前記半導体集積回路と反対側の面、前記第１の衝撃拡散層と前記第１の耐衝撃層との間の面、前記第２の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面または前記第２の衝撃拡散層と前記第２の耐衝撃層との間の面、のいずれか一方には前記半導体集積回路と重なる導電層と、を有し、
前記導電層は、前記半導体集積回路と電気的に接続せず、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層は前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層より弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置。
請求項１において、
前記半導体集積回路と前記第２の衝撃拡散層との間に接着層とを有することを特徴とする半導体装置。
請求項１又は請求項２において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層はゴム弾性を有することを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層はアラミド樹脂フィルムであることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記第１の衝撃拡散層及び前記第２の衝撃拡散層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
第１の耐衝撃層上に、半導体集積回路と、
前記半導体集積回路上に、衝撃拡散層と、
前記衝撃拡散層上に、第２の耐衝撃層と、
前記第１の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面、前記第２の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面または前記衝撃拡散層と前記第２の耐衝撃層との間の面、のいずれか一方には前記半導体集積回路と重なる導電層と、を有し、
前記導電層は、前記半導体集積回路と電気的に接続せず、
前記衝撃拡散層は前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層より弾性率が低く、かつ破断強度が高いことを特徴とする半導体装置。
請求項６において、
前記半導体集積回路と前記衝撃拡散層との間に接着層とを有することを特徴とする半導体装置。
請求項６又は請求項７において、
前記衝撃拡散層はゴム弾性を有することを特徴とする半導体装置。
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記衝撃拡散層はアラミド樹脂フィルムであることを特徴とする半導体装置。
請求項６乃至９のいずれか一項において、
前記衝撃拡散層の厚さは５μｍ以上２０μｍ以下であることを特徴とする半導体装置。
第１の耐衝撃層上に、半導体集積回路と、
前記半導体集積回路上に、第２の耐衝撃層と、
前記第１の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面または前記第２の耐衝撃層の前記半導体集積回路と反対側の面、のいずれか一方には前記半導体集積回路と重なる導電層と、を有し、
前記導電層は、前記半導体集積回路と電気的に接続しないことを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記半導体集積回路は、前記導電層と反対側の表面にアンテナを有することを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至１２のいずれか一項において、
前記導電層は金属膜、金属窒化膜、金属酸化膜のいずれか一、またはそれらの積層であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至１３のいずれか一項において、
前記第１の耐衝撃層及び前記第２の耐衝撃層は繊維体に有機樹脂が含浸された構造体であることを特徴とする半導体装置。
請求項１４において、
前記繊維体は織布または不織布であることを特徴とする半導体装置。
請求項１４又は請求項１５において、
前記繊維体は、ポリビニルアルコール系繊維、ポリエステル系繊維、ポリアミド系繊維、ポリエチレン系繊維、アラミド系繊維、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール繊維、ガラス繊維、または炭素繊維で形成されることを特徴とする半導体装置。
請求項１４乃至１６のいずれか一項において、
前記有機樹脂は、熱硬化性樹脂、または熱可塑性樹脂を含むことを特徴とする半導体装置。
請求項１７において、
前記熱硬化性樹脂は、エポキシ樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、またはシアネート樹脂であることを特徴とする半導体装置。
請求項１７において、
前記熱可塑性樹脂は、ポリフェニレンオキシド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、またはフッ素樹脂であることを特徴とする半導体装置。