JPH11250209A - 非接触型ｉｃカード - Google Patents
非接触型ｉｃカードInfo
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- JPH11250209A JPH11250209A JP5209198A JP5209198A JPH11250209A JP H11250209 A JPH11250209 A JP H11250209A JP 5209198 A JP5209198 A JP 5209198A JP 5209198 A JP5209198 A JP 5209198A JP H11250209 A JPH11250209 A JP H11250209A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】カード基材の強度が低下するなどの新たな問題
を起こすことなく、長期にわたって永続する耐静電気特
性を有する非接触型ＩＣカードを提供する。 【解決手段】非接触型ＩＣモジュール１５と、非接触型
ＩＣモジュール１５を包囲する保護部材とを有する非接
触型ＩＣカード１０において、前記保護部材の内部に帯
電防止層１４を形成させた構成とする。
を起こすことなく、長期にわたって永続する耐静電気特
性を有する非接触型ＩＣカードを提供する。 【解決手段】非接触型ＩＣモジュール１５と、非接触型
ＩＣモジュール１５を包囲する保護部材とを有する非接
触型ＩＣカード１０において、前記保護部材の内部に帯
電防止層１４を形成させた構成とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子（ＩＣ
チップ）を内蔵する非接触型ＩＣカードに関する。
チップ）を内蔵する非接触型ＩＣカードに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、情報処理の効率化やセキュリティ
ーの観点から、データの記録、処理を行う半導体素子
（ＩＣチップ）を搭載したＩＣカードが普及しつつあ
る。このようなＩＣカードには、カードの外部端子と外
部処理装置の端子とを接続してデータの送受信を行う接
触方式のものと、電磁波でデータの送受信を行うアンテ
ナコイルとデータ処理のための半導体素子を内蔵し、外
部処理装置との間の読み書きをいわゆる無線方式で実現
でき、ＩＣ回路の駆動電力が電磁誘導で供給され、バッ
テリを内蔵しない非接触方式のものとが開発されてい
る。
ーの観点から、データの記録、処理を行う半導体素子
（ＩＣチップ）を搭載したＩＣカードが普及しつつあ
る。このようなＩＣカードには、カードの外部端子と外
部処理装置の端子とを接続してデータの送受信を行う接
触方式のものと、電磁波でデータの送受信を行うアンテ
ナコイルとデータ処理のための半導体素子を内蔵し、外
部処理装置との間の読み書きをいわゆる無線方式で実現
でき、ＩＣ回路の駆動電力が電磁誘導で供給され、バッ
テリを内蔵しない非接触方式のものとが開発されてい
る。
【０００３】上記の従来の非接触型ＩＣカードの製造方
法としては、データ送受信および駆動電力供給用のコイ
ルや、ＩＣチップなどの内蔵電子部品を熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、あるいは電子線硬化樹
脂などにより封止して非接触型ＩＣモジュールを成形し
た後、モジュール用凹部あるいはモジュール用孔を打ち
抜き加工あるいはＮＣによるざぐり加工により設けたＰ
ＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン共重合体）、あるいはＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）などの絶縁体からなるシー
ト状のカード基材で挟み込み、熱プレスなどで融着、あ
るいは接着剤などにより接着してラミネート加工し、カ
ードサイズに打ち抜いてカード化する方法が広く用いら
れている。
法としては、データ送受信および駆動電力供給用のコイ
ルや、ＩＣチップなどの内蔵電子部品を熱可塑性樹脂、
熱硬化性樹脂、紫外線硬化樹脂、あるいは電子線硬化樹
脂などにより封止して非接触型ＩＣモジュールを成形し
た後、モジュール用凹部あるいはモジュール用孔を打ち
抜き加工あるいはＮＣによるざぐり加工により設けたＰ
ＶＣ（ポリ塩化ビニル）、ＡＢＳ（アクリロニトリル−
ブタジエン−スチレン共重合体）、あるいはＰＥＴ（ポ
リエチレンテレフタレート）などの絶縁体からなるシー
ト状のカード基材で挟み込み、熱プレスなどで融着、あ
るいは接着剤などにより接着してラミネート加工し、カ
ードサイズに打ち抜いてカード化する方法が広く用いら
れている。
【０００４】上記の従来のカード基材として絶縁体を用
いて形成された非接触型ＩＣカードは、非接触型ＩＣカ
ードの発行処理、あるいは非接触型ＩＣカードの製造工
程などにおいて生じる静電気によって非接触型ＩＣカー
ドとＩＣカードリーダライタなどの上位機器と間の非接
触方式の通信が妨げられたり、場合によっては内蔵する
ＩＣチップが劣化あるいは破壊されるなどの不都合を生
じることがあった。
いて形成された非接触型ＩＣカードは、非接触型ＩＣカ
ードの発行処理、あるいは非接触型ＩＣカードの製造工
程などにおいて生じる静電気によって非接触型ＩＣカー
ドとＩＣカードリーダライタなどの上位機器と間の非接
触方式の通信が妨げられたり、場合によっては内蔵する
ＩＣチップが劣化あるいは破壊されるなどの不都合を生
じることがあった。
【０００５】上記の問題を解決するために、耐静電気対
策として、非接触型ＩＣカードを構成するカード基材に
帯電防止剤を添加するという方法や、カード表面に帯電
防止剤を塗布するという方法が開発されている。
策として、非接触型ＩＣカードを構成するカード基材に
帯電防止剤を添加するという方法や、カード表面に帯電
防止剤を塗布するという方法が開発されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
カード基材に帯電防止剤を添加する方法では、帯電防止
効果は得られるが、一方でカード基材の物理的強度が低
下し、ＩＣチップの故障や形状変化による不良を生じや
すくなるという新たな問題が発生する。
カード基材に帯電防止剤を添加する方法では、帯電防止
効果は得られるが、一方でカード基材の物理的強度が低
下し、ＩＣチップの故障や形状変化による不良を生じや
すくなるという新たな問題が発生する。
【０００７】また、カード表面に帯電防止剤を塗布する
方法では、カード基材の物理的強度に関しては帯電防止
剤を塗布しないカードと同等であるが、カードの使用を
重ねるに従い、カード表面に塗布された帯電防止剤の剥
がれが生じたり、水や薬品によって帯電防止剤が溶出し
てしまい、帯電防止効果が薄れてしまうという問題があ
る。
方法では、カード基材の物理的強度に関しては帯電防止
剤を塗布しないカードと同等であるが、カードの使用を
重ねるに従い、カード表面に塗布された帯電防止剤の剥
がれが生じたり、水や薬品によって帯電防止剤が溶出し
てしまい、帯電防止効果が薄れてしまうという問題があ
る。
【０００８】本発明は上記の事情に鑑みなされたもので
あり、従って本発明は、カード基材の強度が低下するな
どの新たな問題を起こすことなく、長期にわたって永続
する耐静電気特性を有する非接触型ＩＣカードを提供す
ることを目的とする。
あり、従って本発明は、カード基材の強度が低下するな
どの新たな問題を起こすことなく、長期にわたって永続
する耐静電気特性を有する非接触型ＩＣカードを提供す
ることを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の非接触型ＩＣカードは、ＩＣモジュール
と、前記ＩＣモジュールを包囲する保護部材とを有する
非接触型ＩＣカードにおいて、前記保護部材の内部に帯
電防止層を有する。
め、本発明の非接触型ＩＣカードは、ＩＣモジュール
と、前記ＩＣモジュールを包囲する保護部材とを有する
非接触型ＩＣカードにおいて、前記保護部材の内部に帯
電防止層を有する。
【００１０】上記の本発明の非接触型ＩＣカードは、Ｉ
Ｃモジュールを包囲する保護部材の内部にＩＣモジュー
ルの表面積を覆うように帯電防止層が形成されており、
カード基材に帯電防止剤を添加していないのでカード基
材の物理的強度が低下するという新たな問題を起こすこ
とはなく、また、帯電防止層がカード表面に露出してい
ないので、カードの使用を重ねても帯電防止剤の剥がれ
が生じたり、水や薬品によって帯電防止剤が溶出するこ
とがないので、長期にわたって永続する耐静電気特性を
有する非接触型ＩＣカードである。
Ｃモジュールを包囲する保護部材の内部にＩＣモジュー
ルの表面積を覆うように帯電防止層が形成されており、
カード基材に帯電防止剤を添加していないのでカード基
材の物理的強度が低下するという新たな問題を起こすこ
とはなく、また、帯電防止層がカード表面に露出してい
ないので、カードの使用を重ねても帯電防止剤の剥がれ
が生じたり、水や薬品によって帯電防止剤が溶出するこ
とがないので、長期にわたって永続する耐静電気特性を
有する非接触型ＩＣカードである。
【００１１】上記の本発明の非接触型ＩＣカードは、好
適には、前記帯電防止層を、前記ＩＣモジュールの第１
の表面と該第１の表面と対向する第２の表面とを覆うよ
うに形成させてなる。これにより、帯電防止効果をより
向上させることができ、静電気からＩＣチップを保護す
る能力を高めることができる。
適には、前記帯電防止層を、前記ＩＣモジュールの第１
の表面と該第１の表面と対向する第２の表面とを覆うよ
うに形成させてなる。これにより、帯電防止効果をより
向上させることができ、静電気からＩＣチップを保護す
る能力を高めることができる。
【００１２】上記の本発明の非接触型ＩＣカードは、好
適には、前記非接触型ＩＣカード内に空隙部を有してお
り、前記空隙部の表面の少なくとも一部を被覆して前記
帯電防止層が形成されている。これにより、カード表面
に露出していない耐水性保護部材の内部に形成された帯
電防止層とすることができる。
適には、前記非接触型ＩＣカード内に空隙部を有してお
り、前記空隙部の表面の少なくとも一部を被覆して前記
帯電防止層が形成されている。これにより、カード表面
に露出していない耐水性保護部材の内部に形成された帯
電防止層とすることができる。
【００１３】上記の本発明の非接触型ＩＣカードは、好
適には、前記帯電防止層が、カチオン系水溶液を塗布し
て形成された層である。これにより、帯電を防止するこ
とができる層とすることができる。
適には、前記帯電防止層が、カチオン系水溶液を塗布し
て形成された層である。これにより、帯電を防止するこ
とができる層とすることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００１５】図１（ａ）は、本実施形態にかかる非接触
型ＩＣカード１０の平面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。非接触型ＩＣ
カード１０は、カード基材として非接触型ＩＣモジュー
ルを装填するための非接触型ＩＣモジュール用凹部１
１’を有する第１カード基材１１と、非接触型ＩＣモジ
ュール用凹部１２’を有する第２カード基材１２を有し
ており、非接触型ＩＣモジュール用凹部１１’と非接触
型ＩＣモジュール用凹部１２’とから非接触型ＩＣカー
ド１０内に空隙部１３が形成されている。非接触型ＩＣ
モジュール用凹部１１’の底面上と、非接触型ＩＣモジ
ュール用凹部１２’の底面上には帯電防止層１４が形成
されている。第２カード基材１２に形成されている帯電
防止層１４の上層に、ＩＣチップ１５ａ及びコイル（図
示しない）を内蔵する非接触型ＩＣモジュール１５が例
えば接着剤層１６により固定されている。
型ＩＣカード１０の平面図であり、図１（ｂ）は図１
（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。非接触型ＩＣ
カード１０は、カード基材として非接触型ＩＣモジュー
ルを装填するための非接触型ＩＣモジュール用凹部１
１’を有する第１カード基材１１と、非接触型ＩＣモジ
ュール用凹部１２’を有する第２カード基材１２を有し
ており、非接触型ＩＣモジュール用凹部１１’と非接触
型ＩＣモジュール用凹部１２’とから非接触型ＩＣカー
ド１０内に空隙部１３が形成されている。非接触型ＩＣ
モジュール用凹部１１’の底面上と、非接触型ＩＣモジ
ュール用凹部１２’の底面上には帯電防止層１４が形成
されている。第２カード基材１２に形成されている帯電
防止層１４の上層に、ＩＣチップ１５ａ及びコイル（図
示しない）を内蔵する非接触型ＩＣモジュール１５が例
えば接着剤層１６により固定されている。
【００１６】第１カード基材１１と第２カード基材１２
は、それぞれ例えばＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジ
エン−スチレン共重合体）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニ
ル）、あるいはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
などの絶縁体材料により非接触型ＩＣモジュール用凹部
１１’，１２’を有する形状に射出成形して形成する、
あるいは、前記材料のシート基材に例えばざぐり（Ｎ
Ｃ）加工などにより非接触型ＩＣモジュール用凹部１
１’，１２’を形成して得ることができる。第１カード
基材１１と第２カード基材１２は超音波融着、熱融着、
あるいは接着剤による接着などによりラミネートされて
カード化されており、これにより空隙部１３が形成され
る。
は、それぞれ例えばＡＢＳ（アクリロニトリル−ブタジ
エン−スチレン共重合体）、ＰＶＣ（ポリ塩化ビニ
ル）、あるいはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）
などの絶縁体材料により非接触型ＩＣモジュール用凹部
１１’，１２’を有する形状に射出成形して形成する、
あるいは、前記材料のシート基材に例えばざぐり（Ｎ
Ｃ）加工などにより非接触型ＩＣモジュール用凹部１
１’，１２’を形成して得ることができる。第１カード
基材１１と第２カード基材１２は超音波融着、熱融着、
あるいは接着剤による接着などによりラミネートされて
カード化されており、これにより空隙部１３が形成され
る。
【００１７】非接触型ＩＣモジュール１５は、例えばＩ
Ｃチップ１５ａ、データの送受信および電力供給用のア
ンテナコイル、その他の電子部品、およびこれらを接続
するワイヤボンディングなどの接続手段などをトランス
ファーモールド法などによって封止樹脂で封止して形成
されている。
Ｃチップ１５ａ、データの送受信および電力供給用のア
ンテナコイル、その他の電子部品、およびこれらを接続
するワイヤボンディングなどの接続手段などをトランス
ファーモールド法などによって封止樹脂で封止して形成
されている。
【００１８】接着剤層１６は、必要に応じて形成される
層であり、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ系接着
剤などを用いることができる。図面上は非接触型ＩＣモ
ジュール１５の片面側にのみ接着剤層１６を形成してい
るが、両面上に形成してもよく、また、空隙部１３を樹
脂で埋め込んで非接触型ＩＣモジュール１５を固定して
もよい。
層であり、例えばシリコーン系接着剤、エポキシ系接着
剤などを用いることができる。図面上は非接触型ＩＣモ
ジュール１５の片面側にのみ接着剤層１６を形成してい
るが、両面上に形成してもよく、また、空隙部１３を樹
脂で埋め込んで非接触型ＩＣモジュール１５を固定して
もよい。
【００１９】帯電防止層１４は、帯電防止剤として例え
ばカチオン系水溶液を非接触型ＩＣモジュール用凹部１
１’，１２’の底面上に、例えば５〜１０ｇ／ｍ2 の塗
布量で塗布して形成することができる。帯電防止層１４
はＩＣチップ１５ａの表面積を覆うように形成されてお
り、その位置としては、例えば、非接触型ＩＣモジュー
ル用凹部１１’，１２’の底面部および壁面部の全部あ
るいは一部、非接触型ＩＣモジュール１５の表面の全部
あるいは一部などとすることができる。このとき、第１
カード基材１１と第２カード基材１２を超音波融着によ
りラミネートする場合には、融着強度が低下することを
防止するために、超音波融着面には帯電防止層を形成し
ないことが好ましい。
ばカチオン系水溶液を非接触型ＩＣモジュール用凹部１
１’，１２’の底面上に、例えば５〜１０ｇ／ｍ2 の塗
布量で塗布して形成することができる。帯電防止層１４
はＩＣチップ１５ａの表面積を覆うように形成されてお
り、その位置としては、例えば、非接触型ＩＣモジュー
ル用凹部１１’，１２’の底面部および壁面部の全部あ
るいは一部、非接触型ＩＣモジュール１５の表面の全部
あるいは一部などとすることができる。このとき、第１
カード基材１１と第２カード基材１２を超音波融着によ
りラミネートする場合には、融着強度が低下することを
防止するために、超音波融着面には帯電防止層を形成し
ないことが好ましい。
【００２０】上記の本実施形態の非接触型ＩＣカードの
製造方法について、図１（ｃ）を参照して説明する。ま
ず、ＡＢＳなどからなる材料を非接触型ＩＣモジュール
用凹部１１’，１２’を有する形状に射出成形して、第
１カード基材１１および第２カード基材１２を形成す
る。次に、非接触型ＩＣモジュール用凹部１１’，１
２’の底面部に帯電防止剤を塗布し、帯電防止層１４を
形成する。次に、第２カード基材１２に形成した帯電防
止層１４の上層に接着剤層１６を形成する。次に、接着
剤層１６の上層に非接触型ＩＣモジュール１５を装着
し、接着剤層の固化処理などを行った後、第２カード基
材１２上に第１カード基材１１を戴置し、超音波融着、
熱融着、あるいは接着剤による接着などによりラミネー
トしてカード化する。超音波融着としては、例えば、融
着面にエネルギーダイレクタと呼ばれる微小な突起部と
当該突起部を嵌入させるための凹部を予め形成し、前記
突起部を凹部に嵌め込み、カードの両面から加圧しなが
ら超音波処理を行うことで融着することができる。図面
上は１枚の非接触型ＩＣカードを形成しているが、複数
枚のカード用のシート基材を用いてカード化した後、カ
ードサイズに打ち抜いて形成することもできる。
製造方法について、図１（ｃ）を参照して説明する。ま
ず、ＡＢＳなどからなる材料を非接触型ＩＣモジュール
用凹部１１’，１２’を有する形状に射出成形して、第
１カード基材１１および第２カード基材１２を形成す
る。次に、非接触型ＩＣモジュール用凹部１１’，１
２’の底面部に帯電防止剤を塗布し、帯電防止層１４を
形成する。次に、第２カード基材１２に形成した帯電防
止層１４の上層に接着剤層１６を形成する。次に、接着
剤層１６の上層に非接触型ＩＣモジュール１５を装着
し、接着剤層の固化処理などを行った後、第２カード基
材１２上に第１カード基材１１を戴置し、超音波融着、
熱融着、あるいは接着剤による接着などによりラミネー
トしてカード化する。超音波融着としては、例えば、融
着面にエネルギーダイレクタと呼ばれる微小な突起部と
当該突起部を嵌入させるための凹部を予め形成し、前記
突起部を凹部に嵌め込み、カードの両面から加圧しなが
ら超音波処理を行うことで融着することができる。図面
上は１枚の非接触型ＩＣカードを形成しているが、複数
枚のカード用のシート基材を用いてカード化した後、カ
ードサイズに打ち抜いて形成することもできる。
【００２１】上記の本実施形態の非接触型ＩＣカード
は、非接触型ＩＣカード１０内に帯電防止層１４が形成
されており、カード基材１１，１２に帯電防止剤を添加
していないのでカード基材の物理的強度が低下するとい
う新たな問題を起こすことはなく、また、帯電防止層１
４がカード表面に露出していないので、カードの使用を
重ねても帯電防止剤の剥がれが生じたり、水や薬品によ
って帯電防止剤が溶出することがないので、長期にわた
って永続する耐静電気特性を有する。
は、非接触型ＩＣカード１０内に帯電防止層１４が形成
されており、カード基材１１，１２に帯電防止剤を添加
していないのでカード基材の物理的強度が低下するとい
う新たな問題を起こすことはなく、また、帯電防止層１
４がカード表面に露出していないので、カードの使用を
重ねても帯電防止剤の剥がれが生じたり、水や薬品によ
って帯電防止剤が溶出することがないので、長期にわた
って永続する耐静電気特性を有する。
【００２２】実施例 （試料１０１（本発明）の作成）図１（ｃ）に示すよう
に、ＡＢＳ樹脂（住友ダウ社製、ＵＢ６００）を用いて
射出成形により非接触型ＩＣモジュール用凹部１１’，
１２’を有する厚さ約１ｍｍの第１カード基材１１およ
び第２カード基材１２を形成した。次に、非接触型ＩＣ
モジュール用凹部１１’，１２’の底面部に帯電防止剤
（アルテック社製、ＳＡＴ−４）を塗布し、帯電防止層
１４を形成した。次に、第２シート基材１２に形成した
帯電防止層１４の上層にシリコーン系接着剤を塗布し、
予め形成しておいた非接触型ＩＣモジュール１５を接着
した。次に、非接触型ＩＣモジュール１５を覆うように
第１カード基材１１を第２カード基材１２上に戴置し、
超音波融着装置ＢＲＡＮＳＯＮ ８４００（９００Ｗ）
を用いて、（超音波周波数：２０〜４０ＫＨｚ、融着時
間：０．１〜０．２秒、保持時間：０．２〜０．３秒）
という条件の超音波処理により融着してカード化した。
このときの非接触型ＩＣカードの厚さは、３．４ｍｍで
あった。
に、ＡＢＳ樹脂（住友ダウ社製、ＵＢ６００）を用いて
射出成形により非接触型ＩＣモジュール用凹部１１’，
１２’を有する厚さ約１ｍｍの第１カード基材１１およ
び第２カード基材１２を形成した。次に、非接触型ＩＣ
モジュール用凹部１１’，１２’の底面部に帯電防止剤
（アルテック社製、ＳＡＴ−４）を塗布し、帯電防止層
１４を形成した。次に、第２シート基材１２に形成した
帯電防止層１４の上層にシリコーン系接着剤を塗布し、
予め形成しておいた非接触型ＩＣモジュール１５を接着
した。次に、非接触型ＩＣモジュール１５を覆うように
第１カード基材１１を第２カード基材１２上に戴置し、
超音波融着装置ＢＲＡＮＳＯＮ ８４００（９００Ｗ）
を用いて、（超音波周波数：２０〜４０ＫＨｚ、融着時
間：０．１〜０．２秒、保持時間：０．２〜０．３秒）
という条件の超音波処理により融着してカード化した。
このときの非接触型ＩＣカードの厚さは、３．４ｍｍで
あった。
【００２３】（試料１０２（従来例）の作成）試料１０
１に対して、帯電防止層１４を形成しないことのみ異な
る試料を作成し、試料１０２とした。
１に対して、帯電防止層１４を形成しないことのみ異な
る試料を作成し、試料１０２とした。
【００２４】（試料１０３（従来例）の作成）試料１０
１に対して、帯電防止層１４を形成せず、第１カード基
材１１および第２カード基材１２を形成する際にカード
基材材料であるＡＢＳ中に帯電防止剤を添加して形成し
たことのみ異なる試料を作成し、試料１０３とした。
１に対して、帯電防止層１４を形成せず、第１カード基
材１１および第２カード基材１２を形成する際にカード
基材材料であるＡＢＳ中に帯電防止剤を添加して形成し
たことのみ異なる試料を作成し、試料１０３とした。
【００２５】（試料１０４（従来例）の作成）試料１０
１に対して、帯電防止層１４を非接触型ＩＣモジュール
用凹部１１’，１２’の底面部ではなく、カード成形後
にカード表面に形成することのみ異なる試料を作成し、
試料１０４とした。
１に対して、帯電防止層１４を非接触型ＩＣモジュール
用凹部１１’，１２’の底面部ではなく、カード成形後
にカード表面に形成することのみ異なる試料を作成し、
試料１０４とした。
【００２６】上記の試料１０１〜１０４に対して、以下
の試験を行った。結果を表１に示す。
の試験を行った。結果を表１に示す。
【００２７】（物理強度（剛性）試験）カード中央部に
１０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力を印加したときのカードの反
り、および圧力印加後のカードの厚みの変化量を測定し
た。表１中、○は剛性が強く十分な物理強度を有してい
ることを示し、×は剛性は弱く物理強度が不十分である
ことを示す。
１０ｋｇｆ／ｃｍ2 の圧力を印加したときのカードの反
り、および圧力印加後のカードの厚みの変化量を測定し
た。表１中、○は剛性が強く十分な物理強度を有してい
ることを示し、×は剛性は弱く物理強度が不十分である
ことを示す。
【００２８】（帯電防止効果試験）静電気試験機（ＳＡ
ＮＫＩ ＥＬＥＣＴＯＮＩＣ社製（３０−Ａ）、印加電
圧−１５ｋＶ、放電抵抗５００Ω、コンデンサ容量１０
０ｐＦ）を用いてカード表面上に９箇所電場を印加した
後、カード表面上の静電気を静電テスタ（ＳＡＮＫＩ
ＥＬＥＣＴＯＮＩＣ社製（ＤＺ３））を用いて測定し
た。表１中、○は帯電量が少なく、良好な帯電防止効果
がを有していることを示し、×は帯電量が多く、帯電防
止効果が不十分であることを示す。
ＮＫＩ ＥＬＥＣＴＯＮＩＣ社製（３０−Ａ）、印加電
圧−１５ｋＶ、放電抵抗５００Ω、コンデンサ容量１０
０ｐＦ）を用いてカード表面上に９箇所電場を印加した
後、カード表面上の静電気を静電テスタ（ＳＡＮＫＩ
ＥＬＥＣＴＯＮＩＣ社製（ＤＺ３））を用いて測定し
た。表１中、○は帯電量が少なく、良好な帯電防止効果
がを有していることを示し、×は帯電量が多く、帯電防
止効果が不十分であることを示す。
【００２９】（帯電防止効果の耐水性試験）水深５０ｃ
ｍ、水温２０℃の環境下に３０分保持した後、上記の同
様の帯電防止効果試験を行った。表１中、○は帯電防止
効果の耐水性が良好であることを示し、×は帯電防止効
果の耐水性が不十分であることを示す。
ｍ、水温２０℃の環境下に３０分保持した後、上記の同
様の帯電防止効果試験を行った。表１中、○は帯電防止
効果の耐水性が良好であることを示し、×は帯電防止効
果の耐水性が不十分であることを示す。
【００３０】
【表１】
【００３１】表１に示すように、本発明の非接触型ＩＣ
カードによれば、カード基材の物理的強度が低下するこ
となく、また、水によって帯電防止剤が溶出して帯電防
止効果が低下することがない、長期にわたって永続する
耐静電気特性を有する火接触型ＩＣカードを得ることが
できた。
カードによれば、カード基材の物理的強度が低下するこ
となく、また、水によって帯電防止剤が溶出して帯電防
止効果が低下することがない、長期にわたって永続する
耐静電気特性を有する火接触型ＩＣカードを得ることが
できた。
【００３２】本発明は上記の実施形態に限定されない。
例えば、非接触型ＩＣモジュールを装填する空隙部は、
樹脂などで埋め込んで形成することもできる。また、カ
ードの構成として２枚のカード基材でＩＣモジュールを
挟み込む構造としているが、３枚以上のカード基材を用
いてもよく、また、ＩＣモジュール上に１枚のカード基
材を積層させるだけの構成としてもよい。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことがで
きる。
例えば、非接触型ＩＣモジュールを装填する空隙部は、
樹脂などで埋め込んで形成することもできる。また、カ
ードの構成として２枚のカード基材でＩＣモジュールを
挟み込む構造としているが、３枚以上のカード基材を用
いてもよく、また、ＩＣモジュール上に１枚のカード基
材を積層させるだけの構成としてもよい。その他、本発
明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことがで
きる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の非接触型ＩＣカードによれば、
非接触型ＩＣカード内に帯電防止層が形成されており、
カード基材に帯電防止剤を添加していないのでカード基
材の物理的強度が低下するという新たな問題を起こすこ
とはなく、また、帯電防止層がカード表面に露出してい
ないので、カードの使用を重ねても帯電防止剤の剥がれ
が生じたり、水や薬品によって帯電防止剤が溶出するこ
とがないので、長期にわたって永続する耐静電気特性を
有する。
非接触型ＩＣカード内に帯電防止層が形成されており、
カード基材に帯電防止剤を添加していないのでカード基
材の物理的強度が低下するという新たな問題を起こすこ
とはなく、また、帯電防止層がカード表面に露出してい
ないので、カードの使用を重ねても帯電防止剤の剥がれ
が生じたり、水や薬品によって帯電防止剤が溶出するこ
とがないので、長期にわたって永続する耐静電気特性を
有する。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１（ａ）は本発明の実施形態にかかる非接触
型ＩＣカードの平面図であり、図１（ｂ）は（ａ）中の
Ａ−Ａ’における断面図であり、図１（ｃ）は本発明の
実施形態にかかる非接触型ＩＣカードの構成を示す断面
図である。
型ＩＣカードの平面図であり、図１（ｂ）は（ａ）中の
Ａ−Ａ’における断面図であり、図１（ｃ）は本発明の
実施形態にかかる非接触型ＩＣカードの構成を示す断面
図である。
【符号の説明】 １０…非接触型ＩＣカード、１１…第１カード基材、１
１’…非接触型ＩＣモジュール用凹部、１２…第２カー
ド基材、１２’…非接触型ＩＣモジュール用凹部、１３
…空隙部、１４…帯電防止層、１５…非接触型ＩＣモジ
ュール、１５ａ…ＩＣチップ、１６…接着剤層。
１’…非接触型ＩＣモジュール用凹部、１２…第２カー
ド基材、１２’…非接触型ＩＣモジュール用凹部、１３
…空隙部、１４…帯電防止層、１５…非接触型ＩＣモジ
ュール、１５ａ…ＩＣチップ、１６…接着剤層。
Claims (4)
- 【請求項１】ＩＣモジュールと、 前記ＩＣモジュールを包囲する保護部材とを有する非接
触型ＩＣカードにおいて、 前記保護部材の内部に帯電防止層を有する非接触型ＩＣ
カード。 - 【請求項２】前記帯電防止層を、前記ＩＣモジュールの
第１の表面と該第１の表面と対向する第２の表面とを覆
うように形成させた請求項１記載の非接触型ＩＣカー
ド。 - 【請求項３】前記非接触型ＩＣカード内に空隙部を有し
ており、 前記空隙部の表面の少なくとも一部を被覆して前記帯電
防止層が形成されている請求項１または２に記載の非接
触型ＩＣカード。 - 【請求項４】前記帯電防止層が、カチオン系水溶液を塗
布して形成された層である請求項１〜３のいずれかに記
載の非接触型ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5209198A JPH11250209A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 非接触型ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5209198A JPH11250209A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 非接触型ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250209A true JPH11250209A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=12905173
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5209198A Pending JPH11250209A (ja) | 1998-03-04 | 1998-03-04 | 非接触型ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250209A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002109496A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触式データキャリア |
| JP2010102698A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2013175037A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃタグ |
| US8629547B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip package |
| JP2014123375A (ja) * | 2008-05-12 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
-
1998
- 1998-03-04 JP JP5209198A patent/JPH11250209A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002109496A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-04-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 非接触式データキャリア |
| JP4614518B2 (ja) * | 2000-10-04 | 2011-01-19 | 大日本印刷株式会社 | 非接触式データキャリア |
| JP2014123375A (ja) * | 2008-05-12 | 2014-07-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US9048277B2 (en) | 2008-05-12 | 2015-06-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device |
| JP2010102698A (ja) * | 2008-09-25 | 2010-05-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2014067423A (ja) * | 2008-09-25 | 2014-04-17 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
| US8803298B2 (en) | 2008-09-25 | 2014-08-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method of the same |
| JP2015084228A (ja) * | 2008-09-25 | 2015-04-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| JP2016076226A (ja) * | 2008-09-25 | 2016-05-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| US8629547B2 (en) | 2010-09-29 | 2014-01-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor chip package |
| JP2013175037A (ja) * | 2012-02-24 | 2013-09-05 | Dainippon Printing Co Ltd | Ｉｃタグ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050228 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060815 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20061212 |