JP2003288576A - 非接触型ｉｃカード用インレットの製造方法および非接触型ｉｃカード - Google Patents
非接触型ｉｃカード用インレットの製造方法および非接触型ｉｃカードInfo
- Publication number
- JP2003288576A JP2003288576A JP2002093210A JP2002093210A JP2003288576A JP 2003288576 A JP2003288576 A JP 2003288576A JP 2002093210 A JP2002093210 A JP 2002093210A JP 2002093210 A JP2002093210 A JP 2002093210A JP 2003288576 A JP2003288576 A JP 2003288576A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wiring board
- semiconductor chip
- card
- inlet
- contact type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/35—Mechanical effects
- H01L2924/351—Thermal stress
- H01L2924/3511—Warping
Abstract
(57)【要約】
【課題】 配線基板の熱変形による影響を低減した非接
触型ＩＣカード用インレットの製造方法およびこの方法
によって製造したインレットを用いた非接触型ＩＣカー
ドを提供する。 【解決手段】 配線基板１の一方の面に形成された配線
パターン２上に設けられた取り付け位置へ半導体チップ
５が接着され、取り付け位置および当該取り付け位置の
裏側となる位置が封止材３ａ、３ｂによって封止された
非接触型ＩＣカード用のインレットを製造する方法であ
って、取り付け位置の裏側となる位置に封止材３ｂを配
置し、半導体チップ５を保護する補強板４ｂを封止材３
ｂを介して取り付け位置の裏側となる位置に配置し、封
止材３ｂを硬化させ、取り付け位置へ半導体チップ５を
接着し、半導体チップ５の上面および取り付け位置の周
囲に封止材３ａを配置し、半導体チップ５を保護する補
強板４ｂを封止材３ａを介して半導体チップ５の外層に
配置し、封止材３ａを硬化させる。
触型ＩＣカード用インレットの製造方法およびこの方法
によって製造したインレットを用いた非接触型ＩＣカー
ドを提供する。 【解決手段】 配線基板１の一方の面に形成された配線
パターン２上に設けられた取り付け位置へ半導体チップ
５が接着され、取り付け位置および当該取り付け位置の
裏側となる位置が封止材３ａ、３ｂによって封止された
非接触型ＩＣカード用のインレットを製造する方法であ
って、取り付け位置の裏側となる位置に封止材３ｂを配
置し、半導体チップ５を保護する補強板４ｂを封止材３
ｂを介して取り付け位置の裏側となる位置に配置し、封
止材３ｂを硬化させ、取り付け位置へ半導体チップ５を
接着し、半導体チップ５の上面および取り付け位置の周
囲に封止材３ａを配置し、半導体チップ５を保護する補
強板４ｂを封止材３ａを介して半導体チップ５の外層に
配置し、封止材３ａを硬化させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非接触型ＩＣカー
ドに挿入されるインレットを製造する方法に関し、特
に、配線基板の熱変形による影響を低減できる非接触型
ＩＣカード用インレットの製造方法およびこの方法によ
って製造したインレットを用いた非接触型ＩＣカードに
関する。
ドに挿入されるインレットを製造する方法に関し、特
に、配線基板の熱変形による影響を低減できる非接触型
ＩＣカード用インレットの製造方法およびこの方法によ
って製造したインレットを用いた非接触型ＩＣカードに
関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、カード型の情報記憶媒体として
は、プラスチック製のカードに半導体チップを搭載した
「ＩＣカード」が用いられることが多くなっている。Ｉ
Ｃカードには、リーダライタと電気的かつ機械的に接触
する接続端子を備えた「接触型ＩＣカード」と、電磁波
等を用いることによって電気的・機械的な接触を行わず
にリーダ／ライタとの間でデータを送受信する「非接触
型ＩＣカード」とがある。
は、プラスチック製のカードに半導体チップを搭載した
「ＩＣカード」が用いられることが多くなっている。Ｉ
Ｃカードには、リーダライタと電気的かつ機械的に接触
する接続端子を備えた「接触型ＩＣカード」と、電磁波
等を用いることによって電気的・機械的な接触を行わず
にリーダ／ライタとの間でデータを送受信する「非接触
型ＩＣカード」とがある。
【０００３】非接触型ＩＣカードは、配線パターンが形
成されたシート状の樹脂基板に半導体チップを実装して
「インレット」を形成し、この両面をプラスチックシー
トでラミネートすることにより形成されている。
成されたシート状の樹脂基板に半導体チップを実装して
「インレット」を形成し、この両面をプラスチックシー
トでラミネートすることにより形成されている。
【０００４】図７に、一般的な非接触型ＩＣカードの断
面構造を示す。配線基板１は、スクリーン印刷やフォト
エッチング等によって配線パターン２が形成された基板
である。配線パターン２は、ループアンテナやコンデン
サ等である。封止樹脂３（３ａ，３ｂ）は、半導体チッ
プ５を汚れ、水分等から保護するために配置される樹脂
であり、一般的にはエポキシ系やシリコン系の樹脂が用
いられる。補強板４（４ａ，４ｂ）は、半導体チップ５
を外力から保護するために封止樹脂３を介して装着され
る板材であり、一般的にはステンレス材が用いられる。
半導体チップ５は、演算処理やデータの保存を行う半導
体素子であり、配線基板１から剥離したりチップ自体が
壊れないよう補強板４により保護されている。配線基板
保護層６（６ａ，６ｂ）は、配線基板１に形成された配
線パターン２を保護する樹脂層であり、例えば、非結晶
性コポリエステル（ＰＥＴ−Ｇ）が適用される。プラス
チックシート７（７ａ，７ｂ）は、ＩＣカードの最外層
となる樹脂層であり、ポリエチレンテレフタレート（Po
lyEthylene Terephthalate：以下、ＰＥＴ）やＰＥＴ−
Ｇが適用される。
面構造を示す。配線基板１は、スクリーン印刷やフォト
エッチング等によって配線パターン２が形成された基板
である。配線パターン２は、ループアンテナやコンデン
サ等である。封止樹脂３（３ａ，３ｂ）は、半導体チッ
プ５を汚れ、水分等から保護するために配置される樹脂
であり、一般的にはエポキシ系やシリコン系の樹脂が用
いられる。補強板４（４ａ，４ｂ）は、半導体チップ５
を外力から保護するために封止樹脂３を介して装着され
る板材であり、一般的にはステンレス材が用いられる。
半導体チップ５は、演算処理やデータの保存を行う半導
体素子であり、配線基板１から剥離したりチップ自体が
壊れないよう補強板４により保護されている。配線基板
保護層６（６ａ，６ｂ）は、配線基板１に形成された配
線パターン２を保護する樹脂層であり、例えば、非結晶
性コポリエステル（ＰＥＴ−Ｇ）が適用される。プラス
チックシート７（７ａ，７ｂ）は、ＩＣカードの最外層
となる樹脂層であり、ポリエチレンテレフタレート（Po
lyEthylene Terephthalate：以下、ＰＥＴ）やＰＥＴ−
Ｇが適用される。
【０００５】インレットは、半導体チップ５を回路（す
なわち、配線パターン２）が形成された配線基板１に接
着し、半導体チップ５の周囲を封止樹脂３ａ，３ｂで封
止し、補強板４ａ，４ｂを装着することにより形成され
る。インレットの両面は、配線基板保護層６ａ，６ｂを
介してプラスチックシート７ａ，７ｂと張り合わされて
いる。
なわち、配線パターン２）が形成された配線基板１に接
着し、半導体チップ５の周囲を封止樹脂３ａ，３ｂで封
止し、補強板４ａ，４ｂを装着することにより形成され
る。インレットの両面は、配線基板保護層６ａ，６ｂを
介してプラスチックシート７ａ，７ｂと張り合わされて
いる。
【０００６】図８に、非接触型ＩＣカード用インレット
を従来の方法で製造する場合の工程の流れを示す。 配線基板に設けられた配線パターンへ半導体チップを
接着する工程（チップ接着工程）。 配線パターンが形成された側の面（以下、表面と記
す。）を樹脂により封止するとともに補強板を装着する
工程（表面封止・補強工程）。 配線パターンが形成された側と反対側の面（以下、裏
面と記す。）を樹脂により封止するとともに補強板を装
着する工程（裏面封止・補強工程）。 従来は、上記行程順で非接触ＩＣカード用インレットを
製造していた。
を従来の方法で製造する場合の工程の流れを示す。 配線基板に設けられた配線パターンへ半導体チップを
接着する工程（チップ接着工程）。 配線パターンが形成された側の面（以下、表面と記
す。）を樹脂により封止するとともに補強板を装着する
工程（表面封止・補強工程）。 配線パターンが形成された側と反対側の面（以下、裏
面と記す。）を樹脂により封止するとともに補強板を装
着する工程（裏面封止・補強工程）。 従来は、上記行程順で非接触ＩＣカード用インレットを
製造していた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】半導体チップ５を配線
基板１に形成された配線パターン２へ熱接着する際に
は、接点部を加熱して配線パターン２の表面に設けられ
た接着剤を溶融する必要がある。このため、半導体チッ
プを接着する際には、図９に示すように約３００℃に保
持されたチップ圧着ヘッド１０によって半導体チップ５
を加熱した上で配線基板１へ接着している。この時、チ
ップ圧着ヘッド１０と配線基板１とは接触しないもの
の、チップ圧着ヘッド１０から放射される熱によって図
１０（ａ）に示すように配線基板１が変形してしまう。
基板１に形成された配線パターン２へ熱接着する際に
は、接点部を加熱して配線パターン２の表面に設けられ
た接着剤を溶融する必要がある。このため、半導体チッ
プを接着する際には、図９に示すように約３００℃に保
持されたチップ圧着ヘッド１０によって半導体チップ５
を加熱した上で配線基板１へ接着している。この時、チ
ップ圧着ヘッド１０と配線基板１とは接触しないもの
の、チップ圧着ヘッド１０から放射される熱によって図
１０（ａ）に示すように配線基板１が変形してしまう。
【０００８】配線基板１が変形してしまうと、図１０
（ｂ）に示すように、封止樹脂３を半導体チップ５の上
面や周囲あるいは取り付け位置の裏側に均一の厚みで配
置できなくなってしまうため、樹脂が厚く配置された部
分は、カード化した際に厚みの規格（例えば、ＩＳＯ規
格：０．６８〜０．８４ｍｍ）をオーバーしてしまうこ
とがある。さらに、補強板４を装着すると、図１０
（ｃ）に示すように、補強板４が半導体チップ５と接触
してしまい、半導体チップ５の動作に悪影響を及ぼして
しまうことがあった。あるいは、補強板４を配線基板１
および半導体チップ５の上面に対して平行に配置するこ
とができないため、カード化した際に補強板４が透けて
見えてしまうことがあった。さらに、補強板４が配線基
板１および半導体チップ５の上面に対して平行に装着さ
れていないと、補強板４と配線基板１との間に封止樹脂
３が入り込まない箇所が生じやすくなる。封止樹脂３が
欠落している箇所があると、カード化した際に膨れやア
バタとなってしまい外観が損なわれるとともに、実装強
度が低下して半導体チップ５が配線基板１から剥離しや
すくなってしまう。
（ｂ）に示すように、封止樹脂３を半導体チップ５の上
面や周囲あるいは取り付け位置の裏側に均一の厚みで配
置できなくなってしまうため、樹脂が厚く配置された部
分は、カード化した際に厚みの規格（例えば、ＩＳＯ規
格：０．６８〜０．８４ｍｍ）をオーバーしてしまうこ
とがある。さらに、補強板４を装着すると、図１０
（ｃ）に示すように、補強板４が半導体チップ５と接触
してしまい、半導体チップ５の動作に悪影響を及ぼして
しまうことがあった。あるいは、補強板４を配線基板１
および半導体チップ５の上面に対して平行に配置するこ
とができないため、カード化した際に補強板４が透けて
見えてしまうことがあった。さらに、補強板４が配線基
板１および半導体チップ５の上面に対して平行に装着さ
れていないと、補強板４と配線基板１との間に封止樹脂
３が入り込まない箇所が生じやすくなる。封止樹脂３が
欠落している箇所があると、カード化した際に膨れやア
バタとなってしまい外観が損なわれるとともに、実装強
度が低下して半導体チップ５が配線基板１から剥離しや
すくなってしまう。
【０００９】このような熱変形による悪影響は、配線基
板１に用いた材料の耐熱性が低いほど顕著に現れる。こ
のため、配線基板１の熱変形による悪影響を低減するた
めには配線基板１に耐熱性の高い材料を用いなければな
らない。しかし、耐熱性の高い樹脂材料は一般的に高価
であり、ＩＣカードの製造コストを上昇させる原因とな
っていた。
板１に用いた材料の耐熱性が低いほど顕著に現れる。こ
のため、配線基板１の熱変形による悪影響を低減するた
めには配線基板１に耐熱性の高い材料を用いなければな
らない。しかし、耐熱性の高い樹脂材料は一般的に高価
であり、ＩＣカードの製造コストを上昇させる原因とな
っていた。
【００１０】本発明は、かかる問題に鑑みてなされたも
のであり、配線基板の熱変形による影響を低減した非接
触型ＩＣカード用インレットの製造方法およびこの方法
によって製造したインレットを用いた非接触型ＩＣカー
ドを提供することを目的とする。
のであり、配線基板の熱変形による影響を低減した非接
触型ＩＣカード用インレットの製造方法およびこの方法
によって製造したインレットを用いた非接触型ＩＣカー
ドを提供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、第１の態様として、配線基板の一方の面
に形成された配線パターン上に設けられた取り付け位置
へ半導体チップが接着され、取り付け位置および当該取
り付け位置の裏側となる位置が封止材によって封止され
た非接触型ＩＣカード用インレットを製造する方法であ
って、取り付け位置の裏側となる位置に第１の封止材を
配置する工程と、半導体チップを保護する第１の補強板
を第１の封止材を介して取り付け位置の裏側となる位置
に配置する工程と、第１の封止材を硬化させる工程と、
取り付け位置へ半導体チップを接着する工程と、半導体
チップの上面および取り付け位置の周囲に第２の封止材
を配置する工程と、半導体チップを保護する第２の補強
板を、第２の封止材を介して半導体チップの外層に配置
する工程と、第２の封止材を硬化させる工程とを有する
ことを特徴とする非接触型ＩＣカード用インレットの製
造方法を提供するものである。以上の方法によれば、半
導体チップを取り付ける前に、取り付け位置の裏側を予
め封止材で補強できるため、チップ接着時に生じる配線
基板の熱変形を低減することができる。よって、配線基
板に耐熱性の低い材料を用いることが可能となる。換言
すると、配線基板にＰＥＴ樹脂等の耐熱性の低い材料を
用いても、取り付け位置の両面に補強板を配線基板と平
行に装着できる。これにより、不良品の発生率を低減
し、歩留まりを向上させることができる。
め、本発明は、第１の態様として、配線基板の一方の面
に形成された配線パターン上に設けられた取り付け位置
へ半導体チップが接着され、取り付け位置および当該取
り付け位置の裏側となる位置が封止材によって封止され
た非接触型ＩＣカード用インレットを製造する方法であ
って、取り付け位置の裏側となる位置に第１の封止材を
配置する工程と、半導体チップを保護する第１の補強板
を第１の封止材を介して取り付け位置の裏側となる位置
に配置する工程と、第１の封止材を硬化させる工程と、
取り付け位置へ半導体チップを接着する工程と、半導体
チップの上面および取り付け位置の周囲に第２の封止材
を配置する工程と、半導体チップを保護する第２の補強
板を、第２の封止材を介して半導体チップの外層に配置
する工程と、第２の封止材を硬化させる工程とを有する
ことを特徴とする非接触型ＩＣカード用インレットの製
造方法を提供するものである。以上の方法によれば、半
導体チップを取り付ける前に、取り付け位置の裏側を予
め封止材で補強できるため、チップ接着時に生じる配線
基板の熱変形を低減することができる。よって、配線基
板に耐熱性の低い材料を用いることが可能となる。換言
すると、配線基板にＰＥＴ樹脂等の耐熱性の低い材料を
用いても、取り付け位置の両面に補強板を配線基板と平
行に装着できる。これにより、不良品の発生率を低減
し、歩留まりを向上させることができる。
【００１２】上記本発明の第１の態様において、第１お
よび第２の封止材を所定の厚さよりも厚く配置し、第１
および第２の補強板を配線基板へ押しつけて第１および
第２の封止材の厚さを所定の厚さとすることが好まし
い。例えば、補強板を配線基板に対して垂直に押しつけ
るとよい。このようにすれば、配線基板または半導体チ
ップと補強板との間隔を所定の距離にした上で、隙間な
く封止材を配置できる。よって、配線基板または半導体
チップと補強板との間に封止材が欠落している箇所が存
在しなくなるため、半導体チップの実装強度を向上させ
ることができる。
よび第２の封止材を所定の厚さよりも厚く配置し、第１
および第２の補強板を配線基板へ押しつけて第１および
第２の封止材の厚さを所定の厚さとすることが好まし
い。例えば、補強板を配線基板に対して垂直に押しつけ
るとよい。このようにすれば、配線基板または半導体チ
ップと補強板との間隔を所定の距離にした上で、隙間な
く封止材を配置できる。よって、配線基板または半導体
チップと補強板との間に封止材が欠落している箇所が存
在しなくなるため、半導体チップの実装強度を向上させ
ることができる。
【００１３】また、上記目的を達成するため、本発明
は、第２の態様として、上記本発明の第１の態様による
非接触ＩＣカード用インレットの製造方法を適用して製
造したインレットの両面をプラスチックシートでラミネ
ートしたことを特徴とする非接触型ＩＣカードを提供す
るものである。これにより、透け、膨れ、アバタ等が生
じていない美しい外観を備えた非接触型ＩＣカードを提
供できる。また、補強板が配線基板の両面に確実に接着
されているため、カードに曲げやねじれ等の外力が作用
しても半導体チップが配線基板から剥離しにくい非接触
型ＩＣカードを提供できる。
は、第２の態様として、上記本発明の第１の態様による
非接触ＩＣカード用インレットの製造方法を適用して製
造したインレットの両面をプラスチックシートでラミネ
ートしたことを特徴とする非接触型ＩＣカードを提供す
るものである。これにより、透け、膨れ、アバタ等が生
じていない美しい外観を備えた非接触型ＩＣカードを提
供できる。また、補強板が配線基板の両面に確実に接着
されているため、カードに曲げやねじれ等の外力が作用
しても半導体チップが配線基板から剥離しにくい非接触
型ＩＣカードを提供できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の好適な実施の形態を図面
を用いて説明する。図１に、本実施形態による非接触型
ＩＣカード用インレットの製造方法の工程を示す。な
お、本実施形態によって製造されるインレットは、図７
に示した非接触型ＩＣカードに適用されるものと同様で
ある。また、図２に本実施形態の各工程でのインレット
の状態を示す。 裏面封止・補強工程（図２（ａ））。 チップ接着工程（図２（ｂ））。 表面封止・補強工程（図２（ｃ））。 本実施形態では、上記行程順でインレットを形成する。
を用いて説明する。図１に、本実施形態による非接触型
ＩＣカード用インレットの製造方法の工程を示す。な
お、本実施形態によって製造されるインレットは、図７
に示した非接触型ＩＣカードに適用されるものと同様で
ある。また、図２に本実施形態の各工程でのインレット
の状態を示す。 裏面封止・補強工程（図２（ａ））。 チップ接着工程（図２（ｂ））。 表面封止・補強工程（図２（ｃ））。 本実施形態では、上記行程順でインレットを形成する。
【００１５】図３は、本実施形態による非接触型ＩＣカ
ード用インレットの製造方法の詳細な手順を示すフロー
チャートである。このフローチャートおよび図４から図
６を用いて、本実施形態による非接触型ＩＣカード用イ
ンレットの製造方法の手順を具体的に説明する。図４
（ａ），（ｂ）に、裏面封止・補強工程の手順を示す。
まず（ａ）に示すように、配線基板１の裏面に封止樹脂
３ｂを配置する（ステップＳ１０１）。封止樹脂３ｂ
は、スクリーン印刷によって配線基板１上に配置しても
よいし、ディスペンサを用いて配線基板１上に配置して
もよい。なお、封止樹脂３ｂは、所定の厚さ（完成状態
での厚さ）よりも厚く配置される。
ード用インレットの製造方法の詳細な手順を示すフロー
チャートである。このフローチャートおよび図４から図
６を用いて、本実施形態による非接触型ＩＣカード用イ
ンレットの製造方法の手順を具体的に説明する。図４
（ａ），（ｂ）に、裏面封止・補強工程の手順を示す。
まず（ａ）に示すように、配線基板１の裏面に封止樹脂
３ｂを配置する（ステップＳ１０１）。封止樹脂３ｂ
は、スクリーン印刷によって配線基板１上に配置しても
よいし、ディスペンサを用いて配線基板１上に配置して
もよい。なお、封止樹脂３ｂは、所定の厚さ（完成状態
での厚さ）よりも厚く配置される。
【００１６】裏面に封止樹脂３ｂを配置した後、封止樹
脂３ｂが所定の厚さとなるように補強板４ｂを配線基板
１に対して垂直に加圧して、封止樹脂３ｂの上に補強板
４を配置する（ステップＳ１０２）。（ｂ）に示すよう
に、このとき配線基板１は変形していないため、補強板
４ｂを配線基板１と平行に配置できる。その後、封止樹
脂３ｂを乾燥させて配線基板１の裏面を封止する（ステ
ップＳ１０３）。
脂３ｂが所定の厚さとなるように補強板４ｂを配線基板
１に対して垂直に加圧して、封止樹脂３ｂの上に補強板
４を配置する（ステップＳ１０２）。（ｂ）に示すよう
に、このとき配線基板１は変形していないため、補強板
４ｂを配線基板１と平行に配置できる。その後、封止樹
脂３ｂを乾燥させて配線基板１の裏面を封止する（ステ
ップＳ１０３）。
【００１７】図５（ａ），（ｂ）に、チップ接着工程の
手順を示す。（ａ），（ｂ）にそれぞれ示すように、配
線基板１の表面に設けられた配線パターン２へ半導体チ
ップ５を接着する（ステップＳ１０４）。半導体チップ
５の接着は、従来と同様に約３００℃に保持されたチッ
プ圧着ヘッド１０を用いて行うため、チップ圧着ヘッド
１０から配線基板１へ熱が放射される。しかし、本実施
形態による非接触型ＩＣカード用インレットの製造方法
では、配線基板１の裏面は、すでに樹脂で封止されたう
えに補強板４ｂが装着されているため、配線基板１はチ
ップ圧着ヘッド１０から放射された熱の影響によって変
形することがない。
手順を示す。（ａ），（ｂ）にそれぞれ示すように、配
線基板１の表面に設けられた配線パターン２へ半導体チ
ップ５を接着する（ステップＳ１０４）。半導体チップ
５の接着は、従来と同様に約３００℃に保持されたチッ
プ圧着ヘッド１０を用いて行うため、チップ圧着ヘッド
１０から配線基板１へ熱が放射される。しかし、本実施
形態による非接触型ＩＣカード用インレットの製造方法
では、配線基板１の裏面は、すでに樹脂で封止されたう
えに補強板４ｂが装着されているため、配線基板１はチ
ップ圧着ヘッド１０から放射された熱の影響によって変
形することがない。
【００１８】図６（ａ），（ｂ）に、表面封止・補強工
程の手順を示す。（ａ）に示すように、半導体チップ５
を接着した後、半導体チップ５の上面および周囲に封止
樹脂３ａを均一の厚みで配置する（ステップＳ１０
５）。封止樹脂３ａは、スクリーン印刷によって半導体
チップ５上面および周囲に配置してもよいし、ディスペ
ンサを用いて配置してもよい。裏面と同様に、封止樹脂
３ａは所定の厚さ（完成状態での厚さ）よりも厚く配置
される。
程の手順を示す。（ａ）に示すように、半導体チップ５
を接着した後、半導体チップ５の上面および周囲に封止
樹脂３ａを均一の厚みで配置する（ステップＳ１０
５）。封止樹脂３ａは、スクリーン印刷によって半導体
チップ５上面および周囲に配置してもよいし、ディスペ
ンサを用いて配置してもよい。裏面と同様に、封止樹脂
３ａは所定の厚さ（完成状態での厚さ）よりも厚く配置
される。
【００１９】表面に封止樹脂を配置した後、封止樹脂３
ａが所定の厚さとなるように補強板４ａを配線基板１に
対して垂直に加圧して、封止樹脂３ａの上に補強板４ａ
を配置する（ステップＳ１０６）。（ｂ）に示すよう
に、本実施形態では配線基板１がチップ圧着ヘッドから
放射された熱の影響を受けていないため平らであり、補
強板４ａを配線基板１と平行に配置できる。その後、封
止樹脂３ａを乾燥させて配線基板１の表面を封止する
（ステップＳ１０７）。
ａが所定の厚さとなるように補強板４ａを配線基板１に
対して垂直に加圧して、封止樹脂３ａの上に補強板４ａ
を配置する（ステップＳ１０６）。（ｂ）に示すよう
に、本実施形態では配線基板１がチップ圧着ヘッドから
放射された熱の影響を受けていないため平らであり、補
強板４ａを配線基板１と平行に配置できる。その後、封
止樹脂３ａを乾燥させて配線基板１の表面を封止する
（ステップＳ１０７）。
【００２０】本実施形態による非接触型ＩＣカード用イ
ンレットの製造方法によれば、半導体チップ５を配線パ
ターン２へ熱接着する際に、配線基板１の熱変形を防止
できる。配線基板１の熱変形を防止したことにより、封
止樹脂３ａ，３ｂを均一の厚さで配置できるため、外観
が損なわれることがなくなり、歩留まりを向上させるこ
とができる。また、配線基板１の熱変形を防止したこと
により、配線基板１に耐熱性の低い材料（例えばＰＥＴ
樹脂）を用いることができる。これにより、ポリイミド
(PolyImide：以下、ＰＩ）やポリエチレンナフタレート
（PolyEthylene Naphthalate：以下、ＰＥＮ）等の耐熱
性は高いが高価な材料を用いる必要がなくなる。よっ
て、上記手順で製造したインレットの両面をプラスチッ
クシートでラミネートした非接触型ＩＣカードは、外観
が向上するとともに製造コストを抑えることができる。
ンレットの製造方法によれば、半導体チップ５を配線パ
ターン２へ熱接着する際に、配線基板１の熱変形を防止
できる。配線基板１の熱変形を防止したことにより、封
止樹脂３ａ，３ｂを均一の厚さで配置できるため、外観
が損なわれることがなくなり、歩留まりを向上させるこ
とができる。また、配線基板１の熱変形を防止したこと
により、配線基板１に耐熱性の低い材料（例えばＰＥＴ
樹脂）を用いることができる。これにより、ポリイミド
(PolyImide：以下、ＰＩ）やポリエチレンナフタレート
（PolyEthylene Naphthalate：以下、ＰＥＮ）等の耐熱
性は高いが高価な材料を用いる必要がなくなる。よっ
て、上記手順で製造したインレットの両面をプラスチッ
クシートでラミネートした非接触型ＩＣカードは、外観
が向上するとともに製造コストを抑えることができる。
【００２１】〔実施例〕以下に、本実施形態による非接
触型ＩＣカード用インレットの製造方法の具体的な実施
例を説明する。本実施例では、配線基板には厚さ７０μ
ｍのＰＥＴ樹脂製のシートを適用し、封止樹脂には一般
的なエポキシ系の樹脂を適用する。まず、図４（ａ）に
示すように、配線基板１の裏面に封止樹脂３ｂを塗布す
る（図３、ステップＳ１０１）。封止樹脂３ｂは、スク
リーン印刷によって配線基板１上に塗布してもよいし、
ディスペンサを用いて配線基板上に塗布してもよい。な
お、封止樹脂３ｂは、所定の厚さ（完成状態での厚さ６
０〜７０μｍ）よりも厚く塗布する。
触型ＩＣカード用インレットの製造方法の具体的な実施
例を説明する。本実施例では、配線基板には厚さ７０μ
ｍのＰＥＴ樹脂製のシートを適用し、封止樹脂には一般
的なエポキシ系の樹脂を適用する。まず、図４（ａ）に
示すように、配線基板１の裏面に封止樹脂３ｂを塗布す
る（図３、ステップＳ１０１）。封止樹脂３ｂは、スク
リーン印刷によって配線基板１上に塗布してもよいし、
ディスペンサを用いて配線基板上に塗布してもよい。な
お、封止樹脂３ｂは、所定の厚さ（完成状態での厚さ６
０〜７０μｍ）よりも厚く塗布する。
【００２２】裏面に封止樹脂を塗布した後、封止樹脂３
ｂが所定の厚さとなるように補強板４ｂ（ステンレス
製、厚さ５０μｍ）を配線基板１の方向に加圧して、封
止樹脂３ｂの上へ補強板４を配置する（図３、ステップ
Ｓ１０２）。図４（ｂ）に示すように配線基板１は変形
していないため、補強板４ｂを配線基板１と平行に配置
できる。その後、封止樹脂３ｂを１００℃、１０ｍｉｎ
の条件で乾燥させて配線基板１の裏面を封止する（図
３、ステップＳ１０３）。なお、ＰＥＴ樹脂で形成され
た配線基板１は、上記の乾燥条件では変形しない。
ｂが所定の厚さとなるように補強板４ｂ（ステンレス
製、厚さ５０μｍ）を配線基板１の方向に加圧して、封
止樹脂３ｂの上へ補強板４を配置する（図３、ステップ
Ｓ１０２）。図４（ｂ）に示すように配線基板１は変形
していないため、補強板４ｂを配線基板１と平行に配置
できる。その後、封止樹脂３ｂを１００℃、１０ｍｉｎ
の条件で乾燥させて配線基板１の裏面を封止する（図
３、ステップＳ１０３）。なお、ＰＥＴ樹脂で形成され
た配線基板１は、上記の乾燥条件では変形しない。
【００２３】封止樹脂３ｂが乾燥したのち、図５
（ａ），（ｂ）に示すように、チップ圧着ヘッド１０を
用いて半導体チップ５（厚さ２００μｍ）を配線基板１
の表面に設けられた配線パターン２へ熱接着する（図
３、ステップＳ１０４）。配線基板１の裏面は、すでに
樹脂で封止されたうえに補強板４ｂが装着されているた
め、配線基板１がチップ圧着ヘッド１０から放射された
熱の影響を受けて変形することはない。
（ａ），（ｂ）に示すように、チップ圧着ヘッド１０を
用いて半導体チップ５（厚さ２００μｍ）を配線基板１
の表面に設けられた配線パターン２へ熱接着する（図
３、ステップＳ１０４）。配線基板１の裏面は、すでに
樹脂で封止されたうえに補強板４ｂが装着されているた
め、配線基板１がチップ圧着ヘッド１０から放射された
熱の影響を受けて変形することはない。
【００２４】半導体チップ５を接着したのち、図６
（ａ）に示すように、半導体チップ５の上面および周囲
に封止樹脂３ａを均一の厚みで塗布する（図３、ステッ
プＳ１０５）。封止樹脂３ａは、スクリーン印刷によっ
て半導体チップ５の上面および周囲に塗布してもよい
し、ディスペンサを用いて塗布してもよい。裏面と同様
に、封止樹脂３ａは所定の厚さ（半導体チップ５上にお
ける完成状態での厚さ、８０〜９０μｍ）よりも厚く塗
布する。
（ａ）に示すように、半導体チップ５の上面および周囲
に封止樹脂３ａを均一の厚みで塗布する（図３、ステッ
プＳ１０５）。封止樹脂３ａは、スクリーン印刷によっ
て半導体チップ５の上面および周囲に塗布してもよい
し、ディスペンサを用いて塗布してもよい。裏面と同様
に、封止樹脂３ａは所定の厚さ（半導体チップ５上にお
ける完成状態での厚さ、８０〜９０μｍ）よりも厚く塗
布する。
【００２５】表面に封止樹脂３ａを配置したら、封止樹
脂３ａが所定の厚さとなるように補強板４ａ（ステンレ
ス製、厚さ５０μｍ）を配線基板１に対して垂直に加圧
して、封止樹脂３ａの上に補強板４ａを配置する（図
３、ステップＳ１０６）。図６（ｂ）に示すように、配
線基板１がチップ圧着ヘッド１０から放射された熱の影
響を受けていないため、補強板４ａを配線基板１と平行
に配置できる。その後、封止樹脂３ａを１００℃、１０
ｍｉｎの条件で乾燥させて配線基板１の表面を封止する
（ステップＳ１０７）。裏面と同様にＰＥＴ樹脂で形成
された配線基板１は、上記乾燥条件では変形しない。
脂３ａが所定の厚さとなるように補強板４ａ（ステンレ
ス製、厚さ５０μｍ）を配線基板１に対して垂直に加圧
して、封止樹脂３ａの上に補強板４ａを配置する（図
３、ステップＳ１０６）。図６（ｂ）に示すように、配
線基板１がチップ圧着ヘッド１０から放射された熱の影
響を受けていないため、補強板４ａを配線基板１と平行
に配置できる。その後、封止樹脂３ａを１００℃、１０
ｍｉｎの条件で乾燥させて配線基板１の表面を封止する
（ステップＳ１０７）。裏面と同様にＰＥＴ樹脂で形成
された配線基板１は、上記乾燥条件では変形しない。
【００２６】また、上記手順で形成したインレットの両
面をＰＥＴ製のプラスチックシートでラミネートした非
接触型ＩＣカードは、ＰＩやＰＥＮなどで形成された配
線基板１を用いて従来の方法によって製造したインレッ
トを使用した非接触型ＩＣカードと同等の強度を有す
る。また、本実施例の条件で製造したインレットを用い
た非接触型ＩＣカードは、配線基板１としてＰＥＴ樹脂
製のシートを用い従来の方法で製造したインレットを使
用したものよりも外観が向上するとともに、強度が高く
なり歩留まりが向上するため製造コストが低下する。
面をＰＥＴ製のプラスチックシートでラミネートした非
接触型ＩＣカードは、ＰＩやＰＥＮなどで形成された配
線基板１を用いて従来の方法によって製造したインレッ
トを使用した非接触型ＩＣカードと同等の強度を有す
る。また、本実施例の条件で製造したインレットを用い
た非接触型ＩＣカードは、配線基板１としてＰＥＴ樹脂
製のシートを用い従来の方法で製造したインレットを使
用したものよりも外観が向上するとともに、強度が高く
なり歩留まりが向上するため製造コストが低下する。
【００２７】本実施形態による非接触型ＩＣカード用イ
ンレットの製造方法は、半導体チップ５を配線基板１へ
接着するより先に取り付け位置の裏面を樹脂封止して補
強板３ｂを装着することにより、配線基板１の熱変形を
防止することができる。この効果は配線基板１に用いた
樹脂材料の種類に関わらず得られるが、耐熱性の低い材
料ほどその効果が顕著となる。さらに、チップ圧着ヘッ
ド１０等の装置は従来の方法と同様のものを適用できる
ため、製造ラインのレイアウトを変更することにより既
存の設備を用いて実施することが可能である。また、本
実施形態による非接触型ＩＣカード用インレットの製造
方法によって製造したインレットを用いた非接触型ＩＣ
カードは、透け、膨れ、アバタ等が生じない上に、低コ
ストで製造できる。
ンレットの製造方法は、半導体チップ５を配線基板１へ
接着するより先に取り付け位置の裏面を樹脂封止して補
強板３ｂを装着することにより、配線基板１の熱変形を
防止することができる。この効果は配線基板１に用いた
樹脂材料の種類に関わらず得られるが、耐熱性の低い材
料ほどその効果が顕著となる。さらに、チップ圧着ヘッ
ド１０等の装置は従来の方法と同様のものを適用できる
ため、製造ラインのレイアウトを変更することにより既
存の設備を用いて実施することが可能である。また、本
実施形態による非接触型ＩＣカード用インレットの製造
方法によって製造したインレットを用いた非接触型ＩＣ
カードは、透け、膨れ、アバタ等が生じない上に、低コ
ストで製造できる。
【００２８】なお、上記実施形態は、本発明の好適な実
施の一例であり、本発明はこれに限定されることはな
い。例えば、上記実施形態ではエポキシ系の樹脂を用い
て配線基板１の表面および裏面を封止しているが、シリ
コン系やフェノール系，ポリイミド系，アクリル系，ウ
レタン系等の樹脂材料を用いて封止してもよい。封止樹
脂３は熱硬化性樹脂に限らず紫外線硬化性の樹脂であっ
てもよい。また、補強板４ａ、４ｂの材料はステンレス
に限定されるものではなく、半導体チップ５を外力から
保護できるものであれば、どのような材質であっても構
わない。また、上記実施例での作業条件に限定されるこ
とはなく、配線基板１、封止樹脂３等の材料の種類に応
じて上記作業条件を適宜変更してもよい。さらに、プラ
スチックシート７ａ，７ｂには、ＰＥＴやＰＥＴ−Ｇの
他にも、塩化ビニル（PolyVinyl Chloride：ＰＶＣ），
ＡＢＳ（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene resin ），
ポリカーボネイド（PolyCarbonate:ＰＣ），ＰＩ等従来
のＩＣカードに用いられているものと同様の材料を適用
できる。このように、本発明は様々な変形が可能であ
る。
施の一例であり、本発明はこれに限定されることはな
い。例えば、上記実施形態ではエポキシ系の樹脂を用い
て配線基板１の表面および裏面を封止しているが、シリ
コン系やフェノール系，ポリイミド系，アクリル系，ウ
レタン系等の樹脂材料を用いて封止してもよい。封止樹
脂３は熱硬化性樹脂に限らず紫外線硬化性の樹脂であっ
てもよい。また、補強板４ａ、４ｂの材料はステンレス
に限定されるものではなく、半導体チップ５を外力から
保護できるものであれば、どのような材質であっても構
わない。また、上記実施例での作業条件に限定されるこ
とはなく、配線基板１、封止樹脂３等の材料の種類に応
じて上記作業条件を適宜変更してもよい。さらに、プラ
スチックシート７ａ，７ｂには、ＰＥＴやＰＥＴ−Ｇの
他にも、塩化ビニル（PolyVinyl Chloride：ＰＶＣ），
ＡＢＳ（Acrylonitrile-Butadiene-Styrene resin ），
ポリカーボネイド（PolyCarbonate:ＰＣ），ＰＩ等従来
のＩＣカードに用いられているものと同様の材料を適用
できる。このように、本発明は様々な変形が可能であ
る。
【００２９】
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明によれば、配線基板に半導体チップを接着する際に生
じる配線基板の熱変形を低減できる。配線基板の熱変形
を低減したことにより、配線基板の材料に耐熱性の低い
材料を用いることが可能となる。よって、本発明を適用
して半導体チップを配線基板へ実装すれば、ＩＣカード
の外観を損なうことなく強度を高められるため、歩留ま
りを向上させられる。また、配線基板に高価な材料を用
い必要がなくなるため、非接触型ＩＣカードの製造コス
トを下げることが可能となる。また、本発明によれば、
外観が美しく半導体チップの実装強度が高い非接触型Ｉ
Ｃカードを提供することができる。
明によれば、配線基板に半導体チップを接着する際に生
じる配線基板の熱変形を低減できる。配線基板の熱変形
を低減したことにより、配線基板の材料に耐熱性の低い
材料を用いることが可能となる。よって、本発明を適用
して半導体チップを配線基板へ実装すれば、ＩＣカード
の外観を損なうことなく強度を高められるため、歩留ま
りを向上させられる。また、配線基板に高価な材料を用
い必要がなくなるため、非接触型ＩＣカードの製造コス
トを下げることが可能となる。また、本発明によれば、
外観が美しく半導体チップの実装強度が高い非接触型Ｉ
Ｃカードを提供することができる。
【図１】本発明を好適に実施した非接触型ＩＣカード用
インレットの製造方法の工程を示すフローチャートであ
る。
インレットの製造方法の工程を示すフローチャートであ
る。
【図２】本発明による非接触型ＩＣカード用インレット
の製造方法におけるインレットの製造工程を示す図であ
る。
の製造方法におけるインレットの製造工程を示す図であ
る。
【図３】本発明による非接触型ＩＣカード用インレット
の製造方法の詳細な手順を示すフローチャートである。
の製造方法の詳細な手順を示すフローチャートである。
【図４】裏面封止・補強工程の概要を示す図である。
【図５】チップ接着工程の概要を示す図である。
【図６】表面封止・補強工程の概要を示す図である。
【図７】非接触型ＩＣカードの断面構造を示す図であ
る。
る。
【図８】従来技術による非接触型ＩＣカード用インレッ
トの製造方法の工程を示すフローチャートである。
トの製造方法の工程を示すフローチャートである。
【図９】チップ圧着ヘッドから放射された熱が配線基板
に影響を及ぼす状態を示す図である。
に影響を及ぼす状態を示す図である。
【図１０】従来の方法によってインレットを製造する場
合に配線基板の熱変形によって生じる問題を示す図であ
る。
合に配線基板の熱変形によって生じる問題を示す図であ
る。
１ 配線基板
２ 端子
３、３ａ、３ｂ 封止樹脂
４、４ａ、４ｂ 補強板
５ 半導体チップ
６、６ａ、６ｂ 配線基板保護層
７、７ａ、７ｂ プラスチックシート
１０ チップ圧着ヘッド
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｈ０１Ｌ 23/28 Ｇ０６Ｋ 19/00 Ｈ
Ｆターム(参考） 2C005 MA19 NA06 NA36 NB01 NB37
RA22
4M109 AA01 BA03 CA04 CA12 EE02
GA03
5B035 BA03 BB09 CA01 CA23
5F044 LL01 RR18 RR19
5F061 AA01 BA03 CA04 CA12 CB07
FA03
Claims (3)
- 【請求項１】 配線基板の一方の面に形成された配線パ
ターン上に設けられた取り付け位置へ半導体チップが接
着され、前記取り付け位置および当該取り付け位置の裏
側となる位置が封止材によって封止された非接触型ＩＣ
カード用インレットを製造する方法であって、 前記取り付け位置の裏側となる位置に第１の封止材を配
置する工程と、 前記半導体チップを保護する第１の補強板を前記第１の
封止材を介して前記取り付け位置の裏側となる位置に配
置する工程と、 前記第１の封止材を硬化させる工程と、 前記取り付け位置へ前記半導体チップを接着する工程
と、 前記半導体チップの上面および前記取り付け位置の周囲
に第２の封止材を配置する工程と、 前記半導体チップを保護する第２の補強板を、前記第２
の封止材を介して前記半導体チップの外層に配置する工
程と、 前記第２の封止材を硬化させる工程とを有することを特
徴とする非接触型ＩＣカード用インレットの製造方法。 - 【請求項２】 前記第１および第２の封止材を所定の厚
さよりも厚く配置し、前記第１および第２の補強板を前
記配線基板へ押しつけて前記第１および第２の封止材の
厚さを所定の厚さとすることを特徴とする請求項１記載
の非接触型ＩＣカード用インレットの製造方法。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の非接触ＩＣカー
ド用インレットの製造方法によって製造したインレット
の両面をプラスチックシートでラミネートしたことを特
徴とする非接触型ＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002093210A JP2003288576A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 非接触型ｉｃカード用インレットの製造方法および非接触型ｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002093210A JP2003288576A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 非接触型ｉｃカード用インレットの製造方法および非接触型ｉｃカード |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003288576A true JP2003288576A (ja) | 2003-10-10 |
Family
ID=29237788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002093210A Pending JP2003288576A (ja) | 2002-03-28 | 2002-03-28 | 非接触型ｉｃカード用インレットの製造方法および非接触型ｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2003288576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1770609A2 (en) | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Fujitsu Ltd. | Radio frequency identification tag |
| KR100723904B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2007-06-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Ｒｆｉｄ 태그 및 ｒｆｉｄ 태그 제조 방법 |
| JP2009230619A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | Ｉｃタグおよびその製造方法 |
| JP2017135286A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2002
- 2002-03-28 JP JP2002093210A patent/JP2003288576A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1770609A2 (en) | 2005-09-28 | 2007-04-04 | Fujitsu Ltd. | Radio frequency identification tag |
| JP2007094634A (ja) * | 2005-09-28 | 2007-04-12 | Fujitsu Ltd | Ｒｆｉｄタグ |
| KR100760504B1 (ko) * | 2005-09-28 | 2007-09-21 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Ｒｆｉｄ 태그 |
| US7364088B2 (en) | 2005-09-28 | 2008-04-29 | Fujitsu Limited | Radio frequency identification tag |
| KR100723904B1 (ko) * | 2005-10-28 | 2007-06-04 | 후지쯔 가부시끼가이샤 | Ｒｆｉｄ 태그 및 ｒｆｉｄ 태그 제조 방법 |
| JP2009230619A (ja) * | 2008-03-25 | 2009-10-08 | Fujitsu Ltd | Ｉｃタグおよびその製造方法 |
| JP2017135286A (ja) * | 2016-01-28 | 2017-08-03 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7363704B2 (en) | RFID tag and method of manufacturing RFID tag | |
| EP1132859B1 (en) | Information recording security tag | |
| EP0488574B1 (en) | Personal data card construction | |
| US10157848B2 (en) | Chip card module arrangement, chip card arrangement and method for producing a chip card arrangement | |
| US8864040B2 (en) | Method of fabricating a microcircuit device | |
| US7456506B2 (en) | Radio frequency identification (RFID) tag lamination process using liner | |
| JP4235042B2 (ja) | 非接触ｉｃカード、ｉｃモジュール及び非接触ｉｃカードの製造方法 | |
| US7674649B2 (en) | Radio frequency identification (RFID) tag lamination process using liner | |
| JP2003288576A (ja) | 非接触型ｉｃカード用インレットの製造方法および非接触型ｉｃカード | |
| JP4754344B2 (ja) | Ｒｆｉｄタグ | |
| JP4278039B2 (ja) | 非接触ｉｃカード、インレットシート及び非接触ｉｃカードの製造方法 | |
| JP2003132331A (ja) | 非接触データキャリア用基材と非接触データキャリア | |
| JPH11345299A (ja) | 非接触型ｉｃカード及びその製造方法 | |
| JP2001319211A (ja) | Ｉｃカードおよびその製造方法 | |
| WO2008047705A1 (fr) | Étiquette de marqueur à circuits imprimés | |
| JP2007272748A (ja) | 非接触通信媒体およびその製造方法 | |
| JP2003317058A (ja) | Ｉｃチップ実装体 | |
| JP4085790B2 (ja) | Ｉｃカードの製造方法 | |
| JPH11250209A (ja) | 非接触型ｉｃカード | |
| US20230237302A1 (en) | Ic tag and manufacturing method | |
| JPH10315668A (ja) | Ｉｃカード | |
| JP2003067710A (ja) | Ｉｃカードの製造方法及びｉｃカード | |
| JP2000048151A (ja) | 非接触ｉｃカード | |
| JP4580525B2 (ja) | 補強部材搭載ｉｃカード | |
| JP2021140671A (ja) | Ｒｆｉｄインレイ |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041216 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060829 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060905 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070109 |