JP2005078101A - 接触型非接触型ハイブリットｉｃモジュールとそれを使用した接触型非接触型ハイブリットｉｃカード - Google Patents
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Abstract
【課題】低価格な接触型非接触型ハイブリットＩＣカードを提供する。
【解決手段】本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、絶縁基板の一方の面に接続端子が形成されており、絶縁性基板の他方の面には接続パターンとさらにカード基体側に内蔵される非接触ＩＣカード用アンテナとの接続するパターンを有している。これに接触型ＩＣチップと非接触型チップの双方のチップの裏面どうしを接着して実装し、それぞれを電気的に接続し、樹脂封止して完成させる。本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードとするためには、
カード基体に非接触ＩＣチップ用のアンテナ用コイルを内蔵し、カード基体の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールをはめ込む凹部内にアナテナコイルを露出させる。ここに接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールをはめ込み電気的に接続させるとともに接着させる。
【選択図】図１
【解決手段】本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、絶縁基板の一方の面に接続端子が形成されており、絶縁性基板の他方の面には接続パターンとさらにカード基体側に内蔵される非接触ＩＣカード用アンテナとの接続するパターンを有している。これに接触型ＩＣチップと非接触型チップの双方のチップの裏面どうしを接着して実装し、それぞれを電気的に接続し、樹脂封止して完成させる。本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードとするためには、
カード基体に非接触ＩＣチップ用のアンテナ用コイルを内蔵し、カード基体の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールをはめ込む凹部内にアナテナコイルを露出させる。ここに接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールをはめ込み電気的に接続させるとともに接着させる。
【選択図】図１
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、接触型と非接触型の双方のＩＣチップを搭載した非接触型非接触型ＩＣ搭載モジュールとそれを使用したハイブリットＩＣカード等の情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
クレジットカードなどの決済系の分野では、外部装置との交信の信頼性を優先し接触型ＩＣカードが今後もさらに普及すると見られている。また、鉄道改札分野や公衆電話分野では、利便性やリーダライタにメカニズムを必要とせずメンテナンスの軽減が可能といった特徴を生かして、非接触型ＩＣカードが普及すると見られている。将来はさらにクレジットカードで鉄道改札や公衆電話のサービスを受けたいとの要望が強くなると見られ、接触型ＩＣカードに非接触型ＩＣカードの機能を組入れた接触型非接触型共用ＩＣカードの必要性が高くなると考えられる。
本発明は、このような用途に好適に使用できる接触型と非接触型ＩＣチップを搭載したハイブリットＩＣモジュールとそれによるハイブリットＩＣカードに関する発明である。
【０００３】
従来、接触型と非接触型と双方の機能を有するＩＣカードについては各種の提案がされ、また、一部実験的使用にも供されていると考えられる。しかし、後述のように、このようなカードの製造には多くの問題点がある。一方、非接触型でアンテナコイルを有し、交信可能なＩＣモジュールとして、特開平７−１４６９２２号公報に開示される技術がある。同公報には、絶縁性基板の一方の面にアンテナコイルを設け、他方の面にＩＣ回路を有し、当該アンテナとＩＣ回路とをスルーホールを介して電気的に接続したＩＣモジュールが提案されている。しかし、
同公報のものは接触型の機能をも目的とするものではない。
【０００４】
接触型と非接触型の双方の機能を有するＩＣカードの主な製造方法を挙げれば以下のようになる。
Ｉ．一般的なハイブリットカード方式
▲１▼この方式では、カードの基材のセンターコアとなるシートを３層とし、上部 側
▲２▼第１層の表面に絵柄を印刷し、第２層に巻き線コイルもしくはフォトエッチ ングによるアンテナ用コイルパターンを形成し、さらに非接触ＩＣチップを電気的に接続し、第３層の裏面に絵柄印刷したものをこの順序で重ね合わせ、さらに透明オーバーシートを両面に重ねてプレスラミネートを行う。
▲３▼個々のカードサイズに断裁した後、接触型ＩＣモジュールはめ込み用の孔を 加工し、接触型ＩＣモジュールを搭載する。
【０００５】
■．デュアルインターフェースカード方式
▲１▼接触型と非接触型の双方の機能を備えるワンチップ化させたＩＣチップ。い わゆるデュアルインターフェースカード用ＩＣチップを内蔵したＩＣモジュールを製造する。なお、デュアルインターフェースカード用ＩＣモジュールの接続基板の裏面には、カード基体に内蔵するアンテナコイルとの接続部を有している。
▲２▼カードの基材のセンターコアとなるシートを３層とし、上部側第１層の表面 に絵柄を印刷し、第２層に巻き線コイルもしくはフォトエッチングによるアンテナ用コイルパターンを形成し、第３層の裏面に絵柄印刷したものをこの順序で重ね合わせ、さらに透明オーバーシートを両面に重ねてプレスラミネートを行う。
▲３▼個々のカードサイズに断裁した後、デュアルインターフェースカード用ＩＣ モジュールはめ込み孔を加工する。この際、第２層のアンテナ用コイルの一部をデュアルインターフェースカード用ＩＣモジュールへの接続部として露出させる。
▲４▼導電性ペーストを当該モジュール接続部にたらし、裏面にアンテナコイルと の接続部を有するデュアルインターフェースカード用ＩＣモジュールを当該孔にはめ込んで完成する。
【０００６】
■．射出成型法
▲１▼射出成型の型の中にアンテナコイルパターン形成シートを挿入する。このと き、
ＩＣモジュール接続部に樹脂が入り込まないように型締め部などで押さえる。
▲２▼カード基板成型後、導電ペーストを当該接続部にたらし、ＩＣモジュールを 、
あらかじめ形成したＩＣモジュール用孔にはめ込んで完成する。
【０００７】
しかし、Ｉ．一般的なハイブリットカード方式では、プレスラミネート時の外観不良により、非接触ＩＣチップの動作上問題がなくとも廃棄しなけらばならないため、高価な非接触ＩＣチップの歩留まりが悪く、カード価格に転化されるため、高価になるという問題がある。
また、■．デュアルインターフェースカードは、カード搭載ＯＳをそれそぞれの用途にあわせて作成し、ＩＣチップ製造時にマスクＲＯＭに焼き付けて搭載しなければなず、カード搭載ＯＳの開発費は高価であるため、大量に出荷される用途以外は対応できないという問題がある。
また、■．射出成型法では、磁気テープ加工など国際クレジットカード仕様とするのは不可能という問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、接触型と非接触型とのハイブリットＩＣカードにおいて、上記のような製造上の問題を解決できるＩＣモジュールを研究してなされたものである。すなわち、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールによれば、
プレスラミネート時の外観不良により廃棄されるのはアンテナ用コイルを内蔵したカード基体のみであり、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップの双方をＩＣモジュールに搭載するためデュアルインターフェースカードで必要なカードＯＳ開発は不要である。さらに、国際クレジットカードとしても適用できる接触型非接触型ハイブリットＩＣカードが製造可能である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明請求項１記載の発明は、絶縁性基板の一方の面には、接触型ＩＣカード用外部装置との接続を得るための接続端子が形成されている。絶縁性基板の他方の面には、接触型チップと非接触型チップの双方のＩＣチップを裏面で接着した状態で装着されている。また、各接続端子と接触型ＩＣチップは、スルーホールを介して接続し、かつ非接触型ＩＣチップとをワイヤーボンデングにより接続したことを特徴とする接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールにある。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明請求項２記載の発明は、請求項１記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールにおいて、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップの双方のＩＣチップの裏面で接着し、接触型ＩＣチップが非接触型ＩＣチップよりも絶縁性基板に近い側に装着されていることを特徴とする。
【００１１】
接触型非接触型ハイブリットＩＣカードにおいて、カード基体にアンテナ用コイルを内蔵させ、カード基体表面からＩＣモジュール装着用凹部を掘削してアンテナ用コイルを露出させ、これと請求項１から請求項３記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールのアンテナ用接続端子部を導通させる接着方法で装着したことを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決するための本発明請求項５記載の発明は、請求項１から請求項４記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールのアンテナ接続配線パターン層とカード基体に設けた凹部内に露出したアンテナ用コイルと導通させる接着方法で装着したことを特徴とする接触型非接触型ハイブリットＩＣカードにある。
係るハイブリットＩＣカードであるため、高信頼性で安価な接触非接触型ハイブリットカードが得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールの実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面は本発明が理解し易いように各部の大きさや形状、及び位置関係を概略的に示したものであり、実際の部品の寸法に即して図示したものではない。
図１は、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールを概念的に示した図であり、樹脂モールド前の状態を示している。図１において、プリント基板１１は絶縁性基板の両面に銅箔貼りした材料等が使用される。カード外面側となる銅箔は外部接続端子１５の形状に形成され端子基板として機能する。ＩＣチップ側の銅箔は配線パターン層１４の形状に形成されている。プリント基板１１の絶縁層には、ガラスエポキシ樹脂等の強度の高い絶縁性材料が使用される場合が多い。本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、接触型ＩＣチップ１２と非接触型ＩＣチップ１３を搭載し、接触型ＩＣチップは外部接続端子１５に、非接触型ＩＣチップはカード基体に内蔵されたアンテナ用コイル２０にそれぞれ電気的に接続した状態で使用することに特徴がある。
【００１４】
外部接続端子１５が接触型ＩＣカード用外部装置から接続して得た信号は、スルーホール１７、配線パターン層１４、異方導電性接着シート９，接触型ＩＣチップのバンプを介して接触型ＩＣチップ１２に伝達される。また、アンテナ用コイル２０が非接触ＩＣカード用外部装置から受信した電磁波は、アンテナ用コイル２０の接続部から導電性ペースト２６、配線パターン層１４、ボンディングワイヤー１８を介して非接触型ＩＣチップ１３に伝達される。
【００１５】
通常のＩＣチップは１．０ｍｍ厚程度のシリコンウエハー上に形成されるが、ＩＣカード用のＩＣチップとしては、０．７６ｍｍ厚のカード基体内に納める必要があるので、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップともそれぞれ０．１〜０．
２ｍｍ程度の厚さにバックラップ（背面研磨）し、それぞれのＩＣチップの裏面どうしを接着する。なお、ＩＣチップの裏面とは、半導体集積回路非形成面をいう。
【００１６】
図３は、本発明のＩＣモジュールの１実施形態における表面及び裏面を示す図である。図３（Ａ）は、ＩＣモジュール端子基板３の表面図、図３（Ｂ）は、ＩＣモジュール端子基板３の裏面の配線パターン層１４を示す図、図３（Ｃ）は、配線パターン層１４に接触型ＩＣチップ１２及び非接触型ＩＣチップ１３の双方の裏面を接着してものを装着し、樹脂モールドした状態を示す図である。端子基板側表面には、図３（Ａ）のようにＩＳＯ規格に基づき８個の外部接続端子Ｃ１ 〜Ｃ８ が形成されている。このうち、Ｃ４ ，Ｃ８ 端子は将来用途のためであり、現在は実際には使用されていない。
従って、表面側は６個の端子であってもよい。各接続端子はスルーホール１７を通じて裏面の配線パターン層１４に通じている。また接続端子間は分離溝１５ｇにより分離されている。
【００１７】
図３（Ｂ）のように配線パターン層１４は、接触型ＩＣチップがフィリップチップ実装で接続できるようＩＣチップの下面まで形成されている。
カード基体に内蔵させるアンテナ用コイル２０との接続は、アンテナ用コイル接続部Ｃ９ ，Ｃ１０端子で行う。図３（Ｂ）の中央部の点線枠域に異方導電性接着シート９を貼着し、その上から凸状のバンプを有する接触型ＩＣチップ１２側（接触型ＩＣチップ１２と非接触チップ１３との双方の裏面を接着して一体にしたもの）をのせて押圧すると異方導電性接着シート９が圧縮されて当該バンプ部分に、
図１のように導通部９ｃが形成される。
【００１８】
図３（Ｃ）のように、ＩＣチップを装着した後、非接触ＩＣチップ１３の接続部と配線パターン層をボンディングワイヤ１８で接続し、樹脂モールドする。
以上により、接触インターフェース用のＣ１ ，Ｃ２ ，Ｃ３ ，Ｃ５ ，Ｃ６ ，Ｃ７ 端子と接触型ＩＣチップが接続し、非接触インターフェース用のＣ９ ，Ｃ１０端子が非接触ＩＣチップに接続する。
【００１９】
次に、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの実施形態について説明する。図２は、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの構成を説明する斜視図である。図２に示すように、本発明のカード基体２では、アンテナ用コイル２０を内蔵し、ＩＣモジュール装着用凹部に接続用のアンテナ用コイルが露出している。カード基体２のアンテナ用コイルの露出部と接続するための配線パターン層を有する前記した接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０を導電性ペースト２６などで導通させるとともに接着する。ＩＣカードの寸法は、例えば、縦５４ｍｍ、横８６ｍｍ、厚さ０．７６〜０．８４ｍｍである。
【００２０】
図４は、図２における断面線Ａ−Ａにおける断面図である。ＩＣモジュール埋設後の状態で表示されている。図４に示すように、本実施形態の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、カード基体２は多層構造となっており、例えば、透明オーバーシート２２、白色コアシート２１、２２，２３、透明オーバーシート２４の５層構成である。透明オーバーシート２２，２３は硬質塩化ビニル樹脂が、白色コアシート２１、２２，２３は白色顔料などの充填剤を含有する硬質塩化ビニル樹脂が多く使用される。白色コア２１の表には印刷７を施し、白色シート２２にはアンテナ用コイルを形成し、白色コア２３には裏面の印刷８を施しておくのが一般的である。カード基材には、上記の塩化ビニール樹脂の他、各種の材料を採用でき、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ＰＥＴ−Ｇ、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂等が挙げられる。一般に塩化ビニール樹脂、ＰＥＴ−Ｇは自己熱融着性があるので、接着剤を使用しないで熱圧加工することにより一体のカード基体にすることができるが、その他の材質の場合等は接着剤や接着剤シートを介して積層する。
【００２１】
このように、本実施形態の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、接触型ＩＣチップ１２と非接触型ＩＣチップ１３の双方の裏面を接着してＩＣモジュールに実装し、カード基体には、アンテナ用コイル２０のみを実装する。これにより、一般のハイブリットカードのように高価な非接触ＩＣチップを内蔵した上でプレスラミネートを行わないため、プレスラミネート時の外観不良により非接触ＩＣチップの機能が問題なくとも廃棄しなけばならい問題を解決でき、ハイブリットカードが高価になることを防止できる。
また、接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、接触型ＩＣモジュールと近似した構造を有しているため、接触型ＩＣカード関係に係る製造上の技術を多く利用することができる。
【００２２】
上述した接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０の寸法は、接触型ＩＣチップ１２、非接触ＩＣチップ１３とも０．１８ｍｍにバックラップして双方の裏面でエポキシ樹脂により接着したものであり０．３６ｍｍ程度とし、プリント基板１１とモールド樹脂１６との総和が０．５〜０．６ｍｍ程度とする。そのため、ＩＣカードの表面に形成された凹部４にＩＣモジュール１０を装着したとき、カード基材厚みが、０．８４ｍｍまで許容されるとすれば、ＩＣモジュールのモールド樹脂とカード基体裏面との距離は、約０．２４〜０．３４ｍｍ程度を確保できる。透明オーバーシート２３の厚さを、０．０５ｍｍから０．１ｍｍとしても、モールド樹脂部１６が透けて見えないことで外観が損なわれることはない。
【００２３】
次に、本発明のＩＣカード基体の製造方法について図２、図４等を参照して説明する。白色コアシート２１に必要な表面印刷７を施し、白色コア２２にアンテナ用コイルパターンを巻き線方式により形成し、白色コアシート２３に必要な裏面印刷８を施し、それぞれをこの順序で重ねて、さらにこの両面に透明オーバーシート２４，２５をあてがい、さらに磁気ストライプを熱プレスラミネートと同時に転写してカード基体２を製造する。このカード基体を例えば縦５４ｍｍ、横８６ｍｍのカードサイズに断裁した後、ＮＣ切削加工、フライス盤などで凹部４を切削することで、ＩＣモジュールを装着する凹部４を形成する。凹部４はモジュールのプリント基板１１を埋設する第１凹部とそのほぼ中央部であってモールド樹脂１６部が埋設できる大きさと深さの第２凹部とに形成する。なお、第１凹部には、アンテナ用コイルパターンの接続部が露出している。
次に、ＩＣモジュール１０のモールド樹脂１６の周囲のプリント基板部に導電性ペーストを天地・左右に独立して塗布し、カード基体の第１凹部に装着し、導電性ペースト２６が硬化するまで加圧し、ＩＣモジュール１０をカード基体２に固着させる。
【００２４】
このように、本発明のハイブリットＩＣカードの製造方法では、カード基体に内蔵されるのは安価なアンテナ用コイル２０のみである。一般のハイブリットＩＣカードの製造方法では、カード基体には高価な非接触型ＩＣチップも内蔵するため、プレスラミネート時の外観不良により、非接触ＩＣチップ上の問題がなくても廃棄するする必要があり、高価な非接触ＩＣチップの歩留まりが悪いため、一般のハイブリットＩＣカードは高価であるとの問題があった。本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、カード基体に内蔵させるのは安価なアンテナ用コイルのみであるため、プレスラミネート工程の歩留まりが悪くても、製造コストに転化される割合が少なく、一般のハイブリットＩＣカードより安価である。
【００２５】
図５は、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの平面図である。図６のように、本発明のハイブリットＩＣカード１では、カード基体内にアンテナ用コイル２０のみで、非接触ＩＣチップを含まないので磁気ストライプ５やエンボス文字領域６を通常の接触型ＩＣカードと同様に設けることができる。さらに裏面に、顔写真、サインパネル、ホログラム箔転写、サーマルリライタブル層等を設けることも可能となる。
【００２６】
【実施例】
以下、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールと接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの実施例を図１、図２、図３、図４、図５を参照して説明する。なお、実施例中の符号は、参照した図面中の符号に対応するものである。
＜ＩＣモジュールの製造工程＞
両面銅箔貼りガラスエポキシプリント基板材料（ガラエポ１１０μｍ、銅箔層各３５ミクロン厚）の表面側に、８端子からなる接触インターフェイス用接続端子をフォトエッチング法で形成した。また、裏面側には接触型インターフェイスの接続に対応する配線パターン層１４と非接触インターフェイスの接続に対応する配線パターン層１４をフォトエッチング法により同時に形成した。一方、接触型ＩＣチップ１２と非接触型ＩＣチップ１３のそれぞれを０．１８ｍｍになるまでバックラップし、裏面どうしをエポキシ系接着剤で接着して一体にした。このとき、全体の厚みは０．３８ｍｍになった。なお、接触型ＩＣチップ１２のパッド部分には、あらかじめバンプを形成しておいた。
【００２７】
配線パターン層１４と接続端子部分にニッケル、金めっきを施した。このプリント基板１１の配線パターン層上に、５ｍｍ×６ｍｍに裁断した厚み０．３ｍｍの異方導電性接着シート（日立化成工業株式会社製「アニソルム」）を仮接着した後、接触型ＩＣチップのパッド部と配線パターンの位置合わせを行って加熱、加圧して本接着を行った。さらに、非接触型ＩＣチップ側のアナテナ接続用パットとをワイヤボンディングで接続した。その後、ＩＣチップ実装部をモールド樹脂で封止した。ＩＣモジュール１０の総厚は０．６ｍｍとなった。
【００２８】
＜ＩＣカードの製造工程＞
コアシート２１、２３として、それぞれの厚みが、０．１８ｍｍの印刷済白色硬質塩化ビニールシート２１、２３。コアシート２２として、アンテナ用コイル２０が巻き線方式により形成されている厚みが０．３８ｍｍの印刷済白色硬質塩化ビニールシート２２。オーバーシート２２，２３として厚み、０．０５ｍｍの透明塩化ビニールシート２枚をコアシート２１，２２，２３の順に重ねたものの上下にあてがい熱圧融着（１５０°Ｃ、２０ｋｇｆ／ｃｍ２ 、１５分）により一体のカード基体２を製造した。なお、磁気ストライプの転写も同時に行った。熱圧プレス後、予め設けた当たり罫を基準として個々のカードサイズに打ち抜きを行った。
【００２９】
次に、このカード基体２のＩＣモジュール装着部をＮＣ切削加工により、ＩＣモジュールの外部装置接続端子部と導電性ペースト２６の厚さに相当する深さに第１凹部を切削した。この段階で第１凹部の大きさは１３ｍｍ×１１．８ｍｍ（角部の曲率半径２．５ｍｍ）、深さは０．２３ｍｍであった。続いて、さらに第１凹部の中央部を大きさほぼ８ｍｍ×８ｍｍ、合計深さが、０．６５ｍｍとなるように切削して第２凹部をＩＣモジュールのモールド樹脂１６が埋設できる大きさと深さにした。
【００３０】
当該第１凹部のＩＣモジュール端子基板と接触する面に、導電性ペースト２６を天地・左右に独立して４カ所に塗布して、凹部内にＩＣモジュールを挿入して当該部分のみを加熱加圧することによりＩＣモジュールを凹部内に装着するとともにカード基体に内蔵されるアンテナ用コイル２０とＩＣモジュール内の非接触ＩＣチップ部を電気的に導通させた。これにより、接触型非接触型ハイブリットＩＣカードで磁気記録部を備える高機能ＩＣカードが得られた。
また、ＩＣモジュール装着後、カード基体のエンボス領域に所定のエンボスを行ったがカードの交信機能には全く影響が見られなかった。
【００３１】
【発明の効果】
本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールでは、接触型チップと非接触型ＩＣチップをバックラップして薄くし、双方の裏面どうしを接着して、接触型ＩＣカード用接続端子と非接触ＩＣチップのカード基体に内蔵するアンテナ用コイルに接続する配線パターンを有する基板に実装して、接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールを製造する。カード基体には安価なアンテナ用コイルパターンのみを内蔵する。これに対して、一般のハイブリットＩＣカードでは、カード基体に高価な非接触ＩＣチップも内蔵させ、プレスラミネートを行っていた。
このプレスラミネート工程での外観不良により、非接触ＩＣチップの機能上の問題がなくても、廃棄する必要があり、高価な非接触ＩＣチップの歩留まりが悪いため、従来型のハイブリットＩＣカードは高価になるとの問題があった。
さらに従来型のハイブリットＩＣカード以外に接触型ＩＣカードと非接触型カードの両機能が実現できる方法としては、デュアルインターフェースカード方式がある。しかし、デュアルインターフェースカードでは、開発費がかさむカードＯＳが必要であるため、大量に普及する用途以外は対応できず、カード発行者等の選択の自由度が制限されるとの欠点があった。
本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップをそれぞれバックラップし、双方の裏面どうしを接着して、実装することで接触型と非接触型の両機能の実現が可能である。
また、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、デュアルインターフェースカードの製造工程がそのまま使用できるため、新たな製造設備の導入は不要である。
さらに、カード基体内にアンテナ用コイルのみで非接触ＩＣチップを内蔵しないので、磁気ストライプやエンボス領域を設けて国際クレジットカードの規格に沿ったカードを製造できる。また、顔写真、サインパネル、ホログラム箔転写等の付加機能を自由に設けることができるので光カード、アイメッセカード等へに展開できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接触型非接触型共用ＩＣモジュールを概念的に示した図である。
【図２】本発明の接触型非接触型共用ＩＣカードの構成を説明する斜視図である。
【図３】本発明のＩＣモジュールの１実施形態における表面及び裏面を示す図である。
【図４】図２における断面線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図５】本発明の接触型非接触型共用ＩＣカードの平面図である。
【符号の説明】
１ ＩＣカード
２ カード基体
３ 端子基板
４ 凹部
５ 磁気ストライプ
６ エンボス文字領域
７ 表面印刷
８ 裏面印刷
９ 異方導電性接着シート
９ｃ 導通部
１０ ＩＣモジュール
１１ プリント基板
１２ 接触型ＩＣチップ
１３ 非接触型ＩＣチップ
１４ 配線パターン層
１５ 外部接続端子
１６ モールド樹脂
１７ スルーホール
１８ ボンディングワイヤ
２０ アンテナ用コイル
２１ 白色コアシート
２２ 白色コアシート
２３ 白色コアシート
２４ 透明オーバーシート
２５ 透明オーバーシート
２６ 導電性ペースト
【発明の属する技術分野】
本発明は、接触型と非接触型の双方のＩＣチップを搭載した非接触型非接触型ＩＣ搭載モジュールとそれを使用したハイブリットＩＣカード等の情報記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来技術】
クレジットカードなどの決済系の分野では、外部装置との交信の信頼性を優先し接触型ＩＣカードが今後もさらに普及すると見られている。また、鉄道改札分野や公衆電話分野では、利便性やリーダライタにメカニズムを必要とせずメンテナンスの軽減が可能といった特徴を生かして、非接触型ＩＣカードが普及すると見られている。将来はさらにクレジットカードで鉄道改札や公衆電話のサービスを受けたいとの要望が強くなると見られ、接触型ＩＣカードに非接触型ＩＣカードの機能を組入れた接触型非接触型共用ＩＣカードの必要性が高くなると考えられる。
本発明は、このような用途に好適に使用できる接触型と非接触型ＩＣチップを搭載したハイブリットＩＣモジュールとそれによるハイブリットＩＣカードに関する発明である。
【０００３】
従来、接触型と非接触型と双方の機能を有するＩＣカードについては各種の提案がされ、また、一部実験的使用にも供されていると考えられる。しかし、後述のように、このようなカードの製造には多くの問題点がある。一方、非接触型でアンテナコイルを有し、交信可能なＩＣモジュールとして、特開平７−１４６９２２号公報に開示される技術がある。同公報には、絶縁性基板の一方の面にアンテナコイルを設け、他方の面にＩＣ回路を有し、当該アンテナとＩＣ回路とをスルーホールを介して電気的に接続したＩＣモジュールが提案されている。しかし、
同公報のものは接触型の機能をも目的とするものではない。
【０００４】
接触型と非接触型の双方の機能を有するＩＣカードの主な製造方法を挙げれば以下のようになる。
Ｉ．一般的なハイブリットカード方式
▲１▼この方式では、カードの基材のセンターコアとなるシートを３層とし、上部 側
▲２▼第１層の表面に絵柄を印刷し、第２層に巻き線コイルもしくはフォトエッチ ングによるアンテナ用コイルパターンを形成し、さらに非接触ＩＣチップを電気的に接続し、第３層の裏面に絵柄印刷したものをこの順序で重ね合わせ、さらに透明オーバーシートを両面に重ねてプレスラミネートを行う。
▲３▼個々のカードサイズに断裁した後、接触型ＩＣモジュールはめ込み用の孔を 加工し、接触型ＩＣモジュールを搭載する。
【０００５】
■．デュアルインターフェースカード方式
▲１▼接触型と非接触型の双方の機能を備えるワンチップ化させたＩＣチップ。い わゆるデュアルインターフェースカード用ＩＣチップを内蔵したＩＣモジュールを製造する。なお、デュアルインターフェースカード用ＩＣモジュールの接続基板の裏面には、カード基体に内蔵するアンテナコイルとの接続部を有している。
▲２▼カードの基材のセンターコアとなるシートを３層とし、上部側第１層の表面 に絵柄を印刷し、第２層に巻き線コイルもしくはフォトエッチングによるアンテナ用コイルパターンを形成し、第３層の裏面に絵柄印刷したものをこの順序で重ね合わせ、さらに透明オーバーシートを両面に重ねてプレスラミネートを行う。
▲３▼個々のカードサイズに断裁した後、デュアルインターフェースカード用ＩＣ モジュールはめ込み孔を加工する。この際、第２層のアンテナ用コイルの一部をデュアルインターフェースカード用ＩＣモジュールへの接続部として露出させる。
▲４▼導電性ペーストを当該モジュール接続部にたらし、裏面にアンテナコイルと の接続部を有するデュアルインターフェースカード用ＩＣモジュールを当該孔にはめ込んで完成する。
【０００６】
■．射出成型法
▲１▼射出成型の型の中にアンテナコイルパターン形成シートを挿入する。このと き、
ＩＣモジュール接続部に樹脂が入り込まないように型締め部などで押さえる。
▲２▼カード基板成型後、導電ペーストを当該接続部にたらし、ＩＣモジュールを 、
あらかじめ形成したＩＣモジュール用孔にはめ込んで完成する。
【０００７】
しかし、Ｉ．一般的なハイブリットカード方式では、プレスラミネート時の外観不良により、非接触ＩＣチップの動作上問題がなくとも廃棄しなけらばならないため、高価な非接触ＩＣチップの歩留まりが悪く、カード価格に転化されるため、高価になるという問題がある。
また、■．デュアルインターフェースカードは、カード搭載ＯＳをそれそぞれの用途にあわせて作成し、ＩＣチップ製造時にマスクＲＯＭに焼き付けて搭載しなければなず、カード搭載ＯＳの開発費は高価であるため、大量に出荷される用途以外は対応できないという問題がある。
また、■．射出成型法では、磁気テープ加工など国際クレジットカード仕様とするのは不可能という問題がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、接触型と非接触型とのハイブリットＩＣカードにおいて、上記のような製造上の問題を解決できるＩＣモジュールを研究してなされたものである。すなわち、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールによれば、
プレスラミネート時の外観不良により廃棄されるのはアンテナ用コイルを内蔵したカード基体のみであり、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップの双方をＩＣモジュールに搭載するためデュアルインターフェースカードで必要なカードＯＳ開発は不要である。さらに、国際クレジットカードとしても適用できる接触型非接触型ハイブリットＩＣカードが製造可能である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するための本発明請求項１記載の発明は、絶縁性基板の一方の面には、接触型ＩＣカード用外部装置との接続を得るための接続端子が形成されている。絶縁性基板の他方の面には、接触型チップと非接触型チップの双方のＩＣチップを裏面で接着した状態で装着されている。また、各接続端子と接触型ＩＣチップは、スルーホールを介して接続し、かつ非接触型ＩＣチップとをワイヤーボンデングにより接続したことを特徴とする接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールにある。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明請求項２記載の発明は、請求項１記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールにおいて、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップの双方のＩＣチップの裏面で接着し、接触型ＩＣチップが非接触型ＩＣチップよりも絶縁性基板に近い側に装着されていることを特徴とする。
【００１１】
接触型非接触型ハイブリットＩＣカードにおいて、カード基体にアンテナ用コイルを内蔵させ、カード基体表面からＩＣモジュール装着用凹部を掘削してアンテナ用コイルを露出させ、これと請求項１から請求項３記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールのアンテナ用接続端子部を導通させる接着方法で装着したことを特徴とする。
【００１２】
上記課題を解決するための本発明請求項５記載の発明は、請求項１から請求項４記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールのアンテナ接続配線パターン層とカード基体に設けた凹部内に露出したアンテナ用コイルと導通させる接着方法で装着したことを特徴とする接触型非接触型ハイブリットＩＣカードにある。
係るハイブリットＩＣカードであるため、高信頼性で安価な接触非接触型ハイブリットカードが得られる。
【００１３】
【発明の実施の形態】
本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールの実施形態について図面を参照して説明する。なお、各図面は本発明が理解し易いように各部の大きさや形状、及び位置関係を概略的に示したものであり、実際の部品の寸法に即して図示したものではない。
図１は、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールを概念的に示した図であり、樹脂モールド前の状態を示している。図１において、プリント基板１１は絶縁性基板の両面に銅箔貼りした材料等が使用される。カード外面側となる銅箔は外部接続端子１５の形状に形成され端子基板として機能する。ＩＣチップ側の銅箔は配線パターン層１４の形状に形成されている。プリント基板１１の絶縁層には、ガラスエポキシ樹脂等の強度の高い絶縁性材料が使用される場合が多い。本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、接触型ＩＣチップ１２と非接触型ＩＣチップ１３を搭載し、接触型ＩＣチップは外部接続端子１５に、非接触型ＩＣチップはカード基体に内蔵されたアンテナ用コイル２０にそれぞれ電気的に接続した状態で使用することに特徴がある。
【００１４】
外部接続端子１５が接触型ＩＣカード用外部装置から接続して得た信号は、スルーホール１７、配線パターン層１４、異方導電性接着シート９，接触型ＩＣチップのバンプを介して接触型ＩＣチップ１２に伝達される。また、アンテナ用コイル２０が非接触ＩＣカード用外部装置から受信した電磁波は、アンテナ用コイル２０の接続部から導電性ペースト２６、配線パターン層１４、ボンディングワイヤー１８を介して非接触型ＩＣチップ１３に伝達される。
【００１５】
通常のＩＣチップは１．０ｍｍ厚程度のシリコンウエハー上に形成されるが、ＩＣカード用のＩＣチップとしては、０．７６ｍｍ厚のカード基体内に納める必要があるので、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップともそれぞれ０．１〜０．
２ｍｍ程度の厚さにバックラップ（背面研磨）し、それぞれのＩＣチップの裏面どうしを接着する。なお、ＩＣチップの裏面とは、半導体集積回路非形成面をいう。
【００１６】
図３は、本発明のＩＣモジュールの１実施形態における表面及び裏面を示す図である。図３（Ａ）は、ＩＣモジュール端子基板３の表面図、図３（Ｂ）は、ＩＣモジュール端子基板３の裏面の配線パターン層１４を示す図、図３（Ｃ）は、配線パターン層１４に接触型ＩＣチップ１２及び非接触型ＩＣチップ１３の双方の裏面を接着してものを装着し、樹脂モールドした状態を示す図である。端子基板側表面には、図３（Ａ）のようにＩＳＯ規格に基づき８個の外部接続端子Ｃ１ 〜Ｃ８ が形成されている。このうち、Ｃ４ ，Ｃ８ 端子は将来用途のためであり、現在は実際には使用されていない。
従って、表面側は６個の端子であってもよい。各接続端子はスルーホール１７を通じて裏面の配線パターン層１４に通じている。また接続端子間は分離溝１５ｇにより分離されている。
【００１７】
図３（Ｂ）のように配線パターン層１４は、接触型ＩＣチップがフィリップチップ実装で接続できるようＩＣチップの下面まで形成されている。
カード基体に内蔵させるアンテナ用コイル２０との接続は、アンテナ用コイル接続部Ｃ９ ，Ｃ１０端子で行う。図３（Ｂ）の中央部の点線枠域に異方導電性接着シート９を貼着し、その上から凸状のバンプを有する接触型ＩＣチップ１２側（接触型ＩＣチップ１２と非接触チップ１３との双方の裏面を接着して一体にしたもの）をのせて押圧すると異方導電性接着シート９が圧縮されて当該バンプ部分に、
図１のように導通部９ｃが形成される。
【００１８】
図３（Ｃ）のように、ＩＣチップを装着した後、非接触ＩＣチップ１３の接続部と配線パターン層をボンディングワイヤ１８で接続し、樹脂モールドする。
以上により、接触インターフェース用のＣ１ ，Ｃ２ ，Ｃ３ ，Ｃ５ ，Ｃ６ ，Ｃ７ 端子と接触型ＩＣチップが接続し、非接触インターフェース用のＣ９ ，Ｃ１０端子が非接触ＩＣチップに接続する。
【００１９】
次に、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの実施形態について説明する。図２は、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの構成を説明する斜視図である。図２に示すように、本発明のカード基体２では、アンテナ用コイル２０を内蔵し、ＩＣモジュール装着用凹部に接続用のアンテナ用コイルが露出している。カード基体２のアンテナ用コイルの露出部と接続するための配線パターン層を有する前記した接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０を導電性ペースト２６などで導通させるとともに接着する。ＩＣカードの寸法は、例えば、縦５４ｍｍ、横８６ｍｍ、厚さ０．７６〜０．８４ｍｍである。
【００２０】
図４は、図２における断面線Ａ−Ａにおける断面図である。ＩＣモジュール埋設後の状態で表示されている。図４に示すように、本実施形態の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、カード基体２は多層構造となっており、例えば、透明オーバーシート２２、白色コアシート２１、２２，２３、透明オーバーシート２４の５層構成である。透明オーバーシート２２，２３は硬質塩化ビニル樹脂が、白色コアシート２１、２２，２３は白色顔料などの充填剤を含有する硬質塩化ビニル樹脂が多く使用される。白色コア２１の表には印刷７を施し、白色シート２２にはアンテナ用コイルを形成し、白色コア２３には裏面の印刷８を施しておくのが一般的である。カード基材には、上記の塩化ビニール樹脂の他、各種の材料を採用でき、例えば、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ＰＥＴ−Ｇ、ポリプロピレン樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド樹脂、ポリアセタール樹脂等が挙げられる。一般に塩化ビニール樹脂、ＰＥＴ−Ｇは自己熱融着性があるので、接着剤を使用しないで熱圧加工することにより一体のカード基体にすることができるが、その他の材質の場合等は接着剤や接着剤シートを介して積層する。
【００２１】
このように、本実施形態の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、接触型ＩＣチップ１２と非接触型ＩＣチップ１３の双方の裏面を接着してＩＣモジュールに実装し、カード基体には、アンテナ用コイル２０のみを実装する。これにより、一般のハイブリットカードのように高価な非接触ＩＣチップを内蔵した上でプレスラミネートを行わないため、プレスラミネート時の外観不良により非接触ＩＣチップの機能が問題なくとも廃棄しなけばならい問題を解決でき、ハイブリットカードが高価になることを防止できる。
また、接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０は、接触型ＩＣモジュールと近似した構造を有しているため、接触型ＩＣカード関係に係る製造上の技術を多く利用することができる。
【００２２】
上述した接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール１０の寸法は、接触型ＩＣチップ１２、非接触ＩＣチップ１３とも０．１８ｍｍにバックラップして双方の裏面でエポキシ樹脂により接着したものであり０．３６ｍｍ程度とし、プリント基板１１とモールド樹脂１６との総和が０．５〜０．６ｍｍ程度とする。そのため、ＩＣカードの表面に形成された凹部４にＩＣモジュール１０を装着したとき、カード基材厚みが、０．８４ｍｍまで許容されるとすれば、ＩＣモジュールのモールド樹脂とカード基体裏面との距離は、約０．２４〜０．３４ｍｍ程度を確保できる。透明オーバーシート２３の厚さを、０．０５ｍｍから０．１ｍｍとしても、モールド樹脂部１６が透けて見えないことで外観が損なわれることはない。
【００２３】
次に、本発明のＩＣカード基体の製造方法について図２、図４等を参照して説明する。白色コアシート２１に必要な表面印刷７を施し、白色コア２２にアンテナ用コイルパターンを巻き線方式により形成し、白色コアシート２３に必要な裏面印刷８を施し、それぞれをこの順序で重ねて、さらにこの両面に透明オーバーシート２４，２５をあてがい、さらに磁気ストライプを熱プレスラミネートと同時に転写してカード基体２を製造する。このカード基体を例えば縦５４ｍｍ、横８６ｍｍのカードサイズに断裁した後、ＮＣ切削加工、フライス盤などで凹部４を切削することで、ＩＣモジュールを装着する凹部４を形成する。凹部４はモジュールのプリント基板１１を埋設する第１凹部とそのほぼ中央部であってモールド樹脂１６部が埋設できる大きさと深さの第２凹部とに形成する。なお、第１凹部には、アンテナ用コイルパターンの接続部が露出している。
次に、ＩＣモジュール１０のモールド樹脂１６の周囲のプリント基板部に導電性ペーストを天地・左右に独立して塗布し、カード基体の第１凹部に装着し、導電性ペースト２６が硬化するまで加圧し、ＩＣモジュール１０をカード基体２に固着させる。
【００２４】
このように、本発明のハイブリットＩＣカードの製造方法では、カード基体に内蔵されるのは安価なアンテナ用コイル２０のみである。一般のハイブリットＩＣカードの製造方法では、カード基体には高価な非接触型ＩＣチップも内蔵するため、プレスラミネート時の外観不良により、非接触ＩＣチップ上の問題がなくても廃棄するする必要があり、高価な非接触ＩＣチップの歩留まりが悪いため、一般のハイブリットＩＣカードは高価であるとの問題があった。本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、カード基体に内蔵させるのは安価なアンテナ用コイルのみであるため、プレスラミネート工程の歩留まりが悪くても、製造コストに転化される割合が少なく、一般のハイブリットＩＣカードより安価である。
【００２５】
図５は、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの平面図である。図６のように、本発明のハイブリットＩＣカード１では、カード基体内にアンテナ用コイル２０のみで、非接触ＩＣチップを含まないので磁気ストライプ５やエンボス文字領域６を通常の接触型ＩＣカードと同様に設けることができる。さらに裏面に、顔写真、サインパネル、ホログラム箔転写、サーマルリライタブル層等を設けることも可能となる。
【００２６】
【実施例】
以下、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールと接触型非接触型ハイブリットＩＣカードの実施例を図１、図２、図３、図４、図５を参照して説明する。なお、実施例中の符号は、参照した図面中の符号に対応するものである。
＜ＩＣモジュールの製造工程＞
両面銅箔貼りガラスエポキシプリント基板材料（ガラエポ１１０μｍ、銅箔層各３５ミクロン厚）の表面側に、８端子からなる接触インターフェイス用接続端子をフォトエッチング法で形成した。また、裏面側には接触型インターフェイスの接続に対応する配線パターン層１４と非接触インターフェイスの接続に対応する配線パターン層１４をフォトエッチング法により同時に形成した。一方、接触型ＩＣチップ１２と非接触型ＩＣチップ１３のそれぞれを０．１８ｍｍになるまでバックラップし、裏面どうしをエポキシ系接着剤で接着して一体にした。このとき、全体の厚みは０．３８ｍｍになった。なお、接触型ＩＣチップ１２のパッド部分には、あらかじめバンプを形成しておいた。
【００２７】
配線パターン層１４と接続端子部分にニッケル、金めっきを施した。このプリント基板１１の配線パターン層上に、５ｍｍ×６ｍｍに裁断した厚み０．３ｍｍの異方導電性接着シート（日立化成工業株式会社製「アニソルム」）を仮接着した後、接触型ＩＣチップのパッド部と配線パターンの位置合わせを行って加熱、加圧して本接着を行った。さらに、非接触型ＩＣチップ側のアナテナ接続用パットとをワイヤボンディングで接続した。その後、ＩＣチップ実装部をモールド樹脂で封止した。ＩＣモジュール１０の総厚は０．６ｍｍとなった。
【００２８】
＜ＩＣカードの製造工程＞
コアシート２１、２３として、それぞれの厚みが、０．１８ｍｍの印刷済白色硬質塩化ビニールシート２１、２３。コアシート２２として、アンテナ用コイル２０が巻き線方式により形成されている厚みが０．３８ｍｍの印刷済白色硬質塩化ビニールシート２２。オーバーシート２２，２３として厚み、０．０５ｍｍの透明塩化ビニールシート２枚をコアシート２１，２２，２３の順に重ねたものの上下にあてがい熱圧融着（１５０°Ｃ、２０ｋｇｆ／ｃｍ２ 、１５分）により一体のカード基体２を製造した。なお、磁気ストライプの転写も同時に行った。熱圧プレス後、予め設けた当たり罫を基準として個々のカードサイズに打ち抜きを行った。
【００２９】
次に、このカード基体２のＩＣモジュール装着部をＮＣ切削加工により、ＩＣモジュールの外部装置接続端子部と導電性ペースト２６の厚さに相当する深さに第１凹部を切削した。この段階で第１凹部の大きさは１３ｍｍ×１１．８ｍｍ（角部の曲率半径２．５ｍｍ）、深さは０．２３ｍｍであった。続いて、さらに第１凹部の中央部を大きさほぼ８ｍｍ×８ｍｍ、合計深さが、０．６５ｍｍとなるように切削して第２凹部をＩＣモジュールのモールド樹脂１６が埋設できる大きさと深さにした。
【００３０】
当該第１凹部のＩＣモジュール端子基板と接触する面に、導電性ペースト２６を天地・左右に独立して４カ所に塗布して、凹部内にＩＣモジュールを挿入して当該部分のみを加熱加圧することによりＩＣモジュールを凹部内に装着するとともにカード基体に内蔵されるアンテナ用コイル２０とＩＣモジュール内の非接触ＩＣチップ部を電気的に導通させた。これにより、接触型非接触型ハイブリットＩＣカードで磁気記録部を備える高機能ＩＣカードが得られた。
また、ＩＣモジュール装着後、カード基体のエンボス領域に所定のエンボスを行ったがカードの交信機能には全く影響が見られなかった。
【００３１】
【発明の効果】
本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールでは、接触型チップと非接触型ＩＣチップをバックラップして薄くし、双方の裏面どうしを接着して、接触型ＩＣカード用接続端子と非接触ＩＣチップのカード基体に内蔵するアンテナ用コイルに接続する配線パターンを有する基板に実装して、接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールを製造する。カード基体には安価なアンテナ用コイルパターンのみを内蔵する。これに対して、一般のハイブリットＩＣカードでは、カード基体に高価な非接触ＩＣチップも内蔵させ、プレスラミネートを行っていた。
このプレスラミネート工程での外観不良により、非接触ＩＣチップの機能上の問題がなくても、廃棄する必要があり、高価な非接触ＩＣチップの歩留まりが悪いため、従来型のハイブリットＩＣカードは高価になるとの問題があった。
さらに従来型のハイブリットＩＣカード以外に接触型ＩＣカードと非接触型カードの両機能が実現できる方法としては、デュアルインターフェースカード方式がある。しかし、デュアルインターフェースカードでは、開発費がかさむカードＯＳが必要であるため、大量に普及する用途以外は対応できず、カード発行者等の選択の自由度が制限されるとの欠点があった。
本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップをそれぞれバックラップし、双方の裏面どうしを接着して、実装することで接触型と非接触型の両機能の実現が可能である。
また、本発明の接触型非接触型ハイブリットＩＣカードでは、デュアルインターフェースカードの製造工程がそのまま使用できるため、新たな製造設備の導入は不要である。
さらに、カード基体内にアンテナ用コイルのみで非接触ＩＣチップを内蔵しないので、磁気ストライプやエンボス領域を設けて国際クレジットカードの規格に沿ったカードを製造できる。また、顔写真、サインパネル、ホログラム箔転写等の付加機能を自由に設けることができるので光カード、アイメッセカード等へに展開できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の接触型非接触型共用ＩＣモジュールを概念的に示した図である。
【図２】本発明の接触型非接触型共用ＩＣカードの構成を説明する斜視図である。
【図３】本発明のＩＣモジュールの１実施形態における表面及び裏面を示す図である。
【図４】図２における断面線Ａ−Ａにおける断面図である。
【図５】本発明の接触型非接触型共用ＩＣカードの平面図である。
【符号の説明】
１ ＩＣカード
２ カード基体
３ 端子基板
４ 凹部
５ 磁気ストライプ
６ エンボス文字領域
７ 表面印刷
８ 裏面印刷
９ 異方導電性接着シート
９ｃ 導通部
１０ ＩＣモジュール
１１ プリント基板
１２ 接触型ＩＣチップ
１３ 非接触型ＩＣチップ
１４ 配線パターン層
１５ 外部接続端子
１６ モールド樹脂
１７ スルーホール
１８ ボンディングワイヤ
２０ アンテナ用コイル
２１ 白色コアシート
２２ 白色コアシート
２３ 白色コアシート
２４ 透明オーバーシート
２５ 透明オーバーシート
２６ 導電性ペースト
Claims (4)
- 絶縁性基板の一方の面には、接触型ＩＣカード用外部装置との接続を得るための接続端子が形成されており、絶縁性基板の他方の面には、接触型チップと非接触型チップの双方のＩＣチップを裏面で接着した状態で装着し、
各接続端子と接触型ＩＣチップとをスルーホールを介して接続し、かつカード基体側のアンテナコイルと非接触型ＩＣチップとを電気的に接続する接続端子を有することを特徴とする接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール。 - 接触型ＩＣチップと非接触型ＩＣチップの双方のＩＣチップを裏面で接着し、接触型ＩＣチップが非接触型ＩＣチップよりも絶縁性基板に近い側に装着されていることを特徴とする請求項１記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール。
- 接触型ＩＣチップと接続端子の接続は異方導電性接着シートと配線パターン層を介して接続され、非接触型ＩＣチップはボンディングワイヤで配線パターン層に接続されていることを特徴とする請求項１から請求項２に記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュール。
- カード基体にアンテナ用コイルを内蔵させ、カード基体表面からＩＣモジュール装着用凹部を掘削してアンテナ用コイルを露出させ、これと請求項１から請求項３記載の接触型非接触型ハイブリットＩＣモジュールのアンテナ用接続端子部を導通させる方法で装着したことを特徴とする接触型非接触型ハイブリットＩＣカード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003209473A JP4306352B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 接触型非接触型ハイブリットｉｃモジュールとそれを使用した接触型非接触型ハイブリットｉｃカード |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003209473A JP4306352B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 接触型非接触型ハイブリットｉｃモジュールとそれを使用した接触型非接触型ハイブリットｉｃカード |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005078101A true JP2005078101A (ja) | 2005-03-24 |
| JP4306352B2 JP4306352B2 (ja) | 2009-07-29 |
Family
ID=34402385
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003209473A Expired - Fee Related JP4306352B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 接触型非接触型ハイブリットｉｃモジュールとそれを使用した接触型非接触型ハイブリットｉｃカード |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4306352B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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