JP2009302076A - 発光装置の作製方法 - Google Patents
発光装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009302076A JP2009302076A JP2009230186A JP2009230186A JP2009302076A JP 2009302076 A JP2009302076 A JP 2009302076A JP 2009230186 A JP2009230186 A JP 2009230186A JP 2009230186 A JP2009230186 A JP 2009230186A JP 2009302076 A JP2009302076 A JP 2009302076A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- solution
- emitting device
- substrate
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 64
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 48
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 50
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 41
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 38
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 32
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 93
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 25
- 238000010030 laminating Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001354 calcination Methods 0.000 abstract 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 109
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 101
- 239000010408 film Substances 0.000 description 93
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 45
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 45
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 35
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 35
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 21
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 18
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 18
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 15
- 229910052980 cadmium sulfide Inorganic materials 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 9
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 8
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 7
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 4
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 4
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N tetralin Chemical compound C1=CC=C2CCCCC2=C1 CXWXQJXEFPUFDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OQNXPQOQCWVVHP-UHFFFAOYSA-N [Si].O=[Ge] Chemical compound [Si].O=[Ge] OQNXPQOQCWVVHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 2
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 2
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N barium oxide Chemical compound [Ba]=O QVQLCTNNEUAWMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N dodecylbenzene Chemical compound CCCCCCCCCCCCC1=CC=CC=C1 KWKXNDCHNDYVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 xylene (especially Chemical class 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 3-(oxolan-2-yl)propanoic acid Chemical compound OC(=O)CCC1CCCO1 WUPHOULIZUERAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 208000019901 Anxiety disease Diseases 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 230000036506 anxiety Effects 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Chemical compound [O-2].[Ca+2] BRPQOXSCLDDYGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N calcium oxide Inorganic materials [Ca]=O ODINCKMPIJJUCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000292 calcium oxide Substances 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007062 hydrolysis Effects 0.000 description 1
- 238000006460 hydrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000005339 levitation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 230000007723 transport mechanism Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】減圧下で発光性材料を含む溶液を陽極もしくは陰極に向けて噴射し、前記溶液が前記陽極もしくは陰極に到達するまでの間、該溶液中の溶媒を揮発させると共に、残存した前記発光性材料を前記陽極もしくは陰極上に堆積させて発光層を形成する発光装置の作製方法である。当該構成により溶液を塗布した後に薄膜化のための焼成工程を必要としないため、低コストかつ簡便な方法でありながら、スループットの高い作製方法を提供することができる。
【選択図】図1
Description
例えば、テトラリンとドデシルベンゼンを1:1で混合した溶媒等を用いることができる。
画素電極101上に到達した頃には殆どの溶媒が揮発し、残存した発光性材料が堆積して発光層を形成することになる。勿論、空間108の雰囲気は、実施の形態1と同様に減圧に維持されている。
しておくための容器(キャニスター缶)の断面図である。容器351は、機密性、特に酸素や水分の透過に対して十分な耐性を有する材質で形成することが望ましく、ステンレスやアルミニウム等を用いれば良い。また、内表面は鏡面加工しておくことが望ましい。さらに、必要に応じて内表面及び/又は外表面に窒化シリコン膜、ダイヤモンドライクカーボン膜その他の酸素透過率の低い絶縁膜を設けても良い。これは容器351の内部に設けられた発光体組成物を含む溶液352の劣化を防ぐためである。
そして、このとき常にヘッド部603の方が先行して走査される構成とする。その結果、ヘッド部603による溶液塗布とその後のランプ光による焼成工程とがほぼ同時に行われ、実質的に焼成工程を削減するに等しい効果を得ることができる。
これにより発光装置の製造工程のスループット向上を図ることができる。
(a)無機化合物からなる正孔注入層(又は正孔輸送層)と有機ポリマーからなる発光層との組み合わせ (b)無機化合物からなる電子注入層(又は電子輸送層)と有機ポリマーからなる発光層との組み合わせ (c)無機化合物からなる発光層と有機ポリマーからなる正孔注入層(又は正孔輸送層)との組み合わせ (d)無機化合物からなる発光層と有機ポリマーからなる電子注入層(又は電子輸送層)との組み合わせ
(e)キャリア輸送性を有する有機ポリマーを発光層とし、該有機ポリマー中に無機化合物を混合した組み合わせ (f)同極性(n型もしくはp型)のキャリア輸送性を有する有機ポリマーと無機化合物とを発光層として混合した組み合わせ (g)キャリア輸送性を有する有機ポリマーにキャリア受容性を有する無機化合物を混合した組み合わせ
CdSの形成に際しては、CdSの微粒子を溶媒に分散させて塗布することができ、この塗布工程に本発明の塗布工程を実施すれば良い。なお、CdSの代わりにZnS等の無機化合物を用いることが可能である。これらCdSやZnSは、ナノ微粒子を作りやすい無機化合物であるので、本発明のように溶液塗布を前提とする場合に非常に好適な材料である。
例えば、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜といった緻密性の高いシリコン化合物膜を形成することが可能である。ターゲット67aの形状はこれに限定されるものではないが、実施の形態7と同様に基板60を縦置きにするメリットとして、線状、長方形状、長楕円形状その他の細長い形状のターゲットを使うことにより高いスループットを確保しつつ装置面積を小さくできるという点が挙げられる。
に走査されて被膜形成が行われる。
Claims (9)
- 第1の電極を形成し、
前記第1の電極上に発光体を形成し、
前記発光体上に第2の電極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記発光体の形成時において、
溶液塗布装置のヘッドを走査しながら、前記ヘッドから発光体組成物を含む溶液を前記第1の電極に向けて噴射することによって、前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成し、
前記薄膜の形成は、減圧した雰囲気内において行われることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 第1の電極と前記第1の電極の端部を覆う絶縁体とを形成し、
前記第1の電極上に発光体を形成し、
前記発光体上に第2の電極を形成する発光装置の作製方法であって、
前記発光体の形成時において、
溶液塗布装置のヘッドを走査しながら、前記ヘッドから発光体組成物を含む溶液を前記第1の電極における前記絶縁体に覆われていない箇所に向けて噴射することによって、前記発光体を構成する少なくとも一層の薄膜を形成し、
前記薄膜の形成は、減圧した雰囲気内において行われることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記溶液は、前記ヘッドから噴射されることにより液滴となり、
噴射された前記液滴は、前記減圧した雰囲気内において溶媒を揮発させながら前記第1の電極に向かっていくことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1又は請求項2において、
前記溶液は、ゲル状であるとともに前記ヘッドから連続的に噴射され、
噴射された前記溶液は、前記減圧した雰囲気内において溶媒を揮発させながら前記第1の電極に向かっていくことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項4において、
前記雰囲気は、溶媒雰囲気であることを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一項において、
前記薄膜の形成後に、前記ヘッド部を溶媒雰囲気に曝すことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一項において、
前記薄膜の形成は、前記第1の電極を加熱した状態で行うことを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか一項において、
前記溶液塗布装置は、圧電素子を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項1乃至請求項8のいずれか一項において、
前記溶液は、複数の噴射口から噴射されることを特徴とする発光装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009230186A JP2009302076A (ja) | 2002-06-19 | 2009-10-02 | 発光装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002179078 | 2002-06-19 | ||
JP2002189409 | 2002-06-28 | ||
JP2009230186A JP2009302076A (ja) | 2002-06-19 | 2009-10-02 | 発光装置の作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003171833A Division JP4597490B2 (ja) | 2002-06-19 | 2003-06-17 | 発光装置の作製方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012233601A Division JP2013058486A (ja) | 2002-06-19 | 2012-10-23 | 発光装置の作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009302076A true JP2009302076A (ja) | 2009-12-24 |
Family
ID=29738442
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009230186A Withdrawn JP2009302076A (ja) | 2002-06-19 | 2009-10-02 | 発光装置の作製方法 |
JP2012233601A Withdrawn JP2013058486A (ja) | 2002-06-19 | 2012-10-23 | 発光装置の作製方法 |
JP2013217573A Withdrawn JP2014041838A (ja) | 2002-06-19 | 2013-10-18 | 発光装置の作製方法 |
JP2015037873A Expired - Fee Related JP6043382B2 (ja) | 2002-06-19 | 2015-02-27 | 発光装置の作製方法 |
JP2016097753A Withdrawn JP2016164891A (ja) | 2002-06-19 | 2016-05-16 | 発光装置の作製方法 |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012233601A Withdrawn JP2013058486A (ja) | 2002-06-19 | 2012-10-23 | 発光装置の作製方法 |
JP2013217573A Withdrawn JP2014041838A (ja) | 2002-06-19 | 2013-10-18 | 発光装置の作製方法 |
JP2015037873A Expired - Fee Related JP6043382B2 (ja) | 2002-06-19 | 2015-02-27 | 発光装置の作製方法 |
JP2016097753A Withdrawn JP2016164891A (ja) | 2002-06-19 | 2016-05-16 | 発光装置の作製方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US6858464B2 (ja) |
JP (5) | JP2009302076A (ja) |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6858464B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
TWI276366B (en) * | 2002-07-09 | 2007-03-11 | Semiconductor Energy Lab | Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus |
AU2003277541A1 (en) * | 2002-11-11 | 2004-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating light emitting device |
JP4049033B2 (ja) * | 2003-06-26 | 2008-02-20 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置とその製造方法 |
US7291967B2 (en) * | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
US7492090B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
US7205716B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
DE10351397A1 (de) * | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lumineszenzdiodenchip |
DE10351349A1 (de) | 2003-10-31 | 2005-06-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zum Hestellen eines Lumineszenzdiodenchips |
US7592207B2 (en) | 2003-11-14 | 2009-09-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and method for manufacturing the same |
CN100451797C (zh) | 2003-11-14 | 2009-01-14 | 株式会社半导体能源研究所 | 显示装置及其制造法 |
KR101048371B1 (ko) * | 2003-11-21 | 2011-07-11 | 삼성전자주식회사 | 액적 공급 설비, 이를 이용한 표시장치의 제조 방법 |
US7612498B2 (en) * | 2003-11-27 | 2009-11-03 | Toshiba Matsushita Display Technology Co., Ltd. | Display element, optical device, and optical device manufacturing method |
KR100656496B1 (ko) * | 2004-09-21 | 2006-12-11 | 삼성에스디아이 주식회사 | 풀 칼라 유기 전계 발광 표시 소자 및 그 제조방법 |
KR20070030620A (ko) * | 2005-09-13 | 2007-03-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전극 증착방법 및 이로써 제조된 유기 발광 표시장치 |
KR100754396B1 (ko) * | 2006-02-16 | 2007-08-31 | 삼성전자주식회사 | 양자점 발광소자 및 그 제조방법 |
JP5051870B2 (ja) * | 2006-06-14 | 2012-10-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 発光素子の製造装置および発光素子の製造方法 |
TW201005813A (en) | 2008-05-15 | 2010-02-01 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
TW201039382A (en) * | 2009-03-06 | 2010-11-01 | Du Pont | Process for forming an electroactive layer |
CN102362338A (zh) | 2009-03-09 | 2012-02-22 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 形成电活性层的方法 |
EP2406813A4 (en) | 2009-03-09 | 2012-07-25 | Du Pont | METHOD FOR FORMING AN ELECTROACTIVE LAYER |
EP2406826B1 (en) * | 2009-03-12 | 2017-08-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor device |
KR101883128B1 (ko) * | 2011-06-21 | 2018-07-27 | 카티바, 인크. | Oled 마이크로 공동 및 버퍼 층을 위한 물질과 그 생산 방법 |
CN105377451B (zh) * | 2014-05-23 | 2018-03-06 | 株式会社新柯隆 | 薄膜的成膜方法和成膜装置 |
CN114512617A (zh) * | 2020-11-17 | 2022-05-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种发光器件、显示装置和发光器件的制作方法 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08179116A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Sharp Corp | カラーフィルタの製造方法 |
JPH10202153A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
JPH1176916A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 塗布液乾燥防止方法 |
JP2001189192A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001186880A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-07-10 | Ngk Insulators Ltd | Dnaチップの製造方法 |
WO2001070506A2 (en) * | 2000-03-23 | 2001-09-27 | Seiko Epson Corporation | Deposition of soluble materials |
Family Cites Families (127)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL239226A (ja) | 1958-05-16 | |||
US3147142A (en) | 1961-01-25 | 1964-09-01 | Frank S Rudo | Precision coating devices |
US3596275A (en) | 1964-03-25 | 1971-07-27 | Richard G Sweet | Fluid droplet recorder |
FR1495825A (fr) | 1965-10-08 | 1967-09-22 | Dispositif d'enregistrement de signaux électriques | |
ZA697105B (en) * | 1968-10-12 | 1971-05-27 | G Giammarco | Method for the elimination from gas mixtures of the impurities contained therein |
US3946398A (en) | 1970-06-29 | 1976-03-23 | Silonics, Inc. | Method and apparatus for recording with writing fluids and drop projection means therefor |
SE349676B (ja) | 1971-01-11 | 1972-10-02 | N Stemme | |
US4043507A (en) * | 1971-05-05 | 1977-08-23 | United Kingdom Atomic Energy Authority | Apparatus for the formation of liquid droplets |
US4138284A (en) * | 1976-06-10 | 1979-02-06 | Ppg Industries, Inc. | Method of forming graded shade band on substrate |
DE2908863A1 (de) | 1978-03-13 | 1979-09-27 | Unilever Nv | Aufspruehen einer fluessigkeit zur herstellung einer darstellung |
JPH0665494B2 (ja) | 1984-04-23 | 1994-08-24 | キヤノン株式会社 | インクジエツト記録装置におけるインクの混合防止機構 |
SE447222B (sv) | 1984-12-21 | 1986-11-03 | Swedot System Ab | Elektromagnetiskt manovrerbar ventilanordning, serskilt for alstring av droppar i en vetskestralskrivare |
US4620196A (en) | 1985-01-31 | 1986-10-28 | Carl H. Hertz | Method and apparatus for high resolution ink jet printing |
US4928125A (en) | 1987-09-24 | 1990-05-22 | Minolta Camera Kabushiki Kaisha | Liquid drop ejection apparatus using a magnetic fluid |
JP2697041B2 (ja) | 1988-12-10 | 1998-01-14 | ミノルタ株式会社 | インクジェットプリンタ |
US5150132A (en) * | 1989-04-07 | 1992-09-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Material containing a cured substance for use with a liquid ejection recording head and apparatus |
GB8909011D0 (en) | 1989-04-20 | 1989-06-07 | Friend Richard H | Electroluminescent devices |
DE4010941A1 (de) * | 1990-04-05 | 1991-10-10 | Hoechst Ag | Verfahren zur herstellung von aromatischen popyamiden mit hoher hydrolysebestaendigkeit |
JP2608806B2 (ja) | 1990-11-29 | 1997-05-14 | シルバー精工株式会社 | インクジェットプリンタにおけるレジストレーション調整装置 |
JPH04220351A (ja) | 1990-12-21 | 1992-08-11 | Canon Inc | インクジェット記録装置 |
US5264376A (en) | 1991-06-24 | 1993-11-23 | Texas Instruments Incorporated | Method of making a thin film solar cell |
US5344676A (en) | 1992-10-23 | 1994-09-06 | The Board Of Trustees Of The University Of Illinois | Method and apparatus for producing nanodrops and nanoparticles and thin film deposits therefrom |
JPH06182980A (ja) | 1992-12-22 | 1994-07-05 | Matsushita Electric Works Ltd | インクジェットプリンターによる印刷装置 |
US5584739A (en) * | 1993-02-10 | 1996-12-17 | Futaba Denshi Kogyo K.K | Field emission element and process for manufacturing same |
KR960015081A (ko) | 1993-07-15 | 1996-05-22 | 마쯔모또 에이이찌 | 화학증폭형 레지스트 조성물 |
KR0164007B1 (ko) * | 1994-04-06 | 1999-02-01 | 이시다 아키라 | 미세 패턴화된 레지스트막을 가지는 기판의 건조처리방법 및 장치 |
JPH08122122A (ja) | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Fujikura Rubber Ltd | 定量ディスペンサ |
JP3241251B2 (ja) * | 1994-12-16 | 2001-12-25 | キヤノン株式会社 | 電子放出素子の製造方法及び電子源基板の製造方法 |
US5952037A (en) | 1995-03-13 | 1999-09-14 | Pioneer Electronic Corporation | Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing the same |
JPH08313721A (ja) * | 1995-05-18 | 1996-11-29 | Canon Inc | カラーフィルタの製造方法及び液晶パネル |
KR100332186B1 (ko) | 1995-11-28 | 2002-05-09 | 포만 제프리 엘 | 유기전자발광소자를향상시키기위하여사용된유기/무기합금 |
US5695658A (en) | 1996-03-07 | 1997-12-09 | Micron Display Technology, Inc. | Non-photolithographic etch mask for submicron features |
JPH09254533A (ja) * | 1996-03-26 | 1997-09-30 | Mitsubishi Paper Mills Ltd | インクジェット記録シートおよびインクジェット記録方式 |
JP3036436B2 (ja) | 1996-06-19 | 2000-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | アクティブマトリックス型有機el表示体の製造方法 |
US20020075422A1 (en) | 1996-09-19 | 2002-06-20 | Seiko Epson Corporation | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
CN1882206A (zh) | 1996-09-19 | 2006-12-20 | 精工爱普生株式会社 | 矩阵式显示元件及其制造方法 |
JPH10113595A (ja) | 1996-10-14 | 1998-05-06 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 塗布装置 |
JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示装置の製造方法 |
US6013982A (en) | 1996-12-23 | 2000-01-11 | The Trustees Of Princeton University | Multicolor display devices |
US5898185A (en) | 1997-01-24 | 1999-04-27 | International Business Machines Corporation | Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes |
US5895932A (en) | 1997-01-24 | 1999-04-20 | International Business Machines Corporation | Hybrid organic-inorganic semiconductor light emitting diodes |
JPH10214682A (ja) | 1997-01-30 | 1998-08-11 | Mitsubishi Chem Corp | 有機電界発光素子の製造装置及び製造方法 |
US6022104A (en) | 1997-05-02 | 2000-02-08 | Xerox Corporation | Method and apparatus for reducing intercolor bleeding in ink jet printing |
JPH10335061A (ja) | 1997-06-04 | 1998-12-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機el素子の製造方法及びその製造装置 |
US6843937B1 (en) * | 1997-07-16 | 2005-01-18 | Seiko Epson Corporation | Composition for an organic EL element and method of manufacturing the organic EL element |
JP3911775B2 (ja) | 1997-07-30 | 2007-05-09 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el素子の製造方法 |
JPH1154272A (ja) | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Seiko Epson Corp | 発光ディスプレイの製造方法 |
KR100627091B1 (ko) * | 1997-08-21 | 2006-09-22 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 액티브 매트릭스형 표시장치 |
JP4003273B2 (ja) | 1998-01-19 | 2007-11-07 | セイコーエプソン株式会社 | パターン形成方法および基板製造装置 |
WO1999053371A1 (en) * | 1998-04-10 | 1999-10-21 | E-Ink Corporation | Electronic displays using organic-based field effect transistors |
JP3078257B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2000-08-21 | ティーディーケイ株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
JPH11340129A (ja) | 1998-05-28 | 1999-12-10 | Seiko Epson Corp | パターン製造方法およびパターン製造装置 |
US6416583B1 (en) * | 1998-06-19 | 2002-07-09 | Tokyo Electron Limited | Film forming apparatus and film forming method |
JP2000188251A (ja) | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置及び成膜方法 |
US6566153B1 (en) * | 1998-10-14 | 2003-05-20 | The Regents Of The University Of California | Process for fabricating organic semiconductor devices using ink-jet printing technology and device and system employing same |
US6214631B1 (en) | 1998-10-30 | 2001-04-10 | The Trustees Of Princeton University | Method for patterning light emitting devices incorporating a movable mask |
US6211538B1 (en) * | 1998-11-10 | 2001-04-03 | Korea Institute Of Industrial Tech. | Electroluminescent device including a blue light emitting thick-film electroluminescent layer and a red light emitting thin-film electroluminescent layer |
US6514328B1 (en) * | 1999-02-05 | 2003-02-04 | Ricoh Company, Ltd. | Marking ink composition and display medium using the same |
JP3928120B2 (ja) | 1999-02-05 | 2007-06-13 | 株式会社リコー | 表示インク |
US6815001B1 (en) * | 1999-02-08 | 2004-11-09 | Canon Kabushiki Kaisha | Electronic device, method for producing electron source and image forming device, and apparatus for producing electronic device |
JP4351321B2 (ja) | 1999-02-22 | 2009-10-28 | 大日本印刷株式会社 | 基板塗布装置 |
JP2000268967A (ja) | 1999-03-16 | 2000-09-29 | Tdk Corp | 有機el素子 |
JP4543446B2 (ja) | 1999-04-05 | 2010-09-15 | Tdk株式会社 | 有機el素子 |
JP4423701B2 (ja) * | 1999-06-07 | 2010-03-03 | Tdk株式会社 | 有機el表示装置 |
US6300021B1 (en) | 1999-06-14 | 2001-10-09 | Thomson Licensing S.A. | Bias shield and method of developing a latent charge image |
JP2001006875A (ja) | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Dainippon Printing Co Ltd | El素子の製造方法 |
JP2001021919A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP4472056B2 (ja) | 1999-07-23 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | エレクトロルミネッセンス表示装置及びその作製方法 |
US6593690B1 (en) | 1999-09-03 | 2003-07-15 | 3M Innovative Properties Company | Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same |
TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
JP2001186881A (ja) | 1999-10-22 | 2001-07-10 | Ngk Insulators Ltd | Dnaチップの製造方法 |
US6656432B1 (en) | 1999-10-22 | 2003-12-02 | Ngk Insulators, Ltd. | Micropipette and dividedly injectable apparatus |
ATE358277T1 (de) | 1999-10-22 | 2007-04-15 | Ngk Insulators Ltd | Dna-chip und verfahren zur herstellung desselben |
ATE418387T1 (de) | 1999-10-22 | 2009-01-15 | Ngk Insulators Ltd | Flüssigkeitsspender und verfahren zur herstellung von dna chip |
JP2001135704A (ja) | 1999-11-09 | 2001-05-18 | Sharp Corp | 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法 |
US6310665B1 (en) | 1999-12-28 | 2001-10-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and optical addressing device |
JP2001209073A (ja) | 2000-01-28 | 2001-08-03 | Canon Inc | 液晶素子とその製造方法 |
JP4785257B2 (ja) | 2000-02-04 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
TW495808B (en) * | 2000-02-04 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film formation apparatus and method of manufacturing self-light-emitting device using thin film formation apparatus |
JP2001300394A (ja) | 2000-02-17 | 2001-10-30 | Konica Corp | エクストルージョン塗布方法及び塗布装置 |
TW495809B (en) | 2000-02-28 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, thin film forming method, and self-light emitting device |
US6882102B2 (en) | 2000-02-29 | 2005-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
TW495812B (en) | 2000-03-06 | 2002-07-21 | Semiconductor Energy Lab | Thin film forming device, method of forming a thin film, and self-light-emitting device |
JP3951162B2 (ja) | 2000-03-31 | 2007-08-01 | セイコーエプソン株式会社 | 微細構造体の製造方法、有機el装置の製造方法、および電子デバイスの製造方法 |
JP2001301189A (ja) | 2000-04-18 | 2001-10-30 | Canon Inc | 記録用液体タンク、および、それを備える記録装置 |
JP2001308082A (ja) | 2000-04-20 | 2001-11-02 | Nec Corp | 液体有機原料の気化方法及び絶縁膜の成長方法 |
US7579203B2 (en) | 2000-04-25 | 2009-08-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7517551B2 (en) | 2000-05-12 | 2009-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a light-emitting device |
JP4621333B2 (ja) * | 2000-06-01 | 2011-01-26 | ホーチキ株式会社 | 薄膜形成方法 |
JP2001357974A (ja) * | 2000-06-13 | 2001-12-26 | Tdk Corp | 有機el素子の製造方法、および有機el素子 |
JP2002055220A (ja) | 2000-08-10 | 2002-02-20 | Canon Inc | 表示装置用パネル、表示装置用パネルの製造方法及び製造装置、表示装置用パネルを備えた液晶表示装置および該液晶表示装置の製造方法、該液晶表示装置を備えた装置および該装置の製造方法、複数の凹部を有する基板、該基板の製造方法および製造装置、カラーフィルタ、該カラーフィルタの製造方法および製造装置 |
MY141175A (en) | 2000-09-08 | 2010-03-31 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device, method of manufacturing the same, and thin film forming apparatus |
US6348359B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-02-19 | Eastman Kodak Company | Cathode contact structures in organic electroluminescent devices |
JP2002131529A (ja) * | 2000-10-30 | 2002-05-09 | Canon Inc | 表示装置用のパネルの製造方法および製造装置、光学素子の製造方法および製造装置、物品の製造方法および製造装置 |
JP4021177B2 (ja) | 2000-11-28 | 2007-12-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器 |
KR100506082B1 (ko) * | 2000-12-18 | 2005-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반구형 잉크 챔버를 가진 잉크 젯 프린트 헤드의 제조 방법 |
US6939665B2 (en) * | 2000-12-28 | 2005-09-06 | Seiko Epson Corporation | System and methods for manufacturing a molecular film pattern |
TW518909B (en) * | 2001-01-17 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Lab | Luminescent device and method of manufacturing same |
WO2003030131A1 (fr) * | 2001-08-29 | 2003-04-10 | Seiko Epson Corporation | Dispositif electro-optique et appareil electronique |
US20030166311A1 (en) | 2001-09-12 | 2003-09-04 | Seiko Epson Corporation | Method for patterning, method for forming film, patterning apparatus, film formation apparatus, electro-optic apparatus and method for manufacturing the same, electronic equipment, and electronic apparatus and method for manufacturing the same |
JP4141787B2 (ja) | 2001-10-10 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法、この方法に用いる溶液、電子デバイスの形成方法 |
JP4138434B2 (ja) | 2001-10-10 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法、電子デバイスの形成方法 |
JP4138435B2 (ja) | 2001-10-10 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法、電子デバイスの形成方法 |
US6808749B2 (en) * | 2001-10-10 | 2004-10-26 | Seiko Epson Corporation | Thin film forming method, solution and apparatus for use in the method, and electronic device fabricating method |
JP4138433B2 (ja) | 2001-10-10 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜の形成方法、電子デバイスの形成方法 |
JP4192456B2 (ja) | 2001-10-22 | 2008-12-10 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法ならびにこれを用いた薄膜構造体の製造装置、半導体装置の製造方法、および電気光学装置の製造方法 |
US7141817B2 (en) * | 2001-11-30 | 2006-11-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4066661B2 (ja) * | 2002-01-23 | 2008-03-26 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置の製造装置および液滴吐出装置 |
JP4310984B2 (ja) * | 2002-02-06 | 2009-08-12 | 株式会社日立製作所 | 有機発光表示装置 |
JP2003245579A (ja) * | 2002-02-22 | 2003-09-02 | Seiko Epson Corp | 薄膜形成装置及び薄膜形成方法及び液晶装置の製造装置及び液晶装置の製造方法及び薄膜構造体の製造装置及び薄膜構造体の製造方法及び液晶装置及び薄膜構造体及び電子機器 |
JP2003264072A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Ricoh Co Ltd | 機能性素子基板、画像表示装置およびその製造装置 |
JP3838964B2 (ja) * | 2002-03-13 | 2006-10-25 | 株式会社リコー | 機能性素子基板の製造装置 |
JP4014901B2 (ja) * | 2002-03-14 | 2007-11-28 | セイコーエプソン株式会社 | 液滴吐出による材料の配置方法および表示装置の製造方法 |
JP2003266738A (ja) * | 2002-03-19 | 2003-09-24 | Seiko Epson Corp | 吐出装置用ヘッドユニットおよびこれを備えた吐出装置、並びに液晶表示装置の製造方法、有機el装置の製造方法、電子放出装置の製造方法、pdp装置の製造方法、電気泳動表示装置の製造方法、カラーフィルタの製造方法、有機elの製造方法、スペーサ形成方法、金属配線形成方法、レンズ形成方法、レジスト形成方法および光拡散体形成方法 |
JP4075425B2 (ja) * | 2002-03-20 | 2008-04-16 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el装置、有機el装置の製造方法、有機el装置の製造装置、及び電子機器 |
JP3864413B2 (ja) * | 2002-04-22 | 2006-12-27 | セイコーエプソン株式会社 | トランジスタの製造方法 |
US20030221620A1 (en) | 2002-06-03 | 2003-12-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Vapor deposition device |
US6858464B2 (en) * | 2002-06-19 | 2005-02-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting device |
JP4216008B2 (ja) * | 2002-06-27 | 2009-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置およびその作製方法、ならびに前記発光装置を有するビデオカメラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、dvdプレーヤー、電子遊技機器、または携帯情報端末 |
KR100547501B1 (ko) | 2002-07-01 | 2006-01-31 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | 유기 일렉트로루미네선스 장치의 제조 방법, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 전자 기기 |
TWI276366B (en) * | 2002-07-09 | 2007-03-11 | Semiconductor Energy Lab | Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus |
KR100518538B1 (ko) | 2002-10-26 | 2005-10-04 | 삼성전자주식회사 | 데이터 독출 동작과 기입 동작을 동시에 수행할 수 있는집적 회로 및 방법. |
AU2003277541A1 (en) | 2002-11-11 | 2004-06-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Process for fabricating light emitting device |
JP4493926B2 (ja) * | 2003-04-25 | 2010-06-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 製造装置 |
JP4492051B2 (ja) * | 2003-07-17 | 2010-06-30 | セイコーエプソン株式会社 | 液体噴射ヘッドの製造方法 |
US20050056969A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-17 | Eastman Kodak Company | Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using a solvent |
KR100661642B1 (ko) * | 2005-11-28 | 2006-12-26 | 삼성전자주식회사 | 표시장치의 제조방법과 이에 의한 표시장치 |
-
2003
- 2003-06-18 US US10/464,798 patent/US6858464B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2005
- 2005-01-14 US US11/036,299 patent/US7163836B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-01-11 US US11/652,284 patent/US7569405B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2009
- 2009-07-31 US US12/533,338 patent/US8105855B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-10-02 JP JP2009230186A patent/JP2009302076A/ja not_active Withdrawn
-
2012
- 2012-01-30 US US13/360,896 patent/US8357551B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2012-10-23 JP JP2012233601A patent/JP2013058486A/ja not_active Withdrawn
-
2013
- 2013-01-18 US US13/744,995 patent/US8906714B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2013-10-18 JP JP2013217573A patent/JP2014041838A/ja not_active Withdrawn
-
2015
- 2015-02-27 JP JP2015037873A patent/JP6043382B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2016
- 2016-05-16 JP JP2016097753A patent/JP2016164891A/ja not_active Withdrawn
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08179116A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Sharp Corp | カラーフィルタの製造方法 |
JPH10202153A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Agency Of Ind Science & Technol | 薄膜製造方法および薄膜製造装置 |
JPH1176916A (ja) * | 1997-09-05 | 1999-03-23 | Dainippon Ink & Chem Inc | 塗布液乾燥防止方法 |
JP2001189192A (ja) * | 1999-10-12 | 2001-07-10 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置及びその作製方法 |
JP2001186880A (ja) * | 1999-10-22 | 2001-07-10 | Ngk Insulators Ltd | Dnaチップの製造方法 |
WO2001070506A2 (en) * | 2000-03-23 | 2001-09-27 | Seiko Epson Corporation | Deposition of soluble materials |
JP2003527955A (ja) * | 2000-03-23 | 2003-09-24 | セイコーエプソン株式会社 | 可溶性材料の堆積 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2015156379A (ja) | 2015-08-27 |
JP2016164891A (ja) | 2016-09-08 |
US7569405B2 (en) | 2009-08-04 |
US7163836B2 (en) | 2007-01-16 |
US20050147739A1 (en) | 2005-07-07 |
JP2013058486A (ja) | 2013-03-28 |
US8105855B2 (en) | 2012-01-31 |
JP2014041838A (ja) | 2014-03-06 |
US20130157392A1 (en) | 2013-06-20 |
US20120129280A1 (en) | 2012-05-24 |
US20030235935A1 (en) | 2003-12-25 |
US8357551B2 (en) | 2013-01-22 |
US8906714B2 (en) | 2014-12-09 |
US20070122937A1 (en) | 2007-05-31 |
US6858464B2 (en) | 2005-02-22 |
JP6043382B2 (ja) | 2016-12-14 |
US20100029029A1 (en) | 2010-02-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6043382B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP5568578B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
US8197295B2 (en) | Production apparatus and method of producing a light-emitting device by using the same apparatus | |
JP4597490B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP4451082B2 (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP2004171943A (ja) | 発光装置の作製方法 | |
JP4837227B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP4628656B2 (ja) | 発光装置の製造装置及び発光装置の作製方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20091007 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111004 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120904 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121023 |
|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20121024 |