JP2009267398A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009267398A5
JP2009267398A5 JP2009091309A JP2009091309A JP2009267398A5 JP 2009267398 A5 JP2009267398 A5 JP 2009267398A5 JP 2009091309 A JP2009091309 A JP 2009091309A JP 2009091309 A JP2009091309 A JP 2009091309A JP 2009267398 A5 JP2009267398 A5 JP 2009267398A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
die pad
die
pins
process according
providing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009091309A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009267398A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US12/191,527 external-priority patent/US7838339B2/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2009267398A publication Critical patent/JP2009267398A/ja
Publication of JP2009267398A5 publication Critical patent/JP2009267398A5/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Claims (19)

  1. 半導体素子のためのパッケージを作製する製法であって、
    金属層を設ける工程と、
    記金属層を貫いて穴のパターンをパンチング加工して、ダイパッドと複数のピンとを画定する工程と、
    記金属層の一部をスタンピング加工して、前記複数のピンに含まれるピンの一部を前記ダイパッドの水平面の上方に持ち上げ、且つ、該ピンに正方形と長方形とを除く複雑な横断面外形を付与する工程と、
    前記ピンの前記持ち上げられた一部と前記複雑な横断面外形との少なくとも一部分をパッケージボディ内部に封入する工程と、
    を含む製法。
  2. 前記スタンピング加工が前記ダイパッドの一部もしくはピンの一部に窪みを形成する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の製法。
  3. 前記複雑な横断面外形によって前記パッケージボディ内部の前記ピンを機械的に噛み合わせることを特徴とする、請求項1又は2に記載の製法。
  4. 前記複雑な横断面外形が、面取り型、砂時計型、T字型、I字型、凹型、凸型、もしくは鋸歯型から選択される、請求項1〜3のいずれか1項に記載の製法。
  5. 前記スタンピング加工によって前記ダイパッドの外周隣接した穴を作ることを特徴とする、請求項1〜4のいずれか1項に記載の製法。
  6. ダウンボンド・ランウェイ領域が前記ダイパッドの前記穴との間に画定されることを特徴とする、請求項に記載の製法。
  7. 前記パンチング加工によって0.15mm以上の幅を示す前記複数のピンを作ることを特徴とする、請求項1〜6のいずれか1項に記載の製法。
  8. 前記パンチング加工によって0.4mm以上の間隔幅を有する前記複数のピンを作ることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか1項に記載の製法。
  9. 前記金属層を設ける工程が銅ロールを設ける工程を含むことを特徴とする、請求項1〜8のいずれか1項に記載の製法。
  10. 前記銅ロールを設ける工程が約0.004〜0.020インチの間の厚さを有する銅ロールを設ける工程を含むことを特徴とする、請求項に記載の製法。
  11. 前記ピンの一部に電気めっきを施す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜10のいずれか1項に記載の製法。
  12. 前記ダイパッドのダイ取付部に電気めっきを施す工程をさらに含むことを特徴とする、請求項11に記載の製法。
  13. 前記ダイ取付の周囲に防止帯を形成するために電気めっきされた前記ダイパッドを酸化する工程をさらに含むことを特徴とする、請求項12に記載の製法。
  14. 電気伝導性接着材料を用いてダイを前記ダイパッドに取付る工程をさらに含むことを特徴とする、請求項1〜13のいずれか1項に記載の製法。
  15. 前記電気伝導性接着材料を前記ダイの裏側に前塗布することを特徴とする、請求項14に記載の製法。
  16. 前記ダイの取付に先立って前記電気伝導性接着材料を前記ダイパッドに塗布することを特徴とする、請求項14に記載の製法。
  17. 前記電気伝導性接着材料の延展がオキサイド防止帯によって抑えられることを特徴とする、請求項14〜16のいずれか1項に記載の製法。
  18. 電気伝導性のクリップを前記ダイ上の接触点とピンとの間に設ける工程をさらに含むことを特徴とする、請求項14〜17のいずれか1項に記載の製法。
  19. 前記パンチング加工によって周囲の金属ロールの直交する部分およびダイパッドと一体になった少なくとも2つのピンを作ることを特徴とする、請求項1〜18のいずれか1項に記載の製法。
JP2009091309A 2008-04-04 2009-04-03 スタンピング加工を用いて形成される形状を有する半導体素子パッケージ Pending JP2009267398A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US4260208P 2008-04-04 2008-04-04
US12/191,527 US7838339B2 (en) 2008-04-04 2008-08-14 Semiconductor device package having features formed by stamping

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009267398A JP2009267398A (ja) 2009-11-12
JP2009267398A5 true JP2009267398A5 (ja) 2012-05-24

Family

ID=41132493

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009091309A Pending JP2009267398A (ja) 2008-04-04 2009-04-03 スタンピング加工を用いて形成される形状を有する半導体素子パッケージ

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7838339B2 (ja)
JP (1) JP2009267398A (ja)
CN (1) CN101587849B (ja)

Families Citing this family (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7838339B2 (en) * 2008-04-04 2010-11-23 Gem Services, Inc. Semiconductor device package having features formed by stamping
JP5220714B2 (ja) * 2009-09-18 2013-06-26 セイコーインスツル株式会社 樹脂封止型半導体装置及びその製造方法
DE102010062346A1 (de) * 2010-12-02 2012-06-06 Robert Bosch Gmbh Elektronische Baugruppe sowie Verfahren zu deren Herstellung
EP3536582B1 (en) 2011-04-07 2022-08-10 Mitsubishi Electric Corporation Mold module and electric power steering apparatus
CN102779765B (zh) * 2011-05-13 2016-08-17 飞思卡尔半导体公司 具有交错引线的半导体器件
US10491966B2 (en) * 2011-08-04 2019-11-26 Saturn Licensing Llc Reception apparatus, method, computer program, and information providing apparatus for providing an alert service
CN102324391B (zh) * 2011-09-19 2013-04-24 杰群电子科技(东莞)有限公司 无引脚半导体引线框架焊铝箔方法
US20140167237A1 (en) * 2012-12-14 2014-06-19 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Power module package
US11469205B2 (en) 2013-03-09 2022-10-11 Adventive International Ltd. Universal surface-mount semiconductor package
US9576884B2 (en) 2013-03-09 2017-02-21 Adventive Ipbank Low profile leaded semiconductor package
US9281264B2 (en) 2013-03-11 2016-03-08 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Electronic packaging substrate with etching indentation as die attachment anchor and method of manufacturing the same
DE102013211089A1 (de) * 2013-06-14 2014-12-18 Robert Bosch Gmbh Substrat mit einem Bereich zur Begrenzung eines Lotbereichs
US9627305B2 (en) * 2013-07-11 2017-04-18 Infineon Technologies Ag Semiconductor module with interlocked connection
CN103594448A (zh) * 2013-11-15 2014-02-19 杰群电子科技(东莞)有限公司 一种引线框架
JP2016058612A (ja) * 2014-09-11 2016-04-21 株式会社デンソー 半導体装置
US10134670B2 (en) 2015-04-08 2018-11-20 International Business Machines Corporation Wafer with plated wires and method of fabricating same
JP6555927B2 (ja) * 2015-05-18 2019-08-07 大口マテリアル株式会社 半導体素子搭載用リードフレーム及び半導体装置の製造方法
JP6621681B2 (ja) * 2016-02-17 2019-12-18 株式会社三井ハイテック リードフレーム及びその製造方法、並びに半導体パッケージ
JP2018081967A (ja) * 2016-11-14 2018-05-24 株式会社デンソー 半導体装置およびその製造方法
US10535812B2 (en) * 2017-09-04 2020-01-14 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device
US10867894B2 (en) * 2018-10-11 2020-12-15 Asahi Kasei Microdevices Corporation Semiconductor element including encapsulated lead frames
IT201900009501A1 (it) 2019-06-19 2020-12-19 St Microelectronics Srl Procedimento di die attachment per dispositivi a semiconduttore e dispositivo a semiconduttore corrispondente
JP7192688B2 (ja) 2019-07-16 2022-12-20 Tdk株式会社 電子部品パッケージ
CN110323198B (zh) * 2019-07-26 2024-04-26 广东气派科技有限公司 非接触式上下芯片封装结构及其封装方法
EP3797962A1 (de) * 2019-09-30 2021-03-31 Siemens Aktiengesellschaft Gehäuse eines elektronikmoduls und dessen herstellung
US11901309B2 (en) * 2019-11-12 2024-02-13 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor device package assemblies with direct leadframe attachment
IT201900022641A1 (it) * 2019-12-02 2021-06-02 St Microelectronics Srl Procedimento per fabbricare dispositivi a semiconduttore, apparato e dispositivo a semiconduttore corrispondenti
TWM606836U (zh) * 2020-09-18 2021-01-21 長華科技股份有限公司 導線架
CN112331583B (zh) * 2020-10-14 2023-04-07 安徽科技学院 一种用于mosfet器件生产的封装装置
CN116613132A (zh) * 2023-07-19 2023-08-18 青岛泰睿思微电子有限公司 射频类的芯片封装结构及方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS52145767U (ja) * 1976-04-28 1977-11-04
JPS6230358A (ja) * 1985-07-31 1987-02-09 Nec Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
JPH09148509A (ja) 1995-11-22 1997-06-06 Goto Seisakusho:Kk 半導体装置用リードフレーム及びその表面処理方法
JP2971449B2 (ja) * 1997-07-31 1999-11-08 松下電子工業株式会社 半導体装置、その製造方法及び半導体装置のリードフレーム
JP2000114426A (ja) * 1998-10-07 2000-04-21 Mitsui High Tec Inc 片面樹脂封止型半導体装置
TW490820B (en) * 2000-10-04 2002-06-11 Advanced Semiconductor Eng Heat dissipation enhanced ball grid array package
JP4417541B2 (ja) * 2000-10-23 2010-02-17 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6433424B1 (en) * 2000-12-14 2002-08-13 International Rectifier Corporation Semiconductor device package and lead frame with die overhanging lead frame pad
KR100857161B1 (ko) * 2001-01-31 2008-09-05 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 반도체장치 및 그 제조방법
JP3553551B2 (ja) * 2002-01-11 2004-08-11 沖電気工業株式会社 半導体ウェハを用いた半導体装置の製造方法
JP2004095572A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP4372508B2 (ja) * 2003-10-06 2009-11-25 ローム株式会社 リードフレームの製造方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法、ならびに半導体装置ならびにそれを備えた携帯機器および電子装置
US7122406B1 (en) * 2004-01-02 2006-10-17 Gem Services, Inc. Semiconductor device package diepad having features formed by electroplating
US7262491B2 (en) * 2005-09-06 2007-08-28 Advanced Interconnect Technologies Limited Die pad for semiconductor packages and methods of making and using same
US8174096B2 (en) * 2006-08-25 2012-05-08 Asm Assembly Materials Ltd. Stamped leadframe and method of manufacture thereof
US20080111219A1 (en) * 2006-11-14 2008-05-15 Gem Services, Inc. Package designs for vertical conduction die
US7838339B2 (en) * 2008-04-04 2010-11-23 Gem Services, Inc. Semiconductor device package having features formed by stamping

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009267398A5 (ja)
JP2013118255A5 (ja)
JP5762078B2 (ja) リードフレーム
JP2012069761A5 (ja)
EP2816589A3 (en) Die substrate with reinforcement structure
JP2014103295A5 (ja)
JP2014220439A5 (ja)
EP2560201A3 (en) Semiconductor packaging structure and method of fabricating the same
TW200715475A (en) A phase-change semiconductor device and methods of manufacturing the same
US9655240B2 (en) Substrate
TWI716477B (zh) 引線架及其製造方法、半導體裝置
JP2011258732A5 (ja)
JP2015072991A (ja) リードフレーム及びその製造方法並びにそれを用いた半導体装置
JP2009260282A (ja) パッケージ用リードフレーム
JP2016510513A5 (ja)
JP5173654B2 (ja) 半導体装置
JP2012014756A5 (ja)
JP3171592U (ja) 発光ダイオードの電極の構造
JP6536992B2 (ja) リードフレーム、樹脂付きリードフレーム及び光半導体装置、並びにそれらの製造方法
JP2014116499A (ja) リードフレーム及びその製造方法
TWI663897B (zh) 電路基板用金屬板、電路基板、功率模組、金屬板成形品、及電路基板之製造方法
JP2015060889A (ja) 半導体装置の製造方法、半導体装置及びリードフレーム
JP6549003B2 (ja) 半導体装置
JP2010010634A5 (ja)
TWI618911B (zh) Wafer packaging device and heat sink and heat sink manufacturing method thereof