JP2009060011A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2009060011A5
JP2009060011A5 JP2007227708A JP2007227708A JP2009060011A5 JP 2009060011 A5 JP2009060011 A5 JP 2009060011A5 JP 2007227708 A JP2007227708 A JP 2007227708A JP 2007227708 A JP2007227708 A JP 2007227708A JP 2009060011 A5 JP2009060011 A5 JP 2009060011A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
heat transfer
mounting table
transfer gas
substrate mounting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2007227708A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Other versions
JP2009060011A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2007227708A priority Critical patent/JP2009060011A/ja
Priority claimed from JP2007227708A external-priority patent/JP2009060011A/ja
Priority to CN200810146703A priority patent/CN100585828C/zh
Priority to KR1020080084461A priority patent/KR101037461B1/ko
Priority to TW097133598A priority patent/TWI502680B/zh
Priority to US12/203,402 priority patent/US20090233443A1/en
Publication of JP2009060011A publication Critical patent/JP2009060011A/ja
Publication of JP2009060011A5 publication Critical patent/JP2009060011A5/ja
Priority to US14/083,179 priority patent/US20140076515A1/en
Pending legal-status Critical Current

Links

JP2007227708A 2007-09-03 2007-09-03 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法 Pending JP2009060011A (ja)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227708A JP2009060011A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法
CN200810146703A CN100585828C (zh) 2007-09-03 2008-08-26 基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法
KR1020080084461A KR101037461B1 (ko) 2007-09-03 2008-08-28 기판탑재대, 기판 처리 장치, 및 온도 제어 방법
TW097133598A TWI502680B (zh) 2007-09-03 2008-09-02 A substrate stage, a substrate processing device, and a temperature control method
US12/203,402 US20090233443A1 (en) 2007-09-03 2008-09-03 Substrate mounting table, substrate processing apparatus and temperature control method
US14/083,179 US20140076515A1 (en) 2007-09-03 2013-11-18 Substrate mounting table, substrate processing apparatus and temperature control method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227708A JP2009060011A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012039440A Division JP2012129547A (ja) 2012-02-25 2012-02-25 基板載置台、基板処理装置、および温度制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009060011A JP2009060011A (ja) 2009-03-19
JP2009060011A5 true JP2009060011A5 (enExample) 2010-10-14

Family

ID=40463061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2007227708A Pending JP2009060011A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20090233443A1 (enExample)
JP (1) JP2009060011A (enExample)
KR (1) KR101037461B1 (enExample)
CN (1) CN100585828C (enExample)
TW (1) TWI502680B (enExample)

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9728429B2 (en) * 2010-07-27 2017-08-08 Lam Research Corporation Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers
JP2012089591A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び真空処理方法
JP5869899B2 (ja) 2011-04-01 2016-02-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
JP6244454B2 (ja) 2013-09-27 2017-12-06 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． リソグラフィ装置のための支持テーブル、リソグラフィ装置、及び、デバイス製造方法
KR102113624B1 (ko) * 2013-12-27 2020-05-21 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 제조장치
JP6212412B2 (ja) * 2014-02-28 2017-10-11 日本特殊陶業株式会社 真空吸着部材
CN110068991B (zh) 2014-10-23 2021-03-12 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台和光刻设备
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
JP2016136554A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN104835761A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种边缘出气的可控温加热盘
CN104835765A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种多边形分布的凸台表面结构的可控温加热盘
KR102348108B1 (ko) * 2015-10-05 2022-01-10 주식회사 미코세라믹스 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치
US11031278B2 (en) 2016-03-30 2021-06-08 Kyocera Corporation Suction member
JP6559347B2 (ja) * 2016-06-23 2019-08-14 株式会社アルバック 保持装置
JP6918642B2 (ja) * 2017-08-25 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置
CN107910250A (zh) * 2017-11-16 2018-04-13 德淮半导体有限公司 晶片处理设备及方法
KR102516339B1 (ko) * 2018-04-06 2023-03-31 삼성전자주식회사 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법
JP7175114B2 (ja) * 2018-07-19 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電極部材
JP7407529B2 (ja) * 2019-07-10 2024-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び温度制御方法
JP2021077752A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP7466686B2 (ja) 2020-03-23 2024-04-12 ラム リサーチ コーポレーション 基板処理システムにおける中間リング腐食補償
CN112530846B (zh) * 2020-12-01 2024-06-21 北京北方华创微电子装备有限公司 承载盘及控温装置

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109847A (ja) * 1991-10-16 1993-04-30 Hitachi Ltd 発熱体の冷却装置
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
JPH07201956A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Steel Corp ウエハ冷却装置
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
US6033478A (en) * 1996-11-05 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer support with improved temperature control
US5937541A (en) * 1997-09-15 1999-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor wafer temperature measurement and control thereof using gas temperature measurement
JP2000317761A (ja) * 1999-03-01 2000-11-21 Toto Ltd 静電チャックおよび吸着方法
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
JP4317329B2 (ja) * 2000-01-20 2009-08-19 日本碍子株式会社 静電チャック
JP3859937B2 (ja) * 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP4697833B2 (ja) * 2000-06-14 2011-06-08 キヤノンアネルバ株式会社 静電吸着機構及び表面処理装置
KR20020094353A (ko) * 2001-06-11 2002-12-18 삼성전자 주식회사 웨이퍼 쿨링 스테이지
KR100504283B1 (ko) * 2003-06-28 2005-07-27 (주) 대홍기업 웨이퍼 재치대용 플레이트 및 이 플레이트가 채택된 웨이퍼 재치대
JP2005079539A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2005085803A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Shinwa Controls Co Ltd サセプタ
JP2004119987A (ja) * 2003-10-22 2004-04-15 Hitachi Ltd 半導体製造装置
KR20050069684A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 반도체 웨이퍼용 정전척의 온도조절장치 및 온도조절방법
JP4642550B2 (ja) * 2004-10-29 2011-03-02 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法
JP5004436B2 (ja) * 2005-05-23 2012-08-22 東京エレクトロン株式会社 静電吸着電極および処理装置
JP5011736B2 (ja) * 2006-01-31 2012-08-29 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2009060011A5 (enExample)
TWI836110B (zh) 溫度控制總成、及控制氣相反應器之溫度控制總成的溫度之方法
CN100585828C (zh) 基板载置台、基板处理装置以及温度控制方法
TWI760764B (zh) 噴淋頭總成及其組件
TWI722725B (zh) 具有更均勻的邊緣清洗的基板支撐件
TWI676708B (zh) 具有傳導性控制之化學沉積設備
TWI444554B (zh) 具有增加的流動均勻度之狹縫閥
JP2012129547A5 (enExample)
JP2008522029A5 (enExample)
JP2017512379A5 (enExample)
JP2006186271A (ja) 気相成長装置および成膜済基板の製造方法
TWI557265B (zh) 在沉積室中用於調節氣流之設備、沉積室、以及均勻沉積材料於基板上之方法
TW201932640A (zh) 半導體裝置製造設備與製造方法
JP2012129547A (ja) 基板載置台、基板処理装置、および温度制御方法
CN115190820A (zh) 用于薄膜沉积的设备和方法
JP2013115208A (ja) 気化原料供給装置、これを備える基板処理装置、及び気化原料供給方法
JPH10280150A (ja) 被処理基板の処理装置
JP2017538036A (ja) 大面積基板コーティング用ｃｖｄ又はｐｖｄ反応炉
JP2000294538A (ja) 真空処理装置
JP2005064305A5 (enExample)
JP2019167628A5 (enExample)
JPWO2021225047A5 (enExample)
JP2018511695A (ja) 大面積基板コーティング装置
JP2015523309A5 (enExample)
JP5302834B2 (ja) プラズマ処理装置