JPH05109847A - 発熱体の冷却装置 - Google Patents
発熱体の冷却装置Info
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- JPH05109847A JPH05109847A JP26746491A JP26746491A JPH05109847A JP H05109847 A JPH05109847 A JP H05109847A JP 26746491 A JP26746491 A JP 26746491A JP 26746491 A JP26746491 A JP 26746491A JP H05109847 A JPH05109847 A JP H05109847A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体ウエハに形成された多数の集積回路の
特性評価テスト時、給電されて温度上昇する発熱体であ
る半導体ウエハを速やかに所定温度に冷却する。 【構成】 発熱体1と面接触する冷却ブロック4の接触
面側に、高熱伝導性流体(流体と言う)を供給する供給
口7aと、供給口7aから送りこまれ接触面間に形成さ
れた微小間隙に充満する流体を回収する回収口10aと
を設け、供給口7aを介して接触面間に流体を供給する
タンク8と、回収口10aを介して流体を吸引して回収
する回収装置11とを設けた。発熱体の熱は、発熱体と
冷却体の固体接触面及び間隙に充満する高熱伝導の流体
を介して伝導する。
特性評価テスト時、給電されて温度上昇する発熱体であ
る半導体ウエハを速やかに所定温度に冷却する。 【構成】 発熱体1と面接触する冷却ブロック4の接触
面側に、高熱伝導性流体(流体と言う)を供給する供給
口7aと、供給口7aから送りこまれ接触面間に形成さ
れた微小間隙に充満する流体を回収する回収口10aと
を設け、供給口7aを介して接触面間に流体を供給する
タンク8と、回収口10aを介して流体を吸引して回収
する回収装置11とを設けた。発熱体の熱は、発熱体と
冷却体の固体接触面及び間隙に充満する高熱伝導の流体
を介して伝導する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、発熱体を冷却して所定
温度に高精度で保持する発熱体の冷却装置に関し、特に
半導体ウエハ上に形成された集積回路の電気特性を検査
する際、給電されて発熱する半導体ウエハなどの発熱体
を冷却するに好適な発熱体の冷却装置に関する。
温度に高精度で保持する発熱体の冷却装置に関し、特に
半導体ウエハ上に形成された集積回路の電気特性を検査
する際、給電されて発熱する半導体ウエハなどの発熱体
を冷却するに好適な発熱体の冷却装置に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、この種の半導体ウエハの冷却装置
においては、図7に示すように冷凍機5から供給される
低温の冷却流体が循環する冷却パイプ6を内蔵した冷却
ブロック4上に、発熱体である半導体ウエハ1を載置
し、この半導体ウエハ1の中央部を、冷却ブロック4に
設けられた真空排気口15を介して真空ポンプ8によっ
て真空チャックし、冷却ブロック4との接触伝導によっ
て半導体ウエハ1の冷却を行っていた。
においては、図7に示すように冷凍機5から供給される
低温の冷却流体が循環する冷却パイプ6を内蔵した冷却
ブロック4上に、発熱体である半導体ウエハ1を載置
し、この半導体ウエハ1の中央部を、冷却ブロック4に
設けられた真空排気口15を介して真空ポンプ8によっ
て真空チャックし、冷却ブロック4との接触伝導によっ
て半導体ウエハ1の冷却を行っていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハと接触す
る冷却体の接触面の面精度を高精度に仕上げ、表面粗さ
及び反りを数μm程度にしても、半導体ウエハと冷却体
の接触面間には相互の接触面の凹凸や反りのために固体
接触する部分と微小な間隙とが存在する。なお図7にお
いては、半導体1と冷却ブロック4との間に間隙がある
ように図示しているが、実際にはミクロ的に接触する部
分と間隙部分とが存在し、これらを図示するのが難しい
ため、模擬的に等価間隙を設けて図示している。以後同
様の図示方法を用いる。
る冷却体の接触面の面精度を高精度に仕上げ、表面粗さ
及び反りを数μm程度にしても、半導体ウエハと冷却体
の接触面間には相互の接触面の凹凸や反りのために固体
接触する部分と微小な間隙とが存在する。なお図7にお
いては、半導体1と冷却ブロック4との間に間隙がある
ように図示しているが、実際にはミクロ的に接触する部
分と間隙部分とが存在し、これらを図示するのが難しい
ため、模擬的に等価間隙を設けて図示している。以後同
様の図示方法を用いる。
【0004】上記従来技術を用いて発熱体である半導体
ウエハの冷却を行う場合、接触面間の真空チャック部近
傍の微小間隙では真空になって流体が介在せず、また真
空チャック部の外周のでは空気が介在してしまう。流体
が介在しない部分では、熱の伝導が極端に悪くなり、一
方、空気が介在する部分は、真空ほど悪くはないが固体
の接触による熱抵抗は、空気の熱伝導率が小さいために
大きくなる。また、接触面間に数μm程度のゴミが付着
したとすると接触熱抵抗は大きくなってしまう。このた
め、高発熱する半導体ウエハの温度を高精度に保ちなが
ら冷却することは難しかった。
ウエハの冷却を行う場合、接触面間の真空チャック部近
傍の微小間隙では真空になって流体が介在せず、また真
空チャック部の外周のでは空気が介在してしまう。流体
が介在しない部分では、熱の伝導が極端に悪くなり、一
方、空気が介在する部分は、真空ほど悪くはないが固体
の接触による熱抵抗は、空気の熱伝導率が小さいために
大きくなる。また、接触面間に数μm程度のゴミが付着
したとすると接触熱抵抗は大きくなってしまう。このた
め、高発熱する半導体ウエハの温度を高精度に保ちなが
ら冷却することは難しかった。
【0005】この接触熱抵抗を小さく安定にする方法の
一つとして、日経エレクトロニクス1985年6−17
(NO.371)に半導体パッケージと熱伝導体との接
触面にサーマル・コンパウンドと称する高熱伝導性グリ
ースを塗布する方法が論じられている。
一つとして、日経エレクトロニクス1985年6−17
(NO.371)に半導体パッケージと熱伝導体との接
触面にサーマル・コンパウンドと称する高熱伝導性グリ
ースを塗布する方法が論じられている。
【0006】この高熱伝導性グリースを塗布して冷却す
る方法を半導体ウエハの冷却に用いた場合、頻繁に着脱
を繰り返す半導体ウエハを高精度に温度コントロールす
るには塗布するグリースの量を正確に一定に保たねばな
らない。つまり、半導体ウエハと冷却ブロックとの接触
面間に介在するグリースの厚さが接触熱抵抗を支配する
ため、グリースの厚さを一定に保つことは不可欠とな
る。しかし、短時間に多量の半導体ウエハに対してグリ
ースの厚さを一定値にすることは難しい。また、半導体
ウエハの冷却後は接触面に塗布したグリースを洗浄しな
くてはならないため工程上の手間が増えてしまう。ま
た、洗浄が不完全だと、それが後工程例えば接着する際
に悪影響を及ぼすなどの問題があった。
る方法を半導体ウエハの冷却に用いた場合、頻繁に着脱
を繰り返す半導体ウエハを高精度に温度コントロールす
るには塗布するグリースの量を正確に一定に保たねばな
らない。つまり、半導体ウエハと冷却ブロックとの接触
面間に介在するグリースの厚さが接触熱抵抗を支配する
ため、グリースの厚さを一定に保つことは不可欠とな
る。しかし、短時間に多量の半導体ウエハに対してグリ
ースの厚さを一定値にすることは難しい。また、半導体
ウエハの冷却後は接触面に塗布したグリースを洗浄しな
くてはならないため工程上の手間が増えてしまう。ま
た、洗浄が不完全だと、それが後工程例えば接着する際
に悪影響を及ぼすなどの問題があった。
【0007】その他、接触熱抵抗を安定にする方法とし
て、半導体CVD装置において半導体ウエハと冷却体の
接触面間に高熱伝導性のヘリウムガスを供給する方法が
知られている。しかし、ヘリウムガスを噴射させるのみ
では、半導体ウエハが供給圧力によって若干量押し上げ
られ、本発明で必要とする冷却体への吸着作用が得られ
ない。そして、伝熱に寄与した後のヘリウムガスは周囲
に拡散し、その周囲での工程に影響を及ぼす等の問題が
あった。
て、半導体CVD装置において半導体ウエハと冷却体の
接触面間に高熱伝導性のヘリウムガスを供給する方法が
知られている。しかし、ヘリウムガスを噴射させるのみ
では、半導体ウエハが供給圧力によって若干量押し上げ
られ、本発明で必要とする冷却体への吸着作用が得られ
ない。そして、伝熱に寄与した後のヘリウムガスは周囲
に拡散し、その周囲での工程に影響を及ぼす等の問題が
あった。
【0008】本発明の目的は、発熱体の温度を所定温度
に、また発熱体表面の平坦度を、高精度に保ちながら、
発熱体を効果的に冷却する発熱体の冷却装置を提供する
ことにある。
に、また発熱体表面の平坦度を、高精度に保ちながら、
発熱体を効果的に冷却する発熱体の冷却装置を提供する
ことにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の発熱体の冷却装置は、発熱体を載置しその
発熱体との接触面を介して冷却する冷却体を備えた発熱
体の冷却装置において、冷却体の接触面に高熱伝導性流
体を供給する供給口と、その供給口から、発熱体及び冷
却体それぞれの接触面の凹凸により形成された微小間隙
を通じて流れる高熱伝導性流体を回収する回収口とを設
け、さらに供給口に冷却体内に形成した流路を介して高
熱伝導性流体を供給する流体供給手段と、回収口から前
記冷却体内に形成した別の流路を介して高熱伝導性流体
を吸引する流体回収手段とを設けたことを特徴としてい
る。
め、本発明の発熱体の冷却装置は、発熱体を載置しその
発熱体との接触面を介して冷却する冷却体を備えた発熱
体の冷却装置において、冷却体の接触面に高熱伝導性流
体を供給する供給口と、その供給口から、発熱体及び冷
却体それぞれの接触面の凹凸により形成された微小間隙
を通じて流れる高熱伝導性流体を回収する回収口とを設
け、さらに供給口に冷却体内に形成した流路を介して高
熱伝導性流体を供給する流体供給手段と、回収口から前
記冷却体内に形成した別の流路を介して高熱伝導性流体
を吸引する流体回収手段とを設けたことを特徴としてい
る。
【0010】そして本発明の発熱体の冷却装置には、供
給口への高熱伝導性流体の供給圧力を発熱体の周囲圧力
よりも低く設定する圧力調整手段を設けておくのがよ
い。
給口への高熱伝導性流体の供給圧力を発熱体の周囲圧力
よりも低く設定する圧力調整手段を設けておくのがよ
い。
【0011】冷却体の接触面に設けた高熱伝導性流体の
供給口及び回収口の配置について、供給口は発熱体の中
心部にあたる位置に設け、回収口は複数個を発熱体の周
縁部に当たる位置に供給口を囲むように設けるのがよ
い。また高熱伝導性流体の流通をよくするため、冷却体
の接触面に供給口から回収口をつなぐ溝を設けるのが好
ましい。または冷却体の接触面に隣合う回収口をつなぐ
円周溝を設けてもよい。
供給口及び回収口の配置について、供給口は発熱体の中
心部にあたる位置に設け、回収口は複数個を発熱体の周
縁部に当たる位置に供給口を囲むように設けるのがよ
い。また高熱伝導性流体の流通をよくするため、冷却体
の接触面に供給口から回収口をつなぐ溝を設けるのが好
ましい。または冷却体の接触面に隣合う回収口をつなぐ
円周溝を設けてもよい。
【0012】大型の発熱体の冷却には、冷却体の供給口
は発熱体に対し一様に分布させて複数設け、吸収口は供
給口それぞれを囲むように複数個づつ設けたものが有効
である。あるいは冷却体の供給口を発熱体の周縁部に当
たる位置に設け、回収口は発熱体の中心に関して供給口
と対象の位置に設け記供給口及び回収口それぞれから冷
却体の接触面に多岐の溝を設け、供給口から溝と回収口
からの溝を互いに入り組ませたものとしてもよい。
は発熱体に対し一様に分布させて複数設け、吸収口は供
給口それぞれを囲むように複数個づつ設けたものが有効
である。あるいは冷却体の供給口を発熱体の周縁部に当
たる位置に設け、回収口は発熱体の中心に関して供給口
と対象の位置に設け記供給口及び回収口それぞれから冷
却体の接触面に多岐の溝を設け、供給口から溝と回収口
からの溝を互いに入り組ませたものとしてもよい。
【0013】なお、上記本発明の発熱体の冷却装置は発
熱体なる半導体ウエハの冷却に好適である。
熱体なる半導体ウエハの冷却に好適である。
【0014】
【作用】本発明の発熱体の冷却装置において、発熱体の
発生する熱は、発熱体と面接触する冷却体によって除去
される。この冷却の際に、流体供給手段が高熱伝導性流
体を、冷却体内の流路を通じて供給口から発熱体と冷却
体の接触面間に供給すると同時に、流体回収手段が冷却
体内の別の流路内に存在する空気を吸引し、それに伴い
それまで接触面間に介在していた空気は接触面間の微小
な間隙を流れ、回収口から別の流路を通じて排出され、
この微小な間隙は高熱伝導性流体で満たされる。発熱体
の発生する熱は、発熱体と冷却体とが固体接触する経路
と、発熱体から高熱伝導性流体を介する冷却体への経路
との両経路を通じて伝導して、発熱体は冷却される。そ
して微小な間隙に満たされた高熱伝導性流体は、その間
隙が微小であるため空気と接触する面積が小さくなり、
空気中に拡散しにくくなる。
発生する熱は、発熱体と面接触する冷却体によって除去
される。この冷却の際に、流体供給手段が高熱伝導性流
体を、冷却体内の流路を通じて供給口から発熱体と冷却
体の接触面間に供給すると同時に、流体回収手段が冷却
体内の別の流路内に存在する空気を吸引し、それに伴い
それまで接触面間に介在していた空気は接触面間の微小
な間隙を流れ、回収口から別の流路を通じて排出され、
この微小な間隙は高熱伝導性流体で満たされる。発熱体
の発生する熱は、発熱体と冷却体とが固体接触する経路
と、発熱体から高熱伝導性流体を介する冷却体への経路
との両経路を通じて伝導して、発熱体は冷却される。そ
して微小な間隙に満たされた高熱伝導性流体は、その間
隙が微小であるため空気と接触する面積が小さくなり、
空気中に拡散しにくくなる。
【0015】上記のごとく、微小な間隙に高熱伝導性流
体を満たすと、この間隙に熱伝導性の低い空気が介在す
る場合に比べて、発熱体から冷却体への熱伝導の効率を
向上させることができる。
体を満たすと、この間隙に熱伝導性の低い空気が介在す
る場合に比べて、発熱体から冷却体への熱伝導の効率を
向上させることができる。
【0016】また、圧力調整手段により高熱伝導性流体
の供給圧力を発熱体の周囲圧力よりも低くして供給口に
供給し、その供給圧力よりもさらに回収圧力を低く設定
することにより圧力差が生じ、冷却体表面に発熱体が吸
着し、発熱体表面は冷却体の基準表面に沿って平坦度が
保たれる。発熱体に給電し発熱させると同時に流体の供
給量を微小に保つことにより、接触面間は常に高熱伝導
性流体で満たされる。また、流体の噴出によって発熱体
の裏面に付着したゴミを除去することができる。このよ
うに、高熱伝導性流体を噴出させると発熱体を短時間に
冷却できる。
の供給圧力を発熱体の周囲圧力よりも低くして供給口に
供給し、その供給圧力よりもさらに回収圧力を低く設定
することにより圧力差が生じ、冷却体表面に発熱体が吸
着し、発熱体表面は冷却体の基準表面に沿って平坦度が
保たれる。発熱体に給電し発熱させると同時に流体の供
給量を微小に保つことにより、接触面間は常に高熱伝導
性流体で満たされる。また、流体の噴出によって発熱体
の裏面に付着したゴミを除去することができる。このよ
うに、高熱伝導性流体を噴出させると発熱体を短時間に
冷却できる。
【0017】冷却体表面に形成された供給口と回収口と
をつなぐ溝、回収口をつなぐ円周溝、あるいは供給口及
び回収口それぞれからの分岐溝は、微小間隙での高熱伝
導性流体の流通をよくして熱伝導の向上に寄与するが、
一方発熱体と冷却体との固体接触面積を減少させて熱伝
導を低下させるので、各種溝の幅は狭くするのがよい。
をつなぐ溝、回収口をつなぐ円周溝、あるいは供給口及
び回収口それぞれからの分岐溝は、微小間隙での高熱伝
導性流体の流通をよくして熱伝導の向上に寄与するが、
一方発熱体と冷却体との固体接触面積を減少させて熱伝
導を低下させるので、各種溝の幅は狭くするのがよい。
【0018】さらに、供給された高熱伝導性流体は接触
面間の微小な間隙から開口面積の比較的大きな回収口へ
導かれ、そこで回収口付近で急激な圧力降下が生じ、高
熱伝導性流体が気体の場合には断熱膨張により流体が低
温になるために、また高熱伝導性流体が液体の場合には
液体が蒸発する際の気化熱による冷却効果により、発熱
体の冷却が促進される。
面間の微小な間隙から開口面積の比較的大きな回収口へ
導かれ、そこで回収口付近で急激な圧力降下が生じ、高
熱伝導性流体が気体の場合には断熱膨張により流体が低
温になるために、また高熱伝導性流体が液体の場合には
液体が蒸発する際の気化熱による冷却効果により、発熱
体の冷却が促進される。
【0019】
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を用いて説明す
る。図1は本発明の第1実施例になる発熱体の冷却装置
の縦断面図である。図2はその冷却装置の構成要素であ
る冷却ブロック平面図である。
る。図1は本発明の第1実施例になる発熱体の冷却装置
の縦断面図である。図2はその冷却装置の構成要素であ
る冷却ブロック平面図である。
【0020】図1において、半導体ウエハ1は電気特性
の評価対象になるもので、特にシリコンウエハである。
半導体ウエハ1は、その上面に多数形成された集積回路
を逐一評価テストする際に、その都度給電されて発熱体
となる。そして集積回路の電気特性を評価するには一定
温度の下で給電するため、半導体ウエハ1は冷却する必
要がある。
の評価対象になるもので、特にシリコンウエハである。
半導体ウエハ1は、その上面に多数形成された集積回路
を逐一評価テストする際に、その都度給電されて発熱体
となる。そして集積回路の電気特性を評価するには一定
温度の下で給電するため、半導体ウエハ1は冷却する必
要がある。
【0021】半導体ウエハ1上には、半導体ウエハ1に
形成された集積回路に給電及びテスト信号の取り出しを
行うコンタクトプローブピン2と、プローブピン2を保
持するプローブカード3が設置されており、そして半導
体ウエハ1は、冷却ブロック4の上面と面接触して載置
されている。なお、図1中で、冷却ブロック4と半導体
ウエハ1との接触状況を,模擬的に等価間隙を介して接
触しあっているように図示しているが、冷却ブロック4
と半導体ウエハ1は、互いに表面粗さと反りが数μm程
度存在するので、実際互いに接触し合うと、ミクロ的に
は表面の凸部が互いにぶつかり合い、凹部では微小な間
隙が存在する。この様なミクロ的な状況を図示しにくい
ため、この凹部での微小な間隙の存在を表すため、上記
の様に模擬的な等価間隙で図示した。
形成された集積回路に給電及びテスト信号の取り出しを
行うコンタクトプローブピン2と、プローブピン2を保
持するプローブカード3が設置されており、そして半導
体ウエハ1は、冷却ブロック4の上面と面接触して載置
されている。なお、図1中で、冷却ブロック4と半導体
ウエハ1との接触状況を,模擬的に等価間隙を介して接
触しあっているように図示しているが、冷却ブロック4
と半導体ウエハ1は、互いに表面粗さと反りが数μm程
度存在するので、実際互いに接触し合うと、ミクロ的に
は表面の凸部が互いにぶつかり合い、凹部では微小な間
隙が存在する。この様なミクロ的な状況を図示しにくい
ため、この凹部での微小な間隙の存在を表すため、上記
の様に模擬的な等価間隙で図示した。
【0022】さて、この実施例の発熱体の冷却装置は、
概して半導体ウエハ1を載置する冷却ブロック4と、そ
の冷却ブロック4中に設置された冷却パイプ6を通じ
て、冷却ブロック4に冷却水を供給する冷凍機5と、冷
却ブロック4に設けた往きの流路7通じて供給口7aか
ら、半導体ウエハ1と冷却ブロック4との接触面間に高
熱伝導性流体としてヘリウムガスを供給するタンク8
と、高熱伝導性流体を冷却ブロック4に設けた回収口1
0aから戻りの流路10を通じて回収する回収装置11
とから構成されている。
概して半導体ウエハ1を載置する冷却ブロック4と、そ
の冷却ブロック4中に設置された冷却パイプ6を通じ
て、冷却ブロック4に冷却水を供給する冷凍機5と、冷
却ブロック4に設けた往きの流路7通じて供給口7aか
ら、半導体ウエハ1と冷却ブロック4との接触面間に高
熱伝導性流体としてヘリウムガスを供給するタンク8
と、高熱伝導性流体を冷却ブロック4に設けた回収口1
0aから戻りの流路10を通じて回収する回収装置11
とから構成されている。
【0023】さらに詳しく説明すると、冷却ブロック4
は、冷凍機5から送給された冷却液により、内蔵する冷
却パイプ6を通じて冷却され、そして冷却水は再び冷凍
機5に戻されて循環する。また冷却ブロック4には、半
導体ウエハ1の中央部に対面して開口する供給口7aが
設けられ、この供給口7aにはタンク8から流量を一定
に制御する流量制御弁9を介して高熱伝導性流体が供給
される。さらに、冷却ブロック4には、半導体ウエハ1
の中央部より外の部分である周縁部7に対面して開口す
る複数の回収孔10aが設けられ、供給孔7から流出し
た高熱伝導性流体はこれらの回収孔10を介して回収装
置11により回収される。
は、冷凍機5から送給された冷却液により、内蔵する冷
却パイプ6を通じて冷却され、そして冷却水は再び冷凍
機5に戻されて循環する。また冷却ブロック4には、半
導体ウエハ1の中央部に対面して開口する供給口7aが
設けられ、この供給口7aにはタンク8から流量を一定
に制御する流量制御弁9を介して高熱伝導性流体が供給
される。さらに、冷却ブロック4には、半導体ウエハ1
の中央部より外の部分である周縁部7に対面して開口す
る複数の回収孔10aが設けられ、供給孔7から流出し
た高熱伝導性流体はこれらの回収孔10を介して回収装
置11により回収される。
【0024】次に熱の伝導経路について説明する。半導
体ウエハ1に形成された電源回路、信号回路への給電に
よって発生した熱は、冷却ブロック4との間に介在する
高熱伝導性流体層12を介して冷却ブロック4に伝わ
り、その内部に設けた冷却パイプ6中を流れる冷却液に
より外部に逃される。なお、ここで高熱伝導性流体層と
称している層は、半導体ウエハと冷却ブロックとの接触
面には数μm程度の表面粗さと反りのために微小な凹凸
があるため、この接触面間で固体接触する部分と高熱伝
導性流体が存在する微小な間隙とを含めたものである。
体ウエハ1に形成された電源回路、信号回路への給電に
よって発生した熱は、冷却ブロック4との間に介在する
高熱伝導性流体層12を介して冷却ブロック4に伝わ
り、その内部に設けた冷却パイプ6中を流れる冷却液に
より外部に逃される。なお、ここで高熱伝導性流体層と
称している層は、半導体ウエハと冷却ブロックとの接触
面には数μm程度の表面粗さと反りのために微小な凹凸
があるため、この接触面間で固体接触する部分と高熱伝
導性流体が存在する微小な間隙とを含めたものである。
【0025】高熱伝導性流体は、タンク8より流量制御
弁9を介し、冷却ブロック4内に設けた往きの流路7を
通り供給口7aから半導体ウエハ1と冷却ブロック4と
の接触面間隙に供給される。接触面間隙に供給された高
熱伝導性流体は、供給孔7から接触面間隙を通じて半径
方向に広がって流れ、半導体ウエハ1の周縁部に設けら
れた回収口10aからブロック4内部の戻りの流路10
を通って、回収装置11に流れる。高熱伝導性流体は、
微小な間隙から開口面積の比較的大きい回収口に導びか
れた時に、気体の場合は断熱膨張し、もしくは液体の場
合は蒸発して、冷却体の冷却を助長する。なお、発熱体
の冷却温度レベルは高熱伝導性流体の種類を変えること
により制御するもできる。
弁9を介し、冷却ブロック4内に設けた往きの流路7を
通り供給口7aから半導体ウエハ1と冷却ブロック4と
の接触面間隙に供給される。接触面間隙に供給された高
熱伝導性流体は、供給孔7から接触面間隙を通じて半径
方向に広がって流れ、半導体ウエハ1の周縁部に設けら
れた回収口10aからブロック4内部の戻りの流路10
を通って、回収装置11に流れる。高熱伝導性流体は、
微小な間隙から開口面積の比較的大きい回収口に導びか
れた時に、気体の場合は断熱膨張し、もしくは液体の場
合は蒸発して、冷却体の冷却を助長する。なお、発熱体
の冷却温度レベルは高熱伝導性流体の種類を変えること
により制御するもできる。
【0026】図2は、図1に示す冷却ブロック4の接触
面の表面図である。中心に高熱伝導性流体を送給する供
給口7aを設け、周縁部に上記高熱伝導性流体を回収す
る複数の回収穴10aを、供給口7aを取り囲むように
設けている。これは、回収口10aを中心にして、その
周辺に複数の供給口7aを配置するようにした場合にお
いても成り立ち、高熱伝導性流体の供給による半導体ウ
エハの中心付近の反りを防止できる。
面の表面図である。中心に高熱伝導性流体を送給する供
給口7aを設け、周縁部に上記高熱伝導性流体を回収す
る複数の回収穴10aを、供給口7aを取り囲むように
設けている。これは、回収口10aを中心にして、その
周辺に複数の供給口7aを配置するようにした場合にお
いても成り立ち、高熱伝導性流体の供給による半導体ウ
エハの中心付近の反りを防止できる。
【0027】図3は本発明の第2実施例に係る冷却ブロ
ックを示し、図2に示す冷却ブロック4の接触面に、加
えて中心の供給口7aから外周に位置する回収口10a
に向かって流体が流れる微小な溝13を設けたものであ
る。この溝13は、高熱伝導性流体を接触面に一様に供
給するためのものである。この溝13は、半導体ウエハ
1と冷却ブロック4とが固体接触する伝熱面積を大きく
とるために溝幅、溝深さともに数μm程度が望ましい。
ックを示し、図2に示す冷却ブロック4の接触面に、加
えて中心の供給口7aから外周に位置する回収口10a
に向かって流体が流れる微小な溝13を設けたものであ
る。この溝13は、高熱伝導性流体を接触面に一様に供
給するためのものである。この溝13は、半導体ウエハ
1と冷却ブロック4とが固体接触する伝熱面積を大きく
とるために溝幅、溝深さともに数μm程度が望ましい。
【0028】図4は本発明の第3実施例を示す図であ
り、冷却ブロック4は図2に示す接触面に設けた隣あう
高熱伝導性流体の回収口10aを円周溝14でつないだ
ものである。これは、円周の溝14を設けることによ
り、高熱伝導性流体を回収する回収口10a付近の流体
圧力を円周方向に均一化するものである。
り、冷却ブロック4は図2に示す接触面に設けた隣あう
高熱伝導性流体の回収口10aを円周溝14でつないだ
ものである。これは、円周の溝14を設けることによ
り、高熱伝導性流体を回収する回収口10a付近の流体
圧力を円周方向に均一化するものである。
【0029】図5は本発明の第4の実施例であり、これ
は多数の供給口7aを接触面表面に一様に分布させて設
け、それぞれの供給口7aを取り巻くように複数の回収
口10aを配置した冷却ブロック4であり、このように
供給口7aと回収口10aを配置した冷却ブロック4
は、半導体ウエハが大型化した際に有効であり、半導体
ウエハを反らせることなくほぼ均一に冷却することがで
きる。
は多数の供給口7aを接触面表面に一様に分布させて設
け、それぞれの供給口7aを取り巻くように複数の回収
口10aを配置した冷却ブロック4であり、このように
供給口7aと回収口10aを配置した冷却ブロック4
は、半導体ウエハが大型化した際に有効であり、半導体
ウエハを反らせることなくほぼ均一に冷却することがで
きる。
【0030】図6は本発明の第5実施例を示す。この冷
却ブロック4は、接触面に高熱伝導性流体の供給口7a
から多岐にわたる供給溝15を設け、また回収口10a
から多岐にわたる回収溝16を設け、かつ供給溝15と
回収溝16が互いに入り組むように配置したもので、こ
れも半導体ウエハが大型化した際に、半導体ウエハを反
らせることなくほぼ均一に冷却することができる。
却ブロック4は、接触面に高熱伝導性流体の供給口7a
から多岐にわたる供給溝15を設け、また回収口10a
から多岐にわたる回収溝16を設け、かつ供給溝15と
回収溝16が互いに入り組むように配置したもので、こ
れも半導体ウエハが大型化した際に、半導体ウエハを反
らせることなくほぼ均一に冷却することができる。
【0031】なお、高熱伝導性流体として上記実施例で
はヘリウムを用いたが、ヘリウムに限らず、高熱伝導で
微小間隙を流通可能な流体であれば、その流体を用いる
ことができる。
はヘリウムを用いたが、ヘリウムに限らず、高熱伝導で
微小間隙を流通可能な流体であれば、その流体を用いる
ことができる。
【0032】また、本発明はそれを逸脱しない範囲にお
いて、ウエハのプロービング試験装置や半導体CVD装
置、エッチング装置等に適用できる。
いて、ウエハのプロービング試験装置や半導体CVD装
置、エッチング装置等に適用できる。
【0033】
【発明の効果】本発明によれば、発熱体の冷却装置を;
発熱体を面接触させて載置する冷却体で、その接触面側
に高熱伝導性流体を供給する供給口と、該供給口から供
給され発熱体と冷却体との接触面間に形成された微小な
間隙に充満する高熱伝導性流体を回収する回収口とを設
けた冷却体と;供給口へ高熱伝導性流体を供給する流体
供給手段と;回収口から高熱伝導性流体を吸引して回収
する流体回収手段と;から構成したので、発熱体を冷却
体に密着させながら、発熱体の発生熱を発熱体から冷却
体へ両者の固体接触面とを介して伝導させると共に両者
の接触面間に形成された微小な間隙に充満する高熱伝導
性流体を介して伝導させることができ、従来のように微
小な間隙に熱伝導率の悪い空気が介在する場合より、発
熱体の冷却効率を向上させることができる。
発熱体を面接触させて載置する冷却体で、その接触面側
に高熱伝導性流体を供給する供給口と、該供給口から供
給され発熱体と冷却体との接触面間に形成された微小な
間隙に充満する高熱伝導性流体を回収する回収口とを設
けた冷却体と;供給口へ高熱伝導性流体を供給する流体
供給手段と;回収口から高熱伝導性流体を吸引して回収
する流体回収手段と;から構成したので、発熱体を冷却
体に密着させながら、発熱体の発生熱を発熱体から冷却
体へ両者の固体接触面とを介して伝導させると共に両者
の接触面間に形成された微小な間隙に充満する高熱伝導
性流体を介して伝導させることができ、従来のように微
小な間隙に熱伝導率の悪い空気が介在する場合より、発
熱体の冷却効率を向上させることができる。
【0034】さらに、従来のように接触面に高熱伝導性
グリースを塗布したことによる冷却能力の不安定性もな
く、発熱体を汚染することなく短時間に冷却できる。
グリースを塗布したことによる冷却能力の不安定性もな
く、発熱体を汚染することなく短時間に冷却できる。
【図1】本発明の実施例になる半導体ウエハの冷却装置
の縦断面図である。
の縦断面図である。
【図2】供給口の周りに複数の回収口を設けた冷却ブロ
ックの平面図である。
ックの平面図である。
【図3】供給口とその周りの回収口をつなぐ溝を設けた
冷却ブロックの平面図である。
冷却ブロックの平面図である。
【図4】供給口の周りの複数の回収口をつなぐ円周溝を
設けた冷却ブロックの平面図である。
設けた冷却ブロックの平面図である。
【図5】供給口と回収口の組合わせを多数設けた冷却ブ
ロックの平面図である。
ロックの平面図である。
【図6】接触面に供給口及び回収口それぞれからの多岐
溝を設けた冷却ブロックの平面図である。
溝を設けた冷却ブロックの平面図である。
【図7】従来の半導体ウエハの冷却装置の縦断面図であ
る。。
る。。
1 発熱体となる半導体ウエハ 2 コンタクトプローブピン 3 プローブカード 4 冷却ブロック 7,10 流路 7a 供給口 8 タンク 10 回収口 12 高熱伝導性流体層 13 溝 14 円周溝 15、16 多岐溝
Claims (8)
- 【請求項1】 発熱体を載置し該発熱体との接触面を介
して冷却する冷却体を備えた発熱体の冷却装置におい
て、前記冷却体の接触面に高熱伝導性流体を供給する供
給口と、該供給口から、前記発熱体及び前記冷却体それ
ぞれの接触面の凹凸により形成された微小間隙を通じて
流れる高熱伝導性流体を回収する回収口とを設け、前記
供給口に前記冷却体内に形成した流路を介して高熱伝導
性流体を供給する流体供給手段と、前記回収口から前記
冷却体内に形成した別の流路を介して高熱伝導性流体を
吸引する流体回収手段とを設けたことを特徴とする発熱
体の冷却装置。 - 【請求項2】 前記供給口への高熱伝導性流体の供給圧
力を、前記発熱体の周囲圧力よりも低く設定する圧力調
整手段を設けたことを特徴とする請求項1記載の発熱体
の冷却装置。 - 【請求項3】 前記冷却体の供給口は前記発熱体の中心
部にあたる位置に設け、前記冷却体の回収口は複数個前
記発熱体の周縁部に当たる位置に前記供給口を囲むよう
にして設けたことを特徴とする請求項1又は2に記載の
発熱体の冷却装置。 - 【請求項4】 前記冷却体の接触面に前記供給口から前
記回収口をつなぐ溝を設けたことを特徴とする請求項3
記載の発熱体の冷却装置。 - 【請求項5】 前記冷却体の接触面に隣合う前記回収口
をつなぐ円周溝を設けたことを特徴とする請求項3記載
の発熱体の冷却装置。 - 【請求項6】 前記冷却体の供給口は前記発熱体に対し
一様に分布させて設け、前記吸収口は前記供給口それぞ
れを囲むように複数個づつ設けたことを特徴とする請求
項1又は2に記載の発熱体の冷却装置。 - 【請求項7】 前記冷却体の供給口を前記発熱体の周縁
部に当たる位置に設け、前記回収口は前記発熱体の中心
に関して前記供給口と対象の位置に設け、前記供給口及
び前記回収口それぞれから前記冷却体の接触面に多岐の
溝を設け、前記供給口からの多岐溝と前記回収口からの
多岐溝を互いに入り組ませることを特徴とする請求項1
記載の発熱体の冷却装置。 - 【請求項8】 前記発熱体は半導体ウエハなることを特
徴とする請求項1〜7のいずれかに記載の発熱体の冷却
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26746491A JPH05109847A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 発熱体の冷却装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP26746491A JPH05109847A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 発熱体の冷却装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05109847A true JPH05109847A (ja) | 1993-04-30 |
Family
ID=17445206
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP26746491A Pending JPH05109847A (ja) | 1991-10-16 | 1991-10-16 | 発熱体の冷却装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05109847A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060011A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法 |
US20140203829A1 (en) * | 2011-10-04 | 2014-07-24 | Fujitsu Limited | Test jig and semiconductor device test method |
US9157931B2 (en) | 2012-06-05 | 2015-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Probe card |
WO2023013507A1 (ja) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びプラズマ処理装置 |
-
1991
- 1991-10-16 JP JP26746491A patent/JPH05109847A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009060011A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法 |
US20140203829A1 (en) * | 2011-10-04 | 2014-07-24 | Fujitsu Limited | Test jig and semiconductor device test method |
US9157931B2 (en) | 2012-06-05 | 2015-10-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Probe card |
WO2023013507A1 (ja) * | 2021-08-03 | 2023-02-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及びプラズマ処理装置 |
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