TWI502680B - A substrate stage, a substrate processing device, and a temperature control method - Google Patents

A substrate stage, a substrate processing device, and a temperature control method Download PDF

Info

Publication number
TWI502680B
TWI502680B TW097133598A TW97133598A TWI502680B TW I502680 B TWI502680 B TW I502680B TW 097133598 A TW097133598 A TW 097133598A TW 97133598 A TW97133598 A TW 97133598A TW I502680 B TWI502680 B TW I502680B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
heat transfer
transfer gas
mounting table
sec
Prior art date
Application number
TW097133598A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200931587A (en
Inventor
Yasuharu Sasaki
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW200931587A publication Critical patent/TW200931587A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI502680B publication Critical patent/TWI502680B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
    • H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)

Description

基板載置台、基板處理裝置、及溫度控制方法
本發明係關於載置半導體晶圓等之基板的基板載置台，對被載置於基板載置台之基板施予乾蝕刻等之處理的基板處理裝置，以及控制被載置在基板載置台之基板之溫度的基板之溫度控制方法。
電漿蝕刻處理係在腔室內設置載置屬於被處理基板之半導體晶圓(以下，也單稱為晶圓或基板)之載置台，藉由構成該載置台之上部之靜電夾具，靜電吸附晶圓而加以保持。然後，形成處理氣體之電漿而對晶圓施予電漿蝕刻處理。
在如此之電漿處理裝置中，因晶圓從上方受熱，故在基板載置台之一內部設置冷媒流路而冷卻載置台，並且在載置台和晶圓背面之間隙導入He氣體等之熱傳達用氣體，促進晶圓之冷卻。
如此使用熱傳達用之氣體冷卻晶圓之時，所知的有在構成載置台之上部之靜電夾具之吸附面設置多數凸狀點，藉由控制該凸狀點之高度和熱傳達用之氣體之壓力，改變來自晶圓之熱移除量，控制晶圓之溫度的技術(專利文獻1)。
再者，提案有將如此之突起高度設為1μm至10μm，並將突起之接觸於晶圓的面積設為1%，依此使晶圓在高溫度域的溫度控制性成為良好之技術(專利文獻2)。
但是，僅有上述般在載置面設置突起之方法，於突起之高度較低之時，熱傳達用之氣體係難遍及晶圓全面。其結果，有難以將晶圓控制成均勻溫度之問題。
另外，當提高突起之高度時，則有自晶圓傳熱至載置台之傳熱量下降，難以將晶圓控制成所欲溫度之問題。
並且，當晶圓成為大型時，也有在其周邊和中央，入熱和出熱之均衡產生差，難以將晶圓全面保持均勻溫度之問題。一般基板之中央部份容易被冷卻，基板周邊之冷卻變弱。因此，為了將晶圓全面控制成均勻溫度，必須在基板之周邊和中央改變冷卻程度。
如此一來，作為依基板之部分改變冷卻程度之手段之一，則提案有將載置台分區，對每區供給冷卻氣體之方法(專利文獻3)。
即是，在載置台表面設置周緣環狀凸部，將基板和載置台表面之間的封閉空間分離成內側部分和外側部分，在各兩部份設置熱傳達用氣體導入部之基板載置台。若藉由該構成，可以使在周緣環狀凸部分割之各區之壓力不同。
[專利文獻1]日本特開2000-317761號公報
[專利文獻2]日本特開2001-274228號公報
[專利文獻3]日本特開2006-156938號公報
在上述般於載置台設置周緣環狀凸部而將基板之冷卻範圍分區之方法中，在被分區之內側環狀凸部之部分，基板和載置台係接觸。因此，如此接觸部份之熱移除量大於其他部分，其結果有接觸部周邊之溫度低於其他部分之溫度，基板特性產生特異點之問題。
本發明係鑑於如此之情形而研究出，其課題為提供被處理基板之溫度控制性佳，不會有基板全體產生局部性熱移除量急劇變化之特異點的基板載置台，使用如此之基板載置台之基板處理裝置以及基板之溫度控制方法。
為了解決上述課題，本發明之基板載置台，屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：具備載置台本體；和於在上述載置台本體之基板載置側之表面載置基板之時，接觸於基板之周緣部，並在基板之下側部分形成流通熱傳達用氣體之封閉空間的周緣環狀凸部；和形成在上述基板載置側之表面之周緣部附近或中央部附近中之任一方的上述熱傳達用氣體流入口；和被形成在另一方之上述熱傳達用氣體流出口；和被形成在上述基板載置側之表面，於上述熱傳達用氣體自上述熱傳達用氣體之流入口流動至流出口時，形成傳導率C之流路。
該載置台中之傳導率C係以下述(1)式定義，傳導率C之值在所欲範圍內為佳。
C(m3 /sec)=Q/ΔP
在此，Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa‧m3 /sec)
ΔP：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
在此，將上述流路藉由連結材連結圓柱形狀之突起部，並同心圓狀(環狀)形成在基板載置側之表面為佳。再者，使矩形或圓柱形之突起部之上端不接觸於上述基板，並且接近設置為佳。如此使熱傳達用氣體流通於上端和基板之間隙，藉由其間隙決定傳導值。
再者，在形成上述流路之矩形或圓柱形狀之突起部之上端設置與上述基板接觸之小突起，藉由連結材連結矩形或圓柱形狀之突起部，同樣環狀多數列形成為佳。依此因與基板接觸之部分成為小突起，故基板溫度之特異點變少。再者，該小突起具有安定保持突起部本體上端和基板之間隔的功能。並且，藉由調整小突起之寬度及高度，容易控制熱傳達用氣體之流動，故更容易調整傳導值。
本發明之基板載置台係屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：具備載置台本體；和於在上述載置台本體之基板載置側之表面載置基板之時，接觸於基板之周緣部，並在基板之下側部分形成流通熱傳達用氣體之封閉空間的周緣環狀凸部；和被形成在從上述基板載置側之表面離開距離r之位置上的上述熱傳達用氣體之流入口或流出口；和被形成在上述基板載置側之表面，對應於上述熱傳達用氣體之流入口或流出口之流出口或流入口；和被形成在上述基板載置側之表面，於上述熱傳達用氣體自上述熱傳達用氣體之流入口流動至流出口時，形成傳導率C之流路；和被形成在從上述中心點距離上述距離r之範圍的多數點狀突起。
在該載置台中之上述傳導率C之值係以下述(1)式定義，其值在所欲範圍內為佳。
C(m3 /sec)=Q/ΔP
在此，Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa‧m3 /sec)
ΔP：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
再者，上述流路係以環狀多數列形成藉由連結材連結上端不與上述基板接觸而接近被設置之矩形或圓柱形之突起部的流路形成構件而所構成為佳。
再者，上述流路係以環狀多數列形成藉由連結材連結具備有上端與上述基板接觸之小突起的矩形或圓柱形狀之突起部的流路形成構件而所構成為佳。
藉由構成如此，例如自設置在周緣部附近之熱傳達用氣體流入口，被設置在自中心點離開距離r之位置的熱傳達用氣體流出口間之區域中的熱傳達用氣體之壓力從熱傳達用氣體流入口朝向流出口，氣體之壓力變低。
另外，從熱傳達用氣體流出口至中心點為止之區域，熱傳達用氣體之流動因除填充氣體之初期狀態外皆不產生，故該區域中之氣體壓力成為同壓。其結果，以往若不設置分隔壁則無法設置壓力不同之區域(分區)，但是若藉由本發明，則可以不用設置分隔壁，作成壓力差之不同區域。
本發明係屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：具備載置台本體；和於在上述載置台本體之基板載置側之表面載置基板之時，接觸於基板之周緣部，並在上述基板之下側部分形成流通熱傳達用氣體之封閉空間的周緣環狀凸部；和環狀被設置在上述封閉空間，形成上述熱傳達用氣體之流路的多數略圓形之分隔壁；和被形成在上述基板載置側之表面之中央部付近的上述熱傳達用氣體之流入口或流出口；和被形成在上述基板載置側之表面之周緣部附近，對應於形成在上述中央部附近之流入口或流出口的至少一個以上之流出口或流入口，在上述各略圓形之分隔壁設置有用以流通上述熱傳達用氣體之缺口部。
上述缺口部係以被設置在離上述熱傳達用氣體之流入口或流出口最遠之位置為佳。再者，於在略圓形之分隔壁設置多數缺口部之時，在其分隔壁設置與設置在鄰接之略圓形分隔壁之缺口部相同數量之缺口部，並且在離設置在鄰接之分隔壁之任一缺口部最遠之位置上設置缺口部為佳。依此，可以形成所欲之傳導率C之熱傳達用氣體流路。
在該載置台之流路的傳導率C係以下述式定義，上述傳導率C之值在所欲範圍內為佳。
C(m3 /sec)二Q/ΔP
在此，Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa‧m3 /sec)
ΔP：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
再者，以上述略圓形之分隔壁上端不接觸上述基板而接近為佳。再者，即使上述略圓形之分隔壁上端接觸於上述基板亦可。
在此，上述傳導率C之值在3×10-8 至3×10-4 m3 /sec之範圍內為佳，該值又在3×10-7 至3×10-5 m3 /sec之範圍內為佳。並且，上述熱傳達用氣體之流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差為10Torr至40Torr為佳。
再者，上述熱傳達用氣體之流量為1sccm至100sccm(在標準狀態中之cc/min)時，形成上述流路，使上述熱傳達用氣體之流入口和流出口中之熱傳達用氣體之壓力差從10Torr成為40Torr為佳。依此可以藉由較少之熱傳達用氣體，適當設置熱傳達用氣體之壓力差。
本發明係提供基板處理裝置，其特徵為：具備收容基板，將內部保持減壓之處理室；和被設置在上述處理室內，具有載置有上述基板之上述任一構成的基板載置台；和在上述處理室內對上述基板施予特定處理之處理機構；和供給流通於形成在上述基板載置台和上述基板之間的上述封閉空間內之熱傳達用氣體之熱傳達用氣體供給機構。
在此，上述基板處理裝置以具有控制從上述熱傳達用氣體供給機構所供給之熱傳達用氣體之壓力的控制機構為佳。
本發明係提供一種基板之溫度控制方法，屬於使用具有上述中之任一項之構成之基板載置台而控制基板溫度的基板之溫度控制方法，其特徵為：上述傳導率C在於3×10-7 m3 /sec至3×10-5 m3 /sec之範圍內時，控制熱傳達氣體之供給流量，使上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差成為10Torr至40Torr。
上述傳導率C係藉由形成流路的突起部之上端和上述基板之間隙之高度，以及/或是環狀設置之流路列數而調整為佳。
藉由本發明，可以提供將基板之周緣部和中央部之熱移除量之比控制成所欲之值，在基板全體無局部性熱移除量急遽變化之冷卻特異點的基板載置台，及使用此之基板處理裝置，以及基板之溫度控制方法。
再者，若使用本發明之載置台時，則可以藉由所需之最低限的熱傳達用氣體(He)等使載置台產生所欲之氣體壓力差，依此可以將基板全體控制成均勻且所欲之溫度。
以下參照圖面針對本發明之一實施型態予以說明。
第1圖為表示本發明之一實施型態的基板載置台之圖式，第1圖(a)為平面圖，第1圖(b)為第1圖(a)之A-A線剖面圖。
在載置台1之上部載置有屬於被處理基板(晶圓)之基板2。載置台1之基板載置側之表面(載置面)成為凹部，該和基板2之間形成有間隙3。
在凹部之外周設置有周緣環狀凸部4。該為用以支撐基板2之周緣，並且防止自間隙3漏出熱傳達用氣體，使間隙3成為封閉空間者。
再者，在凹部以特定間隔多數設置有突起部(在本圖並無表示)。該突起藉由支撐基板2，防止基板2因自重而彎曲，並且形成熱傳達用氣體之流路，執行使熱傳達用氣體之流動產生阻力的動作。在載置台1之內部設置冷媒流路5，將載置台1控制成所欲之溫度。
本發明之一實施型態中之載置台1，在凹部之周緣部附近設置有熱傳達用氣體流入口6、在中央部附近設置有熱傳達用氣體流出口7。
如第1圖(a)所示般，熱傳達用氣體流入口6在同心圓上對稱軸設置6個。熱傳達用氣體流出口7被設置在些許離開中心之位置，成為自熱傳達用氣體流入口6流入之氣體的流出口。熱傳達用氣體流出口7也同心圓上點對稱設置6個。並且，熱傳達用氣體流出口7、熱傳達用氣體流入口6之數量及其位置並不限定於此，熱傳達用氣體流出口7、熱傳達用氣體流入口6之數量也不需要相同。
熱傳達用氣體，例如He氣體自供給源8被供給，經流量控制裝置9(具備氣體流量控制手段)，藉由分岐管分配至6個熱傳達用氣體流入口6。另外，自熱傳達用氣體流出口7流出之熱傳達氣體被集合排出。並且，在周緣部附近無需限定氣體流入口，相反在中央部附近設置氣體流入口，即使在周緣部附近設置氣體流出口亦可。
在該實施型態中之載置台1，作為配置在間隙3之點狀突起，使用第2圖(a)、(b)所示之兩種類之突起部(以下以稱為「連結型」和「非連結型」來區別。並且，即使使用第2圖(c)所示之不具有小突起的突起部亦可。
第2圖(a)表示連結型點狀突起部，第2圖(b)表示非連結型點狀突起部。該些圖皆上段為斜視圖，下段為剖面圖。
首先，連結型點狀突起10a係由圓筒狀之突起本體11和形成在其中央上部之圓筒狀之小突起12所構成。再者，鄰接之突起本體11之間係以連結構件13連結。
另外，非連結型點狀突起10b係由圓筒狀之突起本體11和形成在其中央上部之圓筒狀之小突起12所構成。連結型點狀突起10a和非連結型點狀突起10b則有藉由連結構件13互相連結突起本體11或獨立之不同。
連結型點狀突起10a和非連結型點狀突起10b中關於熱傳達用氣體之流動阻力為不同。在連結型點狀突起10a中，因在平行於連結方向之方向(圖之Y方向)開設氣體流路，故流動阻力非常小。另外，在與連結方向呈直角之方向(圖中之X方向)，突起本體11和連結構件13、小突起12成為氣體流動之阻力，僅基板2和突起本體11或是連結構件13之間隙成為氣體流路，X方向之流動阻力大。
對此，在非連結型點狀突起10b中，流動阻力於X方向、Y方向皆小，熱傳達用氣體能夠自由流動。
並且，於使用第2圖(c)所示之非連結型之突起10C之時，則與第2圖(b)所示之非連結型點狀突起10b相同，熱傳達用氣體在X方向、Y方向皆能自由流動，但是比起第2圖(b)所示之非連結型點狀突起10b，則有如X方向之流動被限制於僅在鄰接之突起本體11之間隙，及基板2和突起本體11之接觸面積大的相異點。
在該實施型態中之載置台1中，分別使用該連結型和非連結型之點狀突起10a、10b，構成分區施加於基板2之壓力。
首先，在第1圖(a)中，以熱傳達用氣體流出口7所包圍之中央之空白部分為壓力幾乎一定之同壓區14。在該同壓區14同心圓狀配置有非連結型點狀突起10b。突起本體11之直徑為2mm左右，其間隔在圓周方向及半徑方向皆為1至2mm左右。在配置有非連結型點狀突起10b之同壓區14中，因氣體在X方向及Y方向皆能夠自由流動，故該同壓區14內之熱傳達用氣體之壓力幾乎成為一樣(同壓)。
在傾斜壓區15中，在同心圓上配置連結型點狀突起10a，在整個全圓周一體連結。如此之連結體在半徑方向從1mm至2mm之間隔形成數十層。連結型點狀突起10a係如第2圖所示般，熱傳達用氣體在X方向(載置台上為半徑方向)難以流動，在Y方向(在載置台上為圓周方向)能夠自由流動。因此，在傾斜壓區15，圓周方向之壓力馬上成為一樣，但是在半徑方向藉由自熱傳達用氣體流入口6吹出之熱傳達用氣體之流動阻力，在半徑方向熱傳達用氣體產生差壓。
即是，以周緣環狀凸部4和熱傳達用氣體流出口7所包圍之斜線部份係熱傳達用氣體之壓力越接近中央越低。因此，自熱傳達用氣體流入口6至熱傳達用氣體流出口7之部分(斜線部份)成為熱傳達用氣體之壓力傾斜之傾斜壓區15。
即使在載置台上面多數形成如此連結型或是非連結型之點狀突起10a、10b，間隙3係構成在基板2之幾乎全表面上連續之空間。即是，即使在間隙3內具有點狀突起或後述之環狀凸部等之障礙，熱傳達用氣體流通之流路被設置在基板2之幾乎全表面(除最外周之外)，依此可以構成熱傳達用氣體之流路。
在此，本發明之特徵，係在位於周緣環狀凸部4附近之熱傳達用氣體流入口6和中央部附近之熱傳達用氣體流出口7之間，意圖產生壓力差。在熱傳達用氣體流入口6和熱傳達用氣體流出口7之間，產生恆常氣體之流動，但是為了將所發生之氣體差壓控制成所欲之值，已具備流量控制裝置9為佳。
如此產生所欲之差壓之目的在於使基板之周緣部和中央部改變熱移除量。該因為一般載置台一基板間之氣體流動成為分子流區域為多，故在如此之分子流區域中，氣體之熱傳達率與壓力呈比例。
在本實施型態中，以在基板2之周緣部和中央部之間隙3內之壓力產生差之方式，流動熱傳達用氣體，調查基板2之溫度成為如何(溫度測量實驗)。於溫度測量實驗之前，測試是否可以控制間隙3內之壓力(壓力控制實驗)。
第3圖為壓力控制實驗中之實驗方法之說明圖。在基板載置側表面於基板中央側和基板周緣側各設置6個直徑0.8mm之孔，以作為熱傳達用氣體之流入口、流出口。再者，腔室之壓力以大約50mTorr實驗。
如第3圖所示般，基板中央側(以下，稱為Center側，「C側」)之出入口16a，係設置在從基板2之中心C點約半徑40mm之位置上，基板周緣側(以下，稱為Edge側，「E側」)之出入孔16b設置在從基板2之中心C約半徑100m之位置上。並且，基板2之半徑為150mm。
C側之出入孔16a及E側之出入孔16b皆連接於氣體流量計17a及17b。再者，在出入孔16a及16b之出口附近設置分岐管，各連接於壓力計18a、18b。
設定下述4模式以作為目標壓力，為了確保該壓力，調查需要將多少流量之熱傳達用氣體吹入至C側及E側之出入孔16a、16b。
(A1)C側低壓(5Torr)/E側低壓(5Torr)
(A2)C側低壓(5Torr)/E側中壓(15Torr)
(A3)C側中壓(15Torr)/E側低壓(5Torr)
(A4)C側中壓(15Torr)/E側中壓(15Torr)
將測量確保上述壓力所需之氣體流量之結果表示於表1。
觀看表1，明顯可看出藉由改變熱傳達氣體之吹入量，任意改變C側和E側之壓力之均衡，及要使壓力成為5Torr左右，若將氣體流量設為2sccm至5sccm(在標準狀態下之cc/min)即可要使壓力成為15Torr左右，若將氣體流量設為30sccm至35sccm即可。
由以上之結果確認出可以將間隙3內之壓力分布控制成所欲之值，故針對下述3個壓力模式之時，測量基板之溫度分布。
(B1)C側低壓(10Torr)/E側高壓(40Torr)
(B2)C側高壓(40Torr)/E側低壓(10Torr)
(B3)C側中壓(25Torr)/E側中壓(25Torr)
(溫度測量實驗)
基板溫度之測量實際係在執行電漿處理之條件下，在相同半徑上，從中心距離不同之7處，測量基板之表面溫度。溫度測量使用OnWafer公司之Plasma Temp SensorWafer。將測量結果表示於第4圖。
如第4圖所示般，在C側和E側壓力相等之B3(圖之Δ記號)之條件中，半徑方向之基板之溫度分布雖然幾乎一定，為50℃左右，但是隨著越接近Edge側，些微上升，在Center和Edge側大概升高2℃左右。該係因為出現「Edge側之冷卻稍微弱」之一般傾向之故。
對此，C側為低壓，E側為高壓之B1(圖中之●記號)之時，Center之溫度為54℃左右，對此E側成為49℃左右，可看出E側之冷卻強。
再者，C側為高壓，E側為低壓之B2(圖中之○記號)之時，Center之溫度為46℃左右，對此隨著往E前進，溫度上升，C側之冷卻強。由該結果，確認出間隙3內之壓力越高之部位，傳達用氣體之冷卻效果變高，基板溫度下降。
針對半徑方向之基板溫度分布，半徑r從0至40mm之範圍幾乎一定，半徑r從40mm至150mm之範圍，形成溫度坡度。該應反映壓力分布者。即是，從r=0至40mm之範圍係壓力幾乎為一定之等壓區，從r=40mm至150mm之範圍應為壓力順序變化之傾斜壓區。
在本發明中，熱傳達用氣體之流入口和流出口之熱傳達氣體之壓力差為10Torr至40Torr為佳。針對其理由以下說明。
當以從基板全面經He氣體層被傳導傳熱至載置台為前提，由下式計算傳熱量Q(J)。
Q=A‧λ‧(ΔT/d)‧t
在此，A：傳熱面積(m2 )
λ：He氣體層之熱傳導率(W/m‧K)
ΔT：基板和載置台表面之溫度差(K)
d：基板和載置台之間隔(m)
t：傳熱時間(s)
現在若將(Aλ/d)之逆數設為熱阻ρH(=d/Aλ)時，
Q/t=ΔT/ρH
若知道ρH之值時，則可以容易評價傳熱容易程度。在本實施型態中，設為A=0.0593m2 ，d=40×10-6 m，以計算求出He之λ和壓力PHe 之關係，算出ρH。
第5圖表示熱阻ρHe和He壓力之關係。如第5圖所示般，He壓力在10Torr以下，隨著He壓力之下降，熱阻ρHe急遽增大。但是，當He壓力超過10Torr時，熱電阻之下降變為緩慢，當超過40Torr時，熱阻ρHe幾乎不會下降。因此，儘可能以降低熱阻ρHe之觀點，將氣體之流入口和流出口間之差壓設定成10Torr至40Torr為佳。
第6圖為本發明之第二實施型態之基板載置台之圖式。第6圖(a)為平面圖(僅表示左半分)，第6圖(b)為第6圖(a)之B-B線剖面圖，第6圖(c)為第6圖(b)之C部放大圖。
即使在該實施型態2中，在載置台1之周緣環狀凸部4之上載置基板2，在載置台1表面和基板2之間，形成熱傳達氣體流通之間隙3。再者，在載置台1之周緣部附近設置熱傳達用氣體流入口6，和在中央部附近設置熱傳達用氣體流出口7係與第1圖所示之實施型態1相同。
與實施型態1不同之點係以載置台1之中心為中央，同心圓狀形成多數列之環狀凸部19以取代第2圖所示之連結型或非連結型之點狀突起10a、10b。
環狀凸部19之上面為平坦，與基板2之間形成高度為d之間隙20。多數列之環狀凸部19間成為熱傳達用氣體之流路，熱傳達用氣體在圓周方向容易流動。因此，自熱傳達用氣體流入口6吹入之熱傳達用氣體流入至圓周方向全體之後，越過間隙20，流入至下一個流路。重複此，熱傳達用氣體自設置在中央部附近之熱傳達用氣體流出口7流出。
在熱傳達用氣體流入口6和熱傳達氣體流入口7之間，若穩定使特定流量之熱傳達用氣體流出時，則在熱傳達用氣體流入口6和熱傳達用氣體流入口7之間產生差壓ΔP。熱傳達用氣體之壓力為高之部分的冷卻變強，為低之部分的冷卻則變弱。
該實施型態2之載置台1對於將熱傳達用氣體之流量抑制成更低，產生更大之差壓則有利。即是，該流路之差壓主要在間隙20之部份產生。影響差壓ΔP之主要原因可舉出環狀凸部19之列數n、環狀凸部19之寬度W，間隙20之高度d等。尤其，若縮小d時，則可以以低流量增大ΔP。
分子流區域中之差壓ΔP和流量Q之關係將傳導率設為C，以下式求出。
ΔP=Q/C…(2)
在此，ΔP：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa‧m3 /sec)
C：傳導率(m3 /sec)
因當作熱傳達氣體使用之He為高價，故期望儘可能減少流量Q。所欲之Q值為100sccm(在標準狀態下之cc/min)以下。但是，當Q極端變小時，因難以控制流量，故實用上最佳之流量範圍為1sccm至100sccm。如所述般，最佳之ΔP之上限值為40Torr。依此，使用(2)式之關係，試算最佳之傳導率C之值。當將1sccm之流量換算成Q之單位時，則以
Q：1sccm=1.689×10-3 Pa‧m3 /sec
ΔP：40Torr=(40/760)×1.013×105 =5333(Pa)
成為C=Q/ΔP=(1至10sccm)×(1.689×10-3 )/(5333)≒(1至100)×0.317×10-6 m3 /sec。
即是，為了以He流量1sccm使差壓成為40Torr，C之值若設為大約3×10-7 m3 /sec，為了以100sccm使差壓成為40Torr，C之值若設為大約3×10-5 m3 /sec即可。
在本發明之第二實施型態之載置台中，若縮小間隙20之高度d，則可以縮小傳導率C之值。再者，因藉由改變上述n、W、d，傳導率C大幅變化，故適當調節該些，可使C之值成為所欲之值。
第7圖為本發明之第三實施例之基板載置台之圖式。第7圖(a)為平面圖(無載置基板之狀態)，第7圖(b)為第7圖(a)之C-C線剖面圖。
在載置台1之周緣部設置有載置基板之周緣環狀凸部4，設置有周緣部附近之熱傳達氣體流入口6和中央部附近之熱傳達用氣體流出口7，則係與其他實施例相同。
在該實施型態中，於載置台1之上面3列同心圓上設置有略圓形之分隔壁21a至21c。略圓形之分隔壁之上面與基板接觸，基板與略圓形之分隔壁21a至21c之間無間隙，熱傳達用氣體不會自此流出。熱傳達用氣體通過在分隔壁21a至21c各設置一個的缺口部而流動。
即是，外側之分隔壁21a係在熱傳達用氣體流入口6之相反側(以下，稱為右側)設置缺口部22a，從外側起第2個分隔壁21b係在與熱傳達用氣體流入口6相同側(左側)設置缺口部22b，內側之分隔壁係在熱傳達用氣體流入口6之相反側(右側)設置有缺口部22c。依此，氣體對各個分隔壁之外周旋轉180°而進入內側，可以將氣體之流路設為最長之狀態。
第8圖為本發明之第四實施型態之基板載置台之圖式，為無載置基板之狀態的平面圖。
在載置台1之周緣部設置有載置基板之周緣環狀凸部4，設置有周緣部附近之熱傳達用氣體流入口6和中央部附近之熱傳達用氣體流出口7，以及在載置台1之上面3列同心圓設置略圓形之分隔壁21a至21c等則與第7圖之例相同。但是，在該例中，設置兩個熱傳達用氣體流入口6，對應此缺口22a至22c之數量以及位置則與第7圖之例不同。
即是，外側之分隔壁21a係在與熱傳達用氣體流入口6呈90°偏向之方向側(以下，稱上下側)兩處設置缺口部22a，從外側起第2個分隔壁21b係在與熱傳達用氣體流入口6相同側(左右側)兩處上設置缺口部22b，內側之分隔壁21c係在與熱傳達用氣體流入口6呈90°偏向之方向側(上下側)兩處設置有缺口部22c。
從熱傳達氣體流入口6進入之氣體係對分隔壁21a轉彎90°，從缺口部22b進入至內側，再對分隔壁21b轉彎90°，從缺口部22c進入至內側，從中央部附近的熱傳達用氣體流出口7排出。此時，氣體之流路成為最長。
第9圖為第8圖之實施型態之變形例。第8圖所示之第四實施型態係在分隔壁21a偏離180°之位置上設置兩處缺口部22a。對此，第9圖之實施型態中，係在從第1缺口部22a順時鐘旋轉90°之位置設置第2缺口部22a。再者，內側之分隔壁21b之缺口部22b各被設置在離缺口部22a最遠之位置。即使針對缺口部22c也設置在相同之位置。
本發明並不限定於該些實施例。即使在分隔壁設置兩個以上之缺口部亦可，即使從一個缺口部順時鐘旋轉以任意角度設置其他缺口部亦可。
即使在第7圖、第8圖、第9圖中，皆有在載置台1上，可以增長從周緣部附近之熱傳達用氣體流入口6到達至中央部附近之熱傳達用氣體流入口7為止之氣體流路的特徵。若增加分隔壁之數量，則更增長氣體流路。
在氣體流路產生差壓之阻力，例如若多數配置第2圖(a)所示之連結型點狀突起10a等時，對於以少量氣體流量產生大差壓則為有利。
1．．．載置台
2．．．基板
3．．．間隙
4．．．周緣環狀凸部
5．．．冷煤流路
6．．．周緣部附近之開口部(熱傳達用氣體流入口)
7．．．中央部附近之開口部(熱傳達用氣體流出口)
8．．．熱傳達用氣體供給源
9．．．流量控制裝置
10a．．．連結型點狀突起
10b．．．非連結型點狀突起
10c．．．非連結型突起
11．．．突起本體
12．．．小突起
13．．．連結構件
14．．．同壓區
15．．．傾斜壓區
16a．．．中央側出入孔
16b．．．周緣側出入孔
17a、17b．．．流量計
18a、18b．．．壓力計
19．．．環狀凸部
20．．．間隙
21a、21b、21c．．．分隔壁
22a、22b、22c．．．缺口部
第1圖為本發明之第一實施例的被處理基板之載置台的圖式。
第2圖為第一實施型態中被形成於載置台表面之點狀突起之形狀的圖式。
第3圖為第一實施型態中之壓力控制實驗之實驗方法的說明圖。
第4圖為表示第一實施型態中之溫度測試實驗之實驗結果之例的圖式。
第5圖為表示間隙內中之He壓力和熱電阻之關係的圖式。
第6圖為本發明之第二實施型態的被處理基板之載置台的圖式。
第7圖為本發明之第三實施型態的被處理基板之載置台的圖式。
第8圖為本發明之第四實施型態的被處理基板之載置台的圖式。
第9圖為本發明之第四實施型態之變形例的被處理基板之載置台的圖式。
1．．．載置台
2．．．基板
3．．．間隙
4．．．周緣環狀凸部
5．．．冷煤流路
6．．．周緣部附近之開口部(熱傳達用氣體流入口)
7．．．中央部附近之開口部(熱傳達用氣體流出口)
8．．．熱傳達用氣體供給源
9．．．流量控制裝置
14．．．同壓區
15．．．傾斜壓區

Claims (22)

  1. 一種基板載置台，屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：具備載置台本體；和於在上述載置台本體之基板載置側之表面載置基板之時，接觸於基板之周緣部，並在基板之下側部分形成流通熱傳達用氣體之封閉空間的周緣環狀凸部；和形成在上述基板載置側之表面之周緣部附近或中央部附近中之任一方的上述熱傳達用氣體流入口；和被形成在另一方之上述熱傳達用氣體流出口；和被形成在上述基板載置側之表面，於上述熱傳達用氣體自上述熱傳達用氣體之流入口流動至流出口時，形成傳導率C之流路，上述流路係環狀形成複數列藉由連結材連結上端不與上述基板接觸而接近被設置之矩形或圓柱形之突起部的流路形成構件而構成。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係以下述(1)式定義，上述傳導率C之值在所欲範圍內，C(m3 /sec)=Q/△P…(1)在此，Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa．m3 /sec) △P：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
  3. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係在於3×10-8 m3 /sec至3×10-4 m3 /sec之範圍內。
  4. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係在於3×10-7 m3 /sec至3×10-5 m3 /sec之範圍內。
  5. 如申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台，其中，上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差為10Torr至40Torr。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之基板載置台，其中，上述熱傳達用氣體之流量為1sccm至100sccm之時，形成上述流路，使上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差成為10Torr至40Torr。
  7. 一種基板載置台，係屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：設置有載置台本體；和於在上述載置台本體之基板載置側之表面載置基板之時，接觸於基板之周緣部，並在基板之下側部分形成流通 熱傳達用氣體之封閉空間的周緣環狀凸部；和被形成在從上述基板載置側之表面之中心點離開距離r之位置上的上述熱傳達用氣體之流入口或流出口；和被形成在上述基板載置側之表面之周緣部附近，對應於上述熱傳達用氣體之流入口或流出口之流出口或流入口；和被形成在上述基板載置側之表面，於上述熱傳達用氣體自上述熱傳達用氣體之流入口流動至流出口時，形成傳導率C之流路；和被形成在從上述中心點距離上述距離r之範圍的多數點狀突起，上述流路係環狀形成複數列藉由連結材連結上端不與上述基板接觸而接近被設置之矩形或圓柱形之突起部的流路形成構件而構成。
  8. 如申請專利範圍第7項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係以下述(1)式定義，上述傳導率C之值在所欲範圍內，C(m3 /sec)=Q/△P…(1)在此，Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa．m3 /sec)△P：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
  9. 如申請專利範圍第7或8項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係在於3×10-8 m3 /sec至3×10-4 m3 /sec之範圍內。
  10. 如申請專利範圍第7或8項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係在於3×10-7 m3 /sec至3×10-5 m3 /sec之範圍內。
  11. 如申請專利範圍第7或8項所記載之基板載置台，其中，上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差為10Torr至40Torr。
  12. 如申請專利範圍第11項所記載之基板載置台，其中，上述熱傳達用氣體之流量為1sccm至100sccm之時，形成上述流路，使上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差成為10Torr至40Torr。
  13. 一種基板載置台，係屬於在基板處理裝置中載置基板之基板載置台，其特徵為：設置載置台本體；和於在上述載置台本體之基板載置側之表面載置基板之時，接觸於基板之周緣部，並在基板之下側部分形成流通熱傳達用氣體之封閉空間的周緣環狀凸部；和環狀被設置在上述封閉空間，形成上述熱傳達用氣體 之流路的多數略圓形之分隔壁；和被形成在上述基板載置側之表面之中央部附近的上述熱傳達用氣體之流入口或流出口；和被形成在上述基板載置側之表面之周緣部附近，對應於形成在上述中央部附近之流入口或流出口的至少一個以上之流出口或流入口，在上述各略圓形之分隔壁設置有用以流通上述熱傳達用氣體之缺口部，上述略圓形之分隔壁之上端不接觸於上述基板而接近。
  14. 如申請專利範圍第13項所記載之基板載置台，其中，上述流路的傳導率C係以下述(1)式定義，上述傳導率C之值在所欲範圍內，C(m3 /sec)=Q/△P…(1)在此，Q：熱傳達用氣體之質量流量(Pa．m3 /sec)△P：熱傳達用氣體之流入口和流出口間之差壓(Pa)。
  15. 如申請專利範圍第13或14項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係在於3×10-8 m3 /sec至3×10-4 m3 /sec之範圍內。
  16. 如申請專利範圍第13或14項所記載之基板載置台，其中，上述傳導率C係在於3×10-7 m3 /sec至3×10-5 m3 /sec之範圍內。
  17. 如申請專利範圍第13或14項所記載之基板載置台，其中，上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差為10Torr至40Torr。
  18. 如申請專利範圍第17項所記載之基板載置台，其中，上述熱傳達用氣體之流量為1sccm至100sccm之時，形成上述流路，使上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差成為10Torr至40Torr。
  19. 一種基板處理裝置，其特徵為：具備收容基板，將內部保持減壓之處理室；和被設置在上述處理室內，具有載置上述基板之申請專利範圍第1或2項所記載之構成的基板載置台；和在上述處理室內對上述基板施予特定處理之處理機構；和供給流通於形成在上述基板載置台和上述基板之間的上述封閉空間內之熱傳達用氣體之熱傳達用氣體供給機構。
  20. 如申請專利範圍第19項所記載之基板處理裝置，其中， 具有控制自上述熱傳達用氣體供給機構所供給之熱傳達用氣體之壓力的控制機構。
  21. 一種基板之溫度控制方法，係屬於使用申請專利範圍第1或2項所記載之基板載置台而控制基板溫度的基板之溫度控制方法，其特徵為：藉由上述流路形成構件之上端和上述基板之間隙之高度，以及/或是環狀設置之列數，調整上述傳導率C。
  22. 如申請專利範圍第21項所記載之基板之溫度控制方法，其中上述傳導率C在於3×10-7 m3 /sec至3×10-5 m3 /sec之範圍內時，控制熱傳達用氣體之供給流量，使上述熱傳達用氣體在流入口和流出口之熱傳達用氣體之壓力差成為10Torr至40Torr。
TW097133598A 2007-09-03 2008-09-02 A substrate stage, a substrate processing device, and a temperature control method TWI502680B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007227708A JP2009060011A (ja) 2007-09-03 2007-09-03 基板載置台、基板処理装置、及び温度制御方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200931587A TW200931587A (en) 2009-07-16
TWI502680B true TWI502680B (zh) 2015-10-01

Family

ID=40463061

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW097133598A TWI502680B (zh) 2007-09-03 2008-09-02 A substrate stage, a substrate processing device, and a temperature control method

Country Status (5)

Country Link
US (2) US20090233443A1 (zh)
JP (1) JP2009060011A (zh)
KR (1) KR101037461B1 (zh)
CN (1) CN100585828C (zh)
TW (1) TWI502680B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9728429B2 (en) * 2010-07-27 2017-08-08 Lam Research Corporation Parasitic plasma prevention in plasma processing chambers
JP2012089591A (ja) * 2010-10-18 2012-05-10 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置及び真空処理方法
JP5869899B2 (ja) 2011-04-01 2016-02-24 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法、基板処理方法及びサセプタカバー
NL2009189A (en) 2011-08-17 2013-02-19 Asml Netherlands Bv Support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
CN105683839B (zh) 2013-09-27 2017-08-08 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台、光刻设备以及器件制造方法
KR102113624B1 (ko) * 2013-12-27 2020-05-21 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 제조장치
JP6212412B2 (ja) * 2014-02-28 2017-10-11 日本特殊陶業株式会社 真空吸着部材
CN107077078B (zh) 2014-10-23 2019-04-09 Asml荷兰有限公司 用于光刻设备的支撑台、加载衬底的方法、光刻设备和器件制造方法
JP2016136554A (ja) * 2015-01-23 2016-07-28 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマ処理装置
CN104835765A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种多边形分布的凸台表面结构的可控温加热盘
CN104835761A (zh) * 2015-04-27 2015-08-12 沈阳拓荆科技有限公司 一种边缘出气的可控温加热盘
KR102348108B1 (ko) * 2015-10-05 2022-01-10 주식회사 미코세라믹스 온도 편차 특성이 개선된 기판 가열 장치
JP6592188B2 (ja) 2016-03-30 2019-10-16 京セラ株式会社 吸着部材
US10763153B2 (en) * 2016-06-23 2020-09-01 Ulvac, Inc. Holding apparatus
JP6918642B2 (ja) * 2017-08-25 2021-08-11 東京エレクトロン株式会社 冷媒用の流路を有する部材、冷媒用の流路を有する部材の制御方法及び基板処理装置
CN107910250A (zh) * 2017-11-16 2018-04-13 德淮半导体有限公司 晶片处理设备及方法
KR102516339B1 (ko) * 2018-04-06 2023-03-31 삼성전자주식회사 광 조사기용 덮개 구조물과 이를 구비하는 광 조사장치 및 이를 이용한 다이 접착 방법
JP7175114B2 (ja) * 2018-07-19 2022-11-18 東京エレクトロン株式会社 載置台及び電極部材
JP7407529B2 (ja) 2019-07-10 2024-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板載置台、基板処理装置及び温度制御方法
JP2021077752A (ja) * 2019-11-07 2021-05-20 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
CN112530846A (zh) * 2020-12-01 2021-03-19 北京北方华创微电子装备有限公司 承载盘及控温装置

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
JP2000317761A (ja) * 1999-03-01 2000-11-21 Toto Ltd 静電チャックおよび吸着方法
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
US20010054389A1 (en) * 2000-06-14 2001-12-27 Yasumi Sago Electro-static chucking mechanism and surface processing apparatus
KR20020094353A (ko) * 2001-06-11 2002-12-18 삼성전자 주식회사 웨이퍼 쿨링 스테이지
KR20050069684A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 반도체 웨이퍼용 정전척의 온도조절장치 및 온도조절방법
KR100504283B1 (ko) * 2003-06-28 2005-07-27 (주) 대홍기업 웨이퍼 재치대용 플레이트 및 이 플레이트가 채택된 웨이퍼 재치대
JP2006156938A (ja) * 2004-10-29 2006-06-15 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法
KR20060121702A (ko) * 2005-05-23 2006-11-29 동경 엘렉트론 주식회사 정전 흡착 전극 및 처리 장치

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05109847A (ja) * 1991-10-16 1993-04-30 Hitachi Ltd 発熱体の冷却装置
JPH07249586A (ja) * 1993-12-22 1995-09-26 Tokyo Electron Ltd 処理装置及びその製造方法並びに被処理体の処理方法
JPH07201956A (ja) * 1993-12-28 1995-08-04 Nippon Steel Corp ウエハ冷却装置
US6033478A (en) * 1996-11-05 2000-03-07 Applied Materials, Inc. Wafer support with improved temperature control
US5937541A (en) * 1997-09-15 1999-08-17 Siemens Aktiengesellschaft Semiconductor wafer temperature measurement and control thereof using gas temperature measurement
JP4317329B2 (ja) * 2000-01-20 2009-08-19 日本碍子株式会社 静電チャック
JP3859937B2 (ja) * 2000-06-02 2006-12-20 住友大阪セメント株式会社 静電チャック
JP2005079539A (ja) * 2003-09-03 2005-03-24 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP2005085803A (ja) * 2003-09-04 2005-03-31 Shinwa Controls Co Ltd サセプタ
JP2004119987A (ja) * 2003-10-22 2004-04-15 Hitachi Ltd 半導体製造装置
US7646581B2 (en) * 2006-01-31 2010-01-12 Sumitomo Osaka Cement Co., Ltd. Electrostatic chuck
JP5011736B2 (ja) * 2006-01-31 2012-08-29 住友大阪セメント株式会社 静電チャック装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5810933A (en) * 1996-02-16 1998-09-22 Novellus Systems, Inc. Wafer cooling device
JP2000317761A (ja) * 1999-03-01 2000-11-21 Toto Ltd 静電チャックおよび吸着方法
US6320736B1 (en) * 1999-05-17 2001-11-20 Applied Materials, Inc. Chuck having pressurized zones of heat transfer gas
US20010054389A1 (en) * 2000-06-14 2001-12-27 Yasumi Sago Electro-static chucking mechanism and surface processing apparatus
KR20020094353A (ko) * 2001-06-11 2002-12-18 삼성전자 주식회사 웨이퍼 쿨링 스테이지
KR100504283B1 (ko) * 2003-06-28 2005-07-27 (주) 대홍기업 웨이퍼 재치대용 플레이트 및 이 플레이트가 채택된 웨이퍼 재치대
KR20050069684A (ko) * 2003-12-31 2005-07-05 동부아남반도체 주식회사 반도체 웨이퍼용 정전척의 온도조절장치 및 온도조절방법
JP2006156938A (ja) * 2004-10-29 2006-06-15 Tokyo Electron Ltd 基板載置台、基板処理装置、および基板の温度制御方法
KR20060121702A (ko) * 2005-05-23 2006-11-29 동경 엘렉트론 주식회사 정전 흡착 전극 및 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090024075A (ko) 2009-03-06
JP2009060011A (ja) 2009-03-19
US20090233443A1 (en) 2009-09-17
US20140076515A1 (en) 2014-03-20
KR101037461B1 (ko) 2011-05-26
CN100585828C (zh) 2010-01-27
TW200931587A (en) 2009-07-16
CN101383314A (zh) 2009-03-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI502680B (zh) A substrate stage, a substrate processing device, and a temperature control method
TWI725979B (zh) 承載器及基板處理裝置
JP5119297B2 (ja) 基板処理装置
TW202105650A (zh) 基板處理裝置
TWI434347B (zh) 用於化學氣相沉積設備的氣體注入單元
JP5210706B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US20110180233A1 (en) Apparatus for controlling temperature uniformity of a showerhead
US20090159566A1 (en) Method and apparatus for controlling temperature of a substrate
TW201448026A (zh) 具有溫控之多充氣部噴淋頭
WO2010053173A1 (ja) 半導体ウェーハの温度制御装置および温度制御方法
US20080299326A1 (en) Plasma cvd apparatus having non-metal susceptor
TWM316492U (en) A liner suitable for covering the interior wall of a semiconductor processing chamber
TWI757487B (zh) 多區半導體基板材支撐件
JP3702068B2 (ja) 被処理基板の処理装置
WO2021238955A1 (zh) 一种加热装置及半导体加工设备
US10113232B2 (en) Azimuthal mixer
JP6255267B2 (ja) 基板処理装置、加熱装置、天井断熱体及び半導体装置の製造方法
JP2012129547A (ja) 基板載置台、基板処理装置、および温度制御方法
JP2000294538A (ja) 真空処理装置
JP2019036630A (ja) 成膜装置
JP2006120872A (ja) ガス拡散プレート
JP2003309075A (ja) 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
JP4677873B2 (ja) 成膜装置
JP2019075516A (ja) プラズマ処理装置及びガス流路が形成される部材
KR102109435B1 (ko) 기판 온도조절이 가능한 기판 캐리어 모듈