KR102113624B1 - 표시패널 제조장치 - Google Patents

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Abstract

기판의 배면 외곽부를 지지하는 댐의 형상을 변경하여 댐과 기판이 최소한의 접촉면적을 가지도록 함으로써, 냉각가스가 기판의 외곽부에도 고르게 공급될 수 있도록 할 수 있는 표시패널 제조장치가 제공된다. 표시패널 제조장치는, 챔버 내부에 배치되고, 외부전압에 의해 발생되는 정전력을 이용하여 상면에 기판을 고정시키며 상면 모서리부에 형성되어 기판의 배면 외곽부와 선 접촉되는 댐이 형성된 하부전극을 포함한다.

Description

표시패널 제조장치{Apparatus of manufacturing display device}
본 발명은 표시패널 제조장치에 관한 것으로, 특히 플라즈마(Plasma)를 이용한 표시패널의 식각공정에서 기판의 외곽부에 도포된 감광물질의 변성을 방지할 수 있는 하부전극이 형성된 정전척(Electro Static Chuck; ECS)을 포함하는 표시패널 제조장치에 관한 것이다.
식각(Etch)공정이란 포토리소그래피(photolithography)공정에 의해 형성된 포토 레지스트(photo resist)가 형성된 영역을 제외한 나머지의 박막을 제거하는 공정이다. 이러한 식각공정은 박막을 가스 또는 케미칼 용액 등의 식각물질을 이용하여 제거하는 것으로, 그 방법에 따라 습식 식각(Wet Etch)과 건식 식각(Dryy Etch) 및 플라즈마 식각(Plasma Etch)으로 나눌 수 있다.
플라즈마 식각은 진공 상태에서 가스 상태의 분자에 고 에너지를 가하여 분자를 이온화, 분해시켜 활성화된 이온, 전자, 레디칼(redical), 중성자 등을 표시패널의 박막에 충돌시켜 박막의 결정구조를 깨트림에 따라 박막을 제거하는 공정이다.
도 1은 종래의 플라즈마 식각장치의 구성을 나타내는 도면이고, 도 2는 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 1을 참조하면, 종래의 플라즈마 식각장치(1)는 챔버(10), 식각가스공급부(20, 25, 27), 하부전극(30) 및 냉각장치(40)를 포함하여 구성된다.
식각가스공급부(20, 25, 27)는 가스공급부(25), 가스분사부(20) 및 고주파 전력발생기(27)를 포함한다. 가스공급부(25)는 가스분사부(20)에 식각 가스를 공급한다. 가스분사부(20)는 공급된 식각가스를 챔버(10) 내부, 즉 하부전극(30) 상에 고정된 기판(2) 상에 분사한다. 여기서, 기판(2)의 상면에는 감광물질, 예컨대 포토레지스트(3)가 도포되어 있다. 고주파 전력발생기(27)는 플라즈마를 발생시키는데 필요한 고주파 전력을 발생시킨다.
하부전극(30)은 전압공급부(35)로부터 공급된 전력에 의해 발생되는 정전기를 이용하여 상면에 기판(2)을 고정시킨다. 이러한 하부전극(30)은 세라믹 분말 등으로 형성되며, 알루미늄(Al) 등으로 형성된 정전척(미도시) 상에 위치한다.
도 2를 보면, 하부전극(30)의 상면에는 기판(2)의 배면과 접촉되는 다수의 엠보싱구조(32)가 형성되어 있다. 그리고, 기판(2)의 양측과 접촉되는 하부전극(30)의 양측에는 후술될 냉각장치(40)에서 공급되는 냉각가스, 예컨대 헬륨(He)가스가 새어나가지 않도록 댐(Dam)(33)이 형성된다.
또한, 하부전극(30)의 내측에는 중공부(35)가 형성되고, 중공부(35)에는 하부전극(30)의 상부로 냉각가스를 전달하기 위한 내부배관(35a)이 형성된다. 이러한 하부전극(30)은 세라믹쉴드(37)에 의해 양측부가 감싸진다.
냉각장치(40)는 플라즈마 식각공정 중에 발생하는 열에 의해 기판(2)의 온도가 올라가는 것을 방지한다. 이러한 냉각장치(40)는 배관(45)을 통해 냉각가스를 하부전극(30)에 공급한다.
챔버(10)에는 내부를 진공 상태로 만드는 진공펌프(미도시)가 포함된다.
상술한 종래의 플라즈마 식각장치(1)에서는 식각하고자 하는 박막의 종류에 따라 식각율 또는 식각속도(etch rate)의 편차가 발생된다. 예를 들어, 표시패널의 비정질실리콘(a-Si) 구조에서 주로 사용되는 산화실리콘막(SiO2)은 질화실리콘막(SiNx)에 비하여 식각속도가 느리다. 이에 따라, 산화실리콘막의 식각시간 증가에 의해 기판(2)의 온도 상승을 방지하기 위해 냉각장치(40)로부터 냉각가스가 하부전극(30)에 공급된다.
그러나, 종래의 플라즈마 식각장치(1)에서는 냉각장치(40)로부터 공급되는 냉각가스가 기판(2)의 외곽부(A')에 제대로 공급되지 않으며, 이에 따라 기판(2) 외곽부(A')에서 포토레지스트(3)가 버닝(burning)되어 변성되는 현상이 발생된다. 이러한 포토레지스트(3)의 변성은 차후 포토레지스트(3)의 제거(strip) 공정에서 제거되지 않아 표시패널의 불량을 발생시킨다.
본 발명은 상기한 문제점을 개선하기 위한 것으로, 하부전극의 형상을 변경하여 플라즈마 식각 공정에서 기판 상에 형성된 포토레지스트의 변성을 방지할 수 있는 표시패널 제조장치를 제공하고자 하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조장치는, 플라즈마를 이용한 식각 공정이 실시되는 챔버; 및 상기 챔버 내부에 배치되고, 외부전압에 의해 발생되는 정전력을 이용하여 상면에 기판을 고정시키며, 상면 모서리부에 형성되어 상기 기판의 배면 외곽부와 선 접촉되는 댐이 형성된 하부전극을 포함한다.
본 발명의 표시패널 제조장치는, 기판의 배면 외곽부를 지지하는 댐의 형상을 변경하여 댐과 기판이 최소한의 접촉면적을 가지도록 함으로써, 냉각가스가 기판의 외곽부에도 고르게 공급될 수 있도록 할 수 있다.
이에 따라, 본 발명은 플라즈마 식각공정에 따라 기판의 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있으며, 기판 상에 형성된 포토레지스트의 변성을 방지하여 공정의 신뢰성을 높일 수 있다.
또한, 댐 근처에 냉각가스의 공급통로를 형성하여 냉각가스가 댐 근처로 바로 공급되도록 하여 기판의 냉각효율을 더욱 높일 수 있다.
또한, 돌출부와 기판의 접촉면적을 증가시키고 하부전극 자체를 냉각시킴으로써, 냉각가스와 하부전극에 의해 기판이 냉각되어 기판의 냉각효율을 더욱 높일 수 있다.
도 1은 종래의 플라즈마 식각장치의 구성을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 A부분의 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 식각장치의 제1실시예에 따른 하부전극을 나타내는 도면이다.
도 5는 도 3에 도시된 플라즈마 식각장치의 제2실시예에 따른 하부전극을 나타내는 도면이다.
도 6은 도 3에 도시된 플라즈마 식각장치의 제3실시예에 따른 하부전극을 나타내는 도면이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 표시패널 제조장치에 대해 상세히 설명한다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시패널 제조장치를 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 표시패널 제조장치(100)는 플라즈마를 이용하여 표시패널의 박막을 식각할 수 있는 플라즈마 식각장치일 수 있으며, 이하에서는 플라즈마 식각장치로 설명하기로 한다.
플라즈마 식각장치(100)는 챔버(120), 식각가스공급부(130, 135, 137), 하부전극(200) 및 냉각장치(140)를 포함할 수 있다.
챔버(120)는 플라즈마 식각 공정에서 내부를 진공상태로 유지시킨다. 이러한 챔버(120)는 진공펌프(미도시)를 더 포함할 수 있다.
식각가스공급부(130, 135, 137)는 챔버(120) 상단에 배치되어 하부전극(200)에 대향될 수 있다. 식각가스공급부(130, 135, 137)는 가스공급부(135), 가스분사부(130) 및 고주파전력발생기(137)를 포함할 수 있다.
가스공급부(135)는 가스분사부(130)에 식각가스, 예컨대 O2, Cl2 또는 SF6 등과 같은 식각가스를 공급할 수 있다.
가스분사부(130)는 가스공급부(135)로부터 공급된 식각가스를 챔버(120) 내부에 분사할 수 있다.
고주파전력발생기(137)는 플라즈마를 발생시키는데 필요한 고주파 전력을 발생시킬 수 있다. 이러한 고주파전력발생기(137)는 마이크로웨이브, 유도방전, DC방전 등이 사용될 수 있다.
하부전극(200)은 챔버(120) 하단에 배치된 척(chuck, 미도시) 상에 위치할 수 있다. 하부전극(200)은 상면에 기판(110)을 안착시켜 고정할 수 있다. 여기서, 기판(110)의 상면에는 감광물질, 예컨대 포토레지스트(115)가 소정 두께로 형성되어 있을 수 있다.
하부전극(200)은 알루미늄 등으로 형성된 모재(미도시) 상에 Al2O3 등의 세라믹 분말로 형성된 용사층(미도시)으로 형성될 수 있다. 이러한 하부전극(200)은 전압공급부(150)로부터 제공된 전압에 의해 정전력을 발생시키고, 이러한 정전력을 이용하여 상면에 기판(110)을 고정시킬 수 있다.
하부전극(200)의 상면에는 일정 거리로 이격되어 돌출된 다수의 돌출부(213)가 형성될 수 있다. 돌출부(213)는 사각형, 삼각형, 사다리꼴, 반원 등의 다양한 형태로 돌출되어 형성될 수 있다. 돌출부(213)는 기판(110)의 배면에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있다.
하부전극(200)의 측부, 예컨대 하부전극(200)의 모서리부에는 기판(110)의 배면 측부를 지지하는 댐(215)이 형성될 수 있다. 댐(215)는 기판(110)의 외곽부를 지지하면서 후술될 냉각장치(140)로부터 제공된 냉각가스가 기판(110)과 하부전극(200) 사이로 새어나가는 것을 방지하는 측벽 역할을 할 수 있다. 이러한 하부전극(200)은 후에 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
냉각장치(140)는 배관(145)을 통해 하부전극(200)과 연결되며, 하부전극(200)의 내부에 냉각가스를 공급할 수 있다. 냉각장치(140)로부터 공급되는 냉각가스는 헬륨(He)가스일 수 있으나, 이에 제한되지는 않는다.
도 4는 도 3에 도시된 플라즈마 식각장치의 제1실시예에 따른 하부전극을 나타내는 도면이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 본 실시예의 하부전극(200)은 판(plat) 구조로 형성되며, 상면에 기판(110)을 안착시켜 고정할 수 있다.
하부전극(200)은 외부, 즉 전압공급부(150)로부터 공급된 전압에 의해 발생된 정전력을 이용하여 기판(110)을 고정할 수 있다. 여기서, 하부전극(200)에 안착된 기판(110) 상에는 포토레지스트(115)가 소정 두께로 형성되어 있을 수 있다.
한편, 도면에 상세히 도시하지는 않았으나, 하부전극(200)은 알루미늄(Al) 등과 같은 금속물질로 구성된 모재 상에 Al2O3 등과 같은 세라믹분말로 용사층이 형성된 구조를 가질 수 있다.
이러한 하부전극(200)은 대응되는 양측 모서리 또는 모든 모서리 부분이 쉴드(230)에 의해 지지될 수 있다. 쉴드(230)는 Al2O3 등과 같은 세라믹분말로 형성될 수 있다.
하부전극(200)의 상면에는 다수의 돌출부(213)가 형성될 수 있다. 돌출부(213)는 하부전극(200)의 상면에 일정한 간격으로 형성될 수 있으며, 기판(110)의 배면에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있다.
하부전극(200)에는 댐(215)이 형성될 수 있다. 댐(215)은 하부전극(200)의 모서리부를 따라 형성될 수 있으며, 하부전극(200)의 측벽 역할을 할 수 있다. 댐(215)은 다수의 돌출부(213) 중에서 최외곽에 위치하는 돌출부(213)와 인접하여 형성될 수 있다.
댐(215)은 기판(110)의 외곽부(B), 즉 기판(110)의 배면 외곽부(B)에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있다. 또한, 댐(215)은 기판(110)과 하부전극(200) 사이의 공간으로 공급되는 냉각가스가 외부로 새어나가지 않도록 하는 역할을 수행할 수 있다.
댐(215)은 기판(110)의 배면과 최소한으로 접촉되도록 형성될 수 있다. 예컨대, 댐(215)은 그 단면이 적어도 하나의 경사면을 가지는 삼각형 구조로 형성될 수 있으며, 삼각형 구조의 꼭지점이 기판(110)의 배면에 접촉되도록 할 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 댐(215)의 상부가 기판(110)의 배면과 선 접촉되도록 하여 그 접촉면적을 최소로 줄일 수 있다. 이에 따라, 하부전극(200)과 기판(110) 사이로 공급되는 냉각가스는 기판(110)의 외곽부(B)까지 고르게 공급될 수 있다.
따라서, 본 실시예의 플라즈마 식각장치(100)는 냉각장치(140)에서 하부전극(200)으로 공급되는 냉각가스가 기판(110)의 외곽부(B)까지 충분하게 공급될 수 있기 때문에, 식각공정에서 기판(110)의 온도가 상승하여 기판(110) 상의 포토레지스트(115)가 변성되는 현상을 방지할 수 있다.
또한, 하부전극(200)에는 하나 이상의 냉각가스의 통로(path)들이 형성될 수 있다. 예컨대, 하부전극(200)에는 제1가스통로(220), 제2가스통로(222) 및 제3가스통로(221)가 형성될 수 있다.
제1가스통로(220)는 하부전극(200)의 내부에 형성될 수 있다. 제1가스통로(220)는 냉각장치(140)로부터 배관(145)을 통해 공급된 냉각가스를 일시 저장할 수 있는 공동(空洞)일 수 있다.
제2가스통로(222)는 하부전극(200)의 상면에 형성될 수 있다. 예컨대 제2가스통로(222)는 하부전극(200)의 상면에 형성된 다수의 돌출부(213) 사이에 형성될 수 있다. 또한, 제2가스통로(222)는 하부전극(200)의 상면에 형성된 돌출부(213)와 댐(215) 사이에 형성될 수 있다. 이러한 제2가스통로(222)는 하부전극(200)의 상면과 기판(110)의 배면 사이의 공간에서 냉각가스가 흐르는 경로를 형성할 수 있다. 이에 따라, 냉각가스는 하부전극(200)의 상면에서 방향성을 가지고 흐르게 된다.
제3가스통로(221)는 제1가스통로(220)와 제2가스통로(222) 사이에 형성될 수 있다. 제3가스통로(221)는 제1가스통로(220)의 냉각가스를 제2가스통로(222)로 전달하는 역할을 할 수 있다.
제3가스통로(221)는 하부전극(200) 상면의 돌출부(213) 사이에 형성된 제2가스통로(222)와 제1가스통로(220) 사이를 연결하도록 형성될 수 있다. 또한, 제3가스통로(221)는 하부전극(200) 상면의 돌출부(213)와 댐(215) 사이에 형성된 제2가스통로(222)와 내부의 제1가스통로(220) 사이를 연결하도록 형성될 수 있다.
이렇게 본 실시예의 하부전극(200)은 그 내부에 다수의 냉각가스 이동통로를 형성함으로써, 냉각장치(140)로부터 공급된 냉각가스가 하부전극(200)의 다수의 가스통로, 즉 제1 내지 제3가스통로(220~222)를 통해 기판(110)의 배면에 공급할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 실시예의 하부전극(200)은 기판(110)의 배면 외곽부(B)를 지지하는 댐(215)을 삼각형 형태로 형성하여 댐(215)과 기판(110)의 접촉면적을 줄임으로써, 냉각가스가 하부전극(200)의 가스통로들을 통해 기판(110)의 외곽부(B)에 충분히 공급되도록 할 수 있다.
이에 따라, 본 실시예의 하부전극(200)은 종래의 플라즈마 식각장치의 하부전극에 비하여 냉각가스에 의한 기판(110)의 냉각효율을 높일 수 있어 플라즈마 식각공정에 따라 기판(110)의 온도가 상승되는 것을 방지할 수 있으며, 이는 기판(110) 상에 형성된 포토레지스트(115)의 변성을 방지하여 공정의 신뢰성을 높일 수 있다.
또한, 본 실시예의 하부전극(200)은 다수의 가스통로 중 적어도 하나, 예컨대 제2가스통로(222)와 제3가스통로(221)를 하부전극(220)의 댐(215)에 인접하도록 형성함으로써, 냉각가스가 기판(110)의 배면 외곽부(B)에 바로 공급될 수 있도록 할 수 있다. 이에 따라, 기판(110)의 냉각효율을 더욱 높일 수 있다.
도 5는 도 3에 도시된 플라즈마 식각장치의 제2실시예에 따른 하부전극을 나타내는 도면이다.
본 실시예의 하부전극(201)은 앞서 도 4를 참조하여 설명된 하부전극(200)과 댐의 형태가 다른 것을 제외하고 실질적으로 동일하다. 이에 따라 동일부재에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3 및 도 5를 참조하면, 본 실시예의 하부전극(201)은 판 구조로 형성되며, 상면에 포토레지스트(115)가 형성된 기판(110)을 안착시켜 고정시킬 수 있다.
하부전극(201)의 상면에는 다수의 돌출부(213)가 형성될 수 있으며, 이러한 돌출부(213)는 기판(110)의 배면에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있다.
하부전극(201)의 상면 가장자리에는 하부전극(201)의 측벽 역할을 하는 댐(216)이 형성될 수 있다. 댐(216)은 다수의 돌출부(213) 중에서 최외곽에 위치하는 돌출부(213)와 인접하여 형성될 수 있다.
댐(216)은 기판(110)의 외곽부(B), 즉 기판(110)의 배면 외곽 테두리에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있다. 또한, 댐(216)은 기판(110)과 하부전극(200) 사이의 공간으로 공급되는 냉각가스가 기판(110)의 외곽부(B)를 통해 외부로 새어나가지 않도록 하는 역할을 수행할 수 있다.
댐(216)은 기판(110)의 배면과 최소한으로 접촉되도록 형성될 수 있다. 예컨대 댐(216)은 그 단면이 반원의 형태를 가지는 엠보싱 구조로 형성될 수 있으며, 엠보싱 구조의 상단이 기판(110)의 배면에 접촉되도록 형성될 수 있다.
즉, 본 실시예에서는 댐(216)이 기판(110)의 배면에 선 접촉되도록 하여 그 접촉면적을 줄일 수 있으며, 이에 따라 하부전극(201)에 공급되는 냉각가스는 기판(110)의 외곽부(B)까지 고르게 공급될 수 있다.
여기서, 댐(216)이 엠보싱 구조로 형성됨에 따라 하부전극(201)의 모서리 부분을 지지하는 쉴드(230) 또한 이에 대응되는 형태로 형성될 수 있다. 다시 말하면, 쉴드(230)의 내측면, 즉 댐(216)과 접촉되는 면은 소정의 곡률을 가지는 오목한 곡면으로 형성될 수 있다.
또한, 앞서 설명한 바와 같이, 하부전극(201)에는 제1가스통로(220), 제2가스통로(222) 및 제3가스통로(221)를 포함하는 냉각가스 통로(path)가 형성될 수 있다.
그리고, 하부전극(201)의 상면에 형성되어 기판(110)의 배면과 하부전극(201)의 상면 사이의 공간에서 냉각가스의 경로를 형성하는 제2가스통로(222)에 냉각가스를 공급하는 제3가스통로(221)가 댐(216) 근처에 형성되도록 함으로써, 기판(110)의 외곽부(B)에 냉각가스가 바로 공급될 수 있도록 할 수 있다.
즉, 본 실시예의 하부전극(201)은 기판(110)과 댐(216)의 접촉면적을 줄이고, 댐(216) 근처에서 냉각가스가 바로 공급될 수 있도록 함으로써, 플라즈마 식각공정 중에 기판(110)의 냉각효율을 높일 수 있으며, 이에 따라 기판(110) 상에 형성된 포토레지스트(115)의 변성을 방지할 수 있다.
도 6은 도 3에 도시된 플라즈마 식각장치의 제3실시예에 따른 하부전극을 나타내는 도면이다.
본 실시예에서는 앞서 설명된 냉각가스와 함께 하부전극(202) 자체를 냉각시켜 기판(110)의 냉각효율을 높이는 하부전극(202)의 구성에 대해 설명한다. 본 실시예는 하부전극(202)을 제외한 나머지 구성들이 앞서 도 3 내지 도 5를 참조하여 설명된 바와 동일하며, 이에 따라 동일부재에 대한 상세한 설명은 생략한다.
도 3 및 도 6을 참조하면, 본 실시예의 하부전극(202)은 판 구조로 형성되며, 상면에 포토레지스트(115)가 형성된 기판(110)을 안착시켜 고정시킬 수 있다.
하부전극(202)의 상면에는 다수의 돌출부(226)가 형성될 수 있다. 돌출부(226)는 기판(110)의 배면에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있다.
여기서, 돌출부(216)는 기판(110)과 넓은 접촉면적을 가질 수 있다. 예컨대, 돌출부(226)는 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 돌출부에 비하여 상부가 넓은 사각형 형상으로 형성되어 기판(110)의 배면에 접촉될 수 있다.
또한, 서로 인접하는 돌출부(226) 사이의 간격(d) 또한 넓을 수 있다. 이에 따라 후술될 냉각가스의 통로, 예컨대 하부전극(202)의 상면에 형성되는 제3통로(222)는 앞서 도 4 및 도 5를 참조하여 설명된 제3통로에 비하여 그 단면적이 넓어질 수 있다.
한편, 본 실시예의 플라즈마 식각장치는 하부전극(202) 자체를 냉각시킬 수 있는 전극 냉각부(250)를 더 포함할 수 있다. 전극 냉각부(250)는 하부전극(202)에 연결되어 하부전극(202)을 직접 냉각시킬 수 있다.
따라서, 본 실시예의 하부전극(202)은 상면에 형성된 돌출부(226)가 기판(110)의 배면과 접촉되는 면적이 크기 때문에, 전극 냉각부(250)에 의해 하부전극(202) 자체가 냉각되는 경우에 돌출부(226)와 기판(110)의 배면이 접촉된 부분(C)에서 기판(110)의 냉각 효율을 높일 수 있다.
댐(215)은 하부전극(202)의 상면 가장자리에 형성되어 하부전극(202)의 측벽을 구성할 수 있다.
댐(215)은 기판(110)의 배면 외곽 테두리에 접촉되어 기판(110)을 지지할 수 있으며, 기판(110)의 배면과 최소한으로 접촉되도록 형성될 수 있다. 이러한 댐(215)은 앞서 도 4를 참조하여 설명한 바와 같이, 그 단면이 삼각형 형상을 가지도록 하여 기판(110)의 배면과 선 접촉할 수 있도록 형성될 수 있다.
또한, 하부전극(202)에는 제1가스통로(220), 제2가스통로(222) 및 제2가스통로(221)를 포함하는 냉각가스 통로(path)가 형성될 수 있다.
그리고, 하부전극(202)의 상면에 형성되어 기판(110)의 배면과 하부전극(202)의 상면 사이의 공간에서 냉각가스의 경로를 형성하는 제2가스통로(222)에 냉각가스를 공급하는 제3가스통로(221)가 댐(215) 근처에 형성되도록 함으로써, 기판(110)의 외곽부(B)에 냉각가스가 바로 공급될 수 있도록 할 수 있다.
여기서, 앞서 설명한 바와 같이, 하부전극(202)에 형성된 돌출부(226) 사이의 간격이 넓기 때문에 제2가스통로(222)의 단면적도 커지게 된다. 이에 따라, 제2가스통로(222)를 흐르는 냉각가스의 유량이 많아지게 되어 기판(110)의 냉각 효율을 높일 수 있다.
즉, 본 실시예의 하부전극(202)은 기판(110)의 배면 외곽부(B)를 지지하는 댐(215)을 삼각형 형태로 형성하여 댐(215)과 기판(110)의 접촉면적을 줄임으로써, 냉각가스가 하부전극(202)의 가스통로들을 통해 기판(110)의 외곽부(B)에 충분히 공급되도록 할 수 있다.
또한, 하부전극(202) 상면에 형성되는 제2가스통로(222)의 면적을 크게 함으로써 냉각가스의 유량을 증가시킬 수 있어 기판(110)의 냉각 효율을 더 높일 수 있다.
또한, 하부전극(202)의 돌출부(226)와 기판(110)이 접촉하는 면적을 크게 하고, 하부전극(202) 자체를 냉각시킴으로써, 냉각가스에 의한 기판(110)의 냉각과 함께 하부전극(202) 자체에 의해 기판(110)을 냉각시킬 수 있어 기판(110)의 냉각 효율을 더욱 높일 수 있다.
전술한 설명에 많은 사항이 구체적으로 기재되어 있으나 이것은 발명의 범위를 한정하는 것이라기보다 바람직한 실시예의 예시로서 해석되어야 한다. 따라서 발명은 설명된 실시예에 의하여 정할 것이 아니고 특허청구범위와 특허청구범위에 균등한 것에 의하여 정하여져야 한다.
200, 201, 202: 하부전극 213, 226: 돌출부
215, 216: 댐 220: 제1가스통로
221: 제2가스통로 222: 제2가스통로
230: 쉴드

Claims (10)

  1. 플라즈마를 이용한 식각 공정이 실시되는 챔버; 및
    상기 챔버 내부에 배치되고, 외부전압에 의해 발생되는 정전력을 이용하여 상면에 기판을 고정시키며, 상면 모서리부에 상기 기판의 배면 외곽부와 선 접촉되는 댐이 형성된 하부전극을 포함하되,
    상기 하부전극은 상면에 다수 형성되어 상기 기판의 배면과 접촉되어 지지하는 다수의 돌출부를 포함하고,
    상기 댐은 단면이 적어도 하나의 경사면을 갖는 삼각형 구조를 가지고 하부 기판의 상면 가장자리에 측벽을 구성하면서, 상부 꼭지점이 상기 기판의 배면과 선 접촉하면서 외부로부터 공급되는 냉각 가스를 상기 기판의 배면 외곽부에 공급하기 위해 상기 다수의 돌출부 중 인접한 돌출부와 공간을 형성하는 것을 특징으로 하는 표시패널 제조장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 돌출부는 단면이 삼각형, 사다리꼴, 반원 중 하나인 표시패널 제조장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극을 냉각시키는 전극 냉각부를 더 포함하고,
    상기 돌출부에 접촉되는 상기 기판의 배면은 상기 하부전극 자체에 의해 냉각되는 표시패널 제조장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극은 외부로부터 공급된 냉각가스를 상기 기판의 배면에 공급하는 하나 이상의 가스통로를 더 포함하고,
    상기 가스통로 중 적어도 하나는 상기 댐에 인접하여 형성되어 상기 냉각가스를 상기 기판의 배면 외곽부에 공급하는 표시패널 제조장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 가스통로는,
    상기 하부전극의 내부에 형성된 제1가스통로;
    상기 하부전극의 상면과 상기 기판의 배면 사이의 공간에 형성된 제2가스통로; 및
    상기 제1가스통로와 상기 제2가스통로를 연결시키는 제3가스통로를 포함하고,
    상기 제3가스통로는 상기 댐에 인접하여 형성된 상기 제2가스통로와 상기 제1가스통로를 연결하도록 형성된 표시패널 제조장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 하부전극에 냉각가스를 공급하여 상기 기판을 냉각시키는 냉각장치를 더 포함하는 표시패널 제조장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 냉각가스는 헬륨인 표시패널 제조장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에 식각가스를 공급하는 식각가스공급부;
    상기 챔버에 플라즈마를 발생하기 위한 고주파 전력을 공급하는 고주파 전력발생기; 및
    상기 하부전극에 DC 전압을 공급하는 전압공급부를 더 포함하는 표시패널 제조장치.

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