JP2009004481A - ダミーパターンの設計方法、露光マスク、半導体装置、半導体装置の製造方法およびダミーパターンの設計プログラム - Google Patents
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Abstract
【課題】CMPプロセスによって生じるディッシングおよびエロージョン現象を抑制するためのダミーパターンを最適密度かつ最適配置で形成するダミーパターン設計方法を提供する。
【解決手段】デバイス図形データ部と空白部をチップ領域に有する半導体装置において、前記チップ領域をCMPプロセスにより平坦化する前に前記空白部に形成するダミーパターンの設計方法であって、前記チップ領域全面にべたダミー部を設定し、前記べたダミー部全面にメッシュ部を設定した後に、前記べたダミー部を前記メッシュ部により分割することにより、前記チップ領域全面に複数の矩形ダミーパターンを形成する矩形ダミーパターン形成工程と、前記矩形ダミーパターンの一部を削除もしくは変形することにより、前記チップ領域におけるダミーパターンの密度を均一にするダミーパターン均一化工程を有するダミーパターンの設計方法を提供することによって、上記課題を解決できる。
【選択図】図1
Description
ディッシング現象は、たとえば、Cuからなる電極が径の太い孤立配線として形成されている場合に、このCuが絶縁膜に比べると比較的軟らかな材質であるため、パットのたわみと研磨剤のえぐり出し効果により、簡単にCuが除去されてしまい、電極部分を局所的に深く削ってしまう現象である。
また、エロージョン現象は、たとえば、Cuからなる電極が径の細い密集配線として形成されている場合に、前記密集配線の間の絶縁膜が細く形成されているので、密集配線部分を容易に削ることができ、この密集配線部分を局所的に深く削ってしまう現象である。
このディッシングおよびエロージョン現象は、前記CMPプロセスにより半導体基板の表面において深く削る部分とあまり深く削らない部分とを作り出し、半導体基板表面の平坦性を劣化させる。
そこで、配線と同質の材料により形成するパターン(以下、ダミーパターンという)を半導体基板表面の配線を形成していない領域に形成することにより、半導体基板表面の配線密度を均一とし、半導体基板表面を均等に削ることが行われるようになっている。ここで形成するダミーパターンをどのような大きさで、どのような形状でどのようなレイアウトで配置するかが重要な課題となっている。
(1) チップ領域およびデバイス図形データの抽出
(2) クリアランス設定およびダミー形成禁止領域の設定
(3) 矩形ダミーの形成(辺+スペースで定義)
(4) 不要定義部の削除
図13は、第一工程である「チップ領域およびデバイス図形データの抽出」を説明する図であり、半導体基板200上のチップ領域201に設けられたデバイス図形データ部202のレイアウト配置の一例を示した平面模式図である。3つの多角形状からなるデバイス図形データ部202が、チップ領域201の上に形成され、それら以外の部分は空白部201aとされている。
デバイス図形データ部202の周りに空白部201f、201gが形成されている。空白部201fの幅は、クリアランス部3の幅と空白部201bの幅と矩形ダミーパターンユニット209のスペース部208の幅sとの合計で規定されており、空白部201gの幅は、クリアランス部3の幅と空白部201cの幅と矩形ダミーパターンユニット209のスペース部208の幅sとの合計で規定されている。そのため、空白部201gの幅は、空白部201fの幅よりも大きく形成されている。
そのため、半導体基板表面のパターン密度の均一性を確保できず、ディッシングあるいはエロージョン現象を抑制することができない場合があった。
図1は、本発明の実施形態であるダミーパターンの設計方法の一例を説明するフローチャート図である。
本発明の実施形態であるダミーパターンの設計方法は以下の10の工程よりなる。
(1) チップ領域/デバイス図形データの抽出
(2) クリアランス設定/ダミー形成禁止領域の設定
(3) べたダミーの形成
(4) メッシュ張り
(5) 矩形ダミーの形成
(6) 不要矩形ダミーの削除
(7) 3辺接触矩形ダミーの抽出・削除・合成
(8) 4辺接触矩形ダミーの抽出・合成・削除
(9) 2辺接触矩形ダミーの抽出・合成・削除
(10) 不要定義部の削除
ここで、(1)から(5)までの工程が、半導体基板表面全面に矩形ダミーパターンを形成する矩形ダミーパターン形成工程であり、(6)から(10)までの工程が、矩形ダミーパターンの削除、部分削除、拡張あるいは隣接矩形ダミーパターンとの合成のいずれか一つ又は全ての処理を行うことにより、半導体基板表面のパターン密度を均一にするダミーパターン均一化工程である。
以下、各工程を詳細に説明する。
まず、図2に示すように、半導体基板100のチップ領域1の大きさ、形状およびレイアウト配置を規定する論理変数を定義Aとする。また、デバイス図形データ部2の大きさ、形状およびレイアウト配置を規定する論理変数を定義Bとする。
ここでは、チップ領域1に3つのデバイス図形データ部2が規定されている。また、チップ領域1において、デバイス図形データ部2が形成されていない領域は、空白部1aとされている。
次に、図3に示すように、デバイス図形データ部2の周辺を取り囲んでクリアランス部3を形成する。このクリアランス部3の大きさ、形状およびレイアウト配置を変数として定義Cを規定する。このクリアランス部3は、一定の幅を有してなる帯状の領域である。
デバイス図形データ部2のすぐ近くにダミーパターンを形成した場合、デバイス図形データ部2の電気特性がダミーパターンにより影響を受けることが一般に知られているが、このクリアランス部3を設けて、デバイス図形データ部2からダミーパターンを離すことにより、その電気的影響を低減することができる。
次に、図4に示すように、べたダミー5を半導体基板100のチップ領域1の全面に形成する。このべたダミー5の大きさ、形状およびレイアウト配置を規定する変数を定義Eとする。
次に、図5(a)に示すように、半導体基板100のX、Y軸方向に格子状にメッシュ線6aが形成されたメッシュ部6を形成する。また、メッシュ部6の大きさ、形状およびレイアウト配置を変数として定義Fを規定する。
なお、図5(b)に示すように、このメッシュ部6を構成するメッシュ線6aの太さdおよびメッシュ線のピッチpは任意に設定することができる。たとえば、メッシュ線6aの太さdを0.5μm、メッシュ線6aのピッチpを1μmとしてもよい。このメッシュ線6aの太さdが矩形ダミーパターン間距離となり、メッシュ線6aのピッチpが矩形ダミーパターンの1辺の長さとなる。
次に、図6に示すように、定義Eおよび定義Fを用いて下記論理式(1−1)により規定される定義Gの示す大きさ、形状およびレイアウト配置に基づき、矩形ダミーパターン7を規定する。
以上が、矩形ダミーパターン形成工程である。
次に、ダミーパターン均一化工程を説明する。
第1段階の処理工程は、3つの領域のうちいずれか1つまたは2つの領域に4辺すべてが含まれる矩形ダミーパターン7を抽出した後、抽出された矩形ダミーパターン7を削除することにより、不要矩形ダミーの削除を行う工程である。
図7(a)に示すように、下記論理式(1−2)〜(1−5)により規定される定義J1、J2、J3、J4の示す大きさ、形状およびレイアウト配置に基づき、不要矩形ダミー8、9、10、11を規定した後、この不要矩形ダミー8、9、10、11を削除する。
なお、定義Cで規定されるクリアランス部3に矩形ダミーパターン7が部分的に重なる例を示す定義J11、および定義Dで規定されるダミー形成禁止領域4に矩形ダミーパターン7が部分的に重なる例を示す定義J12はそれぞれ削除を行わない例として示してある。
第2段階の処理工程は、クリアランス部3またはダミー形成禁止領域4に3辺が接触する矩形ダミーパターン7を抽出した後、抽出された矩形ダミーパターンのクリアランス部3またはダミー形成禁止領域4と重なる部分を削除し、削除により残された矩形ダミーパターンを隣接する矩形ダミーパターン7まで拡張して合成することにより新たなダミーパターン30を形成する工程である。
クリアランス部3およびダミー形成禁止領域4の周辺にダミーパターン30が45個形成されている。
抽出工程においては、3辺接触矩形ダミーの定義に基づき3辺接触矩形ダミーに該当する矩形ダミーパターン7を抽出する。
次に、削除処理工程において、3辺接触矩形ダミーとクリアランス部3またはダミー形成禁止領域4と重なる部分を削除する。
最後に、削除処理された矩形ダミーパターン7に対して合成処理をおこなう。合成処理は、削除処理された矩形ダミーパターン7の削除された側の反対の領域を、はく除された側の反対側の方向に拡張し、この隣接する矩形ダミーパターンと合成処理する工程である。
なお、拡張量は、定義F部のメッシュ太さdとすればよい。拡張量をメッシュ太さdとすれば、隣接する矩形ダミーパターンまで削除処理した矩形ダミーパターンを延ばすことができ、それらの合成処理を容易に行うことができるためである。
第3段階の処理工程は、クリアランス部3またはダミー形成禁止領域4に4辺が接触する矩形ダミーパターン7を抽出した後、抽出された矩形ダミーパターンを隣接する矩形ダミーパターン7まで拡張して合成し、合成された矩形ダミーパターンとクリアランス部3またはダミー形成禁止領域4とが重なる部分を削除することにより新たなダミーパターン40を形成する工程である。
クリアランス部3およびダミー形成禁止領域4の周辺に矩形ダミーパターン40が2個形成されている。
抽出工程においては、4辺接触矩形ダミーの定義に基づき4辺接触矩形ダミーに該当する矩形ダミーパターン7を抽出する。
次に、この4辺接触矩形ダミーに該当する矩形ダミーパターン7に対して合成処理をおこなう。合成処理は、矩形ダミーパターン7を全方向に拡張するオーバサイジングを行い、この隣接する矩形ダミーパターンと合成処理する工程である。
なお、拡張量は、定義F部のメッシュ太さdとすればよい。
最後に、削除処理工程において、4辺接触矩形ダミーとクリアランス部3またはダミー形成禁止領域4と重なる部分を削除して、矩形ダミーパターン40を形成する。
第4段階の処理工程は、クリアランス部3またはダミー形成禁止領域4に2辺が接触する矩形ダミーパターン7を抽出した後、抽出された矩形ダミーパターンを隣接する矩形ダミーパターン7まで拡張して合成し、合成された矩形ダミーパターンとクリアランス部3またはダミー形成禁止領域4とが重なる部分を削除することにより新たなダミーパターン20を形成する工程である。
クリアランス部3およびダミー形成禁止領域4の周辺に矩形ダミーパターン20が5個形成されている。
抽出工程においては、2辺接触矩形ダミーの定義に基づき2辺接触矩形ダミーに該当する矩形ダミーパターン7を抽出する。
次に、この2辺接触矩形ダミーに該当する矩形ダミーパターン7に対して合成処理をおこなう。
合成処理は、2辺接触矩形ダミーの接触していない2辺をそれぞれ隣接する矩形ダミーパターンの方向に拡張し、隣接する矩形ダミーパターンと合成処理する工程である。
なお、拡張量は、下記式(2−1)により、定義F部のメッシュ太さdとメッシュピッチpで規定される長さlとすればよい。2方向にlの長さ拡張することによって、4つの矩形ダミーパターン7を合成し、一つの大きな矩形ダミーパターン29とすることができる。
最後に、図11に示すように、定義Cで規定されたクリアランス部3および定義Dで規定されたダミー形成禁止領域4を削除し、ダミーパターンの設計が完了する。デバイス図形データ部2と矩形ダミーパターン7の間には、クリアランス部3によって規定された最適な幅が規定されており、矩形ダミーパターン7による電気的影響をデバイス図形データ部2が受けることはない。また、空白部1aには、最適密度および最適配置で矩形ダミーパターン7が形成されている。
図17は、本発明の実施形態である露光マスクの一例を示す平面模式図であって、図17(a)はデバイス図形データ部とダミーパターンの形成用露光マスクの図であり、図17(b)はダミーパターン形成用露光マスクの図である。
図17(a)に示した露光マスク300は、金属基板301上に、前記ダミーパターンの設計方法によって設計したダミーパターンからなる孔部350と、4隅に形成されたマスクアライメント部353と、デバイス図形データ部355とが設けられ構成されている。この露光マスク300を用いることにより、1回の露光処理で、半導体装置のチップ領域に回路素子部と矩形ダミーパターン部とを形成することができる。
図17(b)に示したダミーパターンの形成用露光マスク310は、金属基板301上に、前記ダミーパターンの設計方法によって設計したダミーパターンからなる孔部350と、4隅に形成されたマスクアライメント部353とが設けられ構成されている。この露光マスク310を用いることにより、まず、1回目の露光処理で、半導体装置のチップ領域に矩形ダミーパターン部を形成し、その後、デバイス図形データ部のみからなる露光マスクを用いて、2回目の露光処理を行い、回路素子部を形成することができる。なお、どちらのパターンを先に形成しても良い。
図18は、本発明の実施形態である半導体装置の一例を示す拡大平面図である。半導体装置400のチップ領域には、回路素子部402と矩形ダミーパターン部407が設けられて構成されている。矩形ダミーパターン部407が最適配置および最適密度で形成されているので、チップ領域401をCMP法により研磨する際、ディッシングまたはエロージョン現象のように局所的に深く削るという問題を引き起こさず、基板表面の平坦化を行う。
本発明の実施形態である半導体装置の製造方法は、製造過程にある半導体装置において平坦化プロセスが必要となった場合に、ダミーパターンの設計工程、露光マスクの作製工程、ダミーパターン形成工程およびCMP処理工程を導入して行う。
まず、半導体基板のチップ領域のデバイス部の形状、大きさなどに基づきダミーパターンの設計を行う。次に、その設計されたダミーパターンに基づき露光マスクを作製する。さらに、所定の処理工程において露光マスクを用いて、半導体装置の表面にダミーパターンを形成する。その後、CMPプロセスにより平坦化プロセスを行う。ディッシングまたはエロージョン現象のように局所的に深く削るという問題を引き起こさず、基板表面の平坦化を行う。
以下、効果について説明する。
その結果、チップ領域全面のパターン密度の疎密差を解消できるので、リソグラフィーの焦点深度を向上させることもでき、プロセスマージンを確保することにより、半導体装置の品質および生産性を向上させることができる。
Claims (10)
- 回路素子パターンを形成するデバイス図形データ部と前記回路素子パターンを形成しない空白部を半導体基板のチップ領域に有する半導体装置において、前記チップ領域をCMPプロセスにより平坦化する前に前記空白部に形成するダミーパターンの設計方法であって、
前記チップ領域全面にべたダミー部を設定し、前記べたダミー部全面にメッシュ部を設定した後に、前記べたダミー部を前記メッシュ部により分割することにより、前記チップ領域全面に複数の矩形ダミーパターンを形成する矩形ダミーパターン形成工程と、
前記矩形ダミーパターンの一部を削除もしくは変形することにより、前記チップ領域におけるダミーパターンの密度を均一にするダミーパターン均一化工程を有することを特徴とするダミーパターンの設計方法。 - 前記ダミーパターン均一化工程は、
前記デバイス図形データ部を取り囲むクリアランス部を設定し、
前記空白部の一部にダミー形成禁止領域を設定した後、
前記デバイス図形データ部、前記クリアランス部および前記ダミー形成禁止領域の3つの領域に対する前記矩形ダミーパターンの配置により4通りの矩形ダミーパターンを抽出し、
前記4通りの矩形ダミーパターンに応じて4段階の処理を行うことを特徴とする請求項1に記載のダミーパターンの設計方法。 - 前記4段階の処理における第1段階の処理工程が、
前記3つの領域のうちいずれか1つまたは2つの領域に完全に重なる矩形ダミーパターンを抽出した後、
抽出された矩形ダミーパターンを削除する工程であることを特徴とする請求項1または請求項2のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法。 - 前記4段階の処理における第2段階の処理工程が、
前記クリアランス部または前記ダミー形成禁止領域に3辺が接触する矩形ダミーパターンを抽出した後、
抽出された矩形ダミーパターンの前記クリアランス部または前記ダミー形成禁止領域と重なる部分を削除し、
削除により残された矩形ダミーパターンを隣接する矩形ダミーパターンまで拡張して合成することにより新たなダミーパターンを形成する処理工程であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法。 - 前記4段階の処理における第3段階の処理工程が、
前記クリアランス部または前記ダミー形成禁止領域に4辺が接触する前記矩形ダミーパターンを抽出した後、
抽出された矩形ダミーパターンを隣接する矩形ダミーパターンまで拡張して合成し、
合成された矩形ダミーパターンと前記クリアランス部または前記ダミー形成禁止領域とが重なる部分を削除することにより新たなダミーパターンを形成する処理工程であることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法。 - 前記4段階の処理における第4段階の処理工程が、
前記クリアランス部または前記ダミー形成禁止領域に2辺が接触する前記矩形ダミーパターンを抽出した後、
抽出された矩形ダミーパターンを隣接する矩形ダミーパターンまで拡張して合成し、
合成された矩形ダミーパターンと前記クリアランス部または前記ダミー形成禁止領域とが重なる部分を削除することにより新たなダミーパターンを形成する処理工程であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法。 - 請求項1〜6のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法によりレイアウト配置されたダミーパターンを備えたことを特徴とする露光マスク。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法によりレイアウト配置されたダミーパターンを備えたことを特徴とする半導体装置。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載のダミーパターンの設計方法によりレイアウト配置されたダミーパターンを形成する工程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 回路素子パターンを形成するデバイス図形データ部と前記回路素子パターンを形成しない空白部を半導体基板のチップ領域に有する半導体装置において、前記チップ領域をCMPプロセスにより平坦化する前に前記空白部に形成するダミーパターンの設計プログラムであって、
前記チップ領域および前記デバイス図形データの抽出処理を行う「チップ領域/デバイス図形データの抽出」工程と、
ダミーパターンを形成しない領域の設定処理を行う「クリアランス設定/ダミー形成禁止領域の設定」工程と、
前記チップ領域全面にべたダミーの形成処理を行う「べたダミーの形成」工程と、
前記べたダミーを矩形化するためのメッシュを張る処理を行う「メッシュ張り」工程と、
前記メッシュに従いべたダミーの矩形化処理を行う「矩形ダミーの形成」工程と、
不要な矩形ダミーの削除処理を行う「不要矩形ダミーの削除」工程と、
3辺接触矩形ダミーの抽出合成削除処理を行う「3辺接触矩形ダミーの抽出合成削除」工程と、
4辺接触矩形ダミーの抽出合成削除処理を行う「4辺接触矩形ダミーの抽出合成削除」工程と、
2辺接触矩形ダミーの抽出合成削除処理を行う「2辺接触矩形ダミーの抽出合成削除」工程と、
不要となった定義部を削除処理する「不要定義部の削除」工程と、を備えることを特徴とするダミーパターンの設計プログラム。
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