JP2005183642A

JP2005183642A - 半導体集積回路

Info

Publication number: JP2005183642A
Application number: JP2003421739A
Authority: JP
Inventors: Tomohiko Araya; 智彦新家
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-12-19
Filing date: 2003-12-19
Publication date: 2005-07-07

Abstract

【課題】半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することを目的とする。
【解決手段】層間膜の平坦化のために最上位配線層領域に形成されたダミーパターンに対して、間引く，形状を変える，大きさを変える等の変化を施すことにより、周囲のダミーパターンに対して特長をもたせ、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することができる。また、この変化させたダミーパターンを含む一定の区画２０４を明確に示するために、特定のダミーパターンに対して、間引く，形状を変える，大きさを変える等の変化を施すことにより、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置をより容易に特定することができる。
【選択図】図２

Description

この発明は、半導体集積回路の最上位配線層に配置された平坦化のためのダミーパターンに関するものである。

従来から半導体集積回路においては、完成品またはウエハプロセス完了品の配線の一部を修正する必要が生じる場合があった。このような場合、例えば、収束イオンビーム（以下、ＦＩＢと称する）加工等の加工手段を用いて、走査イオン像（以下、ＳＩＭ像と称する）などによって加工対象の半導体集積回路を撮影した表面画像と設計データ画像を重ね合わせることによって下層配線の位置を特定して、配線の切断および結線加工を行うことが通常行われてきた。また、前記の配線の切断および結線加工において、下層配線の位置を上層から認識できるように上層にダミーの配線を生成して下層配線の位置を特定することでＳＩＭ像などによる実物の表面画像と設計データ画像とを重ね合わせることなく配線の切断および結線加工を行っているものもある（例えば、特許文献１参照）。
特開２０００−２６０９４５号公報

しかし、近年下層および上層間の層間膜の平坦化が進むことにより、下層の配線による層間膜の隆起がきわめて小さなものとなるため、表面の状態しか確認できないＳＩＭ像などの画像の目視による観察では下層の配線配置を確認することが困難となる場合が生じることがあった。このため、ＦＩＢ等の加工を行う際にはＳＩＭ像などで得られる最上位配線層の配線の凹凸を表す表面画像と設計データ画像とを見比べて最上位配線層を重ね合わせることで、下層の配線の位置を推定し加工を行うが、加工すべき箇所周辺の最上位配線層に配線がされていない場合は表面の凹凸がないため、ＳＩＭ像などと設計データ画像とを重ね合わせることができない。また、近年は配線のされていない箇所は層間膜の平坦化のために一定形状のダミーパターンが等間隔に配置されているためＳＩＭ像などによる表面の凹凸は得られるが、一定形状で等間隔な凹凸のため目印とすることはできずＳＩＭ像などと設計データ画像などとを重ね合わせることができない。

図１は従来の表面画像と設計データ画像との重ね合わせの説明図である。
図１において、１０１はＳＩＭ像などで得られた半導体集積回路の一部を拡大した表面画像、１０４は前記表面画像に対応した設計データ画像、１０９は１０８で示す領域を拡大した表面画像、１１０は１０８で示す領域を拡大して１０９の画像を表示した時と同じ倍率で拡大された設計データ画像である。１０２は表面画像１０１が示す最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つであり、１０１に示すように同じ形状のダミーパターンが等間隔に配置されている。１０５は設計データ画像１０４が示す最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つであり、１０４に示すように同じ形状のダミーパターンが等間隔に配置されている。１１１は表面画像１０９が示す最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つであり、１０９に示すように同じ形状のダミーパターンが等間隔に配置されている。１１２は設計データ画像１１０が示す最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つであり、１１０に示すように同じ形状のダミーパターンが等間隔に配置されている。１０３はＳＩＭ像などで得られた半導体集積回路の表面画像が示す最上位配線層の配線パターン、１０６は設計データ画像が示す最上位配線層の配線パターン、１０７は設計データ画像が示す下位配線層の配線パターンである。

例えば、下位配線層の配線パターン１０７を切断する場合、前記配線パターン１０７は実物の表面画像１０１には表示されないため、目視による観察が可能な最上位配線層の配線パターン１０３と設計データ画像に示されている最上位配線層の配線パターン１０６を目印として設計データ画像１０４と表面画像１０１とを重ね合わせることで、設計データ画像１０４に表示されている下位配線層の配線パターン１０７の加工場所を特定することができる。しかし、１０１に示した倍率では精密に加工できないため、例えば領域１０８を拡大して加工に最適な表面画像１０９を得た場合、同じ倍率で拡大した設計データ画像１１０を得たとしても、前記工程で重ね合わせていた実物の表面画像と設計データ画像との間に拡大したことでずれが生じる場合があり、このような場合は、実物の表面画像１０９と設計データ画像１１０を重ね合わせて下位配線層の配線パターン１０７の加工場所を特定する必要がある。

しかし、拡大した実物の表面画像１０９に平坦化のためのダミーパターン１１１のような同一形状かつ等間隔なものしか得られない場合、例えば、設計データ画像の１１２ａが実物の表面画像の１１１ａ、１１１ｂ、１１１ｃ、１１１ｄまたはそれ以外の平坦化のためのダミーパターンのどれと一致するのか特定できないために設計データ画像と重ね合わせることができず、加工すべき下層の配線の位置と実際に加工を行った位置との間にずれが生じ、その結果半導体集積回路は不良品となり重大な問題となることがあった。

また、特許文献１のように上層の配線層に下層の配線層の配線位置を特定できる形状を有し外部から画像認識可能なダミーの配線を設けるようにしても、下層の配線層の配線が前記の平坦化のためのダミーパターンのように一定形状で等間隔な配線であれば前記と同様の理由で加工場所を特定することができないので前記と同様の問題が起こり得る。

上記問題点を解決するために、本発明の半導体集積回路は、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することを目的とする。

上記目的を達成するために、本発明の請求項１記載の半導体集積回路は、層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、前記ダミーパターンの内あらかじめ定められた所定のダミーパターンに変化を施すことにより前記半導体集積回路の位置を特定するための目印とすることを特徴とする。

請求項２記載の半導体集積回路は、層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、前記半導体集積回路上に形成された前記ダミーパターンを区画分けし、区画の目印としてあらかじめ定められた所定の区画目印用ダミーパターンに区画目印用の変化を施し、前記区画を区別する目印として前記区画毎にあらかじめ定められた所定の区画識別用ダミーパターンに区画識別用の変化を施すことにより、前記半導体集積回路の位置を特定することを特徴とする。

請求項３記載の半導体集積回路は、層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、前記半導体集積回路上に形成された前記ダミーパターンを、最小の区画に対して行方向の区画が前記ダミーパターン１つ分ずつ順に大きくなり、最小の区画に対して列方向の区画が前記ダミーパターン１つ分ずつ順に大きくなように大きさを変えて区画分けし、前記区画の目印として前記区画内のあらかじめ定められた所定の区画目印用ダミーパターンに区画目印用の変化を施すことにより、前記半導体集積回路の位置を特定することを特徴とする。

請求項４記載の半導体集積回路は、請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記区画目印用の変化として、前記区画目印用ダミーパターンを間引くことを特徴とする。

請求項５記載の半導体集積回路は、請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記区画目印用の変化として、前記区画目印用ダミーパターンの形状を変更することを特徴とする。

請求項６記載の半導体集積回路は、請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記区画目印用の変化として、前記区画目印用ダミーパターンの大きさを変更することを特徴とする。

請求項７記載の半導体集積回路は、層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、前記半導体集積回路上に形成された前記ダミーパターンを区画分けし、区画の目印として各区画のあらかじめ定められた所定の行および列のダミーパターン配置をずらし、前記区画を区別する目印として前記区画毎にあらかじめ定められた所定の区画識別用ダミーパターンに区画識別用の変化を施すことにより、前記半導体集積回路の位置を特定することを特徴とする。

請求項８記載の半導体集積回路は、請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記区画識別用の変化として、前記区画識別用ダミーパターンを間引くことを特徴とする。

請求項９記載の半導体集積回路は、請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記区画識別用の変化として、前記区画識別用ダミーパターンの形状を変更することを特徴とする。

請求項１０記載の半導体集積回路は、請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体集積回路において、前記区画識別用の変化として、前記区画識別用ダミーパターンの大きさを変更することを特徴とする。

請求項１１記載の半導体集積回路は、層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、前記ダミーパターンの内あらかじめ定められた所定の間隔毎にダミーパターンの形状を変化させることにより前記半導体集積回路の位置を特定するための目印とすることを特徴とする。

以上により、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することができる。

以上のように、層間膜の平坦化のために最上位配線層領域に形成されたダミーパターンに対して、間引く，形状を変える，大きさを変える等の変化を施すことにより、周囲のダミーパターンに対して特長をもたせ、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することができる。

また、この変化させたダミーパターンを含む一定の区画を明確に示するために、特定のダミーパターンに対して、間引く，形状を変える，大きさを変える等の変化を施すことにより、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置をより容易に特定することができる。

本発明では下位配線層の配線を加工する時に、最上位配線層に配線したダミーパターンを目印として下位配線層の位置を特定するが、前記特定化のためには、加工対象となる半導体回路の最上位配線層全面に対してダミーパターンをユニークにする必要はなく、加工が可能となる倍率に拡大した場合に拡大した画像の位置が把握できる程度にある一定領域内でユニークにすれば良い。また、最上位配線層全面に対しては前記一定領域を繰り返し配置にすれば良い。
（実施の形態１）
ここでは、前記一定領域内を拡大した画像を見た場合に見えるダミーパターンの位置が特定できるような実施の形態１について図２と図３と図４を用いて示す。

本実施の形態では、前記ダミーパターンを拡大した画像内で全体が見える程度の大きさにグループ化して一定の区画を仮定し、さらに、前記区画を別のグループとする一定領域を仮定する。ここで、前記各区画において区画の境界を示すためダミーパターンを変更するとともに、各区画を識別するため区画内のダミーパターンも変更する。

この例について図３を用いて示す。
図３は実施の形態１における目印となるダミーパターン配置を説明する図である。
図３において、３１２は最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン、３０１は前記ダミーパターン３１２と同じ形状のダミーパターンを縦６個横６個等間隔に配置した１つの区画である。また、３１１は前記区画内のダミーパターンが縦３個横３個配置された部分区画を示している。

３０２は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、さらに、部分区画３１１に対して左上のダミーパターンを間引いたものである。３０３は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の左真中のダミーパターンを間引いたものである。３０４は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の左下のダミーパターンを間引いたものである。３０５は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の真中上のダミーパターンを間引いたものである。３０６は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の真中のダミーパターンを間引いたものである。３０７は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の真中下のダミーパターンを間引いたものである。３０８は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の右上のダミーパターンを間引いたものである。３０９は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の右真中のダミーパターンを間引いたものである。３１０は、区画３０１に対して左上とその右隣のダミーパターンを間引き、部分区画３１１の右下のダミーパターンを間引いたものである。

前記区画３０２〜３１０の配置を図４に示す。
図４は実施の形態１におけるダミーパターングループの配置を示す図であり、区画３０２の下に区画３０３を配置し、区画３０３の下に区画３０４を配置し、区画３０２の右隣に区画３０５を配置し、区画３０５の下に区画３０６を配置し、区画３０６の下に区画３０７を配置し、区画３０５の右隣に区画３０８を配置し、区画３０８の下に区画３０９を配置し、区画３０９の下に区画３１０を配置したものである。

前述のような区画３０２〜３１０の配置構成によると、前記区画３０２〜３１０はそれぞれの領域の左上とその右隣のダミーパターンが間引かれていることによってダミーパターンを縦６個横６個等間隔に配置する一定区画単位に区分けされており、各区画内の部分区画３１１のダミーパターンが間引かれている箇所の違いによってそれぞれの区画が前記区画３０２〜３１０であることが容易に特定できる。

本例では、区画単位に区分けするために横方向に連続した２つのダミーパターンを間引き、区画を互いに識別するために１つのダミーパターンを間引く方法としている。なお、前述のダミーパターンの配置や間引きは半導体集積回路の配線を行う市販のＥＤＡツールを用いて実現することができる。

次に、上記のように加工されたダミーパターンを利用して下位配線層の配線パターンを切断する例を図２に示す。
図２は実施の形態１における表面画像と設計データ画像との重ね合わせの説明図である。

図２において、２０１はＳＩＭ像などで得られた半導体集積回路の一部を拡大した表面画像、２１３は前記表面画像に対応した設計データ画像、２１７は２０５で示す区画近傍を拡大したもの、２１９は２０５で示す区画近傍を拡大して２１７の画像を表示した時と同じ倍率で拡大された設計データ画像である。２０３はＳＩＭ像などで得られた半導体集積回路の表面画像が示す最上位配線層の配線パターン、２１５は前記２０３に対応した設計データ画像が示す最上位配線層の配線パターン、２１６は設計データ画像が示す下位配線層の配線パターンである。また、破線で示した２０４〜２１２は図４で示したダミーパターンが配置されている各区画３０２〜３１０に対応している。

下位配線層の配線パターン２１６を切断する場合、まず、前記配線パターン２１６は表面画像２０１には表示されないため、まず目視による観察が可能な最上位配線層の配線パターン２０３と設計データ画像に示されている最上位配線層の配線パターン２１５を目印として設計データ画像２１３と表面画像２０１とを重ね合わせる。これにより設計データ画像２１３に表示されている下位配線層の配線パターン２１６の加工場所を表面画像２０１上で特定することができる。

次に、この倍率では精密に加工できないため区画２０５近傍を拡大して加工に最適な表面画像２１７を得、同じ倍率で設計データ画像の前記区画２０５に対応した近傍を拡大して設計データ画像２１９を得る。前記拡大工程において表面画像２１７と設計データ画像２１９との間で拡大したことによるずれが生じても、ダミーパターンを間引いた配置によって、拡大された任意の領域における表面画像に表示されているダミーパターンと設計データ画像に表示されているダミーパターンのどれが同一であるかが容易に認識できる。

例えば、表面画像に表示されているダミーパターン２１８と設計データ画像に表示されているダミーパターン２２０とが同一のものであることは容易に認識できる。これにより表面画像に表示されているダミーパターンと設計データ画像に表示されているダミーパターンを目印として表面画像と設計データ画像とを重ねあわせて加工場所を特定することで正確なＦＩＢ加工などを行うことができる。

この発明の実施の形態１によれば、最上位配線層に配線パターンが存在せずにダミーパターンだけが配線されている任意の領域において、下位配線層の配線パターンをＦＩＢ加工などの手段により切断する場合、一定区画単位に間引いたダミーパターンの配置と、前記定区画を互いに識別できるように区別して区画内のダミーパターンを間引くことにより、拡大された表面画像と設計データ画像との間で任意のダミーパターンの対応関係を特定させ、特定したダミーパターンを目印とすることにより、下層配線の位置を容易に認識できる半導体集積回路を得ることができる。

なお、前述の各区画３０２〜３１０を互いに識別するための前記部分区画３１１内のダミーパターンの配置は、区画を示すための目印と区別がつくような配置パターンであれば良く、例えば、ダミーパターンを間引く代わりにダミーパターンの形状を変更したり、ダミーパターンの大きさを変更したり、ダミーパターンの配置位置をずらしたりして他の区画と違うダミーパターン配置を構成するように加工できれば構わない。
（実施の形態２）
この発明の実施の形態２について図５を用いて示す。

図５は実施の形態２におけるダミーパターングループの配置を示す図である。
図５において、５０１は最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つであり、５０２はダミーパターン５０１と同じ形状で大きさを大きくしたダミーパターンである。図４においては、区画３０２〜３１０は区画を示す目印として左上とその右隣のダミーパターンを間引いているが、図５に示す区画５０３〜５１１は左上、その右隣、左上の下、その右隣の４つのダミーパターンを１つの大きなダミーパターン５０２に変更したものである。図５における各区画５０３〜５１１の識別は、図４と同じく区画内の部分区画３１１におけるダミーパターンの間引かれている箇所の違いを目印としている。上述のように加工されたダミーパターンを利用して下位配線層の配線を切断する場合に、実物の表面画像に表示されているダミーパターンと設計データ画像に表示されているダミーパターンを目印として実物の表面画像と設計データ画像とを重ねあわせて加工場所を特定することで正確なＦＩＢ加工などを行うことができる。

この発明の実施の形態２によれば、最上位配線層に配線パターンが存在せずにダミーパターンだけが配線されている任意の領域において、下位配線層の配線パターンをＦＩＢ加工などの手段により切断する場合、一定区画単位に大きさを変更したダミーパターンの配置と、前記定区画を互いに識別できるように区画内のダミーパターンを間引くことにより、拡大された表面画像と設計データ画像との間で任意のダミーパターンの対応関係を特定させ、特定したダミーパターンを目印とすることにより、下層配線の位置を容易に認識できる半導体集積回路を得ることができる。

なお、前記区画を示すための目印となる５０２のダミーパターンの大きさは、ダミーパターン５０１と区別がつく大きさであれば良く、小さくしても構わない。また、前述の各区画５０３〜５１１を互いに識別するための前記部分区画内におけるダミーパターンの配置は、区画を示すための目印と区別がつくような配置パターンであれば良く、例えば、ダミーパターンを間引く代わりにダミーパターンの形状を変更したり、ダミーパターンの配置位置をずらしたりして他の区画と違うダミーパターン配置を構成するように加工できれば構わない。
（実施の形態３）
この発明の実施の形態３について図６を用いて示す。

図６は実施の形態３におけるダミーパターングループの配置を示す図である。
図６において、６０２は六角形の形状のダミーパターンで、６０３〜６１１は図４の区画３０２〜３１０に対して区画を示す目印として左上とその右隣のダミーパターンを間引く代わりに左上のダミーパターンをダミーパターン６０２に変更したものである。

上述のように加工されたダミーパターンを利用して下位配線層の配線を切断する場合に、実物の表面画像に表示されているダミーパターンと設計データ画像に表示されているダミーパターンを目印として実物の表面画像と設計データ画像とを重ねあわせて加工場所を特定することで正確なＦＩＢ加工などを行うことができる。

この発明の実施の形態３によれば、最上位配線層に配線パターンが存在せずにダミーパターンだけが配線されている任意の領域において、下位配線層の配線パターンをＦＩＢ加工などの手段により切断する場合、一定区画単位に形状を変更したダミーパターンの配置と、前記定区画を互いに識別できるように区画内のダミーパターンを間引くことにより、任意に拡大された実物の表面画像と設計データ画像との間で任意のダミーパターンの対応関係を特定させ、特定したダミーパターンを目印とすることにより、下層配線の位置を容易に認識できる半導体集積回路を得ることができる。

なお、前記区画を示すための目印となる６０２のダミーパターンの形状は、他のダミーパターンと区別がつく形状であれば良く、例えば、５角形でも長方形でも構わない。また、前述の各区画６０３〜６１１を互いに識別するための前記部分区画内におけるダミーパターンの配置は、区画を示すための目印と区別がつくような配置パターンであれば良く、例えば、ダミーパターンを間引く代わりにダミーパターンの形状を区画を示すための目印と異なる形状に変更したり、ダミーパターンの大きさを変更したり、ダミーパターンの配置位置をずらしたりして他の区画と違うダミーパターン配置を構成するように加工できれば構わない。
（実施の形態４）
この発明の実施の形態４について図７と図８を用いて示す。

図７は実施の形態４におけるダミーパターングループの配置を示す図であり、図８は実施の形態４における目印となるダミーパターン配置を説明する図である。
図７において、７０２は最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン、７０１は前記ダミーパターン７０２と同じ形状のダミーパターンを縦６個横６個等間隔に配置した１つの区画である。７０５は前記区画７０１に配置されている最上位行のダミーパターン７０３を各々横方向にずらしてダミーパターン７０６の配置とし、再端列のダミーパターン７０４を各々縦方向にずらしてダミーパターン７０７の配置としたものである。前記ダミーパターン７０６と７０７の配置とすることで、ダミーパターンが占める領域をずらしたダミーパターンを目印に区画単位に分割することができる。

また、図８において、８０２〜８１０は図４の区画３０２〜３１０に対して区画を示す目印として左上とその右隣のダミーパターンを間引く代わりに前記区画７０５のようにダミーパターンをずらしたものである。上述のように加工されたダミーパターンを利用して下位配線層の配線を切断する場合に、表面画像に表示されているダミーパターンと設計データ画像に表示されているダミーパターンを目印として実物の表面画像と設計データ画像とを重ねあわせて加工場所を特定することで正確なＦＩＢ加工などを行うことができる。

この発明の実施の形態４によれば、最上位配線層に配線パターンが存在せずにダミーパターンだけが配線されている任意の領域において、下位配線層の配線パターンをＦＩＢ加工などの手段により切断する場合、配置位置をずらしたダミーパターンと、前記定区画を互いに識別できるように区画内のダミーパターンを間引くことにより、任意に拡大された表面画像と設計データ画像との間で任意のダミーパターンの対応関係を特定させ、特定したダミーパターンを目印とすることにより、下層配線の位置を容易に認識できる半導体集積回路を得ることができる。

なお、前述の各区画８０２〜８１０を互いに識別するための部分区画内のダミーパターンの配置は、区画を示すための目印と区別がつくような配置パターンであれば良く、例えば、ダミーパターンを間引く代わりにダミーパターンの形状を変更したり、ダミーパターンの大きさを変更したりして他の区画と違うダミーパターン配置を構成するように加工できれば構わない。また、配置位置をずらすダミーパターンとして、最上位行と再端列のダミーパターンをずらしたが、ずらす行および列は任意であり、区画を特定できれば良い。
（実施の形態５）
この発明の実施の形態５について図９を用いて示す。

図９は実施の形態５における目印となるダミーパターン配置を説明する図である。
図９において、９０１は最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つである。９０２は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦２個横２個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０３は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦３個横２個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０４は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦４個横２個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０５は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦５個横２個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０６は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦６個横２個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０７は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦２個横３個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０８は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦３個横３個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９０９は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦４個横３個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１０は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦５個横３個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１１は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦６個横３個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１２は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦２個横４個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１３は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦３個横４個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１４は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦４個横４個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１５は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦５個横４個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１６は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦６個横４個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１７は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦２個横５個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１８は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦３個横５個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９１９は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦４個横５個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２０は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦５個横５個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２１は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦６個横５個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２２は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦２個横６個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２３は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦３個横６個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２４は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦４個横６個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２５は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦５個横６個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。９２６は、ダミーパターン９０１と同じ形状同じ大きさのダミーパターンが縦６個横６個等間隔に配置することのできる領域において左上のダミーパターンを間引いた区画である。

上述のようにある一定の規則に基づき異なった間隔で間引かれたダミーパターンを利用して下位配線層の配線を切断する場合に、表面画像に表示されているダミーパターン領域に対してダミーパターンの間引かれている箇所から前記区画９０２〜９２６のどの区画かを容易に特定できるため、設計データ画像と重ね合わせて加工場所を特定することで正確なＦＩＢ加工などを行うことができる。

この発明の実施の形態５によれば、最上位配線層に配線パターンが存在せずにダミーパターンだけが配線されている任意の領域において、下位配線層の配線パターンをＦＩＢ加工などの手段により切断する場合、ある一定の規則に基づき異なった間隔で間引かれたダミーパターンにより、拡大された実物の表面画像と設計データ画像との間で任意のダミーパターンの対応関係を特定させ、特定したダミーパターンを目印とすることにより、下層配線の位置を容易に認識できる半導体集積回路を得ることができる。

なお、前述の各区画９０２〜９２６に区分けするための目印となるダミーパターンの変更方法は、他のダミーパターンと区別がつくのであれば良く、例えば、ダミーパターンを間引く代わりにダミーパターンの形状を変更したり、ダミーパターンの大きさを変更したりしても構わない。
（実施の形態６）
この発明の実施の形態６について図１０を用いて示す。

図１０は実施の形態６における目印となるダミーパターン配置を説明する図である。
図１０において、１００１は最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン、１００２〜１０１０はそれぞれ異なる形状に変更したダミーパターンであり、ダミーパターン１００１とも異なる形状に変更したものである。１０１１〜１０１９は、前記ダミーパターン１００１と同じ形状のダミーパターンを縦６個横６個等間隔に配置した１つ区画の左上のダミーパターンをそれぞれ前記ダミーパターン１００２〜１０１０に変更したものである。

上述のように一定間隔毎のダミーパターンに対して縦横斜めにおいてそれぞれ一番近いダミーパターンの形状が異なるように変更されたダミーパターンを利用して下位配線層の配線を切断する場合に、実物の表面画像に表示されているダミーパターン領域に対して形状の異なるダミーパターンから前記区画１０１１〜１０１９のどの区画かを容易に特定できるため、設計データ画像と重ね合わせて加工場所を特定することで正確なＦＩＢ加工などを行うことができる。

この発明の実施の形態６によれば、最上位配線層に配線パターンが存在せずにダミーパターンだけが配線されている任意の領域において、下位配線層の配線パターンをＦＩＢ加工などの手段により切断する場合、ある一定間隔毎のダミーパターンに対して周囲の変更されたダミーパターンの形状と異なるように変更されたダミーパターンにより、拡大された表面画像と設計データ画像との間で任意のダミーパターンの対応関係を特定させ、特定したダミーパターンを目印とすることにより、下層配線の位置を容易に認識できる半導体集積回路を得ることができる。

なお、前述のダミーパターン１００２〜１０１０の形状は、他のダミーパターンと区別がつく形状であれば構わない。

本発明に係る半導体集積回路は、平坦化のためのダミーパターンを目印としてＳＩＭ像などと設計データ画像とを重ね合わせることができ、下層配線の位置を認識して下層配線の切断および結線加工を行うＦＩＢ加工などに有用である。

従来の表面画像と設計データ画像との重ね合わせの説明図実施の形態１における表面画像と設計データ画像との重ね合わせの説明図実施の形態１における目印となるダミーパターン配置を説明する図実施の形態１におけるダミーパターングループの配置を示す図実施の形態２におけるダミーパターングループの配置を示す図実施の形態３におけるダミーパターングループの配置を示す図実施の形態４におけるダミーパターングループの配置を示す図実施の形態４における目印となるダミーパターン配置を説明する図実施の形態５における目印となるダミーパターン配置を説明する図実施の形態６における目印となるダミーパターン配置を説明する図

符号の説明

１０１半導体集積回路の一部を拡大した表面画像
１０２最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン
１０３最上位配線層の配線パターン
１０４半導体集積回路の一部を拡大した設計データ画像
１０５最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン
１０６最上位配線層の配線パターン
１０７下位配線層の配線パターン
１０８精密な加工を行うために拡大する領域
１０９１０８を拡大した表面画像
１１０半導体集積回路の一部を拡大した設計データ画像
１１１最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン
１１１ａダミーパターン
１１１ｂダミーパターン
１１１ｃダミーパターン
１１１ｄダミーパターン
１１２最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン
２０１半導体集積回路の一部を拡大した表面画像
２０３最上位配線層の配線パターン
２０４固有なダミーパターンの配置をした区画
２０５固有なダミーパターンの配置をした区画
２０６固有なダミーパターンの配置をした区画
２０７固有なダミーパターンの配置をした区画
２０８固有なダミーパターンの配置をした区画
２０９固有なダミーパターンの配置をした区画
２１０固有なダミーパターンの配置をした区画
２１１固有なダミーパターンの配置をした区画
２１２固有なダミーパターンの配置をした区画
２１３半導体集積回路の一部を拡大した設計データ画像
２１５最上位配線層の配線パターン
２１６下位配線層の配線パターン
２１７２０５を拡大した実物の表面画像
２１８最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン
２１９半導体集積回路の一部を拡大した設計データ画像
２２０最上位配線層の平坦化のためのダミーパターン
３０１ダミーパターンが配置された一定領域
３０２固有なダミーパターンの配置をした区画
３０３固有なダミーパターンの配置をした区画
３０４固有なダミーパターンの配置をした区画
３０５固有なダミーパターンの配置をした区画
３０６固有なダミーパターンの配置をした区画
３０７固有なダミーパターンの配置をした区画
３０８固有なダミーパターンの配置をした区画
３０９固有なダミーパターンの配置をした区画
３１０固有なダミーパターンの配置をした区画
３１１他の一定領域と区別するためのダミーパターンの配置とするための領域
３１２最上位配線層の平坦化のためのダミーパターンの一つ
５０１ダミーパターン
５０２大きさを変更したダミーパターン
５０３区画
５０４区画
５０５区画
５０６区画
５０７区画
５０８区画
５０９区画
５１０区画
５１１区画
６０２形状を変更したダミーパター
６０３区画
６０４区画
６０５区画
６０６区画
６０７区画
６０８区画
６０９区画
６１０区画
６１１区画
７０１区画
７０２ダミーパターン
７０３ダミーパターン
７０４ダミーパターン
７０６ダミーパターン
８０２区画
８０３区画
８０４区画
８０５区画
８０６区画
８０７区画
８０８区画
８０９区画
８１０区画
９０１ダミーパターン
９０２区画
９０３区画
９０４区画
９０５区画
９０６区画
９０７区画
９０８区画
９０９区画
９１０区画
９１１区画
９１２区画
９１３区画
９１４区画
９１５区画
９１６区画
９１７区画
９１８区画
９１９区画
９２０区画
９２１区画
９２２区画
９２３区画
９２４区画
９２５区画
９２６区画
１００１ダミーパターン
１００２形状の異なるダミーパターン
１００３形状の異なるダミーパターン
１００４形状の異なるダミーパターン
１００５形状の異なるダミーパターン
１００６形状の異なるダミーパターン
１００７形状の異なるダミーパターン
１００８形状の異なるダミーパターン
１００９形状の異なるダミーパターン
１０１０形状の異なるダミーパターン
１０１１区画
１０１２区画
１０１３区画
１０１４区画
１０１５区画
１０１６区画
１０１７区画
１０１８区画
１０１９区画

Claims

層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、
前記ダミーパターンの内あらかじめ定められた所定のダミーパターンに変化を施すことにより前記半導体集積回路の位置を特定するための目印とすることを特徴とする半導体集積回路。
層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、
前記半導体集積回路上に形成された前記ダミーパターンを区画分けし、区画の目印としてあらかじめ定められた所定の区画目印用ダミーパターンに区画目印用の変化を施し、
前記区画を区別する目印として前記区画毎にあらかじめ定められた所定の区画識別用ダミーパターンに区画識別用の変化を施すことにより、
前記半導体集積回路の位置を特定することを特徴とする半導体集積回路。
層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、
前記半導体集積回路上に形成された前記ダミーパターンを、最小の区画に対して行方向の区画が前記ダミーパターン１つ分ずつ順に大きくなり、最小の区画に対して列方向の区画が前記ダミーパターン１つ分ずつ順に大きくなように大きさを変えて区画分けし、前記区画の目印として前記区画内のあらかじめ定められた所定の区画目印用ダミーパターンに区画目印用の変化を施すことにより、
前記半導体集積回路の位置を特定することを特徴とする半導体集積回路。
前記区画目印用の変化として、前記区画目印用ダミーパターンを間引くことを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路。
前記区画目印用の変化として、前記区画目印用ダミーパターンの形状を変更することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路。
前記区画目印用の変化として、前記区画目印用ダミーパターンの大きさを変更することを特徴とする請求項２または請求項３のいずれかに記載の半導体集積回路。
層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、
前記半導体集積回路上に形成された前記ダミーパターンを区画分けし、区画の目印として各区画のあらかじめ定められた所定の行および列のダミーパターン配置をずらし、
前記区画を区別する目印として前記区画毎にあらかじめ定められた所定の区画識別用ダミーパターンに区画識別用の変化を施すことにより、
前記半導体集積回路の位置を特定することを特徴とする半導体集積回路。
前記区画識別用の変化として、前記区画識別用ダミーパターンを間引くことを特徴とする請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体集積回路。
前記区画識別用の変化として、前記区画識別用ダミーパターンの形状を変更することを特徴とする請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体集積回路。
前記区画識別用の変化として、前記区画識別用ダミーパターンの大きさを変更することを特徴とする請求項４または請求項５または請求項６または請求項７のいずれかに記載の半導体集積回路。
層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、
前記ダミーパターンの内あらかじめ定められた所定の間隔毎にダミーパターンの形状を変化させることにより前記半導体集積回路の位置を特定するための目印とすることを特徴とする半導体集積回路。