JP2008541439A - 6枚の反射鏡を備えたeuv投影光学系 - Google Patents
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- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
Abstract
【選択図】図1
Description
本出願は、2005年5月13日に米国特許商標局に出願した米国仮出願第60/680663号に基づく優先権を主張する。米国仮出願第60/680663号の内容は、参照により本願明細書に全体が包含される。
Claims (18)
- 波長が193nm以下の光を物体面(1)から像面(3)へ導く投影光学系であって、
光学軸(HA)を中心として、前記光学軸(HA)に沿って配置された、第1の鏡(M1)、第2の鏡(M2)、第3の鏡(M3)、第4の鏡(M4)、第5の鏡(M5)、第6の鏡(M6)を少なくとも備え、
前記光は前記物体面(1)から前記第1の鏡(M1)へ、前記第1の鏡(M1)から前記第2の鏡(M2)へ、前記第2の鏡(M2)から前記第3の鏡(M3)へ、前記第3の鏡(M3)から前記第4の鏡(M4)へ、前記第4の鏡(M4)から前記第5の鏡(M5)へ、前記第5の鏡(M5)から前記第6の鏡(M6)へ進み、
前記第1の鏡(M1)は前記光学軸(HA)に沿って、幾何学的に前記第5の鏡(M5)と前記第6の鏡(M6)の間に配置され、前記第3の鏡(M3)は凸面鏡であることを特徴とする投影光学系。 - 波長が193nm以下の光を物体面(1)から像面(3)へ導く投影光学系であって、
光学軸(HA)を中心として、前記光学軸(HA)に沿って配置された、第1の鏡(M1)、第2の鏡(M2)、第3の鏡(M3)、第4の鏡(M4)、第5の鏡(M5)、第6の鏡(M6)を少なくとも備え、
前記光は前記物体面(1)から前記第1の鏡(M1)へ、前記第1の鏡(M1)から前記第2の鏡(M2)へ、前記第2の鏡(M2)から前記第3の鏡(M3)へ、前記第3の鏡(M3)から前記第4の鏡(M4)へ、前記第4の鏡(M4)から前記第5の鏡(M5)へ、前記第5の鏡(M5)から前記第6の鏡(M6)へ進み、
前記第3の鏡(M3)、前記第4の鏡(M4)、前記第6の鏡(M6)は前記光学軸(HA)に沿って、幾何学的に前記第1の鏡(M1)と前記第2の鏡(M2)の間に配置されることを特徴とする投影光学系。 - 波長が193nm以下の光を物体面(1)から像面(3)へ導く投影光学系であって、
光学軸(HA)を中心として、前記光学軸(HA)に沿って配置された、第1の鏡(M1)、第2の鏡(M2)、第3の鏡(M3)、第4の鏡(M4)、第5の鏡(M5)、第6の鏡(M6)を少なくとも備え、
前記光は前記物体面(1)から前記第1の鏡(M1)へ、前記第1の鏡(M1)から前記第2の鏡(M2)へ、前記第2の鏡(M2)から前記第3の鏡(M3)へ、前記第3の鏡(M3)から前記第4の鏡(M4)へ、前記第4の鏡(M4)から前記第5の鏡(M5)へ、前記第5の鏡(M5)から前記第6の鏡(M6)へ進み、
前記物体面(1)に配置された物体から反射された電磁放射の中央フィールド点(11500)への主光線(CR)が、投影光学系内に前記像面(3)の像の方向へ前記光学軸(HA)から離れて進み、
前記物体面から前記第2の鏡(M2)の頂点(V2)への距離が、対物光学系の全長の16%を上回る、好ましくは20%を上回り、前記対物光学系の全長は前記物体面(1)と前記像面(3)の距離であり、前記中央フィールド点(11500)への主光線(CR)は各鏡に、それぞれの鏡の鏡表面の法線(N)に対して25°を下回る、好ましくは20°を下回る、より好ましくは18°を下回る入射角で入射することを特徴とする投影光学系。 - 波長が193nm以下の光を物体面(1)から像面(3)へ導く投影光学系であって、
光学軸(HA)を中心として、前記光学軸(HA)に沿って配置された、第1の鏡(M1)、第2の鏡(M2)、第3の鏡(M3)、第4の鏡(M4)、第5の鏡(M5)、第6の鏡(M6)を少なくとも備え、
前記光は前記物体面(1)から前記第1の鏡(M1)へ、前記第1の鏡(M1)から前記第2の鏡(M2)へ、前記第2の鏡(M2)から前記第3の鏡(M3)へ、前記第3の鏡(M3)から前記第4の鏡(M4)へ、前記第4の鏡(M4)から前記第5の鏡(M5)へ、前記第5の鏡(M5)から前記第6の鏡(M6)へ進み、
前記物体面(1)に配置された物体から反射された電磁放射の中央フィールド点(11500)への主光線(CR)が、投影光学系内に前記像面(3)の像の方向へ前記光学軸(HA)から離れて進み、
前記物体面から前記物体に最も近接して配置された鏡の頂点への距離が、前記投影光学系の全長の8%を上回る、好ましくは15%を上回る、より好ましくは20%を上回り、
前記対物光学系の全長は前記物体面(1)と前記像面(3)の距離であり、前記主光線(CR)は各鏡に、それぞれの鏡の鏡表面の法線(N)に対して25°を下回る、好ましくは20°を下回る、より好ましくは18°を下回る入射角で入射することを特徴とする投影光学系。 - 中央フィールド点(11500)への主光線(CR)が、前記第1の鏡に、前記第1の鏡の鏡表面の法線(N)に対して4°を下回る入射角で入射する、請求項1から請求項4迄の何れかに記載の投影光学系。
- 中央フィールド点(11500)への主光線(CR)が、前記第2の鏡に、前記第2の鏡の鏡表面の法線(N)に対して14°を下回る入射角で入射する、請求項1から請求項5迄の何れかに記載の投影光学系。
- 中央フィールド点(11500)への主光線(CR)が、前記第3の鏡に、前記第3の鏡の鏡表面の法線(N)に対して18°を下回る入射角で入射する、請求項1から請求項6迄の何れかに記載の投影光学系。
- 像側開口数を有し、前記像側開口数(NA)が0.2を上回る、より好ましくは0.25を上回る、より好ましくは0.28を上回る、より好ましくは0.3を上回る、より好ましくは0.32を上回る、更に好ましくは0.35以上である、請求項1から請求項7迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記第2の鏡(M2)と前記第3の鏡(M3)の間に絞りを配設した、請求項1から請求項8迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記絞りが取扱い可能な絞りであり、好ましくは虹彩絞りである、請求項9に記載の投影光学系。
- 前記第2の鏡(M2)が平面鏡、凸面鏡、凹面鏡の何れかである、請求項1から請求項10迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記第3の鏡(M3)が凸面鏡である、請求項1から請求項11迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記第4の鏡(M4)が凹面鏡である、請求項1から請求項12迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記第5の鏡(M5)が凸面鏡である、請求項1から請求項13迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記第6の鏡(M6)が凹面鏡である、請求項1から請求項14迄の何れかに記載の投影光学系。
- 前記第1の鏡(M1)が凹面鏡である、請求項1から請求項15迄の何れかに記載の投影光学系。
- 物体面の物体を照射する照明光学系と、前記物体面の物体を像面の像に結像する請求項1から請求項15迄の何れかに記載の投影対物光学系を備えた、193nm以下の波長を用いたマイクロリソグラフィー用投影露光光学系。
- 請求項17に記載の投影露光光学系によって、
構造を有するマスクを投影対物光学系の像面に位置する感光性レイヤに投影するステップと、
前記構造を有するマスクを現像して、マイクロエレクトロニクス部品の一部又はマイクロエレクトロニクス部品自体を生成するステップとを有する、マイクロエレクトロニクス部品の製造方法。
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