JPH03103809A - 反射縮小投影光学装置 - Google Patents

反射縮小投影光学装置

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JPH03103809A
JPH03103809A JP1242505A JP24250589A JPH03103809A JP H03103809 A JPH03103809 A JP H03103809A JP 1242505 A JP1242505 A JP 1242505A JP 24250589 A JP24250589 A JP 24250589A JP H03103809 A JPH03103809 A JP H03103809A
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JP
Japan
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optical system
plane
image
optical
reflective surface
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Pending
Application number
JP1242505A
Other languages
English (en)
Inventor
Akira Higuchi
朗 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70233Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、反射鏡光学系、特に半導体集積回路を製造す
る際に、フォトレジストを塗布したウエハにマスク(原
板)のパターンを縮小投影露光するための反射縮小投影
光学装置に関する。
〔従来の技術〕
従来、ステッパー等の半導体製造用の露光装置は近紫外
光を使用している。また、近年ではより短波長のエキシ
マーレーザーや遠紫外光も用いられてきており、集積回
路パターンの微細化にともない、より高解像力の露光装
置が望まれている。
解像力は、露光波長と光学系の開口数で決まり、露光波
長が短い程、また開口数が大きい程微細パターンの露光
転写が可能となるが、開口数を太きくすることは光学設
計上の困難さを伴うと共に焦点深度が浅くなるため得策
ではなく、露光波長を短くする試みがなされてきている
〔発明が解決しようとする課題〕
超LSI等の極微細パターンからなる半導体素子として
、記憶容量が2 5 6 Mbit程度以上のものの製
造のためには、0.25μm以下の線幅(パターン)を
露光転写することが必要となり、このためには軟X線や
X線を用いることが不可欠となる。
X線を用いる露光装置は既に開発されているが、これま
でのものではマスクの影絵をウエハに転写する所謂プロ
キシミティ方式であり、マスクのパターン精度が厳しく
、マスク製造上の困難をともなう。このため、マスク像
を縮小してウエハ面上に投影転写する反射縮小光学系が
有望視されている。
反射縮小光学系としてたとえば、特開昭6316331
9号等に開示されたシェーファ=(Shafer)らに
よるのものがある。これは基本的には3つの凹面反射鏡
と1つの凸面反射鏡から構成されるものであるが、縮小
をおこなうための凸面鏡によって惹起された収差(コマ
収差、球面収差)のために、半導体素子の製造に用いる
程度の解像力を得るには不充分である。これらの収差を
補正するために屈折部材を付加する構成についても同時
に提案されており、屈折部材の導入によって初めて円弧
上の視野にて良好な結像を得ている。
しかしながら、軟X線、X線領域では、屈折部材は実用
にならない。
また、特開昭63−311315号等の如く鈴木らによ
る反射縮小光学系も提案されているが、これらは収差補
正のために非球面反射鏡を導入しており、光学系の製造
は著しく困難になる。
本発明の目的は、軟X線、X線領域における露光が可能
で、マスク製造上の困難がないように縮小投影が可能で
あり、しかも製造の容易な球面反射鏡のみからなる場合
にも優れた結像性能を得ることのできる反射縮小投影光
学装置を提供することにある。
3 〔課題を解決するための手段〕 本発明による反射縮小光学装置は、第1図乃至第4図の
概略構成図に示す如く、物体面上の物体Oのほぼ倍率1
の虚像を形成する第1光学系Sと、該第1光学系による
虚像から縮小実像を形成する第2光学系S2と、該第2
光学系による実像からほぼ等倍の像を形或する第3光学
系S3とを有する構威である。
第1光学系S1はほぼ同心状に配置された第1反射面R
1としての凹面反射面、第2反射面R2としての凸面反
射面及び所定の光軸A1を有し、該第1光学系の物体面
Oと像面■1とは同心中心C1をほぼ含み該第1光学系
の光軸に垂直な面内又はこの面と光学的に等価な面内に
ほぼ位置している。第2光学系S2はC2を同心中心と
してほぼ同心状に配置された第3反射面R3としての凸
面反射面と第4反射面R4としての凹面反射面、そして
第3反射面と第4反射面とによる実像I2の位置にほぼ
配置された第5反射面R5としての−4 凹面反射面及び所定の光軸A2を有している。そして、
第3光学系S,は第6反射面R6としての凹面反射面と
所定の光軸A3とを有し、該第3光学系の物体面O,と
像面Iは、前記第6反射面R8の曲率中心C,をほぼ含
み該第3光学系の光軸に垂直な面内又はこの面と光学的
に等価な面内にほぼ位置する構或である。
〔作 用〕
本発明による上記反射縮小光学系の縮小倍率をβt (
〉O)とし、各光学系S1、S2、S3の倍率を各々β
5.、βSQ%βs3とすればβt−β31・β52・
βs3となる。
本光学系は基本的には、βs,−1.0、β32−一β
,、β.=  1.0になるように構威されている。
すなわち、像の実質的な縮小は第2光学系S2でおこな
われる。また、第2光学系S2による実像工,を第3光
学系S,により再結像しており、第3光学系は実質的に
等倍のリレー光学系として機能している。
5 尚、一般に同心光学系では、光軸は一義的に定義するこ
とができないが、第1光学系や第3光学系の如き等倍の
場合には、同心中心を含む平面内に物体面及び像面を設
定するため、光軸は同心中心を通りこの平面に垂直な直
線として定義することができる。そして、各光学系S1
、S2、S3の光軸A l. A 2. A sが光学
的に一致する構成とし、各反射面の全てがこの先軸上に
曲率中心を有する構成となっている。
以下本発明における各光学系の具体的構成についてそれ
ぞれ説明する。
第1光学系S1は、第2図に示す如く、ほぼ同心状に配
置された第1反射面としての凹面鏡R.、第2反射面と
しての凸面鏡R2を有する。その第1部分系S1の物体
面○と像?.(等倍の虚像)は同心中心を含み光軸A1
に垂直な面内に位置する。このような配置にすることに
より、第1光学系S1による球面収差、3次収差領域で
のコマ収差は除去される。更に3次収差領域での球欠光
束による像面湾曲はない。子午光束による像面湾曲は第
1光学系においては補正できないが、後述する如く、第
3光学系S3を付加してペッッパール和を0とすること
によって、子午光束による像面湾曲も除去することが可
能になる。
なお、後述の実施例の如く、開口絞りを第2反射面とし
ての凸面鏡R2に一致させ、物体面0と第1反射面とし
ての凹面鏡R1との中間の位置に第2反射鏡R2を配置
し、物体面に対してテレセントリックな光学系とするこ
とが有効である。しかしこれに限られるものではない。
第2光学系S2は第3図に示す如く、ほぼ同心状に配置
された第3反射面としての凸面鏡R,、第4反射面とし
ての凹面鏡R4とその第3反射面R3と第4反射面R4
とによる像面■2の近傍に配置された第5反射面として
の凹面鏡R5を有する。
凸面反射鏡RJ、凹面反射鏡R4は、第1光学系SIに
よる虚像面I1を物体面とする公知のシュワルツシルド
(Schwarzschild)の縮小光学系を構成し
ている。このシュワルツシルドの縮小光学系は優れた光
学系であり、3次収差領域での球面収差、コマ収差、非
点隔差を除くことが可能である。しかし、唯一の欠点は
、同心光学系であるために物体面及び像面が反射鏡の同
心点を中心として球面状に湾曲していることである。物
体を平面としたときの像面の湾曲はペッツバール像面に
対応している。この問題点の解決のため、本発明の光学
系では凸面反射鏡R,、凹面反射鏡R4から構成される
シュワルツシルドの縮小光学系の像面■2の近傍に凹面
反射鏡R,を配置することによってペッツバール和を補
正している。
即ち、第2光学系S2のペッツバール和PZ2について
は、r3を第3反射面RIの曲率半径、r4を第4反射
面R,の曲率半径、r5を第5反射面R5の曲率半径と
するとき、 ra      r4     rs の条件を満足する構成としている。
したがって、第2光学系S2によって惹起される3次収
差は歪曲収差のみである。
第3光学系S,は第4図に示す如く、1つの凹面反射鏡
R6を有し、その曲率中心C3を含み光軸A3に垂直な
面内に物体面と像面を配置した構或となっており、その
光学系による像Iが全系の最終像である。第3光学系S
3の物体面は第2光学系S2による像面に合致しており
、この位置は第3光学系の曲率中心C3に一致している
。この配置によって第1光学系S1と同様に、球面収差
、コマ収差及び、球欠光束による像面湾曲は除かれる。
そして、第1光学系S1によって補正することのできな
い子午光束による像面湾曲は、第6反射面としての凹面
反射鏡R6でのペッッパール和によって補正している。
即ち、いま第1光学系S1のペッッパール和をPZ1、
第3光学系S3のべッッパール和をPz3とすれば、r
1を第1反射面R.の曲率半径、r2を第2反射面R2
の曲率半径、r6を第6反射面R6の曲率半径とすると
き、 +2 2 rl        r2 r6 となり、 PZ,+PZ3= 0            (2)
の条件を満たす。従って、第1光学系S1と第3光学系
S3による各3次収差の和は、歪曲収差を除いて完全に
補正される。
よって、全系のペッツバール和は完全に補正されている
以上の議論よりこれら3つの光学系S,.S2.S3を
組合せることによって、系全体の収差は歪曲収差を除い
て補正でき、良好な結像を得ることができる。
次に歪曲収差の補正手段について述べる。
第1の方法は、上述したとおり、第1光学系Sの倍率を
β,=1.0とし、第2光学系S2の倍率をβ2=一β
1 (β1は光学系全体の倍率)とし、第3光学系S3
の倍率をβ. =−1.0としたうえで、第1反射面R
1の曲率半径r1の値を適当に選ぶことによって、歪曲
収差の補正が可能になる。
第2の方法は、第1光学系S1の倍率β1を1.0の値
から若干量ずらすこと、即ち第1及び第2反射鏡R1、
R2の同心関係をややくずすことによって歪曲収差は補
正できる。この場合、第2光学系S2の倍率β2は光学
系全体の倍率β1を保つように調整することが必要とな
る。第2光学系S2は、R3とR4からなる所謂シュヮ
ルッシルド光学系を含むため、上述の如き優れた収差補
正能力を維持しつつ任意の倍率を得ることが可能である
〔実施例〕
上述した本発明の構成についての具体的数値例を下記の
表1に示す。この表では物体面0側から最終像面エヘ向
かう順序で各曲面の曲率半径、面間隔及び屈折率を表わ
している。尚、光線は第1図に示した構成において、左
から右へ向がって進l1 む方向を正とし、左側に凸面を向けた曲面の曲率半径を
正、左側に凹面を向けた曲面の曲率半径を負とし、面間
隔は光線の進行方向が正である媒質中は正とし、光線の
進行方向が負である媒質中では負とするものとする。ま
た、光線が正方向に進む媒質中ではその屈折率を正とし
、光線が負方向に進む媒質中ではその屈折率を負とする
ものとする。
去工 倍率:βt=1/5 開口数:NA=0.02 像高:10〜20mm 12 解像力二波長100Aのとき0.31μm波長 10人
のとき0,15μm 上記実施例において、第2光学系S2のペッツバール和
Pz2の値は、 pz2=o,ooooooo となり、上記(11式を満たす。
また、第1光学系Slのへッツバール和Pz1と第3光
学系S3のべツツバール和Pz,を計算すれば、 PZ,=+0.0006134 PZs ”  0. 0006134 であり、上記(2)式の条件を満たしている。
従って、本実施例において全系のペツッパール和は完全
に補正されている。
また、本実施例においては、β+ ””1.0 、β2
1/5、β3−−1.0とし、歪曲収差の補正を前記第
1の方法、つまり第1反射面の曲率半径Rを最適化する
ことによって可能にしている。
上記実施例についての非点収差を第5図に、歪曲収差を
第6図に、横収差を第7図にそれぞれ示した。第5図の
点線Mは子午光束による像面、実線Sは球欠光束による
像面を示す。第7図では像高Y = 20mm,像高Y
 = 15mm、像高Y = 10mmでの横収差を示
している。各収差図より本実施例の反射縮小光学系が極
めて良好を結像性能を得ていることがわかる。
尚、上記実施例では第3光学系S3の倍率β3をβ3−
−1、0としているが、像面■(露光装置ではウエハ面
)及びその周辺機械系と第5反射面としての凹面鏡R5
との接触をさけるため、又ウエハ面及びその周辺機械系
による凹面鏡R5の表面の汚れを避けるため、主光線の
光軸に対する傾き角を小さくし、像側をテレセントリッ
クに近づけることが望ましい。このためには、第3光学
系S3の倍率β3を−1の値より若干量はずし、やや拡
大系1β3 1〉1にするのが有効である。
また、本実施例においては、ほぼ矩形のマスクパターン
を一括してウエハ面上に露光転写することができるもの
であるが、収差の小さい所定範囲の像高のみを使い円弧
上の視野にてマスク(原板)とウエハを同期走査して露
光する方式にも用いることができる。その場合には上述
した如く厳密にペツツバール和を0にする必要性はない
〔発明の効果〕
以上のように本発明によれば、反射系のみからなる縮小
投影光学系が構戒できるため、軟X線、X線領域におけ
る縮小投影露光が可能となる。そして、製造の容易な球
面反射鏡のみからなる場合にも解像力の優れた縮小像が
形成できるため、超LSI等の極微細パターンからなる
半導体素子製造用の実用的光学装置として極めて有用で
ある。
尚、本発明における反射面の少なくとも1面に非球面を
採用することによって、諸収差の補正自由度を高めるこ
とが可能になることはいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による反射縮小光学装置の概略1 5− 構成図、第2図は本発明における第1光学系の構戊図、
第3図は本発明における第2光学系の説明図、第4図は
本発明における第3光学系の説明図、第5図は本発明の
実施例についての非点収差図、第6図は歪曲収差図、第
7図は横収差図である。 〔主要部分の符号の説明〕 O・・・物体面 ■・・・像面 16

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 物体面上の物体のほぼ倍率1の虚像を形成する第1光学
    系と、該第1光学系による虚像から縮小実像を形成する
    第2光学系と、該第2光学系による実像からほぼ等倍の
    像を形成する第3光学系とを有し、前記第1光学系はほ
    ぼ同心状に配置された第1反射面としての凹面反射面、
    第2反射面としての凸面反射面及び所定の光軸を有し、
    該第1光学系の物体面と像面とは同心中心をほぼ含み該
    第1光学系の光軸に垂直な面内又はこの面と光学的に等
    価な面内にほぼ位置し、前記第2光学系はほぼ同心状に
    配置された第3反射面としての凸面反射面、第4反射面
    としての凹面反射面、該第3反射面と第4反射面とによ
    る像位置にほぼ配置された第5反射面としての凹面反射
    面及び所定の光軸を有し、前記第3光学系は第6反射面
    としての凹面反射面と所定の光軸とを有し、該第3光学
    系の物体面と像面は、前記第6反射面の曲率中心をほぼ
    含み該第3光学系の光軸に垂直な面内又はこの面と光学
    的に等価な面内にほぼ位置することを特徴とする反射縮
    小光学系。
JP1242505A 1989-09-14 1989-09-19 反射縮小投影光学装置 Pending JPH03103809A (ja)

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US07/578,787 US5071240A (en) 1989-09-14 1990-09-07 Reflecting optical imaging apparatus using spherical reflectors and producing an intermediate image

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JP1242505A JPH03103809A (ja) 1989-09-19 1989-09-19 反射縮小投影光学装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002196242A (ja) * 2000-11-07 2002-07-12 Asm Lithography Bv リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびそれにより製造されたデバイス
JP2008541439A (ja) * 2005-05-13 2008-11-20 カール ツァイス エスエムテー アーゲー 6枚の反射鏡を備えたeuv投影光学系

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