JPH0533368B2 - - Google Patents
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- JPH0533368B2 JPH0533368B2 JP58201801A JP20180183A JPH0533368B2 JP H0533368 B2 JPH0533368 B2 JP H0533368B2 JP 58201801 A JP58201801 A JP 58201801A JP 20180183 A JP20180183 A JP 20180183A JP H0533368 B2 JPH0533368 B2 JP H0533368B2
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- concave mirror
- mirror
- aspherical
- optical axis
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0892—Catadioptric systems specially adapted for the UV
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/008—Systems specially adapted to form image relays or chained systems
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0804—Catadioptric systems using two curved mirrors
- G02B17/0812—Catadioptric systems using two curved mirrors off-axis or unobscured systems in which all of the mirrors share a common axis of rotational symmetry
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B17/00—Systems with reflecting surfaces, with or without refracting elements
- G02B17/08—Catadioptric systems
- G02B17/0852—Catadioptric systems having a field corrector only
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70225—Optical aspects of catadioptric systems, i.e. comprising reflective and refractive elements
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
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- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70233—Optical aspects of catoptric systems, i.e. comprising only reflective elements, e.g. extreme ultraviolet [EUV] projection systems
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70216—Mask projection systems
- G03F7/70308—Optical correction elements, filters or phase plates for manipulating imaging light, e.g. intensity, wavelength, polarisation, phase or image shift
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Lenses (AREA)
Description
本発明は、例えば投影型走査露光装置、特に
LSIなどの製造に使用されるアライナ用光学系な
どに適用して好適な反射光学系に関するものであ
る。 従来のこの種の反射光学系には、例えば同心又
は非同心の凹面鏡、凸面鏡を使用した反射光学系
や、凹面鏡、凸面鏡の外に更に負のメニスカスレ
ンズ及び色収差補正機構を加えたほぼ同心の反射
光学系など、種々の形式のものが知られている。 そして、これらの反射光学系は軸外のアーチ状
領域に良像域が形成されており、この良像域に対
応するマスクの部分像をウエハー上に形成し、マ
スク、ウエハーを一体として反射光学系に対して
相対的に走査してマスクの全体像をウエハー上に
形成するアライナが知られている。しかしなが
ら、従来の反射光学系の何れも非点収差、及び像
面弯曲が大きく、そのために良像域の幅は極めて
狭く例えば1mm程度であつて、アライナに適応し
た場合に多くの走査時間、即ち露光時間を必要と
し、時間当りのウエハー焼付処理量が比較的小さ
いという難点があつた。 本発明の目的は、このような従来例の欠点を改
善し、非球面レンズを導入して非点収差及び像面
弯曲を充分に補正しつつ、補正像高の良像域を拡
大し、更には時間当りのウエハー焼付量を増大す
る反射光学系を提供することにあり、その要旨は
次の通りである。 即ち、凹面鏡と凸面鏡をそれぞれの反射面同志
が対向するように配置し、光軸外の被写体からの
光を前記凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡の順に反射する
ことにより像面に結像せしめる反射光学系におい
て、前記凹面鏡と前記被写体の間に第1の光学部
材を設け、前記凹面鏡と前記像面の間に第2の光
学部材を設け、前記被写体の各点から光軸に平行
に射出する光線を前記第1の光学部材を介して前
記凹面鏡で反射した後に前記凸面鏡の前記光軸と
の交点で反射させ、かつ前記凸面鏡の前記光軸と
の交点で反射した後に前記凹面鏡で反射して前記
第2の光学部材を介して光軸と平行に前記像面に
入射させるように、前記第1、第2の光学部材の
前記光線の通過面を下記の条件を満たす非球面と
したことを特徴とする反射光学系。 1/104≦|(ΔRH2−ΔRH1)/ΔH|≦1/10 ここで、ΔHは前記被写体が存する前記光軸か
らの高さH1と高さH2とで囲まれる領域の幅、
ΔRH2とΔRH1は参照球面に対して負の屈折力
が増える方向を正として、高さH1と高さH2で
の前記通過面の参照球面からのずれ量である。 本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。 第1図に示す実施例では、凹面鏡M1とそれよ
りも半径の小さな凸面鏡M2とが、これらの光軸
Oが一致するように配置されると共に、これらの
曲率中心が同一方向になるようにして鏡面同志が
対向的に配置されている。そして、物体S1と凸
面鏡M2との間、及び物体S1と光軸Oの点O1
を中心に対称的な位置の像面S2と凸面鏡M2と
の間に、非球面レンズL1が光軸Oを中心として
対称的な形状で配置されている。 物体S1から出射された光束は、凹面鏡M1、
凸面鏡M2、凹面鏡M1の順に進行するため、物
体高P1はこれらの2つの鏡面M1,M2間で計
3回反射された後に、像面S2における点P2に
等倍結像されることになり、この反射光学系の絞
りの役割を凸面鏡M2が果している。この反射光
学系は凸面鏡M2の有効径の中心O2に関して対
称的に配置されているので、光束がこの中心O2
に入射するに際して非対称収差であるコマ収差や
歪曲収差が発生することはないが、非点収差と像
面弯曲の発生は免れ難い。 そこでこの反射光学系においては、非点収差と
像面弯曲は非球面レンズL1によつて補正するよ
うにされている。このために非球面レンズL1の
形状は、第2図の非点収差図で示す補正領域h内
での各像高の光軸Oと平行な主光線の全てが凸面
鏡M2の中心O2へ入射し、また凸面鏡M2の中
心O2から反射した各主光線が像面に全て平行に
入射するように非球面レンズL1の形状が決めら
れている。なお、第2図の非点収差はa,b,
c,dでそれぞれ非球面形状が異なる場合を示し
ている。 なお、収差が良好に補正できる範囲であれば、
主光線の全てが多少中心からずれていても、また
一部の主光線が中心からずれて入射するように、
また全ての主光線が像面に多少非平行に或いは一
部の主光線が多少非平行に入射するように非球面
レンズL1の形状を決めてもよい。このような場
合に、例えばレンズL1の物体S1側に非球面を
施し、像面S2側にメニスカスレンズ部材を用い
ることができる。しかしながら、一方だけに非球
面を施すよりも、双方に非球面を施す場合の方が
製作が容易であり、更には説明も容易であるた
め、以下は双方に非球面を施した場合について述
べる。 この場合に凹面鏡M1は凸レンズの作用をなす
から、補正領域hのアーチ状の各像高に対応した
凹面鏡M1の各入射高での凹面鏡M1で発生する
正の球面収差の値に応じて、非球面レンズL1の
対応入射光で負の球面収差を発生させる。従つ
て、正負の球面収差が補正領域hの各像高で互い
に打消し合うように非球面レンズL1の形状を選
択すれば、各像高の光軸Oに平行な主光線はこの
光学系の中心O2に入射することになる。つま
り、補正領域h内での各像高の無限遠主光線が常
に光学系の中心O2へ集光するように補正された
とき、中心O2での対称性からこの反射光学系全
体の非点収差は補正されることになる。 第2図の補正領域hはサジタル像面sとメリデ
イオナル像面mの傾きと許容深度との関係で決定
されるから、非点収差の補正、即ちサジタル像面
sとメリデイオナル像面mの非点隔差を無くし、
補正領域h内の各像面の像面弯曲を小さくするた
めに非球面レンズL1が採用され、これによつて
補正領域hの拡大、スリツト幅の増大を図ること
ができる。 第1図に示す第1の実施例では凹面鏡M1と凸
面鏡M2は非同心であり、非球面レンズL1は緩
い凸レンズで凹面鏡M1側の凸面を非球面とし、
補正領域h内の各主光線が通過する非球面部分は
像高が高くなるにつれて、参照球面よりも負の成
分を形成するようになつている。なお、この非球
面レンズL1の数は1個ではなく、これを複数個
としても特に支障はない。 第3図及び第4図は第2の実施例の構成図及び
非点収差図を示すものであり、凹面鏡M1と凸面
鏡M2は同心であり、非球面レンズL2は緩い凸
レンズでその凸面を非球面としているが、凸面は
物体S1及び像面S2側に配置されている。補正
領域h内での各像高の主光線が通過する非球面部
分は像高が高くなるにつれて、つまり凹面鏡M1
の屈折力が大きくなるに従つて、参照球面よりも
負の成分を持つように形成されている。 第5図及び第6図は第3の実施例を示し、凹面
鏡M1と凸面鏡M2とは非同心であり、非球面レ
ンズL3は平行平面板の両面が非球面化されてい
る。補正領域h内での各像高の主光線が通過する
範囲では、この非球面レンズL3は負の屈折力を
持つように構成され、像高が高くなるにつれて、
より負の成分を持つようになつている。 第7図及び第8図は第4の実施例であり、凹面
鏡M1と凸面鏡M2は非同心であつて、凹面鏡M
1の正の作用を打消すために負のメニスカスレン
ズから成る非球面レンズL4が配置されている。
非球面レンズL4の凹面鏡M1側の面は非球面化
され、補正領域h内の非点収差を略々零とするこ
とができる。この非球面レンズL4の非球面部分
の形状は各補正像高の主光像が通過する範囲で
は、負のメニスカスレンズが凹面鏡M1の屈折力
よりも強いため、非球面部はそれを補正するよう
に参照球面よりも正の成分で構成されている。 第9図は第7図における負のメニスカスレンズ
を非球面としない場合の非点収差図を示している
が、サジタル像面sとメリデイオナル像面mは、
メニスカスレンズがない場合よりも補正される
が、第8図の非点収差図と比較して明らかなよう
に補正領域hは極めて狭い幅しか得られない。 次に、第1、第2、第3、第4の各実施例にお
ける光学的構成の数値例をそれぞれ第1表、第2
表、第3表、第4表として記載する。また、第5
表は第9図において非球面を使用しない場合の数
値例である。なお、Riは第1図、第3図、第5
図、第7図において光の進行順序に従つて第i番
目の光学部材面の曲率半径、Diは第i番目の光
学部材の軸上厚又は空気間隔であり、正負の符号
は左から右に進行する場合を正としている。
LSIなどの製造に使用されるアライナ用光学系な
どに適用して好適な反射光学系に関するものであ
る。 従来のこの種の反射光学系には、例えば同心又
は非同心の凹面鏡、凸面鏡を使用した反射光学系
や、凹面鏡、凸面鏡の外に更に負のメニスカスレ
ンズ及び色収差補正機構を加えたほぼ同心の反射
光学系など、種々の形式のものが知られている。 そして、これらの反射光学系は軸外のアーチ状
領域に良像域が形成されており、この良像域に対
応するマスクの部分像をウエハー上に形成し、マ
スク、ウエハーを一体として反射光学系に対して
相対的に走査してマスクの全体像をウエハー上に
形成するアライナが知られている。しかしなが
ら、従来の反射光学系の何れも非点収差、及び像
面弯曲が大きく、そのために良像域の幅は極めて
狭く例えば1mm程度であつて、アライナに適応し
た場合に多くの走査時間、即ち露光時間を必要と
し、時間当りのウエハー焼付処理量が比較的小さ
いという難点があつた。 本発明の目的は、このような従来例の欠点を改
善し、非球面レンズを導入して非点収差及び像面
弯曲を充分に補正しつつ、補正像高の良像域を拡
大し、更には時間当りのウエハー焼付量を増大す
る反射光学系を提供することにあり、その要旨は
次の通りである。 即ち、凹面鏡と凸面鏡をそれぞれの反射面同志
が対向するように配置し、光軸外の被写体からの
光を前記凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡の順に反射する
ことにより像面に結像せしめる反射光学系におい
て、前記凹面鏡と前記被写体の間に第1の光学部
材を設け、前記凹面鏡と前記像面の間に第2の光
学部材を設け、前記被写体の各点から光軸に平行
に射出する光線を前記第1の光学部材を介して前
記凹面鏡で反射した後に前記凸面鏡の前記光軸と
の交点で反射させ、かつ前記凸面鏡の前記光軸と
の交点で反射した後に前記凹面鏡で反射して前記
第2の光学部材を介して光軸と平行に前記像面に
入射させるように、前記第1、第2の光学部材の
前記光線の通過面を下記の条件を満たす非球面と
したことを特徴とする反射光学系。 1/104≦|(ΔRH2−ΔRH1)/ΔH|≦1/10 ここで、ΔHは前記被写体が存する前記光軸か
らの高さH1と高さH2とで囲まれる領域の幅、
ΔRH2とΔRH1は参照球面に対して負の屈折力
が増える方向を正として、高さH1と高さH2で
の前記通過面の参照球面からのずれ量である。 本発明を図示の実施例に基づいて詳細に説明す
る。 第1図に示す実施例では、凹面鏡M1とそれよ
りも半径の小さな凸面鏡M2とが、これらの光軸
Oが一致するように配置されると共に、これらの
曲率中心が同一方向になるようにして鏡面同志が
対向的に配置されている。そして、物体S1と凸
面鏡M2との間、及び物体S1と光軸Oの点O1
を中心に対称的な位置の像面S2と凸面鏡M2と
の間に、非球面レンズL1が光軸Oを中心として
対称的な形状で配置されている。 物体S1から出射された光束は、凹面鏡M1、
凸面鏡M2、凹面鏡M1の順に進行するため、物
体高P1はこれらの2つの鏡面M1,M2間で計
3回反射された後に、像面S2における点P2に
等倍結像されることになり、この反射光学系の絞
りの役割を凸面鏡M2が果している。この反射光
学系は凸面鏡M2の有効径の中心O2に関して対
称的に配置されているので、光束がこの中心O2
に入射するに際して非対称収差であるコマ収差や
歪曲収差が発生することはないが、非点収差と像
面弯曲の発生は免れ難い。 そこでこの反射光学系においては、非点収差と
像面弯曲は非球面レンズL1によつて補正するよ
うにされている。このために非球面レンズL1の
形状は、第2図の非点収差図で示す補正領域h内
での各像高の光軸Oと平行な主光線の全てが凸面
鏡M2の中心O2へ入射し、また凸面鏡M2の中
心O2から反射した各主光線が像面に全て平行に
入射するように非球面レンズL1の形状が決めら
れている。なお、第2図の非点収差はa,b,
c,dでそれぞれ非球面形状が異なる場合を示し
ている。 なお、収差が良好に補正できる範囲であれば、
主光線の全てが多少中心からずれていても、また
一部の主光線が中心からずれて入射するように、
また全ての主光線が像面に多少非平行に或いは一
部の主光線が多少非平行に入射するように非球面
レンズL1の形状を決めてもよい。このような場
合に、例えばレンズL1の物体S1側に非球面を
施し、像面S2側にメニスカスレンズ部材を用い
ることができる。しかしながら、一方だけに非球
面を施すよりも、双方に非球面を施す場合の方が
製作が容易であり、更には説明も容易であるた
め、以下は双方に非球面を施した場合について述
べる。 この場合に凹面鏡M1は凸レンズの作用をなす
から、補正領域hのアーチ状の各像高に対応した
凹面鏡M1の各入射高での凹面鏡M1で発生する
正の球面収差の値に応じて、非球面レンズL1の
対応入射光で負の球面収差を発生させる。従つ
て、正負の球面収差が補正領域hの各像高で互い
に打消し合うように非球面レンズL1の形状を選
択すれば、各像高の光軸Oに平行な主光線はこの
光学系の中心O2に入射することになる。つま
り、補正領域h内での各像高の無限遠主光線が常
に光学系の中心O2へ集光するように補正された
とき、中心O2での対称性からこの反射光学系全
体の非点収差は補正されることになる。 第2図の補正領域hはサジタル像面sとメリデ
イオナル像面mの傾きと許容深度との関係で決定
されるから、非点収差の補正、即ちサジタル像面
sとメリデイオナル像面mの非点隔差を無くし、
補正領域h内の各像面の像面弯曲を小さくするた
めに非球面レンズL1が採用され、これによつて
補正領域hの拡大、スリツト幅の増大を図ること
ができる。 第1図に示す第1の実施例では凹面鏡M1と凸
面鏡M2は非同心であり、非球面レンズL1は緩
い凸レンズで凹面鏡M1側の凸面を非球面とし、
補正領域h内の各主光線が通過する非球面部分は
像高が高くなるにつれて、参照球面よりも負の成
分を形成するようになつている。なお、この非球
面レンズL1の数は1個ではなく、これを複数個
としても特に支障はない。 第3図及び第4図は第2の実施例の構成図及び
非点収差図を示すものであり、凹面鏡M1と凸面
鏡M2は同心であり、非球面レンズL2は緩い凸
レンズでその凸面を非球面としているが、凸面は
物体S1及び像面S2側に配置されている。補正
領域h内での各像高の主光線が通過する非球面部
分は像高が高くなるにつれて、つまり凹面鏡M1
の屈折力が大きくなるに従つて、参照球面よりも
負の成分を持つように形成されている。 第5図及び第6図は第3の実施例を示し、凹面
鏡M1と凸面鏡M2とは非同心であり、非球面レ
ンズL3は平行平面板の両面が非球面化されてい
る。補正領域h内での各像高の主光線が通過する
範囲では、この非球面レンズL3は負の屈折力を
持つように構成され、像高が高くなるにつれて、
より負の成分を持つようになつている。 第7図及び第8図は第4の実施例であり、凹面
鏡M1と凸面鏡M2は非同心であつて、凹面鏡M
1の正の作用を打消すために負のメニスカスレン
ズから成る非球面レンズL4が配置されている。
非球面レンズL4の凹面鏡M1側の面は非球面化
され、補正領域h内の非点収差を略々零とするこ
とができる。この非球面レンズL4の非球面部分
の形状は各補正像高の主光像が通過する範囲で
は、負のメニスカスレンズが凹面鏡M1の屈折力
よりも強いため、非球面部はそれを補正するよう
に参照球面よりも正の成分で構成されている。 第9図は第7図における負のメニスカスレンズ
を非球面としない場合の非点収差図を示している
が、サジタル像面sとメリデイオナル像面mは、
メニスカスレンズがない場合よりも補正される
が、第8図の非点収差図と比較して明らかなよう
に補正領域hは極めて狭い幅しか得られない。 次に、第1、第2、第3、第4の各実施例にお
ける光学的構成の数値例をそれぞれ第1表、第2
表、第3表、第4表として記載する。また、第5
表は第9図において非球面を使用しない場合の数
値例である。なお、Riは第1図、第3図、第5
図、第7図において光の進行順序に従つて第i番
目の光学部材面の曲率半径、Diは第i番目の光
学部材の軸上厚又は空気間隔であり、正負の符号
は左から右に進行する場合を正としている。
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
【表】
なおこれらの表において、非球面量ΔSはΔS=
(ΔRH2−ΔRH1)/ΔHと定義する。ここで、
ΔHは第10図aに示すように非球面レンズLで
H2−H1で与えられるアーチ状の良像域を示
し、ΔRH1,ΔRH2は第10図bに示すように
高さH1,H2における参照球面からの非球面量
を表している。なお、bにおける実線Aは点O3
を中心とする参照平面を、点線Bは非球面を示し
ている。 そして、これらの表から判るように非球面量
ΔSは1/104と1/10との間にあり、ΔSが1/
104よりも小となると非球面の変化量が少なくな
り、非球面の効果が薄れてきて広いスリツト巾が
得られなくなる。またΔSが1/10より大きくな
ると非球面の変化量が増大し、サジタル像面sと
メリデイオナル像面mが離れてゆき、広いスリツ
ト巾が得られなくなる。 またこれらの表から判るように、参照球面の大
きさによつて非球面量ΔSの許容値が変つてくる。
即ち、参照球面|R|が1000mmよりも大の場合に
ΔSは1/103と1/10の間にあり、これらの下限
値及び上限値を越えると先に述べた場合と同様の
デメリツトを生ずる。更に、参照球面|R|が
200mm以下の場合にΔSは1/104と1/103との間
にあり、これらの下限値及び上限値を越えると同
様のデメリツトが生ずる。 更に、非球面レンズL1〜L4を構成するガラ
スのアツベ数をνとすると、 60<ν<100 なる条件を満足することが望ましい。アツベ数ν
が60よりも小さい場合は色収差の発生が増大し、
使用波長域が非常に狭く限定される。なお、アツ
ベ数νが100よりも大きな光学ガラスは現在のと
ころ存在しない。 このようにして本発明に係る反射光学系によれ
ば、非球面レンズの導入により補正領域の各像高
でのサジタル像面s、メリデイオナル像面mを広
範囲に一致するように補正して補正像高の良像域
を拡大することが可能になる。また良像域の拡
大、即ちスリツト幅の拡大によつて露光時間を短
縮できるという効果が得られる。特に、凹面鏡M
1と凸面鏡M2との同心性に制限されず、球面系
のみのレンズ構成と異なつて配置する位置も制限
されずに非球面の補正のみに注目すればよいこと
になり、高性能の反射光学系が得られる。なお実
施例によれば、像高hが100〜90mm即ちスリツト
巾が約10mmまでに良像域が拡大されている。 次に、本発明に係る反射光学系を半導体焼付装
置に適応した例を第11図、第12図を使用して
説明する。第11図は焼付装置の光学的配置を示
し、1はマスク照明用光学系であり、水平な光軸
に沿つて球面ミラー2、円弧状水銀ランプから成
る光源3、レンズ4、フイルタ5、45度ミラー
6、レンズ7が配置されている。なお、フイルタ
5はウエハーに対して感光性を有する光を除去
し、マスク・ウエハーのアライメント時に照明光
路中に挿入される。このマスク照明用光学系1は
マスクを円弧状に或いはアーチ状に照明すること
によつて、反射光学系の結像領域を円弧状或いは
アーチ状に制限している。8は上部水平面に配置
されたマスクであり、このマスク8は図示しない
公知のマスク保持具によつて保持されている。こ
のマスク8の下方には、マスク8の像をウエハー
9上に形成する本発明に係る反射光学系10が配
置されている。なお、非球面レンズLの光軸Oを
対称とする物体側S1と像面S2側とは先の実施
例と異なり分離されており、それぞれミラー1
1,12によつて光束偏向して使用される。ウエ
ハー9は公知のウエハー保持具によつて保持され
ており、ウエハー保持具は通常の保持具と同様に
X、Y、θ方向に微調整可能となつている。 照明用光学系としてマスク8との間には、アラ
イメント時に顕微鏡光学系13が挿入され、マス
ク8、ウエハー9が所定の位置関係であるか否か
が判断される。マスク8、ウエハー9が所定の位
置関係にない場合は、先に述べたウエハー保持具
のX、Y、θ調整部材により、マスク8に対して
ウエハー9を調節移動させて所定の関係にする。 次に、この焼付装置の外観が示された第12図
を説明する。第12図において20はランプハウ
スであり、この中に第11図の照明光学系1が内
蔵されている。21はアライメント用顕微鏡光学
系13が配置されているユニツトであり、このユ
ニツト21は前後に移動可能に支持されている。
22はマスク支持具、23はウエハー支持具であ
り、これらの支持具22,23は結合部材24に
よつて一体的に移動するように連結されている。
ここで、支持具22,23は一体的に移動する
が、ウエハー9は支持具23に対して微小移動が
可能である。25は結合部材24に固定されたア
ームであり、このアーム25はガイド26によつ
て支持されている。そして、ガイド26に含まれ
る水平移動機構によつて、支持具22,23は一
体的に水平にかつ直線的に移動される。27は反
射結像光学系を収納する筒、28は基台、29は
ターンテーブル、30はオートフイーダである。
このオートフイーダ30によつてウエハー9はタ
ーンテーブル29を介してウエハー支持具23上
に自動的に供給される。 次にこの装置の動作を説明すると、先ずマスク
8とウエハー9の相互位置関係のアライメントが
行われる。このアライメント時には、前述したフ
イルタが照明用光学系1中に挿入され、マスク8
上にレンズ4,7によつてアーチ状光源像が非感
光性の光によつて形成される。この際に、顕微鏡
光学系13もレンズ7とマスク8の間に挿入され
ている。この顕微鏡光学系13によつて、マスク
8、ウエハー9のアライメントマークを観察し、
両アライメントマークの調整をウエハー支持具2
3を操作することによつて行う。マスク8、ウエ
ハー9のアライメント終了後に、前述のフイルタ
及び顕微鏡光学系13は光路から退避する。同時
に、光源3は消灯或いは不図示のシヤツタ手段に
よつて遮光され、次いで光源3の点灯或いはシヤ
ツタの開放によつて、感光性のアーチ状光源像が
マスク8上に形成される。これと同時に、アーム
25がガイド26を水平方向に移動開始する。こ
の水平移動によつてマスク8全体の像がウエハー
9上に焼付けられることになる。
(ΔRH2−ΔRH1)/ΔHと定義する。ここで、
ΔHは第10図aに示すように非球面レンズLで
H2−H1で与えられるアーチ状の良像域を示
し、ΔRH1,ΔRH2は第10図bに示すように
高さH1,H2における参照球面からの非球面量
を表している。なお、bにおける実線Aは点O3
を中心とする参照平面を、点線Bは非球面を示し
ている。 そして、これらの表から判るように非球面量
ΔSは1/104と1/10との間にあり、ΔSが1/
104よりも小となると非球面の変化量が少なくな
り、非球面の効果が薄れてきて広いスリツト巾が
得られなくなる。またΔSが1/10より大きくな
ると非球面の変化量が増大し、サジタル像面sと
メリデイオナル像面mが離れてゆき、広いスリツ
ト巾が得られなくなる。 またこれらの表から判るように、参照球面の大
きさによつて非球面量ΔSの許容値が変つてくる。
即ち、参照球面|R|が1000mmよりも大の場合に
ΔSは1/103と1/10の間にあり、これらの下限
値及び上限値を越えると先に述べた場合と同様の
デメリツトを生ずる。更に、参照球面|R|が
200mm以下の場合にΔSは1/104と1/103との間
にあり、これらの下限値及び上限値を越えると同
様のデメリツトが生ずる。 更に、非球面レンズL1〜L4を構成するガラ
スのアツベ数をνとすると、 60<ν<100 なる条件を満足することが望ましい。アツベ数ν
が60よりも小さい場合は色収差の発生が増大し、
使用波長域が非常に狭く限定される。なお、アツ
ベ数νが100よりも大きな光学ガラスは現在のと
ころ存在しない。 このようにして本発明に係る反射光学系によれ
ば、非球面レンズの導入により補正領域の各像高
でのサジタル像面s、メリデイオナル像面mを広
範囲に一致するように補正して補正像高の良像域
を拡大することが可能になる。また良像域の拡
大、即ちスリツト幅の拡大によつて露光時間を短
縮できるという効果が得られる。特に、凹面鏡M
1と凸面鏡M2との同心性に制限されず、球面系
のみのレンズ構成と異なつて配置する位置も制限
されずに非球面の補正のみに注目すればよいこと
になり、高性能の反射光学系が得られる。なお実
施例によれば、像高hが100〜90mm即ちスリツト
巾が約10mmまでに良像域が拡大されている。 次に、本発明に係る反射光学系を半導体焼付装
置に適応した例を第11図、第12図を使用して
説明する。第11図は焼付装置の光学的配置を示
し、1はマスク照明用光学系であり、水平な光軸
に沿つて球面ミラー2、円弧状水銀ランプから成
る光源3、レンズ4、フイルタ5、45度ミラー
6、レンズ7が配置されている。なお、フイルタ
5はウエハーに対して感光性を有する光を除去
し、マスク・ウエハーのアライメント時に照明光
路中に挿入される。このマスク照明用光学系1は
マスクを円弧状に或いはアーチ状に照明すること
によつて、反射光学系の結像領域を円弧状或いは
アーチ状に制限している。8は上部水平面に配置
されたマスクであり、このマスク8は図示しない
公知のマスク保持具によつて保持されている。こ
のマスク8の下方には、マスク8の像をウエハー
9上に形成する本発明に係る反射光学系10が配
置されている。なお、非球面レンズLの光軸Oを
対称とする物体側S1と像面S2側とは先の実施
例と異なり分離されており、それぞれミラー1
1,12によつて光束偏向して使用される。ウエ
ハー9は公知のウエハー保持具によつて保持され
ており、ウエハー保持具は通常の保持具と同様に
X、Y、θ方向に微調整可能となつている。 照明用光学系としてマスク8との間には、アラ
イメント時に顕微鏡光学系13が挿入され、マス
ク8、ウエハー9が所定の位置関係であるか否か
が判断される。マスク8、ウエハー9が所定の位
置関係にない場合は、先に述べたウエハー保持具
のX、Y、θ調整部材により、マスク8に対して
ウエハー9を調節移動させて所定の関係にする。 次に、この焼付装置の外観が示された第12図
を説明する。第12図において20はランプハウ
スであり、この中に第11図の照明光学系1が内
蔵されている。21はアライメント用顕微鏡光学
系13が配置されているユニツトであり、このユ
ニツト21は前後に移動可能に支持されている。
22はマスク支持具、23はウエハー支持具であ
り、これらの支持具22,23は結合部材24に
よつて一体的に移動するように連結されている。
ここで、支持具22,23は一体的に移動する
が、ウエハー9は支持具23に対して微小移動が
可能である。25は結合部材24に固定されたア
ームであり、このアーム25はガイド26によつ
て支持されている。そして、ガイド26に含まれ
る水平移動機構によつて、支持具22,23は一
体的に水平にかつ直線的に移動される。27は反
射結像光学系を収納する筒、28は基台、29は
ターンテーブル、30はオートフイーダである。
このオートフイーダ30によつてウエハー9はタ
ーンテーブル29を介してウエハー支持具23上
に自動的に供給される。 次にこの装置の動作を説明すると、先ずマスク
8とウエハー9の相互位置関係のアライメントが
行われる。このアライメント時には、前述したフ
イルタが照明用光学系1中に挿入され、マスク8
上にレンズ4,7によつてアーチ状光源像が非感
光性の光によつて形成される。この際に、顕微鏡
光学系13もレンズ7とマスク8の間に挿入され
ている。この顕微鏡光学系13によつて、マスク
8、ウエハー9のアライメントマークを観察し、
両アライメントマークの調整をウエハー支持具2
3を操作することによつて行う。マスク8、ウエ
ハー9のアライメント終了後に、前述のフイルタ
及び顕微鏡光学系13は光路から退避する。同時
に、光源3は消灯或いは不図示のシヤツタ手段に
よつて遮光され、次いで光源3の点灯或いはシヤ
ツタの開放によつて、感光性のアーチ状光源像が
マスク8上に形成される。これと同時に、アーム
25がガイド26を水平方向に移動開始する。こ
の水平移動によつてマスク8全体の像がウエハー
9上に焼付けられることになる。
図面は本発明に係る反射光学系に実施例を示
し、第1図は本発明の第1の実施例の構成図、第
2図はその非点収差図、第3図は第2の実施例の
構成図、第4図はその非点収差図、第5図は第3
の実施例の構成図、第6図はその非点収差図、第
7図は第4の実施例の構成図、第8図はその非点
収差図、第9図は第7図の構成において非球面を
使用しない場合の非点収差図、第10図は非球面
量ΔSの説明図、第11図、第12図は本発明に
係る反射光学系を使用した焼付装置の構成図であ
る。 符号M1は凹面鏡、M2は凸面鏡、L1,L
2,L3,L4は非球面レンズ、hは補正領域、
O2は凸面鏡の中心、ΔHは良像域、sはサジタ
ル像面、mはメリデイオナル像面、1は照明用光
学系、8はマスク、9はウエハー、10は反射光
学系、13は顕微鏡光学系である。
し、第1図は本発明の第1の実施例の構成図、第
2図はその非点収差図、第3図は第2の実施例の
構成図、第4図はその非点収差図、第5図は第3
の実施例の構成図、第6図はその非点収差図、第
7図は第4の実施例の構成図、第8図はその非点
収差図、第9図は第7図の構成において非球面を
使用しない場合の非点収差図、第10図は非球面
量ΔSの説明図、第11図、第12図は本発明に
係る反射光学系を使用した焼付装置の構成図であ
る。 符号M1は凹面鏡、M2は凸面鏡、L1,L
2,L3,L4は非球面レンズ、hは補正領域、
O2は凸面鏡の中心、ΔHは良像域、sはサジタ
ル像面、mはメリデイオナル像面、1は照明用光
学系、8はマスク、9はウエハー、10は反射光
学系、13は顕微鏡光学系である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 凹面鏡と凸面鏡をそれぞれの反射面同志が対
向するように配置し、光軸外の被写体からの光を
前記凹面鏡、凸面鏡、凹面鏡の順に反射すること
により像面に結像せしめる反射光学系において、
前記凹面鏡と前記被写体の間に第1の光学部材を
設け、前記凹面鏡と前記像面の間に第2の光学部
材を設け、前記被写体の各点から光軸に平行に射
出する光線を前記第1の光学部材を介して前記凹
面鏡で反射した後に前記凸面鏡の前記光軸との交
点で反射させ、かつ前記凸面鏡の前記光軸との交
点で反射した後に前記凹面鏡で反射して前記第2
の光学部材を介して光軸と平行に前記像面に入射
させるように、前記第1、第2の光学部材の前記
光線の通過面を下記の条件を満たす非球面とした
ことを特徴とする反射光学系。 1/104≦|(ΔRH2−ΔRH1)/ΔH|≦1/10 ここで、ΔHは前記被写体が存する前記光軸か
らの高さH1と高さH2とで囲まれる領域の幅、
ΔRH2とΔRH1は参照球面に対して負の屈折力
が増える方向を正として、高さH1と高さH2で
の前記通過面の参照球面からのずれ量である。 2 前記参照球面の曲率半径をRとするとき、下
記の条件を満たすようにした特許請求の範囲第1
項に記載の反射光学系。 |R|>1000の場合、 1/103<|(ΔRH2−ΔRH1)/ΔH|<1/10 |R|<200の場合、 1/104<|(ΔRH2−ΔRH1)/ΔH|<1/103
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58201801A JPS6093410A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 反射光学系 |
US06/662,601 US4688904A (en) | 1983-10-27 | 1984-10-19 | Reflecting optical system |
DE3439297A DE3439297C2 (de) | 1983-10-27 | 1984-10-26 | Spiegellinsenobjektiv |
GB08427082A GB2150314B (en) | 1983-10-27 | 1984-10-26 | Annular field reflecting optical system |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP58201801A JPS6093410A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 反射光学系 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6093410A JPS6093410A (ja) | 1985-05-25 |
JPH0533368B2 true JPH0533368B2 (ja) | 1993-05-19 |
Family
ID=16447148
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP58201801A Granted JPS6093410A (ja) | 1983-10-27 | 1983-10-27 | 反射光学系 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4688904A (ja) |
JP (1) | JPS6093410A (ja) |
DE (1) | DE3439297C2 (ja) |
GB (1) | GB2150314B (ja) |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JPH0742854Y2 (ja) * | 1985-11-29 | 1995-10-04 | 矢崎総業株式会社 | 車両用表示装置 |
EP0947882B1 (en) * | 1986-07-11 | 2006-03-29 | Canon Kabushiki Kaisha | X-ray reduction projection exposure system of reflection type |
FR2678742B1 (fr) * | 1991-07-04 | 1994-10-07 | Edgard Hugues | Systeme optique a miroirs de revolution sans obturation centrale. |
JPH0583717U (ja) * | 1992-04-13 | 1993-11-12 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 結像光学系 |
JP3037040B2 (ja) * | 1993-01-20 | 2000-04-24 | 日本電気株式会社 | 露光装置 |
FR2721718A1 (fr) * | 1994-06-27 | 1995-12-29 | Dario Souhami | Objectif catadioptrique. |
JP3893626B2 (ja) * | 1995-01-25 | 2007-03-14 | 株式会社ニコン | 投影光学装置の調整方法、投影光学装置、露光装置及び露光方法 |
US7304792B1 (en) * | 2003-08-25 | 2007-12-04 | J.A. Woollam Co., Inc. | System for sequentially providing aberation corrected electromagnetic radiation to a spot on a sample at multiple angles of incidence |
US7304737B1 (en) | 1995-09-20 | 2007-12-04 | J.A. Woollam Co., Inc | Rotating or rotatable compensator system providing aberation corrected electromagnetic raadiation to a spot on a sample at multiple angles of a incidence |
US5698941A (en) * | 1996-01-16 | 1997-12-16 | Motorola | Optical correction layer for a light emitting apparatus |
EP0851304B1 (en) * | 1996-12-28 | 2004-03-17 | Canon Kabushiki Kaisha | Projection exposure apparatus and device manufacturing method |
JP3065017B2 (ja) | 1997-02-28 | 2000-07-12 | キヤノン株式会社 | 投影露光装置及びデバイスの製造方法 |
WO1999052004A1 (fr) | 1998-04-07 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Appareil et procede d'exposition a projection, et systeme optique reflechissant a refraction |
US7158215B2 (en) * | 2003-06-30 | 2007-01-02 | Asml Holding N.V. | Large field of view protection optical system with aberration correctability for flat panel displays |
US10095016B2 (en) | 2011-01-04 | 2018-10-09 | Nlight, Inc. | High power laser system |
US9409255B1 (en) | 2011-01-04 | 2016-08-09 | Nlight, Inc. | High power laser imaging systems |
US9429742B1 (en) * | 2011-01-04 | 2016-08-30 | Nlight, Inc. | High power laser imaging systems |
US9720244B1 (en) | 2011-09-30 | 2017-08-01 | Nlight, Inc. | Intensity distribution management system and method in pixel imaging |
US9310248B2 (en) | 2013-03-14 | 2016-04-12 | Nlight, Inc. | Active monitoring of multi-laser systems |
KR102099722B1 (ko) | 2014-02-05 | 2020-05-18 | 엔라이트 인크. | 단일-이미터 라인 빔 시스템 |
JP2022022911A (ja) * | 2020-07-10 | 2022-02-07 | キヤノン株式会社 | 結像光学系、露光装置、および物品製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3748015A (en) * | 1971-06-21 | 1973-07-24 | Perkin Elmer Corp | Unit power imaging catoptric anastigmat |
US4043643A (en) * | 1976-05-14 | 1977-08-23 | Kms Fusion, Inc. | Catadioptic telescope |
US4293186A (en) * | 1977-02-11 | 1981-10-06 | The Perkin-Elmer Corporation | Restricted off-axis field optical system |
CA1103498A (en) * | 1977-02-11 | 1981-06-23 | Abe Offner | Wide annulus unit power optical system |
US4342503A (en) * | 1979-10-09 | 1982-08-03 | The Perkin-Elmer Corporation | Catadioptric telescopes |
US4469414A (en) * | 1982-06-01 | 1984-09-04 | The Perkin-Elmer Corporation | Restrictive off-axis field optical system |
-
1983
- 1983-10-27 JP JP58201801A patent/JPS6093410A/ja active Granted
-
1984
- 1984-10-19 US US06/662,601 patent/US4688904A/en not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-26 DE DE3439297A patent/DE3439297C2/de not_active Expired - Lifetime
- 1984-10-26 GB GB08427082A patent/GB2150314B/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4688904A (en) | 1987-08-25 |
DE3439297A1 (de) | 1985-05-09 |
JPS6093410A (ja) | 1985-05-25 |
DE3439297C2 (de) | 1996-12-12 |
GB2150314B (en) | 1986-12-10 |
GB8427082D0 (en) | 1984-12-05 |
GB2150314A (en) | 1985-06-26 |
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