JP2003100590A

JP2003100590A - Ｅｕｖ露光装置

Info

Publication number: JP2003100590A
Application number: JP2001289441A
Authority: JP
Inventors: Kazuya Ota; 和哉太田
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 2001-09-21
Filing date: 2001-09-21
Publication date: 2003-04-04

Abstract

(57)【要約】【課題】ウェハ上での露光転写位置精度が良好なＥＵ
Ｖ露光装置を提供する。【解決手段】光源を含む照明系ＩＬから放射されたＥ
ＵＶ光は折り返しミラー１によってレチクル２に照射さ
れる。レチクル２によって反射されたＥＵＶ光は、レチ
クル２に描かれた回路パターンの情報を含んでいる。Ｅ
ＵＶ光はミラー６によって反射され、順次ミラー７、ミ
ラー８、ミラー９によって反射されて最終的にはウェハ
１０に対して垂直に入射する。主としてミラー６〜ミラ
ー９からなる投影光学系の縮小倍率は、慣習的に１／４
が用いられているが、ウェハ上での露光転写位置精度を
向上させるためには、１／５より大きくすることが好ま
しい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＥＵＶ（Extreme Ul
tra Violet）光（波長５〜20nm）を使用した露光装置に
関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセス等に使用される露光
装置は、従来可視光や紫外光を使用したものが一般に使
用されてきたが、近年、要求されるパターン密度の増
大、すなわちパターン線幅の微細化に対応するために、
ＥＵＶ光（軟Ｘ線）を使用した露光装置の開発が進めら
れている。このようなＥＵＶ露光装置の例を図１に示
す。

【０００３】光源を含む照明系ＩＬから放射されたＥＵ
Ｖ光（一般に波長５−20nm、具体的には13nmや11nm）は
折り返しミラー１によってレチクル２に照射される。レ
チクル２はレチクルステージ３に保持されている。レチ
クルステージ３は、走査方向（Ｙ軸）に100mm以上のス
トロークを持ち、レチクル面内走査方向と直交する方向
（Ｘ軸）に微小ストロークを持ち、光軸方向（Ｚ軸）に
も微小ストロークを持つ。ＸＹ方向の位置は不図示のレ
ーザ干渉計によって高精度にモニタされ、Ｚ方向にはレ
チクルフォーカスセンサ４、５によってモニタされてい
る。

【０００４】レチクル２によって反射されたＥＵＶ光
は、レチクル２に描かれた回路パターンの情報を含んで
いる。レチクルにはＥＵＶ光を反射する多層膜（例えば
Mo/SiやMo/Be）の上に吸収層（例えばNiやAl）の有無で
パターニングされている。ＥＵＶ光はミラー６によって
反射され、順次ミラー７、ミラー８、ミラー９によって
反射されて最終的にはウェハ１０に対して垂直に入射す
る。主としてミラー６〜ミラー９からなる投影光学系の
縮小倍率は、慣習的に１／４が用いられている。図１で
は、投影光学系のミラーは４枚であるが、Ｎ．Ａ．をよ
り大きくするためには、６枚あるいは８枚にすると効果
的である。

【０００５】ウェハ１０はウェハステージ１１上に載せ
られている。ウェハステージ１１は光軸と直交する面内
（ＸＹ平面）を自由に移動することができ、ストローク
は例えば300−400mmである。光軸方向（Ｚ軸）にも微小
ストロークの上下が可能で、Ｚ方向の位置はウェハフォ
ーカスセンサ１２、１３によってモニタされている。Ｘ
Ｙ方向の位置は不図示のレーザ干渉計によって高精度に
モニタされている。露光動作において、レチクルステー
ジ３とウェハステージ１１は、投影系の縮小倍率と同じ
速度比で同期走査する。なお、１４は鏡筒、１５はオフ
アクシス顕微鏡である。

【０００６】このようなＥＵＶ露光装置においては、Ｅ
ＵＶ波長域において透明で屈折率を有する光学素子がな
いため反射鏡により光学系を構成せざるを得ず、また、
レチクルも反射レチクルとせざるを得ない。よって、Ｅ
ＵＶ露光装置は図１に示すように、反射鏡よりなる光学
系で構成されており、かつ、反射レチクルが使用されて
いる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】前述のような制限の他
に、ＥＵＶ波長域においては、ハーフミラー又はそれに
類似する機能を有する光学素子も存在しないため、照明
光をレチクルに入射する場合、照明光の光学素子による
反射光のけられを防ぐためには、垂直入射させることは
不可能であり、ある角度だけ傾けた斜め入射をせざるを
得ない。このことに起因して、以下のような２つの問題
点が生じる。

【０００８】第１の問題点は、レチクルのｚ方向(光軸
方向)のずれが、ウェハ上でパターン位置のｘｙ方向(横
方向)のずれとなることであり、幾何光学的に説明でき
る。レチクル面における照明光の垂直からの傾き角度を
θ、ｚ方向のずれをΔz、縮小倍率をｍとすれば、ウェ
ハ上でのパターン位置ずれΔｘは、以下の式で表わされ
る。 Δx = m Δz sinθ …(1)

【０００９】ここで縮小倍率ｍは、レチクル像を例えば
1/4に縮小して投影する場合、ｍ＝1/4と表す。また、1/
4より1/5の方が、縮小率が高い（大きい）と定義する。
傾き角度θは、入射光と反射光が重ならないよう、レチ
クル照明光の開口数（ＮＡ）より大きくなくてはならな
い。レチクル照明光のＮＡは、投影系のウェハ側ＮＡに
縮小倍率ｍとコヒーレンスファクタを乗じたものであ
る。ウェハ側ＮＡは露光機に求められる解像度によって
ほぼ一義的に決定される。

【００１０】解像度を向上するためには、ＮＡを大きく
する必要があり、傾き角度θも自動的に大きくならざる
を得ない。逆に、高い解像度が要求される場合、オーバ
レイ要求（ウェハ上での光軸に垂直な方向の転写位置精
度）も比例して厳しくなるため、上式のΔｘは小さくな
くてはならない。整理すると、高い解像度を得るために
は、レチクル照明光の傾き角度θを大きくしなければな
らないと共に、オーバレイ要求からくるパターン位置ず
れ許容量Δｘを小さくしなければならず、結果として縮
小倍率ｍとｚ方向のずれ許容量Δｚを小さくする必要が
る。

【００１１】第２の問題点は、レチクルに描かれる回路
パターンは、有限の厚みを持つ吸収層で構成されてお
り、照明光が斜めから照射されるとウェハ上で線幅変化
やテレセン性の崩れが生じる問題であり、波動光学的な
現象として理解できる。

【００１２】図２は、ＥＵＶレチクルと斜めから照射さ
れる照明光の様子を説明する図である。レチクル材は、
熱膨張しないよう、線膨張係数の極めて小さい部材が用
いられ、表面にＥＵＶを反射するための多層膜コートが
施される。一般に、波長13nmから14nm付近のＥＵＶ光に
対して有効な多層膜は、Mo/Si多層膜であり、MoとSiを
波長の約半分の周期で40-50層前後積層したものであ
る。

【００１３】多層膜の上に吸収層が形成され、回路パタ
ーンとなる。吸収層に用いられる材質はCr、Ta、TaＮな
どであり、厚みは100nm前後である。そこに照明光が垂
直からθだけ傾いた角度で照射される。吸収層が暗部、
多層膜が露出している部分が明部となって、ウェハに投
影される。

【００１４】レチクル照明光とレチクルパターンの相対
位置によって、４つのケースを考える。は多層膜反射
面に直接当たり、そのまま約70％の反射率で反射されて
投影系に向かう。は吸収層に当たり、ごくわずか反射
するにはするが、ほとんど吸収されてしまう。はパタ
ーンのすぐ左側の多層膜面に照射され、同様約70％が
反射されるが、吸収層の側壁に当たって減衰する。側壁
で反射され入射光の来る方向に戻る成分も存在する。
は吸収層に当たるが、途中で再び吸収層を出て多層膜に
入射し、反射される。吸収層で減衰するため、直接多層
膜に照射されるに比べて光量は弱くなる。、のよ
うなパターン左右近傍の現象により、回路パターンから
発生する回折光は、＋次数と−次数で強度分布や強度そ
のものが異なる。結果として、ウェハに投影されるパタ
ーンの線幅が本来の設計値から狂う、いわゆる線幅制御
誤差や、テレセン性の狂いが生じる。テレセン性が狂う
と、ウェハ面がフォーカス最良点から上下方向にずれた
とき、すなわちデフォーカスしたとき、パターン位置が
左右方向にシフトし、パターン位置ずれとなる。

【００１５】本発明はこのような事情に鑑みてなされた
もので、ウェハ上での露光転写位置精度が良好なＥＵＶ
露光装置を提供することを課題とする。

【００１６】

【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
の第１の手段は、ＥＵＶ光を使用した露光装置であっ
て、投影縮小倍率が１／５以上とされていることを特徴
とするＥＵＶ露光装置（請求項５）である。

【００１７】従来、慣習的に縮小倍率は１／４が使用さ
れてきたが、後に実施の形態の欄で詳しく説明するよう
に、ＥＵＶ露光機が使用されるパターン線幅に許される
オーバレイ精度、レチクル照明光の傾きによって生じる
テレセン性の狂いとデフォーカス量、レチクル平坦度及
びレチクルの光軸方向位置制御を全て考慮すると、縮小
倍率はこれより大きい方がよく、１／５以上とすること
が好ましいことが発明者の検討の結果判明した。

【００１８】前記課題を解決するための第２の手段は、
ＥＵＶ光を使用した露光装置であって、投影縮小倍率が
１／５とされていることを特徴とするＥＵＶ露光装置で
ある。

【００１９】前述のように、パターン線幅に許されるオ
ーバレイ精度、レチクル照明光の傾きによって生じるテ
レセン性の狂いとデフォーカス量、レチクル平坦度及び
レチクルｚ制御の観点からは、縮小倍率は大きい方が好
ましいが、一方、現実のレチクルサイズ、フィールドサ
イズを考慮した場合、スループットの観点からは、投影
縮小倍率を１／６以上とすることは問題があることが、
発明者の検討の結果判明した。よって、ウェハ上での露
光転写位置精度と、テレセン性、スループットを考慮し
た場合、投影縮小倍率を１／５とすることが最も好まし
い。

【００２０】前記課題を解決するための第３の手段は、
前記第１の手段又は第２の手段であって、レチクルを照
明する照明光の入射角度が、10°以下とされていること
を特徴とするもの（請求項３）である。

【００２１】後に実施の形態の欄で詳しく説明するよう
に、レチクルを照明する照明光の入射角度を10°以下と
すれば、シャドウイング効果によるテレセン性の崩れに
起因するウェハ上でのパターンの位置シフトを、２nm以
下に抑えることができ、最小線幅20nmのパターンを製造
する場合に許容可能な範囲とすることができる。

【００２２】前記課題を解決するための第４の手段は、
前記第１の手段から第３の手段のいずれかであって、使
用するレチクルの平坦度が、90nm以下とされていること
を特徴とするもの（請求項４）である。

【００２３】後に実施の形態の欄で詳しく説明するよう
に、投影縮小倍率が1/5の場合でも、使用するレチクル
の平坦度を90nm以下としておけば、レチクル表面の光軸
方向位置変動に起因するウェハ上でのパターンの位置シ
フトを、２nm以下に抑えることができ、最小線幅20nmの
パターンを製造する場合に許容可能な範囲とすることが
できる。

【００２４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態の例
を、図を用いて説明する。本発明の実施の形態の１例で
あるＥＵＶ露光装置の基本的な構成は、図１に示した従
来のＥＵＶ露光装置と変わるところがないので、それを
引用する。

【００２５】まず、入射光と反射光がオーバーラップし
ないためには、照明光の傾き角度θをどの範囲に設定す
ればよいか求める。図３を使って、レチクルを照明する
入射光が反射光とオーバーラップしない条件を説明す
る。照明光は角度θ傾いた状態でレチクルを照明する。
レチクル側の開口数ＮＡ_Ｒは、ウェハ側の開口数をＮＡ
_Ｗ、縮小倍率をｍとしたとき、以下の式で表わされる。ＮＡ_Ｒ＝ｍ＊ＮＡ_Ｗ …(2)

【００２６】投影光学系の持つ露光エリアは、円弧状の
フィールドであり、ウェハにおけるフィールド短手幅を
ｗ_Ｗとすれば、レチクルにおけるフィールドの短手幅ｗ
_Ｒとの間に、ｗ_Ｒ＝ｗ_Ｗ／ｍの関係が成り立つ。照明光
をレチクル２に跳ね上げる折り返しミラー１とレチクル
２の距離（ヘッドクリアランス）をｈとする。照射光は
レチクル２に角度θで入射するものとする。短手幅Ｗ_Ｒ
のレチクルパターンの右端Ｐ１に入射する光の正反射光
は、角度θで反射されて、ｈだけ離れた距離ではＢ１’
に到達する。この光は折り返しミラー１で折り返され、
レチクル２からｈだけ離れた点Ａ１’を通るものとする
と、Ａ１’とＢ１’の距離は2hθである。

【００２７】これに対し、レチクル２に入射する光の入
射角は半角でNA_Ｒだけ広がるので、図３のＡ１まで広が
る。Ａ１とＡ１’の距離はｈNA_Ｒである。また、レチク
ル２での反射光は半角でNA_Ｒだけ広がるので、図のＢ１
に示す点まで反射光が広がる。Ｂ１とＢ１’の距離はｈ
NA_Ｒである。同様にして、短手幅Ｗ_Ｒのレチクルパター
ンの左端Ｐ２に入射する光は、折り返しミラー１で折り
返されてレチクル２からｈだけ離れた点Ａ２’を通り、
Ｐ２で反射されて、レチクル２からｈだけ離れた距離で
はＢ２にまで広がる。Ｂ１とＢ２の距離はＰ１とＰ２の
距離に等しくＷ _Ｒである。よって、反射光が折り返しミ
ラー１を通過する点における入射光と反射光の最短距離
（サイドクリアランス）Ｓは、以下の（３）式によって
表される。 s = 2h (θ-m NA_Ｗ) - w_Ｗ/m …(3)

【００２８】右辺第１項は縮小倍率ｍに比例するが、逆
に第２項は反比例する。フィールド短手幅ｗ_Ｗは、投影
光学系の収差やディストーションを許容値以下にするた
めにはむやみに広げることはできず、一般に１mmから数
mmである。それに対し、ヘッドクリアランスはある程度
自由度を持って設定することができる。ＮＡ_Ｗは露光機
に必要な解像度で決定される。よく知られているのが、
以下のレイリーの式である。 RES = k1 (λ/NA_ｗ) …(4)

【００２９】ここに、RESは解像度、k1は一般に0.5〜1.
0の値をとる定数で、理論限界は0.25である。波長λは
露光に使用する波長で、ＥＵＶ露光機では例えば13.5nm
である。仮に、k1=0.6とすれば、NA_Ｗ=0.2で解像度40n
m、NA_Ｗ=0.3で解像度27nm、NA _Ｗ=0.4で解像度20nmが得
られる。反射光学系では、ミラーの相互位置が干渉する
ので、むやみにＮＡ_Ｗを大きくする設計は不可能である
が、ミラーを８枚えばNA _Ｗ=0.4程度とすることが可能で
あり、この場合、20nmの解像度が得られる。

【００３０】以上の前提の下、サイドクリアランスを20
mm、ＮＡ_Ｗを0.4としたときの、ヘッドクリアランスと
傾き角度θの関係を図４に示す。縮小倍率ｍは、1/4と1
/5の２種類を示した。ヘッドクリアランスが小さい場合
は縮小倍率が1/4と1/5で傾き角度θに大きな差は出ない
が、ヘッドクリアランスを400mm確保すれば、有意な差
が生じ、1/5の方が約15％垂直に近付けられる。

【００３１】次に、傾き角度θの違いにより、レチクル
のｚ方向（光軸方向）誤差によって生じるウェハ上での
パターン位置シフト量を見積もる。レチクルのあるパタ
ーンを照明した光は、角度θ方向に反射する。ｚ方向の
レチクルパターンずれをΔzとすれば、ウェハ上で生じ
るパターン位置シフトΔxは次式で表わされる。 Δx = m Δz θ・・・・・・ (5)

【００３２】ヘッドクリアランスを400mm、ＮＡ_Ｗを0.
4、サイドクリアランスを20mmとしたときに得られる傾
き角度を(3)式から求め、(5)式に代入してレチクルのｚ
方向変位Δzとウェハ上の位置シフトΔxの関係を求めた
ものを図５に示す。両者の関係はリニアであり、縮小倍
率1/5の線の傾きは、1/4の線の傾きの68％である。

【００３３】ここで、レチクルのｚ方向の変位によって
生じるウェハ上のパターン位置シフト許容量について考
察する。一般に、半導体デバイスを作るとき、前層との
オーバレイ精度要求は、最小線幅の1/3以内とすること
が必要であるといわれている。先ほど、20nmの解像度が
得られることについて述べた。最小線幅が20nmならば、
必要なオーバレイ精度は約7nmである。

【００３４】オーバレイを左右する誤差要因は、ウェハ
ステージの位置決め精度、ウェハアライメント精度、投
影光学系の持つディストーション、レチクルパターン描
画精度などがあるが、ＥＵＶ露光機の場合、これらに加
えて、新たにレチクルのｚ方向変位によるパターン位置
シフトが誤差要因として加わる。各誤差要因に許される
量は、およそ１nmから２nmである。

【００３５】仮に、レチクルのｚ方向変位によるパター
ン位置シフトをΔｘ=１nmとすれば、許されるｚ変位Δ
ｚは縮小倍率1/4の場合30nm、1/5の場合45nmである。Δ
ｘ=２nmならば、Δｚは縮小倍率1/4の場合60nm、1/5の
場合90nmである。レチクルのｚ方向誤差の要因のひとつ
はレチクル自身の持つ平坦度であり、±50nmを全面で保
証されるような基板を作製することは、技術的にもコス
ト的にも決して容易ではない。したがって、縮小倍率は
大きいほどよく、縮小倍率1/4では、要求されるレチク
ル平坦度を実現する見込みが小さい。よって、縮小倍率
は、1/5かそれ以上が望ましい。

【００３６】次に考慮すべき点は、レチクルパターンが
形成されている吸収層の厚みがあるため、傾き角度θで
照明されたときに生じるシャドウイング効果が生じ、結
果として発生するウェハ上テレセン性の崩れである。波
動光学的なシミュレーションをすると、このようなシャ
ドウイング効果により、レチクルパターンによる瞳上で
の回折光分布は図６のようになる。

【００３７】図６において、横軸は正規化された瞳上の
位置（光軸を０とする）であり、縦軸は入射光の強度を
100％としたときの相対強度である。０次光、＋１次
光、−１次光の各回折光は、それぞれ図に示すような傾
いた強度分布となる。更に、＋１次光と−１次光の平均
強度比を見ると、明らかに異なることが分かる。これに
より、投影光学系のウェハ側が本来テレセントリックに
設計されていたとしても、見かけ上テレセン性が崩れた
ようになってしまう。

【００３８】図７にテレセン性の崩れを示す。図７にお
いて横軸はレチクルへの照明光の入射角度、縦軸はテレ
セン性の誤差を示す。図７は、吸収層に厚さ100nmのTa
を用い、照明のコヒーレンスファクタσを0、0.25、0.
5、0.75、1.0と５段階にわたって変化させた場合のデー
タである。照明条件によりテレセン性の崩れ量は異なる
が、最悪値で見ると、傾き角度θが４°のとき2.5mra
d、６°のとき７mrad、８°のとき16mradである。ま
た、外挿により求めると、10°のとき20mradとなる。

【００３９】ウェハ側での焦点深度は大体±100nmであ
るから、焦点深度内でデフォーカスした場合、テレセン
性の崩れによるパターン位置シフトの最大値は、照明傾
き角度θが４°のとき0.25nm、６°のとき0.7nm、８°
のとき1.6nmとなる。パターン位置シフトが悪最でも２n
mまでしか許されないとすれば、照明光の傾き角度最大
許容量はおよそ10°である。

【００４０】先に示した例で用いた照明の傾き角度は、
縮小倍率1/4では0.13rad(7.4°)、1/5では0.11rad(6.3
°)である。したがって、テレセン性の崩れとデフォー
カスによって生じるウェハ上位置シフトは、縮小倍率1/
4では約1.5nm、1/5では約0.74nmとなり、２倍もの違い
が生じる。オーバレイバジェットは様々な要因で決めら
れるが、この位置シフトに1.5nmとられると、他のバジ
ェットが厳しくなるため、縮小倍率が1/5の場合が非常
に優れていることが分かる。

【００４１】以上から、ＥＵＶ露光機において、投影光
学系の縮小倍率は大きければ大きいほどオーバレイ精度
の向上の観点から見て望ましい。そして、縮小倍率1/4
では、オーバレイ計算上無視できない位置シフトが発生
するため、縮小倍率は1/5かそれ以上が望ましい。

【００４２】最後にフィールドサイズについて考察す
る。ＥＵＶ露光機は、ＤＵＶ等の光とのミックスアンド
マッチとして使用される可能性が高く、各露光機間のフ
ィールドサイズのマッチングは極めて重要な要因とな
る。ＥＵＶ露光機は、ＤＵＶ走査型露光機と同じく、走
査型の露光機であり、レチクルが投影されるのは円弧状
のフィールドで、それを短手方向に走査して矩形の露光
フィールドを得る。現在ＤＵＶ走査型露光機で一般的に
用いられているフィールドサイズは、25mm×33mmであ
る。これは縮小倍率1/4の場合、レチクル上で100mm×13
2mmとなり、６インチレチクル(□150mm)に描画できる大
きさである。

【００４３】もし縮小倍率を1/5にしたならば、同じフ
ィールドサイズを実現するために、レチクルの描画エリ
アは125mm×165mm必要で、６インチレチクルには収まら
ない。６インチレチクルを用いた場合に実現可能なサイ
ズは、ウェハ上フィールドサイズで22mm×26mm、レチク
ル側で110mm×130mm程度であると考えられる。このサイ
ズは、走査露光を行なわないタイプの露光機（ステップ
アンドリピート方式）、いわゆるステッパの標準フィー
ルドサイズ22mm×22mmを満たすため、この種の露光機と
のミックスアンドマッチに適する。。

【００４４】更に縮小倍率を1/6に上げた場合を考え
る。６インチレチクルは150mm×150mmの大きさを持つ
が、その中には、レチクルを位置合わせするためのマー
クとか、遮光帯とかが存在し、実際に回路パターンを描
ける範囲は、せいぜい120mm×132mmである。これを1/6
に縮小して得られるウェハ上のフィールドサイズは、20
mm×22mmとなり、走査露光を行なわないタイプの露光
機、いわゆるステッパの標準フィールドサイズ22mm×22
mmに満たない。従って、1/6縮小はフィールドサイズの
点から使用が困難となる。

【００４５】半導体デバイスを生産する時、20-30層の
リソグラフィ工程があるが、うち線幅が非常に細い層を
クリティカルレーヤと呼び、その割合は全体の半分以下
である。残りはラフレーヤであり、露光機のコストを考
えて解像度のあまり要らないステッパを用いるケースが
ほとんどである。したがって、一部のクリティカルレー
ヤのために、そのステッパのフィールドサイズを小さく
すると、露光機の生産性（スループット）を著しく低下
させる。フィールドサイズを小さくする代わりにレチク
ルサイズを大きくすれば、スループットの低下を抑える
ことができるが、６インチ以上のレチクルを製造するた
めにはインフラを再整備する必要があり、現状では事実
上不可能である。これらから、縮小倍率を１/6かそれ以
上にすることは、現状では難しい。

【００４６】ウェハ上に露光するフィールド数は、フィ
ールドサイズと相反する関係にあり、フィールドサイズ
が大きいほどフィールド数は減る。これに応じて、露光
走査回数や、露光から次の露光の間にフィールド間をウ
ェハステージが移動する回数が減り、一定時間内に処理
できるウェハ枚数は増加する。つまり、縮小倍率1/4と1
/5を比較した場合、スループットの点では1/4の方が有
利である。実際に計算してみると、1/4の方が1/5の場合
よりもおよそ10％高いスループットを得られる。しか
し、いくらスループットが高くても、オーバレイ精度が
許容値を超えていれば、歩留まりは下がり、結果的には
生産性が低下することになる。

【００４７】以上全ての考察をまとめると、レチクルの
平坦度の実現性の観点からは、縮小倍率は1/5以上にす
べきである。斜入射照明によるテレセン性の崩れの観点
からは、やはり縮小倍率は1/5以上にすべきである。し
かし、現状のフィールドサイズの制限から、スループッ
トを考慮した場合、縮小倍率は1/5かそれ以下であるこ
とが好ましい。よって、ＥＵＶ露光機の投影光学系の持
つ縮小倍率は1/5が望ましい。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ウェハ上での露光転写位置精度が良好なＥＵＶ露光装置
とすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】ＥＵＶ露光装置の構成の概要を示す図である。

【図２】レチクルに入射、反射する光の道筋を表わす図
である。

【図３】レチクルへの入射光と反射光がオーバーラップ
しないような配置の条件を示す図である

【図４】折り返しミラーのヘッドクリアランスとレチク
ル照明光の傾き角度の関係を示す図である。

【図５】レチクルのｚ方向変位と、ウェハ上のパターン
位置シフトの関係を示す図である。

【図６】シャドウイング効果により発生する、瞳上での
回折光の非対称を表わす図である。

【図７】レチクル照明光の入射角度と、シャドウイング
効果によって生じるウェハ上のパターン位置シフトの関
係を表わす図である。

【符号の説明】

１…折り返しミラー、２…レチクル、３…レチクルステ
ージ、４…レチクルフォーカス送光系、５…レチクルフ
ォーカス受光系、６…第一ミラー、７…第二ミラー、８
…第三ミラー、９…第四ミラー、１０…ウェハ、１１…
ウェハステージ、１２…ウェハオートフォーカス送光
系、１３…ウェハオートフォーカス受光系、１４…鏡
筒、１５…オフアクシス顕微鏡

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＥＵＶ光を使用した露光装置であって、
投影縮小倍率が１／５以上とされていることを特徴とす
るＥＵＶ露光装置。
【請求項２】ＥＵＶ光を使用した露光装置であって、
投影縮小倍率が１／５とされていることを特徴とするＥ
ＵＶ露光装置。
【請求項３】請求項１又は請求項２に記載のＥＵＶ露
光装置であって、レチクルを照明する照明光の入射角度
が、10°以下とされていることを特徴とするＥＵＶ露光
装置。
【請求項４】請求項１から請求項３のうちいずれか１
項に記載のＥＵＶ露光装置であって、使用するレチクル
の平坦度が、90nm以下とされていることを特徴とするＥ
ＵＶ露光装置。