JP2008535243A - 酸窒化層を形成する方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
Description
図1は、基板上に酸窒化層を形成する処理システム1を図示している。たとえば基板はシリコン基板を有して良く、酸窒化層は基板の酸化及び窒化を介して形成される酸窒化シリコンを有して良い。その基板表面は、シリコン表面、酸化物表面又はシリコン酸化物表面であって良い。
窒化
図4は、本発明の実施例に従った窒化プロセス用スロット型平面アンテナ(SPA)プラズマ源を有するプラズマプロセスシステムの単純化されたブロック図である。プラズマプロセスシステム400によって生成されるプラズマは、低電子温度(約1.5eV未満)でかつ高プラズマ密度(たとえば約1*1012/cm3)であることを特徴とする。その特徴のため、本発明に従った損傷のないゲートスタックのプロセスが可能となる。プラズマプロセスシステム400はたとえば、東京エレクトロン株式会社のTRIAS(商標)SPAプロセスシステムであって良い。プラズマプロセスシステム400は、該システム400上部に開口部451を有するプロセスチャンバ450を有する。その開口部451は基板125よりも大きい。石英又は窒化アルミニウム又は酸化アルミニウムでつくられた円柱状の誘電性上部板454が開口部451を覆うように供される。ガスライン472は、上部板454の下に位置するプロセスチャンバ450上部の側壁内に位置する。一例では、ガスライン472の数は16であって良い(図4ではそのうちの2のみ図示している)。あるいはその代わりに、様々な数のガス供給ライン472が用いられて良い。ガスライン472はプロセスチャンバ450の周囲に配置されて良いが、このことは本発明にとって必須ではない。プロセスガスは、ガスライン472からプロセスチャンバ450内のプラズマ領域459へ一様かつ均一に供給されて良い。あるいはその代わりに、排出口に対して基板の上流である供給ライン472は、窒化に適したリモートRFプラズマ源として配備されて良い。
あるいはUVO2/N2ポストアニーリングは、紫外(UV)放射線によって誘起されるアニーリングガスの分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに、酸窒化膜を曝露することによって、その酸窒化膜を適切にアニーリングする。そのアニーリングガスは酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有する。
RFNポストアニーリング
あるいはRFNポストアニーリングは、酸窒化膜を窒素ラジカルに曝露することによってその酸窒化膜を適切にアニーリングする。その窒素ラジカルは上流に存在する窒素を有する分子組成物を有するプロセスガスのプラズマに誘起される分解によって生成される。前記上流プラズマに誘起される分解は、高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されたプラズマを用いる工程を有する。それにより、窒素ラジカルは層流の状態でその表面を流れる。
素子
一の実施例は、多結晶シリコン、アモルファスシリコン若しくはSiGe層又はこれらを結合させた層を酸化膜及び/又は酸窒化膜上に有する半導体素子の作製を形成する工程を有する。
Claims (87)
- 基板上に酸窒化膜を成膜する方法であって:
酸素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有する第1プロセスガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカルに前記基板表面を曝露することによって、前記基板表面を酸化させて酸化膜を形成する酸化工程;及び
複数のスリットを有する平面アンテナ部によるマイクロ波照射に基づくプラズマを用いた、窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有する第2プロセスガスのプラズマ誘起分解によって生成される窒素ラジカルに前記酸化膜を曝露することによって、前記酸化膜を窒化させて酸窒化膜を形成する窒化工程;
を有する方法。 - 前記基板表面がシリコン表面、酸化物表面、又はシリコン酸化物表面である、請求項1に記載の方法。
- 前記の第1プロセスガス中の分子組成物が、O2、NO、N2O若しくはNO2又はこれらのうちの2種類以上による混合ガス、及び任意で、H2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記の第1プロセスガス中の分子組成物がO2を有し、かつ
前記酸素ラジカルは前記酸素の紫外放射線誘起分解によって生成される、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸化膜が約0.1nmから約3nmの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化膜が約0.2%から約4%の厚さの偏差σを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸素ラジカルが前記基板表面を通って流れる前記第1プロセスガスの層流の範囲内に存在するように、前記第1プロセスガスを流す工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 約1rpmから約60rpmの速度で、前記基板表面の面内で前記基板を回転させる工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化工程が約200℃から約1000℃の基板温度で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化工程が約1mTorrから約30000mTorrの圧力で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記の第1プロセスガス中の分子組成物がO2を有し、かつ
前記酸化工程が約30sccmから約5slmのO2流速で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記の第1プロセスガス中の分子組成物が、H2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスをさらに有し、かつ
前記第1ガスの流速は約0slmから約5slmである、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸化工程が約5秒間から約25分間の時間で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記の紫外放射線誘起分解での紫外放射線が172nmの波長を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記の紫外放射線誘起分解での紫外放射線が、約5mW/cm2から約50mW/cm2の出力で動作する紫外放射線源から放出される、請求項1に記載の方法。
- 前記の紫外放射線誘起分解での紫外放射線が、2以上の紫外放射線源から放出される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化工程の前に、前記基板表面から自然酸化物を除去する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化工程の前に、湿式化学洗浄によって前記基板上にベアシリコン表面を形成する工程から構成される群から選択される少なくとも1以上の洗浄工程を実行する工程、洗浄に続いて前記基板表面とHFとを接触させることで前記基板表面上にベアシリコン表面を形成する工程、又はこれらの工程を組み合わせた工程、をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化膜が化学式SiO2を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記の第2プロセスガス中の分子組成物が、N2及び任意で、H2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記の第2プロセスガス中の分子組成物が、N2、H2及び任意で、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記の第2プロセスガス中の分子組成物が、N2又はNH3又は両方を有し、かつ
前記窒素ラジカルが、前記N2又はNH3又は両方のプラズマ誘起分解によって生成される、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸窒化膜が約0.1nmから約5nmの厚さを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸窒化膜が約0.2%から約4%の厚さの偏差σを有する、請求項1に記載の方法。
- 約1rpmから約60rpmの速度で、前記基板表面の面内で前記基板を回転させる工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記窒化工程が約20℃から約1000℃の基板温度で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記窒化工程が約1mTorrから約30000mTorrの圧力で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記の第2プロセスガス中の分子組成物がN2を有し、かつ
前記窒化工程が約2sccmから約5slmのN2流速で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記の第2プロセスガス中の分子組成物が、H2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスをさらに有し、かつ
前記第2ガスの流速は約100sccmから約5slmである、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が約5秒間から約25分間の時間で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記の窒化工程に用いられるプラズマが約3eV未満の電子温度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記の窒化工程に用いられるプラズマが、約1*1011/cm3から約1*1013/cm3以上の密度、及び約±3%以下の密度均一性を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸窒化膜が約20%以下の窒素濃度を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記プラズマが約0.5mW/cm2から約5mW/cm2のマイクロ波出力によって生成される、請求項1に記載の方法。
- 前記マイクロ波照射が約300MHzから約10GHzのマイクロ波周波数を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記平面アンテナ部が前記基板表面よりも大きな表面領域を有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸窒化膜が化学式SiONを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記窒化工程が、窒素を有する上流の分子組成物を有する上流のプロセスガスの上流のプラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに、前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、かつ
前記上流のプラズマ誘起分解は、高周波(RF)出力と前記上流のプロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記マイクロ波照射に基づく前記の第2プロセスガスのプラズマ誘起分解によって生成される前記窒素プラズマに前記酸化膜を曝露する曝露工程前に、前記第2窒化工程が実行される、請求項38に記載の方法。
- 前記第2窒化工程が第1プロセスチャンバ内で実行され、かつ
前記曝露工程は、前記第1プロセスチャンバ内又は別なプロセスチャンバ内で実行される、
請求項39に記載の方法。 - 前記曝露工程後に前記第2窒化工程が実行される、請求項38に記載の方法。
- 前記曝露工程が第1プロセスチャンバ内で実行され、かつ
前記第2窒化工程は、前記第1プロセスチャンバ内又は別なプロセスチャンバ内で実行される、
請求項41に記載の方法。 - 前記第2窒化工程が前記曝露工程と同時に実行される、請求項38に記載の方法。
- 前記窒化工程が、窒素を有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、かつ
前記第2窒化工程は約1mTorrから約20000mTorrの圧力で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が、窒素を有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、かつ
前記第2窒化工程は約20℃から約1200℃の基板温度で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が、窒素を有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、かつ
前記第2窒化工程は約1秒間から約25分間の時間で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が、窒素を有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、かつ
前記上流分子組成物は約2sccmから約20slmの流速で流れるN2を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が、窒素及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、かつ
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が、窒素及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、かつ
前記第2ガスは約100sccmから約20slmの流速を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記窒化工程が、窒素を有する上流分子組成物を有する上流プロセスガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸化膜又は酸窒化膜を曝露する第2窒化工程をさらに有し、かつ
前記上流プラズマ誘起分解が、約40kHzから約4MHzの周波数を有する高周波(RF)出力と前記上流プロセスガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有する、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸化工程及び窒化工程が同一プロセスチャンバ内で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化工程及び窒化工程が同一プロセスチャンバ内で実行され、かつ
前記酸化工程後でかつ前記窒化工程前に、少なくとも1の浄化工程が実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸化工程及び窒化工程がそれぞれ異なるプロセスチャンバ内で実行される、請求項1に記載の方法。
- 前記酸化工程が第1プロセスチャンバ内で実行され、かつ前記窒化工程が第2プロセスチャンバ内で実行され、かつ
前記基板は、空気と接触することなく、前記第1プロセスチャンバから前記第2プロセスチャンバ搬送される、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 約5mTorrから約800Torrの圧力で前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 約500℃から約1200℃の温度で前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 酸素、窒素、H2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスを有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの存在下で前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 約0slmから約20slmの流速で流れるN2の存在下で前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 約0slmから約20slmの流速で流れるO2の存在下で前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 約1秒間から約10分間前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記窒化工程及び前記アニーリング工程が同一プロセスチャンバ内で実行され、かつ
前記窒化工程後で前記アニーリング工程前に少なくとも1の浄化工程が実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記窒化工程及び前記アニーリング工程がそれぞれ異なるプロセスチャンバ内で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記窒化工程が第1プロセスチャンバ内で実行され、かつ前記アニーリング工程が第2プロセスチャンバ内で実行され、かつ
前記酸窒化膜は、空気と接触することなく、前記第1プロセスチャンバから前記第2プロセスチャンバ搬送される、
請求項1に記載の方法。 - 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- O2、N2、NO、NO2及びN2O又はこれらの混合ガスからなる群から選択される、酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- H2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される、酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記アニーリングガスは、前記酸素ラジカル及び窒素ラジカルが前記アニーリングガスの層流の範囲内に存在するように、前記酸窒化膜表面を通って流れる、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記基板が約1rpmから約60rpmの速度で前記基板表面の面内を回転する、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記アニーリングが約1mTorrから約80000mTorrの圧力で実行される、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記アニーリングが約400℃から約1200℃の温度で実行される、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記アニーリングが約0slmから約20slmの流速で実行される、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記アニーリングが約1分間から約10分間の時間で実行される、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記の紫外放射線誘起分解での紫外放射線が約145nmから約192nm範囲の紫外放射線を有し、
前記紫外放射線は単色又は多色である、
請求項1に記載の方法。 - 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記の紫外放射線誘起分解での紫外放射線が約5mW/cm2から約50mW/cm2の出力で動作する紫外放射線源から放出される、請求項1に記載の方法。
- 酸素及び窒素を有する少なくとも1種類の分子組成物を有するアニーリングガスの紫外(UV)放射線誘起分解によって生成される酸素ラジカル及び窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって、前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記の紫外放射線誘起分解での紫外放射線が2以上の紫外放射線源から放出される、請求項1に記載の方法。
- 窒素を有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有する、請求項1に記載の方法。
- 窒素を有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、
前記アニーリングが前記窒化工程と同一のプロセスチャンバ又は異なるプロセスチャンバで実行される、
請求項1に記載の方法。 - 窒素を有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、
前記アニーリングが約1mTorrから約20000mTorrで実行される、
請求項1に記載の方法。 - 窒素を有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、
前記アニーリングが約20℃から約1200℃の基板温度で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 窒素を有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、
前記アニーリングが約1秒間から約25分間の時間で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 窒素を有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、
前記アニーリングが約0slmから約20slmの流速で流れるN2の存在下で実行される、
請求項1に記載の方法。 - 窒素及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有する、
請求項1に記載の方法。 - 窒素及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有し、
前記第2ガスが約100sccmから約20slmの流速を有する、
請求項1に記載の方法。 - 窒素及び任意でH2、Ar、He、Ne、Xe、Kr若しくはこれらの混合ガスからなる群から選択される少なくとも1種類のガスを有する上流分子組成物を有する上流アニーリングガスの上流プラズマ誘起分解によって生成される第2窒素ラジカルに前記酸窒化膜を曝露することによって前記酸窒化膜をアニーリングする工程をさらに有する方法であって、
前記上流プラズマ誘起分解が、約40kHzから約4MHzの周波数を有する高周波(RF)出力と前記上流アニーリングガスとの結合によって生成されるプラズマを用いる工程を有する、
請求項1に記載の方法。 - 多結晶シリコン、アモルファスシリコン及びSiGe又はこれらの混合物質からなる群から選択される少なくとも1種類を、前記酸化膜、前記酸窒化膜又はこれら両方の膜上に形成する工程をさらに有する、請求項1に記載の方法。
- 請求項1に記載の方法を有する、半導体又はエレクトロニクス素子の製造方法。
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