JP2008533276A - タクチック/アタクチックマルチブロックコポリマー形成用の可逆的移動剤を含む触媒組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、2005年3月17日出願の米国仮出願番号60/662,937の利益を請求するものである。
「重合挙動がわかっている2つのメタロセンの混合物を使用して、ポリマーのミクロ構造を制御することができる。2つのメタロセンを混合することにより、エテン重合に関する幾つかの研究を行った。異なるMwを有するポリエチレンを別個に生じさせる触媒を併せることによって、より広い、場合によっては二頂性のMWDを有するポリエテンを得ることができることを、共通して観察した。[S]oaresおよびKim(J. Polym. Sci., Part A: Polym. Chem., 38, 1408-1432 (2000))は、混合物 Et(Ind)2ZrCl2/Cp2HfCl2およびEt(Ind)2ZrCl2/(シリカに担持されたCGC(幾何形状拘束触媒))のエテン/1−ヘキセン共重合によって例示されるような、二種のシングルサイト触媒により製造されるポリマーのMWD二頂性を検査するために、1つの基準を開発した。HeilandおよびKaminsky(Makromol. Chem. 193, 601-610 (1992))は、エタンと1−ブテンの共重合においてEt−(Ind)2ZrCl2とそのハフニウム類似体との混合物を研究した。
次に、BrusathおよびRytterは、対のジルコノセン触媒を使用して、エチレン/1−ヘキサンの混合物を重合した彼ら独自の観察結果を開示し、メチルアルモキサン共触媒を使用して重合活性、コモノマーの組み込みおよびポリマーのミクロ構造に対するデュアルサイト触媒の影響の効果を報告した。
「アルミニウムへの連鎖移動が、唯一の移動メカニズムを構築し、遷移金属中心とアルミニウム中心の間の生長ポリマー鎖の交換が、非常に早く、可逆的である場合、ポリマー鎖は、アルミニウム中心において生長しているように見えるであろう。これは、アルミニウムでの触媒連鎖生長反応として合理的に説明することができる。このタイプの連鎖生長反応の魅力的な現われは、β−H移動が生長を伴う場合に生じるシュルツ・フローリー(Schulz-Flory)分布とは対照的に、生成物分子量のポアソン(Poisson)分布である。」
前記著者は、ZnEt2、ZnMe2またはZn(i−Pr)2と併用で鉄含有触媒を使用する、エチレンの触媒リビングホモ重合についての結果を報告している。アルミニウム、ホウ素、スズ、リチウム、マグネシウムおよび鉛のホモレプティックアルキルは、触媒連鎖生長を誘導しなかった。共触媒としてGaMe3を使用すると、結果として、狭い分子量分布を有するポリマーが生成された。しかし、時間依存的生成物分布の分析後、前記著者は、この反応が「単なる触媒連鎖生長反応ではない」と結論づけた。この参考文献には、マルチブロックコポリマーを製造するための、可逆的連鎖移動剤と併用での2つまたはそれ以上の触媒の使用は開示されていない。単一の触媒を利用する類似のプロセスが、米国特許第5,210,338号、同第5,276,220号および同第6,444,867号に記載されている。
(A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性または結晶化度が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含み
そして好ましくは、
(A)重合条件下で1つまたはそれ以上のC3〜30α−オレフィンのタクチックポリマーを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)により形成されるポリマーの95パーセント未満、好ましくは90パーセント未満、より好ましくは75%未満および最も好ましくは50%未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む。
(A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物とプロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜8α−オレフィンを付加重合条件下で接触させることを含む。
触媒i={1、2....}各々について、
Rp[i]=触媒iによるモノマー消費速度(モル/L)、
Rt[i]=触媒iについての連鎖移動および停止反応の総速度(モル/L)、
Rs[i]=他の触媒iへの休眠(dormant)ポリマーの可逆的連鎖移動速度(モル/L)、および
[Ci]=触媒iの濃度(モル/L)。
二重触媒系についての触媒1と2の間のポリマーの可逆的連鎖移動速度は、次のとおり得られる:
Rs[1]=Rs[2]=θka1[CSA]θka2[C1][C2]。
本発明のポリマーを製造する際の使用に適するモノマーとしては、プロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは他のC4〜8α−オレフィン、および場合により1つまたはそれ以上の共重合性コモノマーが挙げられるが、但し、本発明の目的たる立体規則性が異なる交互ブロックを含有するマルチブロックコポリマーの製造が達成されることを条件とする。適するコモノマーの例としては、エチレンおよび炭素原子数4から30、好ましくは4から20の直鎖または分枝鎖α−オレフィン、例えば、1−ブテン、1−ペンテン、3−メチル−1−ブテン、1−ヘキセン、4−メチル−1−ペンテン、3−メチル−1−ペンテン、1−オクテン、1−デセン、1−ドデセン、1−テトラデセン、1−ヘキサデセン、1−オクタデセンおよび1−エイコセン;炭素原子数3から30、好ましくは3から20のシクロオレフィン、例えば、シクロペンテン、シクロヘプテン、ノルボルネン、5−メチル−2−ノルボルネン、テトラシクロドデセンおよび2−メチル−1,4,5,8−ジメタノ−1,2,3,4,4a,5,8,8a−オクタヒドロナフタレン;ジ−およびポリ−オレフィン、例えば、ブタジエン、イソプレン、4−メチル−1,3−ペンタジエン、1,3−ペンタジエン、1,4−ペタンジエン、1,5−ヘキサジエン、1,4−ヘキサジエン、1,3−ヘキサジエン、1,3−オクタジエン、1,4−オクタジエン、1,5−オクタジエン、1,6−オクタジエン、1,7−オクタジエン、エチリデンノルボルネン、ビニルノルボルネン、ジシクロペンタジエン、7−メチル−1,6−オクタジエン、4−エチリデン−8−メチル−1,7−ノナジエンおよび5,9−ジメチル−1,4,8−デカトリエン;芳香族ビニル化合物、例えば、モノまたはポリアルキルスチレン(スチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、o,p−ジメチルスチレン、o−エチルスチレン、m−エチルスチレン、およびp−エチルスチレンが挙げられる)、ならびに官能基含有誘導体、例えば、メトキシスチレン、エトキシスチレン、ビニル安息香酸、ビニル安息香酸メチル、酢酸ビニルベンジル、ヒドロキシスチレン、o−クロロスチレン、p−クロロスチレン、ジビニルベンゼン、3−フェニルプロペン、4−フェニルプロペン、α−メチルスチレン、塩化ビニル、1,2−ジフルオロエチレン、1,2−ジクロロエチレン、テトラフルオロエチレンおよび3,3,3−トリフルオロ−1−プロペンが挙げられる。
用語「可逆的移動剤」は、重合条件下でその組成物に含まれている触媒の少なくとも2つの活性触媒部位間でのポリメリル交換を生じさせることができる、本発明の組成物において用いられる化合物または化合物の混合物をいう。すなわち、活性触媒部位の1つまたはそれ以上へのポリマーフラグメントの移動も、活性触媒部位の1つまたはそれ以上からのポリマーフラグメントの移動も両方発生する。可逆的移動剤とは対照的に、「連鎖移動剤」は、ポリマー連鎖の生長を停止させ、つまり、触媒からその移動剤への生長ポリマーの移動1回になる。好ましくは、可逆的移動剤は、0.01から100、より好ましくは0.1から10、最も好ましくは0.5から2.0、および最高に好ましくは0.8から1.2の活動度 RA-B/RB-Aを有し、ここで、RA-Bは、可逆的移動剤による触媒A活性部位から触媒B活性部位へのポリメリル移動速度であり、RB-Aは、逆のポリメリル移動速度、すなわち、可逆的移動剤による触媒B活性部位から出発する触媒A活性部位への交換速度である。望ましくは、可逆的移動剤とポリメリル鎖との間で形成される中間体は、十分に安定であり、連鎖停止反応は比較的稀である。望ましくは、可逆的移動剤(shuttle)−ポリメリル生成物の90パーセント未満、好ましくは75パーセント未満、より好ましくは50パーセント未満および最も望ましくは10%未満は、3つの区別可能ポリマーセグメントまたはブロックを獲得する前に停止される。理想的には、(触媒部位から可逆的連鎖移動剤へのポリマー連鎖を移動させ、次に、触媒部位に戻るために必要な時間によって定義される)可逆的連鎖移動速度は、ポリマーの連鎖反応停止速度と同じまたはそれより早く、ポリマーの連鎖反応停止速度より10倍までもまたは100倍までも速い。これにより、ポリマー生長と同じタイムスケールでポリマーブロックを形成することができる。
I.可能性のある触媒および可能性のある可逆的移動剤を含む混合物を使用して、1つまたはそれ以上の付加重合性C3〜30α−オレフィンモノマーを重合する。この重合試験は、望ましくは、バッチまたはセミバッチ反応装置を使用し(すなわち、触媒および可逆的移動剤を再供給せず)、好ましくは比較的一定したモノマー濃度で、溶液重合条件下で操作し、一般的に、1:5から1:500の触媒 対 可逆的連鎖移動剤のモル比を用いて行った。適量のポリマーを形成した後、触媒毒の添加により反応を停止させ、ポリマーの特性(立体規則性および場合によりレジオエラー含量)を測定する。
ここでの使用に適する触媒は、所望の組成またはタイプのポリマーの製造に適合するあらゆる化合物または化合物の組み合わせを含む。不均一系触媒と均一系触媒の両方を利用することができる。不均一系触媒の例としては、周知のチーグラー・ナッタ組成物、特に、2族金属ハロゲン化物または混合ハロゲン化物およびアルコキシドに担持された4族金属ハロゲン化物、ならびに周知のクロムまたはバナジウム系触媒が挙げられる。しかし、好ましくは、使用が容易なため、および溶液中での狭い分子量ポリマーセグメントの生成のため、ここで使用するための触媒は均一系触媒であり、比較的純粋な有機金属化合物または金属錯体、特に、元素の周期表の3〜10族またはランタン系列から選択される金属に基づく化合物または錯体を含む。ここで利用されるいずれの触媒も、本重合条件下で他の触媒の能力に有意な悪影響を及ぼさないことが好ましい。望ましくは、いずれの触媒も、本重合条件下で活性が25パーセントより大きく低下されず、より好ましくは10パーセントより大きく低下されない。
Mは、元素の周期表の3〜15族、好ましくは3〜10族、より好ましくは4〜8族および最も好ましくは4族から選択される金属であり;
Kは、各存在が独立して、そのKをMに結合する非局在性π電子または1つもしくはそれ以上の電子対を含有する基であり、前述のK基は、水素原子を数に入れずに50個までの原子を含有し、場合によっては、2個またはそれ以上のK基が互いに連結して架橋構造を形成することがあり、さらに場合によっては、1個またはそれ以上のK基がZ、XまたはZとXの両方に結合することがあり;
Xは、各存在が独立して、40個までの非水素原子を有する一価のアニオン性部分であり、場合によっては、1個またはそれ以上のX基が互いに結合し、その結果、二価または多価のアニオン性の基を形成することがあり、ならびに、さらに場合によっては、1個またはそれ以上のX基と1個またはそれ以上のZ基が互いに結合し、その結果、Mに共有結合しており、そのMに配位もしている部分を形成することがあり;
Zは、各存在が独立して、そのZをMに配位させる少なくとも1つの非共有電子対を含有する非水素原子数50以下の中性ルイス塩基ドナー配位子であり;
kは、0から3の整数であり;
xは、1から4の整数であり;
zは、0から3の数であり;および
k+xの合計は、Mの形式酸化状態と等しい。
Mは、4族金属であり;
Kは、そのKをMに結合する非局在性π電子を含有する基であり、前述のK基は、水素原子を数に入れずに50個までの原子を含有し、場合によっては2個のK基が互いに連結して架橋構造を形成することがあり、さらに場合によっては1個のK基がXまたはZに結合することがあり;
Xは、各存在が、40個までの非水素原子を有する一価のアニオン性部分であり、場合によっては1個またはそれ以上のX基および1個またはそれ以上のK基が互いに結合して、金属環状物を形成し、およびさらに場合によっては1個またはそれ以上のX基および1個またはそれ以上のZ基が互いに結合し、その結果、Mに共有結合しており、それに配位もしている部分を形成することがあり;
Zは、各存在が独立して、そのZをMに配位させる少なくとも1つの非共有電子対を含有する非水素原子数50以下の中性ルイス塩基ドナー配位子であり;
kは、0から3の整数であり;
xは、1から4の整数であり;
zは、0から3の数であり;および
k+xの合計は、Mの形式酸化状態と等しい。
Mは、+2または+4の形式酸化状態のチタン、ジルコニウムまたはハフニウム、好ましくはジルコニウムまたはハフニウムであり;
R3は、各存在において、独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロおよびこれらの組み合わせから成る群より選択され、前述のR3は、20個までの非水素原子を有するか、隣接するR3基が一緒に二価誘導体(すなわち、ヒドロカルバジイル基、シラジイル基またはゲルマジイル基)を形成し、それによって縮合環構造を形成し;そして
X”は、各存在、独立して、非水素原子数40以下のアニオン性配位基であるか、または2個のX”基が、一緒に、非水素原子数40以下の二価アニオン性配位基を形成するか、もしくは共にM(ここで、Mは、+2の形式酸化状態である)に非局在性π電子によって結合した4から30個の非水素原子を有する共役ジエンであり;そして
R’、Eおよびeは、前に定義したとおりである。
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジフェニル、
ビス(シクロペンタジエニル)チタン−アリル、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロリド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)チタンジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
インデンフルオレニルジルコニウムジメチル、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチル(2−(ジメチルアミノ)ベンジル)、
ビス(インデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウムメチルトリメチルシリル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルベンジル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルメトキシド、
ビス(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムメチルクロリド、
ビス(メチルエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(エチルテトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ビス(メチルプロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ビス(トリメチルシリルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジベンジル、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(シクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)アリル、
ジメチルシリルビス(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロリド、
(ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)チタン(III)2−(ジメチルアミノ)ベンジル、
(ジメチルシリルビス(n−ブチルシクロペンタジエニル)チタン(III)2−(ジメチルアミノ)ベンジル、
ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(2−メチルインデニル)ジルコニウム−1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
ジメチルシリルビス(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジルコニウム(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
ジメチルシリルビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデン−1−イル)ジルコニウムジクロリド、
ジメチルシリルビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデン−1−イル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラヒドロインデニル)ジルコニウム(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
ジメチルシリルビス(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(フルオレニル)ジルコニウムジメチル、
ジメチルシリルビス(テトラヒドロフルオレニル)ジルコニウムビス(トリメチルシリル)、
エチレンビス(インデニル)ジルコニウムジクロリド、
エチレンビス(インデニル)ジルコニウムジメチル、
エチレンビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジクロリド、
エチレンビス(4,5,6,7−テトラヒドロインデニル)ジルコニウムジメチル、
(イソプロピリデン)(シクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジベンジル、および
ジメチルシリル(テトラメチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジメチル。
Mは、チタンまたはジルコニウム、好ましくは、+2、+3または+4の形式酸化状態のチタンであり;
K1は、1から5個のR2基で場合によっては置換されている、非局在性π結合型配位基であり;
R2は、各存在において、独立して、水素、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、シアノ、ハロおよびこれらの組み合わせから成る群より選択され、前述のR2は、20個までの非水素原子を有するか、または隣接するR2基が、一緒に、二価誘導体(すなわち、ヒドロカルバジイル基、シラジイル基もしくはゲルマジイル基)を形成し、それによって縮合環構造を形成し;
各Xは、ハロ、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシまたはシリル基であり、前述の基は20個までの非水素原子を有するか、または2個のX基が一緒に中性C5〜30共役ジエンまたはそれらの二価誘導体を形成し;
xは、1または2であり;
Yは、−O−、−S−、−NR’−、−PR’−であり;および
X’は、SiR’2、CR’2、SiR’2SiR’2、CR’2CR’2、CR’=CR’、CR’2SiR’2、またはGeR’2であり、ここで、
R’は、各存在、独立して、水素、またはシリル、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシおよびそれらの組み合わせから選択される基であり、前記R’は、30個までの炭素またはケイ素原子を有する。
Arは、水素を数に入れずに原子数6から30のアリール基であり;
R4は、各存在、独立して、水素、Arであるか、またはヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、トリヒドロカルビルシロキシ、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルバジイルアミノ、ヒドロカルビルイミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルバジイルホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル置換ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ビス(トリヒドロカルビルシリル)アミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンホスフィノ置換ヒドロカルビルもしくはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルから選択されるAr以外の基であり、前述のR基は、水素原子を数に入れずに40個までの原子を有し、および場合によっては2個の隣接するR4基が互いに連結して多環式縮合環基を形成し;
Mは、チタンであり;
X’は、SiR6 2、CR6 2、SiR6 2SiR6 2、CR6 2CR6 2、CR6=CR6、CR6 2SiR6 2、BR6、BR6L”またはGeR6 2であり;
Yは、−O−、−S−、−NR5−、PR5−、NR5 2、またはPR5 2であり;
R5は、各存在、独立して、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリルまたはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり、前述のR5は、水素以外に20個までの原子を有し、および場合によっては2個のR5基またはR5が、YまたはZと共に、環構造を形成し;
R6は、各存在、独立して、水素であるか、またはヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、シリル、ハロゲン化アルキル、ハロゲン化アリール、−NR5 2およびこれらの組み合わせから選択される構成員であり、前述のR6は、20個までの非水素原子を有し、ならびに場合によっては2個のR6基またはZと一緒にR6が環構造を形成し;
Zは、R5、R6またはXに場合によっては結合している、中性ジエンまたは単座配位もしくは多座配位のルイス塩基であり;
Xは、水素であるか、水素を数に入れずに60個までの原子を有する一価アニオン性配位基であるか、または2個のX基が互いに連結し、それによって二価の配位基を形成し;
xは、1または2であり;ならびに
zは、0、1または2である。
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,3−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(ピロリル−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−(ピロール−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−(ピロール−1−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(1−メチルピロール−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−(1−メチルピロール−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−(1−メチルピロール−3−イル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3,4−ジフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン;
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−(3−N,N−ジメチルアミノ)フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−(4−メトキシフェニル)−4−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−(4−メトキシフェニル)−4−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−4−メトキシフェニル)−4−フェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−フェニル−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
2−メチル−(3,4−ジ(4−メチルフェニル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
((2,3−ジフェニル)−4−(N,N−ジメチルアミノ)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(2,3,4−トリフェニル−5−メチルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(3−フェニル−4−メトキシシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;
(2,3−ジフェニル−4−(n−ブチル)シクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン;
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジクロリド;
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタンジメチル;および
(2,3,4,5−テトラフェニルシクロペンタジエン−1−イル)ジメチル(t−ブチルアミド)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン。
Mは、+2、+3または+4の形式酸化状態のチタンであり;
R7は、各存在、独立して、ヒドリド、ヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレン−ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレン−ホスフィノ置換ヒドロカルビル、またはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、前記R7基は、水素を数に入れずに40個までの原子を有し、ならびに場合によっては2個またはそれ以上の上述の基が、一緒に、二価の誘導体を形成し;
R8は、その金属錯体の残部とともに縮合構造を形成する二価のヒドロカルビレンまたは置換ヒドロカルビレン基であり、前述のR8は、水素を数に入れずに1から30個の原子を含有し;
Xaは、二価の部分であるか、1つのσ−結合と、Mへの配位−共有結合を形成することができる中性2電子対とを含む部分であり、前記Xaは、ホウ素、または元素の周期表の14族の構成員を含み、ならびに窒素、リン、硫黄もしくは酸素も含み;
Xは、環状非局在性π結合型配位基である類の配位子を除く、60個までの原子を有する一価のアニオン性配位基であり、ならびに場合によっては2個のX基が一緒に二価の配位基を形成し;
Zは、各存在、独立して、20個までの原子を有する中性配位化合物であり;
xは、0、1または2であり;ならびに
zは、ゼロまたは1である。
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−1−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−メチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(II)1,3−ブタジエン、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジクロリド、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジメチル、
(8−ジフルオロメチレン−1,8−ジヒドロジベンゾ[e,h]アズレン−2−イル)−N−(1,1−ジメチルエチル)ジメチルシランアミドチタン(IV)ジベンジル、およびこれらの混合物、特に、位置異性体の混合物。
Mは、+2、+3または+4形式酸化状態のチタンであり;
Tは、−NR9−または−O−であり;
R9は、水素を数に入れずに原子数10以下のヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ジヒドロカルビルボリルまたはハロヒドロカルビルであり;
R10は、各存在、独立して、水素、ヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、トリヒドロカルビルシリルヒドロカルビル、ゲルミル、ハライド、ヒドロカルビルオキシ、ヒドロカルビルシロキシ、ヒドロカルビルシリルアミノ、ジ(ヒドロカルビル)アミノ、ヒドロカルビレンアミノ、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ、ヒドロカルビレン−ホスフィノ、ヒドロカルビルスルフィド、ハロ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ置換ヒドロカルビル、シリル置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシロキシ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビルシリルアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)アミノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンアミノ置換ヒドロカルビル、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィノ置換ヒドロカルビル、ヒドロカルビレンスルフィノ置換ヒドロカルビルまたはヒドロカルビルスルフィド置換ヒドロカルビルであり、前記R10は、水素原子を数に入れずに40個までの原子を有し、ならびに場合によっては2個またはそれ以上の隣接する上述のR10基が一緒に二価の誘導体を形成し、それによって飽和または不飽和縮合環を形成し得;
Xaは、非局在性π電子がない二価の部分であるか、1つのσ−結合と、Mへの配位−共有結合を形成することができる中性2電子対とを含むような部分であり、前記X’は、ホウ素、または元素の周期表の14族の構成員を含み、ならびに窒素、リン、硫黄もしくは酸素も含み;
Xは、非局在性π電子によってMに結合している環状配位基である類の配位子を除く、60個までの原子を有する一価のアニオン性配位基であるか、または2個のX基が一緒に二価の配位基を形成し;
Zは、各存在、独立して、20個までの原子を有する中性配位化合物であり;
xは、0、1、2または3であり;ならびに
zは、0または1である。
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジメチル−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(III)2−(N,N−ジメチルアミノ)ベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジクロリド、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジメチル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ジベンジル、
(シクロヘキシルアミド)ジ(p−メチルフェニル)−[6,7]ベンゾ−[4,5:2’,3’](1−メチルイソインドール)−(3H)−インデン−2−イル)シランチタン(IV)ビス(トリメチルシリル)。
(t−ブチルアミド)(1,1−ジメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(1,1,2,3−テトラメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジベンジル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−インデニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)2−(ジメチルアミノ)ベンジル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)アリル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(III)2,4−ジメチルペンタジエニル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)2,4−ヘキサジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)(2,3−ジメチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)(2−メチルインデニル)ジメチルシランチタン(IV)ジベンジル、
(t−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)(2−メチル−4−フェニルインデニル)ジメチルシランチタン(II)2,4−ヘキサジエン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)2,3−ジメチル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(IV)イソプレン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)2,4−ヘキサジエン、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン(II)3−メチル−1,3−ペンタジエン、
(t−ブチルアミド)(2,4−ジメチルペンタジエン−3−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(6,6−ジメチルシクロヘキサジエニル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(1,1−ジメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレン−4−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(1,1,2,3−テトラメチル−2,3,4,9,10−η−1,4,5,6,7,8−ヘキサヒドロナフタレン−4−イル)ジメチルシランチタンジメチル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(IV)ジメチル、
(t−ブチルアミド)(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニルメチルフェニルシランチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、
1−(t−ブチルアミド)−2−(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)エタンジイルチタン(IV)ジメチル、および
1−(t−ブチルアミド)−2−(テトラメチル−η5−シクロペンタジエニル)エタンジイルチタン(II)1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン。
Tbは、架橋基、好ましくは、水素以外に2個またはそれ以上の原子を有する架橋基であり;
XbおよびYbは、各々独立して、窒素、硫黄、酸素およびリンから成る群より選択され、より好ましくは、XbおよびYbは、両方とも窒素であり;
RbおよびRb'は、各存在、独立して、水素であるか、1個もしくはそれ以上のヘテロ原子を場合によっては含有するC1〜50ヒドロカルビル基またはそれらの不活性置換誘導体である。適するRbおよびRb'基の非限定的な例としては、アルキル、アルケニル、アリール、アラルキル、(ポリ)アルキルアリールおよびシクロアルキル基、ならびにそれらの窒素、リン、酸素およびハロゲン置換誘導体が挙げられる。適するRbおよびRb'基の具体的な例としては、メチル、エチル、イソプロピル、オクチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、2,6−ジ(イソプロピル)フェニル、2,4,6−トリメチルフェニル、ペンタフルオロフェニル、3,5−トリフルオロメチルフェニルおよびベンジルが挙げられる;
gは、0または1である;
Mbは、元素の周期表の3〜15族またはランタン系列から選択される。好ましくは、Mbは、3〜13族金属であり、より好ましくは、Mbは、4〜10族金属である;
Lbは、水素を数に入れずに1から50個の原子を含有する、一価、二価または三価のアニオン性配位子である。適するLb基の例としては、ハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、ジ(ヒドロカルビル)アミド、ヒドロカルビレンアミド、ジ(ヒドロカルビル)ホスフィド、ヒドロカルビルスルフィド、ヒドロカルビルオキシ、トリ(ヒドロカルビルシリル)アルキルおよびカルボキシレートが挙げられる。より好ましいLb基は、C1〜20アルキル、C7〜20アラルキルおよびクロリドである;
hは、1から6、好ましくは1から4、より好ましくは1から3の整数であり、およびJは、1または2であり、hxjの値は、電荷バランスをもたらすように選択される;
Zbは、Mbに配位している中性配位基であり、および水素を数に入れずに50個までの原子を含有する。好ましいZb基としては、脂肪族アミンおよび芳香族アミン、ホスフィンおよびエーテル、アルケン、アルカジエンならびにこれらの不活性置換誘導体が挙げられる。適する不活性置換基としては、ハロゲン、アルコキシ、アリールオキシ、アルコキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、ジ(ヒドロカルビル)アミン、トリ(ヒドロカルビル)シリル、およびニトリル基が挙げられる。好ましいZb基としては、トリフェニルホスフィン、テトラヒドロフラン、ピリジンおよび1,4−ジフェニルブタジエンが挙げられる;
fは、1から3の整数である;
Tb、RbおよびRb'のうちの2つまたは3つが互いに連結して単環構造または多環構造を形成することがある;
hは、1から6、好ましくは1から4、より好ましくは1から3の整数であり;
各Rdは、C1〜10ヒドロカルビル基、好ましくは、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、ベンジルまたはトリルである。各Reは、C1〜10ヒドロカルビル、好ましくは、メチル、エチル、n−プロピル、i−プロピル、t−ブチル、フェニル、2,6−ジメチルフェニル、ベンジルまたはトリルである。さらに、2個もしくはそれ以上のRdもしくはRe基、またはRd基とRe基の混合物は、一緒に、ヒドロカルビル基の多価誘導体、例えば、1,4−ブチレン、1,5−ペンチレンまたは多環式縮合環、多価ヒドロカルビル基もしくはヘテロヒドロカルビル基、例えばナフタレン−1,8−ジイル、を形成することがある。
Rd'は、各存在、水素と、1つもしくはそれ以上のヘテロ原子を場合によっては含有するC1〜50ヒドロカルビル基またはそれらの不活性置換誘導体とから成る群より独立して選択されるか、または必要に応じて2個の隣接するRd'基は一緒に二価の架橋基を形成することがあり;
d’は、4であり;
Mb'は、4族金属、好ましくはチタンもしくはハフニウム、または10族金属、好ましくはNiもしくはPdであり;
Lb'は、水素を数に入れずに原子数50以下の一価の配位子、好ましくは、ハライドもしくはヒドロカルビルであるか、または2個のLb'基が一緒に、二価もしくは中性の配位基、好ましくは、C2〜50ヒドロカルビレン基、ヒドロカルバジイル基もしくはジエン基となる。
R11は、水素を数に入れずに1から30個の原子を含有するアルキル、シクロアルキル、ヘテロアルキル、シクロへテロアルキル、アリール、およびそれらの不活性置換誘導体、またはそれらの二価誘導体であり;
T1は、水素以外の原子数が1から41、好ましくは、水素以外の原子数が1から20の二価架橋基、および最も好ましくは、モノヒドロカルビル置換もしくはジC1〜20ヒドロカルビル置換のメチレン基もしくはシラン基であり;ならびに
R12は、ルイス塩基官能基を含有するC5〜20ヘテロアリール基、特に、ピリジン−2−イル基もしくは置換ピリジン−2−イル基またはそれらの二価誘導体であり;
M1は、4族金属、好ましくはハフニウムであり;
X1は、アニオン性、中性またはジアニオン性配位基であり;
x’は、前記X1基の数を示す0から5の数であり;ならびに
結合、任意の結合および電子供与性相互作用は、それぞれ、線、点線および矢印で表されている。
M1、X1、x’、R11およびT1は、前に定義したとおりであり;
R13、R14、R15およびR16は、水素、ハロ、または水素を数に入れずに原子数20以下のアルキル基、シクロアルキル基、ヘテロアルキル基、ヘテロシクロアルキル基、アリール基もしくはシリル基であるか、隣接するR13基、R14基、R15基またはR16基が互いに連結し、その結果、縮合環誘導体を形成し;そして
結合、任意の結合および電子供与性相互作用は、それぞれ、線、点線および矢印で表されている。
M1、X1およびx’は、前に定義したとおりであり;
R13、R14、R15およびR16は、前に定義したとおりであり、好ましくは、R13、R14およびR15は、水素またはC1〜4アルキルであり、R16は、C6〜20アリール、最も好ましくはナフタレニルであり;
Raは、各存在、独立して、C1〜4アルキルであり、aは、1〜5であり、最も好ましくは、窒素に対して2つのオルト位にあるRaが、イソプロピルまたはt−ブチルであり;
R17およびR18は、各存在、独立して、水素、ハロゲン、またはC1〜20アルキル基もしくはC1〜20アリール基であり、最も好ましくは、R17およびR18のうちの一方が、水素であり、他方が、C6〜20アリール基、特に、2−イソプロピル基、フェニル基または縮合多環式アリール基、最も好ましくは、アントラセニル基であり;そして
結合、任意の結合および電子供与性相互作用は、それぞれ、線、点線および矢印で表されている。
X1は、各存在、ハライド、N,N−ジメチルアミノまたはC1〜4アルキルであり、好ましくは、各存在X1はメチルであり;
Rfは、各存在が独立して、水素、ハロゲン、C1〜20アルキルもしくはC6〜20アリールであるか、または2個の隣接するRfが互いに連結し、それによって環を形成し、そしてfは1〜5であり;そして
Rcは、各存在が独立して、水素、ハロゲン、C1〜20アルキルもしくはC6〜20アリールであるか、または2個の隣接するRcが互いに連結し、それによって環を形成し、そしてcは1〜5である。
Rxは、C1〜4アルキルまたはシクロアルキル、好ましくは、メチル、イソプロピル、t−ブチルまたはシクロヘキシルであり;そして
X1は、各存在、ハライド、N,N−ジメチルアミドまたはC1〜4アルキル、好ましくはメチルである。
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(o−トリル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(2−イソプロピルフェニル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジメチル;
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジ(N,N−ジメチルアミド);および
[N−(2,6−ジ(1−メチルエチル)フェニル)アミド)(フェナントレン−5−イル)(α−ナフタレン−2−ジイル(6−ピリジン−2−ジイル)メタン)]ハフニウムジクロリド。
R20は、水素を数に入れずに5から20個の原子を含有する芳香族基または不活性置換芳香族基、またはそれらの多価誘導体であり;
T3は、水素を数に入れずに1から20個の原子を有するヒドロカルビレン基もしくはシラン基、またはそれらの不活性置換誘導体であり;
M3は、4族金属、好ましくは、ジルコニウムまたはハフニウムであり;
Gは、アニオン性、中性またはジアニオン性配位基、好ましくは、水素を数に入れずに20個までの原子を有するハライド基、ヒドロカルビル基またはジヒドロカルビルアミド基であり;
gは、前記Gの数を示す1から5の数であり;ならびに
結合および電子供与性相互作用は、それぞれ、線および矢印によって表されている。
T3は、水素を数に入れずに原子数2から20の二価の架橋基、好ましくは置換または非置換C3〜6アルキレン基であり;
Ar2は、各存在が独立して、水素を数に入れずに原子数6から20のアリーレン基またはアルキル置換アリーレン基もしくはアリール置換アリーレン基であり;
M3は、4族金属、好ましくはハフニウムまたはジルコニウムであり;
Gは、各存在が独立して、アニオン性、中性またはジアニオン性配位基であり;
gは、前記Xの数を示す1から5の数であり;そして
電子供与性相互作用は、矢印によって表されている。
M3は、HfまたはZrであり;
Ar4は、C6〜20アリールまたはそれらの不活性置換誘導体、特に、3,5−ジ(イソプロピル)フェニル、3,5−ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ−1H−ピロール−1−イル、またはアントラセン−5−イルであり;そして
T4は、各存在が独立して、C3〜6アルキレン基、C3〜6シクロアルキレン基、またはそれらの不活性置換誘導体を含み;
R21は、各存在、独立して、水素、ハロ、水素を数に入れずに原子数50以下のヒドロカルビル、トリヒドロカルビルシリル、またはトリヒドロカルビルシリルヒドロカルビルであり;そして
Gは、各存在、独立して、ハロ基であるか、水素を数に入れずに原子数20以下のヒドロカルビル基もしくはトリヒドロカルビルシリル基であるか、または2個のG基が一緒になって、前述のヒドロカルビルまたはトリヒドロカルビルシリル基の二価誘導体となる。
Ar4は、3,5−ジ(イソプロピル)フェニル、3,5−ジ(イソブチル)フェニル、ジベンゾ−1H−ピロール−1−イルまたはアントラセン−5−イルであり;
R21は、水素、ハロまたはC1〜4アルキル、特にメチルであり;
T4は、プロパン−1,3−ジイルまたはブタン−1,4−ジイルであり;および
Gは、クロロ、メチルまたはベンジルである。
M2は、元素の周期表の4〜10族の金属、好ましくは4族金属、Ni(II)またはPd(II)、最も好ましくはジルコニウムであり;
T2は、窒素、酸素またはリン含有基であり;
X2は、ハロ、ヒドロカルビルまたはヒドロカルビルオキシであり;
tは、1または2であり;
x”は、電荷バランスをもたらすように選択された数であり;そして
T2とNは、架橋配位子によって連結している。
M2、X2およびT2は、前に定義したとおりであり;
Rdは、各存在、独立して、水素、ハロゲンまたはReであり;ならびに
Reは、各存在、独立して、C1〜20ヒドロカルビルまたはそれらのヘテロ原子置換誘導体、特にF、N、SもしくはP置換誘導体、より好ましくは、C1〜10ヒドロカルビルまたはそれらのFもしくはN置換誘導体、最も好ましくは、アルキル、ジアルキルアミノアルキル、ピロリル、ピペリデニル、過フルオロフェニル、シクロアルキル、(ポリ)アルキルアリールまたはアラルキルである。
に対応する、ジルコニウムの芳香族ジオキシイミン錯体であり、これらの式中、
X2は、前に定義したとおりであり、好ましくは、C1〜10ヒドロカルビル、最も好ましくはメチルまたはベンジルであり;そして
Re’は、メチル、イソプロピル、t−ブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル、2−メチルシクロヘキシル、2,4−ジメチルシクロヘキシル、2−ピロリル、N−メチル−2−ピロリル、2−ピペリデニル、N−メチル−2−ピペリデニル、ベンジル、o−トリル、2,6−ジメチルフェニル、過フルオロフェニル、2,6−ジ(イソプロピル)フェニルまたは2,4,6−トリメチルフェニルである。
[(Rf)3−P=N]fM(K2)(Rf)3-f
に対応し、式中、
Rfは、一価の配位子であるか、または2個のRfが一緒になって二価の配位子となり、好ましくは、Rfは、水素またはC1〜4アルキルであり;
Mは、4族金属であり;
K2は、そのK2をMに結合する非局在性π電子を含有する基であり、前記K2基は、水素を数に入れずに50個までの原子を含有し、そして
fは1または2である。
M’は、4〜13族の金属、好ましくは8〜10族の金属、最も好ましくはNiまたはPdであり;
RA、RBおよびRCは、一価または中性の置換基であり、これらは、互いに連結して1つまたはそれ以上の二価置換基を形成することもあり;そして
cは、その金属錯体の電荷のバランスをとるように選択される数である。
共触媒、好ましくはカチオン形成性共触媒、強ルイス酸またはこれらの組み合わせとの併用により、金属錯体触媒(A)および(B)(本明細書では、同義で、プロ触媒とも呼ぶ)の各々を活性化して、活性触媒組成物を形成することができる。好ましい実施形態において、可逆的連鎖移動剤は、可逆的連鎖移動のためにも、その触媒組成物の共触媒成分としても利用される。
(L*−H)g +(A)g-
によって表すことができ、式中、
L*は、中性ルイス塩基であり;
(L*−H)+は、L*の共役ブレンステッド酸であり;
Ag-は、g-の電荷を有する非配位性相溶性アニオンであり;そして
gは1から3の整数である。
M’は、+3形式酸化状態のホウ素またはアルミニウムであり;そして
Qは、各存在が独立して、ヒドリド、ジアルキルアミノ、ハライド、ヒドロカルビル、ヒドロカルビルオキシ、ハロ置換ヒドロカルビル、ハロ置換ヒドロカルビルオキシおよびハロ置換シリルヒドロカルビルラジカル(過ハロゲン化ヒドロカルビルラジカル、過ハロゲン化ヒドロカルビルオキシラジカルおよび過ハロゲン化シリルヒドロカルビルラジカルが挙げられる)から選択され、前記Qは、20個までの炭素を有するが、但し、Qハライドが1つより多く存在しないことを条件とする。適するヒドロカルビルオキシQ基の例は、米国特許公開第5,296,433号に開示されている。
(L*−H)+(BQ4)-
によって表すことができ、式中、
L*は、前に定義したとおりであり;
Bは、3の形式酸化状態のホウ素であり;および
Qは、非水素原子数20以下の、ヒドロカルビル基、ヒドロカルビルオキシ基、フッ化ヒドロカルビル基、フッ化ヒドロカルビルオキシ基またはフッ化シリルヒドロカルビル基であるが、但し、Qヒドロカルビルである機会は、1回より多くないことを条件とする。
三置換アンモニウム塩、例えば、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリメチルアンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリエチルアンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリプロピルアンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリ(n−ブチル)アンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリ(s−ブチル)アンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルアニリニウム、
n−ブチルトリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルアニリニウム、
ベンジルトリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルアニリニウム、
テトラキス(4−(t−ブチルジメチルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルアニリニウム、
テトラキス(4−(トリスイソプロピルシリル)−2,3,5,6−テトラフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルアニリニウム、
ペンタフルオロフェノキシトリス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチルアニリニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジエチルアニリニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸N,N−ジメチル−2,4,6−トリメチルアニリニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジメチルオクタデシルアンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチルジオクタデシルアンモニウム;
ジアルキルアンモニウム塩、例えば、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジ(i−プロピル)アンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチルオクタデシルアンモニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチルオクタドデシルアンモニウム、および
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジオクタデシルアンモニウム;
三置換ホスホニウム塩、例えば、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリフェニルホスホニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチルジオクタデシルホスホニウム、および
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸トリ(2,6−ジメチルフェニル)ホスホニウム;
二置換オキソニウム塩、例えば、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジフェニルオキソニウム、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジ(o−トリル)オキソニウム、および
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジ(オクタデシル)オキソニウム;
二置換スルホニウム塩、例えば、
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸ジ(o−トリル)スルホニウム、および
テトラキス(ペンタフルオロフェニル)ホウ酸メチルオクタデシルスルホニウム
である。
(Oxh+)g(Ag-)h
によって表される、カチオン性酸化剤と非配位性相溶性アニオンとの塩が挙げられ、式中、
Oxh+は、h+の電荷を有するカチオン性酸化剤であり;
hは、1から3の整数であり;そして
Ag-およびgは、前に定義したとおりである。
[C]+A-
によって表される、カルベニウムイオンと非配位性相溶性アニオンとの塩である化合物を含み、式中、
[C]+は、C1〜20カルベニウムイオンであり;および
A-は、−1の電荷を有する非配位性、相溶性アニオンである。好ましいカルベニウムイオンは、トリチルカチオン、すなわちトリフェニルメチリウムである。
(Q1 3Si)+A-
によって表される、シリリウムイオンと非配位性、相溶性アニオンとの塩である化合物を含み、式中、Q1は、C1〜10ヒドロカルビルであり、そしてA-は、前に定義したとおりである。
A*+は、カチオン、特に、プロトン含有カチオン、好ましくは、1個または2個のC10〜40アルキル基を含有するトリヒドロカルビルアンモニウムカチオン、特に、メチルジ(C14〜20アルキル)アンモニウムカチオンであり;
Q3は、各存在、独立して、水素、または水素を数に入れずに原子数30以下のハロ基、ヒドロカルビル基、ハロカルビル基、ハロヒドロカルビル基、シリルヒドロカルビル基またはシリル(モノ−、ジ−およびトリ(ヒドロカルビル)シリルを含む)基、好ましくはC1〜20アルキルであり;そして
Q2は、トリス(ペンタフルオロフェニル)ボランまたはトリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン(alumane))である。
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)ボラン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ウンデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−2−ヘプタデシルイミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ウンデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−4,5−ビス(ヘプタデシル)イミダゾリニド、
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ジメチルベンズイミダゾリド、および
ビス(トリス(ペンタフルオロフェニル)アルマン)−5,6−ビス(ウンデシル)ベンズイミダゾリド。
本プロセスを利用すると、立体規則性が異なる多数のブロックまたはセグメントを有する新規なポリマー、特に、プロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜20α−オレフィンコモノマーのマルチブロックコポリマーが、容易に製造される。非常に望ましくは、前記ポリマーは、重合形態のプロピレンまたは4−メチル−1−ペンテンを含む共重合体である。
本発明のポリマーは、キャストコーティング、吹付けコーティング、カレンダーコーティングまたは押出コーティングプロセスによって製造される、少なくとも1つのフィルム層(例えば単層フィルム)または多層フィルム中の少なくとも1つの層を含む物;成形品(例えば、ブロー成形品、射出成形品または回転成形品);押出品;繊維;および織布または不織布をはじめとする有用な物品を製造するための種々の従来的熱可塑性物質加工プロセスにおいて有効に利用することができる。本発明のポリマーを含む熱可塑性組成物は、他の天然または合成ポリマー、添加物、強化剤、耐燃性添加物、酸化防止剤、安定剤、着色剤、増量材、架橋剤、発泡剤、および可塑剤とのブレンドを含む。本発明の1つまたはそれ以上のポリマーを少なくとも一部分含む外面層を有する多成分繊維(例えばコア/シース型繊維)は、特に有用である。
特徴を示す上述の開示および後続の実施例において、次の分析法を利用することができる:
DSC
示差走査熱分析の結果は、RCS冷却用具およびオートサンプラーを装備したTAI model Q1000 DSCを使用して決定することができる。50mL/分の窒素パージガスフローを使用する。サンプルを薄膜にプレスし、175℃のプレス内で溶融し、次に、室温(25℃)に空気冷却する。次に、3〜10mgの材料を直径6mmのディスクに切断し、正確に計量し、軽い(約50mg)アルミニウム皿の中に置き、次に、折り曲げて閉じる。サンプルの熱挙動を以下の温度プロフィールで調査する。サンプルを急速に180℃に加熱し、3分間、恒温に保持して、一切の前の熱履歴を除去する。次に、サンプルを10℃/分の冷却速度で−40℃に冷却し、3分間、−40℃で維持する。次に、そのサンプルを10℃/分の加熱速度で150℃に加熱する。冷却および二番目の加熱曲線を記録する。
耐摩耗性は、ISO 4649に従って圧縮成形プラークを用いて測定する。3回の測定の平均値を記録する。この試験用のプラークは、6.4mm厚であり、ホットプレス(Carver Model #4095−4PR1001R)を使用して圧縮成形したものである。それらのペレットをポリテトラフルオロエチレンシートの間に置き、190℃、55psi(380kPa)で3分間、続いて1.3MPaで3分間、次に、2.6MPaで3分間、加熱する。次に、冷水を流しながら1.3MPaで1分間そのプレスの中でそれらのプラークを冷却し、試験のために取り出す。
ゲル浸透クロマトグラフシステムは、Polymer Laboratories Model PL−210装置またはPolymer Laboratories Model PL−220装置のいずれかから成る。カラム区画およびカルーセル区画を140℃で操作する。3つのPolymer Laboratories 10−micron Mixed−Bカラムを使用する。溶媒は、1,2,4−トリクロロベンゼンである。サンプルを、200ppmのブチル化ヒドロキシトルエン(BHT)を含有する50ミリリットルの溶媒中、0.1グラムのポリマーの濃度で調製する。160℃で2時間、軽く攪拌することにより、サンプルを調製する。使用する注入量は100マイクロリットルであり、流量は1.0mL/分である。
圧縮永久ひずみは、ASTM D 395に従って測定する。12.7mmの総厚が達成されるまで、3.2mm、2.0mmおよび0.25mm厚の直径25.4mm円形ディスクを積み重ねることによってサンプルを作製する。これらのディスクは、次の条件下でホットプレスで成形した12.7cmx12.7cmの圧縮成形プラークからを切り出す:190℃で3分間、圧力ゼロ、続いて190℃で2分間86MPa、続いてプレスの内部で冷水を流しながら86MPaで冷却。
密度測定用のサンプルは、ASTM D 1928に従って作製する。ASTM D792、方法Bを用いて1時間以内のサンプル加圧で測定を行う。
ASTM D 1928を用いてサンプルを圧縮成形する。ASTM D−790に従って曲げ弾性率および2パーセント割線弾性率を測定する。ASTM D 5026−01または同等の技法に従って貯蔵弾性率を測定する。
ホットプレス(Carver Model #4095−4PR1001R)を使用して、0.4mm厚のフィルムを圧縮成形する。それらのペレットをポリテトラフルオロエチレンシートの間に置き、190℃、55psi(380kPa)で3分間、続いて1.3MPaで3分間、次に、2.6MPaで3分間、加熱する。次に、冷水を流しながら1.3MPaで1分間そのプレスの中でそれらのフィルムを冷却する。それらの圧縮成形フィルムを、光学測定、引張挙動、回復および応力緩和のために使用する。
メルトインデックス(すなわちI2)は、ASTM D 1238、条件190℃/2.16kgに従って測定する。また、ASTM D 1238、条件190℃/10kgに従って、メルトインデックス(すなわちI10)も測定する。
米国特許第4,798,081号に記載の方法に従って、分析的昇温溶離分別(ATREF)分析を行う。分析すべき組成物を、トリクロロベンゼンに溶解し、不活性支持体(ステンレス鋼ショット)が入っているカラムの中で、0.1℃/分の冷却速度で温度を20℃にゆっくりと低下させることにより結晶させる。このカラムには、赤外線検出器が装備されている。次に、1.5℃/分の速度で溶離溶媒(トリクロロベンゼン)の温度を20℃から120℃にゆっくりと上昇させることにより、そのカラムからその結晶したポリマーサンプルを溶出させることによって、ATREFクロマトグラム曲線を作成する。
10mm NMR管の中で、テトラクロロエタン−d2/オルトジクロロベンゼンの50/50混合物(約3g)をサンプル(0.4g)に添加することにより、サンプルを調製する。その管およびその内容物を150℃に加熱することにより、それらのサンプルを溶解し、均質化する。JEOL Eclipse(商標)400MHzスペクトロメータまたはVarian Unity Plus(商標)400MHzスペクトロメータを使用して、100.5MHzの13C共鳴振動数に対応するデータを収集する。データファイル当たり4000の減衰シグナルを用いて6秒のパルス繰り返し時間遅延でデータをとる。定量分析のため最小の信号対雑音を達成するために、複数のデータファイルを互いに加える。スペクトル幅は、32Kデータポイントの最小ファイルサイズで25,000Hzである。130℃、10mm 広帯域プローブで、サンプルを分析する。Randallのトライアッド法(Randall, J. C.; JMS-Rev. Macromol. Chem. Phys., C29, 201-317 (1989))を用いて、コモノマーの組み込みについて判定する。
本発明の以下の実施形態およびそれらの組み合わせは、添付の特許請求の範囲のための詳細な開示を提供するために特に望ましいものであり、ここにそれらを詳述する。
(実施形態1)
(A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物の存在下で、プロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜30α−オレフィンを重合することにより形成されるコポリマー。
(実施形態2)
(A)重合条件下で1つまたはそれ以上のC3〜30α−オレフィンのタクチックポリマーを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーの95パーセント未満、好ましくは90パーセント未満、より好ましくは75パーセント未満および最も好ましくは50パーセント未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物の存在下で、プロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜30α−オレフィンと共重合可能コモノマーとを重合させることにより形成されるコポリマー。
(実施形態3)
(A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物と、プロピレンとを付加重合条件下で接触させることを含む、プロピレン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。
(実施形態4)
(A)重合条件下でタクチックポリプロピレンを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーの95パーセント未満、好ましくは90パーセント未満、より好ましくは75パーセント未満および最も好ましくは50パーセント未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物と、プロピレンとを付加重合条件下で接触させることを含む、プロピレン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。
(実施形態5)
(A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物と、4−メチル−1−ペンテンとを付加重合条件下で接触させることを含む、4−メチル−1−ペンテン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。
(実施形態6)
(A)重合条件下でタクチック4−メチル−1−ペンテンホモポリマーを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーの95パーセント未満、好ましくは90パーセント未満、より好ましくは75パーセント未満および最も好ましくは50パーセント未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物と、4−メチル−1−ペンテンとを付加重合条件下で接触させることを含む、4−メチル−1−ペンテン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。
(実施形態7)
重合形態のプロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜8α−オレフィンを含むマルチブロックコポリマーであって、立体規則性の異なる2つまたはそれ以上、好ましくは3つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有し、3.0未満、より好ましくは2.8未満の分子量分布Mw/Mnを有するコポリマー。
(実施形態8)
重合形態のプロピレンから基本的に成るマルチブロックコポリマーであって、立体規則性の異なる2つまたはそれ以上、好ましくは3つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有し、3.0未満、より好ましくは2.8未満の分子量分布Mw/Mnを有するコポリマー。
(実施形態9)
重合形態の4−メチル−1−ペンテンから基本的に成るマルチブロックコポリマーであって、立体規則性の異なる2つまたはそれ以上、好ましくは3つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有し、3.0未満、より好ましくは2.8未満の分子量分布Mw/Mnを有するコポリマー。
(実施形態10)
立体規則性の異なる4つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有する、実施形態5〜9のいずれか1つに記載のマルチブロックコポリマー。
(実施形態11)
実施形態1、2、5〜9のいずれか1つに記載のマルチブロックコポリマーまたは実施形態3もしくは4に記載のプロセスによって製造されたマルチブロックコポリマーの官能性誘導体。
(実施形態12)
実施形態10に記載のマルチブロックコポリマーの官能性誘導体。
(実施形態13)
(1)有機または無機ポリマー、好ましくはプロピレンもしくはエチレンのホモポリマーおよび/またはエチレンと共重合性コモノマーのコポリマーと、(2)実施形態1、2、5〜9のいずれか1つに記載のマルチブロックコポリマーまたは実施形態3もしくは4に記載のプロセスによって製造されたマルチブロックコポリマーとを含む、均一ポリマー混合物。
(実施形態14)
フィルム、多層フィルムの少なくとも1つの層、積層品の少なくとも1つの層、発泡体、繊維、不織布、射出成形品、ブロー成形品または回転成形品の形態の、実施形態1、2、5〜9のいずれか1つに記載のポリマーまたは実施形態3もしくは4に記載のプロセスによって製造されたポリマー、あるいはそれを含む組成物。
(実施形態15)
フィルム、多層フィルムの少なくとも1つの層、積層品の少なくとも1つの層、発泡体、繊維、不織布、射出成形品、ブロー成形品もしくは回転成形品の形態の、実施形態12に記載のポリマー、またはそれを含む組成物。
(実施形態16)
フィルム、多層フィルムの少なくとも1つの層、積層品の少なくとも1つの層、発泡体、繊維、不織布、射出成形品、ブロー成形品もしくは回転成形品の形態の、実施形態13に記載のポリマー混合物、またはそれを含む組成物。
(実施形態17)
前記可逆的連鎖移動剤が、各ヒドロカルビル基に1から12個の炭素を含有するトリヒドロカルビルアルミニウム化合物またはジヒドロカルビル亜鉛化合物である、実施形態1または2に記載のコポリマー。
(実施形態18)
前記可逆的連鎖移動剤が、トリエチルアルミニウムまたはジエチル亜鉛である、実施形態17に記載のコポリマー。
(実施形態19)
連続プロセスである、実施形態3または4に記載のプロセス。
(実施形態20)
溶液プロセスである、実施形態19に記載のプロセス。
(実施形態21)
プロピレンが、重合される唯一のモノマーである、実施形態20に記載のプロセス。
以下の実施例は、本発明のさらなる実例として提供するものであり、限定と解釈すべきではない。用語「一晩」は、使用されている場合、約16〜18時間の時間を指し、用語「室温」は、20〜25℃の温度を指し、用語「混合アルカン」は、Exxon Mobil Chemicals Inc.から商品名Isopar E(登録商標)で販売されているC6〜9脂肪族炭化水素の市販混合物をいう。本明細書における化合物名が、その構造図に従わない場合、その構造図が、支配することになる。全ての金属錯体の合成および全てのスクリーニング実験の準備は、ドライボックス法を用いて乾燥窒素雰囲気下で行った。使用した全ての溶媒は、HPLCグレードであり、使用前に乾燥させた。
可逆的移動剤 利用した可逆的移動剤としては、ジエチル亜鉛(DEZ)およびトリオクチルアルミニウム(TOA)が挙げられる。
重合は、Symyx technologies,Inc.から販売されているハイスループット並列式重合反応装置(PPR)を使用して行い、米国特許第6,248,540号、同第6,030,917号、同第6,362,309号、同第6,306,658号および同第6,316,663号に従って運転する。重合は、使用する全触媒を基準にして1.2当量(MMAOが存在する場合には1.1当量)の共触媒1を使用して、120℃で行う。一連の重合は、事前に計量したガラス管が取り付けられている48の個々の反応装置セルを6×8配列で備えている並列式耐圧反応装置(PPR)で行う。各反応装置セルの作業容量は、6000μLである。各セルは、個々の攪拌パドルによってもたらされる攪拌により、温度制御および圧力制御される。モノマーガスおよびクエンチガスを、PPRユニットに直接配管して、自動バルブにより制御する。液体試薬を、注入器で各反応装置セルにロボット制御により添加し、またそのレザバー溶媒は、混合アルカンである。添加順序は、混合アルカン溶媒(4mL)、モノマー、共触媒、可逆的移動剤、そして触媒である。COでの反応停止後、反応装置を冷却し、ガラス管を取り出す。それらの管を遠心/真空乾燥ユニットに移し、12時間、60℃で乾燥させる。乾燥されたポリマーを収容しているそれらの管を計量し、この重量と風袋重量との差によりポリマーの正味の収量を得る。
ガラスバイアル装着部を有する6mL反応器に混合アルカン(3.454mL)を充填し、次に、プロピレンで90psi(0.63MPa)に加圧する。触媒1(トルエン中1.23mM、0.148mL、1.82μmol)およびMMAO(トルエン中51mM、0.148mL、7.6μmol)を注射器により順次添加する。触媒A1(トルエン中0.15mM、0.10mL、15nmol)とB1(トルエン中10mM、0.15mL、1.5μmol)の混合物を注射器により添加する。可逆的移動剤は用いない。500秒後、COの添加により反応を停止させる。ガラス装着部を取り外し、真空下で揮発成分を除去する。GPCは、PDI>2.0を示す。
ガラスバイアル装着部を有する6mL反応器に混合アルカン(3.454mL)を充填し、次に、プロピレンで90psi(0.63MPa)に加圧する。触媒1(トルエン中1.2mM、0.148mL、1.8μmol)およびMMAO(トルエン中51mM、0.148mL、7.6μmol)を注射器により順次添加する。触媒A1(トルエン中0.15mM、0.10mL、15nmol)とB2(トルエン中10mM、0.15mL、1.5μmol)の混合物を注射器により添加する。850秒後、COの添加により反応を停止させる。GPCは、PDI>2.0を示す。
内部スターラーを装備したコンピューター制御オートクレーブ反応装置において連続溶液重合を行う。精製混合アルカン溶媒(Exxon Mobil,Inc.から入手できるIsopar(商標)E)、プロピレンおよび(用いる場合には)水素を、温度制御のためのジャケットと内部熱電対を装備した3.8L反応装置に供給する。反応装置に供給する溶媒を、マスフローコントローラーによって測定する。変速ダイヤフラムポンプにより、反応装置に対する溶媒流量および圧力を制御する。そのポンプの排出の際に、側流を使って、触媒および共触媒1注入ラインならびに反応装置攪拌機のためのフラッシュフローをもたらす。これらのフローは、Mico−Motionマスフローメーターによって測定し、ならびに制御バルブによってまたはニードルバルブの手動調節によって制御する。残りの溶媒をプロピレンおよび(用いる場合には)水素と併せ、反応装置に供給する。必要に応じて、マスフローコントローラーを使用して反応装置に水素を供給する。溶媒/モノマー溶液の温度は、反応装置に入る前に熱交換器の使用により調節する。反応装置の温度は、所望の温度、代表的には70〜140℃で維持する。この流れを、反応装置の底部に入れる。ポンプおよびマスフローメーターを使用して触媒成分溶液を測定し、触媒フラッシュ溶媒と併せ、反応装置の底部に導入する。その反応装置を、満液で、激しく攪拌しながら、500psig(3.45MPa)でランする。生成物を、その反応装置の頂部の出口ラインから取り出す。その反応装置からの全ての出口ラインは、蒸気トレースおよび絶縁が施されている。任意の安定剤および他の添加物とともにその出口ラインに沿って少量の水を添加し、それらの混合物をスタティックミキサーに通すことによって、重合を停止させる。次に、その生成物の流れを熱交換器に通すことによって加熱した後、揮発物除去する。揮発物除去押出機および水冷式ペレタイザーを使用する押出により、ポリマー生成物を回収する。
Claims (21)
- (A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物の存在下でプロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜8α−オレフィンを重合することにより形成されるコポリマー。 - (A)重合条件下で1つまたはそれ以上のC3〜30α−オレフィンのタクチックポリマーを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)により形成されるポリマーの95パーセント未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物の存在下でプロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜8α−オレフィンと共重合可能コモノマーとを重合させることにより形成されるコポリマー。 - (A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物とプロピレンとを付加重合条件下で接触させることを含む、プロピレン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。 - (A)重合条件下でタクチックポリプロピレンを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)の95%未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物とプロピレンとを付加重合条件下で接触させることを含む、プロピレン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。 - (A)第一オレフィン重合触媒、
(B)同等の重合条件下で、触媒(A)により製造されるポリマーとは立体規則性が異なるポリマーを製造することができる、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を併せることによって得られる混合物または反応生成物を含む組成物と4−メチル−1−ペンテンとを付加重合条件下で接触させることを含む、4−メチル−1−ペンテン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。 - (A)重合条件下でタクチック4−メチル−1−ペンテンホモポリマーを形成する、第一オレフィン重合触媒、
(B)重合条件下で、触媒(A)の95%未満の立体規則性を有するポリマーを形成する、第二オレフィン重合触媒、および
(C)可逆的連鎖移動剤
を含む組成物と4−メチル−1−ペンテンを付加重合条件下で接触させることを含む、4−メチル−1−ペンテン含有マルチブロックコポリマーの製造プロセス。 - 重合形態のプロピレン、4−メチル−1−ペンテンまたは別のC4〜8α−オレフィンを含むマルチブロックコポリマーであって、立体規則性の異なる2つまたはそれ以上のブロックを含有し、3.0未満の分子量分布Mw/Mnを有する、コポリマー。
- 重合形態のプロピレンから本質的に成るマルチブロックコポリマーであって、立体規則性の異なる2つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有し、3.0未満の分子量分布Mw/Mnを有する、コポリマー。
- 重合形態の4−メチル−1−ペンテンから本質的に成るマルチブロックコポリマーであって、立体規則性の異なる2つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有し、3.0未満の分子量分布Mw/Mnを有する、コポリマー。
- 立体規則性の異なる4つまたはそれ以上のセグメントまたはブロックを含有する、請求項5〜9のいずれか一項に記載のマルチブロックコポリマー。
- 請求項1、2、5〜9のいずれか一項に記載のマルチブロックコポリマーまたは請求項3もしくは4に記載のプロセスによって製造されたマルチブロックコポリマーの官能性誘導体。
- 請求項10に記載のマルチブロックコポリマーの官能性誘導体。
- (1)有機または無機ポリマーと、(2)請求項1、2、5〜9のいずれか一項に記載のマルチブロックコポリマーまたは請求項3もしくは4に記載のプロセスによって製造されたマルチブロックコポリマーとを含む、均一ポリマー混合物。
- フィルム、多層フィルムの少なくとも1つの層、積層品の少なくとも1つの層、発泡体、繊維、不織布、射出成形品、ブロー成形品または回転成形品の形態の、請求項1、2、5〜9のいずれか一項に記載のポリマーまたは請求項3もしくは4に記載のプロセスによって製造されたポリマー、あるいはそれを含む組成物。
- フィルム、多層フィルムの少なくとも1つの層、積層品の少なくとも1つの層、発泡体、繊維、不織布、射出成形品、ブロー成形品もしくは回転成形品の形態の、請求項12に記載のポリマーまたはそれを含む組成物。
- フィルム、多層フィルムの少なくとも1つの層、積層品の少なくとも1つの層、発泡体、繊維、不織布、射出成形品、ブロー成形品もしくは回転成形品の形態の、請求項13に記載のポリマーまたはそれを含む組成物。
- 前記可逆的連鎖移動剤が、各ヒドロカルビル基に1から12個の炭素を含有するトリヒドロカルビルアルミニウム化合物またはジヒドロカルビル亜鉛化合物である、請求項1または2に記載のコポリマー。
- 前記可逆的連鎖移動剤が、トリエチルアルミニウムまたはジエチル亜鉛である、請求項17に記載のコポリマー。
- 連続プロセスである、請求項3または4に記載のプロセス。
- 溶液プロセスである、請求項19に記載のプロセス。
- プロピレンが、重合される唯一のモノマーである、請求項20に記載のプロセス。
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