JP2008532912A5 - - Google Patents

Claims (19)

1. 被覆された炭素粒子の製造法において、電気伝導性の炭素粒子を、反応室中で酸素不含のガス雰囲気における少なくとも１つのガス状のシランからの化学気相堆積により元素状のドープされたまたは非ドープのケイ素で被覆し、その際、電気伝導性の炭素粒子は気相堆積のあいだ常に移動していることを特徴とする、被覆された炭素粒子の製造法。
2. 炭素粒子が、非晶質および／または結晶質のグラファイトの形においてあることを特徴とする、請求項１記載の方法。
3. １０ｎｍ〜４４μｍの平均粒径を有する炭素粒子を使用することを特徴とする、請求項１または２記載の方法。
4. ５〜７００ｍ^２／ｇのＢＥＴ表面積を有する炭素粒子を使用することを特徴とする、請求項１から３までのいずれか１項記載の方法。
5. 炭素粒子としてグラファイト粒子を使用することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の方法。
6. 少なくとも１つのガス状のシランおよびアルゴンを含有するガス流を反応室中に導くことを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の方法。
7. ガス流が、ガス状のシラン５〜５０体積％を有することを特徴とする、請求項１から６までのいずれか１項記載の方法。
8. ガス流が、ガス状のシランの他に、リン、ヒ素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、ガリウムおよび／またはインジウムから選択されたドープ元素のガス状の化合物を有することを特徴とする、請求項１から７までのいずれか１項記載の方法。
9. ガス流が、ガス状のシランとしてモノシランＳｉＨ_４のみを有することを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の方法。
10. 元素状のドープされたまたは非ドープのケイ素をつくるために、ガス状のシランおよびドープ元素のガス状の化合物の分解を５００〜１４００℃の温度にて実施することを特徴とする、請求項１から９までのいずれか１項記載の方法。
11. 被覆された炭素粒子において、電気伝導性の炭素核が、元素状のドープされたまたは非ドープのケイ素で被覆されており、元素状のケイ素からの被覆が、リン、ヒ素、アンチモン、ホウ素、アルミニウム、ガリウムおよび／またはインジウムから選択されたドープ元素を有するか、または請求項１から１０までのいずれか１項記載の方法により被覆された炭素粒子の被覆がリチウムを添加元素として有することを特徴とする、被覆された炭素粒子。
12. 電気伝導性の炭素核が、非晶質および／または結晶質のグラファイトの形においてあることを特徴とする、請求項１１記載の被覆された炭素粒子。
13. 被覆された粒子が、１０ｎｍ〜６５μｍの平均粒径を有することを特徴とする、請求項１２記載の被覆された炭素粒子。
14. 被覆された粒子が、被覆された炭素粒子に対して４〜６０質量％のケイ素を有することを特徴とする、請求項１１または１３記載の被覆された炭素粒子。
15. リチウムイオン電池のためのアノード材料を製造するための、請求項１１から１４までのいずれか１項記載の被覆された炭素粒子の使用。
16. アノード材料が、請求項１１から１４までのいずれか１項記載の被覆された炭素粒子を有することを特徴とする、リチウムイオン電池のためのアノード材料。
17. アノード材料が、
    −請求項１１から１４までのいずれか１項記載の被覆された炭素粒子５〜８６質量％、
    −バインダー４〜２０質量％、
    −導電性改善剤０〜１０質量％および
    −１μｍ〜１００μｍの平均粒径を有するグラファイト０〜４０質量％
    を有し、その際、成分の割合が合計で最大１００質量％であることを特徴とする、請求項１６記載のアノード材料。
18. アノード材料が、
    −請求項１１から１４までのいずれか１項記載の被覆された炭素粒子５〜８６質量％、
    −バインダー４〜２０質量％および
    −導電性改善剤０〜１０質量％
    を有し、その際、成分の割合が合計で最大１００質量％であることを特徴とする、請求項１６または１７記載のアノード材料。
19. リチウムイオン電池が、請求項１６から１８までのいずれか１項記載のアノード材料からなるアノードを有することを特徴とする、リチウムイオン電池。