JP2008525993A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法であって、
   基材上にエレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、
   光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程と、
   を含んでなる方法。
2. 前記光学スペーサーが色フィルターである請求項１に記載の方法。
3. 前記光学スペーサーを選択的に熱転写する工程が、
   ベース層、光熱変換層および１つ以上の転写層を含んでなるドナーシートを提供する工程と、
   前記１つ以上の転写層が前記エレクトロルミネセンス素子に近接するように前記ドナーシートを位置決めする工程と、
   前記ドナーシートの部分を選択的に照射し、前記１つ以上の転写層の部分を前記ドナーシートから前記エレクトロルミネセンス素子へと熱転写する工程と
   を含んでなる請求項１に記載の方法。
4. 色フィルターを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写する工程をさらに含んでなる請求項１に記載の方法。
5. 前記色フィルターを選択的に熱転写する工程が、
   ベース層、光熱変換層および１つ以上の転写層を含んでなるドナーシートを提供する工程と、
   前記１つ以上の転写層が前記光学スペーサーに近接するように前記ドナーシートを位置決めする工程と、
   前記ドナーシートの部分を選択的に照射し、前記１つ以上の転写層の部分を前記ドナーシートから前記光学スペーサーへと熱転写する工程と
   を含んでなる請求項４に記載の方法。
6. 前記エレクトロルミネセンス素子上にブラックマトリックスを形成する工程をさらに含んでなる請求項１に記載の方法。
7. 前記ブラックマトリックスを形成する工程が、前記ブラックマトリックスを前記エレクトロルミネセンス素子に選択的に熱転写する工程を含んでなる請求項６に記載の方法。
8. 前記光学スペーサーの屈折率が、前記光学スペーサーが転写される前記エレクトロルミネセンス素子の表面の屈折率と実質的に適合する請求項１に記載の方法。
9. 複数の光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、複数の光学キャビティの各光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程をさらに含んでなり、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが赤色光を通過させるように同調され、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが緑色光を通過させるように同調され、そして前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが青色光を通過させるように同調される、請求項１に記載の方法。
10. 複数の光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、複数の光学キャビティの各光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程をさらに含んでなり、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが赤色光を発光するように同調され、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが緑色光を発光するように同調され、そして前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが青色光を発光するように同調される、請求項１に記載の方法。