JP4871882B2 - 光学スペーサーを含むエレクトロルミネセンスデバイスおよびその製造方法 - Google Patents
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 153
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims abstract description 112
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 84
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 105
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 16
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 14
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 234
- 239000000463 material Substances 0.000 description 108
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 34
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 34
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 25
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 21
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 18
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 17
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 15
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 12
- 150000003384 small molecules Chemical class 0.000 description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 11
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 11
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 9
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 9
- 239000006100 radiation absorber Substances 0.000 description 9
- 230000006870 function Effects 0.000 description 8
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 7
- -1 poly (phenylene vinylene) Polymers 0.000 description 7
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 6
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 5
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 5
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 5
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 5
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 5
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 4
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 239000012769 display material Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012815 thermoplastic material Substances 0.000 description 4
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 3
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 3
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 3
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 3
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 3
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 3
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 3
- 238000001429 visible spectrum Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001328 Polyvinylidene chloride Polymers 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002679 ablation Methods 0.000 description 2
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 2
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001241 acetals Chemical class 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 2
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- 239000007850 fluorescent dye Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052976 metal sulfide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000123 paper Substances 0.000 description 2
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920000553 poly(phenylenevinylene) Polymers 0.000 description 2
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 2
- 229920002098 polyfluorene Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 2
- 239000005033 polyvinylidene chloride Substances 0.000 description 2
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 2
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 2
- 238000000859 sublimation Methods 0.000 description 2
- 230000008022 sublimation Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 3,3'-Dimethoxybenzidine Chemical compound C1=C(N)C(OC)=CC(C=2C=C(OC)C(N)=CC=2)=C1 JRBJSXQPQWSCCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJFITTKTVWJPNO-UHFFFAOYSA-N 3h-dithiole;nickel Chemical compound [Ni].C1SSC=C1 MJFITTKTVWJPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002284 Cellulose triacetate Polymers 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000020 Nitrocellulose Substances 0.000 description 1
- 240000007320 Pinus strobus Species 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012963 UV stabilizer Substances 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N [(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-diacetyloxy-3-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,4,5-triacetyloxy-6-(acetyloxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-triacetyloxy-2-(acetyloxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-2-yl]methyl acetate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@@H](COC(C)=O)O1)OC(C)=O)COC(=O)C)[C@@H]1[C@@H](COC(C)=O)O[C@@H](OC(C)=O)[C@H](OC(C)=O)[C@H]1OC(C)=O NNLVGZFZQQXQNW-ADJNRHBOSA-N 0.000 description 1
- FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N [(2s,3r,4s,5r,6r)-2-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5-dinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)-6-[(2r,3r,4s,5r,6s)-4,5,6-trinitrooxy-2-(nitrooxymethyl)oxan-3-yl]oxyoxan-3-yl]oxy-3,5-dinitrooxy-6-(nitrooxymethyl)oxan-4-yl] nitrate Chemical compound O([C@@H]1O[C@@H]([C@H]([C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O)O[C@H]1[C@@H]([C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O1)O[N+]([O-])=O)CO[N+](=O)[O-])[C@@H]1[C@@H](CO[N+]([O-])=O)O[C@@H](O[N+]([O-])=O)[C@H](O[N+]([O-])=O)[C@H]1O[N+]([O-])=O FJWGYAHXMCUOOM-QHOUIDNNSA-N 0.000 description 1
- NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N [F].[Sn]=O Chemical compound [F].[Sn]=O NPNMHHNXCILFEF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000001045 blue dye Substances 0.000 description 1
- 239000001055 blue pigment Substances 0.000 description 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 229920003086 cellulose ether Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical group [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 125000003700 epoxy group Chemical group 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000007765 extrusion coating Methods 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 230000004313 glare Effects 0.000 description 1
- 230000009477 glass transition Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000001046 green dye Substances 0.000 description 1
- 239000001056 green pigment Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 229910052809 inorganic oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002504 iridium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000001247 metal acetylides Chemical class 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229920001220 nitrocellulos Polymers 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002258 plasma jet deposition Methods 0.000 description 1
- 229920003207 poly(ethylene-2,6-naphthalate) Polymers 0.000 description 1
- 229920002492 poly(sulfone) Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 229920002689 polyvinyl acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000011118 polyvinyl acetate Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 230000037452 priming Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical compound O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001054 red pigment Substances 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 239000004054 semiconductor nanocrystal Substances 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 229920001909 styrene-acrylic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005792 styrene-acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001931 thermography Methods 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H01L29/7783—Field effect transistors with two-dimensional charge carrier gas channel, e.g. HEMT ; with two-dimensional charge-carrier layer formed at a heterojunction interface with confinement of carriers by at least two heterojunctions, e.g. DHHEMT, quantum well HEMT, DHMODFET using III-V semiconductor material
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- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
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Description
一般的に、本開示はエレクトロルミネセンスデバイスに関する。特に本開示は、エレクトロルミネセンス素子と少なくとも１つの光学スペーサーとを含むエレクトロルミネセンスデバイスおよびエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法に関する。
有機または無機エレクトロルミネセンスデバイスのような発光デバイスは様々なディスプレイ、照明および他の適用において有用である。一般的に、これらの発光デバイスは、２つの電極（アノードおよびカソード）間で配置される少なくとも１つの発光層を含む１つ以上のデバイス層を含む。２つの電極間で電圧降下または電流が提供され、そして電荷がデバイスに注入される。電荷は発光層内で再結合し、そして発光団を励起させる。発光団は、有機または無機であり得、光を放出する。典型的に、電極の一方または両方は透明で、光が電極を通して観察者または他の光受信機へと伝送可能である。
エレクトロルミネセンスデバイスは、それが上部発光デバイスまたは底部発光デバイスであるように構成されてよい。上部発光エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、発光層が基材と観察者との間に位置する。底部発光エレクトロルミネセンスデバイスにおいて、透明または半透明の基材が発光層と観察者との間に位置する。
典型的なカラーエレクトロルミネセンスディスプレイにおいて、１つ以上のエレクトロルミネセンスデバイスが単一基材上で形成され得、そしてグループまたはアレイで配列され得る。カラーエレクトロルミネセンスディスプレイを製造するためのいくつかのアプローチが存在する。例えば、１つアプローチとしては、互いに接して配置される赤色、緑色および青色エレクトロルミネセンスデバイスサブピクセルを有するアレイが挙げられる。もう１つのアプローチは、例えば、赤色、緑色および青色フィルターと一緒に白色ピクセル化ディスプレイを利用する。
本開示は、エレクトロルミネセンス素子と光学的に関連する光学スペーサーを含むエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法を提供する。特に、本開示は、エレクトロルミネセンスデバイスの用途での光学スペーサーの選択的な熱転写を含む技術（例えば、レーザー誘導熱画像形成（Ｌａｓｅｒ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｔｈｅｒｍａｌ Ｉｍａｇｉｎｇ）（ＬＩＴＩ））を提供する。
フルカラーデバイスのための赤色、緑色および青色を発光する一次有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）材料のパターニングは困難であることがわかっている。かかるパターニングに関して、レーザー熱パターニング、インクジェットパターニング、シャドーマスクパターニングおよびフォトリソグラフィックパターニングを含む多くの技術が記載されている。
放射材料をパターニングせずにフルカラーディスプレイを提供する別技術としては、本明細書に記載される色フィルターの使用が挙げられる。しかしながら、従来の底部発光エレクトロルミネセンスデバイス構造によるこれらの別技術の使用は、物理的および光学的要因によって制限される。実際的な理由のために、色フィルターがガラスの別々の断片上で、または基材上でパターン化されなければならない。この場合、発光層と色フィルターとの間の距離の影響が視差の問題を導く。言い換えると、エレクトロルミネセンスデバイスからのランバーシアン（Ｌａｍｂｅｒｔｉａｎ）発光によって、光が相当する色フィルターならびに多くの隣接する色フィルターへと到達する。結果として、エレクトロルミネセンスディスプレイの彩度レベルは減少する。
他方、上部発光エレクトロルミネセンスデバイスは、より複雑なピクセル制御回路、ならびに半導体および基材の選択における融通性を可能にする。典型的な上部発光デバイスにおいて、エレクトロルミネセンスデバイス層を基材上へ付着させ、続いて薄型透明金属電極および保護層の形成が可能である。
ＯＬＥＤの彩度を増加させるため、色フィルターを通過する光と適合する光を通過させるように同調された光学キャビティを作成することは可能である（例えば、カシワバラら、ＳＩＤ シンポジウム ダイジェスト オブ テクニカル ペーパーズ（ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ）−２００４年５月、３５：１０１７−１０１９（２００４））。かかる光学キャビティを作成するための１つアプローチは、図１に例示されるようなエレクトロルミネセンス素子のために変性されたバックプレーンの使用を含む。エレクトロルミネセンスデバイス１０は、基材１２と、基材１２の主面１４上に形成されたエレクトロルミネセンス素子２０と、エレクトロルミネセンス素子２０上に形成されたカプセル化層３０と、カプセル化層３０上に形成された任意の色フィルター４０ａ、４０ｂおよび４０ｃ（以下、集合的に色フィルター４０と記載される）とを含む。カプセル化層３０は、例えば酸素および水分に対するバリアとして機能し得る薄フィルムカプセル化層であってよい。エレクトロルミネセンス素子２０は、第１の電極２２と、半透明の第２の電極２８と、第１の電極２２と第２の電極２８との間に位置する１つ以上のデバイス層２６とを含む。第１の電極２２は、反射部分２４と、透明部分２５ａ、２５ｂおよび２５ｃとを含む。第１の電極２２の透明部分２５ａ、２５ｂおよび２５ｃは異なる厚さであり、第１の電極２２の反射部分２４と半透明の第２の電極２８との間で厚さ２７ａ、２７ｂおよび２７ｃ（以下、集合的に光学キャビティ厚さ２７と記載される）を有する光学キャビティを提供する。第１の電極２２の透明部分２５ａ、２５ｂおよび２５ｃの厚さを変更して、光学キャビティ厚さ２７を所望の放射の波長に同調させることができる。その結果、各サブピクセルの放射バンドは狭小化され、均一白色ＯＬＥＤ層が、例えば「青色を帯びた」、「緑色を帯びた」および「赤色を帯びた」光を放射することが可能となる。これらはそれぞれ、任意の色フィルター４０によってフィルタリングが可能である。しかしながら、第１の電極２２の各サブピクセルが、異なる厚さを有する透明部分２５ａ、２５ｂおよび２５ｃを有するエレクトロルミネセンス素子２０を調製することは、時間のかかる高価なプロセスであり得る。
いくつかの実施形態において、本開示は、エレクトロルミネセンス素子の上部電極上、またはエレクトロルミネセンス素子上に形成された保護層上に形成された光学スペーサーを含む上部発光エレクトロルミネセンスデバイスを形成するための選択的熱転写（例えば、ＬＩＴＩ）技術を提供する。上部電極上または保護層上への光学スペーサーの直接提供は、本明細書に記載されるように光学キャビティの少なくとも一部を調製するために使用されてもよい。
さらに、選択的熱転写パターニング（例えば乾式デジタル方式のＬＩＴＩパターニング）は、有機エレクトロルミネセンスデバイスに使用される材料に対して、より適合性がある。選択的熱転写は乾式技術であるため、各層の相対的溶解性に関する心配をせずに単一基材上での複数の層のパターニングも可能にする。
一態様において、本開示はエレクトロルミネセンスデバイスの製造方法を提供する。一実施形態において、この方法は、基材上にエレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、光学スペーサーをエレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程とを含む。もう１つの実施形態において、この方法は、基材上にエレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、エレクトロルミネセンス素子の少なくとも一部上に保護層を形成する工程と、光学スペーサーを保護層へと選択的に熱転写し、光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程とを含む。
もう１つの態様において、本開示は、少なくとも１つのエレクトロルミネセンスデバイスを含むエレクトロルミネセンスカラーディスプレイの製造方法を提供する。この方法は基材上に少なくとも１つのエレクトロルミネセンスデバイスを形成する工程を含み、ここで少なくとも１つのエレクトロルミネセンスデバイスを形成する工程は、基材上にエレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、光学スペーサーをエレクトロルミネセンス素子へと選択的に熱転写し、光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程とを含む。
もう１つの態様において、本開示は、エレクトロルミネセンスデバイスを提供する。このデバイスは、基材と、基材上のエレクトロルミネセンス素子と、基材上の複数の光学スペーサーとを含む。ここでは、複数の光学スペーサーの少なくとも１つの光学スペーサーが光学キャビティの少なくとも一部を形成する。
本明細書で使用される場合、「ａ」、「ａｎ」、「少なくとも１つ」および「１つ以上」は交換可能に使用される。
本発明の上記要約は、開示された本発明の各実施形態または全ての実施を説明する意図はない。以下の図面および詳細な説明によって、実例となる実施形態は特に例証される。
実例となる実施形態の以下の詳細な説明において、その一部を形成し、そして説明のため、本発明が実施されてよい具体的な実施形態が示される添付の図面が参照される。本発明の範囲から逸脱することなく、他の実施形態が利用されてもよく、そして構造上の変更がなされてもよいことは理解されるべきである。
本開示は、エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法に適用可能であると考えられる。エレクトロルミネセンスデバイスは、有機または無機発光素子または両方の種類の発光素子の組み合わせを含み得る。有機エレクトロルミネセンス（ＯＥＬ）ディスプレイまたはデバイスは、少なくとも１つの有機発光材料を含むエレクトロルミネセンスディスプレイまたはデバイスを指し、ここで発光材料は、小分子（ＳＭ）発光体（例えば、非ポリマー性発光体）、ＳＭドープポリマー、ＳＭブレンドポリマー、発光ポリマー（ＬＥＰ）、ドープＬＥＰ、ブレンドＬＥＰまたはもう１つの有機発光材料であり、単独で、またはＯＥＬディスプレイまたはデバイスにおいて機能性もしくは非機能性であるいずれかの他の有機もしくは無機材料との組み合わせで提供される。無機発光材料としては、蛍光体、半導体ナノ結晶等が挙げられる。
一般的に、エレクトロルミネセンスデバイスは、２つの電極（アノードおよびカソード）間で配置される少なくとも１つの発光層を含む１つ以上のデバイス層を含む。２つの電極間で電圧降下または電流が提供され、そして電荷がデバイスに注入される。電荷は発光層内で再結合し、そして発光団を励起させる。発光団は光を放出する。
エレクトロルミネセンスデバイスは、薄フィルムエレクトロルミネセンスディスプレイまたはデバイスも含み得る。薄フィルムエレクトロルミネセンスデバイスは、透明誘電層と行および列の電極のマトリックスとの間に挟まれる発光材料を含む。かかる薄フィルムエレクトロルミネセンスディスプレイとしては、例えば、米国特許第４，８９７，３１９号明細書（サン（Ｓｕｎ））および米国特許第５，６５２，６００号明細書（ホルマエイ（Ｋｈｏｒｍａｅｉ）ら）に記載されるものが挙げられる。
図２は、エレクトロルミネセンスデバイス１００の一実施形態の概略図である。エレクトロルミネセンスデバイス１００は、基材１１２と、基材１１２の主面１１４上に形成されたエレクトロルミネセンス素子１２０と、エレクトロルミネセンス素子１２０上に形成された光学スペーサー１３０ａおよび１３０ｂ（以下、集合的に光学スペーサー１３０と記載される）とを含む。エレクトロルミネセンス素子１２０は、第１の電極１２２と、第２の電極１２８と、第１の電極１２２と第２の電極１２８との間に位置する１つ以上のデバイス層１２４とを含む。エレクトロルミネセンスデバイス１００は、存在する場合、エレクトロルミネセンス素子１２０上または光学スペーサー１３０上で部分的反射界面１３２をさらに含む。図２に例示される実施形態において、部分的反射界面１３２は、エレクトロルミネセンス素子１２０上および光学スペーサー１３０上の任意の部分的反射層１３４から生じる。エレクトロルミネセンスデバイス１００は、部分的反射界面１３２または任意の部分的反射層１３４上の任意の色フィルター１４０ａ、１４０ｂおよび／または１４０ｃ（以下、集合的に色フィルター１４０と記載される）をさらに含んでよい。
エレクトロルミネセンスデバイス１００の基材１１２は、エレクトロルミネセンスデバイスまたはディスプレイ適用のために適切ないずれの基材であってもよい。例えば、基材１１２をガラス、透明プラスチックまたは可視光に対して実質的に透明である他の適切な材料から製造することができる。基材１１２は可視光に対して不透明であってもよく、例えば、ステンレス鋼、結晶性ケイ素等であり得る。いくつかの例において、エレクトロルミネセンス素子１２０の第１の電極１２２は基材１１２であり得る。少なくともいくつかのエレクトロルミネセンスデバイスに使用される材料が酸素または空気への暴露による損傷を特に受けやすいため、適切な基材を十分な環境バリアを提供するように選択することができるか、または十分な環境バリアを提供する１つ以上の層、コーティングまたはラミネートと一緒に供給される。
また基材１１２は、エレクトロルミネセンスデバイスおよびディスプレイにおいて適切ないずれかの数のデバイスまたは部品を含み得る。例えば、トランジスターアレイおよび他の電子デバイス；色フィルター、偏光子、波長板、拡散器、および他の光学的デバイス；絶縁体、バリアリブ、ブラックマトリックス、マスクワーク、および他のかかる部品等が挙げられる。基材１１２は、欧州特許出願第１，２２０，１９１号明細書（クォン（Ｋｗｏｎ））に記載されるような複数の独立してアドレス可能なアクティブデバイスを含んでもよい。
またエレクトロルミネセンスデバイス１００は、基材１１２の主面１１４上に形成されたエレクトロルミネセンス素子１２０を含む。図２にはエレクトロルミネセンス素子１２０を基材１１２の主面１１４上に形成され、そしてそれと接触するように例示されるが、エレクトロルミネセンス素子１２０と基材１１２の主面１１４との間に１つ以上の層またはデバイスが含まれてもよい。エレクトロルミネセンス素子１２０は、第１の電極１２２と、第２の電極１２８と、第１の電極１２２と第２の電極１２８との間に位置する１つ以上のデバイス層１２４とを含む。第１の電極１２２がアノードであって、第２の電極１２８がカソードであり得るか、または第１の電極１２２がカソードであって、第２の電極１２８がアノードであり得る。
第１の電極１２２および第２の電極１２８は、典型的に、金属、合金、金属化合物、金属酸化物、導電性セラミック、導電性分散体および導電性ポリマーのような導電性材料を使用して形成される。適切な材料の例としては、例えば、金、白金、パラジウム、アルミニウム、カルシウム、チタン、窒化チタン、インジウムスズ酸化物（ＩＴＯ）、フッ素スズ酸化物（ＦＴＯ）およびポリアニリンが挙げられる。第１のおよび第２の電極１２２および１２８は導電性材料の単一層であり得るか、またはそれらは複数の層を含み得る。例えば、第１の電極１２２および第２の電極１２８のどちらの一方または両方が、アルミニウム層および金層、カルシウム層およびアルミニウム層、アルミニウム層およびフッ化リチウム層、または金属層および導電性有機層を含み得る。好ましくは、第１の電極が反射性であり、そして第２の電極が透明である。
第１の電極１２２と第２の電極１２８との間に、１つ以上のデバイス層１２４が形成される。１つ以上のデバイス層１２４は発光層を含む。任意に、１つ以上のデバイス層１２４は、例えば、正孔輸送層、電子輸送層、正孔注入層、電子注入層、正孔ブロック層、電子ブロック層、バッファー層、またはいずれかのそれらの組み合わせのような１つ以上の追加的な層を含み得る。
発光層は発光材料を含む。いずれかの適切な発光材料が発光層において使用されてよい。ＬＥＰおよびＳＭ発光素子を含む様々な発光材料を使用することができる。発光素子は、例えば、蛍光性材料およびリン光性材料を含む。適切なＬＥＰ材料の種類の例としては、ポリ（フェニレンビニレン）（ＰＰＶ）、ポリ−パラ−フェニレン（ＰＰＰ）、ポリフルオレン（ＰＦ）、現在既知であるか、または将来開発される他のＬＥＰ材料およびそれらのコポリマーまたはブレンドが挙げられる。また適切なＬＥＰは、分子的にドープされるか、蛍光染料または他の材料と分散されるか、活性または不活性材料とブレンドされるか、活性または不活性材料と分散される等であり得る。適切なＬＥＰ材料の例は、クラフト（Ｋｒａｆｔ）ら、アンゲヴァント シェミー インターナショナル エディション（Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．）、３７、４０２−４２８（１９９８）、米国特許第５，６２１，１３１号明細書（クロイダー（Ｋｒｅｕｄｅｒ）ら）、同第５，７０８，１３０号明細書（ウー（Ｗｏｏ）ら）、同第５，７２８，８０１号明細書（ウー（Ｗｕ）ら）、同第５，８４０，２１７号明細書（ルポ（Ｌｕｐｏ）ら）、同第５，８６９，３５０号明細書（ヒーガー（Ｈｅｅｇｅｒ）ら）、同第５，９００，３２７号明細書（ペイ（Ｐｅｉ）ら）、同第５，９２９，１９４号明細書（ウー（Ｗｏｏ）ら）、同第６，１３２，６４１号明細書（リエッツ（Ｒｉｅｔｚ）ら）、および同第６，１６９，１６３号明細書（ウー（Ｗｏｏ）ら）、ならびに国際公開第９９／４０６５５号パンフレット（クロイダー（Ｋｒｅｕｄｅｒ）ら）に記載される。
ＳＭ材料は、一般的に、ＯＥＬディスプレイおよびデバイスにおいて発光体材料、電荷輸送材料、発光体層中のドーパント（例えば、発光された色を調節するため）または電荷輸送層等として使用可能な非ポリマー有機または有機金属分子材料である。一般的に使用されるＳＭ材料としては、トリス（８−ヒドロキシキノリン）アルミニウム（ＡｌＱ）およびＮ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ'−ジフェニルベンジジン（ＴＰＤ）のような金属キレート化合物が挙げられる。他のＳＭ材料は、例えば、Ｃ．Ｈ．チェン（Ｃ．Ｈ．Ｃｈｅｎ）ら、マクロモレキュア シンポジア（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．）、１２５：１（１９９７）、特開２０００−１９５６７３号公報（フジイ）、米国特許第６，０３０，７１５号明細書（トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）ら）、同第６，１５０，０４３号明細書（トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）ら）、および同第６，２４２，１１５号明細書（トンプソン（Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）ら）、ならびに国際公開第００／１８８５１号パンフレット（シップレイ（Ｓｈｉｐｌｅｙ）ら）（二価ランタニド金属錯体）および同第００／７０６５５号パンフレット（フォレスト（Ｆｏｒｒｅｓｔ）ら）（シクロ金属化イリジウム化合物等）に開示される。もう１つの種類の材料については、国際公開第９８／５５５６１号パンフレット（クリストウ（Ｃｈｒｉｓｔｏｕ））（デンドリマー）に開示される。
１つ以上のデバイス層１２４は正孔輸送層も含み得る。正孔輸送層は、アノードからエレクトロルミネセンス素子１２０への正孔注入および再結合領域の方向へのそれらの移動を促進する。さらに正孔輸送層は、アノードへの電子通過に対してバリアとして機能する。いずれもの適切な材料が正孔輸送層に使用されてよく、例えば、ナルワ（Ｎａｌｗａ）ら、ハンドブック オブ ルミネッセンス、ディスプレイ マテリアル アンド デバイシス（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，Ｄｉｓｐｌａｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）、スティーブンス ランク（Ｓｔｅｖｅｎｓ Ｒａｎｃｈ）、カリフォルニア（ＣＡ）、アメリカン サイエンティフィック パブリッシャーズ（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ）、２００３、第１３２〜１９５頁；チェン（Ｃｈｅｎ）ら、リーセント デベロップメンツ イン モレキュラ オーガニック エレクトロルミネッセント マテリアルズ（Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、マクロモレキュア シンポジア（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．）、１：１２５（１９９７）；ならびにシナー，ジョセフ（Ｓｈｉｎａｒ，Ｊｏｓｅｐｈ）編、オーガニック ライト−エミッティング デバイシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ）、ベルリン（Ｂｅｒｌｉｎ）、スプリンガー フェルラグ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ Ｖｅｒｌａｇ）、２００３、第４３〜６９頁に記載のものが挙げられる。
１つ以上のデバイス層１２４は電子輸送層も含み得る。電子輸送層は電子注入および再結合領域の方向へのそれらの移動を促進する。さらに電子輸送層は、所望であれば、カソードへの正孔通過に対してバリアとして機能し得る。いずれもの適切な材料が電子輸送層に使用されてよく、例えば、ナルワ（Ｎａｌｗａ）ら、ハンドブック オブ ルミネッセンス、ディスプレイ マテリアル アンド デバイシス（Ｈａｎｄｂｏｏｋ ｏｆ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ，Ｄｉｓｐｌａｙ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ａｎｄ Ｄｅｖｉｃｅｓ）、スティーブンス ランク（Ｓｔｅｖｅｎｓ Ｒａｎｃｈ）、カリフォルニア（ＣＡ）、アメリカン サイエンティフィック パブリッシャーズ（Ａｍｅｒｉｃａｎ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ Ｐｕｂｌｉｓｈｅｒｓ）、２００３、第１３２〜１９５頁；チェン（Ｃｈｅｎ）ら、リーセント デベロップメンツ イン モレキュラ オーガニック エレクトロルミネッセント マテリアルズ（Ｒｅｃｅｎｔ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔｓ ｉｎ Ｍｏｌｅｃｕｌａｒ Ｏｒｇａｎｉｃ ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）、マクロモレキュア シンポジア（Ｍａｃｒｏｍｏｌ．Ｓｙｍｐ．）、１：１２５（１９９７）；ならびにシナー，ジョセフ（Ｓｈｉｎａｒ，Ｊｏｓｅｐｈ）編、オーガニック ライト−エミッティング デバイシス（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｌｉｇｈｔ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｅｖｉｃｅｓ）、ベルリン（Ｂｅｒｌｉｎ）、スプリンガー フェルラグ（Ｓｐｒｉｎｇｅｒ Ｖｅｒｌａｇ）、２００３、第４３〜６９頁に記載のものが挙げられる。
エレクトロルミネセンス素子１２０が白色光を発光可能であることは好ましい。当業者は、欧州特許出願第１，１８７，２３５号明細書（ハットウォー（Ｈａｔｗａｒ））に記載のもののように、エレクトロルミネセンス素子１２０が白色光を発光可能であるように、エレクトロルミネセンス素子１２０の発光層の材料が選択され得ることを理解するであろう。
様々な技術、例えばコーティング（例えばスピンコーティング）、印刷（例えばスクリーン印刷またはインクジェット印刷）、物理的または化学的蒸着、フォトリソグラフィーおよび熱転写方法（例えば米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載される方法）によって、第１の電極１２２と第２の電極１２８との間に１つ以上のデバイス層１２４を形成することができる。１つ以上のデバイス層１２４を連続的に形成することができるか、または２以上の層を同時に配置することができる。１つ以上のデバイス層１２４の形成後、またはデバイス層１２４の付着と同時に、第２の電極１２８を形成するか、あるいは１つ以上のデバイス層１２４上に配置する。あるいは、例えば、米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載のように多層ドナーシートを含むＬＩＴＩ技術を使用して、エレクトロルミネセンス素子１２０を形成してもよい。
本明細書にさらに記載されるように、エレクトロルミネセンス素子１２０は、エレクトロルミネセンス素子１２０上に形成された保護層（図示せず）を含んでもよい。
またエレクトロルミネセンスデバイス１００は、エレクトロルミネセンス素子１２０上に形成された光学スペーサー１３０を含む。エレクトロルミネセンス素子１２０から発光される光の少なくとも一部が１つ以上の光学スペーサー１３０を通過するように、１つ、２つまたはそれより多くの光学スペーサー１３０は、エレクトロルミネセンス素子１２０上で形成され得る。言い換えると、光学スペーサー１３０はエレクトロルミネセンス素子１２０と光学的に関連する。光学スペーサー１３０ａおよび１３０ｂの厚さは、第１の電極１２２と部分的反射界面１３２との間で所望の厚さ１２７ａおよび１２７ｂを有する光学キャビティが提供されるように選択され得る。
カシワバラら（ＳＩＤ シンポジウム ダイジェスト オブ テクニカル ペーパーズ（ＳＩＤ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ Ｄｉｇｅｓｔ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ Ｐａｐｅｒｓ）−２００４年５月、３５：１０１７−１０１９（２００４））によって明らかにされた通り、電極間での光学的厚さの調節は、放射された光のスペクトル含有量に影響を及ぼし得る。同様に、一部が電極間に存在しない光学キャビティの厚さもスペクトル含有量および放射された光の角分布に影響を及ぼし得る。従って、光学キャビティの少なくとも一部を形成する光学スペーサーの選択は、当業者に光学キャビティを同調させるための方法を提供する。光学キャビティの同調は当該分野において周知であり、既知の光学モデリング技術を使用して、インデックスおよび厚さの選択を容易に計算することができる。以下、インデックスおよび厚さの適切な組み合わせを決定することの１つ技術の例である。
波長λ0またはλ0周囲の狭い波長帯域幅の放射を増強するために、光学キャビティを同調することができる。これは、キャビティを同調させ、共鳴させて、波長λ0またはλ0周囲の狭い波長帯域幅の光をキャビティに通過させることによって達成され得る。例えば、キャビティの有効光学厚さは、λ0/4の倍数の値に同調し得る。スペーサーは、各層が同一または異なる厚さを有し、そして同一または異なる屈折率を有する１つ以上の層を含み得る。光学キャビティの同調は、１つ以上のスペーサー層の厚さ、屈折率の実部、屈折率の虚部（吸光率）、複屈折率の異方性およびスペーサー層の数（例えば、四分の一波長二重層の数）を調節することによって達成され得る。
光学スペーサー１３０はいずれの適切な材料も含み得る。かかる材料は、典型的に、放射される光の波長に対して実質的に透明である。例えば、光学スペーサー１３０は、無機材料（例えば、ＩＴＯ、ナノ粒子）、有機材料（例えば、充填および未充填ポリマー；蒸発性小分子、非晶質小分子）ならびにそれらの組み合わせ（例えば、米国特許第５，７８３，１１５号明細書（ビルカディ（Ｂｉｌｋａｄｉ）ら）、同第６，３２９，０５８号明細書（アーニー（Ａｒｎｅｙ）ら）および同第６，４３２，５２６号明細書（アーニー（Ａｒｎｅｙ）ら）に記載されるような有機マトリックス中の無機ナノ粒子）を含み得る。適切な材料には、薄フィルムプロセス（例えば、溶液コーティング、スパッタリング、蒸着、化学的蒸着、分子線エピタクシー、シャドウマスキング技術および熱転写）で有用であるものが含まれる。好ましくは、光学スペーサー１３０の屈折率は、エレクトロルミネセンス素子１２０の表面１２９の屈折率に適合する。本明細書で使用される場合、「インデックス適合」光学スペーサーは、エレクトロルミネセンス素子１２０の表面１２９の屈折率と実質的に同一の屈折率を有する光学スペーサーを指す（例えば、スペーサー１３０の屈折率対表面１２９の屈折率の比率は、０．８２〜１．２２または好ましくは０．９４〜１．０７である）。典型的に、エレクトロルミネセンス素子１２０の表面１２９の屈折率は、第２の電極１２８の最外層中の材料または第２の電極１２８のいずれの保護層の屈折率である。光学スペーサー１３０は１層または複数層（例えば、誘電積層体）であり得る。
同調された光学キャビティの少なくとも一部としての光学スペーサーの使用に加えて、光学スペーサーは吸収フィルター（例えば、色フィルター）でもあり得る。例えば、光学スペーサーが所望の波長の光を伝送し、そして他の波長の光を吸収するように、光学スペーサーは顔料、染料またはそれらの組み合わせによって充填またはドーピングされた材料を含み得る。一実施形態において、青色ピクセルのための光学スペーサーは青色顔料または染料によって充填され得、赤色ピクセルのための光学スペーサーは赤色顔料または染料で充填される得、そして／または緑色ピクセルのための光学スペーサーは緑色顔料または染料で充填され得る。
光学スペーサーが吸収フィルターでもある光学スペーサーを有する上部発光ＯＬＥＤデバイスに関しては、別々の色フィルターは必要とされない。加えて、吸収フィルターは、周囲光吸収することによってコントラストを増加させ、そしてグレアを減少するように機能し得る。いわゆる「コントラスト増強フィルター」の使用は、電界発光ディスプレイ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）（ＦＥＤ）および陰極管（Ｃａｔｈｏｄｅ Ｒａｙ Ｔｕｂｅ）（ＣＲＴ）のような発光デバイスにおいて周囲コントラストを増加させることが実証されている。
いずれかの適切な技術、例えばコーティング（例えばスピンコーティング）、印刷（例えばスクリーン印刷またはインクジェット印刷）、物理的または化学的蒸着、フォトリソグラフィーおよび熱転写方法（例えば米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載される方法）を使用して、エレクトロルミネセンス素子１２０上に光学スペーサー１３０を形成することができる。本明細書にさらに記載されるＬＩＴＩ技術を使用して、エレクトロルミネセンス素子１２０上に光学スペーサー１３０を形成することが好ましい。
図２に例示される実施形態において、部分的反射界面１３２は、エレクトロルミネセンス素子１２０上および光学スペーサー１３０上の任意の部分的反射層１３４から生じる。しかしながら、他の実施形態において、エレクトロルミネセンス素子１２０上または光学スペーサー１３０上に存在する任意の部分的反射層１３４がなくても、部分的反射界面１３２が生じてよい。例えば、光学スペーサー１３０の材料の屈折率が光学スペーサーに隣接する材料の屈折率と実質的に適合しない場合、部分的反射界面１３２が生じてよい（例えば、光学スペーサー１３０とスペーサーに隣接する材料との間の正常な入射率反射率は、少なくとも１０パーセントである）。もう１つの例において、光学スペーサー１３０は、部分的反射界面１３２を生じる誘電積層体を含み得る。
存在する場合、いずれかの適切な技術、例えばコーティング（例えばスピンコーティング）、印刷（例えばスクリーン印刷またはインクジェット印刷）、物理的または化学的蒸着、フォトリソグラフィーおよび熱転写方法（例えば米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載される方法）を使用して、光学スペーサー１３０上に任意の部分的反射層１３４を形成することができる。本明細書にさらに記載されるＬＩＴＩ技術を使用して、光学スペーサー１３０上に任意の部分的反射層１３４を形成することが好ましい。
部分的反射層１３４が特定の波長または周波数の放射線を少なくとも部分的に反射することを条件として、部分的反射層１３４はいずれの適切な材料も含み得る。かかる材料としては、無機材料（例えば、ＩＴＯ、ナノ粒子）、有機材料（例えば、充填および未充填ポリマー；蒸発性小分子、非晶質小分子）ならびにそれらの組み合わせ（例えば、米国特許第５，７８３，１１５号明細書（ビルカディ（Ｂｉｌｋａｄｉ）ら）、同第６，３２９，０５８号明細書（アーニー（Ａｒｎｅｙ）ら）および同第６，４３２，５２６号明細書（アーニー（Ａｒｎｅｙ）ら）に記載されるような有機マトリックス中の無機ナノ粒子）が挙げられる。適切な材料には、薄フィルムプロセス（例えば、溶液コーティング、スパッタリング、蒸着、化学的蒸着、分子線エピタクシー、シャドウマスキング技術および熱転写）で有用であるものが含まれる。これらの材料は、任意に、硬化性バインダー、例えば、モノマー性、オリゴマー性またはポリマー性バインダー中に分散されてもよい。
エレクトロルミネセンスデバイス１００は、部分的反射界面１３２または任意の部分的反射層１３４上に形成された任意の色フィルター１４０を含み得る。エレクトロルミネセンス素子１２０から放射される光の少なくとも一部が１つ以上の色フィルター１４０上に入射するように、１つ、２つまたはより多くの色フィルター１４０が形成され得る。言い換えると、色フィルター１４０はエレクトロルミネセンス素子１２０と光学的に関連する。色フィルター１４０は、相対的に波長の変化がない状態で他を通過させながら、特定の波長または周波数を減ずる。例えば、色フィルター１４０ａは緑色光を通過させ得、色フィルター１４０ｂは赤色光を通過させ得、そして色フィルター１４０ｃは青色光を通過させ得る。本明細書で使用される場合、用語「赤色光」は、可視スペクトルの上部に主にスペクトルを有する光を指す。さらに本明細書で使用される場合、用語「緑色光」は、可視スペクトルの中央部に主にスペクトルを有する光を指す。そして「青色光」は可視スペクトルの下部に主にスペクトルを有する光を指す。
色フィルター１４０はいずれの適切な材料も含み得る。例えば、色フィルター１４０はいずれかの適切な着色剤、例えば、染料、顔料、または特定の波長もしくは周波数の放射線を選択的に減ずることのできる他の材料を含み得る。これらの材料は、硬化性バインダー、例えば、モノマー性、オリゴマー性またはポリマー性バインダー中に分散されてもよい。
いずれかの適切な技術、例えばコーティング（例えばスピンコーティング）、印刷（例えばスクリーン印刷またはインクジェット印刷）、物理的または化学的蒸着、フォトリソグラフィーおよび熱転写方法（例えば米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載される方法）を使用して、部分的反射界面１３２または任意の部分的反射層１３４上に色フィルター１４０を形成することができる。本明細書にさらに記載されるＬＩＴＩ技術を使用して、色フィルター１４０を形成することが好ましい。例えば、色フィルターの選択的転写の例に関して、米国特許出願公開第２００５／０１１８９２３Ａ１号明細書を参照のこと。
本開示のプロセスにおいて、レセプターに隣接したドナー素子（例えば、エレクトロルミネセンス素子１２０）の転写層を配置し、そして選択的にドナー素子を加熱することによって、発光ポリマー（ＬＥＰ）または他の材料を含む放射材料、色変換素子および色フィルターをドナーシートの転写層からレセプター基材へと選択的に転写することができる。色変換素子の選択的転写の例に関して、例えば、米国特許出願公開第２００５／０１１６６２１Ａ１号明細書を参照のこと。また、発光の彩度および／または効率を増強するために、色変換素子を光学スペーサーおよびフィルター上に形成してもよい。そのような場合、光学スペーサーの光学特性の選択は、青色光のスペクトル放射および色変換材料の吸収の重複に影響を及ぼし得、そしてより効率の高いダウン変換が導かれ得る。
例証として、ドナー中、しばしば別々のＬＴＨＣ層中に配置された光−熱変換（ＬＴＨＣ）材料によって吸収可能であり、熱へと変換可能である画像化放射によってドナー素子に照射することによって、ドナー素子を選択的に加熱することができる。あるいは、ＬＴＨＣは、ドナー素子および／またはレセプター基材の１つ以上の層のいずれかにおいて生じることができる。これらの場合、ドナーはドナー基材を通して、レセプターを通して、または両方を通して画像化放射に暴露され得る。放射線は、例えば、レーザー、ランプまたは他のかかる放射線供給源からの可視光、赤外線または紫外線放射を含む１つ以上の波長を含み得る。サーマルプリントヘッドの使用またはサーマルホットスタンプ（例えば、例えば選択的にドナーを加熱するために使用可能なレリーフパターンを有する加熱されたシリコーンスタンプのようなパターン化サーマルホットスタンプ）の使用のような他の選択的加熱技術を使用することも可能である。レセプター上の転写された材料のパターンを像形成する様式で、熱転写層からの材料をレセプターへと選択的に転写することができる。多くの例において、ドナーをパターン暴露するために、例えばランプまたはレーザーからの光を使用する熱転写は、しばしば達成され得る精度および精度のため、都合がよい。例えば、光ビームの大きさ、光ビームの暴露パターン、ドナーシートとの有向ビーム接触の持続、またはドナーシートの材料を選択することによって、転写されたパターンの大きさおよび形状（例えば、線、円、四角形または他の形状）を制御することができる。また転写されたパターンは、マスクを通してドナー素子を照射することによって制御することができる。
上記の通り、サーマルプリントヘッドまたは他の加熱素子（パターン化または他）も直接的にドナー素子を選択的に加熱するために使用することができ、それによって転写層部分がパターン転写される。かかる場合、ドナーシートまたはレセプター中の光−熱変換材料は任意である。サーマルプリントヘッドまたは他の加熱素子は、材料のより低い解像度パターンを作成するため、または配置が精密に制御される必要はない素子のパターニングのために特に適する。
また転写層をドナーシートから全体的に転写することができる。例えば、本質的に、転写層がレセプター基材と接触した後に、典型的に熱または圧力の適用によって解放可能な一時的ライナーとして機能するドナー基材上で転写層を形成することができる。かかる方法は、積層転写と呼ばれており、全ての転写層またはその大部分をレセプターへと転写するために使用することができる。
熱転写の様式は、利用される選択的加熱の種類、ドナーを暴露するために使用される場合、照射の種類、任意のＬＴＨＣ層の材料の種類および特性、転写層中の材料の種類、ドナーの全体的構造、レセプター基材の種類等次第で変更可能である。理論に拘束されることを望まないが、転写は一般的に１つ以上の機構を通して生じ、１つ以上の機構は画像化条件、ドナー構造等次第で選択的転写間に強調され得るか、または弱められ得る。熱転写の１つの機構としては熱融着転写が挙げられ、それによって、熱転写層と残りのドナー素子との間の境界面の加熱がドナーよりも強くレセプターへの付着をもたらす。そのため、ドナー素子が除去された時、転写層の選択部分はレセプター上に残る。熱転写のもう１つの機構としてはアブレーション転写が挙げられ、それによって、ドナー素子から転写層の部分を除去し、除去された材料をレセプターの方向に向けるため、局所加熱が使用され得る。なおもう１つの熱転写の機構としては昇華が挙げられ、それによって、ドナー素子において発生する熱によって転写層中に分散する材料を昇華させることができる。昇華された材料の一部はレセプター上で濃縮可能である。本発明は、これらおよび他の機構の１つ以上を含む転写の様式を熟考し、それによって、転写層からレセプター表面への材料の転写を生じるために、ドナーシートの選択的加熱を使用することができる。
ドナーシートを加熱するために様々な放射線供給源を使用することができる。アナログ技術（例えばマスクを通しての暴露）に関して、高出力光源（例えばキセノンストロボおよびレーザー）が有用である。デジタル画像化技術に関して、赤外、可視および紫外レーザーが特に有用である。適切なレーザーとしては、例えば、高力（≧１００ｍＷ）シングルモードレーザーダイオード、ファイバーカップルドレーザーダイオード、およびダイオードポンプド固体状態レーザー（例えばＮｄ：ＹＡＧおよびＮｄ：ＹＬＦ）が挙げられる。レーザー暴露ドウェル時間は、例えば数百マイクロセカンド〜数十マイクロセカンド以上で広範囲に変更可能であり、そしてレーザーフルーエンスは、例えば、約０．０１〜約５Ｊ／ｃｍ2以上の範囲にあり得る。他の放射線供給源および照射条件は、特に、ドナー素子構造、転写層材料、熱量転写のモードおよび他のかかる要因に基づき、適切であり得る。
大きい基材領域上で高いスポットプレイスメント精度が望ましい場合（例えば、高度情報量ディスプレイのための素子のパターニングおよび他のかかる適用の場合）、レーザーは、放射線供給源として特に有用であり得る。レーザー供給源は、大きい剛性基材（例えば１ｍ×１ｍ×１．１ｍｍガラス）および連続的またはシート状フィルム基材（例えば、厚さ１００μｍのポリイミドシート）の両方に適合性がある。
画像化の間、ドナーシートをレセプターと密接させることができる（典型的に熱融着転写機構の場合）か、またはドナーシートをレセプターからいくらかの距離をあけて配置することができる（アブレーション転写機構または材料昇華転写機構の場合）。少なくともいくつかの例において、圧力または真空を使用して、レセプターとの密接時にドナーシートを保持することができる。いくつかの例において、ドナーシートとレセプターとの間にマスクを配置することができる。転写後、かかるマスクを取り外すことができるか、またはレセプター上に残すことができる。光−熱変換材料がドナー中に存在する場合、次いで放射線供給源を使用して、ドナーシートからレセプターへと転写層の像転写またはパターニングを実行するように像様式（例えば、デジタル式に、またはマスクを通してのアナログ暴露によって）でＬＴＨＣ層（または放射線吸収剤を含有する他の層）を加熱することができる。
典型的に、本明細書にさらに記載されるような任意の中間層またはＬＴＨＣ層のようなドナーシートの他の層の著しい部分の転写がない状態で、転写層の選択された部分はレセプターへと転写される。任意の中間層の存在は、ＬＴＨＣ層または他の近位の層（例えば他の中間層）からレセプターへの材料の転写を排除または減少し得るか、または転写層の転写された部分における歪曲を減少し得る。好ましくは、画像化条件下で、ＬＴＨＣ層への任意の中間層の接着は転写層への中間層の接着よりも大きい。中間層は画像化放射線に対して透過性、反射性または吸収性であり得、そしてドナーを通して伝送された画像化放射線のレベルを減ずるか、もしくは他の様式で制御するため、または例えば画像化間の転写層への熱または放射線をベースとする損傷を減少するため、ドナー中の温度を制御するために使用することができる。複数の中間層が存在し得る。
１メートル以上の長さおよび幅寸法を有するドナーシートを含む大きいドナーシートを使用することができる。操作時、大きいドナーシートを横切ってレーザーをラスターまたは他の様式で移動することができ、このレーザーは、所望のパターンに従ってドナーシート部分を照射するように選択的に操作される。あるいは、レーザーは固定式であり、そしてドナーシートまたはレセプター基材がレーザーの下を移動してもよい。
いくつかの例において、レセプター上で電子デバイスを形成するために２つ以上の異なるドナーシートを連続的に使用することは必要であるか、所望であるか、または都合がよい。例えば、異なるドナーシートから別々の層または層の別々の積層体を転写することによって、複数層デバイスを形成することができる。また、例えば米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載されるように、多層積層体を単一ドナー素子からの単一転写単位として転写することもできる。例えば、正孔輸送層およびＬＥＰ層を単一ドナーから同時転写することができる。もう１つの例として、半導電性ポリマーおよび放射層を単一ドナーから同時転写することができる。また、レセプター上の同一層において別々の部品を形成するために、複数のドナーシートを使用することができる。例えば、エレクトロルミネセンス素子（例えばエレクトロルミネセンス素子１２０）を電気的に活性な有機材料（配向または非配向）の選択的熱転写によってパターン化し、続いて色フィルター（例えば色フィルター１４０）、発光層、電荷輸送層、電極層等のような１つ以上のピクセルまたはサブピクセル素子の選択的熱転写パターニングを行なうことができる。
別々のドナーシートからの材料をレセプター上の他の材料に隣接して転写して、隣接するデバイス、隣接するデバイスの一部分または同一デバイスの異なる部分を形成することができる。あるいは、熱転写または他のいくつかの方法（例えば、フォトリソグラフィー、シャドーマスクによる付着等）によって、レセプター上に事前にパターン化された他の層または材料の上に、またはそれと部分的に重ねて位置合わせして、別々のドナーシートからの材料を直接的に転写することができる。デバイスの１つ以上の部分を形成するために使用されるデバイス、各ドナーシートを形成するため、２つ以上のドナーシートの様々な他の組み合わせを使用することができる。フォトリソグラフィプロセス、インクジェットプロセス、および従来から使用されているか、または新たに開発された様々な他の印刷かまたはマスクをベースとするプロセスを含むいずれかの適切なプロセスによって、これらのデバイスの他の部分またはレセプター上の他のデバイスが全体的にまたは部分的に形成されてもよいことは理解されるだろう。
ドナー基材はポリマーフィルムであり得る。ポリマーフィルムの１つの適切な種類はポリエステルフィルム、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）またはポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）フィルムであり得る。しかしながら、特定の用途次第で特定の波長における高い光伝送性、または十分な機械安定性および熱安定性を含む十分な光学的特性を有する他のフィルムを使用することができる。ドナー基材は、少なくともでいくつかの例において、均一なコーティングがその上に形成され得るように平坦である。またドナー基材は、典型的に、ドナーの１つ以上の層の加熱にもかかわらず安定のままである材料から選択される。しかしながら、本明細書に記載の通り、画像化の間、ＬＴＨＣ層において発生する熱から基材を断熱するため、基材とＬＴＨＣ層との間の下層の包含を使用することができる。ドナー基材の典型的厚さは０．０２５〜０．１５ｍｍ、好ましくは０．０５〜０．１ｍｍの範囲であるが、より厚いかまたはより薄いドナー基材が使用されてもよい。
ドナー基材と下層との間の接着を改善するため、基材と下層との間の熱輸送を制御するため、ＬＴＨＣ層への画像化放射線輸送を制御するため、画像化欠損を減少する等のため、ドナー基材および任意の隣接する下層を形成するために使用される材料を選択することができる。基材上へのその後の層のコーティングの間、均一性を増加させるため、そしてまたドナー基材と隣接する層との間の結合強度を増加させるため、任意のプライミング層を使用することができる。
例えば、画像化の間、基材とＬＴＨＣ層との間の熱流を制御するため、または保管、取り扱い、ドナープロセッシングもしくは画像化のためにドナー素子に機械安定性を提供するため、任意の下層をドナー基材とＬＴＨＣ層との間にコーティングするか、または他の様式で配置されてもよい。適切な下層および下層を提供する技術の例は、米国特許第６，２８４，４２５号明細書（スタラル（Ｓｔａｒａｌ）ら）に開示される。
下層は、所望の機械特性または熱特性をドナー素子に与える材料を含み得る。例えば、下層は、ドナー基材と比較して低い比熱×密度または低い熱伝導率を示す材料を含み得る。かかる下層は、例えばドナーの画像化感度を改善するため、転写層への熱流を増加させるために使用されてもよい。
また下層は、それらの機械特性のため、または基材とＬＴＨＣとの間の接着性のための材料も含んでよい。基材とＬＴＨＣ層との間の接着を改善する下層を使用することによって、転写された像においてより少ない歪曲がもたらされ得る。例として、いくつかの場合、層間剥離または例えばドナー媒体の画像化の間に他の様式で生じ得るＬＴＨＣ層の分離を減少または排除する下層が使用され得る。これは、転写層の転写部分によって示される物理的歪曲の量を減少し得る。しかしながら、その他の場合、例えば、画像化の間、断熱機能を提供することができる層間のエアギャップを生じるため、画像化の間、層中または間で少なくともいくらかの程度の分離を促進する下層を利用することが望まれてもよい。また画像化の間の分離は、画像化の間、ＬＴＨＣ層の加熱によって発生し得るガスの放出のためのチャネルを提供し得る。かかるチャネルを提供することによって、より少数の画像化欠損が導かれ得る。
下層は画像化波長で実質的に透明であり得るか、または画像化放射線に対して少なくとも吸収性であるか、もしくは反射性であってもよい。画像化の間の熱発生を制御するために、下層による画像化放射線の減衰または反射が使用されてもよい。
照射エネルギーをドナーシートに連結させるため、ＬＴＨＣ層が本開示のドナーシートに含まれてもよい。ＬＴＨＣ層は、好ましくは入射放射線（例えばレーザー光）を吸収する放射線吸収剤を含み、そして入射の放射線の少なくとも一部を熱へと変換し、ドナーシートからレセプターへの転写層の移動を可能にする。
一般的に、ＬＴＨＣ層の中の放射線吸収剤は、電磁スペクトルの赤外線、可視または紫外線領域の光を吸収し、そして吸収された放射線を熱に変換する。放射線吸収剤は、典型的に、選択された画像化放射線に対して非常に吸収性であり、約０．２〜３以上の範囲の画像化放射線の波長において光学密度を有するＬＴＨＣ層を提供する。層の光学密度は、層を通して伝送される光の強度対層上の光入射の強度の比率の対数（基数１０）の絶対値である。
放射線吸収材料はＬＴＨＣ層を通して均一に配置され得るか、または不均一に分散され得る。例えば、米国特許第６，２２８，５５５号明細書（ホフエンド，Ｊｒ．（Ｈｏｆｆｅｎｄ，Ｊｒ．）ら）に記載の通り、不均一なＬＴＨＣ層を使用して、ドナー素子の温度プロフィールを制御することができる。これにより、改善された転写特性（例えば、意図された転写パターンと実際の転写パターンとの間でのより良好な忠実度）を有するドナーシートが得られる。
適切な放射線吸収材料としては、例えば、染料（例えば、可視染料、紫外染料、赤外染料、蛍光染料および放射偏光染料）、顔料、金属、金属化合物、金属フィルム、黒体吸収剤および他の適切な吸収材料が挙げられる。適切な放射線吸収剤の例としては、カーボンブラック、金属酸化物および金属硫化物が挙げられる。適切なＬＴＨＣ層の１つの例としては、カーボンブラックのような含量および有機ポリマーのようなバインダーが挙げられる。もう１つの適切なＬＴＨＣ層は、薄フィルムとして形成される金属または金属／金属酸化物、例えば、ブラックアルミニウム（すなわち、黒色の視覚外観を有する部分的に酸化されたアルミニウム）を含む。金属および金属化合物フィルムは、例えば、スパッタリングおよび蒸着のような技術によって形成されてよい。粒子コーティングは、バインダーおよびいずれかの適切な乾式または湿式コーティング技術を使用して形成されてよい。またＬＴＨＣ層は、同様の、または異なる材料を含有する２つ以上のＬＴＨＣ層を組み合わせることによって形成可能である。例えば、ＬＴＨＣ層は、バインダー中に配置されたカーボンブラックを含有するコーティング上でブラックアルミニウムの薄層を蒸着させることによって形成可能である。
ＬＴＨＣ層中の放射線吸収剤として使用するために適切な染料は、粒子の形状で存在し得るか、バインダー材料中に溶解され得るか、またはバインダー材料中に少なくとも部分的に分散され得る。分散された粒子放射線吸収剤が使用される場合、粒度は、少なくともいくつかの場合、約１０μｍ以下であり得、そして約１μｍ以下であってもよい。適切な染料としては、スペクトルのＩＲ領域において吸収する染料が挙げられる。具体的な染料は、具体的なバインダーまたはコーティング溶媒における溶解性および相溶性、ならびに吸収の波長範囲のような要因に基づいて選択されてよい。
また顔料材料は、ＬＴＨＣ層において放射線吸収剤として使用されてもよい。適切な顔料の例としては、カーボンブラックおよびグラファイト、ならびにフタロシアニン、ニッケルジチオレン、ならびに米国特許第５，１６６，０２４号明細書（バグナー（Ｂｕｇｎｅｒ）ら）および同第５，３５１，６１７号明細書（ウィリアムス（Ｗｉｌｌｉａｍｓ）ら）に記載される他の顔料が挙げられる。加えて、例えば、ピラゾロンイエロー、ジアニシジンレッドおよびニッケルアゾイエローの銅またはクロム錯体をベースとするブラックアゾ顔料は有用であり得る。また例えば、アルミニウム、ビスマス、スズ、インジウム、亜鉛、チタン、クロム、モリブデン、タングステン、コバルト、イリジウム、ニッケル、パラジウム、白金、銅、銀、金、ジルコニウム、鉄、鉛およびテルルのような金属の酸化物および硫化物を含む無機顔料を使用することも可能である。金属のホウ化物、炭化物、窒化物、炭窒化物、ブロンズ構造（ｂｒｏｎｚｅ−ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）酸化物およびブロンズ族と構造的に関連する酸化物（例えば、ＷＯ2.9）も使用されてよい。
金属放射線吸収剤は、例えば米国特許第４，２５２，６７１号明細書（Ｓｍｉｔｈ）に記載されるように粒子の形態で、または米国特許第５，２５６，５０６号明細書（エリス（Ｅｌｌｉｓ）ら）に開示されるようにフィルムとして使用されてよい。適切な金属としては、例えば、アルミニウム、ビスマス、スズ、インジウム、テルルおよび亜鉛が挙げられる。
ＬＴＨＣ層に使用される適切なバインダーとしては、例えば、フェノール樹脂（例えば、ノボラックおよびレゾール樹脂）、ポリビニルブチラール樹脂、ポリ酢酸ビニル、ポリビニルアセタール、ポリ塩化ビニリデン、ポリアクリレート、セルロースエーテルおよびエステル、ニトロセルロースおよびポリカーボネートのようなフィルム形成ポリマーが挙げられる。適切なバインダーとしては、重合または架橋されているか、または重合可能または架橋可能であるモノマー、オリゴマーまたはポリマーが挙げられる。光開始剤のような添加剤も、ＬＴＨＣバインダーの架橋を促進するために含まれてもよい。いくつかの実施形態において、バインダーは、主に、任意のポリマーによって架橋可能なモノマーまたはオリゴマーのコーティングを使用して形成される。
熱可塑性樹脂（例えばポリマー）の包含によって、少なくともいくつかの例において、ＬＴＨＣ層の性能（例えば、転写特性またはコーティング性）が改善され得る。熱可塑性樹脂がドナー基材へのＬＴＨＣ層の接着を改善すると考えられる。一実施形態において、バインダーは、２５〜５０重量％（重量パーセントの計算時に溶媒を排除する）の熱可塑性樹脂、好ましくは３０〜４５重量％の熱可塑性樹脂を含むが、より低量の熱可塑性樹脂が使用されてもよい（例えば１〜１５重量％）。熱可塑性樹脂は典型的に、バインダーの他の材料と相溶性がある（すなわち、１相の組み合わせを形成する）ように選択される。少なくともいくつかの実施形態において、９〜１３（ｃａｌ／ｃｍ3）1/2、好ましくは９．５〜１２（ｃａｌ／ｃｍ3）1/2の範囲の溶解パラメーターを有する熱可塑性樹脂がバインダーのために選択される。適切な熱可塑性樹脂の例としては、ポリアクリル酸、スチレン−アクリルポリマーおよび樹脂よびポリビニルブチラールが挙げられる。
コーティングプロセスを促進するため、界面活性剤および分散剤のような従来のコーティング助剤を添加してもよい。ＬＴＨＣ層は、当該分野で既知の様々なコーティング方法を使用してドナー基材上へコーティングされてよい。ポリマーまたは有機ＬＴＨＣ層は、少なくともいくつかの例において、０．０５μｍ〜２０μｍ、好ましくは０．５μｍ〜１０μｍ、そしてより好ましくは１μｍ〜７μｍの厚さまでコーティングされ得る。無機ＬＴＨＣ層は、少なくともいくつかの例において、０．０００５〜１０μｍ、そして好ましくは０．００１〜１μｍの範囲の厚さまでコーティングされ得る。
少なくとも１つの任意の中間層は、ＬＴＨＣ層と転写層との間に配置されてもよい。中間層は、例えば、転写層の転写部分の損傷および汚染を最小化するために使用され得、そして転写層の転写部分の歪曲または機械的損傷を減少し得る。中間層は、ドナーシートの残部への転写層の接着にも影響を及ぼし得る。典型的に、中間層は高い熱抵抗を有する。好ましくは、中間層は画像化条件下で、特に、転写像を非機能性にする範囲まで、歪曲せず、また化学的に分解しない。中間層は、転写プロセス間、典型的にＬＴＨＣ層と接触したままであり、そして転写層と一緒に実質的に転写されない。
適切な中間層としては、例えば、ポリマーフィルム、金属層（例えば、蒸着金属層）、無機層（例えば、無機酸化物（例えば、シリカ、チタニアおよび他の金属酸化物）のゾル−ゲル付着層および蒸着層）および有機／無機複合層が挙げられる。中間層材料として適切な有機材料としては熱硬化性および熱可塑性材料が挙げられる。適切な熱硬化性材料としては、熱、放射線または化学的処理によって架橋され得る樹脂が挙げられ、限定されないが、架橋されたか、もしくは架橋性のポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリエステル、エポキシおよびポリウレタンが挙げられる。熱硬化性材料は、例えば熱可塑性前駆体としてＬＴＨＣ層上へコーティングされて、その後、架橋されて架橋中間体を形成してもよい。
適切な熱可塑性材料としては、例えば、ポリアクリレート、ポリメタクリレート、ポリスチレン、ポリウレタン、ポリスルホン、ポリエステルおよびポリイミドが挙げられる。これらの熱可塑性有機材料は、従来のコーティング技術（例えば、溶媒コーティング、スプレーコーティングまたは押出コーティング）によって適用されてよい。典型的に、中間層に使用するために適切な熱可塑性材料のガラス転移温度（Ｔg）は、２５℃以上、好ましくは５０℃以上である。いくつかの実施形態において、中間層は、画像化の間、転写層で達成されるいずれの温度よりも高いＴgを有する熱可塑性材料を含む。中間層は、画像化放射線波長において、透過性であっても、吸収性であっても、反射性であっても、またはいくつかのそれらの組み合わせであってもよい。
中間層材料として適切な無機材料としては、例えば、金属、金属酸化物、金属硫化物および無機炭素コーティングが挙げられ、画像化光波長において非常に透過性であるか、または反射性である材料が含まれる。これらの材料は、従来の技術（例えば、真空スパッタリング、真空エバポレーションまたはプラズマジェット付着）によって光−熱変換層に適用されてもよい。
中間層は多くの利益を提供し得る。中間層は、光−熱変換層からの材料の転写に対するバリアとなり得る。また中間層は、それらの最も近い層へ、まはた層からのいずれかの材料または汚染交換を防止するバリアとしても機能し得る。それはまた、熱的に不安定な材料が転写されるように、転写層において達成された温度を調整し得る。例えば、中間層は、ＬＴＨＣ層において達成される温度に対して、中間層と転写層との間の境界面で温度を制御するための熱拡散器としても機能し得る。これは、転写された層の品質（すなわち、表面粗さ、エッジ粗さ等）を改善し得る。また中間層の存在によって、転写された材料における塑性復原の改善がもたらされ得る。
中間層は添加剤を含有してもよく、例えば、光開始剤、界面活性剤、顔料、可塑剤およびコーティング助剤が挙げられる。中間層の厚さは、例えば、中間層の材料、ＬＴＨＣ層の材料および特性、転写層の材料および特性、画像化放射線の波長、および画像化放射線へのドナーシートの暴露期間のような要因次第であり得る。ポリマー中間層に関して、中間層の厚さは典型的に０．０５μｍ〜１０μｍの範囲である。無機中間層（例えば、金属または金属化合物中間層）に関して、中間層の厚さは典型的に０．００５μｍ〜１０μｍの範囲である。複数の中間層を使用することも可能であり、例えば、熱転写プロセス間に転写層に追加的な保護を提供するために、有機ベースの中間層を無機ベースの中間層によって被覆することができる。
熱転写層にはドナーシートが含まれる。転写層は、単独で、または他の材料と組み合わせて１つ以上の層において配置されるいずれかの適切な材料を含み得る。ドナー素子が直接加熱に、または光−熱変換材料によって吸収されて熱へと変換可能な画像化放射線に暴露される場合、転写層は１構成単位で、または部分的に、いずれかの適切な転写機構によって選択的に転写可能である。いくつかの実施形態において、熱転写層は光−熱変換材料を含み得る。
熱転写層を使用して、例えば、色フィルター、電子回路、抵抗器、コンデンサー、ダイオード、整流器、エレクトロルミネセンスランプ、記憶素子、電界効果トランジスター、バイポーラトランジスター、ユニジャンクショントランジスター、ＭＯＳトランジスター、金属−絶縁体−半導体トランジスター、電荷結合素子、絶縁体−金属−絶縁体積層体、有機導体−金属−有機導体積層体、集積回路、光検出器、レーザー、レンズ、導波管、回折格子、ホログラフィック素子、フィルター（例えば、アド−ドロップフィルター、利得平坦化フィルター、カット−オフフィルター等）、ミラー、スプリッター、カプラー、コンバイン、変調器、センサー（例えば、エバネセントセンサー、位相変調センサー、干渉計測センサー等）、光学スペーサー、光学キャビティ、圧電デバイス、強誘電デバイス、薄フィルムバッテリーまたはそれらの組み合わせ、例えば、電界効果トランジスターと、光学ディスプレイのためのアクティブマトリックスアレイとして有機エレクトロルミネセンスランプとの組み合わせを形成することができる。複数成分転写単位および／または単一層を転写することによって、他のアイテムも形成されてよい。
ドナー素子から最も近くに位置するレセプター基材へと転写層を選択的に熱転写することができる。所望であれば、多層構造が単一のドナーシートを使用して転写されるように、２つ以上の転写層があり得る。レセプター基材は、限定されないが、ガラス、透明フィルム、反射フィルム、金属、半導体およびプラスチックを含む特定の適用のために適切ないずれかのアイテムであってよい。例えば、レセプター基材は、ディスプレイ適用に適切ないずれの種類の基材またはディスプレイ素子、例えば、発光ディスプレイ、反射ディスプレイ、トランスフレクティブ（ｔｒａｎｓｆｌｅｃｔｉｖｅ）ディスプレイ、微小機械ディスプレイ等であってよい。液晶ディスプレイまたは発光ディスプレイのようなディスプレイでの使用に適切なレセプター基材は、可視光に実質的に透過性である剛性またはフレキシブル基材を含む。適切な剛性レセプターの例としては、インジウムスズ酸化物によってコーティングされるか、またはパターン化される、あるいは低温ポリ−ケイ素（ＬＴＰＳ）または他のトランジスター構造、例えば有機トランジスターによって回路化されるガラスおよび剛性プラスチックが挙げられる。
適切なフレキシブル基材としては、実質的にクリアなおよび透過性のポリマーフィルム、反射フィルム、トランスフレクティブフィルム、偏光フィルム、多層光学フィルム、金属フィルム、金属シート、金属ホイル等が挙げられる。フレキシブル基材も電極材料またはトランジスター、例えば、フレキシブル基材上に直接形成されるか、または一時的キャリア基材上に形成された後にフレキシブル基材へと転写されるトランジスターアレイによってコーティングされるか、またはパターン化可能である。適切なポリマー基材としては、ポリエステルベース（例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリカーボネート樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリビニル樹脂（例えば、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアセタール等）、セルロースエステルベース（例えば、三酢酸セルロース、酢酸セルロース）および支持体として使用される他の従来のポリマーフィルムが挙げられる。プラスチック基材上で有機エレクトロルミネセンスデバイスを作成するために、望ましくないレベルの水、酸素等への有機発光デバイスおよびそれらの電極の暴露から保護するため、プラスチック基材の一方または両方の表面でバリアフィルムまたはコーティングを含むことがしばしば望ましい。
１つ以上の電極、トランジスター、コンデンサー、絶縁体リブ、スペーサー、色フィルター、ブラックマトリックス、正孔輸送層、電子輸送層および電子ディスプレイまたは他のデバイスのために有用な他の素子によってレセプター基材を事前にパターン化することができる。光学スペーサー（例えば、図２の光学スペーサー１３０）を形成するために、いずれかの適切な材料がドナーシートの１つ以上の転写層に含まれてよい。
高力供給光源（すなわち、キセノンフラッシュランプ）によって光学スペーサー転写層が誘導される場合、米国特許第５，３０８，７３７号明細書（ビルズ（Ｂｉｌｌｓ）ら）および同第５，２７８，０２３号明細書（ビルズ（Ｂｉｌｌｓ）ら）に記載されるようなバインダーとしてエネルギーまたはガス発生ポリマーが含まれる必要がある。転写層材料は、像化光学スペーサーの性能を改善するためにレーザー転写の前後に任意に架橋されてもよい。光学スペーサー材料の架橋は、放射線、熱および／または化学硬化によって実行されてもよい。光学スペーサー転写層は、限定されないが、染料、可塑剤、ＵＶ安定剤、フィルム形成添加剤、光架橋された、または光架橋可能な光学スペーサー転写層のための光開始剤および接着剤を含む様々な添加剤を含有してもよい。一般的に、１０Å〜３マイクロメーターの乾燥コーティング厚が望ましい。
エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法について、ここで図２のエレクトロルミネセンスデバイス１００を参照して説明する。デバイス１００のエレクトロルミネセンス素子１２０は、いずれかの適切な技術、例えば、本明細書に記載されるＬＩＴＩパターニングを使用して基材１１２の主面１１４上に形成される。また光学スペーサー１３０も、本明細書に記載されるようにエレクトロルミネセンス素子１２０へと選択的に熱転写される。光学スペーサー１３０は、光学スペーサー１３０が第２の電極１２８上にあるように、エレクトロルミネセンス素子１２０へと転写され得る。あるいは、光学スペーサー１３０は、本明細書にさらに記載されるように、エレクトロルミネセンス素子１２０の少なくとも一部上に形成される保護層（図示せず）へと転写されてもよい。部分的反射界面１３２は、存在する場合、エレクトロルミネセンス素子１２０または光学スペーサー１３０上に存在するか、または形成される。部分的反射界面１３２は、いずれかの適切な手段によってエレクトロルミネセンス素子１２０上または光学スペーサー１３０上に形成され得る任意の部分的反射層１３４から生じる。任意に、色フィルター１４０は、いずれかの適切な手段によって部分的反射界面１３２または部分的反射層１３４上に形成され得る。いくつかの実施形態において、本明細書にさらに記載されるように、ブラックマトリックスは、例えば、エレクトロルミネセンス素子１２０上に形成され、次いで光学スペーサー１３０はブラックマトリックスの開口へと転写される。
図３は、エレクトロルミネセンスデバイス２００のもう１つの実施形態の概略図である。エレクトロルミネセンスデバイス２００は、多くの点で図２のエレクトロルミネセンスデバイス１００と同様である。図３に示される実施形態において、エレクトロルミネセンスデバイス２００は、基材２１２と、基材２１２の主面２１４上に形成されたエレクトロルミネセンス素子２２０と、エレクトロルミネセンス素子２２０上に形成された光学スペーサー２３０ａ、２３０ｂおよび２３０ｃ（以下、集合的に光学スペーサー２３０と記載される）とを含む。エレクトロルミネセンス素子２２０は、第１の電極２２２と、第２の電極２２８と、第１の電極２２２と第２の電極２２８との間に位置する１つ以上のデバイス層２２４とを含む。エレクトロルミネセンスデバイス２００は、光学スペーサー２３０上で部分的反射界面２３２をさらに含む。エレクトロルミネセンスデバイス２００は、部分的反射界面２３２上の任意の色フィルター２４０ａ、２４０ｂおよび／または２４０ｃ（以下、集合的に色フィルター２４０と記載される）をさらに含んでよい。図２に例示される実施形態の基材１１２、エレクトロルミネセンス素子１２０、光学スペーサー１３０および部分的反射界面１３２に関して本明細書に記載される全ての設計考察および可能性は、図３に例示される実施形態の基材２１２、エレクトロルミネセンス素子２２０、光学スペーサー２３０および部分的反射界面２３２に等しく適用される。
図４は、エレクトロルミネセンスデバイス３００のもう１つの実施形態の概略図である。エレクトロルミネセンスデバイス３００は、多くの点で図２のエレクトロルミネセンスデバイス１００および図３のエレクトロルミネセンスデバイス２００と同様である。図４に示される実施形態において、エレクトロルミネセンスデバイス３００は、基材３１２と、基材３１２の主面３１４上に形成されたエレクトロルミネセンス素子３２０と、保護層３２９上に形成された光学スペーサー３３０ａ、３３０ｂおよび３３０ｃ（以下、集合的に光学スペーサー３３０と記載される）とを含む。エレクトロルミネセンス素子３２０は、第１の電極３２２と、第２の電極３２８と、第１の電極３２２と第２の電極３２８との間に位置する１つ以上のデバイス層３２４とを含む。エレクトロルミネセンスデバイス３００は、光学スペーサー３３０上で部分的反射界面３３２をさらに含む。エレクトロルミネセンスデバイス３００は、部分的反射界面３３２上の任意の色フィルター３４０ａ、３４０ｂおよび／または３４０ｃ（以下、集合的に色フィルター３４０と記載される）をさらに含んでよい。図２に例示される実施形態の基材１１２、エレクトロルミネセンス素子１２０、光学スペーサー１３０および部分的反射界面１３２、図３に例示される実施形態の基材２１２、エレクトロルミネセンス素子２２０、光学スペーサー２３０および部分的反射界面２３２に関して本明細書に記載される全ての設計考察および可能性は、図４に例示される実施形態の基材３１２、エレクトロルミネセンス素子３２０、光学スペーサー３３０および部分的反射界面３３２に等しく適用される。
エレクトロルミネセンスデバイス３００は、エレクトロルミネセンス素子３２０の少なくとも一部上に形成された保護層３２９も含む。保護層３２９はエレクトロルミネセンス素子３２０上で、それに接触して形成されてよい。あるいは、任意の層がエレクトロルミネセンス素子３２０と保護層３２９との間に含まれてもよい。
保護層３２９は、エレクトロルミネセンス素子３２０を保護する層のいずれかの適切な種類、例えば、バリア層、カプセル化層等であってよい。保護層３２９は、例えば米国特許出願公開第２００４／０１９５９６７号明細書（パディヤス（Ｐａｄｉｙａｔｈ）ら）および米国特許第６，５２２，０６７号明細書（グラフ（Ｇｒａｆｆ）ら）に記載のいずれかの適切な材料を使用して形成されてよい。
光学スペーサー３３０は保護層３２９へと転写される。図２のエレクトロルミネセンスデバイス１００の光学スペーサー１３０および図３の光学スペーサー２３０に関して本明細書で記載されるように、エレクトロルミネセンスデバイス３００の光学スペーサー３３０はいずれかの適切な技術、例えばコーティング（例えばスピンコーティング）、印刷（例えばスクリーン印刷またはインクジェット印刷）、物理的または化学的蒸着、フォトリソグラフィーおよび熱転写方法（例えば米国特許第６，１１４，０８８号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）に記載される方法）を使用して形成されてよい。本明細書に記載されるＬＩＴＩ技術を使用して、保護層３２９に光学スペーサー３３０を転写することが好ましい。
他の素子がエレクトロルミネセンス素子、保護層または光学スペーサー、例えばブラックマトリックス等上に形成されてもよい。例えば、図５はエレクトロルミネセンスデバイス４００のもう１つの実施形態の概略図である。エレクトロルミネセンスデバイス４００は、多くの点で図２のエレクトロルミネセンスデバイス１００、図３のエレクトロルミネセンスデバイス２００および図４のエレクトロルミネセンスデバイス３００と同様である。エレクトロルミネセンスデバイス４００は、基材４１２と、基材４１２の主面４１４上に形成されたエレクトロルミネセンス素子４２０と、エレクトロルミネセンス素子４２０上に形成された光学スペーサー４３０ａ、４３０ｂおよび４３０ｃ（以下、集合的に光学スペーサー４３０と記載される）とを含む。エレクトロルミネセンス素子４２０は、第１の電極４２２と、第２の電極４２８と、第１の電極４２２と第２の電極４２８との間に位置する１つ以上のデバイス層４２４とを含む。エレクトロルミネセンスデバイス４００は、光学スペーサー４３０上で部分的反射界面４３２をさらに含む。エレクトロルミネセンスデバイス４００は、部分的反射界面４３２上の任意の色フィルター４４０ａ、４４０ｂおよび／または４４０ｃ（以下、集合的に色フィルター４４０と記載される）をさらに含んでよい。図２に例示される実施形態の基材１１２、エレクトロルミネセンス素子１２０、光学スペーサー１３０および部分的反射界面１３２、図３に例示される実施形態の基材２１２、エレクトロルミネセンス素子２２０、光学スペーサー２３０および部分的反射界面２３２、図４に例示される実施形態の基材３１２、エレクトロルミネセンス素子３２０、光学スペーサー３３０および部分的反射界面３３２に関して本明細書に記載される全ての設計考察および可能性は、図５に例示される実施形態の基材４１２、エレクトロルミネセンス素子４２０、光学スペーサー４３０および部分的反射界面４３２に等しく適用される。
エレクトロルミネセンスデバイス４００は、エレクトロルミネセンス素子４２０上に形成された任意のブラックマトリックス４６０をさらに含む。ブラックマトリックス４６０は、複数の開口４６２ａ、４６２ｂおよび４６２ｃ（以下、集合的に開口４６２と記載される）を含む。図５に例示される実施形態には３つの開口４６２のみが含まれるが、ブラックマトリックス４６０はいずれの適切な数の開口も含み得る。各開口４６２は、いずれかの適切な形状、例えば、卵形、長方形、多角形等であってもよい。
いくつかの実施形態において、本明細書に記載されるいずれかの適切な技術を使用して、各光学スペーサー４３０が任意のブラックマトリックス４６０の開口４６２へと転写されるように、光学スペーサー４３０はエレクトロルミネセンス素子４２０へ転写されてもよい。例えば、光学スペーサー４３０ａは、ブラックマトリックス４６０の開口４６２ａへ転写されることができる。
いくつかの実施形態において、１つ以上の基材４１２、１つ以上のデバイス層４２４、光学スペーサー４３０および任意の色フィルター４４０は、米国特許第６，４８５，８８４号明細書（ウォーク（Ｗｏｌｋ）ら）および同第５，６９３，４４６号明細書（スタラル（Ｓｔａｒａｌ）ら）にさらに記載されるように、極光を提供するように構成されてもよい。
本発明の実例となる実施形態が検討され、そして本発明の範囲内で可能な変形について参照された。本発明におけるこれらおよび他の変形および修正は本発明の範囲から逸脱することなく当業者に明白であり、そして本発明は本明細書で明かにされる実例となる実施形態に限定されないことは理解されるべきである。従って、本発明は請求の範囲のみによって限定される。
Claims (9)
- エレクトロルミネセンスデバイスの製造方法であって、
基材上に第１電極と前記基材上から一定の高さにある第２電極とを含むエレクトロルミネセンス素子を形成する工程と、
光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極へと選択的に熱転写し、光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程と
を含み、
前記光学スペーサーが色フィルターである方法。 - 前記光学スペーサーを選択的に熱転写する工程が、
ベース層、光熱変換層および１つ以上の転写層を含んでなるドナーシートを提供する工程と、
前記１つ以上の転写層が前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極に近接するように前記ドナーシートを位置決めする工程と、
前記ドナーシートの部分を選択的に照射し、前記１つ以上の転写層の部分を前記ドナーシートから前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極へと熱転写する工程と
を含む請求項１に記載の方法。 - 色フィルターを前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極へと選択的に熱転写する工程をさらに含む請求項１に記載の方法。
- 前記色フィルターを選択的に熱転写する工程が、
ベース層、光熱変換層および１つ以上の転写層を含んでなるドナーシートを提供する工程と、
前記１つ以上の転写層が前記光学スペーサーに近接するように前記ドナーシートを位置決めする工程と、
前記ドナーシートの部分を選択的に照射し、前記１つ以上の転写層の部分を前記ドナーシートから前記光学スペーサーへと熱転写する工程と
を含む請求項３に記載の方法。 - 前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極上にブラックマトリックスを形成する工程をさらに含んでなる請求項１に記載の方法。
- 前記ブラックマトリックスを形成する工程が、前記ブラックマトリックスを前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極に選択的に熱転写する工程を含んでなる請求項５に記載の方法。
- 前記光学スペーサーの屈折率が、前記光学スペーサーが転写される前記エレクトロルミネセンス素子の表面の屈折率と実質的に適合する請求項１に記載の方法。
- 複数の光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極へと選択的に熱転写し、複数の光学キャビティの各光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程をさらに含み、
前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが赤色光を通過させるように同調され、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが緑色光を通過させるように同調され、そして前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが青色光を通過させるように同調される、請求項１に記載の方法。 - 複数の光学スペーサーを前記エレクトロルミネセンス素子の前記第２電極へと選択的に熱転写し、複数の光学キャビティの各光学キャビティの少なくとも一部を形成する工程をさらに含み、
前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが赤色光を発光するように同調され、前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが緑色光を発光するように同調され、そして前記複数の光学キャビティの少なくとも１つの光学キャビティが青色光を発光するように同調される、請求項１に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US11/024,202 US8569948B2 (en) | 2004-12-28 | 2004-12-28 | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
| US11/024,202 | 2004-12-28 | ||
| PCT/US2005/047181 WO2006071913A2 (en) | 2004-12-28 | 2005-12-27 | Electroluminescent devices including an optical spacer and methods of making same |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2008525993A JP2008525993A (ja) | 2008-07-17 |
| JP2008525993A5 JP2008525993A5 (ja) | 2008-10-23 |
| JP4871882B2 true JP4871882B2 (ja) | 2012-02-08 |
Family
ID=36610656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007549570A Active JP4871882B2 (ja) | 2004-12-28 | 2005-12-27 | 光学スペーサーを含むエレクトロルミネセンスデバイスおよびその製造方法 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8569948B2 (ja) |
| EP (1) | EP1831939A2 (ja) |
| JP (1) | JP4871882B2 (ja) |
| KR (1) | KR101182437B1 (ja) |
| CN (1) | CN101091268A (ja) |
| BR (1) | BRPI0519483A2 (ja) |
| TW (3) | TWI575790B (ja) |
| WO (1) | WO2006071913A2 (ja) |
Families Citing this family (65)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI250812B (en) * | 2004-04-14 | 2006-03-01 | Teco Nanotech Co Ltd | Compensation structure of light-emitting brightness in field emission display |
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| KR102656795B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2024-04-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
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| TWI575790B (zh) | 2017-03-21 |
| US20060138945A1 (en) | 2006-06-29 |
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