JP6564559B2 - 表示パネル及び電子機器 - Google Patents

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Description

本発明は、物、方法、または、製造方法に関する。または、本発明は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・オブ・マター）に関する。特に、本発明は、例えば、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法に関する。特に、本発明は、発光装置、発光パネルまたは表示パネルに関する。
第１の基板に設けられた第１の電極と、当該第１の電極との間に発光性の有機化合物を含む層を挟持する第２の電極と、当該第２の電極上に液状の材料から形成された犠牲層と、を第１の基板と第２の基板の間に有する構成が知られている（特許文献１）。
特開２０１３−３８０６９号公報
本発明の一態様は、外光の反射が抑制された新規な発光装置または発光パネルを提供することを課題の一とする。または、外光の反射が抑制された新規な表示パネルを提供することを課題の一とする。
なお、これらの課題の記載は、他の課題の存在を妨げるものではない。なお、本発明の一態様は、これらの課題の全てを解決する必要はないものとする。なお、これら以外の課題は、明細書、図面、請求項などの記載から、自ずと明らかとなるものであり、明細書、図面、請求項などの記載から、これら以外の課題を抽出することが可能である。
本発明の一態様は、吸収層と、吸収層が重なる導電膜と、導電膜と電気的に接続される発光モジュールと、を有する発光装置である。そして、導電膜は可視光を反射し、発光モジュールは可視光領域の一の波長に極大を備えるスペクトルの光を吸収層に向けて射出する。また、吸収層は一の波長より短い波長を有する光の一部および一の波長より長い波長を有する光の一部を一の波長を有する光より吸収する。
また、本発明の一態様は、吸収層と、吸収層が重なる第１の導電膜および第２の導電膜と、第１の導電膜と電気的に接続される第１の発光モジュールと、第２の導電膜と電気的に接続される第２の発光モジュールと、を有する発光パネルである。そして、第１の導電膜および第２の導電膜は可視光を反射する。また、第１の発光モジュールは可視光領域の第１の波長に極大を備えるスペクトルの光を吸収層に向けて射出する。第２の発光モジュールは可視光領域の第１の波長と異なる第２の波長に極大を備えるスペクトルの光を吸収層に向けて射出する。また、吸収層は、第１の波長より短い波長を有する光の一部および第１の波長より長い波長を有する光の一部を第１の波長を有する光より吸収し、且つ、第２の波長より短い波長を有する光の一部および第２の波長より長い波長を有する光の一部を、第２の波長を有する光より吸収する。
上記本発明の一態様の発光パネルは、可視光領域の一の波長に極大を備えるスペクトルの光を射出する発光モジュールと、一の波長より短い波長を有する光の一部および当該一の波長より長い波長を有する光の一部を当該一の波長を有する光より吸収する吸収層を有する。
これにより、発光パネルの外部から吸収層を通って反射性の導電膜に向かう外光の一部を、反射性の導電膜に到達する前に吸収層を用いて吸収することができる。また、反射性の導電膜に反射された光の一部を吸収層から射出される前に吸収層を用いて吸収することができる。そして、反射性の導電膜が反射する外光の強度を低減することができる。
その結果、発光装置の使用者が、反射された外光と発光モジュールの発光を、区別できなくなる現象を発生し難くすることができる。
また、本発明の一態様は、吸収層と、吸収層が重なる第１の導電膜乃至第３の導電膜と、第１の導電膜と電気的に接続される第１の発光モジュールと、第２の導電膜と電気的に接続される第２の発光モジュールと、第３の導電膜と電気的に接続される第３の発光モジュールと、を有する表示パネルである。そして、第１の導電膜乃至第３の導電膜は可視光を反射する。また、第１の発光モジュールは、可視光領域の第１の波長に極大を備えるスペクトルの光を吸収層に向けて射出し、第２の発光モジュールは、可視光領域の第１の波長と異なる第２の波長に極大を備えるスペクトルの光を吸収層に向けて射出し、第３の発光モジュールは、可視光領域の第１の波長および第２の波長と異なる第３の波長に極大を備えるスペクトルの光を吸収層に向けて射出する。また、吸収層は、第１の波長より短い波長を有する光の一部および第１の波長より長い波長を有する光の一部を第１の波長を有する光より吸収し、且つ、第２の波長より短い波長を有する光の一部および第２の波長より長い波長を有する光の一部を第２の波長を有する光より吸収し、且つ、第３の波長より短い波長を有する光の一部および第３の波長より長い波長を有する光の一部を第３の波長を有する光より吸収する、表示パネルである。
また、本発明の一態様は、吸収層が、第１の波長と第２の波長の間の波長を有する光の一部を第１の波長を有する光および第２の波長を有する光より吸収する、上記の表示パネルである。
上記本発明の一態様の表示パネルは、第１の波長より短い波長を有する光の一部および第１の波長より長い波長を有する光の一部を、第１の波長を有する光より吸収し易く、第２の波長より短い波長を有する光の一部および第２の波長より長い波長を有する光の一部を、第２の波長を有する光より吸収し易く、第１の波長と第２の波長の間の光の一部を、第１の波長を有する光より吸収し易く、且つ第２の波長を有する光より吸収し易い、吸収層を有する。
その結果、表示のコントラストが外光の強い環境下において低減してしまう不具合の発生を抑制することができる新規な表示パネルを提供することができる。または、副画素等の規則的な構造物に設けられた発光モジュールに反射される光が互いに干渉し合う現象により引き起こされる不具合（例えば干渉縞による模様が観察される現象等）の発生を抑制することができる新規な表示パネルを提供することができる。
また、本発明の一態様は、第１の波長に極大を備えるスペクトルの第１の波長における強度の半値幅が１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下であり、且つ、第２の波長に極大を備えるスペクトルの第２の波長における強度の半値幅が１５ｎｍ以上９５ｎｍ以下である上記の表示パネルである。
また、本発明の一態様は、第１の発光モジュールと第２の発光モジュールが、微小共振器構造を備える上記の表示パネルである。
上記本発明の一態様の表示パネルは、半値幅が狭いスペクトルの可視光を発する発光モジュールを備える。これにより、発光モジュールが発する光が吸収層に吸収されてしまう現象を低減できる。その結果、発光モジュールが発する光を効率よく取り出すことができる新規な表示パネルを提供することができる。
また、本発明の一態様は、第１の導電膜および第１の導電膜と電気的に接続される第１の発光モジュールが２００ｐｐｉ以上１０００ｐｐｉ以下の精細度で繰り返し設けられる、上記の表示パネルである。なお、ｐｐｉ（ｐｉｘｅｌｓ ｐｅｒ ｉｎｃｈ）は、一の画素が１インチあたりに出現する頻度を表す単位である。また、例えば３つの副画素が１つの画素を構成する場合、３つの副画素を１つの繰り返し単位と数える。
上記本発明の一態様の表示パネルは、高い空間周波数で繰り返し配置される発光モジュールと電気的に接続される導電膜が反射する光を吸収することができる吸収層を備える。これにより、精細度の高い良好な画像を表示できるだけでなく、導電膜に反射される光が互いに干渉し合う現象を発生し難くすることができる。その結果、干渉現象がもたらす煩わしい光（例えば干渉縞による模様）を低減することができる新規な表示パネルを提供することができる。
また、本発明の一態様は、吸収層が、第１の発光モジュール乃至第３の発光モジュールと接し、且つ、１．４以上２．０以下の屈折率を備える上記の表示パネルである。
これにより、発光モジュールが発する光が効率よく吸収層に進入する。その結果、発光モジュールが発する光を効率よく取り出すことができる新規な表示パネルを提供することができる。
なお、本明細書において、ＥＬ層とは発光素子の一対の電極間に設けられた層を示すものとする。従って、電極間に挟まれた発光物質である有機化合物を含む発光層はＥＬ層の一態様である。
また、本明細書において、物質Ａを他の物質Ｂからなるマトリクス中に分散する場合、マトリクスを構成する物質Ｂをホスト材料と呼び、マトリクス中に分散される物質Ａをゲスト材料と呼ぶものとする。なお、物質Ａ並びに物質Ｂは、それぞれ単一の物質であっても良いし、２種類以上の物質の混合物であっても良いものとする。
なお、本明細書中において、発光装置とは画像表示デバイスもしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子が形成された基板にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
本発明の一態様によれば、外光の反射が抑制された新規な発光装置または発光パネルを提供できる。または、外光の反射が抑制された新規な表示パネルを提供できる。
実施の形態に係る発光装置を説明する図。 実施の形態に係る表示パネルを説明する図。 実施の形態に係る表示パネルを説明する図。 実施の形態に係る表示パネルの画素を説明する図。 実施の形態に係る発光装置および表示パネルに適用可能な発光素子を説明する図。 実施の形態に係る電子機器を説明する図。 実施例に係る吸収層の吸収スペクトルおよび発光モジュールの発光スペクトルを説明する図。 実施例に係る表示パネルが反射する光の写真。 実施例に係る吸収層の作製方法および外光の反射を評価する方法を説明する図。 実施例に係る発光素子の構成を説明する図。
＜本発明の一態様が解決することができる課題の例＞
発光素子および光学素子を備える発光モジュール、発光モジュールを有する発光装置、および複数の発光モジュールを有する表示パネルが知られている。このような発光装置は、発光モジュールを駆動するための信号や電力を供給することができる導電膜を備える。
金属は他の物質に比べて電気抵抗が低い。これにより、信号や電力を発光モジュールに供給する配線に金属を用いると、発光装置の明るさのムラや消費電力を低減できる。
また、金属を導電膜に用いると、導電膜は発光装置の外部から導電膜に向かう光を顕著に反射する。これにより、発光装置の使用者が、反射された外光と発光モジュールの発光を、区別できなくなる不具合が発生する。
例えば、表示パネルを外光の強い環境下において使用する場合、表示パネルに表示される表示のコントラストが、上述の現象により低減してしまう不具合が発生する。
また、発光装置を用いる表示パネルは発光モジュールを副画素に備える。表示パネルは、規則的に配置された副画素を備える。副画素等のように規則的に配置される構造物が反射する光は互いに干渉し合う。これにより、煩わしい光（例えば干渉縞による模様）が観察される等の不具合が発生する。
＜本発明の一態様＞
以下に説明する実施の形態には、発光装置の外部から発光装置に進入する光の波長と、発光装置が射出する光の波長に着眼して創作された本発明の一態様が含まれる。
本発明の一態様の発光装置は、可視光領域の一の波長に極大を備えるスペクトルの光を射出する発光モジュールと、一の波長より短い波長を有する光の一部および当該一の波長より長い波長を有する光の一部を、当該一の波長を有する光より吸収する吸収層を有する。
これにより、発光装置の外部から吸収層を通って反射性の導電膜に向かう外光の一部を、導電膜に到達する前に吸収層を用いて吸収することができる。また、導電膜に反射された光の一部を吸収層から発光装置の外部に射出される前に吸収層を用いて吸収することができる。そして、反射性の導電膜が反射する外光の強度を低減することができる。
その結果、発光装置の使用者が、反射された外光と発光モジュールの発光を、区別できなくなる現象を発生し難くすることができる。
実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置の構成について、図１（Ａ−１）および図１（Ａ−２）を参照しながら説明する。
図１（Ａ−１）は本発明の一態様の発光装置１００の断面模式図であり、図１（Ａ−２）は本発明の一態様の発光装置１００が備える吸収層１６０の吸収スペクトルおよび第１の発光モジュール１８０Ｒの発光スペクトルである。図１（Ａ−２）の横軸は光の波長を、左の縦軸は吸収（吸光度ともいう）を、右の縦軸は光の相対強度をそれぞれ表す。
本実施の形態で説明する発光装置は、吸収層１６０と、吸収層１６０が重なる第１の導電膜１２５Ｒと、第１の導電膜１２５Ｒと電気的に接続される第１の発光モジュール１８０Ｒと、を有する（図１（Ａ−１）参照）。なお、第１の発光モジュール１８０Ｒは図中に示す矢印Ｒの方向に光を射出する。また、外光１１が発光装置１００に進入し第１の導電膜１２５Ｒに反射される軌跡を、実線および破線の矢印を用いて、模式的に図示する。
第１の導電膜１２５Ｒは可視光を反射する。
第１の発光モジュール１８０Ｒは、可視光領域の波長λ（Ｒ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｒ）の光を吸収層１６０に向けて射出する。なお、スペクトル１８０Ｅｍ（Ｒ）を一点鎖線で図１（Ａ−２）に示す。
吸収層１６０は、波長λ（Ｒ）より短い波長を有する光の一部および波長λ（Ｒ）より長い波長を有する光の一部を、波長λ（Ｒ）を有する光より吸収する。
例えば、吸収層１６０の吸収スペクトル１６０Ａｂｓは、波長λ（Ｒ）において吸収Ａｂｓ（Ｒ）を備え、波長λ（Ｒ）より短い波長において吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収Ａｂｓ（１）を備える。また、波長λ（Ｒ）より長い波長において吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収Ａｂｓ（２）を備える。
これにより、発光装置１００の外部から吸収層１６０を通って反射性の第１の導電膜１２５Ｒに向かう外光１１の一部を、第１の導電膜１２５Ｒに到達する前に吸収層１６０を用いて吸収することができる。また、第１の導電膜１２５Ｒに反射された光の一部を吸収層１６０から発光装置１００の外部に射出される前に吸収層１６０を用いて吸収することができる。そして、第１の導電膜１２５Ｒが反射することにより外部に射出される、外光１１に由来する光の強度を低減することができる。
吸収層１６０は、波長λ（Ｒ）を有する光を波長λ（Ｒ）より短い波長を有する光の一部より透過し易く、波長λ（Ｒ）より長い波長を有する光の一部より透過し易い。言い換えると、吸収層１６０は、第１の発光モジュール１８０Ｒが発する波長λ（Ｒ）を有する光を吸収し難い。
その結果、発光装置の使用者が、反射された外光１１と第１の発光モジュール１８０Ｒの発光を、区別できなくなる現象を発生し難くすることができる。
また、本実施の形態で例示して説明する発光装置１００は、基板１１０、基板１１０に対向する対向基板１７０、基板１１０と対向基板１７０の間に第１の発光モジュール１８０Ｒおよび吸収層１６０ならびに第１の発光モジュール１８０Ｒに電力を供給する配線を備える。なお、第１の発光モジュール１８０Ｒおよび配線は基板１１０上に設けられ、吸収層１６０は第１の発光モジュール１８０Ｒと対向基板１７０の間に設けられている。
以下に、本発明の一態様の発光装置１００を構成する個々の要素について説明する。
《発光モジュール》
第１の発光モジュール１８０Ｒは、発光素子と光学素子を備える。適用することができる発光素子としては、発光ダイオード、エレクトロルミネッセンス素子等の他、様々な発光素子を用いることができる。
例えば、本実施の形態で例示する発光素子は下部電極１５１Ｒ、下部電極１５１Ｒと重なる上部電極１５２および下部電極と上部電極に挟持される発光性の有機化合物を含む層１５３を備える。
下部電極１５１Ｒは反射性の導電膜１２５Ｒに重ねて設けられ且つ下部電極１５１Ｒは導電膜１２５Ｒと電気的に接続されている。言い換えると、反射性の導電膜１２５Ｒは下部電極１５１Ｒに重なる部分および下部電極１５１Ｒに電気的に接続される部分を有する。そして、反射性の導電膜１２５Ｒの下部電極１５１Ｒに重なる部分は第１の発光モジュール１８０Ｒに含まれ、反射性の導電膜１２５Ｒの他の部分は配線を含む。なお、上部電極１５２は図示されていない接続部を介して図示されていない他の配線と電気的に接続されている。発光素子は導電膜１２５Ｒと図示されていない他の配線から電力を供給される。
なお、本実施の形態で例示する発光装置に適用可能な発光素子の一例を実施の形態３で詳細に説明する。
また、発光素子に重ねて光学素子を設けることができる。光学素子としては、微小共振器等をその例に挙げることができる。
例えば、半透過・半反射性の導電膜と反射性の導電膜を用いて微小共振器を構成し、その間に発光素子を形成することにより、発光モジュールを構成できる。具体的には、下部電極１５１Ｒを、透光性を有する導電膜を用いて反射性の導電膜１２５Ｒに重ねて形成し、上部電極１５２を、半透過・半反射性の導電膜を用いて形成する。
なお、下部電極１５１Ｒの厚さを用いて微小共振器の半透過・半反射性の導電膜と反射性の導電膜の間隔を調整できる。微小共振器の間隔を調整することにより、微小共振器から取り出す光の波長を調節することができる。また、微小共振器を用いることにより、半値幅の狭いスペクトルの光を発光モジュールから取り出すことができる。
《基板》
基板１１０に用いることができる基板は、製造工程に耐えられる程度の耐熱性および製造装置に適用可能な厚さおよび大きさを備え、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐものであれば、特に限定されない。
基板に用いることができる程度に意図しない不純物の拡散が抑制された基板は、組み合わせて用いられる発光素子に応じて決定されたガスバリア性を指標にして選択することができる。具体的には、有機エレクトロルミネッセンス素子を発光素子に用いる場合は、水蒸気の透過率が１０−５ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下、好ましくは１０−６ｇ／ｍ２・ｄａｙ以下である基板を用いることができる。
基板に用いることができる構造は、単層構造、積層構造または繊維状若しくは粒子状の材料を含む複合構造を有していても良い。例えば、厚さが１μｍ以上２００μｍ未満のフィルム状構造、厚さが０．１ｍｍ以上の板状構造等が挙げられる。
基板に用いることができる程度に線膨張率が抑制された基板は、積層されて用いられる他の層の線膨張率との差、作製工程中に加わる熱および許容されるカールに応じて選択することができる。具体的には、線膨張率の範囲が１×１０−３／Ｋ以下、好ましくは５×１０−５／Ｋ以下、より好ましくは１×１０−５／Ｋ以下である基板を用いることができる。
基板に用いることができる材料は、例えば、ガラス、セラミックス、金属、無機材料、または樹脂等が挙げられる。
ガラスとしては、具体的には、無アルカリガラス、ソーダ石灰ガラス、カリガラス若しくはクリスタルガラス等を用いることができる。
金属としては、ＳＵＳおよびアルミニウム等を用いることができる。なお、絶縁性の膜を金属の表面に形成することにより、金属の表面を絶縁性にすることができる。
無機材料としては、例えば金属酸化物、金属窒化物若しくは金属酸窒化物等を適用できる。具体的には酸化珪素、窒化珪素、酸窒化珪素、アルミナ等を適用できる。
樹脂としては、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート若しくはアクリル樹脂等を用いることができる。
本実施の形態で例示する基板１１０は、基材１１０ｂおよび意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜１１０ａの積層体である。具体的には、基材１１０ｂはガラス基板であり、バリア膜１１０ａは珪素および窒素を含む無機膜である。
《対向基板》
対向基板１７０に適用可能な基板は、透光性を有するものであれば、基板１１０と同様の基板を用いることができる。
対向基板１７０の表面に用いることができる構造は、マイクロレンズおよび凹凸構造等が挙げられる。これらの構造は、型押し法、真空成型法、ブラスト加工法、フロスト加工法等を用いて形成することができる。また、凹凸があらかじめ形成されたフィルム等が積層された基板を用いてもよい。
これらの構造を対向基板１７０の発光素子側に設けることにより、発光素子が発する光は、多様な角度で対向基板１７０に進入することができる。または、これらの構造を対向基板１７０の光を取り出す側に設けることにより、発光素子が発する光は、対向基板１７０から外部に多様な角度で射出される。これにより、界面で繰り返し全反射する条件を満たすことが困難になる。その結果、発光素子が発する光を外部に取り出す効率を高めることができる。
本実施の形態で例示する対向基板１７０は、無アルカリガラス基板である。
《吸収層》
吸収層１６０は、色素を含む層である。色素は少なくとも可視光の一部を吸収する。例えば、金属錯体系色素または有機色素を用いることができる。
具体的には、ポルフィリン系色素、クロロフィル系色素、フタロシアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、モノメチン系色素、ポリメチン系色素、シアニン系色素、ヘミシアニン系色素、ストレプトシアニン系色素、メロシアニン系色素、ロダシアニン系色素、オキソノール系色素、ポリエン系色素、スチリル系色素、スチルベン系色素、アジン系色素、オキサジン系色素、チアジン系色素、アゾメチン系色素、アゾ系色素、トリフェニルメタン系色素、ピロニン系色素、フルオレッセイン系色素、ローダミン系色素、ウラニン系色素、エオシン系色素、エリスロシン系色素、ローズベンガル系色素、マーキュロクロム系色素、アクリジン系色素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、クマリン系色素、ジケトピロロピロール系色素、インジゴ系色素、チオインジゴ系色素、キナクリドン系色素、スクアリリウム系色素、クロコニウム系色素、アントラセン系色素、ペリレン系色素、ピレン系色素、ピリリウム系色素、ベンゾピラン系色素、ペリミジン系色素、キノキサリン系色素、ナフタルイミド系色素、デアザフラビン系色素、モーブ系色素、フルギド系色素、プロシオン系色素、ベンゾジフラノン系色素、キサンテン系色素、トリフェニルメタン系色素、フルオラン系色素、キノフタロン系色素、ナフトラクタム系色素、イミダゾールアゾ系色素、トリシアノスチリル系色素、ベンゾチアゾールアゾ系色素、ベンゼンアゾ系色素、ピラゾロトリアゾール系色素、イソチアゾールアゾ系色素およびピラゾロンアゾメチン系色素等を、金属錯体系色素または有機色素の一例として挙げることができる。
また、吸収層１６０は、接着剤を含むことができる。接着剤を含む吸収層１６０は、対向基板１７０を基板１１０に貼り合わせることができる。
接着剤としては、樹脂を用いることができる。例えば、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート、エポキシ樹脂若しくはアクリル樹脂等を、樹脂の一例として挙げることができる。
また、吸収層１６０は空気より高い屈折率を有する。特に１．４以上２．０以下の屈折率を有すると好ましい。これにより、吸収層１６０は光学接合層を兼ね、発光モジュールが発する光は、効率よく吸収層１６０に進入することができる。
＜変形例＞
本実施の形態で例示する発光装置の変形例について、図１（Ｂ−１）および図１（Ｂ−２）を参照しながら説明する。
図１（Ｂ−１）は本発明の一態様の発光パネル１００Ｂの断面模式図であり、図１（Ｂ−２）は本発明の一態様の発光パネル１００Ｂが備える吸収層１６０の吸収スペクトルおよび発光モジュールの発光スペクトルである。
本実施の形態の変形例で例示する発光パネル１００Ｂは、発光モジュールを複数有する点が、図１（Ａ−１）および図１（Ａ−２）を参照しながら説明する発光装置１００と異なる。よって、ここでは異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、図１（Ａ−１）および図１（Ａ−２）を用いてする説明を援用する。
本実施の形態の変形例で例示して説明する発光パネル１００Ｂは、吸収層１６０と、吸収層１６０が重なる第１の導電膜１２５Ｒおよび第２の導電膜１２５Ｇと、第１の導電膜１２５Ｒと電気的に接続される第１の発光モジュール１８０Ｒおよび第２の導電膜１２５Ｇと電気的に接続される第２の発光モジュール１８０Ｇと、を有する（図１（Ｂ−１）参照）。
第１の導電膜１２５Ｒおよび第２の導電膜１２５Ｇは可視光を反射する。
第１の発光モジュール１８０Ｒは、可視光領域の第１の波長λ（Ｒ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｒ）の光を吸収層１６０に向けて射出する。また、第２の発光モジュール１８０Ｇは、可視光領域の第１の波長λ（Ｒ）とは異なる第２の波長λ（Ｇ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｇ）の光を吸収層１６０に向けて射出する。
吸収層１６０は、第１の波長λ（Ｒ）より短い波長を有する光の一部および第１の波長λ（Ｒ）より長い波長を有する光の一部を第１の波長λ（Ｒ）を有する光より吸収する。
加えて吸収層１６０は、第２の波長λ（Ｇ）より短い波長を有する光の一部および第２の波長λ（Ｇ）より長い波長を有する光の一部を第２の波長λ（Ｇ）を有する光より吸収する。
例えば、吸収層１６０の吸収スペクトル１６０Ａｂｓは、波長λ（Ｒ）において吸収Ａｂｓ（Ｒ）を備え、波長λ（Ｒ）より短い波長において吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収Ａｂｓ（４）を備える。また、波長λ（Ｒ）より長い波長において吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収Ａｂｓ（５）を備える。
また、波長λ（Ｇ）において吸収Ａｂｓ（Ｇ）を備え、波長λ（Ｇ）より短い波長において吸収Ａｂｓ（Ｇ）より大きい吸収Ａｂｓ（３）を備える。また、波長λ（Ｇ）より長い波長において吸収Ａｂｓ（Ｇ）より大きい吸収Ａｂｓ（５）を備える。
本実施の形態の変形例で例示する発光パネル１００Ｂは、可視光領域の第１の波長λ（Ｒ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｒ）の光を射出する第１の発光モジュール１８０Ｒと、可視光領域の第２の波長λ（Ｇ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｇ）の光を射出する第２の発光モジュール１８０Ｇと、第１の波長λ（Ｒ）より短い波長を有する光の一部および第１の波長λ（Ｒ）より長い波長を有する光の一部を第１の波長λ（Ｒ）を有する光より吸収し、第２の波長λ（Ｇ）より短い波長を有する光の一部および第２の波長λ（Ｇ）より長い波長を有する光の一部を第２の波長λ（Ｇ）を有する光より吸収する吸収層１６０を有する。
これにより、発光パネル１００Ｂの外部から吸収層１６０を通って反射性の第１の導電膜１２５Ｒまたは第２の導電膜１２５Ｇに向かう外光１１の一部を、第１の導電膜１２５Ｒまたは第２の導電膜１２５Ｇに到達する前に吸収層１６０を用いて吸収することができる。また、第１の導電膜１２５Ｒまたは第２の導電膜１２５Ｇに反射された光の一部を吸収層１６０から発光パネル１００Ｂの外部に射出される前に吸収層１６０を用いて吸収することができる。そして、第１の導電膜１２５Ｒまたは第２の導電膜１２５Ｇが反射することにより外部に射出される、外光１１に由来する光の強度を低減することができる。
吸収層１６０は、波長λ（Ｒ）を有する光を波長λ（Ｒ）より短い波長を有する光の一部より透過し易く、波長λ（Ｒ）より長い波長を有する光の一部より透過し易い。また、吸収層１６０は、波長λ（Ｇ）を有する光を波長λ（Ｇ）より短い波長を有する光の一部より透過し易く、波長λ（Ｇ）より長い波長を有する光の一部より透過し易い。言い換えると、吸収層１６０は、第１の発光モジュール１８０Ｒが発する波長λ（Ｒ）を有する光を吸収し難く、第２の発光モジュール１８０Ｇが発する波長λ（Ｇ）を有する光を吸収し難い。
その結果、発光パネル１００Ｂからの光が、外光１１の反射に由来するものか第１の発光モジュール１８０Ｒまたは第２の発光モジュール１８０Ｇの発光に由来するものかを区別できなくなる現象を発生し難くすることができる。
また、本実施の形態の変形例で例示して説明する発光パネル１００Ｂは、第１の発光モジュール１８０Ｒおよび第２の発光モジュール１８０Ｇが基板１１０上に設けられている他は、本実施の形態で例示する発光装置１００と同様の構成を備える。
以下に、本実施の形態の変形例で例示して説明する発光パネル１００Ｂを構成する要素のうち、発光装置１００に含まれていないものについて説明する。
《発光モジュール》
第２の発光モジュール１８０Ｇを、第１の発光モジュール１８０Ｒが発する光のスペクトル１８０Ｅｍ（Ｒ）と異なるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｇ）の光を発するようにする。
例えば、第１の発光モジュール１８０Ｒと第２の発光モジュール１８０Ｇは、いずれも発光素子と光学素子を備える。具体的には有機エレクトロルミネッセンス素子と微小共振器を備える。特に、赤色を呈する光と緑色を呈する光を含む光を発する有機エレクトロルミネッセンス素子をいずれも備える。
そして、第１の下部電極１５１Ｒの厚さは、第１の発光モジュール１８０Ｒが発する光のスペクトルが第１の波長λ（Ｒ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｒ）になるように調整されている。
また、第２の下部電極１５１Ｇの厚さは、第２の発光モジュール１８０Ｇが発する光のスペクトルが第２の波長λ（Ｇ）に極大を備えるスペクトル１８０Ｅｍ（Ｇ）になるように調整されている。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示パネルの構成について、図２および図３を参照しながら説明する。
図２（Ａ）は本発明の一態様の表示パネルに適用可能な表示パネルの構造を説明する上面図である。
図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ａ−Ｂおよび切断線Ｃ−Ｄにおける断面図である。
図２（Ｃ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面図である。
本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は（図２（Ｃ）参照）、吸収層２６０と、吸収層２６０が重なる第１の導電膜２２５Ｒ、第２の導電膜２２５Ｇおよび第３の導電膜２２５Ｂと、第１の導電膜２２５Ｒと電気的に接続される第１の発光モジュール２８０Ｒ、第２の導電膜２２５Ｇと電気的に接続される第２の発光モジュール２８０Ｇおよび第３の導電膜２２５Ｂと電気的に接続される第３の発光モジュール２８０Ｂ、とを有する。
第１の導電膜２２５Ｒ、第２の導電膜２２５Ｇおよび第３の導電膜２２５Ｂは可視光を反射する。
第１の発光モジュール２８０Ｒは、可視光領域の第１の波長λ（Ｒ）に極大を備えるスペクトル２８０Ｅｍ（Ｒ）の光を吸収層２６０に向けて射出する（図３参照）。
第２の発光モジュール２８０Ｇは、可視光領域の第２の波長λ（Ｇ）に極大を備えるスペクトル２８０Ｅｍ（Ｇ）の光を吸収層２６０に向けて射出する。
第３の発光モジュール２８０Ｂは、可視光領域の第３の波長λ（Ｂ）に極大を備えるスペクトル２８０Ｅｍ（Ｂ）の光を吸収層２６０に向けて射出する。
吸収層２６０は、第１の波長λ（Ｒ）より短い波長を有する光の一部および第１の波長λ（Ｒ）より長い波長を有する光の一部を第１の波長λ（Ｒ）を有する光より吸収する。言い換えると、吸収層２６０は、第１の波長λ（Ｒ）における吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収を第１の波長λ（Ｒ）より短い波長側および長波長側にそれぞれ有する。
且つ、吸収層２６０は、第２の波長λ（Ｇ）より短い波長を有する光の一部および第２の波長λ（Ｇ）より長い波長を有する光の一部を第２の波長λ（Ｇ）を有する光より吸収する。言い換えると、吸収層２６０は、第２の波長λ（Ｇ）における吸収Ａｂｓ（Ｇ）より大きい吸収を第２の波長λ（Ｇ）より短い波長側および長波長側にそれぞれ有する。
且つ、吸収層２６０は、第３の波長λ（Ｂ）より短い波長を有する光の一部および第３の波長λ（Ｂ）より長い波長を有する光の一部を第３の波長λ（Ｂ）を有する光より吸収する。言い換えると、吸収層２６０は、第３の波長λ（Ｂ）における吸収Ａｂｓ（Ｂ）より大きい吸収を第３の波長λ（Ｂ）より短い波長側および長波長側にそれぞれ有する。
例えば、吸収層２６０の吸収スペクトル２６０Ａｂｓは、波長λ（Ｒ）において吸収Ａｂｓ（Ｒ）を備え、波長λ（Ｒ）より短い波長において吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収を備え、波長λ（Ｒ）より長い波長において吸収Ａｂｓ（Ｒ）より大きい吸収を備える。また、吸収層２６０の吸収スペクトル２６０Ａｂｓは、波長λ（Ｇ）において吸収Ａｂｓ（Ｇ）を備え、波長λ（Ｇ）より短い波長において吸収Ａｂｓ（Ｇ）より大きい吸収を備え、波長λ（Ｇ）より長い波長において吸収Ａｂｓ（Ｇ）より大きい吸収を備える。また、吸収層２６０の吸収スペクトル２６０Ａｂｓは、波長λ（Ｂ）において吸収Ａｂｓ（Ｂ）を備え、波長λ（Ｂ）より短い波長において吸収Ａｂｓ（Ｂ）より大きい吸収を備え、波長λ（Ｂ）より長い波長において吸収Ａｂｓ（Ｂ）より大きい吸収を備える。
また、本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は（図３参照）、吸収層２６０が、第２の波長λ（Ｇ）と第３の波長λ（Ｂ）の間の波長を有する光の一部を、第２の波長λ（Ｇ）を有する光および第３の波長λ（Ｂ）を有する光より吸収する。
本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は、第２の波長λ（Ｇ）より短い波長を有する光の一部および第２の波長λ（Ｇ）より長い波長を有する光の一部を第２の波長λ（Ｇ）を有する光より吸収し易く、第３の波長λ（Ｂ）より短い波長を有する光の一部および第３の波長λ（Ｂ）より長い波長を有する光の一部を第３の波長λ（Ｂ）を有する光より吸収し易く、第２の波長λ（Ｇ）と第３の波長λ（Ｂ）の間の光の一部を第２の波長λ（Ｇ）を有する光より吸収し易く、且つ第３の波長λ（Ｂ）を有する光より吸収し易い吸収層を有する。
これにより、表示パネル２００の外部から吸収層２６０を通って反射性の第１の導電膜２２５Ｒ、反射性の第２の導電膜２２５Ｇまたは反射性の第３の導電膜２２５Ｂに向かう外光１１の一部を、それぞれの導電膜に到達する前に吸収層２６０を用いて吸収することができる。また、それぞれの導電膜に反射された光の一部を吸収層２６０から表示パネル２００の外部に射出される前に吸収層２６０を用いて吸収することができる。そして、少なくとも一の導電膜が反射することにより外部に射出される、外光１１に由来する光の強度を低減することができる。
その結果、表示のコントラストが外光の強い環境下において低減してしまう不具合の発生を抑制することができる新規な表示パネルを提供することができる。または、副画素等の規則的な構造物に設けられた発光モジュールに反射される光が互いに干渉し合う現象により引き起こされる不具合（例えば干渉縞による模様が観察される現象等）の発生を抑制することができる新規な表示パネルを提供することができる。
なお、本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００が備える副画素２０２Ｒは、第１の波長λ（Ｒ）における強度の半値幅が３５ｎｍ以上９５ｎｍ以下であるスペクトル２８０Ｅｍ（Ｒ）の光を射出する第１の発光モジュール２８０Ｒを備える（図３参照）。また、副画素２０２Ｇは、第２の波長λ（Ｇ）における強度の半値幅が２５ｎｍ以上３５ｎｍ以下であるスペクトル２８０Ｅｍ（Ｇ）の光を射出する第２の発光モジュール２８０Ｇを備える。また、副画素２０２Ｂは、第３の波長λ（Ｂ）における強度の半値幅が１５ｎｍ以上３０ｎｍ以下であるスペクトル２８０Ｅｍ（Ｂ）の光を射出する第３の発光モジュール２８０Ｂを備える。
本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は、強度の半値幅が狭いスペクトルの可視光を発する発光モジュールを備える。これにより、第１の発光モジュール２８０Ｒ、第２の発光モジュール２８０Ｇおよび第３の発光モジュール２８０Ｂが発する光が吸収層２６０に吸収されてしまう現象を低減できる。その結果、これらの発光モジュールが発する光を効率よく取り出すことができる新規な表示パネルを提供することができる。
なお、本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は、第１の発光モジュール２８０Ｒ、第２の発光モジュール２８０Ｇおよび第３の発光モジュール２８０Ｂが、いずれも微小共振器構造を備える。
これにより、第１の発光モジュール２８０Ｒ、第２の発光モジュール２８０Ｇおよび第３の発光モジュール２８０Ｂが発する光の強度の半値幅を狭めることができる。なお、強度の半値幅が狭められた光は鮮やかな色を呈する。このような光を表示に用いると、表示を鮮やかにすることができる。
なお、本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は、第１の導電膜２２５Ｒおよび第１の導電膜２２５Ｒと電気的に接続される第１の発光モジュール２８０Ｒが２００ｐｐｉ以上１０００ｐｐｉ以下の精細度で繰り返し設けられる。
本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は、高い空間周波数で繰り返し配置される発光モジュール（例えば第１の発光モジュール２８０Ｒ）と電気的に接続される導電膜（例えば第１の導電膜２２５Ｒ）が反射する光を吸収することができる吸収層２６０を備える。
これにより、精細度の高い良好な画像を表示できるだけでなく、例えば繰り返し配置される第１の導電膜２２５Ｒに反射される光が弱められ、互いに干渉し合う現象を発生し難くすることができる。その結果、干渉現象がもたらす煩わしい光（例えば干渉縞による模様）を低減することができる新規な表示パネルを提供することができる。
なお、本実施の形態で説明する本発明の一態様の表示パネル２００は、第１の発光モジュール２８０Ｒ、第２の発光モジュール２８０Ｇおよび第３の発光モジュール２８０Ｂと接し、且つ、１．４以上２．０以下の屈折率を備える吸収層２６０を有する。
これにより、例えば第１の発光モジュール２８０Ｒが発する光が効率よく吸収層２６０に進入する。その結果、第１の発光モジュール２８０Ｒが発する光を効率よく外部に取り出すことができる新規な表示パネルを提供することができる。
また、本実施の形態で例示して説明する表示パネル２００は、以下の構成を備える。
＜上面図の説明＞
本実施の形態で例示する表示パネル２００は表示領域２０１を有する（図２（Ａ）参照）。
表示領域２０１には、複数の画素２０２が設けられ、画素２０２には複数の副画素（例えば副画素２０２Ｒ）が設けられている。なお、副画素は、発光素子および発光素子を駆動する電力を供給することができる画素回路を備える。
なお、副画素等の規則的な構造物に設けられた発光モジュールに反射される光は、下記数式に従って、互いに干渉し合う。
ただし、数式（１）中、ｄは規則的に設けられた構造物の間隔、λは構造物に照射する光の波長、Ｌは構造物から反射された光の干渉を観測する位置までの距離、Ｄは観測される干渉縞の間隔である。
規則的に配置される構造物が反射する光が互いに干渉することにより、観察される干渉縞の周期（Ｄ）は、構造物が配置される頻度が高い程（ｄの値が小さい程）大きくなる。例えば、１インチあたり２００個以上、１０００個以下の頻度で規則的に構造物が配置されると、干渉現象がもたらす光（例えば干渉縞による模様）が目立ちやすくなり、その煩わしさが増す。
画素回路は、選択信号を供給することができる配線およびデータ信号を供給することができる配線と電気的に接続される。
また、表示パネル２００は選択信号を供給することができる走査線駆動回路２０３ｇと、データ信号を供給することができるデータ線駆動回路２０３ｓを備える。
＜断面図の説明＞
表示パネル２００は、基板２１０および基板２１０に対向する対向基板２７０を有する（図２（Ｂ）参照）。
基板２１０は、可撓性を有する基板２１０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜２１０ａおよび基板２１０ｂとバリア膜２１０ａを貼り合わせる接着層２１０ｃの積層体である。
対向基板２７０は、可撓性を有する基板２７０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜２７０ａおよび基板２７０ｂとバリア膜２７０ａを貼り合わせる接着層２７０ｃの積層体である。
吸収層２６０は光学接合層および封止材を兼ねる。第１の発光モジュール２８０Ｒが発する光は吸収層２６０に効率よく進入できる。また、吸収層２６０は対向基板２７０を基板２１０に貼り合わせる。
なお、画素回路および発光素子（例えば第１の発光素子２５０Ｒ）は基板２１０と対向基板２７０の間にある。
《画素の構成》
画素２０２は、副画素２０２Ｒ、副画素２０２Ｇおよび副画素２０２Ｂを有する（図２（Ｃ）参照）。また、副画素２０２Ｒは第１の発光モジュール２８０Ｒと第１の着色層２６７Ｒを備え、副画素２０２Ｇは第２の発光モジュール２８０Ｇと第２の着色層２６７Ｇを備え、副画素２０２Ｂは第３の発光モジュール２８０Ｂと第３の着色層２６７Ｂを備える。
例えば、副画素２０２Ｒは（図２（Ｂ）参照）、第１の発光素子２５０Ｒおよび第１の発光素子２５０Ｒに電力を供給することができるトランジスタ２０２ｔを含む画素回路を備える。また、副画素２０２Ｒは第１の発光モジュール２８０Ｒを備え、第１の発光モジュール２８０Ｒは第１の発光素子２５０Ｒおよび光学素子（例えば微小共振器）を備える。
第１の発光モジュール２８０Ｒは（図２（Ｃ）参照）、第１の導電膜２２５Ｒ、および第１の導電膜２２５Ｒと重なる半透過・半反射性の導電膜を備える。そして、第１の導電膜２２５Ｒおよび半透過・半反射性の導電膜の間に第１の発光素子２５０Ｒを備える。なお、第１の発光素子２５０Ｒの上部電極２５２は半透過・半反射性の導電膜を兼ねる。
なお、第１の導電膜２２５Ｒは、第１の発光素子２５０Ｒが発する光を反射し、半透過・半反射性の上部電極２５２は第１の発光素子２５０Ｒが発する光の一部を反射し、一部を透過する。また、第１の発光素子２５０Ｒが発する光の一部が効率良く取り出されるように、第１の導電膜２２５Ｒと上部電極２５２の間の距離が調整される。この構成により、微小共振器が構成される。
第１の発光素子２５０Ｒは、第１の下部電極２５１Ｒ、上部電極２５２、および下部電極２５１Ｒと上部電極２５２の間に発光性の有機化合物を含む層２５３を有する。
なお、発光性の有機化合物を含む層２５３は、発光ユニット２５３ａ、発光ユニット２５３ｂおよび発光ユニット２５３ａと発光ユニット２５３ｂの間に中間層２５４を備える。
副画素２０２Ｒは（図２（Ｃ）参照）、第１の着色層２６７Ｒを対向基板２７０の第１の発光モジュール２８０Ｒに重なる位置に備え、副画素２０２Ｇは、第２の着色層２６７Ｇを対向基板２７０の第２の発光モジュール２８０Ｇに重なる位置に備え、副画素２０２Ｂは、第３の着色層２６７Ｂを対向基板２７０の第３の発光モジュール２８０Ｂに重なる位置に備える。これにより、例えば第１の発光モジュール２８０Ｒが発する光の一部は、第１の着色層２６７Ｒを透過して、図中の矢印に示すように表示パネル２００の外部に射出される。
着色層は特定の波長を有する光を含む光を透過するものであればよく、例えば赤色、緑色、青色、マゼンタ、黄色またはシアン等を呈する光を選択的に透過するものを用いることができる。または、発光素子の発する光をそのまま透過する領域を設けてもよい。
《吸収層の構成》
吸収層２６０は、色素を含む層である。色素は少なくとも可視光の一部を吸収する。例えば、実施の形態１において説明する吸収層１６０と同様の構成を吸収層２６０に適用することができる。
特に、互いに異なる波長（例えば第２の波長λ（Ｇ）と第３の波長λ（Ｂ））に極大を備えるスペクトル（例えばスペクトル２８０Ｅｍ（Ｇ）とスペクトル２８０Ｅｍ（Ｂ））を射出する２つの発光モジュール（例えば第２の発光モジュール２８０Ｇと第３の発光モジュール２８０Ｂ）の２つの極大の間の波長を有する光の一部を、それぞれの極大の波長を有する光より吸収する吸収層２６０が好ましい。
可視光の一部を吸収する一の色素を用いることにより、または適宜選択された複数の色素を混合して用いることにより、このような吸収層２６０を構成することができる。
また、吸収層２６０は対向基板２７０を基板２１０に貼り合わせる。
また、吸収層２６０は発光モジュール（例えば第１の発光モジュール２８０Ｒ）と着色層（例えば第１の着色層２６７Ｒ）に接し、吸収層２６０は空気より高い屈折率を有する。例えば、吸収層２６０は、１．４以上２．０以下の屈折率を備えると好ましい。
これにより、吸収層２６０は光学接合層を兼ね、発光モジュールが発する光は、効率よく吸収層２６０に進入することができる。
なお、空気より高い屈折率を有する他の層が吸収層２６０と発光素子の間に設けられていても良い。また、空気より高い屈折率を有する他の層が吸収層２６０と着色層の間に設けられていても良い。また、これらの層は、１．４以上２．０以下の屈折率を備えると好ましい。
《表示パネルの構成》
表示パネル２００は、遮光層２６７ＢＭを対向基板２７０に有する。遮光層２６７ＢＭは、着色層（例えば第１の着色層２６７Ｒ）を囲むように設けられている（図２（Ｂ）参照）。
表示パネル２００は、絶縁膜２２１を備える。絶縁膜２２１はトランジスタ２０２ｔを覆う。なお、絶縁膜２２１を用いて、画素回路に起因する凹凸を平坦化することができる。また、絶縁膜２２１として、緻密な無機膜（例えば窒素と珪素を含む膜）が積層された積層膜を用いて、意図しない不純物がトランジスタ２０２ｔ等に拡散する現象を抑制することができる。
表示パネル２００は、発光素子（例えば第１の発光素子２５０Ｒ）を絶縁膜２２１上に有する。
表示パネル２００は、絶縁膜２２１上に第１の下部電極２５１Ｒの端部に重なる隔壁２２８を有する（図２（Ｃ）参照）。また、基板２１０と対向基板２７０の間隔を制御するスペーサ２２９が、隔壁２２８上に設けられている。
《データ線駆動回路の構成》
データ線駆動回路２０３ｓは、トランジスタ２０３ｔおよび容量２０３ｃを含む。なお、駆動回路を画素回路と同一基板上に、同一の工程で形成することができる（図２（Ｂ）参照）。
《他の構成》
表示パネル２００は、信号を供給することができる配線２１１を備え、端子２１９が配線２１１に設けられている。なお、データ信号および同期信号等の信号を供給することができるＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）２０９が端子２１９に電気的に接続されている。
なお、ＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣまたはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
＜変形例＞
本実施の形態で例示する表示パネルの変形例について、図４を参照しながら説明する。
図４は本発明の一態様の表示パネルの画素の断面模式図である。
本実施の形態の変形例で例示する表示パネルの画素２０２Ａは、吸収層２６０Ａが対向基板２７０を基板２１０に貼り合わせていない点が、図２（Ｃ）を参照しながら説明する表示パネルの画素２０２と異なる。よって、ここでは異なる部分について詳細に説明し、同様の構成を用いることができる部分は、図２（Ｃ）を用いてする説明を援用する。
本実施の形態の変形例で例示して説明する表示パネルの画素２０２Ａは、吸収層２６０Ａと発光モジュール（例えば、第１の発光モジュール２８０Ｒ）の間に対向基板２７０を有する（図４参照）。なお、第１の発光モジュール２８０Ｒは、基板２１０と基板２１０と重なる対向基板２７０の間にあり、接着層２６１が対向基板２７０を基板２１０に貼り合わせている。
また、対向基板の一部が吸収層を兼ねる構成にすることもできる。例えば、対向基板２７０が、可撓性を有する基板２７０ｂ、意図しない不純物の発光素子への拡散を防ぐバリア膜２７０ａおよび基板２７０ｂとバリア膜２７０ａを貼り合わせる接着層２７０ｃの積層体で構成される場合、色素をいずれかの構成に添加して吸収層に用いることができる。具体的には、色素を接着層２７０ｃまたは可撓性を有する基板２７０ｂに添加して吸収層にすることができる。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置に用いることができる発光素子の構成について説明する。具体的には、一対の電極に発光性の有機化合物を含む層が挟持された発光素子の一例について、図５を参照しながら説明する。
本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極、上部電極及び下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下ＥＬ層という）を備える。ＥＬ層は、単層であっても複数の層が積層されたものであってもよく、少なくとも一の層が発光性の有機化合物を含む。下部電極または上部電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は下部電極と上部電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は下部電極と上部電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。以下に発光素子の構成の一例を例示するが、発光素子の構成がこれに限定されないことはいうまでもない。
＜発光素子の構成例１．＞
発光素子の構成の一例を図５（Ａ）に示す。図５（Ａ）に示す発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間にＥＬ層が挟まれている。
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
本明細書においては、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域にある層を発光層といい、発光層を１つ有する層または積層体を発光ユニットという。よって、当該発光素子の構成例１は発光ユニットを１つ備えるということができる。
発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。
発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図５（Ｂ）に示す。図５（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。
＜発光素子の構成例２．＞
発光素子の構成の他の一例を図５（Ｃ）に示す。図５（Ｃ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３を含むＥＬ層が挟まれている。さらに、陰極１１０２と発光ユニット１１０３との間には中間層１１０４が設けられている。なお、当該発光素子の構成例２の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１が備える発光ユニットと同様の構成が適用可能であり、詳細については、発光素子の構成例１の記載を参酌できる。
中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファー１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。
中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２へ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファー１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファー１１０４ａは発光ユニット１１０３に電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３への電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファー１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位に注入される。
また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファー１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。
当該発光素子の構成例２の陰極に用いることができる材料の選択の幅は、構成例１の陰極に用いることができる材料の選択の幅に比べて、広い。なぜなら、構成例２の陰極は中間層が発生する正孔を受け取ればよく、仕事関数が比較的大きな材料を適用できるからである。
＜発光素子の構成例３．＞
発光素子の構成の他の一例を図５（Ｄ）に示す。図５（Ｄ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に２つの発光ユニットが設けられたＥＬ層を備えている。さらに、第１の発光ユニット１１０３ａと、第２の発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。
なお、陽極と陰極の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図５（Ｅ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。
また、当該発光素子の構成例３の発光ユニット１１０３には、上述の発光素子の構成例１と同様の構成を適用することが可能であり、また当該発光素子の構成例３の中間層１１０４には、上述の発光素子の構成例２と同様の構成が適用可能である。よって、詳細については、発光素子の構成例１、または発光素子の構成例２の記載を参酌できる。
発光ユニットの間に設けられた中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、中間層１１０４において正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニットへ移動し、電子は陽極側に設けられた発光ユニットへ移動する。陰極側に設けられた発光ユニットに注入された正孔は、陰極側から注入された電子と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニットに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニットに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
発光素子の構成例１乃至構成例３は、互いに組み合わせて用いることができる。例えば、発光素子の構成例３の陰極と発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
＜微小共振器を含む構成＞
なお、反射膜と反射膜に重なる半透過・半反射膜とで構成された微小共振器（マイクロキャビティ）を、発光素子を挟むように配置してもよい。微小共振器の内部に発光素子を配置することにより、発光素子が発する光が干渉し合い、特定の色を呈する光を効率よく取り出すことができる。
なお、本明細書において半透過・半反射膜は入射する光の一部を透過し、一部を反射する膜をいう。また、微小共振器に用いる半透過・半反射膜は、光の吸収が少ない膜が好ましい。
取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存する。反射膜と半透過・半反射膜の距離を調整するための光学調整層を、発光素子に設ける場合がある。
光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、ＥＬ層を適用できる。
例えば、透光性を有する導電膜と反射膜の積層膜または透光性を有する導電膜と半透過・半反射膜の積層膜を、光学調整層を兼ねる下部電極または上部電極に用いることができる。
また、厚さが調整された中間層を光学調整層に用いてもよい。または、正孔輸送性の高い物質と当該正孔輸送性の高い物質に対してアクセプター性の物質を含み、その厚さが調整された領域を光学調整層に用いてもよい。この構成の電気抵抗はＥＬ層を構成する他の構成に比べて低い。これにより、光学調整のために厚さを厚くしても、発光素子の駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、並びにＥＬ層の順に説明する。
《１．陽極に用いることができる材料》
陽極１１０１は導電性を有する金属、合金、電気伝導性化合物等およびこれらの混合物の単層または積層体で構成される。特に、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上）材料をＥＬ層に接する構成が好ましい。
金属、または合金材料としては、例えば、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）等の金属材料またはこれらを含む合金材料が挙げられる。
電気伝導性化合物としては、例えば、金属材料の酸化物、金属材料の窒化物、導電性高分子が挙げられる。
金属材料の酸化物の具体例として、インジウム−錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム−錫酸化物、チタンを含有したインジウム−錫酸化物、インジウム−チタン酸化物、インジウム−タングステン酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、タングステンを含有したインジウム−亜鉛酸化物等が挙げられる。また、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。
金属材料の酸化物を含む膜は、通常スパッタリング法により成膜されるが、ゾル−ゲル法などを応用して作製しても構わない。
金属材料の窒化物の具体例として、窒化チタン、窒化タンタル等が挙げられる。
導電性高分子の具体例として、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）、ポリアニリン／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＡｎｉ／ＰＳＳ）等が挙げられる。
なお、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数の大きさを考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域および第１の電荷発生領域に適用することができる材料は、後述する。
《２．陰極に用いることができる材料》
陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域１１０４ｃを、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。例えば、陰極１１０２または陽極１１０１の一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成し、他方を、可視光を反射する導電膜を用いて形成すると、一方の面に光を射出する発光素子を構成できる。また、陰極１１０２および陽極１１０１の両方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成すると、両方の面に光を射出する発光素子を構成できる。
可視光を透過する導電膜としては、例えば、インジウム−錫酸化物、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム−錫酸化物、チタンを含有したインジウム−錫酸化物、インジウム−チタン酸化物、インジウム−タングステン酸化物、インジウム−亜鉛酸化物、タングステンを含有したインジウム−亜鉛酸化物等が挙げられる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。
可視光を反射する導電膜としては、例えば金属を用いれば良く、具体的には、銀、アルミニウム、白金、金、銅等の金属材料またはこれらを含む合金材料が挙げられる。銀を含む合金としては、銀−ネオジム合金、マグネシウム−銀合金等を挙げることができる。アルミニウムの合金としては、アルミニウム−ニッケル−ランタン合金、アルミニウム−チタン合金、アルミニウム−ネオジム合金等が挙げられる。
《３ＥＬ層に用いることができる材料》
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
なお、第２の電荷発生領域を用いて正孔注入層を形成してもよい。正孔注入層に第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。
《３．１正孔輸送層》
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物（例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ））やカルバゾール誘導体（例えば、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ））などが挙げられる。また、高分子化合物（例えば、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ））等を用いることができる。
《３．２発光層》
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。
発光物質として蛍光性化合物（例えば、クマリン５４５Ｔ）や燐光性化合物（例えば、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３））等を用いることができる。
発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
ホスト材料として用いることができる材料としては、上述の正孔輸送性の高い物質（例えば、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、高分子化合物等）、後述の電子輸送性の高い物質（例えば、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体、オキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体等）などを用いることができる。
《３．３電子輸送層》
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
電子輸送性の高い物質としては、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体（例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ））、オキサゾール系やチアゾール系配位子を有する金属錯体（例えば、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンズオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）２））、その他の化合物（例えば、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ））などが挙げられる。また、高分子化合物（例えば、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ））等を用いることができる。
《３．４電子注入層》
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
電子注入性の高い物質としては、アルカリ金属（例えば、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ））、アルカリ土類金属（例えば、カルシウム（Ｃａ））、またはこれらの化合物（例えば、酸化物（具体的には酸化リチウム等）、炭酸塩（具体的には炭酸リチウムや炭酸セシウム等）、ハロゲン化物（具体的にはフッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）））などが挙げられる。
また、電子注入性の高い物質を含む層を電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層（具体的には、Ａｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたものなど）で形成してもよい。なお、電子輸送性の高い物質に対するドナー性物質の添加量の質量比は０．００１以上０．１以下の比率が好ましい。
ドナー性の物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはこれらの化合物の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。
《３．５電荷発生領域》
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層とアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、第１の電荷発生領域を陰極側に設ける積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となり、第２の電荷発生領域を陽極側に設ける積層構造の場合には、アクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。
なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率でアクセプター性物質を添加することが好ましい。
電荷発生領域に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマー等）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
《電子リレー層》
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいてアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおけるアクセプター性物質のアクセプター準位と、当該電子リレー層が接する発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。
電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、ペリレン誘導体（例えば、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物（略称：ＰＴＣＤＡ））や、含窒素縮合芳香族化合物（例えば、ピラジノ［２，３−ｆ］［１，１０］フェナントロリン−２，３−ジカルボニトリル（略称：ＰＰＤＮ））などが挙げられる。
なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフルオロ基などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。
《電子注入バッファー》
電子注入バッファーは、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入バッファー１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３への電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファー１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３の間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。
電子注入性が高い物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、またはこれらの化合物などが挙げられる。
また、電子注入性の高い物質を含む層を電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層で形成してもよい。
＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。下部電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、転写法、印刷法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。
以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。
また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が、青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の発光装置または発光パネルが適用された電子機器について、図６を参照しながら説明する。
本発明の一態様の電子機器は、本発明の一態様の発光パネルを備える表示部を有し、当該表示部に画像を表示できる。例えば、放送もしくは配信される映像情報または情報記録媒体に保存された映像情報を表示できる。情報処理装置が処理した情報を表示できる。または、操作パネル等に操作の用に供される画像を表示できる。
映像情報を表示する電子機器の一例として、テレビジョン装置やデジタルフォトフレームをその一例に挙げることができる。
情報処理装置の一例として、コンピュータ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラまたは携帯情報端末などを挙げることができる。
その他の電子機器として、時計、携帯電話機、携帯型ゲーム機および大型ゲーム機（パチンコ機など）、音響再生装置などを挙げることができる。
＜テレビジョン装置＞
テレビジョン装置７１００は、スタンド７１０５が支持する筐体７１０１に組み込まれた表示部７１０３を有する（図６（Ａ）参照）。また、テレビジョン装置７１００は本発明の一態様の発光パネルを備える表示部７１０３を有し、映像を表示できる。
リモートコントローラ７１１０は、テレビジョン装置７１００を操作することができ、例えば表示部７１０３に表示する映像情報の選択または音量の調整等をすることができる。
リモートコントローラ７１１０は情報入出力パネル７１０７および操作キー７１０９等を有する。
表示部７１０３は、受信機が受信する放送またはモデムから供給される映像を表示できる。
テレビジョン装置７１００をインターネットに接続し、情報を双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）に通信してもよい。
＜情報処理装置＞
情報処理装置の一例として、コンピュータを図６（Ｂ）に示す。コンピュータは、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を備える。また、コンピュータは、本発明の一態様の発光パネルを備える表示部７２０３を有し、画像を表示できる。
＜遊技機＞
携帯型遊技機の一例を図６（Ｃ）に示す。例示する携帯型遊技機は、筐体７３０１と、連結部７３０３により開閉可能に連結されている筐体７３０２の２つの筐体で構成されている。筐体７３０１には第１の表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には第２の表示部７３０５が組み込まれている。また、携帯型遊技機は、本発明の一態様の発光パネルを備える第１の表示部７３０４および第２の表示部７３０５を有し、画像を表示できる。
また、携帯型遊技機は、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、赤外線等の光、液体、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、またはにおいを測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。
携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出して第１の表示部７３０４および第２の表示部７３０５に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。
＜携帯電話＞
携帯電話機の一例を図６（Ｄ）に示す。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。また、携帯電話機７４００は、本発明の一態様の発光パネルを備える表示部７４０２を有し、画像を表示できる。
表示部７４０２は、近接センサを有し、指などで触れるまたは近づけることで、情報を入力することができる。
また、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けて、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
表示部７４０２は、二次元型のイメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に触れた掌の掌紋、指の指紋等、近赤外光を発光するバックライトまたはセンシング用光源を用いて撮像できる掌静脈、指静脈等の画像を用いて、本人認証を行うことができる。
＜携帯情報端末＞
折りたたみ式の携帯情報端末の一例を図６（Ｅ）に示す。携帯情報端末７４５０は、ヒンジ７４５４で接続された筐体７４５１Ｌと筐体７４５１Ｒを備えている。また、携帯情報端末７４５０は、操作ボタン７４５３、左側スピーカ７４５５Ｌおよび右側スピーカ７４５５Ｒの他、携帯情報端末７４５０の側面には図示されていない外部接続ポート７４５６を備える。なお、筐体７４５１Ｌに設けられた表示部７４５２Ｌと、筐体７４５１Ｒに設けられた表示部７４５２Ｒが互いに対峙するようにヒンジ７４５４を折り畳むと、２つの表示部を筐体で保護することができる。また、携帯情報端末７４５０は、本発明の一態様の発光パネルを備える表示部７４５２Ｌと表示部７４５２Ｒを有し、画像を表示できる。
また、携帯情報端末７４５０に、ジャイロ、加速度センサ、ＧＰＳ（Ｇｌｏｂａｌ Ｐｏｓｉｔｉｏｎｉｎｇ Ｓｙｓｔｅｍ）受信機、ビデオカメラを搭載することもできる。例えば、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯情報端末７４５０の向き（縦か横か）を判断して、表示する画面の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。
また、携帯情報端末７４５０はネットワークに接続できる。携帯情報端末７４５０はインターネット上の情報を表示できる他、ネットワークに接続された他の電子機器を遠隔から操作する端末として用いることができる。
＜照明装置＞
照明装置の一例を図６（Ｆ）に示す。照明装置７５００は、筐体７５０１に組み込まれた発光装置７５０３ａ、発光装置７５０３ｂ、発光装置７５０３ｃおよび発光装置７５０３ｄを備える。照明装置７５００は、天井や壁等に取り付けることが可能である。また、照明装置７５００は、本発明の一態様の発光装置を有する。
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
本実施例では、発光装置、発光パネルおよび表示パネルに適用可能な吸収層について、図７乃至図９を参照しながら説明する。
図７は本発明の一態様の発光装置、発光パネルおよび表示パネルに適用可能な吸収層の吸収スペクトルと、発光モジュールの発光スペクトルである。なお、吸収層の吸収スペクトルは、分光光度計（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製、商品名：Ｕ−４１００）を用いて測定した。また、発光モジュールの発光スペクトルは、スペクトロラジオメータ（ウシオ電機社製）を用いて測定した。
具体的には、図７（Ａ）は吸収層３６０（１）の吸収スペクトル３６０（１）Ａｂｓ並びに発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｒ）、発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｇ）および発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｂ）である。
具体的には、図７（Ｂ）は吸収層３６０（２）の吸収スペクトル３６０（２）Ａｂｓ並びに発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｒ）、発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｇ）および発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｂ）である。
発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｒ）の極大波長は６１１ｎｍ、半値幅は４５ｎｍであった。発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｇ）の極大波長は５３３ｎｍ、半値幅は３６ｎｍであった。発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｂ）の極大波長は４６０ｎｍ、半値幅は２９ｎｍであった。
なお、発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｒ）を備える光を射出する発光モジュール、発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｇ）を備える光を射出する発光モジュールおよび発光スペクトル３８０ＥＭ（Ｂ）を備える光を射出する発光モジュールを有する表示パネルの構成を、実施例２において詳細に説明する。
図８は本実施例で説明する吸収層が重ねられた表示パネルが反射する光の様子と、吸収層が重ねられていない表示パネルが反射する光の様子を説明する図である。
具体的には、図８（Ａ）は吸収層３６０（１）が重ねられた表示パネルが反射する光をデジタルカメラで撮影した写真である。図８（Ｂ）は吸収層３６０（２）が重ねられた表示パネルが反射する光を撮影した写真である。なお、図８（Ｃ）は吸収層が重ねられていない表示パネルが反射する光を撮影した写真である。
図９は本実施例で説明する吸収層の作製方法と、外光の反射を評価する方法を説明する図である。
具体的には、図９（Ａ−１）乃至図９（Ａ−３）は本発明の一態様の表示パネルに適用可能な吸収層３６０の作製方法を説明する図である。また、図９（Ｂ）は吸収層３６０が煩わしい反射を抑制する効果を観測する方法について説明する図である。
以下に、本実施例で作製した吸収層３６０（１）および吸収層３６０（２）の構成について説明する。なお、吸収層３６０（１）および吸収層３６０（２）の組成の詳細を表１に示す。
＜吸収層３６０（１）＞
吸収層３６０（１）は、色素（山田化学工業株式会社製、商品名：ＲＰＣ−１２２）および二液性エポキシ接着剤（株式会社アルテコ製、商品名：Ｒ２００７／Ｈ−１０１０）を含む。
吸収層３６０（１）は、波長が６１１ｎｍより長い光の一部を、波長が６１１ｎｍの光より吸収した。また、波長が６１１ｎｍより短い光の一部を、波長が６１１ｎｍの光より吸収した（図７（Ａ）参照）。
吸収層３６０（１）は、波長が５３３ｎｍより長い光の一部を、波長が５３３ｎｍの光より吸収し、波長が５３３ｎｍより短い光の一部を波長が５３３ｎｍの光より吸収した。
吸収層３６０（１）は、波長が４６０ｎｍより長い光の一部を波長が４６０ｎｍの光より吸収し、波長が４６０ｎｍより短い光の一部を、波長が４６０ｎｍの光より吸収した。
吸収層３６０（１）が重ねられた表示パネルは、吸収層が重ねられていない表示パネルに比べて外光を反射し難かった。特に、表示パネルに規則的に配置された副画素が反射する光の強度が抑制され、吸収層が重ねられていない表示パネル（図８（Ｃ）参照）に比べて、干渉縞による模様が観察されにくくなった（図８（Ａ）参照）。
＜吸収層３６０（２）＞
吸収層３６０（２）は、色素（株式会社林原、商品名：Ｇ２０７）、色素（株式会社林原、商品名：Ｇ２４１）および二液性エポキシ接着剤（株式会社アルテコ製、商品名：Ｒ２００７／Ｈ−１０１０）を含む。
吸収層３６０（２）は、波長が６１１ｎｍより短い光の一部を、波長が６１１ｎｍの光より吸収した（図７（Ｂ）参照）。
吸収層３６０（２）は、波長が５３３ｎｍより長い光の一部を、波長が５３３ｎｍの光より吸収し、波長が５３３ｎｍより短い光の一部を、波長が５３３ｎｍの光より吸収した。
吸収層３６０（２）は、波長が４６０ｎｍより長い光の一部を、波長が４６０ｎｍの光より吸収し、波長が４６０ｎｍより短い光の一部を、波長が４６０ｎｍの光より吸収した。
吸収層３６０（２）は、６１１ｎｍと５３３ｎｍの間の波長を有する光の一部を、波長が６１１ｎｍの光および波長が５３３ｎｍの光より吸収した。また、吸収層３６０（２）は、６１１ｎｍと４６０ｎｍの間の波長を有する光の一部を、波長が６１１ｎｍの光および波長が４６０ｎｍの光より吸収した。
吸収層３６０（２）が重ねられた表示パネルは、吸収層が重ねられていない表示パネルに比べて外光を反射し難かった。特に、表示パネルに規則的に配置された副画素が反射する光の強度が抑制され、吸収層が重ねられていない表示パネル（図８（Ｃ）参照）に比べて、干渉縞による模様が観察されにくくなった（図８（Ｂ）参照）。
＜吸収層の作製方法＞
以下に、本実施例で作製した吸収層の作製方法について、図９（Ａ−１）乃至図９（Ａ−３）を用いて説明する。
ステップ１において、直径４μｍのスペーサを０．７ｍｍ厚の無アルカリガラス基板３１０に散布した。
ステップ２において、紫外線硬化型のシール材３５５（長瀬ケムテックス株式会社製、商品名：ＸＮＲ−５５１６Ｚ）を閉曲線状に塗布した（図９（Ａ−１）参照）。
ステップ３において、未硬化の吸収層の材料をシール材３５５に囲まれた領域に滴下した（図９（Ａ−２）参照）。
ステップ４において、未硬化の吸収層をガラス基板３１０と無アルカリガラス基板３７０の間に挟み込み、両者を０．１ＭＰａの圧力で２分間、圧接した（図９（Ａ−３）参照）。
ステップ５において、紫外線をシール材に照射して、シール材を硬化した。なお、遮光マスクを用いて、吸収層を紫外線から保護した。
ステップ６において、１日間放置することにより、二液性のエポキシ接着剤を含む吸収層３６０を硬化した。
＜外光の反射を評価する方法＞
表示パネルが反射する外光を評価する方法について、図９（Ｂ）を用いて説明する。
吸収層を重ねた表示パネルを試料とした。光を、試料の表面に対し約４５°の角度から照射した。また、吸収層が重ねられていない状態の表示パネルを比較試料とした。
試料が反射する外光を、試料の表面に対して約４５°の角度からデジタルカメラを用いて撮影した。
なお、ミニハロゲンランプ（パナソニック株式会社製、商品名：マルチレイアＨＥ／ダイクールＳミラー（登録商標））を光源に用いた。
＜評価結果＞
本実施例の表示パネルは、高い空間周波数で繰り返し配置される発光モジュールと電気的に接続される導電膜が反射する光を吸収することができる吸収層を備える。これにより、精細度の高い良好な画像を表示できるだけでなく、導電膜に反射される光が互いに干渉し合う現象を発生し難くすることができる。その結果、干渉現象がもたらす煩わしい光（例えば干渉縞による模様）が低減された新規な表示パネルを提供できた。なお、吸収層が発光モジュールに射出される光のスペクトルに含まれる余分な部分を吸収することにより、表示パネルの色再現度が向上した。具体的には、吸収層３６０（１）を用いた表示パネルは、ＮＴＳＣ比が１０２％から１０５％に向上した。
本実施例では、実施例１で説明した吸収層と重ねて用いることができる表示パネルについて、図４および図１０を参照しながら説明する。
図１０は、本実施例で説明する表示パネルに適用した発光素子の構成を説明する模式図である。
本実施例では、実施の形態２の変形例で説明した画素２０２Ａを３２６ｐｐｉの精細度で備える表示パネルを作製した。本実施例で作製した表示パネルは、表示領域２０１を囲むシール材が基板２１０を対向基板２７０に貼り合わせる構成を備え、乾燥された窒素ガスが発光素子（例えば第１の発光素子２５０Ｒ）と対向基板２７０の間を満している点が実施の形態２の変形例で説明した表示パネルと異なる。なお、実施例１において説明した吸収層を吸収層２６０Ａに適用した。
＜発光素子の構成＞
発光素子（例えば、２５０Ｒ）は、下部電極（例えば、２５１Ｒ）、上部電極２５２並びにその間に２つの発光ユニット（２５３ａ、２５３ｂ）および当該発光ユニットに挟持される中間層２５４を備える。
発光素子は、下部電極２５１と上部電極２５２と、下部電極２５１と上部電極２５２の間に発光性の有機化合物を含む層２５３を備える（図１０参照）。なお、下部電極２５１は基板２１０上の反射性の導電膜２２５上に設けられている。
なお、半透過・半反射膜を上部電極２５２に用い、反射性の導電膜２２５に積層された下部電極２５１を用いることで、微小共振器を形成した。
《下部電極の構成》
厚さ５ｎｍまたは８ｎｍのチタン膜が積層された厚さ２００ｎｍのアルミニウム膜を反射性の導電膜２２５に用いた。なお、反射性の導電膜２２５は下部電極２５１に電力を供給する配線を兼ねる。また、酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＳＯ）膜を下部電極２５１に用いた。
なお、ＩＴＳＯ膜は光学調整層を兼ね、光学調整層の厚さは発光色ごとに最適化した。具体的には、厚さ８５ｎｍのＩＴＳＯ膜を、赤色を呈する光を発する発光モジュールに設け、厚さ４５ｎｍのＩＴＳＯ膜を、緑色を呈する光を発する発光モジュールに設け、厚さ５ｎｍのＩＴＳＯ膜を、青色を呈する光を発する発光モジュールに設けた。
《上部電極の構成》
厚さ７０ｎｍのインジウム錫酸化物（略称：ＩＴＯ）が積層された厚さ１５ｎｍの銀マグネシウム合金膜を、上部電極２５２に用いた。銀マグネシウム合金膜は銀とマグネシウムを重量比１０：１（＝Ａｇ：Ｍｇ）で共蒸着して形成した。
《発光性の有機化合物を含む層の構成》
発光性の有機化合物を含む層２５３は、２つのＥＬ層（第１のＥＬ層１５０３ａと第２のＥＬ層１５０３ｂ）の間に中間層１５０４を挟んで形成した。なお、この構造をタンデム構造という。
第１のＥＬ層１５０３ａを、下部電極２５１上に正孔注入層１５１１、第１の正孔輸送層１５１２、第１の発光層１５１３、第１の電子輸送層１５１４ａ、および第２の電子輸送層１５１４ｂをこの順に成膜することにより形成した。
中間層１５０４を、電子輸送層１５１４ｂ上に、電子注入バッファー層１５０４ａ、電子リレー層１５０４ｂ、および電荷発生領域１５０４ｃをこの順に成膜することにより形成した。
第２のＥＬ層１５０３ｂを、中間層１５０４上に、第２の正孔輸送層１５２２、第２の発光層１５２３ａ、第３の発光層１５２３ｂ、第３の電子輸送層１５２４ａ、第４の電子輸送層１５２４ｂ、および電子注入層１５２５をこの順に成膜することにより形成した。
上記の発光性の有機化合物を含む層に用いた材料の詳細を表２に示す。なお、正孔輸送層１５１２の厚さは、下部電極の構成に応じて変えた。具体的には、厚さ５ｎｍのチタン膜が積層された厚さ２００ｎｍのアルミニウム膜を下部電極に用いる場合は、正孔輸送層１５１２の厚さを１３ｎｍとし、厚さ８ｎｍのチタン膜が積層された厚さ２００ｎｍのアルミニウム膜を下部電極に用いる場合は、正孔輸送層１５１２の厚さを１０ｎｍとした。
また、本実施例で用いる一部の有機化合物の構造式を以下に示す。
１１ 外光
１００ 発光装置
１００Ｂ 発光パネル
１１０ 基板
１１０ａ バリア膜
１１０ｂ 基材
１２５Ｇ 導電膜
１２５Ｒ 導電膜
１５１Ｇ 下部電極
１５１Ｒ 下部電極
１５２ 上部電極
１５３ 発光性の有機化合物を含む層
１６０ 吸収層
１６０Ａｂｓ 吸収スペクトル
１７０ 対向基板
１８０Ｅｍ スペクトル
１８０Ｇ 第２の発光モジュール
１８０Ｒ 第１の発光モジュール
２００ 表示パネル
２０１ 表示領域
２０２ 画素
２０２Ａ 画素
２０２Ｂ 副画素
２０２Ｇ 副画素
２０２Ｒ 副画素
２０２ｔ トランジスタ
２０３ｃ 容量
２０３ｇ 走査線駆動回路
２０３ｓ データ線駆動回路
２０３ｔ トランジスタ
２０９ ＦＰＣ
２１０ 基板
２１０ａ バリア膜
２１０ｂ 基板
２１０ｃ 接着層
２１１ 配線
２１９ 端子
２２１ 絶縁膜
２２５ 導電膜
２２５Ｂ 導電膜
２２５Ｇ 導電膜
２２５Ｒ 導電膜
２２８ 隔壁
２２９ スペーサ
２５０Ｒ 発光素子
２５１ 下部電極
２５１Ｒ 下部電極
２５２ 上部電極
２５３ 発光性の有機化合物を含む層
２５３ａ 発光ユニット
２５３ｂ 発光ユニット
２５４ 中間層
２６０ 吸収層
２６０Ａ 吸収層
２６０Ａｂｓ 吸収スペクトル
２６１ 接着層
２６７Ｂ 着色層
２６７ＢＭ 遮光層
２６７Ｇ 着色層
２６７Ｒ 着色層
２７０ 対向基板
２７０ａ バリア膜
２７０ｂ 基板
２７０ｃ 接着層
２８０Ｂ 第３の発光モジュール
２８０Ｅｍ スペクトル
２８０Ｇ 第２の発光モジュール
２８０Ｒ 第１の発光モジュール
３１０ ガラス基板
３５５ シール材
３６０ 吸収層
３６０（１）Ａｂｓ 吸収スペクトル
３６０（２）Ａｂｓ 吸収スペクトル
３７０ ガラス基板
３８０ＥＭ 発光スペクトル
１１０１ 陽極
１１０２ 陰極
１１０３ 発光ユニット
１１０３ａ 発光ユニット
１１０３ｂ 発光ユニット
１１０４ 中間層
１１０４ａ 電子注入バッファー
１１０４ｂ 電子リレー層
１１０４ｃ 電荷発生領域
１１１３ 正孔注入層
１１１４ 正孔輸送層
１１１５ 発光層
１１１６ 電子輸送層
１１１７ 電子注入層
１５０３ａ ＥＬ層
１５０３ｂ ＥＬ層
１５０４ 中間層
１５０４ａ 電子注入バッファー層
１５０４ｂ 電子リレー層
１５０４ｃ 電荷発生領域
１５１１ 正孔注入層
１５１２ 正孔輸送層
１５１３ 発光層
１５１４ａ 電子輸送層
１５１４ｂ 電子輸送層
１５２２ 正孔輸送層
１５２３ａ 発光層
１５２３ｂ 発光層
１５２４ａ 電子輸送層
１５２４ｂ 電子輸送層
１５２５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 情報入出力パネル
７１０９ 操作キー
７１１０ リモートコントローラ
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
７４５０ 携帯情報端末
７４５１Ｌ 筐体
７４５１Ｒ 筐体
７４５２Ｌ 表示部
７４５２Ｒ 表示部
７４５３ 操作ボタン
７４５４ ヒンジ
７４５５Ｌ 左側スピーカ
７４５５Ｒ 右側スピーカ
７４５６ 外部接続ポート
７５００ 照明装置
７５０１ 筐体
７５０３ａ 発光装置
７５０３ｂ 発光装置
７５０３ｃ 発光装置
７５０３ｄ 発光装置

Claims (7)

  1. 吸収層と、
    前記吸収層と重なる領域を有する第１の導電膜と、
    前記吸収層と重なる領域を有する第２の導電膜と、
    前記第１の導電膜と電気的に接続される第１の発光モジュールと、
    前記第２の導電膜と電気的に接続される第２の発光モジュールと、を有し、
    前記第１の導電膜および前記第２の導電膜は可視光を反射する機能を有し、
    前記第１の発光モジュールは、可視光領域の第１の波長に極大を備えるスペクトルの光であって、前記第１の波長より短い第２の波長と、前記第１の波長より長い第３の波長と、を含む光を前記吸収層に向けて射出する機能を有し、
    前記第２の発光モジュールは、可視光領域の前記第１の波長と異なる第４の波長に極大を備えるスペクトルの光であって、前記第４の波長より短い第５の波長と、前記第４の波長より長い第６の波長と、を含む光を前記吸収層に向けて射出する機能を有し、
    前記吸収層は、前記第１の波長の光の透過率が、前記第２の波長の光の透過率または前記第３の波長の光の透過率よりも大きく、前記第４の波長の光の透過率が、前記第５の波長の光の透過率または前記第６の波長の光の透過率よりも大きいことを特徴とする表示パネル。
  2. 吸収層と、
    前記吸収層と重なる領域を有する第１の導電膜と、
    前記吸収層と重なる領域を有する第２の導電膜と、
    前記吸収層と重なる領域を有する第３の導電膜と、
    前記第１の導電膜と電気的に接続される第１の発光モジュールと、
    前記第２の導電膜と電気的に接続される第２の発光モジュールと、
    前記第３の導電膜と電気的に接続される第３の発光モジュールと、を有し、
    前記第１の導電膜乃至前記第３の導電膜は可視光を反射する機能を有し、
    前記第１の発光モジュールは、可視光領域の第１の波長に極大を備えるスペクトルの光であって、前記第１の波長より短い第２の波長と、前記第１の波長より長い第３の波長と、を含む光を前記吸収層に向けて射出する機能を有し、
    前記第２の発光モジュールは、可視光領域の前記第１の波長と異なる第４の波長に極大を備えるスペクトルの光であって、前記第４の波長より短い第５の波長と、前記第４の波長より長い第６の波長と、を含む光を前記吸収層に向けて射出する機能を有し、
    前記第３の発光モジュールは、可視光領域の前記第１の波長および前記第４の波長と異なる第７の波長に極大を備えるスペクトルの光であって、前記第７の波長より短い第８の波長と、前記第７の波長より長い第９の波長と、を含む光を前記吸収層に向けて射出する機能を有し、
    前記吸収層は、前記第１の波長の光の透過率が、前記第２の波長の光の透過率または前記第３の波長の光の透過率よりも大きく、前記第４の波長の光の透過率が、前記第５の波長の光の透過率または前記第６の波長の光の透過率よりも大きく、前記第７の波長の光の透過率が、前記第８の波長の光の透過率または前記第９の波長の光の透過率よりも大きいことを特徴とする表示パネル。
  3. 請求項１又は請求項２において、
    前記第１の波長に極大を備えるスペクトルの前記第１の波長における強度の半値幅が１５ｎｍ以上３５ｎｍ以下であり、且つ、前記第２の波長に極大を備えるスペクトルの前記第２の波長における強度の半値幅が１５ｎｍ以上９５ｎｍ以下であることを特徴とする表示パネル。
  4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
    前記第１の発光モジュールと前記第２の発光モジュールが、微小共振器構造を備えることを特徴とする表示パネル。
  5. 請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
    前記第１の導電膜および前記第１の導電膜と電気的に接続される第１の発光モジュールが２００ｐｐｉ以上１０００ｐｐｉ以下の精細度で繰り返し設けられることを特徴とする表示パネル。
  6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
    前記吸収層が、１．４以上２．０以下の屈折率を備えることを特徴とする表示パネル。
  7. 表示部を有し、
    前記表示部は、請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の表示パネルを有する電子機器。
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