KR20240130152A - 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 - Google Patents

발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치 Download PDF

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KR20240130152A
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사토시 세오
노부하루 오사와
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가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼
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Abstract

발광 효율이 높은 발광 재료를 함유하는 발광 소자를 제공한다. 발광 소자는 고분자 재료 및 게스트 재료를 포함한다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 게스트 재료는 형광을 나타내거나 또는 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 포함하고, 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.

Description

발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치{LIGHT-EMITTING ELEMENT, DISPLAY DEVICE, ELECTRONIC DEVICE, AND LIGHTING DEVICE}
본 발명의 일 형태는 발광 소자, 또는 상기 발광 소자를 각각 포함하는 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치에 관한 것이다.
또한, 본 발명의 일 형태는 상술한 기술 분야에 한정되지 않는다. 본 명세서 등에 개시(開示)된 발명의 일 형태의 기술 분야는 물건, 방법, 또는 제작 방법에 관한 것이다. 또한, 본 발명의 일 형태는 공정(process), 기계(machine), 제품(manufacture), 또는 조성물(composition of matter)에 관한 것이다. 구체적으로는, 본 명세서에 개시된 본 발명의 일 형태에 따른 기술 분야의 예에는 반도체 장치, 표시 장치, 액정 표시 장치, 발광 장치, 조명 장치, 축전 장치, 기억 장치, 이들 중 어느 것의 구동 방법, 및 이들 중 어느 것의 제작 방법이 포함된다.
근년, EL(electroluminescence)을 사용한 발광 소자에 대한 연구 개발이 광범위하게 행해지고 있다. 이러한 발광 소자의 기본적인 구조에서는, 발광성 물질을 함유하는 층(EL층)이 한 쌍의 전극 사이에 개재(介在)되어 있다. 이 소자의 전극들 사이에 전압을 인가함으로써 발광성 물질로부터의 발광을 얻을 수 있다.
상술한 발광 소자는 자발광형이기 때문에, 이 발광 소자를 사용한 표시 장치는 시인성이 높고, 백라이트가 불필요하고, 소비전력이 낮은 등의 이점을 가진다. 또한, 이러한 발광 소자는 소자를 얇고 가볍게 제작할 수 있고, 응답 속도가 빠르다는 이점도 가진다.
EL층이 발광성 물질로서 유기 화합물을 함유하며 한 쌍의 전극 사이에 제공되어 있는 발광 소자(예를 들어, 유기 EL 소자)에서는, 한 쌍의 전극 사이에 전압을 인가함으로써, EL층에 캐소드로부터 전자가, 애노드로부터 정공이 주입되어 전류가 흐른다. 주입된 전자와 정공이 재결합함으로써 발광성 유기 화합물이 여기 상태가 되어 발광이 얻어진다.
발광 소자에 함유되는 유기 화합물로서, 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 고분자 화합물은 열적으로 안정적이고 도포법 등에 의하여 균일성이 우수한 박막을 용이하게 형성할 수 있기 때문에, 고분자 화합물을 함유하는 발광 소자가 개발되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조).
유기 화합물에 의하여 형성되는 여기 상태는 단일항 여기 상태(S*) 또는 삼중항 여기 상태(T*)일 수 있다. 단일항 여기 상태로부터의 발광은 형광이라고 하고, 삼중항 여기 상태로부터의 발광은 인광이라고 한다. 발광 소자에서의 S* 대 T*의 생성비는 1:3이다. 바꿔 말하면, 인광을 방출하는 화합물(인광성 화합물)을 함유하는 발광 소자는 형광을 방출하는 화합물(형광성 화합물)을 함유하는 발광 소자보다 발광 효율이 더 높다. 그러므로, 근년에는 삼중항 여기 상태를 발광으로 변환할 수 있는 인광성 화합물을 함유하는 발광 소자가 활발히 개발되어지고 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조).
유기 화합물을 여기시키는 데 필요한 에너지는, 유기 화합물의 LUMO 준위와 HOMO 준위의 에너지 차에 의존하고, 상기 에너지 차는 거의 단일항 여기 상태의 에너지에 상당한다. 인광성 화합물을 함유하는 발광 소자에서는, 삼중항 여기 에너지가 발광 에너지로 변환된다. 그러므로, 유기 화합물의 단일항 여기 상태와 삼중항 여기 상태에서 에너지 차가 큰 경우, 유기 화합물을 여기시키는 데 필요한 에너지는 상기 에너지 차에 상당하는 양만큼 발광 에너지보다 높아진다. 유기 화합물을 여기시키는 데 필요한 에너지와 발광 에너지의 에너지 차는, 발광 소자의 구동 전압을 상승시키고 소자 특성에 영향을 미친다. 그러므로, 구동 전압을 저감하는 방법이 모색되고 있다(특허문헌 3 참조).
인광성 화합물을 함유하는 발광 소자 중에서, 특히 청색의 광을 방출하는 발광 소자는, 삼중항 여기 에너지 준위가 높은 안정적인 화합물의 개발이 어려운 것으로 인해 실용화에 이르지 못하고 있다. 이러한 이유로 더 안정적인 형광성 화합물을 함유하는 발광 소자의 개발이 행해지고 있고, 형광성 화합물을 함유하는 발광 소자(형광 소자)의 발광 효율을 높이는 기술이 모색되고 있다.
삼중항 여기 상태의 에너지를 부분적으로 발광으로 변환할 수 있는 재료의 하나로서, 열활성화 지연 형광(thermally activated delayed fluorescent)체가 알려져 있다. 열활성화 지연 형광체에서는 삼중항 여기 상태로부터 역항간 교차에 의하여 단일항 여기 상태가 생성되고, 단일항 여기 상태가 발광으로 변환된다.
열활성화 지연 형광체를 사용한 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해서는, 열활성화 지연 형광체에 있어서 삼중항 여기 상태로부터의 효율적인 단일항 여기 상태의 생성뿐만 아니라 단일항 여기 상태로부터의 효율적인 발광, 즉 형광 양자 수율이 높은 것이 중요하다. 그러나, 이 두 가지를 만족하는 발광 재료는 설계하기 어렵다.
특허문헌 4는 하나의 방법을 개시하고 있다: 열활성화 지연 형광체 및 형광성 화합물을 함유하는 발광 소자에 있어서, 열활성화 지연 형광체의 단일항 여기 에너지를 형광성 화합물로 이동시켜, 형광성 화합물로부터 발광을 얻는다.
일본 공개특허공보 특개평5-202355호 일본 공개특허공보 특개2010-182699호 일본 공개특허공보 특개2012-212879호 일본 공개특허공보 특개2014-45179호
발광성 유기 화합물을 함유하는 발광 소자에 있어서 발광 효율을 높이거나 또는 구동 전압을 저감하기 위해서는, 호스트 재료의 단일항 여기 상태와 삼중항 여기 상태의 에너지 차가 작은 것이 바람직하다.
형광성 화합물을 함유하는 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해서는, 삼중항 여기 상태로부터 단일항 여기 상태가 효율적으로 생성되는 것이 바람직하다. 또한, 호스트 재료의 단일항 여기 상태로부터 형광성 화합물의 단일항 여기 상태로 효율적으로 에너지가 이동하는 것이 바람직하다.
상술한 것을 감안하여 본 발명의 일 형태의 과제는 형광성 화합물 또는 인광성 화합물을 함유하고 발광 효율이 높은 발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 소비전력이 낮은 발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 신규 발광 소자를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 신규 발광 장치를 제공하는 것이다. 본 발명의 일 형태의 다른 과제는 신규 표시 장치를 제공하는 것이다.
또한, 상술한 과제의 기재는 다른 과제의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태에서 모든 과제를 해결할 필요는 없다. 상술한 과제 외의 과제는 명세서 등의 기재로부터 명백해질 것이며 추출될 수 있다.
본 발명의 일 형태는 여기 착체를 효율적으로 형성하는 화합물을 함유하는 발광 소자이다. 또는, 본 발명의 일 형태는 삼중항 여기자(exciton)가 단일항 여기자로 변환되어 단일항 여기자를 함유하는 화합물로부터 광이 방출될 수 있거나, 또는 상기 단일항 여기자의 에너지 이동에 의하여 형광성 화합물로부터 광이 방출될 수 있는 발광 소자이다.
이와 같이, 본 발명의 일 형태는 고분자 재료 및 게스트 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 게스트 재료는 형광을 나타내는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 정공을 수송하는 기능을 가진다. 제 2 골격은 전자를 수송하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료 및 게스트 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 게스트 재료는 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 정공을 수송하는 기능을 가진다. 제 2 골격은 전자를 수송하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 제 3 골격, 및 제 4 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 정공을 수송하는 기능을 가진다. 제 2 골격은 전자를 수송하는 기능을 가진다. 제 4 골격은 형광을 나타내는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 제 3 골격, 및 제 4 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 정공을 수송하는 기능을 가진다. 제 2 골격은 전자를 수송하는 기능을 가진다. 제 4 골격은 삼중항 여기 에너지를 발광을 변환하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료 및 게스트 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 게스트 재료는 형광을 나타내는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함한다. 제 2 골격은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함한다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료 및 게스트 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 게스트 재료는 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함한다. 제 2 골격은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함한다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 제 3 골격, 및 제 4 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함한다. 제 2 골격은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함한다. 제 4 골격은 형광을 나타내는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
본 발명의 다른 일 형태는 고분자 재료를 포함하는 발광 소자이다. 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 포함한다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄의 각각은 제 1 골격, 제 2 골격, 제 3 골격, 및 제 4 골격을 포함한다. 제 1 골격과 제 2 골격은 제 3 골격을 통하여 서로 결합된다. 제 1 골격은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함한다. 제 2 골격은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함한다. 제 4 골격은 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환하는 기능을 가진다. 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다.
상기 각 구조에 있어서 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격은 싸이오펜 골격, 퓨란 골격, 및 피롤 골격 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. π-전자 부족형 헤테로방향족 골격은 피리딘 골격, 다이아진 골격, 및 트라이아진 골격 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다. 제 3 골격은 바이페닐 골격 및 플루오렌 골격 중 적어도 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 각 구조에 있어서 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄는 제 1 고분자쇄에서의 제 1 골격 및 제 2 고분자쇄에서의 제 2 골격으로 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다. 또한, 여기 착체는 실온에서 열활성화 지연 형광을 나타내는 기능을 가지는 것이 바람직하다.
본 발명의 다른 일 형태는 상술한 구조 중 어느 것을 가지는 발광 소자와, 컬러 필터 및 트랜지스터 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치이다. 본 발명의 다른 일 형태는 상술한 표시 장치와, 하우징 및 터치 센서 중 적어도 하나를 포함하는 전자 기기이다. 본 발명의 다른 일 형태는 상술한 구조 중 어느 것을 가지는 발광 소자와, 하우징 및 터치 센서 중 적어도 하나를 포함하는 조명 장치이다. 본 발명의 일 형태의 범주에는 발광 소자를 포함하는 발광 장치뿐만 아니라 발광 장치를 포함하는 전자 기기도 포함된다. 그러므로, 본 명세서에서 발광 장치란 화상 표시 장치 및 광원(예를 들어, 조명 장치)을 말한다. 발광 장치는, FPC(flexible printed circuit) 또는 TCP(tape carrier package) 등의 커넥터가 발광 장치에 접속된 모듈, TCP 끝에 프린트 배선판이 제공된 모듈, 또는 COG(chip on glass) 방식에 의하여 IC(집적 회로)가 발광 소자에 직접 탑재된 모듈에 포함되어도 좋다.
본 발명의 일 형태에 의하여 형광성 화합물 또는 인광성 화합물을 함유하고 발광 효율이 높은 발광 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 소비전력이 낮은 발광 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 신규 발광 소자를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 신규 발광 장치를 제공할 수 있다. 본 발명의 일 형태에 의하여 신규 표시 장치를 제공할 수 있다.
또한, 이들 효과의 기재는 다른 효과의 존재를 방해하지 않는다. 본 발명의 일 형태는 반드시 상술한 모든 효과를 가질 필요는 없다. 다른 효과는 명세서, 도면, 및 청구항 등의 기재로부터 명백해질 것이고 추출될 수 있다.
첨부 도면에 있어서:
도 1의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 단면 모식도이고, 도 1의 (C)는 발광층에서의 에너지 준위의 상관관계를 도시한 것이고;
도 2는 본 발명의 일 형태에 따른 발광층의 단면 모식도이고;
도 3의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 단면 모식도이고, 도 3의 (C)는 발광층에서의 에너지 준위의 상관관계를 도시한 것이고;
도 4는 본 발명의 일 형태에 따른 발광층의 단면 모식도이고;
도 5의 (A) 및 (B)의 각각은 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 단면 모식도이고;
도 6의 (A) 및 (B)의 각각은 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 단면 모식도이고;
도 7의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 제작 방법을 도시한 단면 모식도이고;
도 8의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 제작 방법을 도시한 단면 모식도이고;
도 9의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 상면도 및 단면 모식도이고;
도 10의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 각각 도시한 단면 모식도이고;
도 11은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 단면 모식도이고;
도 12의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 각각 도시한 단면 모식도이고;
도 13의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 각각 도시한 단면 모식도이고;
도 14는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 단면 모식도이고;
도 15의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 각각 도시한 단면 모식도이고;
도 16은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 단면 모식도이고;
도 17의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 각각 도시한 단면 모식도이고;
도 18의 (A) 내지 (D)는 EL층의 형성 방법을 도시한 단면 모식도이고;
도 19는 액적 토출 장치를 도시한 개념도이고;
도 20의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 블록도 및 회로도이고;
도 21의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로를 각각 도시한 회로도이고;
도 22의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로를 각각 도시한 회로도이고;
도 23의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 예의 사시도이고;
도 24의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치 및 터치 센서의 예의 단면도이고;
도 25의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 패널의 예의 단면도이고;
도 26의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 블록도 및 타이밍 차트이고;
도 27은 본 발명의 일 형태에 따른 터치 센서의 회로도이고;
도 28은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 모듈을 도시한 사시도이고;
도 29의 (A) 내지 (G)는 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기를 도시한 것이고;
도 30의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기를 도시한 것이고;
도 31의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 사시도이고;
도 32의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 도시한 사시도 및 단면도이고;
도 33의 (A) 내지 (D)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 각각 도시한 단면도이고;
도 34의 (A) 내지 (C)는 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기 및 조명 장치를 도시한 것이고;
도 35는 본 발명의 일 형태에 따른 조명 장치를 도시한 것이다.
이하에서 본 발명의 실시형태에 대하여 도면을 참조하여 설명한다. 그러나, 본 발명은 이하의 설명에 한정되지 않고, 본 발명의 목적 및 범위로부터 벗어나지 않고 그 형태 및 자세한 사항을 다양하게 변경할 수 있는 것은 용이하게 이해된다. 따라서, 본 발명은 이하의 실시형태의 내용에 한정하여 해석되지 않는다.
또한, 도면 등에 도시된 각 구조의 위치, 크기, 또는 범위 등은 간략화를 위하여 정확히 나타내지 않은 경우가 있다. 그러므로, 개시된 발명은 반드시 도면 등에 개시된 위치, 크기, 또는 범위 등에 한정되지는 않는다.
또한, 본 명세서 등에서 "제 1" 및 "제 2" 등의 서수는 편의상 사용하는 것이고, 단계의 순서 또는 적층 순서를 나타내는 것은 아니다. 따라서, 예를 들어, "제 1"을 "제 2" 또는 "제 3"으로 적절히 바꿔도 설명이 가능하다. 또한, 본 명세서 등에서의 서수는 본 발명의 일 형태를 특정하는 것과 반드시 같지는 않다.
본 명세서 등에서 도면을 참조하여 본 발명의 형태를 설명함에 있어, 상이한 도면의 같은 구성 요소는 같은 부호로 공통적으로 표시하는 경우가 있다.
본 명세서 등에서는, 경우 또는 상황에 따라 "막" 및 "층"이라는 용어를 서로 교체할 수 있다. 예를 들어, "도전층"이라는 용어를 "도전막"이라는 용어로 바꿀 수 있는 경우가 있다. 또한 "절연막"이라는 용어를 "절연층"이라는 용어로 바꿀 수 있는 경우가 있다.
본 명세서 등에서, 단일항 여기 상태(S*)는 여기 에너지를 가지는 단일항 상태를 말한다. S1 준위란, 단일항 여기 에너지의 가장 낮은 준위, 즉 단일항 여기 상태에서의 여기 에너지의 가장 낮은 준위를 의미한다. 삼중항 여기 상태(T*)는 여기 에너지를 가지는 삼중항 상태를 말한다. T1 준위란, 삼중항 여기 에너지의 가장 낮은 준위, 즉 삼중항 여기 상태에서의 여기 에너지의 가장 낮은 준위를 의미한다.
본 명세서 등에서 형광성 화합물이란, 단일항 여기 상태로부터 기저 상태로 완화될 때에 가시광 영역의 광을 방출하는 화합물을 말한다. 인광성 화합물이란, 삼중항 여기 상태로부터 기저 상태로 완화될 때에 실온에서 가시광 영역의 광을 방출하는 화합물을 말한다. 즉 인광성 화합물이란, 삼중항 여기 에너지를 가시광으로 변환할 수 있는 화합물을 말한다.
열활성화 지연 형광의 발광 에너지란, 열활성화 지연 형광의 가장 단파장측의 발광 피크(숄더를 포함함)를 말한다. 인광 발광 에너지 또는 삼중항 여기 에너지란, 인광 발광의 가장 단파장측의 발광 피크(숄더를 포함함)를 말한다. 또한, 인광 발광은 저온(예를 들어, 10K) 환경에서 시간 분해 광 루미네선스에 의하여 관찰될 수 있다.
또한 본 명세서 등에서 "실온"이란, 0℃ 이상 40℃ 이하의 온도를 말한다.
본 명세서 등에서 고분자 재료 및 고분자 화합물은 각각 분자량 분포를 가지고 평균 분자량이 1×103 내지 1×108인 중합체이다. 저분자 화합물은 분자량 분포를 가지지 않고 분자량이 1×104 이하인 화합물이다.
또한, 고분자 재료 및 고분자 화합물은, 1종류의 구조 단위 또는 복수 종류의 구조 단위가 중합되어 있는 재료 및 화합물이다. 즉 구조 단위란, 고분자 재료 및 고분자 화합물 각각에 적어도 하나 포함되는 단위를 말한다.
또한, 고분자 재료 및 고분자 화합물의 각각은 블록 공중합체, 랜덤 공중합체, 교호 공중합체, 및 그래프트 공중합체 중 어느 것이어도 좋고, 다른 형태이어도 좋다.
고분자 재료 및 고분자 화합물 각각의 말단기가 중합 활성기를 포함하는 경우, 발광 소자의 발광 특성 및 휘도 수명이 저하될 수 있다. 그러므로, 고분자 재료 및 고분자 화합물 각각의 말단기는 안정적인 말단기인 것이 바람직하다. 안정적인 말단기로서는, 주쇄에 공유 결합되어 있는 기가 바람직하고, 탄소-탄소 결합을 통하여 아릴기 또는 헤테로고리기에 결합되는 기가 특히 바람직하다.
본 명세서 등에서, 청색의 파장 영역이란 400nm 이상 490nm 미만의 파장 영역을 말하고, 청색의 발광이란 상기 파장 영역에 적어도 하나의 발광 스펙트럼 피크를 가지는 발광을 말한다. 녹색의 파장 영역이란 490nm 이상 580nm 미만의 파장 영역을 말하고, 녹색의 발광이란 상기 파장 영역에 적어도 하나의 발광 스펙트럼 피크를 가지는 발광을 말한다. 적색의 파장 영역이란 580nm 이상 680nm 이하의 파장 영역을 말하고, 적색의 발광이란 상기 파장 영역에 적어도 하나의 발광 스펙트럼 피크를 가지는 발광을 말한다.
(실시형태 1)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자에 대하여 이하에서 도 1의 (A) 내지 (C) 그리고 도 2를 참조하여 설명한다.
<발광 소자의 구조예 1>
먼저, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 구조에 대하여 이하에서 도 1의 (A) 내지 (C)를 참조하여 설명한다.
도 1의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자(150)의 단면 모식도이다.
발광 소자(150)는 한 쌍의 전극(전극(101) 및 전극(102)), 및 한 쌍의 전극 사이의 EL층(100)을 포함한다. EL층(100)은 적어도 발광층(130)을 포함한다.
도 1의 (A)에 도시된 EL층(100)은 발광층(130)에 더하여, 정공 주입층(111) 및 전자 주입층(114) 등의 기능층을 포함한다.
본 실시형태에서는 한 쌍의 전극에서 전극(101) 및 전극(102)이 각각 애노드 및 캐소드로서 기능하는 것으로 하여 설명하지만, 발광 소자(150)의 구조는 이에 한정되지 않는다. 즉, 전극(101)이 캐소드이어도 좋고, 전극(102)이 애노드이어도 좋고, 전극들 사이의 층들의 적층 순서가 거꾸로 되어도 좋다. 바꿔 말하면, 애노드 측에서부터 정공 주입층(111), 발광층(130), 및 전자 주입층(114)이 이 순서대로 적층되어도 좋다.
EL층(100)의 구조는 도 1의 (A)에 도시된 구조에 한정되지 않고, 정공 주입층(111) 및 전자 주입층(114) 중에서 선택되는 적어도 하나의 층을 포함하는 구조를 채용하여도 좋다. 또는, EL층(100)은 예를 들어, 정공 또는 전자의 주입 장벽을 저감하거나, 정공 또는 전자의 수송성을 향상시키거나, 정공 또는 전자의 수송성을 저해하거나, 또는 전극에 의한 퀀칭 현상을 억제할 수 있는 기능층을 포함하여도 좋다. 또한, 기능층의 각각은 단층이어도 좋고, 적층이어도 좋다.
도 1의 (B)는 도 1의 (A)의 발광층(130)의 예를 도시한 단면 모식도이다. 도 1의 (B)의 발광층(130)은 고분자 재료(131) 및 게스트 재료(132)를 포함한다.
고분자 재료(131)는 구조 단위로서 골격(131_1), 골격(131_2), 및 골격(131_3)을 포함한다. 골격(131_1)과 골격(131_2)은 골격(131_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되어 있다.
게스트 재료(132)는 발광성 유기 화합물이어도 좋고, 상기 발광성 유기 화합물은 형광을 방출할 수 있는 물질(이하, 형광성 화합물이라고도 함)인 것이 바람직하다. 형광성 화합물을 게스트 재료(132)로서 사용하는 구조에 대하여 이하에서 설명한다. 게스트 재료(132)를 형광성 화합물로 바꿔 말해도 좋다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자(150)에서는, 한 쌍의 전극(전극(101 및 102)) 사이에 전압을 인가함으로써 전자 및 정공이 각각 캐소드 및 애노드로부터 EL층(100)에 주입되어 전류가 흐른다. 주입된 전자와 정공의 재결합에 의하여 여기자가 형성된다. 캐리어(전자 및 정공)의 재결합에 의하여 생성되는 단일항 여기자 대 삼중항 여기자의 비(이하, 여기자 생성 확률)는 통계적으로 얻어진 확률에 따르면 약 1:3이다. 따라서, 형광성 화합물을 함유하는 발광 소자에서, 발광에 기여하는 단일항 여기자의 생성 확률은 25%이고, 발광에 기여하지 않는 삼중항 여기자의 생성 확률은 75%이다. 따라서, 발광 소자의 발광 효율을 높이기 위해서는, 발광에 기여하지 않는 삼중항 여기자를 발광에 기여하는 단일항 여기자로 변환하는 것이 중요하다.
그러므로, 고분자 재료(131)는 삼중항 여기 상태로부터 단일항 여기 상태를 생성하는 기능을 가지는 것이 바람직하다.
<발광 소자의 발광 기구>
다음으로, 발광층(130)의 발광 기구에 대하여 이하에서 설명한다.
발광층(130)에서의 고분자 재료(131)에서, 골격(131_1)은 정공을 수송하는 기능(정공 수송성)을 가지는 골격을 포함하고, 골격(131_2)은 전자를 수송하는 기능(전자 수송성)을 가지는 골격을 포함하는 것이 바람직하다. 또는, 골격(131_1)은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함하고, 골격(131_2)은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 있어서 고분자 재료(131)는 고분자 재료(131)의 2개의 고분자쇄로 여기 착체(여기 2량체라고도 함)를 형성하는 기능을 가진다. 특히, 고분자 재료(131)의 정공 수송성을 가지는 골격과 전자 수송성을 가지는 골격이 같은 구조 단위를 포함하는 2개의 고분자쇄에서 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다. 또는, 고분자 재료(131)에 포함되는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, 고분자 재료(131)에 포함되는 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격이, 같은 구조 단위를 포함하는 2개의 고분자쇄에서 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 본 명세서 등에서 같은 구조 단위를 포함하는 고분자쇄는, 적어도 같은 종류의 구조 단위(여기서는, 골격(131_1), 골격(131_2), 및 골격(131_3))를 포함하는 고분자쇄이고, 구조 단위들의 결합 방향, 결합각, 및 결합 길이 등이 상이하여도 좋다. 또한, 구조 단위들은 상이한 치환기를 가져도 좋고, 구조 단위들 사이에 상이한 골격이 제공되어도 좋다. 또한, 구조 단위들의 중합 방법이 상이하여도 좋다.
바꿔 말하면, 고분자 재료(131)는 고분자 재료(131)의 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄로 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다. 특히, 고분자 재료(131)에서 제 1 고분자쇄의 정공 수송성을 가지는 골격과, 제 2 고분자쇄의 전자 수송성을 가지는 골격이 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다. 또는, 고분자 재료(131)에서의 제 1 고분자쇄의 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, 고분자 재료(131)에서의 제 2 고분자쇄의 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격이 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다.
고분자 재료(131)가 골격(131_1)에 포함되는 정공 수송성을 가지는 골격 및 골격(131_2)에 포함되는 전자 수송성을 가지는 골격을 포함하는 경우, 2개의 고분자쇄에 의하여 도너-억셉터 여기 착체가 형성되기 쉬우므로, 여기 착체를 효율적으로 형성할 수 있다. 또는, 고분자 재료(131)가 골격(131_1)에 포함되는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, 골격(131_2)에 포함되는 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 경우, 2개의 고분자쇄에 의하여 도너-억셉터 여기 착체가 형성되기 쉬우므로, 여기 착체를 효율적으로 형성할 수 있다.
그러므로, 고분자 재료(131)의 고분자쇄 내에서 도너성 및 억셉터성의 양쪽 모두를 높이기 위해서는, 정공 수송성을 가지는 골격과 전자 수송성을 가지는 골격 사이의 공액이 작아지는 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 또는, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, π-전자 부족형 헤테로방향족 골격 사이의 공액이 작아지는 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, HOMO(highest occupied molecular orbital)가 분포하는 영역과, LUMO(lowest unoccupied molecular orbital)가 분포하는 영역의 겹침을 작게 할 수 있다. 또한, 고분자 재료(131)의 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차를 줄일 수 있다. 또한, 고분자 재료(131)의 삼중항 여기 에너지 준위를 높게 할 수 있다.
또한 분자 궤도란, 분자 내의 전자의 공간 분포를 말하며, 전자를 발견할 확률을 나타낼 수 있다. 또한 분자 궤도에 의하여, 분자의 전자 배치(전자의 공간 분포 및 에너지)를 자세히 설명할 수 있다.
또한, 같은 구조 단위를 포함하는 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체에서는, 하나의 고분자쇄는 HOMO를 포함하고 다른 하나의 고분자쇄는 LUMO를 포함하기 때문에, HOMO와 LUMO의 겹침이 매우 작다. 즉, 상기 여기 착체에서는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차가 작다. 그러므로, 고분자 재료(131)의 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체에서는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차가 작고, 바람직하게는 0eV보다 크고 0.2eV 이하이다.
고분자 재료(131)가 정공 수송성을 가지는 골격 및 전자 수송성을 가지는 골격을 포함하는 경우, 캐리어 밸런스를 용이하게 제어할 수 있다. 그 결과, 캐리어 재결합 영역도 용이하게 제어할 수 있다. 이를 위해서는, 골격(131_1)(정공 수송성을 가지는 골격을 포함함) 대 골격(131_2)(전자 수송성을 가지는 골격을 포함함)의 구성비는 1:9 내지 9:1(몰 비)의 범위가 바람직하고, 골격(131_2)(전자 수송성을 가지는 골격을 포함함)의 비율이 골격(131_1)(정공 수송성을 가지는 골격을 포함함)의 비율보다 높은 것이 더 바람직하다.
도 1의 (C)는 발광층(130)에서의 고분자 재료(131) 및 게스트 재료(132)의 에너지 준위의 상관관계를 나타낸 것이다. 도 1의 (C)에서의 용어 및 부호가 무엇을 나타내는지는 다음과 같다.
Polymer(131_1+131_2): 고분자 재료(131)에서, 서로 근접한 제 1 고분자쇄의 골격(131_1) 및 제 2 고분자쇄의 골격(131_2);
Guest(132): 게스트 재료(132)(형광성 화합물);
SH: 고분자 재료(131)의 S1 준위;
TH: 고분자 재료(131)의 T1 준위;
SG: 게스트 재료(132)(형광성 화합물)의 S1 준위;
TG: 게스트 재료(132)(형광성 화합물)의 T1 준위;
SE: 여기 착체의 S1 준위; 및
TE: 여기 착체의 T1 준위
발광층(130)에서는, 고분자 재료(131)가 중량으로 가장 큰 비율로 존재하고, 게스트 재료(132)(형광성 화합물)는 고분자 재료(131) 내에 분산된다. 발광층(130)에서의 고분자 재료(131)의 S1 준위는 발광층(130)에서의 게스트 재료(132)(형광성 화합물)의 S1 준위보다 높은 것이 바람직하다. 발광층(130)에서의 고분자 재료(131)의 T1 준위는 발광층(130)에서의 게스트 재료(132)(형광성 화합물)의 T1 준위보다 높은 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자에서는, 발광층(130)에 포함되는 고분자 재료(131)의 2개의 고분자쇄에 의하여 여기 착체가 형성된다. 여기 착체의 가장 낮은 단일항 여기 에너지 준위(SE)와 여기 착체의 가장 낮은 삼중항 여기 에너지 준위(TE)는 서로 근접하다(도 1의 (C) 경로 E3 참조).
여기 착체는 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 상태이다. 광 여기에 있어서, 여기 착체는 여기 상태에 있는 하나의 고분자쇄와 기저 상태에 있는 다른 하나의 고분자쇄의 상호 작용에 의하여 형성된다. 여기 착체를 형성한 2개의 고분자쇄는 광을 방출함으로써 기저 상태로 되돌아간 후, 원래의 2개의 고분자쇄로서 작용한다. 전기 여기에 있어서, 여기 상태가 된 하나의 고분자쇄는 즉시 다른 하나의 고분자쇄와 상호 작용함으로써 여기 착체를 형성한다. 또는, 하나의 고분자쇄가 정공을 받고 다른 하나의 고분자쇄가 전자를 받아서 즉시 여기 착체를 형성한다. 이 경우, 어느 고분자쇄이든 단일의 고분자쇄로 여기 상태를 형성하지 않고 여기 착체를 형성할 수 있기 때문에, 발광층(130)에서의 대부분의 여기자가 여기 착체로서 존재할 수 있다. 여기 착체의 여기 에너지 준위(SE 및 TE)는 여기 착체를 형성하는 고분자 재료(131)의 단일의 고분자쇄의 단일항 여기 에너지 준위(SH)보다 낮기 때문에, 더 낮은 여기 에너지로 고분자 재료(131)의 여기 상태를 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 소자(150)의 구동 전압을 저감할 수 있다.
여기 착체의 단일항 여기 에너지 준위(SE)와 삼중항 여기 에너지 준위(TE)는 서로 근접하기 때문에, 여기 착체는 열활성화 지연 형광을 나타내는 기능을 가진다. 바꿔 말하면, 여기 착체는 삼중항 여기 에너지를 역항간 교차(업컨버전)에 의하여 단일항 여기 에너지로 변환하는 기능을 가진다(도 1의 (C) 경로 E4 참조). 따라서, 발광층(130)에서 생성된 삼중항 여기 에너지는 여기 착체에 의하여 부분적으로 단일항 여기 에너지로 변환된다. 이 컨버전을 일으키기 위해서는, 여기 착체의 단일항 여기 에너지 준위(SE)와 삼중항 여기 에너지 준위(TE)의 에너지 차가 0eV보다 크고 0.2eV 이하인 것이 바람직하다.
또한, 여기 착체의 단일항 여기 에너지 준위(SE)는 게스트 재료(132)의 단일항 여기 에너지 준위(SG)보다 높은 것이 바람직하다. 이로써, 형성된 여기 착체의 단일항 여기 에너지가 여기 착체의 단일항 여기 에너지 준위(SE)에서 게스트 재료(132)의 단일항 여기 에너지 준위(SG)로 이동할 수 있고, 이에 따라 게스트 재료(132)가 단일항 여기 상태가 되어 발광이 일어난다(도 1의 (C) 경로 E5 참조).
게스트 재료(132)의 단일항 여기 상태로부터 효율적인 발광을 얻기 위해서는, 게스트 재료(132)의 형광 양자 수율이 높은 것이 바람직하고, 구체적으로는 50% 이상, 더 바람직하게는 70% 이상, 더욱 바람직하게는 90% 이상이다.
또한, 역항간 교차를 효율적으로 일으키기 위해서는, 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체의 삼중항 여기 에너지 준위(TE)가 상기 여기 착체를 형성하는 고분자 재료(131)의 단일의 고분자쇄의 삼중항 여기 에너지 준위(TH)보다 낮은 것이 바람직하다. 이에 따라, 고분자 재료(131)의 다른 하나 이상의 고분자쇄에 의한 여기 착체의 삼중항 여기 에너지의 퀀칭이 일어나기 어려워지므로, 효율적으로 역항간 교차가 발생된다.
그러므로, 고분자 재료(131)의 삼중항 여기 에너지 준위는 높은 것이 바람직하고, 고분자 재료(131)의 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 에너지 차는 작은 것이 바람직하다.
또한, 게스트 재료(132)에서 단일항 기저 상태로부터 삼중항 여기 상태로의 직접 전이는 금지되기 때문에, 여기 착체의 단일항 여기 에너지 준위(SE)로부터 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 에너지 준위(TG)로의 에너지 이동은 주된 에너지 이동 과정이 되기 어렵다.
여기 착체의 삼중항 여기 에너지 준위(TE)로부터 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 에너지 준위(TG)로 삼중항 여기 에너지의 이동이 일어나면, 삼중항 여기 에너지는 불활성화된다(도 1의 (C) 경로 E6 참조). 그러므로, 경로 E6의 에너지 이동이 일어나기 어려운 것이 바람직하고, 그 이유는 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 상태의 생성 효율을 저감할 수 있고, 열불활성화를 저감할 수 있기 때문이다. 이 조건을 만들기 위해서는, 고분자 재료(131)에 대한 게스트 재료(132)의 중량비가 낮은 것이 바람직하고, 구체적으로는 0.001 이상 0.05 이하가 바람직하고, 0.001 이상 0.03 이하가 더 바람직하고, 0.001 이상 0.01 이하가 더 바람직하다.
또한, 게스트 재료(132)에서 캐리어의 직접 재결합 과정이 지배적일 때, 발광층(130)에서 다수의 삼중항 여기자가 생성되어, 열불활성화로 인하여 발광 효율이 저하된다. 그러므로, 게스트 재료(132)에서 여기 착체의 형성 과정을 통한 에너지 이동 과정(도 1의 (C) 경로 E4 및 E5)의 확률이 캐리어의 직접 재결합 과정의 확률보다 높은 것이 바람직하고, 그 이유는 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 상태의 생성 효율을 저감할 수 있고, 열불활성화를 저감할 수 있기 때문이다. 그러므로 상술한 바와 같이, 고분자 재료(131)에 대한 게스트 재료(132)의 중량비가 낮은 것이 바람직하고, 구체적으로는 0.001 이상 0.05 이하가 바람직하고, 0.001 이상 0.03 이하가 더 바람직하고, 0.001 이상 0.01 이하가 더 바람직하다.
상술한 바와 같이 경로 E4 및 E5의 모든 에너지 이동 과정이 효율적으로 일어나도록 함으로써, 고분자 재료(131)의 단일항 여기 에너지 및 삼중항 여기 에너지의 양쪽 모두를 게스트 재료(132)의 단일항 여기 에너지로 효율적으로 변환할 수 있고, 이에 의하여 발광 소자(150)는 높은 발광 효율로 광을 방출할 수 있게 된다.
여기 착체를 "엑시플렉스"라고 하는 경우가 있기 때문에, 상술한 경로 E3, E4, 및 E5를 통한 과정을 본 명세서 등에서 ExSET(exciplex-singlet energy transfer) 또는 ExEF(exciplex-enhanced fluorescence)라고 하는 경우가 있다. 바꿔 말하면, 발광층(130)에서 여기 에너지가 여기 착체로부터 게스트 재료(132)로 이동한다.
발광층(130)이 상술한 구조를 가지는 경우, 발광층(130)의 게스트 재료(132)로부터 발광을 효율적으로 얻을 수 있다.
삼중항 여기 상태로부터 단일항 여기 상태를 생성하는 기능을 가지는 재료로서, 열활성화 지연 형광(TADF) 재료가 알려져 있다. TADF 재료는 역항간 교차에 의하여 그 자체로 삼중항 여기 상태로부터 단일항 여기 상태를 생성할 수 있다. 바꿔 말하면, TADF 재료는 삼중항 여기 에너지의 에너지를 부분적으로 발광으로 변환하는 기능을 가진다.
그러므로, TADF 재료는 삼중항 여기 에너지 준위와 단일항 여기 에너지 준위의 차가 작고, 삼중항 여기 상태를 적은 열 에너지로 단일항 여기 상태로 업컨버트할 수 있다. 구체적으로는, 삼중항 여기 에너지 준위와 단일항 여기 에너지 준위의 차가 바람직하게는 0eV보다 크고 0.2eV 이하, 더 바람직하게는 0eV보다 크고 0.1eV 이하이다.
TADF 재료의 예로서는, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 헤테로고리 화합물을 들 수 있다. 헤테로고리 화합물이 열활성화 지연 형광을 나타내는 기능을 가지기 위해서는, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격과 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격이 서로 직접 결합되어, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격의 도너성 및 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격의 억셉터성의 양쪽 모두가 높아지는 것이 바람직하다. 또한, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격과 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격의 공액을 감소시키고 HOMO와 LUMO의 겹침을 축소하는 것이 바람직하다. 그러나, 어느 정도의 HOMO와 LUMO의 겹침을 제공하여 HOMO와 LUMO의 전이 확률(진동자 강도)을 높이는 것이 바람직하다. 이로써, 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차를 줄일 수 있고, 단일항 여기 상태로부터 효율적으로 발광을 얻을 수 있다.
이러한 헤테로고리 화합물에는, 아크리딘 골격, 페나진 골격, 및 페녹사진 골격 등의 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격이 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격에 결합되는 부분에서 강한 꼬임(twist)을 가지고, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격과 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격의 공액이 감소되는 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 그러나, 이러한 꼬임 구조를 가지는 골격의 분자 구조는 한정된다.
그러므로 본 발명의 일 형태에서는, 고분자 재료(131)에 있어서 정공 수송성을 가지는 골격(131_1)과 전자 수송성을 가지는 골격(131_2)이 골격(131_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되는 것이 바람직하다. 또는, 고분자 재료(131)에 있어서 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, π-전자 부족형 헤테로방향족 골격이 골격(131_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되는 것이 바람직하다. 또한, 골격(131_3)의 자세한 사항에 대해서는 후술한다.
<에너지 이동 기구>
다음으로, 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 분자간 에너지 이동의 과정을 지배하는 인자에 대하여 설명한다. 분자간 에너지 이동의 기구로서는, 2개의 기구, 즉 푀르스터 기구(쌍극자-쌍극자 상호 작용)와, 덱스터 기구(전자 교환 상호 작용)가 제안되었다. 여기서는 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 분자간 에너지 이동 과정에 대하여 설명하지만, 고분자 재료(131)가 여기 착체를 형성하는 경우도 마찬가지이다.
<<푀르스터 기구>>
푀르스터 기구에서는, 에너지 이동에 분자간의 직접적인 접촉이 필요하지 않고, 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 쌍극자 진동의 공명 현상을 통하여 에너지가 이동한다. 쌍극자 진동의 공명 현상에 의하여, 고분자 재료(131)가 게스트 재료(132)에 에너지를 제공하여, 여기 상태에 있는 고분자 재료(131)가 기저 상태가 되고 기저 상태에 있는 게스트 재료(132)가 여기 상태가 된다. 또한, 푀르스터 기구의 속도 상수 k h *→ g 는 수학식 (1)로 표현된다.
수학식 (1)에서 ν는 진동 수를 나타내고, f'' h (ν)는 고분자 재료(131)의 정규화된 발광 스펙트럼(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 형광 스펙트럼, 삼중항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 인광 스펙트럼)을 나타내고, ε g (ν)는 게스트 재료(132)의 몰 흡수 계수를 나타내고, N은 아보가드로 수를 나타내고, n은 매체의 굴절률을 나타내고, R은 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 분자간 거리를 나타내고, τ는 측정되는 여기 상태의 수명(형광 수명 또는 인광 수명)을 나타내고, c는 광의 속도를 나타내고, φ는 발광 양자 수율(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 형광 양자 수율, 삼중항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 인광 양자 수율)을 나타내고, K 2는 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 전이 쌍극자 모멘트의 배향의 계수(0 내지 4)를 나타낸다. 또한, 랜덤 배향의 경우는 K 2는 2/3이다.
<<덱스터 기구>>
덱스터 기구에서 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132)는 이들의 궤도가 중첩되는 접촉 유효 거리에 가깝고, 여기 상태에 있는 고분자 재료(131)와 기저 상태에 있는 게스트 재료(132)가 전자를 교환하여 에너지 이동이 일어난다. 또한, 덱스터 기구의 속도 상수 k h *→ g 는 수학식 (2)로 표현된다.
수학식 (2)에서, h는 플랑크 상수를 나타내고, K는 에너지 차원을 가지는 상수를 나타내고, ν는 진동 수를 나타내고, f' h (ν)는 고분자 재료(131)의 정규화된 발광 스펙트럼(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 형광 스펙트럼, 삼중항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 인광 스펙트럼)을 나타내고, ε' g (ν)는 게스트 재료(132)의 정규화된 흡수 스펙트럼을 나타내고, L은 실효 분자 반경을 나타내고, R은 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 분자간 거리를 나타낸다.
여기서, 고분자 재료(131)로부터 게스트 재료(132)로의 에너지 이동의 효율(에너지 이동 효율 φ ET )은 수학식 (3)으로 표현된다. 이 수학식에서 k r은 고분자 재료(131)의 발광 과정(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 형광, 삼중항 여기 상태로부터의 에너지 이동에서는 인광)의 속도 상수를 나타내고, k n 은 고분자 재료(131)의 비발광 과정(열불활성화 또는 항간 교차)의 속도 상수를 나타내고, τ는 측정되는 고분자 재료(131)의 여기 상태의 수명을 나타낸다.
수학식 (3)으로부터, 에너지 이동 효율 φ ET 는 에너지 이동의 속도 상수 k h *→ g 를 크게 하여 다른 경합하는 속도 상수 k r +k n (=1/τ)이 상대적으로 작아지도록 함으로써 높일 수 있는 것을 알 수 있다.
<<에너지 이동을 촉진하기 위한 개념>>
먼저, 푀르스터 기구에 의한 에너지 이동을 생각한다. 수학식 (3)에 수학식 (1)을 대입함으로써 τ를 소거할 수 있다. 그러므로, 푀르스터 기구에 있어서 에너지 이동 효율 φ ET 는 고분자 재료(131)의 여기 상태의 수명 τ에 의존하지 않는다. 또한, 발광 양자 수율 φ(여기서는 단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하고 있으므로 형광 양자 수율)가 더 높은 경우에는 에너지 이동 효율 φ ET 가 더 높다고 할 수 있다. 일반적으로, 유기 화합물의 삼중항 여기 상태에서의 발광 양자 수율은 실온에서 매우 낮다. 그러므로, 고분자 재료(131)가 삼중항 여기 상태에 있는 경우, 푀르스터 기구에 의한 에너지 이동의 과정을 무시할 수 있고, 푀르스터 기구에 의한 에너지 이동의 과정은 고분자 재료(131)가 단일항 여기 상태에 있는 경우에만 고려한다.
또한, 고분자 재료(131)의 발광 스펙트럼(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하는 경우는 형광 스펙트럼)이 게스트 재료(132)의 흡수 스펙트럼(단일항 기저 상태로부터 단일항 여기 상태로의 전이에 상당하는 흡수)과 크게 중첩되는 것이 바람직하다. 또한, 게스트 재료(132)의 몰 흡수 계수도 높은 것이 바람직하다. 이는 고분자 재료(131)의 발광 스펙트럼이 게스트 재료(132)의 가장 장파장측에 있는 흡수대와 중첩되는 것을 의미한다. 게스트 재료(132)에서 단일항 기저 상태로부터 삼중항 여기 상태로의 직접 전이는 금지되기 때문에, 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 상태에서의 몰 흡수 계수는 무시할 수 있다. 그러므로, 푀르스터 기구에 의한 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 상태로의 에너지 이동의 과정은 무시할 수 있고, 게스트 재료(132)의 단일항 여기 상태로의 에너지 이동의 과정만을 고려한다. 즉, 푀르스터 기구에서는 고분자 재료(131)의 단일항 여기 상태로부터 게스트 재료(132)의 단일항 여기 상태로의 에너지 이동의 과정을 고려한다.
다음으로 덱스터 기구에 의한 에너지 이동을 생각한다. 수학식 (2)에 따르면, 속도 상수 k h *→ g 를 크게 하기 위해서는 고분자 재료(131)의 발광 스펙트럼(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하는 경우는 형광 스펙트럼)이 게스트 재료(132)의 흡수 스펙트럼(단일항 기저 상태로부터 단일항 여기 상태로의 전이에 상당하는 흡수)과 크게 중첩되는 것이 바람직하다. 그러므로, 에너지 이동 효율은 고분자 재료(131)의 발광 스펙트럼을 게스트 재료(132)의 가장 장파장측에 있는 흡수대와 중첩시킴으로써 최적화할 수 있다.
수학식 (3)에 수학식 (2)를 대입하면, 덱스터 기구에서의 에너지 이동 효율 φ ET 가 τ에 의존하는 것을 알 수 있다. 전자 교환에 기초한 에너지 이동 과정인 덱스터 기구에서는, 고분자 재료(131)의 단일항 여기 상태로부터 게스트 재료(132)의 단일항 여기 상태로의 에너지 이동에 더하여, 고분자 재료(131)의 삼중항 여기 상태로부터 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 상태로의 에너지 이동이 일어난다.
게스트 재료(132)가 형광성 화합물인 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자에서는, 게스트 재료(132)의 삼중항 여기 상태로의 에너지 이동 효율이 낮은 것이 바람직하다. 즉, 고분자 재료(131)로부터 게스트 재료(132)로의 덱스터 기구에 기초한 에너지 이동 효율은 낮은 것이 바람직하고, 고분자 재료(131)로부터 게스트 재료(132)로의 푀르스터 기구에 기초한 에너지 이동 효율은 높은 것이 바람직하다.
상술한 바와 같이, 푀르스터 기구에 있어서 에너지 이동 효율은 고분자 재료(131)의 여기 상태의 수명 τ에 의존하지 않는다. 한편, 덱스터 기구에서의 에너지 이동 효율은 고분자 재료(131)의 여기 수명 τ에 의존한다. 그러므로, 덱스터 기구에서의 에너지 이동 효율을 저하시키기 위해서는 고분자 재료(131)의 여기 수명 τ가 짧은 것이 바람직하다.
고분자 재료(131)로부터 게스트 재료(132)로의 에너지 이동과 비슷한 식으로, 여기 착체로부터 게스트 재료(132)로의 에너지 이동 과정에서도 푀르스터 기구 및 덱스터 기구의 양쪽 모두에 의한 에너지 이동이 일어난다.
따라서 본 발명의 일 형태는, 에너지를 효율적으로 게스트 재료(132)로 이동시킬 수 있는 에너지 도너로서 기능하는 여기 착체를 2개의 고분자쇄가 형성하는 고분자 재료(131)를 포함하는 발광 소자를 제공한다. 고분자 재료(131)에서 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위가 서로 근접하기 때문에 발광층(130)에서 생성되는 삼중항 여기자로부터 단일항 여기자로의 전이(역항간 교차)가 일어나기 쉽다. 이에 의하여 발광층(130)에서의 단일항 여기자의 생성 효율을 높일 수 있다. 또한, 여기 착체의 단일항 여기 상태로부터 에너지 억셉터로서 기능하는 게스트 재료(132)의 단일항 여기 상태로의 에너지 이동을 용이하게 하기 위해서는, 상기 여기 착체의 발광 스펙트럼이 게스트 재료(132)의 가장 장파장측(저에너지측)에 있는 흡수대와 중첩되는 것이 바람직하다. 이로써 게스트 재료(132)의 단일항 여기 상태의 생성 효율을 높일 수 있다.
또한, 여기 착체로부터 방출되는 광에서 열활성화 지연 형광 성분의 형광 수명은 짧은 것이 바람직하고, 구체적으로는 10ns 이상 50μs 이하, 더 바람직하게는 10ns 이상 30μs 이하이다.
여기 착체로부터 방출되는 광에서 열활성화 지연 형광 성분의 비율은 높은 것이 바람직하다. 구체적으로는, 여기 착체로부터 방출되는 광에서 열활성화 지연 형광 성분의 비율은 바람직하게는 5% 이상, 더 바람직하게는 10% 이상이다.
<발광 소자의 구조예 2>
다음으로 도 1의 (B)와는 다른 발광층(130)의 구조예에 대하여 도 2를 참조하여 이하에서 설명한다.
도 2는 도 1의 (A)의 발광층(130)의 다른 예를 도시한 단면 모식도이다. 또한, 도 2에서 도 1의 (B)의 부분과 비슷한 기능을 가지는 부분은 같은 부호로 표시하고, 그 부분에 대한 자세한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 2의 발광층(130)은 고분자 재료(131)를 함유한다. 고분자 재료(131)는 구조 단위로서 골격(131_1), 골격(131_2), 골격(131_3), 및 골격(131_4)을 포함한다. 골격(131_1)과 골격(131_2)은 골격(131_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되어 있다.
골격(131_4)은 발광성 골격이어도 좋고, 상기 발광성 골격은 형광을 방출할 수 있는 골격(이하, 형광성 골격이라고도 함)인 것이 바람직하다. 이하에서 골격(131_4)으로서 형광성 골격을 사용한 구조에 대하여 설명한다. 또한, 골격(131_4)을 형광성 골격으로 바꿔 말해도 좋다.
골격(131_4)은 게스트 재료(132)의 기능과 비슷한 기능을 가진다. 따라서, 본 구조예는 본 실시형태의 구조예 1에서 나타낸 게스트 재료(132)를 골격(131_4)으로 바꿔 말해서 설명할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 구조예 1과 비슷한 기능의 설명에 대해서는 본 실시형태의 구조예 1을 참조할 수 있다.
즉, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자에서, 고분자 재료(131)는 골격(131_1)에 포함되는 정공 수송성을 가지는 골격, 및 골격(131_2)에 포함되는 전자 수송성을 가지는 골격을 포함하고, 2개의 고분자쇄가 여기 착체를 형성한다. 그리고, 상기 여기 착체로부터 골격(131_4)으로 여기 에너지가 이동함으로써, 골격(131_4)으로부터 광이 방출된다. 또한, 상기 여기 착체로부터 여기 에너지를 받는 골격(131_4)은 여기 착체를 형성하는 2개의 고분자쇄 중 하나에 포함되어도 좋고, 다른 고분자쇄에 포함되어도 좋다.
하나의 고분자쇄의 골격(131_1)과 다른 하나의 고분자쇄의 골격(131_2)에 의하여 형성되는 여기 착체의 삼중항 여기 에너지 준위로부터 골격(131_4)의 삼중항 여기 에너지 준위로 삼중항 여기 에너지가 이동하면, 삼중항 여기 에너지는 불활성화된다. 그러므로, 고분자 재료(131)의 모든 구조 단위에 대한 골격(131_4)의 구성비는 낮은 것이 바람직하고, 구체적으로는 0.1mol% 이상 5mol% 이하, 더 바람직하게는 0.1mol% 이상 3mol% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1mol% 이상 1mol% 이하이다.
골격(131_4)에서 캐리어의 직접 재결합 과정이 지배적일 때, 발광층(130)에서 다수의 삼중항 여기자가 생성되어, 열불활성화로 인하여 발광 효율이 저하된다. 그러므로, 상술한 바와 같이 고분자 재료(131)의 모든 구조 단위에 대한 골격(131_4)의 구성비는 낮은 것이 바람직하고, 구체적으로는 0.1mol% 이상 5mol% 이하, 더 바람직하게는 0.1mol% 이상 3mol% 이하, 더욱 바람직하게는 0.1mol% 이상 1mol% 이하이다.
<재료>
다음으로 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 구성 요소에 대하여 이하에서 자세히 설명한다.
<<발광층>>
다음으로 발광층(130)에 사용할 수 있는 재료에 대하여 이하에서 설명한다.
발광층(130)의 고분자 재료(131)는, 고분자 재료(131)의 2개의 고분자쇄가 여기 착체를 형성하는 기능을 가지기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 고분자 재료(131)는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 고분자 재료(131)는 적어도 골격(131_1, 131_2, 및 131_3)을 포함하고, 골격(131_1)은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함하고, 골격(131_2)은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 것이 바람직하다.
고분자 재료(131)에 포함되는 방향족 아민 골격으로서는, NH 결합을 포함하지 않는 3급 아민, 특히 트라이아릴아민 골격을 사용하는 것이 바람직하다. 트라이아릴아민 골격의 아릴기로서는, 고리에 포함되는 탄소수 6 내지 13의 치환 또는 비치환된 아릴기를 사용하는 것이 바람직하고, 그 예에는 페닐기, 나프틸기, 및 플루오렌일기가 포함된다.
또한, 고분자 재료(131)에 포함되는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격으로서는, 그 높은 안정성 및 신뢰성 때문에 퓨란 골격, 싸이오펜 골격, 및 피롤 골격 중 하나 이상이 바람직하다. 퓨란 골격으로서는 다이벤조퓨란 골격이 바람직하다. 싸이오펜 골격으로서는 다이벤조싸이오펜 골격이 바람직하다. 또한, 피롤 골격으로서는 인돌 골격 또는 카바졸 골격, 특히, 3-(9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸 골격이 바람직하다. 이들 골격의 각각은 치환기를 더 가져도 좋다.
상술한 방향족 아민 골격 및 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격의 예로서는, 다음 일반식(101) 내지 (110)으로 표시되는 골격을 들 수 있다. 또한, 일반식(105) 내지 (107)에서 X는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
[화학식 1]
또한, 제 2 골격(골격(131_2))에 포함되는 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격으로서는, 피리딘 골격, 다이아진 골격(피리미딘 골격, 피라진 골격, 또는 피리다진 골격), 또는 트라이아진 골격이 바람직하고, 특히 그 높은 안정성 및 신뢰성 때문에 다이아진 골격 또는 트라이아진 골격이 바람직하다.
상술한 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격의 예로서는, 다음 일반식(201) 내지 (210)으로 표시되는 골격을 들 수 있다.
[화학식 2]
또한, 제 2 골격으로서, 상술한 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격 대신에 바이페닐 골격, 나프탈렌 골격, 페난트렌 골격, 트라이페닐렌 골격, 또는 플루오렌 골격 등의 삼중항 여기 에너지가 2eV 이상인 방향족 탄화수소 골격을 사용하여도 좋다.
또한, 제 1 골격(골격(131_1))에 포함되는 정공 수송성을 가지는 골격(구체적으로는, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나)과, 제 2 골격에 포함되는 전자 수송성을 가지는 골격(구체적으로는, π-전자 부족형 헤테로방향족 골격)이 적어도 골격(131_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되는 것이 바람직하다.
골격(131_3)(제 3 골격)의 예에는 예를 들어 다음 일반식(301) 내지 (314)으로 표시되는 골격인 페닐렌 골격, 바이페닐다이일 골격, 터페닐다이일 골격, 나프탈렌다이일 골격, 플루오렌다이일 골격, 9,10-다이하이드로안트라센다이일 골격, 페난트렌다이일 골격, 및 아릴렌바이닐렌 골격(페닐렌바이닐렌 골격 등)이 포함된다.
[화학식 3]
상술한 방향족 아민 골격(예를 들어, 트라이아릴아민 골격), π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격(예를 들어, 퓨란 골격, 싸이오펜 골격, 또는 피롤 골격을 포함하는 고리), 및 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격(예를 들어, 피리딘 골격, 다이아진 골격, 또는 트라이아진 골격을 포함하는 고리) 또는 상술한 일반식(101) 내지 (110), 일반식(201) 내지 (210), 및 일반식(301) 내지 (314)의 각각은 치환기를 가져도 좋다. 치환기로서는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 또는 알킬싸이오기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 아릴옥시기, 또는 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기를 선택할 수도 있다. 탄소수 1 내지 20의 알킬기의 구체적인 예에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 라우릴기, 2-에틸-헥실기, 및 3-메틸-뷰틸기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기의 구체적인 예에는 메톡시기, 에톡시기, 뷰톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 라우릴옥시기, 2-에틸-헥실옥시기, 3-메틸-뷰톡시기, 및 아이소프로필옥시기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기의 구체적인 예에는 메틸싸이오기, 에틸싸이오기, 뷰틸싸이오기, 펜틸싸이오기, 헥실싸이오기, 헵틸싸이오기, 옥틸싸이오기, 데실싸이오기, 라우릴싸이오기, 2-에틸-헥실싸이오기, 3-메틸-뷰틸싸이오기, 및 아이소프로필싸이오기 등이 포함된다. 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기의 구체적인 예에는 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노보닐기, 노아다만틸(noradamantyl)기, 아다만틸기, 호모아다만틸기, 및 트라이사이클로데칸일기 등이 포함된다. 탄소수 6 내지 18의 아릴기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 플루오렌일기, 안트라센일기, 및 피렌일기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 알콕시페녹시기, 알킬페녹시기, 나프틸옥시기, 안트라센일옥시기, 및 피렌일옥시기 등이 포함된다. 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 싸이엔일기, 피롤릴기, 퓨릴기, 및 피리딜기 등이 포함된다. 상기 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 예를 들어, 플루오렌 골격의 9위치의 탄소 원자가 치환기로서 2개의 페닐기를 가지는 경우, 페닐기들이 결합하여 스파이로플루오렌 골격을 형성한다. 또한, 비치환된 기는 합성이 용이하고 원료가 저렴하다는 이점을 가진다.
또한, Ar은 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기를 나타낸다. 아릴렌기는 하나 이상의 치환기를 포함하여도 좋고, 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 예를 들어, 플루오렌일기의 9위치의 탄소 원자가 치환기로서 2개의 페닐기를 가지고, 페닐기들이 결합하여 스파이로플루오렌 골격을 형성한다. 탄소수 6 내지 18의 아릴렌기의 구체적인 예에는 페닐렌기, 나프틸렌기, 바이페닐다이일기, 플루오렌다이일기, 안트라센다이일기, 페난트렌다이일기, 피렌다이일기, 페릴렌다이일기, 크리센다이일기, 및 알콕시페닐렌기 등이 포함된다. 아릴렌기가 치환기를 가지는 경우, 치환기로서는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 또는 알킬싸이오기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 아릴옥시기, 또는 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기를 선택할 수도 있다. 탄소수 1 내지 20의 알킬기의 구체적인 예에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 라우릴기, 2-에틸-헥실기, 및 3-메틸-뷰틸기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기의 구체적인 예에는 메톡시기, 에톡시기, 뷰톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 라우릴옥시기, 2-에틸-헥실옥시기, 3-메틸-뷰톡시기, 및 아이소뷰톡시기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기의 구체적인 예에는 메틸싸이오기, 에틸싸이오기, 뷰틸싸이오기, 펜틸싸이오기, 헥실싸이오기, 헵틸싸이오기, 옥틸싸이오기, 데실싸이오기, 라우릴싸이오기, 2-에틸-헥실싸이오기, 3-메틸-뷰틸싸이오기, 및 아이소프로필싸이오기 등이 포함된다. 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기의 구체적인 예에는 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노보닐기, 노아다만틸기, 아다만틸기, 호모아다만틸기, 및 트라이사이클로데칸일기 등이 포함된다. 탄소수 6 내지 18의 아릴기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 플루오렌일기, 안트라센일기, 및 피렌일기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 알콕시페녹시기, 알킬페녹시기, 나프틸옥시기, 안트라센일옥시기, 및 피렌일옥시기 등이 포함된다. 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 싸이엔일기, 피롤릴기, 퓨릴기, 및 피리딜기 등이 포함된다.
Ar로 표시되는 아릴렌기로서는 예를 들어, 다음 구조식(Ar-1) 내지 (Ar-18)으로 표시되는 기를 사용할 수 있다. 또한, Ar로서 사용할 수 있는 기는 이들에 한정되지 않는다.
[화학식 4]
또한, R1 및 R2의 각각은 독립적으로 수소, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 또는 알킬싸이오기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 아릴옥시기, 및 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기 중 어느 것을 나타낸다. 탄소수 1 내지 20의 알킬기의 구체적인 예에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 라우릴기, 2-에틸-헥실기, 및 3-메틸-뷰틸기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기의 구체적인 예에는 메톡시기, 에톡시기, 뷰톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 라우릴옥시기, 2-에틸-헥실옥시기, 3-메틸-뷰톡시기, 및 아이소뷰톡시기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기의 구체적인 예에는 메틸싸이오기, 에틸싸이오기, 뷰틸싸이오기, 펜틸싸이오기, 헥실싸이오기, 헵틸싸이오기, 옥틸싸이오기, 데실싸이오기, 라우릴싸이오기, 2-에틸-헥실싸이오기, 3-메틸-뷰틸싸이오기, 및 아이소프로필싸이오기 등이 포함된다. 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기의 구체적인 예에는 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노보닐기, 노아다만틸기, 아다만틸기, 호모아다만틸기, 및 트라이사이클로데칸일기 등이 포함된다. 탄소수 6 내지 18의 아릴기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 플루오렌일기, 안트라센일기, 및 피렌일기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 알콕시페녹시기, 알킬페녹시기, 나프틸옥시기, 안트라센일옥시기, 및 피렌일옥시기 등이 포함된다. 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 싸이엔일기, 피롤릴기, 퓨릴기, 및 피리딜기 등이 포함된다. 상술한 R1 및 R2의 각각은 치환기를 가져도 좋고, 치환기들은 서로 결합하여 고리를 형성하여도 좋다. 치환기로서는, 탄소수 1 내지 20의 알킬기, 알콕시기, 또는 알킬싸이오기, 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기, 탄소수 6 내지 18의 치환 또는 비치환된 아릴기 또는 아릴옥시기, 또는 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기를 선택할 수도 있다. 탄소수 1 내지 20의 알킬기의 구체적인 예에는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 아이소프로필기, 뷰틸기, 아이소뷰틸기, tert-뷰틸기, 펜틸기, 헥실기, 헵틸기, 옥틸기, 데실기, 라우릴기, 2-에틸-헥실기, 및 3-메틸-뷰틸기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알콕시기의 구체적인 예에는 메톡시기, 에톡시기, 뷰톡시기, 펜틸옥시기, 헥실옥시기, 헵틸옥시기, 옥틸옥시기, 데실옥시기, 라우릴옥시기, 2-에틸-헥실옥시기, 3-메틸-뷰톡시기, 및 아이소뷰톡시기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 1 내지 20의 알킬싸이오기의 구체적인 예에는 메틸싸이오기, 에틸싸이오기, 뷰틸싸이오기, 펜틸싸이오기, 헥실싸이오기, 헵틸싸이오기, 옥틸싸이오기, 데실싸이오기, 라우릴싸이오기, 2-에틸-헥실싸이오기, 3-메틸-뷰틸싸이오기, 및 아이소프로필싸이오기 등이 포함된다. 탄소수 3 내지 20의 사이클로알킬기의 구체적인 예에는 사이클로프로필기, 사이클로뷰틸기, 사이클로펜틸기, 사이클로헥실기, 노보닐기, 노아다만틸기, 아다만틸기, 호모아다만틸기, 및 트라이사이클로데칸일기 등이 포함된다. 탄소수 6 내지 18의 아릴기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 페닐기, 나프틸기, 바이페닐기, 플루오렌일기, 안트라센일기, 및 피렌일기 등이 포함된다. 또한, 탄소수 6 내지 18의 아릴옥시기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 알콕시페녹시기, 알킬페녹시기, 나프틸옥시기, 안트라센일옥시기, 및 피렌일옥시기 등이 포함된다. 탄소수 4 내지 14의 헤테로고리 화합물기의 구체적인 예에는 치환 또는 비치환된 싸이엔일기, 피롤릴기, 퓨릴기, 및 피리딜기 등이 포함된다.
예를 들어, 다음 구조식(R-1) 내지 (R-29)으로 표시되는 기를, R1 및 R2로 표시되는 알킬기 또는 아릴기, 및 일반식(101) 내지 (110), 일반식(201) 내지 (210), 일반식(301) 내지 (314), Ar, R1, 및 R2에 포함될 수 있는 치환기로서 사용할 수 있다. 또한, 알킬기 또는 아릴기로서 사용할 수 있는 기는 이에 한정되지 않는다.
[화학식 5]
발광층(130)에 있어서 게스트 재료(132)에 대한 특별한 한정은 없지만, 게스트 재료(132)는 안트라센 유도체, 테트라센 유도체, 크리센 유도체, 페난트렌 유도체, 피렌 유도체, 페릴렌 유도체, 스틸벤 유도체, 아크리돈 유도체, 쿠마린 유도체, 페녹사진 유도체, 또는 페노싸이아진 유도체 등인 것이 바람직하고, 예를 들어 다음 치환 또는 비치환된 재료 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 치환기로서는 상술한 치환기 중 임의의 것을 사용할 수 있다.
예에는 5,6-비스[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAP2BPy), 5,6-비스[4'-(10-페닐-9-안트릴)바이페닐-4-일]-2,2'-바이피리딘(약칭: PAPP2BPy), N,N'-다이페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6FLPAPrn), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-비스[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6mMemFLPAPrn), N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-N,N'-비스(4-tert-뷰틸페닐)피렌-1,6-다이아민(약칭: 1,6tBu-FLPAPrn), N,N'-다이페닐-N,N'-비스[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-3,8-다이사이클로헥실피렌-1,6-다이아민(약칭: ch-1,6FLPAPrn), N,N'-비스[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐스틸벤-4,4'-다이아민(약칭: YGA2S), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(10-페닐-9-안트릴)트라이페닐아민(약칭: YGAPA), 4-(9H-카바졸-9-일)-4'-(9,10-다이페닐-2-안트릴)트라이페닐아민(약칭: 2YGAPPA), N,9-다이페닐-N-[4-(10-페닐-9-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCAPA), 페릴렌, 2,5,8,11-테트라(tert-뷰틸)페릴렌(약칭: TBP), 4-(10-페닐-9-안트릴)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBAPA), N,N''-(2-tert-뷰틸안트라센-9,10-다이일다이-4,1-페닐렌)비스[N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민](약칭: DPABPA), N,9-다이페닐-N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPPA), N-[4-(9,10-다이페닐-2-안트릴)페닐]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPPA), N,N,N',N',N'',N'',N''',N'''-옥타페닐다이벤조[g,p]크리센-2,7,10,15-테트라아민(약칭: DBC1), 쿠마린 30, N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,9-다이페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: 2PCABPhA), N-(9,10-다이페닐-2-안트릴)-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPAPA), N-[9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-2-안트릴]-N,N',N'-트라이페닐-1,4-페닐렌다이아민(약칭: 2DPABPhA), 9,10-비스(1,1'-바이페닐-2-일)-N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-페닐안트라센-2-아민(약칭: 2YGABPhA), N,N,9-트라이페닐안트라센-9-아민(약칭: DPhAPhA), 쿠마린 6, 쿠마린 545T, N,N'-다이페닐퀴나크리돈(약칭: DPQd), 루브렌, 2,8-다이-tert-뷰틸-5,11-비스(4-tert-뷰틸페닐)-6,12-다이페닐테트라센(약칭: TBRb), Nile Red, 5,12-비스(1,1'-바이페닐-4-일)-6,11-다이페닐테트라센(약칭: BPT), 2-(2-{2-[4-(다이메틸아미노)페닐]에텐일}-6-메틸-4H-피란-4-일리덴)프로페인다이나이트릴(약칭: DCM1), 2-{2-메틸-6-[2-(2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: DCM2), N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)테트라센-5,11-다이아민(약칭: p-mPhTD), 7,14-다이페닐-N,N,N',N'-테트라키스(4-메틸페닐)아세나프토[1,2-a]플루오란텐-3,10-다이아민(약칭: p-mPhAFD), 2-{2-아이소프로필-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: DCJTI), 2-{2-tert-뷰틸-6-[2-(1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: DCJTB), 2-(2,6-비스{2-[4-(다이메틸아미노)페닐]에텐일}-4H-피란-4-일리덴)프로페인다이나이트릴(약칭: BisDCM), 2-{2,6-비스[2-(8-메톡시-1,1,7,7-테트라메틸-2,3,6,7-테트라하이드로-1H,5H-벤조[ij]퀴놀리진-9-일)에텐일]-4H-피란-4-일리덴}프로페인다이나이트릴(약칭: BisDCJTM), 및 5,10,15,20-테트라페닐비스벤조[5,6]인데노[1,2,3-cd:1',2',3'-lm]페릴렌이 포함된다.
상술한 바와 같이, 고분자 재료(131)로부터 게스트 재료(132)로의 덱스터 기구에 기초한 에너지 이동 효율은 낮은 것이 바람직하다. 덱스터 기구의 속도 상수는 2개의 분자 사이의 거리의 지수 함수에 반비례한다. 그러므로, 2개의 분자 사이의 거리가 약 1nm 이하일 때는 덱스터 기구가 우세하게 되고, 거리가 약 1nm 이상일 때는 푀르스터 기구가 우세하게 된다. 덱스터 기구의 에너지 이동 효율을 저하시키기 위해서는, 고분자 재료(131)와 게스트 재료(132) 사이의 거리를 크게 하는 것이 바람직하고, 구체적으로는 0.7nm 이상, 바람직하게는 0.9nm 이상, 더 바람직하게는 1nm 이상으로 한다. 상술한 관점에서 게스트 재료(132)는 고분자 재료(131)와의 근접을 저해하는 치환기를 가지는 것이 바람직하다. 상기 치환기로서는 지방족 탄화수소가 바람직하고, 알킬기가 더 바람직하고, 분기된 알킬기가 더욱 바람직하다. 구체적으로는 게스트 재료(132)는, 탄소수가 각각 2 이상인 적어도 2개의 알킬기를 포함하는 것이 바람직하다. 또는 게스트 재료(132)는, 탄소수가 각각 3 내지 10인 적어도 2개의 분기된 알킬기를 포함하는 것이 바람직하다. 또는 게스트 재료(132)는, 탄소수가 각각 3 내지 10인 적어도 2개의 사이클로알킬기를 포함하는 것이 바람직하다.
또는, 게스트 재료(132)는 고분자 화합물, 예를 들어 페닐렌기, 나프탈렌다이일기, 안트라센다이일기, 페난트렌다이일기, 다이하이드로페난트렌다이일기, 카바졸다이일기, 페녹사진다이일기, 페노싸이아진다이일기, 또는 피렌다이일기 등을 포함하는 화합물이어도 좋다.
발광층(130)에 있어서 골격(131_4)은 특별히 한정되지 않지만, 골격(131_4)은 게스트 재료(132)에 포함되는 발광성 골격을 포함하는 것이 바람직하다. 즉, 예를 들어 안트라센, 테트라센, 크리센, 페난트렌, 피렌, 페릴렌, 스틸벤, 아크리돈, 쿠마린, 페녹사진, 또는 페노싸이아진 등의 골격의 방향 고리로부터 하나 또는 2개의 수소 원자를 제거한 구조를 구조 단위로서 사용하는 것이 바람직하다. 발광성 골격으로서는 하나 또는 2개의 수소 원자를 제거한, 다음 일반식(401) 내지 (410)으로 표시되는 골격 중 임의의 것을 사용한다. 또한, 골격들의 각각은 치환기를 포함하는 것이 바람직하다. 상술한 덱스터 이동을 억제하기 위해서는, 지방족 탄화수소기, 바람직하게는 알킬기, 더 바람직하게는 분기된 알킬기를 치환기로서 도입하여도 좋다. 구체적으로는 골격(131_4)은, 탄소수가 각각 2 이상인 적어도 2개의 알킬기를 포함하는 것이 바람직하다. 또는 골격(131_4)은, 탄소수가 각각 3 내지 10인 적어도 2개의 분기된 알킬기를 포함하는 것이 바람직하다. 또는 골격(131_4)은, 탄소수가 각각 3 내지 10인 적어도 2개의 사이클로알킬기를 포함하는 것이 바람직하다.
[화학식 6]
발광층(130)은 고분자 재료(131) 및 게스트 재료(132)에 더하여 다른 재료를 함유하여도 좋다. 예를 들어, 다음 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료 중 임의의 것의 치환 또는 비치환된 재료를 사용할 수 있다. 또한, 치환기로서는 상술한 치환기 중 임의의 것을 사용할 수 있다.
정공 수송 재료로서는 전자보다 정공을 많이 수송하는 성질을 가지는 재료를 사용할 수 있고, 정공 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 재료가 바람직하다. 구체적으로는 방향족 아민, 카바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 또는 스틸벤 유도체 등을 사용할 수 있다. 또한, 정공 수송 재료는 고분자 화합물이어도 좋다. 또한, 고분자 재료(131)에 포함되는 정공 수송 골격, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격, 또는 방향족 아민 골격을 포함하는 고분자 화합물을 사용하여도 좋다.
정공 수송성이 높은 재료의 예에는 N,N'-다이(p-톨릴)-N,N'-다이페닐-p-페닐렌다이아민(약칭: DTDPPA), 4,4'-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: DPAB), N,N'-비스{4-[비스(3-메틸페닐)아미노]페닐}-N,N'-다이페닐-(1,1'-바이페닐)-4,4'-다이아민(약칭: DNTPD), 및 1,3,5-트리스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]벤젠(약칭: DPA3B) 등이 있다.
카바졸 유도체의 구체적인 예에는 3-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA1), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzDPA2), 3,6-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-(1-나프틸)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzTPN2), 3-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA1), 3,6-비스[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCA2), 및 3-[N-(1-나프틸)-N-(9-페닐카바졸-3-일)아미노]-9-페닐카바졸(약칭: PCzPCN1) 등이 있다.
카바졸 유도체의 다른 예에는 4,4'-다이(N-카바졸릴)바이페닐(약칭: CBP), 1,3,5-트리스[4-(N-카바졸릴)페닐]벤젠(약칭: TCPB), 9-[4-(10-페닐-9-안트라센일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzPA), 및 1,4-비스[4-(N-카바졸릴)페닐]-2,3,5,6-테트라페닐벤젠 등이 있다.
방향족 탄화수소의 예에는 2-tert-뷰틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: t-BuDNA), 2-tert-뷰틸-9,10-다이(1-나프틸)안트라센, 9,10-비스(3,5-다이페닐페닐)안트라센(약칭: DPPA), 2-tert-뷰틸-9,10-비스(4-페닐페닐)안트라센(약칭: t-BuDBA), 9,10-다이(2-나프틸)안트라센(약칭: DNA), 9,10-다이페닐안트라센(약칭: DPAnth), 2-tert-뷰틸안트라센(약칭: t-BuAnth), 9,10-비스(4-메틸-1-나프틸)안트라센(약칭: DMNA), 2-tert-뷰틸-9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]안트라센, 9,10-비스[2-(1-나프틸)페닐]안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-다이(1-나프틸)안트라센, 2,3,6,7-테트라메틸-9,10-다이(2-나프틸)안트라센, 9,9'-바이안트릴, 10,10'-다이페닐-9,9'-바이안트릴, 10,10'-비스(2-페닐페닐)-9,9'-바이안트릴, 10,10'-비스[(2,3,4,5,6-펜타페닐)페닐]-9,9'-바이안트릴, 안트라센, 테트라센, 루브렌, 페릴렌, 및 2,5,8,11-테트라(tert-뷰틸)페릴렌 등이 있다. 다른 예에는 펜타센 및 코로넨 등이 있다. 정공 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상이고 탄소수가 14 내지 42인 방향족 탄화수소가 특히 바람직하다.
방향족 탄화수소는 바이닐 골격을 가져도 좋다. 바이닐기를 가지는 방향족 탄화수소의 예에는 4,4'-비스(2,2-다이페닐바이닐)바이페닐(약칭: DPVBi) 및 9,10-비스[4-(2,2-다이페닐바이닐)페닐]안트라센(약칭: DPVPA) 등이 있다.
다른 예에는 폴리(N-바이닐카바졸)(약칭: PVK), 폴리(4-바이닐트라이페닐아민)(약칭: PVTPA), 폴리[N-(4-{N'-[4-(4-다이페닐아미노)페닐]페닐-N'-페닐아미노}페닐)메타크릴아마이드](약칭: PTPDMA), 및 폴리[N,N'-비스(4-뷰틸페닐)-N,N'-비스(페닐)벤지딘](약칭: poly-TPD) 등의 고분자 화합물이 있다.
정공 수송성이 높은 재료의 예에는 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]바이페닐(약칭: NPB 또는 α-NPD), N,N'-비스(3-메틸페닐)-N,N'-다이페닐-[1,1'-바이페닐]-4,4'-다이아민(약칭: TPD), 4,4',4''-트리스(카바졸-9-일)트라이페닐아민(약칭: TCTA), 4,4',4''-트리스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: 1'-TNATA), 4,4',4''-트리스(N,N-다이페닐아미노)트라이페닐아민(약칭: TDATA), 4,4',4''-트리스[N-(3-메틸페닐)-N-페닐아미노]트라이페닐아민(약칭: MTDATA), 4,4'-비스[N-(스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-일)-N―페닐아미노]바이페닐(약칭: BSPB), 4-페닐-4'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: BPAFLP), 4-페닐-3'-(9-페닐플루오렌-9-일)트라이페닐아민(약칭: mBPAFLP), N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-N-{9,9-다이메틸-2-[N'-페닐-N'-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)아미노]-9H-플루오렌-7-일}페닐아민(약칭: DFLADFL), N-(9,9-다이메틸-2-다이페닐아미노-9H-플루오렌-7-일)다이페닐아민(약칭: DPNF), 2-[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPASF), 4-페닐-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBA1BP), 4,4'-다이페닐-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBBi1BP), 4-(1-나프틸)-4'-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBANB), 4,4'-다이(1-나프틸)-4''-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)트라이페닐아민(약칭: PCBNBB), 4-페닐다이페닐-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)아민(약칭: PCA1BP), N,N'-비스(9-페닐카바졸-3-일)-N,N'-다이페닐벤젠-1,3-다이아민(약칭: PCA2B), N,N',N''-트라이페닐-N,N',N''-트리스(9-페닐카바졸-3-일)벤젠-1,3,5-트라이아민(약칭: PCA3B), N-(4-바이페닐)-N-(9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-일)-9-페닐-9H-카바졸-3-아민(약칭: PCBiF), N-(1,1'-바이페닐-4-일)-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]-9,9-다이메틸-9H-플루오렌-2-아민(약칭: PCBBiF), 9,9-다이메틸-N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]플루오렌-2-아민(약칭: PCBAF), N-페닐-N-[4-(9-페닐-9H-카바졸-3-일)페닐]스파이로-9,9'-바이플루오렌-2-아민(약칭: PCBASF), 2-[N-(9-페닐카바졸-3-일)-N-페닐아미노]스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: PCASF), 2,7-비스[N-(4-다이페닐아미노페닐)-N-페닐아미노]-스파이로-9,9'-바이플루오렌(약칭: DPA2SF), N-[4-(9H-카바졸-9-일)페닐]-N-(4-페닐)페닐아닐린(약칭: YGA1BP), 및 N,N'-비스[4-(카바졸-9-일)페닐]-N,N'-다이페닐-9,9-다이메틸플루오렌-2,7-다이아민(약칭: YGA2F) 등의 방향족 아민 화합물이 있다. 다른 예에는 3-[4-(1-나프틸)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPN), 3-[4-(9-페난트릴)-페닐]-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PCPPn), 3,3'-비스(9-페닐-9H-카바졸)(약칭: PCCP), 1,3-비스(N-카바졸릴)벤젠(약칭: mCP), 3,6-비스(3,5-다이페닐페닐)-9-페닐카바졸(약칭: CzTP), 3,6-다이(9H-카바졸-9-일)-9-페닐-9H-카바졸(약칭: PhCzGI), 2,8-다이(9H-카바졸-9-일)-다이벤조싸이오펜(약칭: Cz2DBT), 4-{3-[3-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]페닐}다이벤조퓨란(약칭: mmDBFFLBi-II), 4,4',4''-(벤젠-1,3,5-트라이일)트라이(다이벤조퓨란)(약칭: DBF3P-II), 1,3,5-트라이(다이벤조싸이오펜-4-일)-벤젠(약칭: DBT3P-II), 2,8-다이페닐-4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-III), 4-[4-(9-페닐-9H-플루오렌-9-일)페닐]-6-페닐다이벤조싸이오펜(약칭: DBTFLP-IV), 및 4-[3-(트라이페닐렌-2-일)페닐]다이벤조싸이오펜(약칭: mDBTPTp-II) 등의 아민 화합물, 카바졸 화합물, 싸이오펜 화합물, 퓨란 화합물, 플루오렌 화합물, 트라이페닐렌 화합물, 및 페난트렌 화합물 등이 있다. 여기에 기재된 물질은 주로 정공 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 물질이다. 다만 이들 물질 외에, 전자보다 정공을 많이 수송하는 성질을 가지는 임의의 물질을 사용하여도 좋다.
전자 수송 재료로서는, 정공보다 전자를 많이 수송하는 성질을 가지는 재료를 사용할 수 있고, 전자 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 재료가 바람직하다. 전자를 용이하게 받는 재료(전자 수송성을 가지는 재료)로서는, 질소 함유 헤테로방향족 화합물 등의 π-전자 부족형 헤테로방향족 화합물 또는 금속 착체 등을 사용할 수 있다. 구체적인 예에는 퀴놀린 리간드, 벤조퀴놀린 리간드, 옥사졸 리간드, 또는 싸이아졸 리간드를 가지는 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 및 피리미딘 유도체 등이 포함된다. 또한, 전자 수송 재료는 고분자 화합물이어도 좋다. 또한, 고분자 재료(131)에 포함되는 전자 수송 골격 또는 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 고분자 화합물을 사용하여도 좋다.
예로서는 트리스(8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Alq), 트리스(4-메틸-8-퀴놀리놀레이토)알루미늄(III)(약칭: Almq3), 비스(10-하이드록시벤조[h]퀴놀리네이토)베릴륨(II)(약칭: BeBq2), 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀레이토)(4-페닐페놀레이토)알루미늄(III)(약칭: BAlq), 및 비스(8-퀴놀리놀레이토)아연(II)(약칭: Znq)과 같은, 퀴놀린 또는 벤조퀴놀린 골격을 가지는 금속 착체 등이 포함된다. 또는, 비스[2-(2-벤즈옥사졸릴)페놀레이트]아연(II)(약칭: ZnPBO) 또는 비스[2-(2-벤조싸이아졸릴)페놀레이토]아연(II)(약칭: ZnBTZ) 등의 옥사졸계 또는 싸이아졸계 리간드를 가지는 금속 착체를 사용할 수 있다. 이러한 금속 착체 외에, 다음 중 어느 것을 사용할 수 있다: 2-(4-바이페닐릴)-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸(약칭: PBD), 1,3-비스[5-(p-tert-뷰틸페닐)-1,3,4-옥사다이아졸-2-일]벤젠(약칭: OXD-7), 9-[4-(5-페닐-1,3,4-옥사다이아졸-2-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CO11), 3-(바이페닐-4-일)-4-페닐-5-(4-tert-뷰틸페닐)-1,2,4-트라이아졸(약칭: TAZ), 9-[4-(4,5-다이페닐-4H-1,2,4-트라이아졸-3-일)페닐]-9H-카바졸(약칭: CzTAZ1), 2,2',2''-(1,3,5-벤젠트라이일)트리스(1-페닐-1H-벤즈이미다졸)(약칭: TPBI), 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]-1-페닐-1H-벤즈이미다졸(약칭: mDBTBIm-II), 바소페난트롤린(약칭: BPhen), 및 바소큐프로인(약칭: BCP) 등의 헤테로고리 화합물; 2-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTPDBq-II), 2-[3'-(다이벤조싸이오펜-4-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mDBTBPDBq-II), 2-[3'-(9H-카바졸-9-일)바이페닐-3-일]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzBPDBq), 2-[4-(3,6-다이페닐-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2CzPDBq-III), 7-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 7mDBTPDBq-II), 6-[3-(다이벤조싸이오펜-4-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 6mDBTPDBq-II), 2-[3-(3,9'-바이-9H-카바졸-9-일)페닐]다이벤조[f,h]퀴녹살린(약칭: 2mCzCzPDBq), 4,6-비스[3-(페난트렌-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mPnP2Pm), 4,6-비스[3-(4-다이벤조싸이엔일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mDBTP2Pm-II), 및 4,6-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리미딘(약칭: 4,6mCzP2Pm) 등의 다이아진 골격을 가지는 헤테로고리 화합물; 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn) 등의 트라이아진 골격을 가지는 헤테로고리 화합물; 3,5-비스[3-(9H-카바졸-9-일)페닐]피리딘(약칭: 35DCzPPy) 등의 피리딘 골격을 가지는 헤테로고리 화합물; 및 4,4'-비스(5-메틸벤즈옥사졸-2-일)스틸벤(약칭: BzOs) 등의 헤테로방향족 화합물. 헤테로고리 화합물 중, 다이아진 골격(피리미딘, 피라진, 피리다진)을 가지거나 또는 피리딘 골격을 가지는 헤테로고리 화합물은 신뢰성이 높고 안정적이므로 바람직하게 사용된다. 또한, 상기 골격을 가지는 헤테로고리 화합물은 전자 수송성이 높고 구동 전압의 저감에 기여한다. 또는, 폴리(2,5-피리딘다이일)(약칭: PPy), 폴리[(9,9-다이헥실플루오렌-2,7-다이일)-co-(피리딘-3,5-다이일)](약칭: PF-Py), 또는 폴리[(9,9-다이옥틸플루오렌-2,7-다이일)-co-(2,2'-바이피리딘-6,6'-다이일)](약칭: PF-BPy) 등의 고분자 화합물을 사용할 수 있다. 여기에 기재된 물질은 주로 전자 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 물질이다. 또한, 정공 수송성보다 전자 수송성이 높기만 하면, 다른 물질을 사용하여도 좋다.
또한, 고분자 재료(131)는 상술한 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료 중 어느 것으로부터 하나 또는 2개의 수소 원자를 제거한 구조를 가져도 좋다.
또한, 발광층(130)은 고분자 재료(131) 및 게스트 재료(132)에 더하여 열활성화 지연 형광체를 함유하여도 좋다. 또는, 실온에서 열활성화 지연 형광을 나타내는 기능을 가지는 재료를 함유하는 것이 바람직하다. 또한, 열활성화 지연 형광체는 열활성화에 의한 역항간 교차에 의하여 삼중항 여기 상태로부터 단일항 여기 상태를 생성할 수 있는 재료이다. 열활성화 지연 형광체는 그 자체로 삼중항 여기 상태로부터 역항간 교차에 의하여 단일항 여기 상태를 생성할 수 있는 재료, 예를 들어 TADF 재료를 함유하여도 좋다. 이러한 재료는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차가 0eV보다 크고 0.2eV 이하인 것이 바람직하다.
열활성화 지연 형광체로서 기능하는 TADF 재료로서는 예를 들어, 다음 중 임의의 재료를 사용할 수 있다.
먼저, 풀러렌, 그 유도체, 프로플라빈 등의 아크리딘 유도체, 및 에오신 등을 들 수 있다. 또한, 마그네슘(Mg), 아연(Zn), 카드뮴(Cd), 주석(Sn), 백금(Pt), 인듐(In), 또는 팔라듐(Pd)을 함유하는 포르피린 등의 금속 함유 포르피린을 들 수 있다. 금속 함유 포르피린의 예에는 프로토포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Proto IX)), 메소포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Meso IX)), 헤마토포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Hemato IX)), 코프로포르피린 테트라메틸에스터-플루오린화 주석 착체(SnF2(Copro III-4Me)), 옥타에틸포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(OEP)), 에티오포르피린-플루오린화 주석 착체(SnF2(Etio I)), 및 옥타에틸포르피린-염화 백금 착체(PtCl2OEP)가 포함된다.
1종류의 재료로 구성되는 열활성화 지연 형광 재료로서는, π-전자 과잉형 헤테로 방향 고리 및 π-전자 부족형 헤테로 방향 고리를 가지는 헤테로고리 화합물을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 2-(바이페닐-4-일)-4,6-비스(12-페닐인돌로[2,3-a]카바졸-11-일)-1,3,5-트라이아진(약칭: PIC-TRZ), 2-{4-[3-(N-페닐-9H-카바졸-3-일)-9H-카바졸-9-일]페닐}-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PCCzPTzn), 2-[4-(10H-페녹사진-10-일)페닐]-4,6-다이페닐-1,3,5-트라이아진(약칭: PXZ-TRZ), 3-[4-(5-페닐-5,10-다이하이드로페나진-10-일)페닐]-4,5-다이페닐-1,2,4-트라이아졸(약칭: PPZ-3TPT), 3-(9,9-다이메틸-9H-아크리딘-10-일)-9H-크산텐-9-온(약칭: ACRXTN), 비스[4-(9,9-다이메틸-9,10-다이하이드로아크리딘)페닐]설폰(약칭: DMAC-DPS), 또는 10-페닐-10H,10'H-스파이로[아크리딘-9,9'-안트라센]-10'-온(약칭: ACRSA)을 사용할 수 있다. 상기 헤테로고리 화합물은 전자 수송성 및 정공 수송성이 높은 π-전자 과잉형 헤테로 방향 고리 및 π-전자 부족형 헤테로 방향 고리를 가지므로 바람직하다. 또한, π-전자 과잉형 헤테로 방향 고리가 π-전자 부족형 헤테로 방향 고리에 직접 결합된 물질은, π-전자 과잉형 헤테로 방향 고리의 도너성 및 π-전자 부족형 헤테로 방향 고리의 억셉터성이 모두 높아지고, 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차가 작아지므로 특히 바람직하다.
또는, 열활성화 지연 형광 재료는 여기 착체를 형성하는 2종류의 재료의 조합을 함유하여도 좋다. 2종류의 재료의 조합으로서는, 상술한 정공 수송 재료 및 전자 수송 재료의 조합이 바람직하다. 구체적으로는, 아연 또는 알루미늄계 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 벤즈이미다졸 유도체, 퀴녹살린 유도체, 다이벤조퀴녹살린 유도체, 다이벤조싸이오펜 유도체, 다이벤조퓨란 유도체, 피리미딘 유도체, 트라이아진 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 또는 페난트롤린 유도체 등을 사용할 수 있다. 다른 예에는 방향족 아민 및 카바졸 유도체가 있다.
발광층(130)에 사용할 수 있는 재료로서는, 본 발명의 일 형태에 따른 고분자 재료를 용해할 수 있는 용매에 녹을 수 있는 재료가 바람직하다.
발광층(130)은 2층 이상의 층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어 제 1 발광층과 제 2 발광층을 정공 수송층 측에서부터 이 순서대로 적층하여 발광층(130)을 형성하는 경우, 제 1 발광층은 정공 수송성을 가지는 물질을 고분자 재료로서 사용하여 형성하고, 제 2 발광층은 전자 수송성을 가지는 물질을 고분자 재료로서 사용하여 형성한다.
<<정공 주입층>>
정공 주입층(111)은 한 쌍의 전극(전극(101) 또는 전극(102))으로부터의 정공 주입의 장벽을 저감하여 정공 주입을 촉진하는 기능을 가지고, 예를 들어 전이 금속 산화물, 프탈로사이아닌 유도체, 또는 방향족 아민을 사용하여 형성된다. 전이 금속 산화물로서는, 몰리브데넘 산화물, 바나듐 산화물, 루테늄 산화물, 텅스텐 산화물, 또는 망가니즈 산화물 등을 들 수 있다. 프탈로사이아닌 유도체로서는, 프탈로사이아닌 또는 금속 프탈로사이아닌 등을 들 수 있다. 방향족 아민으로서는 벤지딘 유도체 또는 페닐렌다이아민 유도체 등을 들 수 있다. 폴리싸이오펜 또는 폴리아닐린 등의 고분자 화합물을 사용할 수도 있고, 그 대표적인 예는 자기 도핑된 폴리싸이오펜인 폴리(에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)이다. 또한, 폴리바이닐카바졸 및 그 유도체, 및 측쇄 또는 주쇄에 방향족 아민 골격 또는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격을 포함하는 폴리아릴렌 및 그 유도체 등을 예로 들 수 있다.
정공 주입층(111)으로서, 정공 수송 재료와 정공 수송 재료로부터 전자를 받는 특성을 가지는 재료의 복합 재료를 함유하는 층을 사용할 수도 있다. 또는, 전자 수용성을 가지는 재료를 함유하는 층과 정공 수송 재료를 함유하는 층의 적층을 사용하여도 좋다. 정상(定常) 상태 또는 전계 존재하에서, 이들 재료 사이를 전하가 이동할 수 있다. 전자 수용성을 가지는 재료의 예로서는, 퀴노다이메테인 유도체, 클로라닐 유도체, 및 헥사아자트라이페닐렌 유도체 등의 유기 억셉터를 들 수 있다. 구체적인 예로서는 7,7,8,8-테트라사이아노-2,3,5,6-테트라플루오로퀴노다이메테인(약칭: F4-TCNQ), 클로라닐, 또는 2,3,6,7,10,11-헥사사이아노-1,4,5,8,9,12-헥사아자트라이페닐렌(약칭: HAT-CN) 등의 전자 흡인기(할로젠기 또는 사이아노기)를 가지는 화합물이 있다. 또는, 제 4족 내지 제 8족 금속의 산화물 등의 전이 금속 산화물을 사용할 수도 있다. 구체적으로는, 산화 바나듐, 산화 나이오븀, 산화 탄탈럼, 산화 크로뮴, 산화 몰리브데넘, 산화 텅스텐, 산화 망가니즈, 또는 산화 레늄 등을 사용할 수 있다. 특히, 산화 몰리브데넘은 대기 중에서 안정적이고 흡습성이 낮으며 취급하기 쉬우므로 바람직하다.
정공 수송 재료로서는 전자보다 정공을 많이 수송하는 성질을 가지는 재료를 사용할 수 있고, 정공 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 재료가 바람직하다. 구체적으로는, 발광층(130)에 사용할 수 있는 정공 수송 재료로서 예시한 방향족 아민, 카바졸 유도체, 방향족 탄화수소, 및 스틸벤 유도체 등 중 임의의 것을 사용할 수 있다. 또한, 정공 수송 재료는 고분자 화합물이어도 좋다.
<<정공 수송층>>
정공 주입층(111)과 발광층(130) 사이에 정공 수송층을 제공하여도 좋다. 정공 수송층은 정공 수송 재료를 함유하는 층이며 정공 주입층(111)의 재료로서 예시한 정공 수송 재료 중 임의의 것을 사용하여 형성할 수 있다. 정공 수송층이 정공 주입층(111)에 주입된 정공을 발광층(130)으로 수송하는 기능을 가지기 위해서는, 정공 수송층의 HOMO 준위가 정공 주입층(111)의 HOMO 준위와 같거나 가까운 것이 바람직하다.
정공 수송 재료로서는 정공 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 물질을 사용하는 것이 바람직하다. 다만, 전자 수송성보다 정공 수송성이 높기만 하면 상술한 물질 외의 임의의 물질을 사용하여도 좋다. 정공 수송성이 높은 물질을 포함하는 층은 단층에 한정되지 않고, 상술한 물질을 함유하는 2층 이상의 층을 적층하여도 좋다.
<<전자 수송층>>
발광층(130)과 전자 주입층(114) 사이에 전자 수송층을 제공하여도 좋다. 전자 수송층은, 전자 주입층(114)을 통하여 한 쌍의 전극 중 다른 쪽(전극(101) 또는 전극(102))으로부터 주입된 전자를 발광층(130)으로 수송하는 기능을 가진다. 전자 수송 재료로서는 정공보다 전자를 많이 수송하는 성질을 가지는 재료를 사용할 수 있고, 전자 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 재료가 바람직하다. 전자를 용이하게 받는 화합물(전자 수송성을 가지는 재료)로서는, 예를 들어 질소 함유 헤테로방향족 화합물 등의 π-전자 부족형 헤테로방향족 또는 금속 착체 등을 사용할 수 있다. 구체적으로는, 발광층(130)에 사용할 수 있는 전자 수송 재료로서 기재한 퀴놀린 리간드, 벤조퀴놀린 리간드, 옥사졸 리간드, 또는 싸이아졸 리간드를 가지는 금속 착체, 옥사다이아졸 유도체, 트라이아졸 유도체, 페난트롤린 유도체, 피리딘 유도체, 바이피리딘 유도체, 및 피리미딘 유도체 등을 들 수 있다. 또한, 폴리페닐렌, 폴리플루오렌, 및 그 유도체 등의 고분자 화합물을 사용하여도 좋다. 전자 이동도가 1×10-6cm2/Vs 이상인 물질이 바람직하다. 또한 이들 물질 외에, 정공보다 전자를 많이 수송하는 성질을 가지는 임의의 물질을 전자 수송층에 사용하여도 좋다. 전자 수송층은 단층에 한정되지 않고, 상술한 물질을 함유하는 2층 이상의 적층을 포함하여도 좋다.
전자 수송층과 발광층(130) 사이에, 전자 캐리어의 이동을 제어하는 층을 제공하여도 좋다. 이는 상술한 전자 수송성이 높은 재료에 전자 트랩성이 높은 물질을 소량 첨가하여 형성하는 층이고, 이 층은 전자 캐리어의 이동을 억제하여 캐리어 밸런스를 조절할 수 있다. 이러한 구조는 발광층을 전자가 통과할 때에 발생되는 문제(소자 수명의 저하 등)를 방지하는 데 매우 효과적이다.
<<전자 주입층>>
전자 주입층(114)은 전극(102)으로부터의 전자 주입의 장벽을 저감하여 전자 주입을 촉진하는 기능을 가지고, 예를 들어 제 1족 금속 또는 제 2족 금속, 혹은 이들 금속 중 어느 것의 산화물, 할로젠화물, 또는 탄산염을 사용하여 형성할 수 있다. 또는, 전자 수송 재료(위에 기재) 및 전자 수송 재료에 대하여 전자를 공여하는 성질을 가지는 재료를 함유하는 복합 재료를 사용할 수도 있다. 전자 공여성을 가지는 재료로서는, 제 1족 금속, 제 2족 금속, 또는 이들 금속 중 어느 것의 산화물 등을 들 수 있다. 구체적으로는, 플루오린화 리튬(LiF), 플루오린화 소듐(NaF), 플루오린화 세슘(CsF), 플루오린화 칼슘(CaF2), 또는 리튬 산화물(LiOx) 등의 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 또는 그 화합물을 사용할 수 있다. 또는, 플루오린화 어븀(ErF3)과 같은 희토류 금속 화합물을 사용할 수 있다. 또한, 전자 주입층(114)에 전자화물(electride)을 사용하여도 좋다. 전자화물의 예에는 칼슘과 알루미늄의 혼합 산화물(calcium oxide-aluminum oxide)에 높은 농도로 전자를 첨가한 물질이 포함된다. 전자 주입층(114)은 전자 수송층(118)에 사용할 수 있는 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
전자 주입층(114)에, 유기 화합물과 전자 공여체(도너)를 혼합한 복합 재료를 사용하여도 좋다. 이러한 복합 재료는 전자 공여체에 의하여 유기 화합물에서 전자가 발생되기 때문에, 전자 주입성 및 전자 수송성이 우수하다. 이 경우, 유기 화합물은 발생된 전자의 수송에 우수한 재료인 것이 바람직하다. 구체적으로는, 예를 들어 상술한 전자 수송층을 형성하는 물질(예를 들어, 금속 착체 및 헤테로방향족 화합물)을 사용할 수 있다. 전자 공여체로서는, 유기 화합물에 대하여 전자 공여성을 나타내는 물질을 사용하여도 좋다. 구체적으로는, 알칼리 금속, 알칼리 토금속, 및 희토류 금속이 바람직하고, 리튬, 세슘, 마그네슘, 칼슘, 어븀, 및 이터븀을 들 수 있다. 또한, 알칼리 금속 산화물 또는 알칼리 토금속 산화물이 바람직하고, 리튬 산화물, 칼슘 산화물, 및 바륨 산화물 등을 들 수 있다. 산화 마그네슘 등의 루이스 염기를 사용할 수도 있다. 테트라싸이아플루발렌(약칭: TTF) 등의 유기 화합물을 사용할 수도 있다.
또한, 상술한 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층의 각각은 증착법(진공 증착법을 포함함), 잉크젯법, 도포법, 노즐 인쇄법, 또는 그라비어 인쇄법 등에 의하여 형성할 수 있다. 상술한 재료 외에, 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층에는 퀀텀닷(quantum dot) 등의 무기 화합물을 사용하여도 좋다.
퀀텀닷은 예를 들어 콜로이드 퀀텀닷, 합금 퀀텀닷, 코어셸 퀀텀닷, 또는 코어 퀀텀닷이어도 좋다. 제 2족 및 제 16족에 속하는 원소, 제 13족 및 제 15족에 속하는 원소, 제 13족 및 제 17족에 속하는 원소, 제 11족 및 제 17족에 속하는 원소, 또는 제 14족 및 제 15족에 속하는 원소를 함유하는 퀀텀닷을 사용하여도 좋다. 또는, 카드뮴(Cd), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 황(S), 인(P), 인듐(In), 텔루륨(Te), 납(Pb), 갈륨(Ga), 비소(As), 또는 알루미늄(Al) 등의 원소를 함유하는 퀀텀닷을 사용하여도 좋다.
잉크젯법, 도포법, 노즐 인쇄법, 또는 그라비어 인쇄법 등을 사용하는 경우에 사용할 수 있는 용매의 예에는, 다이클로로에테인, 트라이클로로에테인, 클로로벤젠, 및 다이클로로벤젠 등의 염소계 용매; 테트라하이드로퓨란, 다이옥세인, 아니솔, 및 메틸아니솔 등의 에터계 용매; 톨루엔, 자일렌, 메시틸렌, 에틸벤젠, 헥실벤젠, 및 사이클로헥실벤젠 등의 방향족 탄화수소계 용매; 사이클로헥세인, 메틸사이클로헥세인, 펜테인, 헥세인, 헵테인, 옥테인, 노네인, 데케인, 도데케인, 및 바이사이클로헥실 등의 지방족 탄화수소계 용매; 아세톤, 메틸 에틸 케톤, 벤조페논, 및 아세토페논 등의 케톤계 용매; 아세트산 에틸, 아세트산 뷰틸, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 안식향산 메틸, 및 아세트산 페닐 등의 에스터계 용매; 에틸렌글라이콜, 글리세린, 및 헥세인다이올 등의 다가 알코올계 용매; 아이소프로필 알코올 및 사이클로헥산올 등의 알코올계 용매; 다이메틸설폭사이드 등의 설폭사이드계 용매; 및 메틸피롤리돈 및 다이메틸폼아마이드 등의 아마이드계 용매가 포함된다. 용매로서는 하나 이상의 재료를 사용할 수 있다.
<<한 쌍의 전극>>
전극(101 및 102)은 각 발광 소자의 애노드 및 캐소드로서 기능한다. 전극(101 및 102)은 금속, 합금, 또는 도전성 화합물, 혹은 그 혼합물 또는 적층 등을 사용하여 형성할 수 있다.
전극(101) 및 전극(102) 중 한쪽은 광을 반사하는 기능을 가지는 도전 재료를 사용하여 형성하는 것이 바람직하다. 도전 재료의 예에는 알루미늄(Al) 및 Al을 함유하는 합금 등이 포함된다. Al을 함유하는 합금의 예에는 Al 및 L(L은 타이타늄(Ti), 네오디뮴(Nd), 니켈(Ni), 및 란타넘(La) 중 하나 이상을 나타냄)을 함유하는 합금이 포함되고, Al 및 Ti를 함유하는 합금 및 Al, Ni, 및 La를 함유하는 합금 등이다. 알루미늄은 저항이 낮고 광의 반사율이 높다. 알루미늄은 지각(地殼)에 대량으로 포함되고 저렴하기 때문에 알루미늄을 사용하여 발광 소자의 제작 비용을 저감할 수 있다. 또는, Ag, 또는 은(Ag)과 N(N은 이트륨(Y), Nd, 마그네슘(Mg), 이터븀(Yb), Al, Ti, 갈륨(Ga), 아연(Zn), 인듐(In), 텅스텐(W), 망가니즈(Mn), 주석(Sn), 철(Fe), Ni, 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 이리듐(Ir), 또는 금(Au) 중 하나 이상을 나타냄) 등을 사용할 수 있다. 은을 함유하는 합금의 예에는 은, 팔라듐, 및 구리를 함유하는 합금, 은 및 구리를 함유하는 합금, 은 및 마그네슘을 함유하는 합금, 은 및 니켈을 함유하는 합금, 은 및 금을 함유하는 합금, 및 은 및 이터븀을 함유하는 합금 등이 포함된다. 그 외에 텅스텐, 크로뮴(Cr), 몰리브데넘(Mo), 구리, 또는 타이타늄 등의 전이 금속을 사용할 수 있다.
발광층으로부터 방출되는 광은 전극(101) 및/또는 전극(102)을 통하여 추출된다. 그러므로, 전극(101) 및 전극(102) 중 적어도 하나는 광을 투과시키는 기능을 가지는 도전 재료를 사용하여 형성되는 것이 바람직하다. 도전 재료로서는, 가시광 투과율이 40% 이상 100% 이하, 바람직하게는 60% 이상 100% 이하이고, 저항률이 1×10-2Ω·cm 이하인 도전 재료를 사용할 수 있다.
전극들(101 및 102)의 각각은 광을 투과시키는 기능 및 반사하는 기능을 가지는 도전 재료를 사용하여 형성되어도 좋다. 도전 재료로서는, 가시광 반사율이 20% 이상 80% 이하, 바람직하게는 40% 이상 70% 이하이고, 저항률이 1×10-2Ω·cm 이하인 도전 재료를 사용할 수 있다. 예를 들어, 도전성의 금속 및 합금, 및 도전성 화합물 등을 1종류 이상 사용할 수 있다. 구체적으로는, 인듐 주석 산화물(이하 ITO라고 함), 실리콘 또는 산화 실리콘을 함유하는 인듐 주석 산화물(ITSO), 산화 인듐-산화 아연(indium zinc oxide), 타이타늄을 함유하는 산화 인듐-주석 산화물, 인듐-타이타늄 산화물, 또는 산화 텅스텐 및 산화 아연을 함유하는 산화 인듐 등의 금속 산화물을 사용할 수 있다. 광을 투과시키는 두께(바람직하게는, 1nm 이상 30nm 이하의 두께)의 금속 박막을 사용할 수도 있다. 금속으로서는, Ag, Ag와 Al의 합금, Ag와 Mg의 합금, Ag와 Au의 합금, 또는 Ag와 이터븀(Yb)의 합금 등을 사용할 수 있다.
본 명세서 등에서는 광을 투과시키는 재료로서, 가시광을 투과시키고 도전성을 가지는 재료를 사용한다. 상기 재료의 예에는 상술한 ITO로 대표되는 산화물 도전체에 더하여, 산화물 반도체, 및 유기 물질을 함유하는 유기 도전체가 포함된다. 유기 물질을 함유하는 유기 도전체의 예에는 유기 화합물과 전자 공여체(도너 재료)를 혼합한 복합 재료, 및 유기 화합물과 전자 수용체(억셉터 재료)를 혼합한 복합 재료가 포함된다. 또는, 그래핀 등의 무기 탄소계 재료를 사용하여도 좋다. 상기 재료의 저항률은 바람직하게는 1×105Ω·cm 이하, 더 바람직하게는 1×104Ω·cm 이하이다.
또는, 전극(101) 및/또는 전극(102)은 이들 재료 중 2개 이상을 적층하여 형성하여도 좋다.
또한, 광 추출 효율을 높이기 위하여, 광을 투과시키는 기능을 가지는 전극보다 굴절률이 높은 재료를 상기 전극과 접촉하도록 형성하여도 좋다. 이러한 재료는 가시광을 투과시키는 기능을 가지기만 하면 도전 재료이어도 좋고 비(非)도전 재료이어도 좋다. 예를 들어 상술한 산화물 도전체에 더하여, 산화물 반도체 및 유기 재료를 예로 들 수 있다. 유기 재료의 예로서는 발광층, 정공 주입층, 정공 수송층, 전자 수송층, 및 전자 주입층의 재료를 들 수 있다. 또는, 무기 탄소계 재료 또는 광을 투과시키는 박막을 사용할 수 있다. 굴절률이 높은 재료를 사용하여 각각 형성된, 수nm 내지 수십nm의 복수의 층을 적층하여도 좋다.
전극(101) 또는 전극(102)이 캐소드로서 기능하는 경우, 전극은 일함수가 낮은(3.8eV 이하) 재료를 함유하는 것이 바람직하다. 예로서는 원소 주기율표의 제 1족 또는 제 2족에 속하는 원소(예를 들어, 리튬, 소듐, 또는 세슘 등의 알칼리 금속, 칼슘 또는 스트론튬 등의 알칼리 토금속, 또는 마그네슘), 이들 원소 중 어느 것을 함유하는 합금(예를 들어, Ag-Mg 또는 Al-Li), 유로퓸(Eu) 또는 Yb 등의 희토류 금속, 이들 희토류 금속을 함유하는 합금, 및 알루미늄 및 은을 함유하는 합금 등이 있다.
전극(101) 또는 전극(102)을 애노드로서 사용하는 경우, 일함수가 높은(4.0eV 이상) 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
또는, 전극들(101 및 102)의 각각은 광을 반사하는 기능을 가지는 도전 재료와, 광을 투과시키는 기능을 가지는 도전 재료의 적층이어도 좋다. 그 경우, 전극들(101 및 102)의 각각이 각 발광층으로부터 방출되는 원하는 파장의 광이 공진되고 강화되도록 광로의 길이를 조정하는 기능을 가질 수 있으므로, 이러한 구조는 바람직하다.
전극(101) 및 전극(102)의 형성 방법으로서는 스퍼터링법, 증착법, 인쇄법, 도포법, MBE(molecular beam epitaxy)법, CVD법, 펄스 레이저 퇴적법, 또는 ALD(atomic layer deposition)법 등을 적절히 사용할 수 있다.
<<기판>>
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자는 유리 또는 플라스틱 등의 기판 위에 형성하여도 좋다. 기판 위에 적층하는 방법으로서는, 층들을 전극(101) 측에서부터 순차적으로 적층하여도 좋고 전극(102) 측에서부터 순차적으로 적층하여도 좋다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 형성할 수 있는 기판에는, 예를 들어 유리, 석영, 또는 플라스틱 등을 사용할 수 있다. 또는 플렉시블 기판을 사용할 수 있다. 플렉시블 기판이란 예를 들어, 폴리카보네이트 또는 폴리아릴레이트로 만들어진 플라스틱 기판 등의 구부릴 수 있는 기판을 의미한다. 또는, 필름 또는 무기 증착 필름 등을 사용할 수 있다. 기판이 발광 소자 또는 광학 소자의 제작 공정에서 지지체로서 기능하기만 하면, 또는 발광 소자 또는 광학 소자를 보호하는 기능을 가지기만 하면, 다른 재료를 사용하여도 좋다.
본 명세서 등에서 발광 소자는 예를 들어, 다양한 기판 중 임의의 것을 사용하여 형성할 수 있다. 기판의 종류에 대한 특별한 한정은 없다. 기판의 예에는, 반도체 기판(예를 들어, 단결정 기판 또는 실리콘 기판), SOI 기판, 유리 기판, 석영 기판, 플라스틱 기판, 금속 기판, 스테인리스 스틸 기판, 스테인리스 스틸 포일을 포함하는 기판, 텅스텐 기판, 텅스텐 포일을 포함하는 기판, 플렉시블 기판, 접합 필름, CNF(cellulose nanofiber) 및 섬유상의 재료를 포함하는 종이, 및 기재 필름 등이 포함된다. 유리 기판의 예로서는 바륨 붕규산염 유리 기판, 알루미노붕규산염 유리 기판, 및 소다 석회 유리 기판 등을 들 수 있다. 플렉시블 기판, 접합 필름, 및 기재 필름 등의 예에는 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리에터 설폰(PES), 및 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE)으로 대표되는 플라스틱의 기판이 있다. 다른 예에는 아크릴 등의 수지가 있다. 또한, 폴리프로필렌, 폴리에스터, 폴리플루오린화 바이닐, 및 폴리염화 바이닐을 예로 들 수 있다. 다른 예에는 폴리아마이드, 폴리이미드, 아라미드, 에폭시, 무기 증착 필름, 및 종이 등이 있다.
또는, 기판으로서 플렉시블 기판을 사용하여 발광 소자를 플렉시블 기판에 직접 제공하여도 좋다. 또는, 기판과 발광 소자 사이에 분리층을 제공하여도 좋다. 분리층은, 분리층 위에 형성된 발광 소자의 일부 또는 전체를 기판으로부터 분리하여 다른 기판으로 전치할 때에 사용할 수 있다. 이 경우, 발광 소자는 내열성이 낮은 기판 또는 플렉시블 기판으로도 전치될 수 있다. 상술한 분리층에는, 예를 들어 텅스텐막과 산화 실리콘막의 무기막을 포함하는 적층, 및 기판 위에 폴리이미드 등의 수지막이 형성된 구조를 사용할 수 있다.
바꿔 말하면, 기판을 사용하여 발광 소자를 형성한 후에 발광 소자를 다른 기판으로 전치하여도 좋다. 발광 소자를 전치하는 기판의 예에는, 상술한 기판에 더하여, 셀로판 기판, 석재 기판, 목재 기판, 천 기판(천연 섬유(예를 들어, 견, 면, 및 마), 합성 섬유(예를 들어, 나일론, 폴리우레탄, 및 폴리에스터), 및 재생 섬유(예를 들어, 아세테이트, 큐프라, 레이온, 및 재생 폴리에스터) 등을 포함함), 피혁 기판, 및 고무 기판 등이 있다. 이러한 기판을 사용하면, 내구성이 높고, 내열성이 높고, 가볍고, 또는 얇은 발광 소자를 형성할 수 있다.
발광 소자(150)는 예를 들어 상술한 어느 기판 위에 형성된 전계 효과 트랜지스터(FET)에 전기적으로 접속되는 전극 위에 형성되어도 좋다. 이에 따라, FET가 발광 소자(150)의 구동을 제어하는 액티브 매트릭스 표시 장치를 제작할 수 있다.
실시형태 1에서는 본 발명의 일 형태를 설명하였다. 본 발명의 다른 실시형태는 실시형태 2 내지 9에서 설명한다. 다만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 즉, 실시형태 1 및 실시형태 2 내지 9에는 본 발명의 다양한 실시형태가 개시되어 있으므로, 본 발명의 일 형태는 특정한 형태에 한정되지 않는다. 본 발명의 일 형태를 발광 소자에 사용한 예를 설명하였지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 경우 또는 상황에 따라서는 본 발명의 일 형태는 반드시 발광 소자에 사용할 필요는 없다. 본 발명의 일 형태로서 EL층이 고분자 재료 및 게스트 재료를 포함하고, 고분자 재료는 제 1 골격과 제 2 골격이 제 3 골격을 통하여 서로 결합되는 구조를 가지고, 고분자 재료의 제 1 고분자쇄와 제 2 고분자쇄가 여기 착체를 형성하는 또 다른 예를 나타내었지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 경우 또는 상황에 따라서는 본 발명의 일 형태에서 예를 들어, 고분자 재료의 제 1 고분자쇄와 제 2 고분자쇄가 반드시 여기 착체를 형성할 필요는 없다. 또는, 반드시 고분자 재료에서의 제 1 골격과 제 2 골격이 제 3 골격을 통하여 서로 결합하는 구조를 제공할 필요는 없다. 본 발명의 일 형태로서 고분자 재료의 제 1 골격이 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함하고, 제 2 골격이 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 또 다른 예를 나타내었지만, 본 발명의 일 형태는 이에 한정되지 않는다. 경우 또는 상황에 따라서는 본 발명의 일 형태에서 예를 들어, 제 1 골격이 반드시 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 또는 방향족 아민 골격을 포함할 필요는 없다. 또는, 제 2 골격이 반드시 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함할 필요는 없다.
본 실시형태에 기재된 구조는 다른 임의의 실시형태와 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
(실시형태 2)
본 실시형태에서는, 실시형태 1에 기재된 것과는 다른 구조를 가지는 발광 소자, 및 상기 발광 소자의 발광 기구에 대하여 도 3의 (A) 내지 (C) 및 도 4를 참조하여 이하에서 설명한다. 도 3의 (A)에서, 도 1의 (A)의 부분과 비슷한 기능을 가지는 부분은 도 1의 (A)에서와 같은 해치 패턴으로 표시하고, 특별히 부호로 표시하지 않는 경우가 있다. 또한, 비슷한 기능을 가지는 부분에는 공통된 부호를 사용하고, 그 부분에 대한 자세한 설명을 생략하는 경우가 있다.
<발광 소자의 구조예 1>
도 3의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자(152)의 단면 모식도이다.
발광 소자(152)는 한 쌍의 전극(전극(101) 및 전극(102)), 및 한 쌍의 전극 사이의 EL층(100)을 포함한다. EL층(100)은 적어도 발광층(140)을 포함한다.
또한, 발광 소자(152)에 대한 이하의 설명에서, 전극(101)은 애노드로서 기능하고 전극(102)은 캐소드로서 기능하지만, 발광 소자(152)에서 이 기능들이 교체되어도 좋다.
도 3의 (B)는 도 3의 (A)의 발광층(140)의 예를 도시한 단면 모식도이다. 도 3의 (B)의 발광층(140)은 고분자 재료(141) 및 게스트 재료(142)를 포함한다.
고분자 재료(141)는 구조 단위로서 골격(141_1), 골격(141_2), 및 골격(141_3)을 포함한다. 골격(141_1)과 골격(141_2)은 골격(141_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되어 있다.
게스트 재료(142)는 발광성 유기 화합물이어도 좋고, 상기 발광성 유기 화합물은 형광을 방출할 수 있는 물질(이하, 인광성 화합물이라고도 함)인 것이 바람직하다. 인광성 화합물을 게스트 재료(142)로서 사용하는 구조에 대하여 이하에서 설명한다. 게스트 재료(142)를 인광성 화합물로 바꿔 말해도 좋다.
<발광 소자의 발광 기구>
다음으로, 발광층(140)의 발광 기구에 대하여 이하에서 설명한다.
발광층(140)에서의 고분자 재료(141)에서, 골격(141_1)은 정공을 수송하는 기능(정공 수송성)을 가지는 골격을 포함하고, 골격(141_2)은 전자를 수송하는 기능(전자 수송성)을 가지는 골격을 포함하는 것이 바람직하다. 또는, 골격(141_1)은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 포함하고, 골격(141_2)은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 있어서 고분자 재료(141)는 고분자 재료(141)의 2개의 고분자쇄로 여기 착체(여기 2량체라고도 함)를 형성하는 기능을 가진다. 특히, 고분자 재료(141)의 정공 수송성을 가지는 골격과 전자 수송성을 가지는 골격이 같은 구조 단위를 포함하는 2개의 고분자쇄에서 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다. 또는, 고분자 재료(141)에 포함되는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, 고분자 재료(141)에 포함되는 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격이, 같은 구조 단위를 포함하는 2개의 고분자쇄에서 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다.
바꿔 말하면, 고분자 재료(141)는 고분자 재료(141)의 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄로 여기 착체를 형성하는 기능을 가진다. 특히, 고분자 재료(141)에서 제 1 고분자쇄의 정공 수송성을 가지는 골격과, 제 2 고분자쇄의 전자 수송성을 가지는 골격이 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다. 또는, 고분자 재료(141)에서의 제 1 고분자쇄의 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, 고분자 재료(141)에서의 제 2 고분자쇄의 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격이 여기 착체를 형성하는 것이 바람직하다.
고분자 재료(141)가 골격(141_1)에 포함되는 정공 수송성을 가지는 골격 및 골격(141_2)에 포함되는 전자 수송성을 가지는 골격을 포함하는 경우, 2개의 고분자쇄에 의하여 도너-억셉터 여기 착체가 형성되기 쉬우므로, 여기 착체를 효율적으로 형성할 수 있다. 또는, 고분자 재료(141)가 골격(141_1)에 포함되는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, 골격(141_2)에 포함되는 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 경우, 2개의 고분자쇄에 의하여 도너-억셉터 여기 착체가 형성되기 쉬우므로, 여기 착체를 효율적으로 형성할 수 있다.
그러므로, 고분자 재료(141)의 고분자쇄 내에서 도너성 및 억셉터성의 양쪽 모두를 높이기 위해서는, 정공 수송성을 가지는 골격과 전자 수송성을 가지는 골격 사이의 공액이 작아지는 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 또는, π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, π-전자 부족형 헤테로방향족 골격 사이의 공액이 작아지는 구조를 사용하는 것이 바람직하다. 이로써, 고분자 재료(141)의 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차를 줄일 수 있다. 또한, 고분자 재료(141)의 삼중항 여기 에너지 준위를 높게 할 수 있다.
또한, 같은 구조 단위를 포함하는 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체에서는, 하나의 고분자쇄는 HOMO를 포함하고 다른 하나의 고분자쇄는 LUMO를 포함하기 때문에, HOMO와 LUMO의 겹침이 매우 작다. 즉, 상기 여기 착체에서는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차가 작다. 그러므로, 고분자 재료(141)의 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체에서는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위의 차가 작고, 바람직하게는 0eV보다 크고 0.2eV 이하이다.
고분자 재료(141)가 정공 수송성을 가지는 골격 및 전자 수송성을 가지는 골격을 포함하는 경우, 캐리어 밸런스를 용이하게 제어할 수 있다. 그 결과, 캐리어 재결합 영역도 용이하게 제어할 수 있다. 이를 위해서는, 골격(141_1)(정공 수송성을 가지는 골격을 포함함) 대 골격(141_2)(전자 수송성을 가지는 골격을 포함함)의 구성비는 1:9 내지 9:1(몰 비)의 범위가 바람직하고, 골격(141_2)(전자 수송성을 가지는 골격을 포함함)의 비율이 골격(141_1)(정공 수송성을 가지는 골격을 포함함)의 비율보다 높은 것이 더 바람직하다.
도 3의 (C)는 발광층(140)에서의 고분자 재료(141) 및 게스트 재료(142)의 에너지 준위의 상관관계를 나타낸 것이다. 도 3의 (C)에서의 용어 및 부호가 무엇을 나타내는지는 다음과 같다.
Polymer(141_1+141_2): 고분자 재료(141)에서, 서로 근접한 제 1 고분자쇄의 골격(141_1) 및 제 2 고분자쇄의 골격(141_2);
Guest(142): 게스트 재료(142)(인광성 화합물);
SPH: 고분자 재료(141)의 S1 준위;
TPH: 고분자 재료(141)의 T1 준위;
TPG: 게스트 재료(142)(인광성 화합물)의 T1 준위;
SPE: 여기 착체의 S1 준위; 및
TPE: 여기 착체의 T1 준위
발광층(140)에서는, 고분자 재료(141)가 중량으로 가장 큰 비율로 존재하고, 게스트 재료(142)(인광성 화합물)는 고분자 재료(141) 내에 분산된다. 발광층(140)에서의 고분자 재료(141)의 T1 준위는 발광층(140)에서의 게스트 재료(게스트 재료(142))의 T1 준위보다 높은 것이 바람직하다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자에서는, 발광층(140)에 포함되는 고분자 재료(141)의 2개의 고분자쇄에 의하여 여기 착체가 형성된다. 여기 착체의 단일항 여기 상태의 가장 낮은 에너지 준위(SPE)와 여기 착체의 삼중항 여기 상태의 가장 낮은 에너지 준위(TPE)는 서로 근접하다(도 3의 (C) 경로 E7 참조).
고분자 재료(141)의 서로 근접한 2개의 고분자쇄에서, 하나의 고분자쇄는 정공을 받고 다른 하나의 고분자쇄는 전자를 받아서 즉시 여기 착체를 형성한다. 또는, 여기 상태가 된 하나의 고분자쇄는 즉시 다른 하나의 고분자쇄와 상호 작용함으로써 여기 착체를 형성한다. 따라서, 발광층(140)에서 대부분의 여기자는 여기 착체로 존재한다. 여기 착체의 여기 에너지 준위(SPE 및 TPE)는 여기 착체를 형성하는 고분자 재료(141)의 단일항 여기 에너지 준위(SPH)보다 낮기 때문에, 더 낮은 여기 에너지로 고분자 재료(141)의 여기 상태를 형성할 수 있다. 이에 따라 발광 소자(152)의 구동 전압을 저감할 수 있다.
그리고, 여기 착체의 SPE와 TPE 모두의 에너지가 게스트 재료(142)(인광성 화합물)의 삼중항 여기 상태의 가장 낮은 에너지 준위로 이동하여 발광이 얻어진다(도 3의 (C)의 경로 E8 및 E9 참조).
또한, 여기 착체의 삼중항 여기 에너지 준위(TPE)는 게스트 재료(142)의 삼중항 여기 에너지 준위(TPG)보다 높은 것이 바람직하다. 이로써, 형성된 여기 착체의 단일항 여기 에너지 및 삼중항 여기 에너지가 여기 착체의 단일항 여기 에너지 준위(SPE) 및 삼중항 여기 에너지 준위(TPE)에서 게스트 재료(142)의 삼중항 여기 에너지 준위(TPG)로 이동할 수 있다.
발광층(140)이 상술한 구조를 가지는 경우, 발광층(140)의 게스트 재료(142)(인광성 화합물)로부터 발광을 효율적으로 얻을 수 있다.
여기 착체를 엑시플렉스라고 하는 경우가 있기 때문에, 상술한 경로 E7, E8, 및 E9의 과정을 본 명세서 등에서 ExTET(exciplex-triplet energy transfer)라고 하는 경우가 있다. 바꿔 말하면, 발광층(140)에서 여기 에너지가 여기 착체로부터 게스트 재료(142)로 이동한다. 이 경우, TPE에서 SPE로의 역항간 교차의 효율 및 SPE의 에너지를 가지는 단일항 여기 상태로부터의 발광 양자 수율이 반드시 높을 필요는 없기 때문에, 재료를 폭넓은 선택지 중에서 선택할 수 있다.
또한, 여기 에너지를 여기 착체로부터 게스트 재료(142)로 효율적으로 이동시키기 위해서는, 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체의 삼중항 여기 에너지 준위(TPE)가 상기 여기 착체를 형성하는 단일의 고분자 재료(141)의 삼중항 여기 에너지 준위(TPH)보다 낮은 것이 바람직하다. 이에 따라, 고분자 재료(141)의 다른 하나 이상의 고분자쇄에 의한 여기 착체의 삼중항 여기 에너지의 퀀칭이 일어나기 어려워지므로, 에너지가 게스트 재료(142)로 효율적으로 이동하게 된다.
또한, 고분자 재료(141)와 게스트 재료(142)의 분자간 에너지 이동 과정의 기구는, 실시형태 1에서와 마찬가지로 2개의 기구, 즉 푀르스터 기구(쌍극자-쌍극자상호 작용) 및 덱스터 기구(전자 교환 상호 작용)를 사용하여 설명할 수 있다. 푀르스터 기구 및 덱스터 기구에 대해서는 실시형태 1을 참조할 수 있다.
<<에너지 이동을 촉진하기 위한 개념>>
푀르스터 기구에 의한 에너지 이동에서는 발광 양자 수율 φ(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논할 때는 형광 양자 수율)가 높을수록 에너지 이동 효율 φ ET 가 높다. 또한, 고분자 재료(141)의 발광 스펙트럼(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하는 경우는 형광 스펙트럼)이 게스트 재료(142)의 흡수 스펙트럼(단일항 기저 상태로부터 삼중항 여기 상태로의 전이에 상당하는 흡수)과 크게 중첩되는 것이 바람직하다. 또한, 게스트 재료(142)의 몰 흡수 계수도 높은 것이 바람직하다. 이는 고분자 재료(141)의 발광 스펙트럼이 게스트 재료(142)의 가장 장파장측에 있는 흡수대와 중첩되는 것을 의미한다.
덱스터 기구에 의한 에너지 이동에서는 속도 상수 k h *→ g 를 크게 하기 위해서는 고분자 재료(141)의 발광 스펙트럼(단일항 여기 상태로부터의 에너지 이동을 논하는 경우는 형광 스펙트럼)이 게스트 재료(142)의 흡수 스펙트럼(단일항 기저 상태로부터 삼중항 여기 상태로의 전이에 상당하는 흡수)과 크게 중첩되는 것이 바람직하다. 그러므로, 에너지 이동 효율은 고분자 재료(141)의 발광 스펙트럼을 게스트 재료(142)의 가장 장파장측에 있는 흡수대와 중첩시킴으로써 최적화할 수 있다.
고분자 재료(141)로부터 게스트 재료(142)로의 에너지 이동과 비슷한 식으로, 여기 착체로부터 게스트 재료(142)로의 에너지 이동 과정에서도 푀르스터 기구 및 덱스터 기구의 양쪽 모두에 의한 에너지 이동이 일어난다.
따라서 본 발명의 일 형태는, 에너지를 효율적으로 게스트 재료(142)로 이동시킬 수 있는 에너지 도너로서 기능하는 여기 착체를 2개의 고분자쇄가 형성하는 고분자 재료(141)를 포함하는 발광 소자를 제공한다. 고분자 재료(141)의 2개의 고분자쇄에 의하여 형성되는 여기 착체는 단일항 여기 에너지 준위와 삼중항 여기 에너지 준위가 서로 근접하기 때문에 발광층(140)에서 생성되는 여기 착체는 고분자 재료(141) 단독의 경우보다 낮은 여기 에너지로 형성될 수 있다. 이에 의하여 발광 소자(152)의 구동 전압을 저감할 수 있다. 또한, 여기 착체의 단일항 여기 상태로부터 에너지 억셉터로서 기능하는 게스트 재료(142)의 삼중항 여기 상태로의 에너지 이동을 용이하게 하기 위해서는, 상기 여기 착체의 발광 스펙트럼이 게스트 재료(142)의 가장 장파장측(저에너지측)에 있는 흡수대와 중첩되는 것이 바람직하다. 이로써 게스트 재료(142)의 삼중항 여기 상태의 생성 효율을 높일 수 있다.
<발광 소자의 구조예 2>
다음으로 도 3의 (B)와는 다른 발광층(140)의 구조예에 대하여 도 4를 참조하여 이하에서 설명한다.
도 4는 도 3의 (A)의 발광층(140)의 다른 예를 도시한 단면 모식도이다. 또한, 도 4에서 도 3의 (B)의 부분과 비슷한 기능을 가지는 부분은 같은 부호로 표시하고, 그 부분에 대한 자세한 설명은 생략하는 경우가 있다.
도 4의 발광층(140)은 고분자 재료(141)를 함유한다. 고분자 재료(141)는 구조 단위로서 골격(141_1), 골격(141_2), 골격(141_3), 및 골격(141_4)을 포함한다. 골격(141_1)과 골격(141_2)은 골격(141_3)을 통하여 서로 결합 또는 중합되어 있다.
골격(141_4)은 발광성 골격이어도 좋고, 상기 발광성 골격은 인광을 방출할 수 있는 골격(이하, 인광성 골격이라고도 함)인 것이 바람직하다. 이하에서 골격(141_4)으로서 인광성 골격을 사용한 구조에 대하여 설명한다. 또한, 골격(141_4)을 인광성 골격으로 바꿔 말해도 좋다.
골격(141_4)은 게스트 재료(142)와 비슷한 기능을 가진다. 따라서, 본 구조예는 구조예 1에서 나타낸 게스트 재료(142)를 골격(141_4)으로 바꿔 말해서 설명할 수 있다. 그러므로, 본 실시형태의 구조예 1과 비슷한 기능의 설명에 대해서는 본 실시형태의 구조예 1을 참조할 수 있다.
즉, 고분자 재료(141)는 골격(141_1)에 포함되는 정공 수송성을 가지는 골격, 및 골격(141_2)에 포함되는 전자 수송성을 가지는 골격을 포함하고, 2개의 고분자쇄가 여기 착체를 형성한다. 그리고, 상기 여기 착체로부터 골격(141_4)으로 여기 에너지가 이동함으로써, 골격(141_4)으로부터 광이 방출된다.
<발광층에 사용할 수 있는 재료>
다음으로 발광층(140)에 사용할 수 있는 재료에 대하여 이하에서 설명한다.
발광층(140)의 고분자 재료(141)는, 고분자 재료(141)의 2개의 고분자쇄가 여기 착체를 형성하는 기능을 가지기만 하면 특별히 한정되지 않지만, 고분자 재료(141)는 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나와, π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 포함하는 것이 바람직하다. 고분자 재료(141)로서는 실시형태 1에 기재된 임의의 재료를 사용할 수 있다.
게스트 재료(142)(인광성 화합물)로서는, 이리듐, 로듐, 또는 백금계의 유기 금속 착체 또는 금속 착체를 사용할 수 있고, 특히 이리듐계 오쏘 금속 착체 등의 유기 이리듐 착체가 바람직하다. 오쏘 금속화하는 리간드로서는 4H-트라이아졸 리간드, 1H-트라이아졸 리간드, 이미다졸 리간드, 피리딘 리간드, 피리미딘 리간드, 피라진 리간드, 및 아이소퀴놀린 리간드 등을 들 수 있다. 금속 착체로서는 포르피린 리간드를 가지는 백금 착체 등을 들 수 있다.
청색 또는 녹색의 파장 범위에 발광 피크를 가지는 물질의 예에는 트리스{2-[5-(2-메틸페닐)-4-(2,6-다이메틸페닐)-4H-1,2,4-트라이아졸-3-일-κN2]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: Ir(mpptz-dmp)3), 트리스(5-메틸-3,4-다이페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: Ir(Mptz)3), 트리스[4-(3-바이페닐)-5-아이소프로필-3-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: Ir(iPrptz-3b)3), 및 트리스[3-(5-바이페닐)-5-아이소프로필-4-페닐-4H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: Ir(iPr5btz)3) 등의 4H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; 트리스[3-메틸-1-(2-메틸페닐)-5-페닐-1H-1,2,4-트라이아졸레이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Mptz1-mp)3) 및 트리스(1-메틸-5-페닐-3-프로필-1H-1,2,4-트라이아졸레이토)이리듐(III)(약칭: Ir(Prptz1-Me)3) 등의 1H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; fac-트리스[1-(2,6-다이아이소프로필페닐)-2-페닐-1H-이미다졸]이리듐(III)(약칭: Ir(iPrpmi)3) 및 트리스[3-(2,6-다이메틸페닐)-7-메틸이미다조[1,2-f]페난트리디네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(dmpimpt-Me)3) 등의 이미다졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; 및 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C 2']이리듐(III)테트라키스(1-피라졸릴)보레이트(약칭: FIr6), 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C 2']이리듐(III)피콜리네이트(약칭: FIrpic), 비스{2-[3',5'-비스(트라이플루오로메틸)페닐]피리디네이토-N,C 2'}이리듐(III)피콜리네이트(약칭: Ir(CF3ppy)2(pic)), 및 비스[2-(4',6'-다이플루오로페닐)피리디네이토-N,C 2']이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: FIr(acac)) 등의 전자 흡인기를 가지는 페닐피리딘 유도체를 리간드로 하는 유기 금속 이리듐 착체가 포함된다. 상술한 재료 중에서, 4H-트라이아졸 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체는 신뢰성이 높고 발광 효율이 높으므로 특히 바람직하다.
녹색 또는 황색의 파장 범위에 발광 피크를 가지는 물질의 예에는, 트리스(4-메틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppm)3), 트리스(4-t-뷰틸-6-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(tBuppm)3), (아세틸아세토네이토)비스(6-메틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppm)2(acac)), (아세틸아세토네이토)비스(6-tert-뷰틸-4-페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(tBuppm)2(acac)), (아세틸아세토네이토)비스[4-(2-노보닐)-6-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(nbppm)2(acac)), (아세틸아세토네이토)비스[5-메틸-6-(2-메틸페닐)-4-페닐피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(mpmppm)2(acac)), (아세틸아세토네이토)비스{4,6-다이메틸-2-[6-(2,6-다이메틸페닐)-4-피리미딘일-κN3]페닐-κC}이리듐(III)(약칭: Ir(dmppm-dmp)2(acac)), (아세틸아세토네이토)비스(4,6-다이페닐피리미디네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(dppm)2(acac)) 등의 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; (아세틸아세토네이토)비스(3,5-다이메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppr-Me)2(acac)) 및 (아세틸아세토네이토)비스(5-아이소프로필-3-메틸-2-페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(mppr-iPr)2(acac)) 등의 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; 트리스(2-페닐피리디네이토-N,C 2')이리듐(III)(약칭: Ir(ppy)3), 비스(2-페닐피리디네이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(ppy)2(acac)), 비스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bzq)2(acac)), 트리스(벤조[h]퀴놀리네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(bzq)3), 트리스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)(약칭: Ir(pq)3), 및 비스(2-페닐퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(pq)2(acac)) 등의 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; 비스(2,4-다이페닐-1,3-옥사졸레이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(dpo)2(acac)), 비스{2-[4'-(퍼플루오로페닐)페닐]피리디네이토-N,C 2'}이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(p-PF-ph)2(acac)), 및 비스(2-페닐벤조싸이아졸레이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(bt)2(acac)) 등의 유기 금속 이리듐 착체; 및 트리스(아세틸아세토네이토)(모노페난트롤린)터븀(III)(약칭: Tb(acac)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체가 포함된다. 상술한 재료 중에서, 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체는 신뢰성 및 발광 효율이 두드러지게 높으므로 특히 바람직하다.
황색 또는 적색의 파장 범위에 발광 피크를 가지는 물질의 예에는, (다이아이소뷰티릴메타네이토)비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(5mdppm)2(dibm)), 비스[4,6-비스(3-메틸페닐)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(5mdppm)2(dpm)), 및 비스[4,6-다이(나프탈렌-1-일)피리미디네이토](다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(d1npm)2(dpm)) 등의 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; (아세틸아세토네이토)비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(tppr)2(acac)), 비스(2,3,5-트라이페닐피라지네이토)(다이피발로일메타네이토)이리듐(III)(약칭: Ir(tppr)2(dpm)), 및 (아세틸아세토네이토)비스[2,3-비스(4-플루오로페닐)퀴녹살리네이토]이리듐(III)(약칭: Ir(Fdpq)2(acac)) 등의 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; 트리스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)(약칭: Ir(piq)3) 및 비스(1-페닐아이소퀴놀리네이토-N,C 2')이리듐(III)아세틸아세토네이트(약칭: Ir(piq)2(acac)) 등의 피리딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체; 2,3,7,8,12,13,17,18-옥타에틸-21H,23H-포르피린 백금(II)(약칭: PtOEP) 등의 백금 착체; 및 트리스(1,3-다이페닐-1,3-프로페인다이오네이토)(모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(DBM)3(Phen)) 및 트리스[1-(2-테노일)-3,3,3-트라이플루오로아세토네이토](모노페난트롤린)유로퓸(III)(약칭: Eu(TTA)3(Phen)) 등의 희토류 금속 착체가 포함된다. 상술한 재료 중에서, 피리미딘 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체는 신뢰성 및 발광 효율이 두드러지게 높으므로 특히 바람직하다. 또한, 피라진 골격을 가지는 유기 금속 이리듐 착체는 색도가 양호한 적색 발광을 제공할 수 있다.
발광층(140)에 포함되는 발광 재료로서는, 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환할 수 있는 재료이기만 하면 임의의 재료를 사용할 수 있다. 삼중항 여기 에너지를 발광으로 변환할 수 있는 재료의 예로서는 인광성 화합물에 더하여, 열활성화 지연 형광(TADF) 재료를 들 수 있다. 따라서, 설명에서의 "인광성 화합물"을 "열활성화 지연 형광 재료"로 바꿔도 좋다. 또한, 열활성화 지연 형광 재료는 삼중항 여기 에너지 준위와 단일항 여기 에너지 준위의 차가 작고, 역항간 교차에 의하여 삼중항 여기 에너지를 단일항 여기 에너지로 변환하는 기능을 가지는 재료이다. 그러므로, TADF 재료는 삼중항 여기 상태를 적은 열 에너지를 사용하여 단일항 여기 상태로 업컨버트할 수 있고(즉, 역항간 교차가 가능), 단일항 여기 상태로부터 효율적으로 발광(형광)을 나타낼 수 있다. TADF는 삼중항 여기 에너지 준위와 단일항 여기 에너지 준위의 에너지 차가 바람직하게는 0eV보다 크고 0.2eV 이하, 더 바람직하게는 0eV보다 크고 0.1eV 이하인 조건하에서 효율적으로 얻어진다.
열활성화 지연 형광을 나타내는 재료가 1종류의 재료로 형성되는 경우, 구체적으로는 실시형태 1에 기재된 열활성화 지연 형광 재료 중 임의의 것을 사용할 수 있다.
게스트 재료(142)는 고분자 화합물이어도 좋고, 예를 들어 이리듐, 로듐, 또는 백금계의 유기 금속 착체 또는 금속 착체를 구조 단위로서 포함하는 고분자 화합물이 바람직하다.
발광층(140)에 있어서 골격(141_4)은 특별히 한정되지 않지만, 골격(141_4)에는 게스트 재료(142)에 포함되는 발광성 골격이 포함되는 것이 바람직하다. 즉, 이리듐, 로듐, 또는 백금계의 유기 금속 착체 또는 금속 착체에서 하나 또는 2개의 수소 원자를 제거한 구조를 구조 단위로서 사용하는 것이 바람직하다.
발광층(140)은 2층 이상의 층이 적층된 구조를 가질 수 있다. 예를 들어 제 1 발광층과 제 2 발광층을 정공 수송층 측에서부터 이 순서대로 적층하여 발광층(140)을 형성하는 경우, 제 1 발광층은 정공 수송성을 가지는 물질을 고분자 재료로서 사용하여 형성하고, 제 2 발광층은 전자 수송성을 가지는 물질을 고분자 재료로서 사용하여 형성한다.
발광층(140)은 고분자 재료(141) 및 게스트 재료(142)에 더하여 다른 재료를 포함하여도 좋다. 구체적으로는, 실시형태 1에 기재된 재료 중 임의의 것을 사용할 수 있다.
또한, 발광층(140)은 증착법(진공 증착법을 포함함), 잉크젯법, 도포법, 노즐 인쇄법, 또는 그라비어 인쇄 등에 의하여 형성할 수 있다. 상술한 재료 외에, 퀀텀닷 등의 무기 화합물 또는 고분자 화합물(예를 들어, 올리고머, 덴드리머, 및 폴리머)을 사용하여도 좋다.
본 실시형태에 기재된 구조는 다른 실시형태에 기재된 임의의 구조와 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
(실시형태 3)
본 실시형태에서는 실시형태 1 및 실시형태 2에 기재된 것과는 다른 구조를 가지는 발광 소자의 예에 대하여 도 5의 (A) 및 (B), 도 6의 (A) 및 (B), 도 7의 (A) 내지 (C), 그리고 도 8의 (A) 및 (B)를 참조하여 이하에서 설명한다.
<발광 소자의 구조예 1>
도 5의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 각각 도시한 단면도이다. 도 5의 (A) 및 (B)에서, 도 1의 (A)의 부분과 비슷한 기능을 가지는 부분은 도 1의 (A)에서와 같은 해치 패턴으로 표시하고, 특별히 부호로 표시하지 않는 경우가 있다. 또한, 비슷한 기능을 가지는 부분에는 공통된 부호를 사용하고, 그 부분에 대한 자세한 설명을 생략하는 경우가 있다.
도 5의 (A) 및 (B)의 발광 소자(260a 및 260b)는 기판(200)을 통하여 광이 추출되는 보텀 이미션 구조를 가져도 좋고, 발광 소자로부터 방출되는 광이 기판(200)과는 반대의 방향으로 추출되는 톱 이미션 구조를 가져도 좋다. 그러나, 본 발명의 일 형태는 이 구조에 한정되지 않고, 발광 소자로부터 방출되는 광이 기판(200)의 상하 양쪽의 방향으로 추출되는 듀얼 이미션 구조를 가지는 발광 소자를 사용하여도 좋다.
발광 소자들(260a 및 260b)의 각각이 보텀 이미션 구조를 가지는 경우, 전극(101)은 광을 투과시키는 기능을 가지는 것이 바람직하고, 전극(102)은 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하다. 또는, 발광 소자들(260a 및 260b)의 각각이 톱 이미션 구조를 가지는 경우, 전극(101)은 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하고, 전극(102)은 광을 투과시키는 기능을 가지는 것이 바람직하다.
발광 소자들(260a 및 260b)의 각각은 기판(200) 위에 전극(101) 및 전극(102)을 포함한다. 전극들(101 및 102) 사이에는, 발광층(123B), 발광층(123G), 및 발광층(123R)이 제공된다. 정공 주입층(111), 정공 수송층(112), 전자 수송층(113), 및 전자 주입층(114)도 제공된다.
발광 소자(260b)는 도전층(101a), 도전층(101a) 위의 도전층(101b), 및 도전층(101a) 아래의 도전층(101c)을 전극(101)의 일부로서 포함한다. 바꿔 말하면 발광 소자(260b)는, 도전층(101a)이 도전층(101b)과 도전층(101c) 사이에 끼워진 구조를 가지는 전극(101)을 포함한다.
발광 소자(260b)에 있어서 도전층(101b) 및 도전층(101c)은 상이한 재료로 형성되어도 좋고, 같은 재료로 형성되어도 좋다. 전극(101)이 같은 도전 재료로 형성된 층들에 도전층(101a)이 끼워진 구조를 가지면, 에칭에 의한 패터닝을 용이하게 행할 수 있으므로 바람직하다.
발광 소자(260b)에 있어서 전극(101)은 도전층(101b) 및 도전층(101c) 중 하나를 포함하여도 좋다.
전극(101)에 포함되는 도전층들(101a, 101b, 및 101c)의 각각에는 실시형태 1에 기재된 전극(101 또는 102)의 구조 및 재료를 사용할 수 있다.
도 5의 (A) 및 (B)에서는 전극(101)과 전극(102) 사이에 끼워진 영역(221B), 영역(221G), 및 영역(221R) 사이에 격벽(145)이 제공되어 있다. 격벽(145)은 절연성을 가진다. 격벽(145)은 전극(101)의 단부를 덮고, 상기 전극과 중첩되는 개구를 가진다. 격벽(145)에 의하여, 상기 영역에서 기판(200) 위에 제공된 전극(101)을 섬 형상으로 분할할 수 있다.
또한, 발광층(123B)과 발광층(123G)은 격벽(145)과 중첩되는 영역에 있어서 서로 중첩되어도 좋다. 발광층(123G)과 발광층(123R)은 격벽(145)과 중첩되는 영역에 있어서 서로 중첩되어도 좋다. 발광층(123R)과 발광층(123B)은 격벽(145)과 중첩되는 영역에 있어서 서로 중첩되어도 좋다.
격벽(145)은 절연성을 가지며 무기 또는 유기 재료를 사용하여 형성된다. 무기 재료의 예에는 산화 실리콘, 산화 질화 실리콘, 질화 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 및 질화 알루미늄이 포함된다. 유기 재료의 예에는 아크릴 수지 및 폴리이미드 수지 등의 감광성 수지 재료가 포함된다.
또한, 산화 질화 실리콘막이란, 질소의 비율보다 산소의 비율이 높은 막을 말한다. 산화 질화 실리콘막은 산소, 질소, 실리콘, 및 수소를 각각, 55atomic% 내지 65atomic%, 1atomic% 내지 20atomic%, 25atomic% 내지 35atomic%, 및 0.1atomic% 내지 10atomic%의 범위로 함유하는 것이 바람직하다. 질화 산화 실리콘막이란, 산소의 비율보다 질소의 비율이 높은 막을 말한다. 질화 산화 실리콘막은 질소, 산소, 실리콘, 및 수소를 각각, 55atomic% 내지 65atomic%, 1atomic% 내지 20atomic%, 25atomic% 내지 35atomic%, 및 0.1atomic% 내지 10atomic%의 범위로 함유하는 것이 바람직하다.
발광층(123R, 123G, 및 123B)은 상이한 색의 광을 방출하는 기능을 가지는 발광 재료를 함유하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 발광층(123R)이 적색을 나타내는 기능을 가지는 발광 재료를 함유하는 경우, 영역(221R)은 적색의 광을 방출한다. 발광층(123G)이 녹색을 나타내는 기능을 가지는 발광 재료를 함유하는 경우, 영역(221G)은 녹색의 광을 방출한다. 발광층(123B)이 청색을 나타내는 기능을 가지는 발광 재료를 함유하는 경우, 영역(221B)은 청색의 광을 방출한다. 이러한 구조를 가지는 발광 소자(260a 또는 260b)를 표시 장치의 화소에 사용함으로써, 풀컬러의 표시 장치를 제작할 수 있다. 발광층들의 두께는 같아도 좋고 상이하여도 좋다.
발광층들(123B, 123G, 및 123R) 중 어느 하나 이상이 실시형태 1에 기재된 발광층(130) 및 실시형태 2에 기재된 발광층(140) 중 적어도 하나를 포함하면, 발광 효율이 높은 발광 소자를 제작할 수 있으므로 바람직하다.
발광층들(123B, 123G, 및 123R) 중 하나 이상이, 적층된 2개 이상의 층을 포함하여도 좋다.
상술한 바와 같이 적어도 하나의 발광층이 실시형태 1 또는 실시형태 2에 기재된 발광층을 포함하고, 상기 발광층을 포함하는 발광 소자(260a 또는 260b)를 표시 장치의 화소에 사용하면, 발광 효율이 높은 표시 장치를 제작할 수 있다. 이로써 발광 소자(260a 또는 260b)를 포함하는 표시 장치는 소비전력이 저감될 수 있다.
광이 추출되는 전극의 광 추출 측에 광학 소자(예를 들어, 컬러 필터, 편광판, 및 반사 방지막)를 제공함으로써, 발광 소자들(260a 및 260b) 각각의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 이에 따라, 발광 소자(260a 또는 260b)를 포함하는 표시 장치의 색 순도를 향상시킬 수 있다. 또는, 발광 소자들(260a 및 260b) 각각에 의한 외광의 반사를 저감할 수 있다. 그러므로, 발광 소자(260a 또는 260b)를 포함하는 표시 장치의 콘트라스트비를 향상시킬 수 있다.
발광 소자(260a 및 260b)의 다른 구성 요소에 대해서는, 실시형태 1 및 실시형태 2의 발광 소자의 구성 요소를 참조할 수 있다.
<발광 소자의 구조예 2>
다음으로 도 5의 (A) 및 (B)와는 다른 발광 소자의 구조예에 대하여 도 6의 (A) 및 (B)를 참조하여 이하에서 설명한다.
도 6의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 단면도이다. 도 6의 (A) 및 (B)에서, 도 5의 (A) 및 (B)의 부분과 비슷한 기능을 가지는 부분은 도 5의 (A) 및 (B)에서와 같은 해치 패턴으로 표시하고, 특별히 부호로 표시하지 않는 경우가 있다. 또한, 비슷한 기능을 가지는 부분에는 공통된 부호를 사용하고, 그런 부분에 대한 자세한 설명을 반복하지 않는 경우가 있다.
도 6의 (A) 및 (B)는 한 쌍의 전극 사이에 발광층을 포함하는 발광 소자의 구조예를 도시한 것이다. 도 6의 (A)에 도시된 발광 소자(262a)는 기판(200)과는 반대의 방향으로 광이 추출되는 톱 이미션 구조를 가지고, 도 6의 (B)에 도시된 발광 소자(262b)는 기판(200) 측으로 광이 추출되는 보텀 이미션 구조를 가진다. 그러나, 본 발명의 일 형태는 이들 구조에 한정되지 않고, 발광 소자로부터 방출되는 광이, 발광 소자가 형성되는 기판(200)에 대하여 상하 양쪽의 방향으로 추출되는 듀얼 이미션 구조를 가져도 좋다.
발광 소자들(262a 및 262b)의 각각은 기판(200) 위에 전극(101), 전극(102), 전극(103), 및 전극(104)을 포함한다. 전극(101)과 전극(102) 사이, 전극(102)과 전극(103) 사이, 그리고 전극(102)과 전극(104) 사이에는, 적어도 발광층(170)이 제공된다. 정공 주입층(111), 정공 수송층(112), 전자 수송층(113), 및 전자 주입층(114)이 더 제공된다.
전극(101)은 도전층(101a), 및 도전층(101a) 위에 있고 도전층(101a)과 접촉되는 도전층(101b)을 포함한다. 전극(103)은 도전층(103a), 및 도전층(103a) 위에 있고 도전층(103a)과 접촉되는 도전층(103b)을 포함한다. 전극(104)은 도전층(104a), 및 도전층(104a) 위에 있고 도전층(104a)과 접촉되는 도전층(104b)을 포함한다.
도 6의 (A)에 도시된 발광 소자(262a) 및 도 6의 (B)에 도시된 발광 소자(262b)의 각각은, 전극(101)과 전극(102) 사이에 끼워진 영역(222B)과, 전극(102)과 전극(103) 사이에 끼워진 영역(222G)과, 전극(102)과 전극(104) 사이에 끼워진 영역(222R) 사이에, 격벽(145)을 포함한다. 격벽(145)은 절연성을 가진다. 격벽(145)은 전극(101, 103, 및 104)의 단부를 덮고, 상기 전극과 중첩되는 개구를 가진다. 격벽(145)에 의하여, 상기 영역에서 기판(200) 위에 제공된 전극을 섬 형상으로 분리할 수 있다.
발광 소자들(262a 및 262b)의 각각은 영역(222B)으로부터 방출되는 광, 영역(222G)으로부터 방출되는 광, 및 영역(222R)으로부터 방출되는 광이 추출되는 방향으로 광학 소자(224B), 광학 소자(224G), 및 광학 소자(224R)가 제공된 기판(220)을 포함한다. 각 영역으로부터 방출되는 광은 각 광학 소자를 통하여 발광 소자 외부로 방출된다. 바꿔 말하면, 영역(222B)으로부터의 광, 영역(222G)으로부터의 광, 및 영역(222R)으로부터의 광은 각각, 광학 소자(224B), 광학 소자(224G), 및 광학 소자(224R)를 통하여 방출된다.
광학 소자들(224B, 224G, 및 224R)의 각각은 입사광으로부터 특정의 색의 광을 선택적으로 투과시키는 기능을 가진다. 예를 들어, 광학 소자(224B)를 통하여 영역(222B)으로부터 방출되는 광은 청색의 광이고, 광학 소자(224G)를 통하여 영역(222G)으로부터 방출되는 광은 녹색의 광이고, 광학 소자(224R)를 통하여 영역(222R)으로부터 방출되는 광은 적색의 광이다.
예를 들어, 광학 소자(224R, 224G, 및 224B)에는 착색층(컬러 필터라고도 함), 밴드 패스 필터, 또는 다층 필터 등을 사용할 수 있다. 또는, 광학 소자로서 색 변환 소자를 사용할 수 있다. 색 변환 소자는 입사광을, 입사광보다 긴 파장을 가지는 광으로 변환하는 광학 소자이다. 색 변환 소자로서는 퀀텀닷 소자를 적합하게 사용할 수 있다. 퀀텀닷형을 사용함으로써 표시 장치의 색재현성을 높일 수 있다.
각 광학 소자(224R, 224G, 및 224B) 위에 하나 이상의 광학 소자를 더 적층하여도 좋다. 다른 광학 소자로서는, 예를 들어 원편광판 또는 반사 방지막 등을 제공할 수 있다. 표시 장치의 발광 소자로부터 방출되는 광이 추출되는 측에 원편광판을 제공하면, 표시 장치 외부로부터 들어오는 광이 표시 장치의 내부에서 반사되어 외부로 되돌아가는 현상을 방지할 수 있다. 반사 방지막은 표시 장치의 표면으로 반사되는 외광을 약하게 할 수 있다. 이에 의하여 표시 장치로부터 방출되는 광을 선명하게 관찰할 수 있게 된다.
또한, 도 6의 (A) 및 (B)에서는 광학 소자를 통하여 영역으로부터 방출되는 청색의 광(B), 녹색의 광(G), 및 적색의 광(R)을 파선의 화살표로 모식적으로 나타내었다.
광학 소자들 사이에는 차광층(223)이 제공된다. 차광층(223)은 인접한 영역들로부터 방출되는 광을 차단하는 기능을 가진다. 또한, 차광층(223)이 없는 구조를 채용하여도 좋다.
차광층(223)은 외광의 반사를 저감하는 기능을 가진다. 차광층(223)은 인접한 발광 소자로부터 방출되는 광이 섞이는 것을 방지하는 기능을 가진다. 차광층(223)으로서는, 금속, 흑색 안료를 함유하는 수지, 카본 블랙, 금속 산화물, 또는 복수의 금속 산화물의 고용체를 함유하는 복합 산화물 등을 사용할 수 있다.
또한, 광학 소자(224B)와 광학 소자(224G)는 차광층(223)과 중첩되는 영역에 있어서 서로 중첩되어도 좋다. 또한, 광학 소자(224G)와 광학 소자(224R)는 차광층(223)과 중첩되는 영역에 있어서 서로 중첩되어도 좋다. 또한, 광학 소자(224R)와 광학 소자(224B)는 차광층(223)과 중첩되는 영역에 있어서 서로 중첩되어도 좋다.
기판(200), 그리고 광학 소자가 제공되는 기판(220)에 대해서는 실시형태 1의 기판을 참조할 수 있다.
또한, 발광 소자(262a 및 262b)는 마이크로캐비티 구조를 가진다.
<<마이크로캐비티 구조>>
발광층(170)으로부터 방출되는 광은 한 쌍의 전극(예를 들어, 전극(101) 및 전극(102)) 사이에서 공진된다. 발광층(170)은 방출되는 광 중 원하는 파장의 광이 강화되는 위치에 형성된다. 예를 들어, 전극(101)의 반사 영역에서 발광층(170)의 발광 영역까지의 광로의 길이 및 전극(102)의 반사 영역에서 발광층(170)의 발광 영역까지의 광로의 길이를 조정함으로써, 발광층(170)으로부터 방출되는 광 중 원하는 파장의 광을 강화시킬 수 있다.
발광 소자들(262a 및 262b)의 각각에서 각 영역에서의 도전층(도전층(101b), 도전층(103b), 및 도전층(104b))의 두께를 조정함으로써, 발광층(170)으로부터 방출되는 광 중 원하는 파장의 광을 강화시킬 수 있다. 또한, 정공 주입층(111) 및 정공 수송층(112) 중 적어도 하나의 두께를 영역들간에서 상이하게 하여 발광층(170)으로부터 방출되는 광을 강화시켜도 좋다.
예를 들어, 전극(101 내지 104)의 광을 반사하는 기능을 가지는 도전 재료의 굴절률이 발광층(170)의 굴절률보다 낮은 경우, 전극(101)의 도전층(101b)의 두께를 조정하여 전극(101)과 전극(102) 사이의 광로의 길이가 m BλB/2(m B는 자연수이고 λB는 영역(222B)에서 강화되는 광의 파장임)가 되도록 한다. 마찬가지로, 전극(103)의 도전층(103b)의 두께를 조정하여 전극(103)과 전극(102) 사이의 광로의 길이가 m GλG/2(m G는 자연수이고 λG는 영역(222G)에서 강화되는 광의 파장임)가 되도록 한다. 또한, 전극(104)의 도전층(104b)의 두께를 조정하여 전극(104)과 전극(102) 사이의 광로의 길이가 m RλR/2(m R은 자연수이고 λR은 영역(222R)에서 강화되는 광의 파장임)가 되도록 한다.
전극(101 내지 104)의 반사 영역을 정확히 결정하기 어려운 경우에는, 전극(101 내지 104)의 소정의 영역이 반사 영역인 것으로 가정하여, 발광층(170)으로부터 방출되는 광을 강화시키기 위한 광로의 길이를 도출하여도 좋다. 발광층(170)의 발광 영역을 정확히 결정하기 어려운 경우에는, 발광층(170)의 소정의 영역이 발광 영역인 것으로 가정하여, 발광층(170)으로부터 방출되는 광을 강화시키기 위한 광로의 길이를 도출하여도 좋다.
상술한 식으로, 각 영역에서의 한 쌍의 전극 사이의 광로의 길이를 조정하는 마이크로캐비티 구조에 의하여, 전극 근방에서의 광의 산란 및 흡수를 억제할 수 있고, 이에 따라 광 추출 효율이 높아진다. 상술한 구조에서 도전층(101b, 103b, 및 104b)은 광을 투과시키는 기능을 가지는 것이 바람직하다. 도전층들(101b, 103b, 및 104b)의 재료는 같아도 좋고 상이하여도 좋다. 도전층들(101b, 103b, 및 104b)을 같은 재료를 사용하여 형성하면, 에칭에 의한 패터닝을 용이하게 행할 수 있으므로 바람직하다. 도전층들(101b, 103b, 및 104b)의 각각은 2층 이상의 적층 구조를 가져도 좋다.
도 6의 (A)에 도시된 발광 소자(262a)는 톱 이미션 구조를 가지기 때문에 도전층(101a), 도전층(103a), 및 도전층(104a)은 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 전극(102)은 광을 투과시키는 기능과 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하다.
도 6의 (B)에 도시된 발광 소자(262b)는 보텀 이미션 구조를 가지기 때문에 도전층(101a), 도전층(103a), 및 도전층(104a)은 광을 투과시키는 기능과 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하다. 또한, 전극(102)은 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하다.
발광 소자들(262a 및 262b)의 각각에 있어서 도전층들(101a, 103a, 및 104a)은 상이한 재료로 형성되어도 좋고, 같은 재료로 형성되어도 좋다. 도전층들(101a, 103a, 및 104a)을 같은 재료로 형성하면, 발광 소자(262a 및 262b)의 제작 비용을 저감할 수 있다. 또한, 도전층들(101a, 103a, 및 104a)의 각각은 2개 이상의 층을 포함하는 적층 구조를 가져도 좋다.
발광 소자(262a 및 262b)의 발광층(170)이 실시형태 1 또는 실시형태 2에 기재된 구조를 가지면, 발광 효율이 높은 발광 소자를 제작할 수 있으므로 바람직하다.
발광층(170)은 2층으로 이루어진 적층 구조를 가져도 좋다. 상이한 색의 광을 나타내는 2종류의 발광 재료(제 1 화합물 및 제 2 화합물)를 포함하는 2개의 발광층에 의하여, 복수의 색의 발광을 구현한다. 발광층(170)으로부터의 발광을 조합하여 백색의 광이 얻어질 수 있도록, 발광층의 발광 재료를 선택하는 것이 특히 바람직하다.
발광층(170)은, 3층 이상으로 이루어지는 적층 구조를 가져도 좋고, 발광 재료를 포함하지 않는 층을 포함하여도 좋다.
상술한 식으로, 실시형태 1 및 실시형태 2에 기재된 구조를 가지는 발광층들 중 적어도 하나를 포함하는 발광 소자(262a 또는 262b)를 표시 장치의 화소에 사용함으로써, 발광 효율이 높은 표시 장치를 제작할 수 있다. 이에 따라 발광 소자(262a 또는 262b)를 포함하는 표시 장치는 소비전력이 저감될 수 있다.
발광 소자(262a 및 262b)의 다른 구성 요소에 대해서는, 발광 소자(260a 및 260b), 및 실시형태 1 및 실시형태 2의 발광 소자의 구성 요소를 참조할 수 있다.
<발광 소자의 제작 방법>
다음으로 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 제작 방법에 대하여 도 7의 (A) 내지 (C) 및 도 8의 (A) 및 (B)를 참조하여 이하에서 설명한다. 여기서는 도 6의 (A)에 도시된 발광 소자(262a)의 제작 방법에 대하여 설명한다.
도 7의 (A) 내지 (C) 및 도 8의 (A) 및 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자의 제작 방법을 도시한 단면도이다.
이하에서 설명하는 발광 소자(262a)의 제작 방법은 제 1 내지 제 6 단계를 포함한다.
<<제 1 단계>>
제 1 단계에서는, 발광 소자의 전극들(구체적으로는, 전극(101)의 도전층(101a), 전극(103)의 도전층(103a), 및 전극(104)의 도전층(104a))을 기판(200) 위에 형성한다(도 7의 (A) 참조).
본 실시형태에서는 기판(200) 위에 광을 반사하는 기능을 가지는 도전층을 형성하고 원하는 형상으로 가공함으로써, 도전층(101a, 103a, 및 104a)을 형성한다. 광을 반사하는 기능을 가지는 도전층으로서는, 은, 팔라듐, 및 구리의 합금막(Ag-Pd-Cu막 또는 APC라고도 함)을 사용한다. 같은 도전층을 가공하는 단계를 거쳐 도전층(101a, 103a, 및 104a)을 형성하면, 제작 비용을 저감할 수 있으므로 바람직하다.
또한 제 1 단계 전에, 기판(200) 위에 복수의 트랜지스터를 형성하여도 좋다. 복수의 트랜지스터는 도전층(101a, 103a, 및 104a)에 전기적으로 접속되어도 좋다.
<<제 2 단계>>
제 2 단계에서는, 전극(101)의 도전층(101a) 위에 광을 투과시키는 기능을 가지는 도전층(101b)을 형성하고, 전극(103)의 도전층(103a) 위에 광을 투과시키는 기능을 가지는 도전층(103b)을 형성하고, 전극(104)의 도전층(104a) 위에 광을 투과시키는 기능을 가지는 도전층(104b)을 형성한다(도 7의 (B) 참조).
본 실시형태에서는, 광을 반사하는 기능을 각각 가지는 도전층들(101a, 103a, 및 104a) 위에 광을 투과시키는 기능을 각각 가지는 도전층들(101b, 103b, 및 104b)을 각각 형성함으로써, 전극(101), 전극(103), 및 전극(104)을 형성한다. 도전층(101b, 103b, 및 104b)으로서는 ITSO막을 사용한다.
광을 투과시키는 기능을 가지는 도전층(101b, 103b, 및 104b)은 복수의 단계를 거쳐 형성하여도 좋다. 광을 투과시키는 기능을 가지는 도전층(101b, 103b, 및 104b)을 복수의 단계를 거쳐 형성하면, 이들을 각 영역에서 적합한 마이크로캐비티 구조가 실현되는 두께로 형성할 수 있다.
<<제 3 단계>>
제 3 단계에서는, 발광 소자의 전극들의 단부를 덮는 격벽(145)을 형성한다(도 7의 (C) 참조).
격벽(145)은 전극과 중첩되는 개구를 포함한다. 개구에 의하여 노출된 도전막은 발광 소자의 애노드로서 기능한다. 본 실시형태에서는 격벽(145)으로서 폴리이미드계 수지를 사용한다.
제 1 내지 제 3 단계에서는, EL층(유기 화합물을 함유하는 층)을 손상시킬 가능성이 없기 때문에 다양한 막 형성 방법 및 미세 가공 기술을 채용할 수 있다. 본 실시형태에서는, 스퍼터링법에 의하여 반사성 도전층을 형성하고, 리소그래피법에 의하여 도전층 위에 패턴을 형성한 다음, 건식 에칭법 또는 습식 에칭법에 의하여 도전층을 섬 형상으로 가공함으로써, 전극(101)의 도전층(101a), 전극(103)의 도전층(103a), 및 전극(104)의 도전층(104a)을 형성한다. 그리고, 스퍼터링법에 의하여 투명 도전막을 형성하고, 리소그래피법에 의하여 투명 도전막 위에 패턴을 형성한 다음, 습식 에칭법에 의하여 투명 도전막을 섬 형상으로 가공함으로써, 전극(101, 103, 및 104)을 형성한다.
<<제 4 단계>>
제 4 단계에서는, 정공 주입층(111), 정공 수송층(112), 발광층(170), 전자 수송층(113), 전자 주입층(114), 및 전극(102)을 형성한다(도 8의 (A) 참조).
정공 주입층(111)은 예를 들어, 폴리(에틸렌다이옥시싸이오펜)/폴리(스타이렌설폰산)을 스핀 코팅함으로써 형성할 수 있다. 정공 수송 재료를 사용하여 형성할 수 있는 정공 수송층(112)은 예를 들어, 폴리바이닐카바졸을 스핀 코팅함으로써 형성할 수 있다. 정공 주입층(111) 및 정공 수송층(112)의 형성 후에, 대기 분위기 또는 질소 등의 불활성 가스 분위기하에서 가열 처리를 행하여도 좋다.
발광층(170)은 보라색, 청색, 청록색, 녹색, 황록색, 황색, 주황색, 및 적색 중 적어도 하나의 광을 방출하는 고분자 재료를 사용하여 형성할 수 있다. 고분자 재료로서는, 형광성 또는 인광성의 유기 화합물을 사용할 수 있다. 발광층(170)은 고분자 재료가 녹여 있는 용매를 스핀 코팅법 등을 사용하여 도포하는 식으로 형성할 수 있다. 발광층(170)의 형성 후에, 대기 분위기 또는 질소 등의 불활성 가스 분위기하에서 가열 처리를 행하여도 좋다. 형광성 또는 인광성의 유기 화합물을 게스트 재료로서 사용하여도 좋고, 게스트 재료를, 게스트 재료보다 여기 에너지가 높은 고분자 재료에 분산시켜도 좋다. 발광성 유기 화합물을 단독으로 퇴적하여도 좋고, 발광성 유기 화합물을 다른 재료와 혼합하여 퇴적하여도 좋다. 발광층(170)은 2층 구조를 가져도 좋다. 그 경우, 2층의 발광층은 상이한 색의 광을 방출하는 발광 물질을 함유하는 것이 바람직하다.
전자 수송층(113)은 전자 수송성이 높은 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 전자 주입층(114)은 전자 주입성이 높은 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 또한, 전자 수송층(113) 및 전자 주입층(114)은 증착법에 의하여 형성할 수 있다.
전극(102)은 반사성 도전막과 투광성 도전막을 적층함으로써 형성할 수 있다. 전극(102)은 단층 구조 또는 적층 구조를 가져도 좋다.
상술한 공정을 거쳐, 전극(101), 전극(103), 및 전극(104) 위에 각각, 영역(222B), 영역(222G), 및 영역(222R)을 포함하는 발광 소자가, 기판(200) 위에 형성된다.
<<제 5 단계>>
제 5 단계에서는, 기판(220) 위에 차광층(223), 광학 소자(224B), 광학 소자(224G), 및 광학 소자(224R)를 형성한다(도 8의 (B) 참조).
차광층(223)으로서는, 흑색 안료를 함유하는 수지막을 원하는 영역에 형성한다. 그리고, 기판(220) 및 차광층(223) 위에, 광학 소자(224B), 광학 소자(224G), 및 광학 소자(224R)를 형성한다. 광학 소자(224B)로서는, 청색 안료를 함유하는 수지막을 원하는 영역에 형성한다. 광학 소자(224G)로서는, 녹색 안료를 함유하는 수지막을 원하는 영역에 형성한다. 광학 소자(224R)로서는, 적색 안료를 함유하는 수지막을 원하는 영역에 형성한다.
<<제 6 단계>>
제 6 단계에서는, 기판(200) 위에 형성된 발광 소자를, 기판(220) 위에 형성된 차광층(223), 광학 소자(224B), 광학 소자(224G), 및 광학 소자(224R)에 접합하고 실재(sealant)를 사용하여 밀봉한다(미도시).
상술한 공정을 거쳐 도 6의 (A)에 도시된 발광 소자(262a)를 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 기재된 구조는 다른 실시형태에 기재된 구조들 중 임의의 것과 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
(실시형태 4)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치에 대하여 도 9의 (A) 및 (B), 도 10의 (A) 및 (B), 도 11, 도 12의 (A) 및 (B), 도 13의 (A) 및 (B), 도 14, 도 15의 (A) 및 (B), 도 16, 도 17의 (A) 및 (B), 도 18의 (A) 내지 (D), 및 도 19를 참조하여 이하에서 설명한다.
<표시 장치의 구조예 1>
도 9의 (A)는 표시 장치(600)를 도시한 상면도이고, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 일점쇄선 A-B 및 일점쇄선 C-D를 따라 취한 단면도이다. 표시 장치(600)는 구동 회로부(신호선 구동 회로부(601) 및 주사선 구동 회로부(603)) 및 화소부(602)를 포함한다. 또한, 신호선 구동 회로부(601), 주사선 구동 회로부(603), 및 화소부(602)는 발광 소자의 발광을 제어하는 기능을 가진다.
또한, 표시 장치(600)는 소자 기판(610), 밀봉 기판(604), 실재(605), 실재(605)로 둘러싸인 영역(607), 리드 배선(608), 및 FPC(609)를 포함한다.
또한, 리드 배선(608)은 신호선 구동 회로부(601) 및 주사선 구동 회로부(603)에 입력되는 신호를 전송하기 위한 배선이며, 외부 입력 단자로서 기능하는 FPC(609)로부터 비디오 신호, 클럭 신호, 스타트 신호, 및 리셋 신호 등을 받기 위한 배선이다. 여기서는 FPC(609)만을 도시하였지만, FPC(609)에는 프린트 배선판(PWB: printed wiring board)이 제공되어 있어도 좋다.
신호선 구동 회로부(601)로서는, n채널 트랜지스터(623)와 p채널 트랜지스터(624)를 조합한 CMOS 회로를 형성한다. 신호선 구동 회로부(601) 또는 주사선 구동 회로부(603)로서는 CMOS 회로, PMOS 회로, 또는 NMOS 회로 등의 다양한 종류의 회로를 사용할 수 있다. 본 실시형태의 표시 장치에서는 구동 회로부가 형성된 드라이버 및 화소가 기판의 같은 표면 위에 형성되어 있지만, 구동 회로부를 반드시 기판 위에 형성할 필요는 없고, 기판 외부에 형성할 수 있다.
화소부(602)는 스위칭 트랜지스터(611), 전류 제어 트랜지스터(612), 및 전류 제어 트랜지스터(612)의 드레인에 전기적으로 접속된 하부 전극(613)을 포함한다. 또한, 하부 전극(613)의 단부를 덮도록 격벽(614)이 형성된다. 격벽(614)으로서는 예를 들어, 포지티브형 감광성 아크릴 수지막을 사용할 수 있다.
격벽(614) 위에 형성되는 막에 의한 양호한 피복성을 얻기 위해서는, 격벽(614)을, 그 상단부 또는 하단부에 곡률을 가지는 곡면을 가지도록 형성한다. 예를 들어, 격벽(614)의 재료로서 포지티브형 감광성 아크릴을 사용하는 경우, 격벽(614)의 상단부만이 곡률(곡률 반경 0.2μm 내지 3μm)을 가지는 곡면을 가지는 것이 바람직하다. 격벽(614)으로서는, 네거티브형 감광성 수지 또는 포지티브형 감광성 수지를 사용할 수 있다.
또한, 각 트랜지스터(트랜지스터(611, 612, 623, 및 624))의 구조에 대한 특별한 한정은 없다. 예를 들어, 스태거형 트랜지스터를 사용할 수 있다. 또한, 이들 트랜지스터의 극성에 대한 특별한 한정은 없다. 예를 들어, 이들 트랜지스터에는 n채널 및 p채널 트랜지스터를 사용하여도 좋고, n채널 트랜지스터 또는 p채널 트랜지스터 중 어느 한쪽을 사용하여도 좋다. 또한, 이들 트랜지스터에 사용되는 반도체막의 결정성에 대한 특별한 한정은 없다. 예를 들어, 비정질 반도체막 또는 결정성 반도체막을 사용하여도 좋다. 반도체 재료의 예에는 14족 반도체(예를 들어, 실리콘을 포함하는 반도체), 화합물 반도체(산화물 반도체를 포함함), 및 유기 반도체 등이 포함된다. 예를 들어, 트랜지스터에는 에너지 갭이 2eV 이상, 바람직하게는 2.5eV 이상, 더 바람직하게는 3eV 이상인 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하고, 이로써 트랜지스터의 오프 상태 전류를 저감할 수 있다. 산화물 반도체의 예에는 In-Ga 산화물 및 In-M-Zn 산화물(M은 Al, Ga, Y, 지르코늄(Zr), La, 세륨(Ce), Sn, 하프늄(Hf), 또는 Nd임)이 포함된다.
하부 전극(613) 위에는 EL층(616) 및 상부 전극(617)이 형성되어 있다. 여기서는 하부 전극(613)은 애노드로서 기능하고, 상부 전극(617)은 캐소드로서 기능한다.
또한, EL층(616)은 증착 마스크를 이용한 증착법, 잉크젯법, 또는 스핀 코팅법 등의 다양한 방법에 의하여 형성된다. EL층(616)에 포함되는 다른 재료로서는 저분자 화합물 또는 고분자 화합물을 사용하여도 좋다.
또한, 발광 소자(618)는 하부 전극(613), EL층(616), 및 상부 전극(617)으로 형성된다. 발광 소자(618)는 실시형태 1 내지 실시형태 3에 기재된 구조 중 어느 것을 가지는 것이 바람직하다. 화소부가 복수의 발광 소자를 포함하는 경우, 화소부는 실시형태 1 내지 실시형태 3에 기재된 발광 소자 중 어느 것과, 이와 상이한 구조를 가지는 발광 소자의 양쪽 모두를 포함하여도 좋다.
또한, 실재(605)로 밀봉 기판(604)과 소자 기판(610)을 서로 접합하면, 소자 기판(610), 밀봉 기판(604), 및 실재(605)로 둘러싸인 영역(607)에 발광 소자(618)가 제공된다. 영역(607)에는 충전재가 충전되어 있다. 영역(607)에는 불활성 가스(질소 또는 아르곤 등)가 충전되거나, 또는 실재(605)에 사용할 수 있는 자외선 경화 수지 또는 열 경화 수지가 충전되는 경우가 있다. 예를 들어, PVC(polyvinyl chloride)계 수지, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, PVB(polyvinyl butyral)계 수지, 또는 EVA(ethylene vinyl acetate)계 수지를 사용할 수 있다. 밀봉 기판에는 오목부를 제공하고, 오목부에 건조제를 제공하면 수분의 영향으로 인한 열화를 억제할 수 있으므로 바람직하다.
발광 소자(618)와 중첩되도록, 밀봉 기판(604) 아래에 광학 소자(621)를 제공한다. 밀봉 기판(604) 아래에는 차광층(622)이 제공된다. 광학 소자(621) 및 차광층(622)의 구조는 각각, 실시형태 3의 광학 소자 및 차광층과 같게 할 수 있다.
실재(605)에는 에폭시계 수지 또는 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하다. 이러한 재료는 수분 또는 산소를 가능한 한 투과시키지 않는 것이 바람직하다. 밀봉 기판(604)으로서는 유리 기판, 석영 기판, 또는 FRP(fiber reinforced plastic), PVF(poly(vinyl fluoride)), 폴리에스터, 또는 아크릴 등으로 형성된 플라스틱 기판을 사용할 수 있다.
여기서는, 액적 토출법에 의한 EL층(616)의 형성 방법에 대하여 도 18의 (A) 내지 (D)를 참조하여 설명한다. 도 18의 (A) 내지 (D)는 EL층(616)의 형성 방법을 도시한 단면도이다.
먼저, 하부 전극(613) 및 격벽(614)이 형성된 소자 기판(610)을 도 18의 (A)에 도시하였다. 그러나 도 9의 (B)에서와 같이, 기판 위의 절연막 위에 하부 전극(613) 및 격벽(614)이 형성되어도 좋다.
다음에 격벽(614)의 개구부인, 하부 전극(613)이 노출되어 있는 부분에, 액적 토출 장치(683)로부터 액적(684)을 토출하여, 조성물을 함유하는 층(685)을 형성한다. 액적(684)은 용매를 함유하는 조성물이며, 하부 전극(613)에 부착된다(도 18의 (B) 참조).
또한, 액적(684)의 토출 방법은 감압하에서 행해져도 좋다.
그리고, 조성물을 함유하는 층(685)에서 용매를 제거하고, 그 층을 고체화함으로써 EL층(616)을 형성한다(도 18의 (C) 참조).
용매는 건조 또는 가열에 의하여 제거하여도 좋다.
다음에, EL층(616) 위에 상부 전극(617)을 형성하여, 발광 소자(618)를 형성한다(도 18의 (D) 참조).
상술한 바와 같이 액적 토출법에 의하여 EL층(616)을 형성하면, 조성물을 선택적으로 토출할 수 있고, 이에 따라 재료의 손실을 저감할 수 있다. 또한, 성형을 위한 리소그래피 공정 등이 불필요하기 때문에 공정을 간략화할 수 있고, 저비용화를 실현할 수 있다.
상술한 액적 토출법은 조성물의 토출구를 구비한 노즐을 포함하는 수단, 또는 하나 또는 복수의 노즐을 가지는 헤드 등의 액적 토출 수단의 총칭이다.
다음으로 액적 토출법에 사용하는 액적 토출 장치에 대하여 도 19를 참조하여 설명한다. 도 19는 액적 토출 장치(1400)를 도시한 개념도이다.
액적 토출 장치(1400)는 액적 토출 수단(1403)을 포함한다. 또한, 액적 토출 수단(1403)은 헤드(1405) 및 헤드(1412)를 구비한다.
헤드(1405 및 1412)는 제어 수단(1407)에 접속되고, 이 제어 수단(1407)이 컴퓨터(1410)로 제어되어, 미리 프로그램된 패턴을 묘화할 수 있다.
묘화는 예를 들어, 기판(1402) 위에 형성되는 마커(1411)에 기초한 타이밍에서 행하여도 좋다. 또는, 기판(1402)의 외단부에 기초하여 기준점을 결정하여도 좋다. 여기서는, 촬상 수단(1404)에 의하여 마커(1411)를 검출하고, 화상 처리 수단(1409)에 의하여 디지털 신호로 변환한다. 그리고, 디지털 신호를 컴퓨터(1410)로 인식한 다음, 제어 신호를 생성하여 제어 수단(1407)으로 전송한다.
촬상 수단(1404)에는 전하 결합 소자(CCD) 또는 상보형 금속 산화물 반도체(CMOS)를 사용한 이미지 센서 등을 사용할 수 있다. 또한, 기판(1402) 위에 형성될 패턴의 정보는 기억 매체(1408)에 저장되어 있고, 이 정보에 기초하여 제어 신호가 제어 수단(1407)으로 전송됨으로써, 액적 토출 수단(1403)의 헤드(1405) 및 헤드(1412)가 독립적으로 제어될 수 있다. 토출하는 재료는, 재료 공급원(1413) 및 재료 공급원(1414)으로부터 배관을 통하여 헤드(1405) 및 헤드(1412)로 각각 공급된다.
헤드(1405)의 내부는, 점선으로 나타낸 바와 같이 액상의 재료로 충전된 공간(1406) 및 토출구로서 기능하는 노즐이 제공되어 있다. 도시하지 않았지만, 헤드(1412)의 내부 구조는 헤드(1405)와 비슷하다. 헤드들(1405 및 1412)의 노즐의 크기가 서로 다르면, 상이한 재료의 패턴을 상이한 폭으로 동시에 묘화할 수 있다. 또는, 하나의 헤드로 복수 종류의 발광 재료 등을 토출하여 패턴을 묘화할 수 있다. 넓은 영역에 패턴을 묘화하는 경우, 스루풋을 향상시키기 위하여 복수의 노즐로부터 같은 재료를 동시에 토출하여 패턴을 묘화할 수 있다. 대형 기판을 사용하는 경우, 헤드(1405 및 1412)는 도 19에서 화살표 X, Y, 및 Z로 가리킨 방향으로 기판을 자유로이 주사할 수 있고, 패턴을 묘화하는 영역을 자유로이 설정할 수 있다. 그러므로, 복수의 같은 패턴을 하나의 기판 위에 묘화할 수 있다.
또한, 조성물을 토출하는 단계는 감압하에서 행하여도 좋다. 조성물을 토출할 때에 기판을 가열하여도 좋다. 조성물을 토출한 후, 건조 및 베이킹 중 한쪽 또는 양쪽 모두의 단계를 행한다. 건조와 베이킹의 단계는 둘 다 가열 처리 단계이지만, 목적, 온도, 및 시간이 상이하다. 건조 및 베이킹의 단계의 각각은 상압하 또는 감압하에서 레이저 광의 조사, RTA(rapid thermal annealing), 또는 가열로를 사용한 가열 등에 의하여 행한다. 또한, 이 가열 처리의 타이밍 및 단계 수에 대한 특별한 한정은 없다. 건조 및 베이킹의 단계의 각각을 양호하게 행하기 위한 온도는 기판의 재료 및 조성물의 성질에 의존한다.
상술한 바와 같이, 실시형태 1 내지 실시형태 3에 기재된 임의의 발광 소자 및 광학 소자를 포함하는 표시 장치를 얻을 수 있다.
<표시 장치의 구조예 2>
다음으로 표시 장치의 다른 예에 대하여 도 10의 (A) 및 (B) 그리고 도 11을 참조하여 설명한다. 또한, 도 10의 (A) 및 (B) 그리고 도 11의 각각은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 단면도이다.
도 10의 (A)에는 기판(1001), 하지 절연막(1002), 게이트 절연막(1003), 게이트 전극(1006, 1007, 및 1008), 제 1 층간 절연막(1020), 제 2 층간 절연막(1021), 주변부(1042), 화소부(1040), 구동 회로부(1041), 발광 소자의 하부 전극(1024R, 1024G, 및 1024B), 격벽(1025), EL층(1028), 발광 소자의 상부 전극(1026), 밀봉층(1029), 밀봉 기판(1031), 및 실재(1032) 등이 도시되어 있다.
도 10의 (A)에서는 광학 소자의 예로서, 착색층(적색의 착색층(1034R), 녹색의 착색층(1034G), 및 청색의 착색층(1034B))이 투명 기재(1033)에 제공되어 있다. 또한, 차광층(1035)이 제공되어도 좋다. 착색층 및 차광층이 제공된 투명 기재(1033)는 위치 맞춤하여 기판(1001)에 고정된다. 또한, 착색층 및 차광층은 오버코트층(1036)으로 덮여 있다. 도 10의 (A)의 구조에서는, 적색의 광, 녹색의 광, 및 청색의 광이 착색층을 투과하므로 3색의 화소를 사용하여 화상을 표시할 수 있다.
도 10의 (B)는 광학 소자의 예로서 착색층(적색의 착색층(1034R), 녹색의 착색층(1034G), 및 청색의 착색층(1034B))을 게이트 절연막(1003)과 제 1 층간 절연막(1020) 사이에 제공하는 예를 도시한 것이다. 이 구조에서와 같이 착색층은 기판(1001)과 밀봉 기판(1031) 사이에 제공되어도 좋다.
도 11은 광학 소자의 예로서 착색층(적색의 착색층(1034R), 녹색의 착색층(1034G), 및 청색의 착색층(1034B))을 제 1 층간 절연막(1020)과 제 2 층간 절연막(1021) 사이에 제공하는 예를 도시한 것이다. 이 구조에서와 같이 착색층은 기판(1001)과 밀봉 기판(1031) 사이에 제공되어도 좋다.
상술한 표시 장치는 트랜지스터가 형성되어 있는 기판(1001) 측으로부터 광을 추출하는 구조(보텀 이미션 구조)를 가지지만, 밀봉 기판(1031) 측으로부터 광을추출하는 구조(톱 이미션 구조)를 가져도 좋다.
<표시 장치의 구조예 3>
도 12의 (A) 및 (B)의 각각은 톱 이미션 구조를 가지는 표시 장치의 단면도의 예이다. 또한, 도 12의 (A) 및 (B)의 각각은 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 단면도이고, 도 10의 (A) 및 (B) 그리고 도 11에 도시된 구동 회로부(1041) 및 주변부(1042) 등은 도시되어 있지 않다.
이 경우, 기판(1001)으로서는 광을 투과시키지 않는 기판을 사용할 수 있다. 트랜지스터와 발광 소자의 애노드를 접속하는 접속 전극을 형성하는 단계까지의 공정은, 보텀 이미션 구조를 가지는 표시 장치와 마찬가지로 행한다. 그리고, 전극(1022)을 덮도록 제 3 층간 절연막(1037)을 형성한다. 이 절연막은 평탄화 기능을 가져도 좋다. 제 3 층간 절연막(1037)은 제 2 층간 절연막과 비슷한 재료를 사용하여 형성할 수 있고, 또는 다른 공지의 재료 중 임의의 것을 사용하여 형성할 수 있다.
여기서는 발광 소자의 하부 전극들(1024R, 1024G, 및 1024B)의 각각이 애노드로서 기능하지만, 캐소드로서 기능하여도 좋다. 또한, 도 12의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같은 톱 이미션 구조를 가지는 표시 장치의 경우, 하부 전극(1024R, 1024G, 및 1024B)은 광을 반사하는 기능을 가지는 것이 바람직하다. EL층(1028) 위에 상부 전극(1026)이 제공된다. 상부 전극(1026)은 광을 반사하는 기능 및 광을 투과시키는 기능을 가지는 것이 바람직하고, 상부 전극(1026)과 하부 전극(1024R, 1024G, 및 1024B) 사이에 마이크로캐비티 구조를 사용하여, 특정한 파장의 광의 강도를 높이는 것이 바람직하다.
도 12의 (A)에 도시된 바와 같은 톱 이미션 구조의 경우, 착색층(적색의 착색층(1034R), 녹색의 착색층(1034G), 및 청색의 착색층(1034B))이 제공되어 있는 밀봉 기판(1031)으로 밀봉을 행할 수 있다. 밀봉 기판(1031)에는 화소들 사이에 위치하는 차광층(1035)을 제공하여도 좋다. 또한, 밀봉 기판(1031)으로서는 투광성 기판이 바람직하게 사용된다.
도 12의 (A)는 발광 소자들 및 상기 발광 소자들을 위한 착색층들을 제공하는 구조를 예시한 것이지만, 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 12의 (B)에 나타낸 바와 같이, 적색의 착색층(1034R) 및 청색의 착색층(1034B)을 포함하고 녹색의 착색층을 포함하지 않는 구조를 채용하여, 적색, 녹색, 및 청색의 3색으로 풀컬러 표시를 구현하여도 좋다. 발광 소자들에 착색층들을 제공하는 도 12의 (A)에 도시된 구조는, 외광 반사를 억제하는 데 효과적이다. 한편, 발광 소자에 적색의 착색층 및 청색의 착색층을 제공하고 녹색의 착색층이 없는 도 12의 (B)에 도시된 구조는, 녹색의 발광 소자로부터 방출되는 광의 에너지 손실이 적기 때문에 소비전력을 저감하는 데 효과적이다.
<표시 장치의 구조예 4>
위에서는 3색(적색, 녹색, 및 청색)의 부화소를 포함하는 표시 장치에 대하여 설명하였지만, 부화소의 색의 수는 4개(적색, 녹색, 청색, 및 황색, 또는 적색, 녹색, 청색, 및 백색)이어도 좋다. 도 13의 (A) 및 (B), 도 14, 그리고 도 15의 (A) 및 (B)는 하부 전극(1024R, 1024G, 1024B, 및 1024Y)을 각각 포함하는 표시 장치들의 구조를 도시한 것이다. 도 13의 (A) 및 (B) 그리고 도 14의 각각은 트랜지스터가 형성되어 있는 기판(1001) 측으로부터 광을 추출하는 구조(보텀 이미션 구조)를 가지는 표시 장치를 도시한 것이고, 도 15의 (A) 및 (B)의 각각은 밀봉 기판(1031) 측으로부터 광을 추출하는 구조(톱 이미션 구조)를 가지는 표시 장치를 도시한 것이다.
도 13의 (A)는 광학 소자(착색층(1034R), 착색층(1034G), 착색층(1034B), 및 착색층(1034Y))가 투명 기재(1033)에 제공되어 있는 표시 장치의 예를 도시한 것이다. 도 13의 (B)는 광학 소자(착색층(1034R), 착색층(1034G), 착색층(1034B), 및 착색층(1034Y))가 게이트 절연막(1003)과 제 1 층간 절연막(1020) 사이에 제공되어 있는 표시 장치의 예를 도시한 것이다. 도 14는 광학 소자(착색층(1034R), 착색층(1034G), 착색층(1034B), 및 착색층(1034Y))가 제 1 층간 절연막(1020)과 제 2 층간 절연막(1021) 사이에 제공되어 있는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
착색층(1034R)은 적색의 광을 투과시키고, 착색층(1034G)은 녹색의 광을 투과시키고, 착색층(1034B)은 청색의 광을 투과시킨다. 착색층(1034Y)은 황색의 광을 투과시키거나, 또는 청색, 녹색, 황색, 및 적색 중에서 선택되는 복수의 색의 광을 투과시킨다. 착색층(1034Y)이 청색, 녹색, 황색, 및 적색 중에서 선택되는 복수의 색의 광을 투과시킬 수 있는 경우, 착색층(1034Y)으로부터 방출되는 광은 백색의 광이어도 좋다. 황색 또는 백색의 광을 투과시키는 발광 소자는 발광 효율이 높기 때문에, 착색층(1034Y)을 포함하는 표시 장치는 소비전력이 저감될 수 있다.
도 15의 (A) 및 (B)에 도시된 톱 이미션 표시 장치에서는, 하부 전극(1024Y)을 포함하는 발광 소자가 도 12의 (A)에 도시된 표시 장치와 같이, 상부 전극(1026)과 하부 전극(1024R, 1024G, 1024B, 및 1024Y) 사이에 마이크로캐비티 구조를 가지는 것이 바람직하다. 도 15의 (A)에 도시된 표시 장치에서는, 착색층(적색의 착색층(1034R), 녹색의 착색층(1034G), 청색의 착색층(1034B), 및 황색의 착색층(1034Y))이 제공되어 있는 밀봉 기판(1031)으로 밀봉을 행할 수 있다.
마이크로캐비티 및 황색의 착색층(1034Y)을 통하여 방출되는 광은 황색의 영역에 발광 스펙트럼을 가진다. 황색은 시감도가 높은 색이기 때문에, 황색의 광을 방출하는 발광 소자는 발광 효율이 높다. 그러므로, 도 15의 (A)의 표시 장치는 소비전력을 저감할 수 있다.
도 15의 (A)는 발광 소자들 및 상기 발광 소자들을 위한 착색층들을 제공하는 구조를 예시한 것이지만, 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 도 15의 (B)에 나타낸 바와 같이, 적색의 착색층(1034R), 녹색의 착색층(1034G), 및 청색의 착색층(1034B)을 포함하고 황색의 착색층을 포함하지 않는 구조를 채용하여, 적색, 녹색, 청색, 및 황색, 또는 적색, 녹색, 청색, 및 백색의 4색으로 풀컬러 표시를 구현하여도 좋다. 발광 소자들에 착색층들을 제공하는 도 15의 (A)에 도시된 구조는, 외광 반사를 억제하는 데 효과적이다. 한편, 발광 소자에 적색의 착색층, 녹색의 착색층, 및 청색의 착색층을 제공하고 황색의 착색층이 없는 도 15의 (B)에 도시된 구조는, 황색 또는 백색의 발광 소자로부터 방출되는 광의 에너지 손실이 적기 때문에 소비전력을 저감하는 데 효과적이다.
<표시 장치의 구조예 5>
다음으로 본 발명의 다른 일 형태의 표시 장치에 대하여 도 16을 참조하여 설명한다. 도 16은 도 9의 (A)의 일점쇄선 A-B 및 일점쇄선 C-D를 따라 취한 단면도이다. 또한, 도 16에서 도 9의 (B)의 부분과 비슷한 기능을 가지는 부분에는 도 9의 (B)와 같은 부호를 부여하고, 그 부분에 대한 자세한 설명은 생략한다.
도 16의 표시 장치(600)는 소자 기판(610), 밀봉 기판(604), 및 실재(605)로 둘러싸인 영역(607)에, 밀봉층(607a), 밀봉층(607b), 및 밀봉층(607c)을 포함한다. 밀봉층(607a), 밀봉층(607b), 및 밀봉층(607c) 중 하나 이상에 PVC(polyvinyl chloride)계 수지, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, PVB(polyvinyl butyral)계 수지, 또는 EVA(ethylene vinyl acetate)계 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 또는, 산화 실리콘, 산화 질화 실리콘, 질화 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 또는 질화 알루미늄 등의 무기 재료를 사용할 수 있다. 밀봉층(607a, 607b, 및 607c)을 형성하면, 물 등의 불순물로 인한 발광 소자(618)의 열화를 방지할 수 있으므로 바람직하다. 밀봉층(607a, 607b, 및 607c)을 형성하는 경우, 실재(605)를 제공할 필요는 없다.
또는, 밀봉층들(607a, 607b, 및 607c) 중 어느 하나 또는 2개를 제공하여도 좋고, 4개 이상의 밀봉층을 형성하여도 좋다. 밀봉층이 다층 구조를 가지는 경우, 표시 장치(600) 외부에서 물 등의 불순물이 표시 장치 내부에 있는 발광 소자(618)에 들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 밀봉층이 다층 구조를 가지는 경우, 수지와 유기 재료를 적층하는 것이 바람직하다.
<표시 장치의 구조예 6>
본 실시형태의 구조예 1 내지 구조예 4의 표시 장치의 각각은 광학 소자를포함하는 구조를 가지지만, 본 발명의 일 형태는 반드시 광학 소자를 포함할 필요는 없다.
도 17의 (A) 및 (B)의 각각은 밀봉 기판(1031) 측으로부터 광을 추출하는 구조를 가지는 표시 장치(톱 이미션 표시 장치)를 도시한 것이다. 도 17의 (A)는 발광층(1028R), 발광층(1028G), 및 발광층(1028B)을 포함하는 표시 장치의 예를 도시한 것이다. 도 17의 (B)는 발광층(1028R), 발광층(1028G), 발광층(1028B), 및 발광층(1028Y)을 포함하는 표시 장치의 예를 도시한 것이다.
발광층(1028R)은 적색의 광을 나타내는 기능을 가지고, 발광층(1028G)은 녹색의 광을 나타내는 기능을 가지고, 발광층(1028B)은 청색의 광을 나타내는 기능을 가진다. 발광층(1028Y)은 황색의 광을 나타내는 기능을 가지거나, 또는 청색, 녹색, 및 적색 중에서 선택되는 복수의 색의 광을 나타내는 기능을 가진다. 발광층(1028Y)은 백색의 광을 나타내어도 좋다. 황색 또는 백색의 광을 나타내는 발광 소자는 발광 효율이 높기 때문에 발광층(1028Y)을 포함하는 표시 장치는 소비전력이 저감될 수 있다.
도 17의 (A) 및 (B)의 각 표시 장치는, 상이한 색의 광을 나타내는 EL층이 부화소에 포함되기 때문에, 반드시 광학 소자로서 기능하는 착색층을 포함할 필요는 없다.
밀봉층(1029)에는 PVC(polyvinyl chloride)계 수지, 아크릴계 수지, 폴리이미드계 수지, 에폭시계 수지, 실리콘계 수지, PVB(polyvinyl butyral)계 수지, 또는 EVA(ethylene vinyl acetate)계 수지 등의 수지를 사용할 수 있다. 또는, 산화 실리콘, 산화 질화 실리콘, 질화 산화 실리콘, 질화 실리콘, 산화 알루미늄, 또는 질화 알루미늄 등의 무기 재료를 사용할 수 있다. 밀봉층(1029)을 형성하면, 물 등의 불순물로 인한 발광 소자의 열화를 방지할 수 있으므로 바람직하다.
또는, 밀봉층(1029)은 단층 또는 2층 구조를 가져도 좋고, 또는 밀봉층(1029)으로서 4개 이상의 밀봉층을 형성하여도 좋다. 밀봉층이 다층 구조를 가지는 경우, 표시 장치 외부에서 물 등의 불순물이 표시 장치 내부에 들어가는 것을 효과적으로 방지할 수 있다. 밀봉층이 다층 구조를 가지는 경우, 수지와 유기 재료를 적층하는 것이 바람직하다.
또한, 밀봉 기판(1031)은 발광 소자를 보호하는 기능을 가진다. 그러므로, 밀봉 기판(1031)에는 플렉시블 기판 또는 필름을 사용할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 기재된 구조는 본 실시형태 및 다른 실시형태의 다른 구조들 중 임의의 것과 적절히 조합될 수 있다.
(실시형태 5)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치에 대하여 도 20의 (A) 및 (B), 도 21의 (A) 및 (B), 그리고 도 22의 (A) 및 (B)를 참조하여 설명한다.
도 20의 (A)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치를 도시한 블록도이고, 도 20의 (B)는 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치의 화소 회로를 도시한 회로도이다.
<표시 장치에 대한 설명>
도 20의 (A)에 도시된 표시 장치는, 표시 소자의 화소들을 포함하는 영역(이하, 이 영역을 화소부(802)라고 함), 화소부(802) 외측에 제공되며 화소들을 구동시키기 위한 회로를 포함하는 회로부(이하, 이 부분을 구동 회로부(804)라고 함), 소자를 보호하는 기능을 가지는 회로(이하, 이 회로를 보호 회로(806)라고 함), 및 단자부(807)를 포함한다. 또한, 보호 회로(806)를 반드시 제공할 필요는 없다.
구동 회로부(804)의 일부 또는 전체를, 화소부(802)가 형성되는 기판 위에 형성하면, 부품 수와 단자 수를 줄일 수 있으므로 바람직하다. 구동 회로부(804)의 일부 또는 전체를, 화소부(802)가 형성되는 기판 위에 형성하지 않는 경우, 구동 회로부(804)의 일부 또는 전체를 COG 또는 TAB(tape automated bonding)에 의하여 실장할 수 있다.
화소부(802)는, X행(X는 2 이상의 자연수임) Y열(Y는 2 이상의 자연수임)로 배치된 표시 소자들을 구동시키기 위한 복수의 회로(이하, 이러한 회로들을 화소 회로들(801)이라고 함)를 포함한다. 구동 회로부(804)는, 화소를 선택하기 위하여 신호(주사 신호)를 공급하기 위한 회로(이하, 이 회로를 주사선 구동 회로(804a)라고 함) 및 화소의 표시 소자를 구동시키기 위하여 신호(데이터 신호)를 공급하기 위한 회로(이하, 이 회로를 신호선 구동 회로(804b)라고 함) 등의 구동 회로를 포함한다.
주사선 구동 회로(804a)는 시프트 레지스터 등을 포함한다. 단자부(807)를 통하여, 주사선 구동 회로(804a)는 시프트 레지스터를 구동시키기 위한 신호를 받고 신호를 출력한다. 예를 들어, 주사선 구동 회로(804a)는, 스타트 펄스 신호 또는 클럭 신호 등을 받고, 펄스 신호를 출력한다. 주사선 구동 회로(804a)는, 주사 신호를 공급받는 배선들(이하, 이러한 배선들을 주사선들(GL_1 내지 GL_X)이라고 함)의 전위를 제어하는 기능을 가진다. 또한, 주사선들(GL_1 내지 GL_X)을 개별적으로 제어하기 위하여, 복수의 주사선 구동 회로(804a)를 제공하여도 좋다. 또는, 주사선 구동 회로(804a)는, 초기화 신호를 공급하는 기능을 가진다. 이에 한정되지 않고, 주사선 구동 회로(804a)는 다른 신호를 공급할 수 있다.
신호선 구동 회로(804b)는 시프트 레지스터 등을 포함한다. 신호선 구동 회로(804b)는, 단자부(807)를 통하여 시프트 레지스터를 구동시키기 위한 신호뿐만 아니라, 데이터 신호의 바탕이 되는 신호(화상 신호)를 받는다. 신호선 구동 회로(804b)는, 화소 회로(801)에 기록될, 화상 신호에 기초한 데이터 신호를 생성하는 기능을 가진다. 또한, 신호선 구동 회로(804b)는, 스타트 펄스 신호 또는 클럭 신호 등의 입력에 의하여 생성되는 펄스 신호에 따라, 데이터 신호의 출력을 제어하는 기능을 가진다. 또한, 신호선 구동 회로(804b)는, 데이터 신호를 공급받는 배선들(이하, 이러한 배선들을 데이터선들(DL_1 내지 DL_Y)이라고 함)의 전위를 제어하는 기능을 가진다. 또는, 신호선 구동 회로(804b)는, 초기화 신호를 공급하는 기능을 가진다. 이에 한정되지 않고, 신호선 구동 회로(804b)는 다른 신호를 공급할 수 있다.
신호선 구동 회로(804b)는 예를 들어, 복수의 아날로그 스위치 등을 포함한다. 신호선 구동 회로(804b)는, 복수의 아날로그 스위치를 순차적으로 온으로 함으로써, 화상 신호를 시분할하여 얻어지는 신호를, 데이터 신호로서 출력할 수 있다. 신호선 구동 회로(804b)는 시프트 레지스터 등을 포함하여도 좋다.
주사 신호를 공급받는 복수의 주사선(GL) 중 하나 및 데이터 신호를 공급받는 복수의 데이터선(DL) 중 하나를 통하여, 복수의 화소 회로(801) 각각에, 펄스 신호 및 데이터 신호가 각각 입력된다. 복수의 화소 회로(801) 각각에 있어서의 데이터 신호의 기록 및 유지는, 주사선 구동 회로(804a)에 의하여 제어된다. 예를 들어, m행 n열째(m은 X 이하의 자연수이고, n은 Y 이하의 자연수임)의 화소 회로(801)에는, 주사선(GL_m)을 통하여 주사선 구동 회로(804a)로부터 펄스 신호가 입력되고, 주사선(GL_m)의 전위에 따라 데이터선(DL_n)을 통하여 신호선 구동 회로(804b)로부터 데이터 신호가 입력된다.
도 20의 (A)에 나타낸 보호 회로(806)는, 예를 들어 주사선 구동 회로(804a)와 화소 회로(801) 사이의 주사선(GL)에 접속된다. 또는, 보호 회로(806)는, 신호선 구동 회로(804b)와 화소 회로(801) 사이의 데이터선(DL)에 접속된다. 또는, 보호 회로(806)는, 주사선 구동 회로(804a)와 단자부(807) 사이의 배선에 접속될 수 있다. 또는, 보호 회로(806)는, 신호선 구동 회로(804b)와 단자부(807) 사이의 배선에 접속될 수 있다. 또한, 단자부(807)는, 외부 회로로부터 표시 장치에 전력, 제어 신호, 및 화상 신호를 입력하기 위한 단자를 가지는 부분을 의미한다.
보호 회로(806)는, 이 보호 회로에 접속된 배선에 특정한 범위 외의 전위가 인가되었을 때에, 이 보호 회로에 접속된 해당 배선을 다른 배선에 전기적으로 접속시키는 회로이다.
도 20의 (A)에 도시된 바와 같이, 화소부(802) 및 구동 회로부(804)에 보호 회로(806)를 제공함으로써, ESD(electrostatic discharge) 등에 의하여 발생되는 과전류에 대한 표시 장치의 내성을 향상시킬 수 있다. 또한, 보호 회로(806)의 구성은 이에 한정되지 않고, 예를 들어 보호 회로(806)가 주사선 구동 회로(804a)에 접속된 구성 또는 보호 회로(806)가 신호선 구동 회로(804b)에 접속된 구성을 채용하여도 좋다. 또는, 보호 회로(806)는 단자부(807)에 접속되어도 좋다.
도 20의 (A)에 구동 회로부(804)가 주사선 구동 회로(804a) 및 신호선 구동 회로(804b)를 포함하는 예를 나타내었지만, 구조는 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 주사선 구동 회로(804a)만을 형성하여도 좋고, 신호선 구동 회로가 형성된 별도로 준비된 기판(예를 들어, 단결정 반도체막 또는 다결정 반도체막으로 형성된 구동 회로 기판)을 실장하여도 좋다.
<화소 회로의 구조예>
도 20의 (A)에서의 복수의 화소 회로(801)의 각각은 예를 들어 도 20의 (B)에 도시된 구조를 가질 수 있다.
도 20의 (B)에 도시된 화소 회로(801)는, 트랜지스터(852 및 854), 용량 소자(862), 및 발광 소자(872)를 포함한다.
트랜지스터(852)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 한쪽은, 데이터 신호를 공급받는 배선(데이터선(DL_n))에 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(852)의 게이트 전극은, 게이트 신호를 공급받는 배선(주사선(GL_m))에 전기적으로 접속된다.
트랜지스터(852)는, 데이터 신호를 기록할지 여부를 제어하는 기능을 가진다.
용량 소자(862)의 한 쌍의 전극 중 한쪽은 전위가 공급되는 배선(이하, 전위 공급선(VL_a)이라고 함)에 전기적으로 접속되고, 다른 쪽은 트랜지스터(852)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 쪽에 전기적으로 접속된다.
용량 소자(862)는 기록된 데이터를 저장하기 위한 유지 용량으로서 기능한다.
트랜지스터(854)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 한쪽은 전위 공급선(VL_a)에 전기적으로 접속된다. 또한, 트랜지스터(854)의 게이트 전극은 트랜지스터(852)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 쪽에 전기적으로 접속된다.
발광 소자(872)의 애노드 및 캐소드 중 한쪽은 전위 공급선(VL_b)에 전기적으로 접속되고, 다른 쪽은 트랜지스터(854)의 소스 전극 및 드레인 전극 중 다른 쪽에 전기적으로 접속된다.
발광 소자(872)로서는, 실시형태 1 내지 실시형태 3에 기재된 발광 소자들 중 어느 것을 사용할 수 있다.
또한, 전위 공급선(VL_a) 및 전위 공급선(VL_b) 중 한쪽에는 고전원 전위(VDD)가 공급되고, 다른 쪽에는 저전원 전위(VSS)가 공급된다.
도 20의 (B)의 화소 회로(801)를 포함하는 표시 장치에서는 예를 들어, 도 20의 (A)의 주사선 구동 회로(804a)에 의하여 행마다 순차적으로 화소 회로(801)를 선택함으로써, 트랜지스터(852)를 온으로 하고 데이터 신호를 기록한다.
트랜지스터(852)가 오프가 되면, 데이터가 기록된 화소 회로(801)는 유지 상태가 된다. 또한, 트랜지스터(854)의 소스 전극과 드레인 전극 사이에 흐르는 전류량은, 기록된 데이터 신호의 전위에 따라 제어된다. 발광 소자(872)는 흐르는 전류의 양에 대응하는 휘도로 광을 방출한다. 이 동작을 행마다 순차적으로 행함으로써, 화상이 표시된다.
또는, 화소 회로는 트랜지스터의 문턱 전압 등의 변동을 보정하는 기능을 가질 수 있다. 도 21의 (A) 및 (B) 그리고 도 22의 (A) 및 (B)는 화소 회로의 예를 도시한 것이다.
도 21의 (A)에 도시된 화소 회로는 6개의 트랜지스터(트랜지스터(303_1 내지 303_6)), 용량 소자(304), 및 발광 소자(305)를 포함한다. 도 21의 (A)에 도시된 화소 회로는 배선(301_1 내지 301_5) 및 배선(302_1 및 302_2)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 트랜지스터(303_1 내지 303_6)로서는 예를 들어 p채널 트랜지스터를 사용할 수 있다.
도 21의 (B)에 나타낸 화소 회로는 도 21의 (A)에 나타낸 화소 회로에 트랜지스터(303_7)를 추가한 구성을 가진다. 도 21의 (B)에 도시된 화소 회로는 배선(301_6 및 301_7)에 전기적으로 접속되어 있다. 배선들(301_5 및 301_6)은 서로 전기적으로 접속되어 있어도 좋다. 또한, 트랜지스터(303_7)로서는 예를 들어 p채널 트랜지스터를 사용할 수 있다.
도 22의 (A)에 나타낸 화소 회로는 6개의 트랜지스터(트랜지스터(308_1 내지 308_6)), 용량 소자(304), 및 발광 소자(305)를 포함한다. 도 22의 (A)에 도시된 화소 회로는 배선(306_1 내지 306_3) 및 배선(307_1 내지 307_3)에 전기적으로 접속되어 있다. 배선들(306_1 및 306_3)은 서로 전기적으로 접속되어 있어도 좋다. 또한, 트랜지스터(308_1 내지 308_6)로서는 예를 들어 p채널 트랜지스터를 사용할 수 있다.
도 22의 (B)에 도시된 화소 회로는 2개의 트랜지스터(트랜지스터(309_1 및 309_2)), 2개의 용량 소자(용량 소자(304_1 및 304_2)), 및 발광 소자(305)를 포함한다. 도 22의 (B)에 도시된 화소 회로는 배선(311_1 내지 311_3) 및 배선(312_1 및 312_2)에 전기적으로 접속되어 있다. 도 22의 (B)에 도시된 화소 회로의 구성에 의하여, 화소 회로를 전압 입력 전류 구동 방식(CVCC라고도 함)에 의하여 구동시킬 수 있다. 또한, 트랜지스터(309_1 및 309_2)로서는 예를 들어 p채널 트랜지스터를 사용할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자는 표시 장치의 화소에 능동 소자가 포함되는 액티브 매트릭스 방식 또는 표시 장치의 화소에 능동 소자가 포함되지 않는 패시브 매트릭스 방식에 사용될 수 있다.
액티브 매트릭스 방식에서는 능동 소자(비선형 소자)로서, 트랜지스터뿐만 아니라 다양한 능동 소자(비선형 소자)를 사용할 수 있다. 예를 들어, MIM(metal insulator metal) 또는 TFD(thin film diode) 등을 사용할 수도 있다. 이들 소자는 적은 제작 단계 수로 형성될 수 있기 때문에, 제작 비용을 삭감할 수 있거나 또는 수율을 향상시킬 수 있다. 또는, 이들 소자의 크기는 작기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 소비전력을 저감할 수 있고 고휘도화를 달성할 수 있다.
액티브 매트릭스 방식 외의 방식으로서, 능동 소자(비선형 소자)를 사용하지 않는 패시브 매트릭스 방식을 사용할 수도 있다. 능동 소자(비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에, 제작 단계 수가 적고, 제작 비용을 삭감할 수 있거나 또는 수율을 향상시킬 수 있다. 또는, 능동 소자(비선형 소자)를 사용하지 않기 때문에, 개구율을 향상시킬 수 있어, 예를 들어 소비전력을 저감할 수 있거나 또는 고휘도화를 달성할 수 있다.
본 실시형태에 기재된 구조는 다른 임의의 실시형태에 기재된 구조와 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
(실시형태 6)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 장치, 및 상기 표시 장치에 입력 장치가 제공된 전자 기기에 대하여 도 23의 (A) 및 (B), 도 24의 (A) 내지 (C), 도 25의 (A) 및 (B), 도 26의 (A) 및 (B), 그리고 도 27을 참조하여 설명한다.
<터치 패널의 설명 1>
본 실시형태에서는 전자 기기의 예로서 표시 장치와 입력 장치를 포함하는 터치 패널(2000)에 대하여 설명한다. 또한, 입력 장치로서 터치 센서를 사용하는 예에 대하여 설명한다.
도 23의 (A) 및 (B)는 터치 패널(2000)의 사시도이다. 또한, 간략화를 위하여 도 23의 (A) 및 (B)는 터치 패널(2000)의 주된 구성 요소만을 도시하고 있다.
터치 패널(2000)은 표시 장치(2501) 및 터치 센서(2595)를 포함한다(도 23의 (B) 참조). 또한, 터치 패널(2000)은 기판(2510), 기판(2570), 및 기판(2590)을 포함한다. 기판(2510), 기판(2570), 및 기판(2590)의 각각은 가요성을 가진다. 또한, 기판들(2510, 2570, 및 2590) 중 하나 또는 모두가 가요성을 가지지 않아도 된다.
표시 장치(2501)는 기판(2510) 위의 복수의 화소, 및 화소들에 신호를 공급하는 복수의 배선(2511)을 포함한다. 복수의 배선(2511)은 기판(2510)의 외주부까지 리드되고, 복수의 배선(2511)의 일부가 단자(2519)를 형성한다. 단자(2519)는 FPC(2509(1))에 전기적으로 접속된다. 복수의 배선(2511)은 신호선 구동 회로(2503s(1))로부터의 신호를 복수의 화소에 공급할 수 있다.
기판(2590)은 터치 센서(2595), 및 터치 센서(2595)에 전기적으로 접속된 복수의 배선(2598)을 포함한다. 복수의 배선(2598)은 기판(2590)의 외주부까지 리드되고, 복수의 배선(2598)의 일부는 단자를 형성한다. 단자는 FPC(2509(2))에 전기적으로 접속된다. 또한, 도 23의 (B)에서는 명료화를 위하여, 기판(2590)의 후면 측(기판(2510)과 마주 보는 쪽)에 제공되는 터치 센서(2595)의 전극 및 배선 등을 실선으로 나타내었다.
터치 센서(2595)로서 정전 용량 터치 센서를 사용할 수 있다. 정전 용량 터치 센서의 예에는, 표면형 정전 용량 터치 센서 및 투영형 정전 용량 터치 센서가 있다.
투영형 정전 용량 터치 센서의 예로서는, 주로 구동 방법에 차이가 있는 자기 용량 터치 센서와 상호 용량 터치 센서가 있다. 상호 용량형을 사용하면, 여러 지점을 동시에 검지할 수 있게 되므로 바람직하다.
또한, 도 23의 (B)에 도시된 터치 센서(2595)는 투영형 정전 용량 터치 센서를 사용한 예이다.
또한, 터치 센서(2595)로서는, 손가락 등 검지 대상의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있는 다양한 센서를 사용할 수 있다.
투영형 정전 용량 터치 센서(2595)는 전극(2591) 및 전극(2592)을 포함한다. 전극(2591)은 복수의 배선(2598) 중 어느 것에 전기적으로 접속되고, 전극(2592)은 복수의 배선(2598) 중 다른 어느 것에 전기적으로 접속된다.
전극들(2592)의 각각은 도 23의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이, 사변형의 한 모서리가 다른 사변형의 한 모서리에 연결되어 있는, 복수의 사변형이 하나의 방향으로 배열된 형상을 가진다.
전극들(2591)의 각각은 사변형의 형상을 가지고, 전극(2592)이 연장되는 방향과 교차되는 방향으로 배열된다.
배선(2594)은 전극(2592)이 사이에 위치하는 2개의 전극(2591)을 전기적으로 접속시킨다. 전극(2592)과 배선(2594)이 교차하는 면적은 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 이러한 구조에 의하여, 전극이 제공되지 않은 영역의 면적을 축소할 수 있어, 투과율의 편차를 저감할 수 있다. 그 결과, 터치 센서(2595)를 통과하는 광의 휘도 편차를 저감할 수 있다.
또한 전극(2591) 및 전극(2592)의 형상은 이에 한정되지 않고 다양한 형상 중 임의의 것으로 할 수 있다. 예를 들어 복수의 전극(2591)을, 전극들(2591) 사이의 틈이 가능한 한 작아지도록 배치하고, 절연층을 개재하여 전극(2592)을, 전극(2591)과 중첩되지 않는 영역이 형성되도록 전극(2591)으로부터 이격하여 제공한 구조를 채용하여도 좋다. 이 경우, 인접한 2개의 전극(2592) 사이에, 이들 전극과 전기적으로 절연된 더미 전극을 제공하면 투과율이 상이한 영역의 면적을 축소할 수 있으므로 바람직하다.
<표시 장치의 설명>
다음으로 표시 장치(2501)에 대하여 도 24의 (A)를 참조하여 자세히 설명한다. 도 24의 (A)는 도 23의 (B)의 일점쇄선 X1-X2를 따라 취한 단면도에 상당한다.
표시 장치(2501)는 매트릭스로 배열된 복수의 화소를 포함한다. 화소들의 각각은 표시 소자와, 표시 소자를 구동하는 화소 회로를 포함한다.
이하의 설명에서는, 백색의 광을 방출하는 발광 소자를 표시 소자로서 사용하는 예에 대하여 설명하지만, 표시 소자는 이러한 소자에 한정되지 않는다. 예를 들어, 인접한 화소에서 상이한 색의 광이 방출될 수 있도록, 상이한 색의 광을 방출하는 발광 소자를 포함하여도 좋다.
기판(2510) 및 기판(2570)에는 예를 들어, 투습성이 1×10-5g·m-2·day-1 이하, 바람직하게는 1×10-6g·m-2·day-1 이하인 플렉시블 재료를 바람직하게 사용할 수 있다. 또는, 기판(2510) 및 기판(2570)에는 열 팽창 계수가 서로 실질적으로 같은 재료를 사용하는 것이 바람직하다. 예를 들어, 재료의 선팽창률은 바람직하게는 1×10-3/K 이하이고, 더 바람직하게는 5×10-5/K 이하이고, 더욱 바람직하게는 1×10-5/K 이하이다.
또한, 기판(2510)은 발광 소자로의 불순물 확산을 방지하는 절연층(2510a), 플렉시블 기판(2510b), 및 절연층(2510a)과 플렉시블 기판(2510b)을 서로 접합하는 접착층(2510c)을 포함하는 적층체이다. 기판(2570)은 발광 소자로의 불순물 확산을 방지하는 절연층(2570a), 플렉시블 기판(2570b), 및 절연층(2570a)과 플렉시블 기판(2570b)을 서로 접합하는 접착층(2570c)을 포함하는 적층체이다.
접착층(2510c) 및 접착층(2570c)에는 예를 들어, 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드(예를 들어, 나일론, 아라미드), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 또는 아크릴, 우레탄, 또는 에폭시를 사용할 수 있다. 또는, 실록산 결합을 가지는 수지를 포함하는 재료를 사용할 수 있다.
기판(2510)과 기판(2570) 사이에는 밀봉층(2560)이 제공된다. 밀봉층(2560)은 대기보다 높은 굴절률을 가지는 것이 바람직하다. 도 24의 (A)에 도시된 바와 같이, 광이 밀봉층(2560) 측으로 추출되는 경우에는 밀봉층(2560)은 광학 접착층으로도 기능할 수 있다.
밀봉층(2560)의 외주부에 실란트를 형성하여도 좋다. 실란트를 사용함으로써, 기판(2510), 기판(2570), 밀봉층(2560), 및 실란트로 둘러싸인 영역에 발광 소자(2550R)를 제공할 수 있다. 또한, 밀봉층(2560) 대신에 불활성 가스(질소 및 아르곤 등)를 사용하여도 좋다. 불활성 가스 내에 건조제를 제공하여, 수분 등을 흡착시켜도 좋다. 또는, 밀봉층(2560) 대신에 아크릴 또는 에폭시 등의 수지를 사용하여도 좋다. 실란트로서는 에폭시계 수지 또는 유리 프릿(glass frit)을 사용하는 것이 바람직하다. 실란트에 사용하는 재료로서는 수분 및 산소를 투과시키지 않는 재료를 사용하는 것이 바람직하다.
표시 장치(2501)는 화소(2502R)를 포함한다. 화소(2502R)는 발광 모듈(2580R)을 포함한다.
화소(2502R)는 발광 소자(2550R), 및 발광 소자(2550R)에 전력을 공급할 수 있는 트랜지스터(2502t)를 포함한다. 또한, 트랜지스터(2502t)는 화소 회로의 일부로서 기능한다. 발광 모듈(2580R)은 발광 소자(2550R) 및 착색층(2567R)을 포함한다.
발광 소자(2550R)는 하부 전극, 상부 전극, 및 하부 전극과 상부 전극 사이의 EL층을 포함한다. 발광 소자(2550R)로서는 실시형태 1 내지 실시형태 3에 기재된 발광 소자 중 임의의 것을 사용할 수 있다.
하부 전극과 상부 전극 사이에 마이크로캐비티 구조를 채용하여 특정한 파장의 광의 강도를 높여도 좋다.
밀봉층(2560)이 광 추출 측에 제공되는 경우, 밀봉층(2560)은 발광 소자(2550R) 및 착색층(2567R)과 접촉된다.
착색층(2567R)은 발광 소자(2550R)와 중첩되는 영역에 위치한다. 따라서, 발광 소자(2550R)로부터 방출되는 광의 일부는 착색층(2567R)을 통과하여 도 24의 (A)에서 화살표로 나타낸 바와 같이 발광 모듈(2580R)의 외부로 방출된다.
표시 장치(2501)는 광 추출 측에 차광층(2567BM)을 포함한다. 차광층(2567BM)은 착색층(2567R)을 둘러싸도록 제공되어 있다.
착색층(2567R)은 특정 파장 영역의 광을 투과시키는 기능을 가지는 착색층이다. 예를 들어, 적색 파장 영역의 광을 투과시키는 컬러 필터, 녹색 파장 영역의 광을 투과시키는 컬러 필터, 청색 파장 영역의 광을 투과시키는 컬러 필터, 또는 황색 파장 영역의 광을 투과시키는 컬러 필터 등을 사용할 수 있다. 각 컬러 필터는 다양한 재료 중 임의의 것을 사용하여 인쇄법, 잉크젯법, 또는 포토리소그래피 기술을 사용한 에칭법 등에 의하여 형성할 수 있다.
표시 장치(2501)에는 절연층(2521)이 제공된다. 절연층(2521)은 트랜지스터(2502t)를 덮는다. 또한, 절연층(2521)은 화소 회로에 기인한 요철을 덮는 기능을 가진다. 절연층(2521)은 불순물 확산을 억제하는 기능을 가져도 좋다. 이에 의하여 불순물 확산에 의하여 트랜지스터(2502t) 등의 신뢰성이 저하되는 것을 방지할 수 있다.
발광 소자(2550R)는 절연층(2521) 위에 형성된다. 발광 소자(2550R)의 하부 전극의 단부와 중첩되도록 칸막이(2528)가 제공된다. 또한, 기판(2510)과 기판(2570) 사이의 간격을 제어하는 스페이서를 칸막이(2528) 위에 형성하여도 좋다.
주사선 구동 회로(2503g(1))는 트랜지스터(2503t) 및 용량 소자(2503c)를 포함한다. 또한, 구동 회로를 화소 회로와 같은 공정에서 같은 기판 위에 형성할 수 있다.
기판(2510) 위에는 신호를 공급할 수 있는 배선(2511)이 제공된다. 배선(2511) 위에는 단자(2519)가 제공된다. 단자(2519)에는 FPC(2509(1))가 전기적으로 접속된다. FPC(2509(1))는 비디오 신호, 클럭 신호, 스타트 신호, 또는 리셋 신호 등을 공급하는 기능을 가진다. 또한, FPC(2509(1))에는 PWB가 제공되어도 좋다.
또한, 표시 장치(2501)에는 다양한 구조 중 임의의 것의 트랜지스터를 사용할 수 있다. 도 24의 (A)는 보텀 게이트 트랜지스터를 사용하는 예를 도시한 것이지만 본 발명은 이 예에 한정되지 않고, 도 24의 (B)에 도시된 바와 같이 톱 게이트 트랜지스터를 표시 장치(2501)에 사용하여도 좋다.
또한, 트랜지스터(2502t) 및 트랜지스터(2503t)의 극성에 대한 특별한 한정은 없다. 예를 들어, 이들 트랜지스터에는 n채널 및 p채널 트랜지스터를 사용하여도 좋고, n채널 트랜지스터 또는 p채널 트랜지스터 중 어느 한쪽을 사용하여도 좋다. 또한, 트랜지스터(2502t 및 2503t)에 사용되는 반도체막의 결정성에 대한 특별한 한정은 없다. 예를 들어, 비정질 반도체막 또는 결정성 반도체막을 사용하여도 좋다. 반도체 재료의 예에는 14족 반도체(예를 들어, 실리콘을 포함하는 반도체), 화합물 반도체(산화물 반도체를 포함함), 및 유기 반도체 등이 포함된다. 트랜지스터들(2502t 및 2503t) 중 하나 또는 양쪽 모두에 에너지 갭이 2eV 이상, 바람직하게는 2.5eV 이상, 더 바람직하게는 3eV 이상인 산화물 반도체를 사용하는 것이 바람직하고, 이로써 트랜지스터의 오프 상태 전류를 저감할 수 있다. 산화물 반도체의 예에는 In-Ga 산화물 및 In-M-Zn 산화물(M은 Al, Ga, Y, Zr, La, Ce, Sn, Hf, 또는 Nd를 나타냄) 등이 포함된다.
<터치 센서의 설명>
다음으로 터치 센서(2595)에 대하여 도 24의 (C)를 참조하여 자세히 설명한다. 도 24의 (C)는 도 23의 (B)의 일점쇄선 X3-X4를 따라 취한 단면도에 상당한다.
터치 센서(2595)는 기판(2590) 상에 스태거 패턴으로 제공된 전극(2591) 및 전극(2592), 전극(2591) 및 전극(2592)을 덮는 절연층(2593), 및 인접한 전극들(2591)을 서로 전기적으로 접속시키는 배선(2594)을 포함한다.
전극(2591) 및 전극(2592)은 투광성 도전 재료를 사용하여 형성된다. 투광성 도전 재료로서는 산화 인듐, 인듐 주석 산화물, 인듐 아연 산화물, 산화 아연, 또는 갈륨이 첨가된 산화 아연 등의 도전성 산화물을 사용할 수 있다. 또한, 그래핀을 포함하는 막을 사용할 수도 있다. 그래핀을 포함하는 막은 예를 들어 산화 그래핀을 함유하는 막을 환원하여 형성할 수 있다. 환원 방법으로서는, 가열 등의 방법을 채용할 수 있다.
전극(2591) 및 전극(2592)은 예를 들어, 스퍼터링법에 의하여 기판(2590)에 투광성 도전 재료를 퇴적한 다음, 포토리소그래피 등 다양한 패턴 형성 기술 중 임의의 것에 의하여 불필요한 부분을 제거함으로써 형성할 수 있다.
절연층(2593)의 재료의 예에는, 아크릴 수지 또는 에폭시 수지 등의 수지, 실록산 결합을 가지는 수지, 및 산화 실리콘, 산화 질화 실리콘, 또는 산화 알루미늄 등의 무기 절연 재료가 있다.
전극(2591)에 도달하는 개구가 절연층(2593)에 형성되고, 배선(2594)은 인접한 전극들(2591)을 전기적으로 접속시킨다. 투광성 도전 재료는 터치 패널의 개구율을 높일 수 있으므로 배선(2594)으로서 적합하게 사용할 수 있다. 또한, 전기 저항을 저감할 수 있기 때문에, 배선(2594)에는 전극(2591 및 2592)의 도전성보다 높은 도전성을 가지는 재료를 적합하게 사용할 수 있다.
하나의 전극(2592)이 한 방향으로 연장되고, 복수의 전극(2592)이 스트라이프 형상으로 제공된다. 배선(2594)은 전극(2592)과 교차한다.
인접한 전극들(2591)이 하나의 전극(2592)을 사이에 개재하여 제공된다. 배선(2594)은 인접한 전극들(2591)을 전기적으로 접속시킨다.
또한, 복수의 전극(2591)은 반드시 하나의 전극(2592)과 직교하는 방향으로 배치될 필요는 없고, 0도보다 크고 90도 미만의 각도로 하나의 전극(2592)과 교차하도록 배치되어도 좋다.
배선(2598)은 전극들(2591 및 2592) 중 한쪽에 전기적으로 접속된다. 배선(2598)의 일부는 단자로서 기능한다. 배선(2598)에는 알루미늄, 금, 백금, 은, 니켈, 타이타늄, 텅스텐, 크로뮴, 몰리브데넘, 철, 코발트, 구리, 또는 팔라듐 등의 금속 재료 또는 이들 금속 재료 중 어느 것을 함유하는 합금 재료를 사용할 수 있다.
또한, 절연층(2593) 및 배선(2594)을 덮는 절연층을 제공하여 터치 센서(2595)를 보호하여도 좋다.
배선(2598)과 FPC(2509(2))는 접속층(2599)에 의하여 전기적으로 접속된다.
접속층(2599)으로서는, 이방성 도전 필름(ACF: anisotropic conductive film) 및 이방성 도전 페이스트(ACP: anisotropic conductive paste) 등 중 임의의 것을 사용할 수 있다.
<터치 패널의 설명 2>
다음으로 터치 패널(2000)에 대하여 도 25의 (A)를 참조하여 자세하게 설명한다. 도 25의 (A)는 도 23의 (A)의 일점쇄선 X5-X6을 따라 취한 단면도에 상당한다.
도 25의 (A)에 도시된 터치 패널(2000)에서는, 도 24의 (A)를 참조하여 설명한 표시 장치(2501)와 도 24의 (C)를 참조하여 설명한 터치 센서(2595)가 서로 접합되어 있다.
도 25의 (A)에 도시된 터치 패널(2000)은 도 24의 (A) 및 (C)를 참조하여 설명한 구성 요소에 더하여 접착층(2597) 및 반사 방지층(2567p)을 포함한다.
접착층(2597)은 배선(2594)과 접촉하여 제공된다. 또한, 접착층(2597)에 의하여 기판(2590)이 기판(2570)에 접합되어, 터치 센서(2595)가 표시 장치(2501)와 중첩되어 있다. 접착층(2597)은 투광성을 가지는 것이 바람직하다. 접착층(2597)에는 열 경화 수지 또는 자외선 경화 수지를 사용할 수 있다. 예를 들어, 아크릴 수지, 우레탄계 수지, 에폭시계 수지, 또는 실록산계 수지를 사용할 수 있다.
반사 방지층(2567p)은 화소와 중첩되는 영역에 배치된다. 반사 방지층(2567p)으로서는, 예를 들어 원편광판을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 25의 (A)에 도시된 구조와 다른 구조를 가지는 터치 패널에 대하여 도 25의 (B)를 참조하여 설명한다.
도 25의 (B)는 터치 패널(2001)의 단면도이다. 도 25의 (B)에 도시된 터치 패널(2001)은 표시 장치(2501)에 대한 터치 센서(2595)의 위치가, 도 25의 (A)에 도시된 터치 패널(2000)과 다르다. 이하에서는 상이한 부분에 대하여 자세히 설명하고, 그 외의 비슷한 부분에 대해서는 상술한 터치 패널(2000)의 설명을 참조한다.
착색층(2567R)은 발광 소자(2550R)와 중첩되는 영역에 배치된다. 도 25의 (B)에 도시된 발광 소자(2550R)는 트랜지스터(2502t)가 제공되어 있는 측으로 광을 방출한다. 따라서, 발광 소자(2550R)로부터 방출되는 광의 일부는 착색층(2567R)을 통과하여, 도 25의 (B)에서 화살표로 나타낸 바와 같이 발광 모듈(2580R)의 외부로 방출된다.
터치 센서(2595)는 표시 장치(2501)의 기판(2510) 측에 제공된다.
접착층(2597)은 기판(2510)과 기판(2590) 사이에 제공되며, 터치 센서(2595)를 표시 장치(2501)에 접합시킨다.
도 25의 (A) 또는 (B)에 도시된 바와 같이, 광은 발광 소자로부터 기판(2510) 및 기판(2570) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 통하여 방출되어도 좋다.
<터치 패널의 구동 방법의 설명>
다음으로, 터치 패널의 구동 방법의 예에 대하여 도 26의 (A) 및 (B)를 참조하여 설명한다.
도 26의 (A)는 상호 용량 터치 센서의 구조를 도시한 블록도이다. 도 26의 (A)에는 펄스 전압 출력 회로(2601) 및 전류 검지 회로(2602)를 도시하였다. 또한, 도 26의 (A)에서, 6개의 배선(X1 내지 X6)은 펄스 전압이 인가되는 전극(2621)을 나타내고, 6개의 배선(Y1 내지 Y6)은 전류의 변화를 검출하는 전극(2622)을 나타낸다. 도 26의 (A)에는 전극들(2621 및 2622)이 서로 중첩되는 영역에 각각 형성되는 용량 소자(2603)도 도시하였다. 또한, 전극들(2621 및 2622)의 기능은 치환이 가능하다.
펄스 전압 출력 회로(2601)는 배선들(X1 내지 X6)에 펄스 전압을 순차적으로 인가하기 위한 회로이다. 배선(X1 내지 X6)에 펄스 전압이 인가됨으로써 용량 소자(2603)의 전극들(2621 및 2622) 사이에 전계가 발생된다. 이 전극들 사이의 전계가 차폐될 때, 예를 들어 용량 소자(2603)(상호 용량)에서 변화가 일어난다. 이 변화를 이용하여, 검지 대상의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있다.
전류 검지 회로(2602)는, 용량 소자(2603)에서의 상호 용량의 변화에 의하여 일어나는 배선(Y1 내지 Y6)을 통하여 흐르는 전류의 변화를 검출하기 위한 회로이다. 검지 대상의 근접 또는 접촉이 없으면 배선(Y1 내지 Y6)에서 전류 값의 변화가 검출되지 않지만, 검지 대상의 근접 또는 접촉에 의하여 상호 용량이 감소되면 전류 값의 감소가 검출된다. 또한, 전류 값의 검지에는 적분 회로 등을 사용한다.
도 26의 (B)는 도 26의 (A)에 도시된 상호 용량 터치 센서에서의 입출력 파형을 나타낸 타이밍 차트이다. 도 26의 (B)에서는 1프레임 기간에 모든 행렬에서 검지 대상의 검지가 행해진다. 도 26의 (B)는 검지 대상이 검지되지 않는 기간(비(非)터치) 및 검지 대상이 검지되는 기간(터치)을 나타낸 것이다. 도 26의 (B)에서, 검지된 배선(Y1 내지 Y6)의 전류 값은 전압 값의 파형으로서 나타내었다.
배선들(X1 내지 X6)에는 펄스 전압이 순차적으로 인가되고, 이 펄스 전압에 따라 배선들(Y1 내지 Y6)의 파형이 변화된다. 검지 대상의 근접 또는 접촉이 없는 경우에는 배선(X1 내지 X6)의 전압의 변화에 따라 배선(Y1 내지 Y6)의 파형이 변화된다. 검지 대상이 근접 또는 접촉되는 부분에서는 전류 값이 감소되기 때문에 전압 값의 파형이 변화된다.
이런 식으로 상호 용량의 변화를 검출함으로써 검지 대상의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있다.
<센서 회로의 설명>
도 26의 (A)에는 터치 센서로서 배선들의 교차부에 용량 소자(2603)만을 제공하는 패시브 매트릭스형 터치 센서를 도시하였지만 트랜지스터 및 용량 소자를 포함하는 액티브 매트릭스형 터치 센서를 사용하여도 좋다. 도 27은 액티브 매트릭스형 터치 센서에 포함되는 센서 회로의 예를 도시한 것이다.
도 27의 센서 회로는 용량 소자(2603) 및 트랜지스터(2611, 2612, 및 2613)를 포함한다.
트랜지스터(2613)의 게이트에는 신호(G2)가 입력된다. 트랜지스터(2613)의 소스 및 드레인 중 한쪽에는 전압(VRES)이 인가되고, 트랜지스터(2613)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 용량 소자(2603)의 한쪽 전극 및 트랜지스터(2611)의 게이트가 전기적으로 접속된다. 트랜지스터(2611)의 소스 및 드레인 중 한쪽은 트랜지스터(2612)의 소스 및 드레인 중 한쪽에 전기적으로 접속되고, 트랜지스터(2611)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 전압(VSS)이 인가된다. 트랜지스터(2612)의 게이트에는 신호(G1)가 입력되고, 트랜지스터(2612)의 소스 및 드레인 중 다른 쪽에는 배선(ML)이 전기적으로 접속된다. 용량 소자(2603)의 다른 쪽 전극에는 전압(VSS)이 인가된다.
다음으로, 도 27의 센서 회로의 동작에 대하여 설명한다. 먼저, 트랜지스터(2613)를 온으로 하는 전위가 신호(G2)로서 공급됨으로써, 전압(VRES)에 대응하는 전위가 트랜지스터(2611)의 게이트에 접속되는 노드(n)에 인가된다. 그리고, 트랜지스터(2613)를 오프로 하는 전위가 신호(G2)로서 인가됨으로써, 노드(n)의 전위가 유지된다.
그리고, 손가락 등 검지 대상의 근접 또는 접촉에 의하여 용량 소자(2603)의 상호 용량이 변화됨에 따라 노드(n)의 전위가 VRES에서 변화된다.
판독 동작에서, 트랜지스터(2612)를 온으로 하는 전위를 신호(G1)로서 공급한다. 노드(n)의 전위에 따라 트랜지스터(2611)를 흐르는 전류, 즉 배선(ML)을 흐르는 전류가 변화된다. 이 전류를 검지함으로써 검지 대상의 근접 또는 접촉을 검지할 수 있다.
트랜지스터들(2611, 2612, 및 2613)의 각각에는 채널 영역이 형성되는 반도체층으로서 산화물 반도체층을 사용하는 것이 바람직하다. 특히 트랜지스터(2613)로서 이러한 트랜지스터를 사용하면, 노드(n)의 전위가 오랫동안 유지될 수 있고 노드(n)에 VRES를 다시 공급하는 동작(리프레시 동작)의 빈도를 줄일 수 있으므로 바람직하다.
본 실시형태에 기재된 구조는 다른 실시형태에 기재된 구조 중 임의의 것과 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
(실시형태 7)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 포함하는 표시 모듈 및 전자 기기에 대하여 도 28, 도 29의 (A) 내지 (G), 도 30의 (A) 내지 (D), 그리고 도 31의 (A) 및 (B)를 참조하여 설명한다.
<표시 모듈의 설명>
도 28의 표시 모듈(8000)에서, 상부 커버(8001)와 하부 커버(8002) 사이에, FPC(8003)에 접속된 터치 센서(8004), FPC(8005)에 접속된 표시 장치(8006), 프레임(8009), 인쇄 기판(8010), 및 배터리(8011)가 제공되어 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자는 예를 들어, 표시 장치(8006)에 사용될 수 있다.
상부 커버(8001) 및 하부 커버(8002)의 형상 및 크기는, 터치 센서(8004) 및 표시 장치(8006)의 크기에 따라 적절히 변경될 수 있다.
터치 센서(8004)는, 저항막 방식 터치 센서 또는 정전 용량 방식 터치 센서일 수 있고, 표시 장치(8006)와 중첩하여 형성되어도 좋다. 표시 장치(8006)의 대향 기판(밀봉 기판)은 터치 센서 기능을 가질 수 있다. 광학식 터치 센서가 얻어지도록 표시 장치(8006)의 각 화소에 포토센서를 제공하여도 좋다.
프레임(8009)은 표시 장치(8006)를 보호하고, 또한 인쇄 기판(8010)의 동작에 의하여 발생되는 전자기파를 차단하기 위한 전자기 실드로도 기능한다. 프레임(8009)은 방열판(radiator plate)으로서 기능하여도 좋다.
인쇄 기판(8010)은 전원 회로와, 비디오 신호 및 클럭 신호를 출력하기 위한 신호 처리 회로를 가진다. 전원 회로에 전력을 공급하기 위한 전원으로서, 외부 상용 전원 또는 별도로 제공된 배터리(8011)를 사용하여도 좋다. 배터리(8011)는 상용 전원을 사용하는 경우에는 생략할 수 있다.
표시 모듈(8000)에, 편광판, 위상차판, 또는 프리즘 시트 등의 부재를 추가적으로 제공할 수 있다.
<전자 기기의 설명>
도 29의 (A) 내지 (G)는 전자 기기를 도시한 것이다. 전자 기기는 하우징(9000), 표시부(9001), 스피커(9003), 조작 키(9005)(전원 스위치 또는 조작 스위치를 포함함), 접속 단자(9006), 센서(9007)(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 소리, 시간, 경도, 전계, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 기울기, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정 또는 검지하는 기능을 가지는 센서), 및 마이크로폰(9008) 등을 포함할 수 있다. 또한, 센서(9007)는 맥박 센서 및 지문 센서와 같이 생체 정보를 측정하는 기능을 가져도 좋다.
도 29의 (A) 내지 (G)에 도시된 전자 기기는, 예를 들어 다양한 데이터(정지 화상, 동영상, 및 텍스트 화상 등)를 표시부에 표시하는 기능, 터치 센서 기능, 달력, 날짜, 및 시간 등을 표시하는 기능, 다양한 소프트웨어(프로그램)로 처리를 제어하는 기능, 무선 통신 기능, 무선 통신 기능으로 다양한 컴퓨터 네트워크에 접속되는 기능, 무선 통신 기능으로 다양한 데이터를 송수신하는 기능, 및 기억 매체에 저장된 프로그램 또는 데이터를 판독하고 표시부에 프로그램 또는 데이터를 표시하는 기능 등의 다양한 기능을 가질 수 있다. 또한, 도 29의 (A) 내지 (G)에 도시된 전자 기기에 제공될 수 있는 기능은 상술한 것에 한정되지 않고, 전자 기기는 다양한 기능을 가질 수 있다. 도 29의 (A) 내지 (G)에 도시되어 있지 않지만, 전자 기기는 복수의 표시부를 포함하여도 좋다. 전자 기기는 카메라 등을 가져도 좋고, 정지 화상을 촬영하는 기능, 동영상을 촬영하는 기능, 촬영한 화상을 기억 매체(외부 기억 매체 또는 카메라에 포함되는 기억 매체)에 저장하는 기능, 또는 촬영한 화상을 표시부에 표시하는 기능 등을 가져도 좋다.
도 29의 (A) 내지 (G)에 도시된 전자 기기에 대하여 이하에서 자세히 설명한다.
도 29의 (A)는 휴대 정보 단말기(9100)의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9100)의 표시부(9001)는 플렉시블하다. 그러므로, 구부러진 하우징(9000)의 곡면을 따라 표시부(9001)를 제공할 수 있다. 또한, 표시부(9001)는 터치 센서를 포함하고, 손가락 또는 스타일러스 등으로 화면을 터치함으로써 조작을 행할 수 있다. 예를 들어, 표시부(9001)에 표시된 아이콘을 터치하여 애플리케이션을 기동할 수 있다.
도 29의 (B)는 휴대 정보 단말기(9101)의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9101)는 예를 들어, 전화기, 노트, 및 정보 열람 시스템 중 하나 이상으로서 기능한다. 구체적으로는, 휴대 정보 단말기는 스마트폰으로서 사용할 수 있다. 또한, 도 29의 (B)에 도시되지 않은 스피커(9003), 접속 단자(9006), 및 센서(9007) 등을, 도 29의 (A)에 나타낸 휴대 정보 단말기(9100)와 같이 휴대 정보 단말기(9101)에 배치할 수 있다. 휴대 정보 단말기(9101)는 문자 및 화상 정보를 그 복수의 면에 표시할 수 있다. 예를 들어, 3개의 조작 버튼(9050)(조작 아이콘 또는 간단하게 아이콘이라고도 함)을 표시부(9001)의 하나의 면에 표시할 수 있다. 또한, 파선의 직사각형으로 나타낸 정보(9051)를 표시부(9001)의 다른 면에 표시할 수 있다. 정보(9051)의 예에는, 이메일, SNS(social networking service) 메시지, 및 전화 등의 수신을 알리는 표시; 이메일 및 SNS 메시지의 제목 및 송신자; 날짜; 시각; 배터리의 잔량; 및 안테나의 수신 강도가 포함된다. 정보(9051)가 표시되는 위치에, 정보(9051) 대신에 조작 버튼(9050) 등을 표시하여도 좋다.
도 29의 (C)는 휴대 정보 단말기(9102)의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9102)는 표시부(9001)의 3개 이상의 면에 정보를 표시하는 기능을 가진다. 여기서는, 정보(9052), 정보(9053), 및 정보(9054)가 상이한 면에 표시되어 있다. 예를 들어, 휴대 정보 단말기(9102)의 사용자는, 자신 옷의 가슴 포켓에 휴대 정보 단말기(9102)를 넣은 상태로 표시(여기서는 정보(9053))를 볼 수 있다. 구체적으로는, 착신한 전화의 발신자의 전화 번호 또는 이름 등을, 휴대 정보 단말기(9102)의 상방에서 볼 수 있는 위치에 표시한다. 따라서 사용자는, 휴대 정보 단말기(9102)를 포켓에서 꺼내지 않고 표시를 보고, 전화를 받을지 여부를 결정할 수 있다.
도 29의 (D)는 손목시계형 휴대 정보 단말기(9200)의 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9200)는 이동 전화, 이메일, 문장의 열람 및 편집, 음악 재생, 인터넷 통신, 및 컴퓨터 게임 등의 다양한 애플리케이션을 실행할 수 있다. 표시부(9001)의 표시면이 구부러져 있고, 구부러진 표시면에 화상이 표시될 수 있다. 휴대 정보 단말기(9200)는, 기존의 통신 표준에 따른 통신 방식인 근거리 무선 통신을 채용할 수 있다. 그 경우, 예를 들어 휴대 정보 단말기(9200)와 무선 통신이 가능한 헤드셋 간의 상호 통신을 행할 수 있어 핸즈프리 통화가 가능하다. 휴대 정보 단말기(9200)는 접속 단자(9006)를 포함하고, 커넥터를 통하여 다른 정보 단말기에 데이터를 직접 송신하거나, 다른 정보 단말기로부터 데이터를 직접 수신할 수 있다. 접속 단자(9006)를 통한 충전이 가능하다. 또한, 접속 단자(9006)를 사용하지 않고 무선 급전에 의하여 충전 동작을 행하여도 좋다.
도 29의 (E), (F), 및 (G)는 폴더블 휴대 정보 단말기(9201)의 사시도이다. 도 29의 (E)는 펼친 휴대 정보 단말기(9201)를 도시한 사시도이다. 도 29의 (F)는 펼치고 있는 중 또는 접고 있는 중의 휴대 정보 단말기(9201)를 도시한 사시도이다. 도 29의 (G)는, 접은 휴대 정보 단말기(9201)를 도시한 사시도이다. 휴대 정보 단말기(9201)는, 접었을 때 휴대가 매우 쉽다. 휴대 정보 단말기(9201)를 펼치면, 이음매 없는 큰 표시 영역의 일람성이 높다. 휴대 정보 단말기(9201)의 표시부(9001)는, 힌지(9055)에 의하여 연결된 3개의 하우징(9000)에 의하여 지지된다. 힌지(9055)를 이용하여 2개의 하우징(9000) 사이의 연결부에서 휴대 정보 단말기(9201)를 접음으로써, 휴대 정보 단말기(9201)를, 펼친 상태에서 접은 상태로 가역적으로 변형할 수 있다. 예를 들어, 휴대 정보 단말기(9201)는 곡률 반경 1mm 이상 150mm 이하로 구부릴 수 있다.
전자 기기의 예에는 텔레비전 장치(텔레비전 또는 텔레비전 수신기라고도 함), 컴퓨터 등의 모니터, 디지털 카메라 또는 디지털 비디오 카메라 등의 카메라, 디지털 포토 프레임, 휴대 전화기(휴대 전화 또는 휴대 전화 장치라고도 함), 고글형 디스플레이(헤드 마운티드 디스플레이), 휴대형 게임기, 휴대 정보 단말기, 음향 재생 장치, 및 파친코기 등의 대형 게임기가 있다.
도 30의 (A)는 텔레비전 장치의 예를 도시한 것이다. 텔레비전 장치(9300)에서, 하우징(9000)에 표시부(9001)가 제공되어 있다. 여기서는 하우징(9000)이 스탠드(9301)에 의하여 지지되어 있다.
도 30의 (A)에 도시된 텔레비전 장치(9300)는 하우징(9000)의 조작 스위치 또는 별체의 리모컨(9311)으로 조작될 수 있다. 표시부(9001)는 터치 센서를 포함하여도 좋다. 텔레비전 장치(9300)는 손가락 등으로 표시부(9001)를 터치함으로써 조작될 수 있다. 리모컨(9311)에는 상기 리모컨(9311)으로부터 출력되는 데이터를 표시하기 위한 표시부가 제공되어 있어도 좋다. 리모컨(9311)의 조작 키 또는 터치 패널에 의하여, 채널 또는 음량을 제어할 수 있고, 표시부(9001)에 표시되는 화상을 제어할 수 있다.
텔레비전 장치(9300)에는 수신기 또는 모뎀 등이 제공된다. 수신기에 의하여 일반 텔레비전 방송을 수신할 수 있다. 텔레비전 장치를 모뎀을 통하여 유선 또는 무선으로 통신 네트워크에 접속함으로써, 단방향(송신자로부터 수신자) 또는 쌍방향(송신자와 수신자 사이 또는 수신자들 사이)의 데이터 통신을 행할 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기 또는 조명 장치는 가요성을 가지기 때문에, 집 또는 빌딩의 내벽/외벽의 곡면, 또는 자동차의 내장/외장의 곡면을 따라 제공될 수 있다.
도 30의 (B)는 자동차(9700)의 외관도이다. 도 30의 (C)는 자동차(9700)의 운전석을 도시한 것이다. 자동차(9700)는 차체(9701), 차륜(9702), 대시보드(9703), 및 라이트(9704) 등을 포함한다. 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치 또는 발광 장치 등은 자동차(9700)의 표시부 등에 사용될 수 있다. 예를 들어, 도 30의 (C)에 도시된 표시부(9710 내지 9715)에 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치 또는 발광 장치 등을 사용할 수 있다.
표시부(9710) 및 표시부(9711)의 각각은 자동차의 앞유리에 제공된 표시 장치이다. 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치 또는 발광 장치 등은 그 전극 및 배선에 투광성 도전 재료를 사용함으로써, 반대 측이 비쳐 보이는 시스루 표시 장치로 할 수 있다. 이러한 시스루 표시부(9710 또는 9711)는 자동차(9700)의 운전 중에 운전자의 시계(視界)를 방해하지 않는다. 그러므로, 본 발명의 일 형태에 따른 표시 장치 또는 발광 장치 등은 자동차(9700)의 앞유리에 제공될 수 있다. 또한, 표시 장치 또는 발광 장치 등을 구동시키기 위한 트랜지스터 등을 제공하는 경우에는, 유기 반도체 재료를 사용한 유기 트랜지스터 또는 산화물 반도체를 사용한 트랜지스터 등 투광성을 가지는 트랜지스터를 사용하는 것이 바람직하다.
표시부(9712)는 필러 부분에 제공된 표시 장치이다. 예를 들어, 차체에 제공된 촬상 수단에 의하여 취득된 화상을 표시부(9712)에 표시함으로써, 필러 부분에 가려지는 시계를 보완할 수 있다. 표시부(9713)는 대시보드에 제공된 표시 장치이다. 예를 들어, 차체에 제공된 촬상 수단에 의하여 취득된 화상을 표시부(9713)에 표시함으로써, 대시보드에 가려지는 시계를 보완할 수 있다. 즉, 자동차의 외측에 제공된 촬상 수단에 의하여 취득된 화상을 표시함으로써, 사각을 없앨 수 있고, 안전성을 높일 수 있다. 운전자가 볼 수 없는 부분을 보완하는 화상을 표시함으로써, 운전자는 더 쉽게 또 편하게 안전을 확인할 수 있다.
도 30의 (D)는 운전석과 조수석에 벤치 시트를 사용한 자동차 안을 도시한 것이다. 표시부(9721)는 도어 부분에 제공된 표시 장치이다. 예를 들어, 차체에 제공된 촬상 수단에 의하여 취득한 화상을 표시부(9721)에 표시함으로써, 도어에 가려지는 시계를 보완할 수 있다. 표시부(9722)는 핸들에 제공된 표시 장치이다. 표시부(9723)는 벤치 시트의 시트면 중앙부에 제공된 표시 장치이다. 또한, 표시 장치를 시트면 또는 등받이에 제공함으로써, 또한 이 표시 장치의 발열을 열원으로서 사용함으로써 표시 장치를 시트 히터로서 사용할 수 있다.
표시부(9714), 표시부(9715), 및 표시부(9722)는 내비게이션 데이터, 속도계, 태코미터(tachometer), 주행 거리, 연료 미터, 기어 시프트 인디케이터, 및 에어컨디셔너의 설정 등 다양한 종류의 정보를 제공할 수 있다. 표시부의 표시의 항목 또는 레이아웃 등은 사용자가 적절히 자유로이 변경할 수 있다. 상술한 정보를 표시부(9710 내지 9713, 9721, 및 9723)에 표시할 수도 있다. 표시부(9710 내지 9715 및 9721 내지 9723)는 조명 장치로서 사용할 수도 있다. 표시부(9710 내지 9715 및 9721 내지 9723)는 가열 장치로서 사용할 수도 있다.
또한, 본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기는 이차 전지를 포함하여도 좋다. 이차 전지는 비접촉 전력 전송에 의하여 충전될 수 있는 것이 바람직하다.
이차 전지의 예에는 겔 전해질을 사용한 리튬 폴리머 전지(리튬 이온 폴리머 전지) 등의 리튬 이온 이차 전지, 리튬 이온 전지, 니켈 수소 전지, 니켈 카드뮴 전지, 유기 라디칼 전지, 납 축전지, 공기 이차 전지, 니켈 아연 전지, 및 은 아연 전지가 포함된다.
본 발명의 일 형태에 따른 전자 기기는 안테나를 포함하여도 좋다. 신호가 안테나에 의하여 수신되면, 전자 기기는 화상 또는 데이터 등을 표시부에 표시할 수 있다. 전자 기기가 이차 전지를 포함하는 경우, 안테나를 비접촉 전력 전송에 사용하여도 좋다.
도 31의 (A) 및 (B)에 도시된 표시 장치(9500)는 복수의 표시 패널(9501), 축부(9511), 및 베어링(9512)을 포함한다. 복수의 표시 패널(9501)의 각각은 표시 영역(9502) 및 광 투과 영역(9503)을 포함한다.
복수의 표시 패널(9501)의 각각은 플렉시블하다. 인접한 2개의 표시 패널(9501)은 서로 부분적으로 중첩되도록 제공된다. 예를 들어, 인접한 2개의 표시 패널(9501)의 광 투과 영역들(9503)을 서로 중첩시킬 수 있다. 복수의 표시 패널(9501)을 이용하여 큰 화면을 가지는 표시 장치를 얻을 수 있다. 이 표시 장치는 용도에 따라 표시 패널(9501)을 말 수 있기 때문에 범용성이 높다.
또한, 도 31의 (A) 및 (B)에서는 인접한 표시 패널들(9501)의 표시 영역들(9502)이 서로 분리되어 있지만 이 구조에 한정되지 않고, 예를 들어 인접한 표시 패널들(9501)의 표시 영역들(9502)을 틈 없이 서로 중첩시켜 연속적인 표시 영역(9502)을 얻어도 좋다.
본 실시형태에 기재된 전자 기기들의 각각은 어떤 종류의 데이터를 표시하기 위한 표시부를 포함한다. 또한, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자는, 표시부를 가지지 않는 전자 기기에도 사용될 수 있다. 본 실시형태에 기재된 전자 기기의 표시부가 플렉시블하고, 구부러진 표시면에 표시를 행할 수 있는 구조, 또는 전자 기기의 표시부가 폴더블인 구조를 예시하였지만, 구조는 이에 한정되지 않고, 전자 기기의 표시부가 플렉시블하지 않고 평면부에 표시를 행하는 구조를 채용하여도 좋다.
본 실시형태에 기재된 구조는 다른 임의의 실시형태에 기재된 구조와 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
(실시형태 8)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 포함하는 발광 장치에 대하여 도 32의 (A) 내지 (C) 및 도 33의 (A) 내지 (D)를 참조하여 설명한다.
도 32의 (A)는 본 실시형태에 나타낸 발광 장치(3000)의 사시도이고, 도 32의 (B)는 도 32의 (A)의 일점쇄선 E-F를 따라 취한 단면도이다. 또한, 도 32의 (A)에서는 도면의 복잡함을 피하기 위하여 구성 요소의 일부를 파선으로 표시하였다.
도 32의 (A) 및 (B)에 도시된 발광 장치(3000)는 기판(3001), 기판(3001) 위의 발광 소자(3005), 발광 소자(3005)의 외주에 제공된 제 1 밀봉 영역(3007), 및 제 1 밀봉 영역(3007)의 외주에 제공된 제 2 밀봉 영역(3009)을 포함한다.
광은 발광 소자(3005)로부터 기판(3001) 및 기판(3003) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 통하여 방출된다. 도 32의 (A) 및 (B)에는 발광 소자(3005)로부터 광이 아래쪽(기판(3001) 측)으로 방출되는 구조를 도시하였다.
도 32의 (A) 및 (B)에 도시된 바와 같이 발광 장치(3000)는 발광 소자(3005)가 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009)으로 둘러싸이는 이중 밀봉 구조를 가진다. 이중 밀봉 구조에 의하여, 외부로부터 발광 소자(3005)에 불순물(예를 들어, 물 및 산소 등)이 들어가는 것을 바람직하게 억제할 수 있다. 또한, 반드시 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009)의 양쪽 모두를 제공할 필요는 없다. 예를 들어, 제 1 밀봉 영역(3007)만을 제공하여도 좋다.
또한, 도 32의 (B)에서 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009)의 각각은 기판(3001) 및 기판(3003)과 접촉하여 제공되어 있다. 그러나, 이러한 구조에 한정되지 않고, 예를 들어 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 기판(3001) 상에 제공되는 절연막 또는 도전막과 접촉하도록 제공하여도 좋다. 또는, 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009) 중 한쪽 또는 양쪽 모두를 기판(3003) 상에 제공되는 절연막 또는 도전막과 접촉하도록 제공하여도 좋다.
기판(3001) 및 기판(3003)은 각각 실시형태 3에 기재된 기판(200) 및 기판(220)과 비슷한 구조를 가질 수 있다. 발광 소자(3005)는 상술한 실시형태에 기재된 발광 소자 중 임의의 것과 비슷한 구조를 가질 수 있다.
제 1 밀봉 영역(3007)에는 유리를 함유하는 재료(예를 들어, 유리 프릿 및 유리 리본 등)를 사용할 수 있다. 제 2 밀봉 영역(3009)에는 수지를 함유하는 재료를 사용할 수 있다. 제 1 밀봉 영역(3007)에 유리를 함유하는 재료를 사용함으로써, 생산성 및 밀봉성을 향상시킬 수 있다. 또한, 제 2 밀봉 영역(3009)에 수지를 함유하는 재료를 사용함으로써, 내충격성 및 내열성을 향상시킬 수 있다. 다만, 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009)에 사용하는 재료는 이러한 것에 한정되지 않고, 수지를 함유하는 재료를 사용하여 제 1 밀봉 영역(3007)을 형성하고, 유리를 함유하는 재료를 사용하여 제 2 밀봉 영역(3009)을 형성하여도 좋다.
유리 프릿은 예를 들어, 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 스트론튬, 산화 바륨, 산화 세슘, 산화 소듐, 산화 포타슘, 산화 붕소, 산화 바나듐, 산화 아연, 산화 텔루륨, 산화 알루미늄, 이산화 실리콘, 산화 납, 산화 주석, 산화 인, 산화 루테늄, 산화 로듐, 산화 철, 산화 구리, 이산화 망가니즈, 산화 몰리브데넘, 산화 나이오븀, 산화 타이타늄, 산화 텅스텐, 산화 비스무트, 산화 지르코늄, 산화 리튬, 산화 안티모니, 납 붕산염 유리, 인산 주석 유리, 바나듐산염 유리, 또는 붕규산염 유리를 함유하여도 좋다. 유리 프릿은 적외광을 흡수하기 위하여 적어도 1종류의 전이 금속을 함유하는 것이 바람직하다.
상술한 유리 프릿으로서는, 예를 들어 기판에 프릿 페이스트를 도포하고, 가열 처리 또는 레이저 광 조사 등을 행한다. 프릿 페이스트는 상기 유리 프릿과, 유기 용매로 희석된 수지(바인더라고도 함)를 함유한다. 또한, 유리 프릿에 레이저 광의 파장의 광을 흡수하는 흡수제를 첨가하여도 좋다. 예를 들어, 레이저로서는 Nd:YAG 레이저 또는 반도체 레이저를 사용하는 것이 바람직하다. 레이저 광의 형상은 원형이어도 좋고 사각형이어도 좋다.
상술한 수지를 함유하는 재료로서는, 예를 들어 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드(예를 들어, 나일론, 아라미드), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, 우레탄, 에폭시 수지, 또는 실록산 결합을 가지는 수지를 포함하는 재료를 사용할 수 있다.
또한, 제 1 밀봉 영역(3007) 및 제 2 밀봉 영역(3009) 중 한쪽 또는 양쪽 모두에 유리를 함유하는 재료를 사용하는 경우, 상기 유리를 함유하는 재료는 기판(3001)과 가까운 열 팽창률을 가지는 것이 바람직하다. 상술한 구조에 의하여 열응력으로 인하여 유리를 함유하는 재료 또는 기판(3001)에 크랙이 생기는 것을 억제할 수 있다.
예를 들어, 제 1 밀봉 영역(3007)에 유리를 함유하는 재료를 사용하고 제 2 밀봉 영역(3009)에 수지를 함유하는 재료를 사용하는 경우, 다음과 같은 유리한 효과를 얻을 수 있다.
제 2 밀봉 영역(3009)은 제 1 밀봉 영역(3007)보다, 발광 장치(3000)의 외주부에 가깝게 제공된다. 발광 장치(3000)에서는 외주부를 향할수록 외력 등에 의한 변형이 커진다. 그러므로, 더 큰 변형이 생기는 발광 장치(3000)의 외주부, 즉 제 2 밀봉 영역(3009)을, 수지를 함유하는 재료를 사용하여 밀봉하고, 제 2 밀봉 영역(3009)보다 내측에 제공되는 제 1 밀봉 영역(3007)을 유리를 함유하는 재료를 사용하여 밀봉함으로써, 외력 등으로 인한 변형이 생겨도 발광 장치(3000)가 손상되기 어려워진다.
또한, 도 32의 (B)에 도시된 바와 같이 제 1 영역(3011)은 기판(3001), 기판(3003), 제 1 밀봉 영역(3007), 및 제 2 밀봉 영역(3009)으로 둘러싸인 영역에 상당한다. 제 2 영역(3013)은 기판(3001), 기판(3003), 발광 소자(3005), 및 제 1 밀봉 영역(3007)으로 둘러싸인 영역에 상당한다.
제 1 영역(3011) 및 제 2 영역(3013)은 희가스 또는 질소 가스 등의 불활성 가스, 혹은 아크릴 또는 에폭시 등의 수지 등으로 충전되는 것이 바람직하다. 또한, 제 1 영역(3011) 및 제 2 영역(3013)에 대해서는 대기압 상태보다 감압 상태가 바람직하다.
도 32의 (C)는 도 32의 (B)의 구조의 변형예를 도시한 것이다. 도 32의 (C)는 발광 장치(3000)의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 32의 (C)는 기판(3003)의 일부에 제공된 오목부에 건조제(3018)를 제공하는 구조를 도시한 것이다. 그 외의 구성 요소는 도 32의 (B)에 도시된 구조와 같다.
건조제(3018)로서는, 화학 흡착에 의하여 수분 등을 흡착하는 물질 또는 물리 흡착에 의하여 수분 등을 흡착하는 물질을 사용할 수 있다. 건조제(3018)로서 사용할 수 있는 물질의 예에는 알칼리 금속 산화물, 알칼리 토금속 산화물(예를 들어, 산화 칼슘 및 산화 바륨 등), 황산염, 금속 할로젠화물, 과염소산염, 제올라이트, 및 실리카겔 등이 포함된다.
다음으로 도 32의 (B)에 도시된 발광 장치(3000)의 변형예에 대하여 도 33의 (A) 내지 (D)를 참조하여 설명한다. 또한, 도 33의 (A) 내지 (D)는 도 32의 (B)에 도시된 발광 장치(3000)의 변형예를 도시한 단면도이다.
도 33의 (A) 내지 (D)에 도시된 발광 장치들의 각각에서는, 제 2 밀봉 영역(3009)이 제공되지 않고, 제 1 밀봉 영역(3007)만이 제공되어 있다. 또한, 도 33의 (A) 내지 (D)에 도시된 발광 장치들의 각각에서는, 도 32의 (B)에 도시된 제 2 영역(3013) 대신에 영역(3014)이 제공되어 있다.
영역(3014)에는, 예를 들어 폴리에스터, 폴리올레핀, 폴리아마이드(예를 들어, 나일론 또는 아라미드), 폴리이미드, 폴리카보네이트, 아크릴 수지, 에폭시 수지, 우레탄, 에폭시 수지, 또는 실록산 결합을 가지는 수지를 포함하는 재료를 사용할 수 있다.
영역(3014)에 상술한 재료를 사용하면, 소위 고체 밀봉의 발광 장치를 얻을 수 있다.
도 33의 (B)에 도시된 발광 장치에서는 도 33의 (A)에 도시된 발광 장치의 기판(3001) 측에 기판(3015)이 제공되어 있다.
도 33의 (B)에 도시된 바와 같이 기판(3015)은 요철을 가진다. 요철을 가지는 기판(3015)을 발광 소자(3005)로부터 방출되는 광이 추출되는 측에 제공하는 구조에 의하여, 발광 소자(3005)로부터의 광의 추출 효율을 향상시킬 수 있다. 또한, 도 33의 (B)에 도시된 요철을 가지는 구조 대신에, 확산판으로서의 기능을 가지는 기판을 제공하여도 좋다.
도 33의 (C)에 도시된 발광 장치에서는, 광이 기판(3001) 측을 통하여 추출되는 도 33의 (A)에 도시된 발광 장치와 달리, 광이 기판(3003) 측을 통하여 추출된다.
도 33의 (C)에 도시된 발광 장치는 기판(3003) 측에 기판(3015)을 포함한다. 그 외의 구성 요소는 도 33의 (B)에 도시된 발광 장치와 같다.
도 33의 (D)에 도시된 발광 장치에서는, 도 33의 (C)에 도시된 발광 장치에 포함되는 기판(3003) 및 기판(3015)이 제공되지 않고, 기판(3016)이 제공되어 있다.
기판(3016)은 발광 소자(3005)에 가깝게 위치하는 제 1 요철 및 발광 소자(3005)로부터 떨어져 위치하는 제 2 요철을 포함한다. 도 33의 (D)에 도시된 구조에 의하여 발광 소자(3005)로부터의 광의 추출 효율을 더 향상시킬 수 있다.
그러므로, 본 실시형태에 기재된 구조를 사용함으로써 수분 및 산소 등의 불순물로 인한 발광 소자의 열화가 억제된 발광 장치를 제공할 수 있다. 또는, 본 실시형태에 기재된 구조에 의하여 광의 추출 효율이 높은 발광 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에 기재된 구조는 다른 임의의 실시형태에 기재된 구조와 적절히 조합될 수 있다.
(실시형태 9)
본 실시형태에서는 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 다양한 조명 장치 및 전자 기기에 사용하는 예에 대하여 도 34의 (A) 내지 (C) 및 도 35를 참조하여 설명한다.
가요성을 가지는 기판 위에 제작된 본 발명의 일 형태에 따른 발광 소자를 사용하여, 곡면을 가진 발광 영역을 가지는 전자 기기 또는 조명 장치를 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 일 형태를 적용한 발광 장치는 자동차의 조명에도 적용될 수 있고, 그 예에는 대시보드, 앞유리, 및 천장 등의 조명이 있다.
도 34의 (A)는 다기능 단말기(3500)의 하나의 면을 도시한 사시도이고, 도 34의 (B)는 다기능 단말기(3500)의 다른 하나의 면을 도시한 사시도이다. 다기능 단말기(3500)의 하우징(3502)에는 표시부(3504), 카메라(3506), 및 조명(3508) 등이 제공되어 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치는 조명(3508)에 사용될 수 있다.
본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 포함하는 조명(3508)은 면 광원으로서 기능한다. 그러므로 조명(3508)은 LED로 대표되는 점 광원과 달리, 지향성이 낮은 발광을 제공할 수 있다. 예를 들어, 조명(3508)과 카메라(3506)를 조합하여 사용하면, 조명(3508)의 점등 또는 점멸을 이용하여 카메라(3506)에 의하여 촬상을 행할 수 있다. 조명(3508)은 면 광원으로서 기능하기 때문에 자연광 하에서 찍은 듯한 사진을 찍을 수 있다.
또한, 도 34의 (A) 및 (B)에 도시된 다기능 단말기(3500)는 도 29의 (A) 내지 (G)에 도시된 전자 기기와 같이 다양한 기능을 가질 수 있다.
하우징(3502)은 스피커, 센서(힘, 변위, 위치, 속도, 가속도, 각속도, 회전수, 거리, 광, 액체, 자기, 온도, 화학 물질, 소리, 시간, 경도, 전계, 전류, 전압, 전력, 방사선, 유량, 습도, 기울기, 진동, 냄새, 또는 적외선을 측정하는 기능을 가지는 센서), 및 마이크로폰 등을 포함할 수 있다. 자이로스코프 또는 가속도 센서 등의 기울기를 검출하는 센서를 포함하는 검출 장치를 다기능 단말기(3500) 내부에 제공하면, 다기능 단말기(3500)의 방향(다기능 단말기가 가로 모드가 되도록 수평으로 놓여 있는지 또는 세로 모드가 되도록 수직으로 놓여 있는지)을 판단하여 표시부(3504)의 화면 표시를 자동적으로 전환할 수 있다.
표시부(3504)는 이미지 센서로서 기능하여도 좋다. 예를 들어, 표시부(3504)가 손바닥 또는 손가락으로 터치되었을 때에 장문 또는 지문 등의 화상을 찍음으로써, 개인 인증을 행할 수 있다. 또한, 근적외광을 방출하는 백라이트 또는 센싱용 광원을 표시부(3504)에 제공함으로써 손가락 정맥 또는 손바닥 정맥 등의 화상을 찍을 수 있다. 또한, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 표시부(3504)에 사용하여도 좋다.
도 34의 (C)는 보안등(3600)의 사시도이다. 보안등(3600)은 하우징(3602) 외측에 조명(3608)을 포함하고, 하우징(3602)에는 스피커(3610) 등이 제공되어 있다. 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 조명(3608)에 사용할 수 있다.
보안등(3600)은 예를 들어, 조명(3608)을 잡거나 쥐었을 때에 광을 방출한다. 하우징(3602)에는 보안등(3600)으로부터의 발광 방식을 제어할 수 있는 전자 회로가 제공되어도 좋다. 전자 회로는 1회 또는 간헐적으로 여러 번의 발광을 가능하게 하는 회로이어도 좋고, 발광의 전류값을 제어함으로써 발광량을 조정할 수 있는 회로이어도 좋다. 조명(3608)으로부터의 발광과 동시에 스피커(3610)로부터 대음량의 음향 경보가 출력되도록 하는 회로가 제공되어도 좋다.
보안등(3600)은 다양한 방향으로 광을 방출할 수 있기 때문에 광, 또는 광과 소리로 폭한 등에게 겁을 줄 수 있다. 또한, 보안등(3600)은 디지털 스틸 카메라 등의 카메라를 포함하여 사진 촬영 기능을 가져도 좋다.
도 35는 상기 발광 소자를 실내 조명 장치(8501)에 사용한 예를 도시한 것이다. 상기 발광 소자는 보다 대면적으로 할 수 있기 때문에 대면적의 조명 장치를 형성할 수도 있다. 또한, 곡면을 가지는 하우징을 사용함으로써, 발광 영역이 곡면을 가지는 조명 장치(8502)를 형성할 수도 있다. 본 실시형태에 기재된 발광 소자는 박막 형태이기 때문에 하우징을 더 자유로이 설계하는 것이 가능하다. 그러므로, 조명 장치를 다양한 형태로 정교하게 설계할 수 있다. 또한, 방의 벽에 대형 조명 장치(8503)를 제공하여도 좋다. 조명 장치의 전원 온/오프를 제어하기 위하여 조명 장치(8501, 8502, 및 8503)에 터치 센서를 제공하여도 좋다.
또한, 발광 소자를 테이블 표면 측에 사용하면 테이블로서의 기능을 가지는 조명 장치(8504)를 얻을 수 있다. 발광 소자를 다른 가구의 일부로서 사용하면 그 가구로서의 기능을 가지는 조명 장치를 얻을 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 일 형태에 따른 발광 장치를 적용함으로써 조명 장치 및 전자 기기를 얻을 수 있다. 또한, 상기 발광 장치는 본 실시형태에 기재된 조명 장치 및 전자 기기에 한정되지 않고, 다양한 분야의 전자 기기에 사용될 수 있다.
또한, 본 실시형태에 기재된 구조는 다른 실시형태에 기재된 임의의 구조와 적절히 조합하여 사용될 수 있다.
100: EL층, 101: 전극, 101a: 도전층, 101b: 도전층, 101c: 도전층, 102: 전극, 103: 전극, 103a: 도전층, 103b: 도전층, 104: 전극, 104a: 도전층, 104b: 도전층, 111: 정공 주입층, 112: 정공 수송층, 113: 전자 수송층, 114: 전자 주입층, 123B: 발광층, 123G: 발광층, 123R: 발광층, 130: 발광층, 131: 고분자 재료, 131_1: 골격, 131_2: 골격, 131_3: 골격, 131_4: 골격, 132: 게스트 재료, 140: 발광층, 141: 고분자 재료, 141_1: 골격, 141_2: 골격, 141_3: 골격, 141_4: 골격, 142: 게스트 재료, 145: 격벽, 150: 발광 소자, 152: 발광 소자, 170: 발광층, 200: 기판, 220: 기판, 221B: 영역, 221G: 영역, 221R: 영역, 222B: 영역, 222G: 영역, 222R: 영역, 223: 차광층, 224B: 광학 소자, 224G: 광학 소자, 224R: 광학 소자, 260a: 발광 소자, 260b: 발광 소자, 262a: 발광 소자, 262b: 발광 소자, 301_1: 배선, 301_5: 배선, 301_6: 배선, 301_7: 배선, 302_1: 배선, 302_2: 배선, 303_1: 트랜지스터, 303_6: 트랜지스터, 303_7: 트랜지스터, 304: 용량 소자, 304_1: 용량 소자, 304_2: 용량 소자, 305: 발광 소자, 306_1: 배선, 306_3: 배선, 307_1: 배선, 307_3: 배선, 308_1: 트랜지스터, 308_6: 트랜지스터, 309_1: 트랜지스터, 309_2: 트랜지스터, 311_1: 배선, 311_3: 배선, 312_1: 배선, 312_2: 배선, 600: 표시 장치, 601: 신호선 구동 회로부, 602: 화소부, 603: 주사선 구동 회로부, 604: 밀봉 기판, 605: 실재, 607: 영역, 607a: 밀봉층, 607b: 밀봉층, 607c: 밀봉층, 608: 배선, 609: FPC, 610: 소자 기판, 611: 트랜지스터, 612: 트랜지스터, 613: 하부 전극, 614: 격벽, 616: EL층, 617: 상부 전극, 618: 발광 소자, 621: 광학 소자, 622: 차광층, 623: 트랜지스터, 624: 트랜지스터, 683: 액적 토출 장치, 684: 액적, 685: 조성물을 함유하는 층, 801: 화소 회로, 802: 화소부, 804: 구동 회로부, 804a: 주사선 구동 회로, 804b: 신호선 구동 회로, 806: 보호 회로, 807: 단자부, 852: 트랜지스터, 854: 트랜지스터, 862: 용량 소자, 872: 발광 소자, 1001: 기판, 1002: 하지 절연막, 1003: 게이트 절연막, 1006: 게이트 전극, 1007: 게이트 전극, 1008: 게이트 전극, 1020: 층간 절연막, 1021: 층간 절연막, 1022: 전극, 1024B: 하부 전극, 1024G: 하부 전극, 1024R: 하부 전극, 1024Y: 하부 전극, 1025: 격벽, 1026: 상부 전극, 1028: EL층, 1028B: 발광층, 1028G: 발광층, 1028R: 발광층, 1028Y: 발광층, 1029: 밀봉층, 1031: 밀봉 기판, 1032: 실재, 1033: 기재, 1034B: 착색층, 1034G: 착색층, 1034R: 착색층, 1034Y: 착색층, 1035: 차광층, 1036: 오버코트층, 1037: 층간 절연막, 1040: 화소부, 1041: 구동 회로부, 1042: 주변부, 1400: 액적 토출 장치, 1402: 기판, 1403: 액적 토출 수단, 1404: 촬상 수단, 1405: 헤드, 1407: 제어 수단, 1406: 공간, 1408: 기억 매체, 1409: 화상 처리 수단, 1410: 컴퓨터, 1411: 마커, 1412: 헤드, 1413: 재료 공급원, 1414: 재료 공급원, 2000: 터치 패널, 2001: 터치 패널, 2501: 표시 장치, 2502R: 화소, 2502t: 트랜지스터, 2503c: 용량 소자, 2503g: 주사선 구동 회로, 2503s: 신호선 구동 회로, 2503t: 트랜지스터, 2509: FPC, 2510: 기판, 2510a: 절연층, 2510b: 플렉시블 기판, 2510c: 접착층, 2511: 배선, 2519: 단자, 2521: 절연층, 2528: 격벽, 2550R: 발광 소자, 2560: 밀봉층, 2567BM: 차광층, 2567p: 반사 방지층, 2567R: 착색층, 2570: 기판, 2570a: 절연층, 2570b: 플렉시블 기판, 2570c: 접착층, 2580R: 발광 모듈, 2590: 기판, 2591: 전극, 2592: 전극, 2593: 절연층, 2594: 배선, 2595: 터치 센서, 2597: 접착층, 2598: 배선, 2599: 접속층, 2601: 펄스 전압 출력 회로, 2602: 전류 검지 회로, 2603: 용량 소자, 2611: 트랜지스터, 2612: 트랜지스터, 2613: 트랜지스터, 2621: 전극, 2622: 전극, 3000: 발광 장치, 3001: 기판, 3003: 기판, 3005: 발광 소자, 3007: 밀봉 영역, 3009: 밀봉 영역, 3011: 영역, 3013: 영역, 3014: 영역, 3015: 기판, 3016: 기판, 3018: 건조제, 3500: 다기능 단말기, 3502: 하우징, 3504: 표시부, 3506: 카메라, 3508: 조명, 3600: 보안등, 3602: 하우징, 3608: 조명, 3610: 스피커, 8000: 표시 모듈, 8001: 상부 커버, 8002: 하부 커버, 8003: FPC, 8004: 터치 센서, 8005: FPC, 8006: 표시 장치, 8009: 프레임, 8010: 인쇄 기판, 8011: 배터리, 8501: 조명 장치, 8502: 조명 장치, 8503: 조명 장치, 8504: 조명 장치, 9000: 하우징, 9001: 표시부, 9003: 스피커, 9005: 조작 키, 9006: 접속 단자, 9007: 센서, 9008: 마이크로폰, 9050: 조작 버튼, 9051: 정보, 9052: 정보, 9053: 정보, 9054: 정보, 9055: 힌지, 9100: 휴대 정보 단말기, 9101: 휴대 정보 단말기, 9102: 휴대 정보 단말기, 9200: 휴대 정보 단말기, 9201: 휴대 정보 단말기, 9300: 텔레비전 장치, 9301: 스탠드, 9311: 리모컨, 9500: 표시 장치, 9501: 표시 패널, 9502: 표시 영역, 9503: 영역, 9511: 축부, 9512: 베어링, 9700: 자동차, 9701: 차체, 9702: 차륜, 9703: 대시보드, 9704: 라이트, 9710: 표시부, 9711: 표시부, 9712: 표시부, 9713: 표시부, 9714: 표시부, 9715: 표시부, 9721: 표시부, 9722: 표시부, 9723: 표시부
본 출원은 2015년 5월 21일에 일본 특허청에 출원된 일련 번호 2015-103759의 일본 특허 출원에 기초하고, 본 명세서에 그 전문이 참조로 통합된다.

Claims (4)

  1. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 발광층을 가지고,
    상기 발광층은 고분자 재료 및 형광성 화합물을 가지고,
    상기 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 가지고,
    상기 제 1 고분자쇄 및 상기 제 2 고분자쇄는 각각, 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 가지고,
    상기 제 1 골격과 상기 제 2 골격은 상기 제 3 골격을 통하여 결합되고,
    상기 제 1 골격은 정공을 수송할 수 있는 기능을 가지고,
    상기 제 2 골격은 전자를 수송할 수 있는 기능을 가지고,
    상기 고분자 재료는 상기 제 1 고분자쇄 및 상기 제 2 고분자쇄에서 여기 착체를 형성하는 기능을 가지고,
    상기 고분자 재료의 S1 준위는 상기 형광성 화합물의 S1 준위보다 높고,
    상기 고분자 재료의 T1 준위는 상기 형광성 화합물의 T1 준위보다 높고,
    상기 고분자 재료의 발광 스펙트럼은 상기 형광성 화합물의 흡수 스펙트럼의 가장 장파장측에 나타나는 흡수대와 중첩되는, 발광 소자.
  2. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 발광층을 가지고,
    상기 발광층은 고분자 재료 및 형광성 화합물을 가지고,
    상기 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 가지고,
    상기 제 1 고분자쇄 및 상기 제 2 고분자쇄는 각각, 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 가지고,
    상기 제 1 골격과 상기 제 2 골격은 상기 제 3 골격을 통하여 결합되고,
    상기 제 1 골격은 π-전자 과잉형 헤테로방향족 골격 및 방향족 아민 골격 중 적어도 하나를 가지고,
    상기 제 2 골격은 π-전자 부족형 헤테로방향족 골격을 가지고,
    상기 고분자 재료는 상기 제 1 고분자쇄 및 상기 제 2 고분자쇄에서 여기 착체를 형성하는 기능을 가지고,
    상기 고분자 재료의 S1 준위는 상기 형광성 화합물의 S1 준위보다 높고,
    상기 고분자 재료의 T1 준위는 상기 형광성 화합물의 T1 준위보다 높고,
    상기 고분자 재료의 발광 스펙트럼은 상기 형광성 화합물의 흡수 스펙트럼의 가장 장파장측에 나타나는 흡수대와 중첩되는, 발광 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 제 3 골격은 페닐렌 골격, 바이페닐다이일 골격, 터페닐다이일 골격, 나프탈렌다이일 골격, 플루오렌다이일 골격, 9,10-다이하이드로안트라센다이일 골격, 페난트렌다이일 골격, 및 아릴렌바이닐렌 골격 중 적어도 하나를 가지는, 발광 소자.
  4. 발광 소자로서,
    한 쌍의 전극 사이에 발광층을 가지고,
    상기 발광층은 고분자 재료 및 형광성 화합물을 가지고,
    상기 고분자 재료는 적어도 제 1 고분자쇄 및 제 2 고분자쇄를 가지고,
    상기 제 1 고분자쇄 및 상기 제 2 고분자쇄는 각각, 제 1 골격, 제 2 골격, 및 제 3 골격을 가지고,
    상기 제 1 골격과 상기 제 2 골격은 상기 제 3 골격을 통하여 결합되는, 발광 소자.
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Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20240033152A (ko) 2014-05-30 2024-03-12 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 표시 장치, 및 전자 기기
KR102623039B1 (ko) 2015-05-15 2024-01-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기 및 조명 장치
TWI837587B (zh) 2015-05-21 2024-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置
CN107534090B (zh) * 2015-05-21 2019-10-18 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
US10048127B2 (en) * 2015-08-05 2018-08-14 Viavi Solutions Inc. Optical filter and spectrometer
CN107949561B (zh) * 2015-08-14 2021-11-02 默克专利有限公司 用于有机电致发光器件的吩噁嗪衍生物
US10264030B2 (en) 2016-02-22 2019-04-16 Sonos, Inc. Networked microphone device control
US10097919B2 (en) 2016-02-22 2018-10-09 Sonos, Inc. Music service selection
US9965247B2 (en) 2016-02-22 2018-05-08 Sonos, Inc. Voice controlled media playback system based on user profile
US9947316B2 (en) 2016-02-22 2018-04-17 Sonos, Inc. Voice control of a media playback system
US10142754B2 (en) * 2016-02-22 2018-11-27 Sonos, Inc. Sensor on moving component of transducer
US10095470B2 (en) 2016-02-22 2018-10-09 Sonos, Inc. Audio response playback
US9811314B2 (en) 2016-02-22 2017-11-07 Sonos, Inc. Metadata exchange involving a networked playback system and a networked microphone system
US10998516B2 (en) 2016-05-06 2021-05-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US9978390B2 (en) 2016-06-09 2018-05-22 Sonos, Inc. Dynamic player selection for audio signal processing
US10134399B2 (en) 2016-07-15 2018-11-20 Sonos, Inc. Contextualization of voice inputs
US10152969B2 (en) 2016-07-15 2018-12-11 Sonos, Inc. Voice detection by multiple devices
US10115400B2 (en) 2016-08-05 2018-10-30 Sonos, Inc. Multiple voice services
US10838126B2 (en) 2016-09-19 2020-11-17 Apple Inc. Electronic devices with infrared blocking filters
US9942678B1 (en) 2016-09-27 2018-04-10 Sonos, Inc. Audio playback settings for voice interaction
US9743204B1 (en) 2016-09-30 2017-08-22 Sonos, Inc. Multi-orientation playback device microphones
US10181323B2 (en) 2016-10-19 2019-01-15 Sonos, Inc. Arbitration-based voice recognition
KR20180051692A (ko) * 2016-11-07 2018-05-17 삼성디스플레이 주식회사 지문 센서, 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10270039B2 (en) 2016-11-17 2019-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, and lighting device
US11974494B2 (en) * 2016-12-27 2024-04-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Polymer compound, composition including the polymer compound, light-emitting device including the polymer compound
US11183181B2 (en) 2017-03-27 2021-11-23 Sonos, Inc. Systems and methods of multiple voice services
CN107203751B (zh) * 2017-05-24 2020-03-24 厦门天马微电子有限公司 显示面板及显示装置
US10475449B2 (en) 2017-08-07 2019-11-12 Sonos, Inc. Wake-word detection suppression
US10048930B1 (en) 2017-09-08 2018-08-14 Sonos, Inc. Dynamic computation of system response volume
US20190094069A1 (en) * 2017-09-27 2019-03-28 Apple Inc. Electronic Devices Having Infrared Blocking Light Guides
US10446165B2 (en) 2017-09-27 2019-10-15 Sonos, Inc. Robust short-time fourier transform acoustic echo cancellation during audio playback
US10482868B2 (en) 2017-09-28 2019-11-19 Sonos, Inc. Multi-channel acoustic echo cancellation
US10051366B1 (en) 2017-09-28 2018-08-14 Sonos, Inc. Three-dimensional beam forming with a microphone array
US10621981B2 (en) 2017-09-28 2020-04-14 Sonos, Inc. Tone interference cancellation
US10466962B2 (en) 2017-09-29 2019-11-05 Sonos, Inc. Media playback system with voice assistance
KR20200072546A (ko) 2017-11-02 2020-06-22 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US10880650B2 (en) 2017-12-10 2020-12-29 Sonos, Inc. Network microphone devices with automatic do not disturb actuation capabilities
US10818290B2 (en) 2017-12-11 2020-10-27 Sonos, Inc. Home graph
WO2019129015A1 (zh) 2017-12-26 2019-07-04 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法与qled器件
CN109962128A (zh) * 2017-12-26 2019-07-02 Tcl集团股份有限公司 一种薄膜及其制备方法与qled器件
US11343614B2 (en) 2018-01-31 2022-05-24 Sonos, Inc. Device designation of playback and network microphone device arrangements
US11251430B2 (en) 2018-03-05 2022-02-15 The Research Foundation For The State University Of New York ϵ-VOPO4 cathode for lithium ion batteries
US11950497B2 (en) 2018-03-07 2024-04-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, display device, electronic device, organic compound, and lighting device
CN108417658B (zh) * 2018-04-24 2020-04-28 北京化工大学 一种光谱转换薄膜的制备方法及产品的用途
US11175880B2 (en) 2018-05-10 2021-11-16 Sonos, Inc. Systems and methods for voice-assisted media content selection
CN108511628B (zh) * 2018-05-16 2021-03-02 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
CN108666433A (zh) * 2018-05-16 2018-10-16 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
CN108539048B (zh) * 2018-05-16 2021-02-12 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
CN108511617B (zh) * 2018-05-16 2020-09-29 云谷（固安）科技有限公司 有机电致发光装置
US10847178B2 (en) 2018-05-18 2020-11-24 Sonos, Inc. Linear filtering for noise-suppressed speech detection
US10959029B2 (en) 2018-05-25 2021-03-23 Sonos, Inc. Determining and adapting to changes in microphone performance of playback devices
WO2019234562A1 (ja) 2018-06-06 2019-12-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、表示装置および電子機器
US10681460B2 (en) 2018-06-28 2020-06-09 Sonos, Inc. Systems and methods for associating playback devices with voice assistant services
US11076035B2 (en) 2018-08-28 2021-07-27 Sonos, Inc. Do not disturb feature for audio notifications
US10461710B1 (en) 2018-08-28 2019-10-29 Sonos, Inc. Media playback system with maximum volume setting
US10587430B1 (en) 2018-09-14 2020-03-10 Sonos, Inc. Networked devices, systems, and methods for associating playback devices based on sound codes
US10878811B2 (en) 2018-09-14 2020-12-29 Sonos, Inc. Networked devices, systems, and methods for intelligently deactivating wake-word engines
US11024331B2 (en) 2018-09-21 2021-06-01 Sonos, Inc. Voice detection optimization using sound metadata
US10811015B2 (en) 2018-09-25 2020-10-20 Sonos, Inc. Voice detection optimization based on selected voice assistant service
US11100923B2 (en) 2018-09-28 2021-08-24 Sonos, Inc. Systems and methods for selective wake word detection using neural network models
US10692518B2 (en) 2018-09-29 2020-06-23 Sonos, Inc. Linear filtering for noise-suppressed speech detection via multiple network microphone devices
US11899519B2 (en) 2018-10-23 2024-02-13 Sonos, Inc. Multiple stage network microphone device with reduced power consumption and processing load
EP3654249A1 (en) 2018-11-15 2020-05-20 Snips Dilated convolutions and gating for efficient keyword spotting
US11183183B2 (en) 2018-12-07 2021-11-23 Sonos, Inc. Systems and methods of operating media playback systems having multiple voice assistant services
US11132989B2 (en) 2018-12-13 2021-09-28 Sonos, Inc. Networked microphone devices, systems, and methods of localized arbitration
US10602268B1 (en) 2018-12-20 2020-03-24 Sonos, Inc. Optimization of network microphone devices using noise classification
KR102707571B1 (ko) * 2019-01-04 2024-09-19 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
KR20210126000A (ko) 2019-02-06 2021-10-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 디바이스, 발광 기기, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP7306245B2 (ja) 2019-02-07 2023-07-11 Jsr株式会社 重合体、重合体組成物及び発光素子
US11315556B2 (en) 2019-02-08 2022-04-26 Sonos, Inc. Devices, systems, and methods for distributed voice processing by transmitting sound data associated with a wake word to an appropriate device for identification
US10867604B2 (en) 2019-02-08 2020-12-15 Sonos, Inc. Devices, systems, and methods for distributed voice processing
CN110061042B (zh) * 2019-04-29 2021-02-02 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置
US11120794B2 (en) 2019-05-03 2021-09-14 Sonos, Inc. Voice assistant persistence across multiple network microphone devices
US11200894B2 (en) 2019-06-12 2021-12-14 Sonos, Inc. Network microphone device with command keyword eventing
US10586540B1 (en) 2019-06-12 2020-03-10 Sonos, Inc. Network microphone device with command keyword conditioning
US11361756B2 (en) 2019-06-12 2022-06-14 Sonos, Inc. Conditional wake word eventing based on environment
US10694607B1 (en) 2019-06-24 2020-06-23 Apple Inc. Electronic devices with light sensor waveguides
CN110416226B (zh) * 2019-07-29 2022-02-22 云谷（固安）科技有限公司 一种显示面板及其制作方法和显示装置
US11138969B2 (en) 2019-07-31 2021-10-05 Sonos, Inc. Locally distributed keyword detection
US10871943B1 (en) 2019-07-31 2020-12-22 Sonos, Inc. Noise classification for event detection
US11138975B2 (en) 2019-07-31 2021-10-05 Sonos, Inc. Locally distributed keyword detection
US12048244B2 (en) * 2019-10-11 2024-07-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Organic compound, light-emitting device, light-emitting apparatus, electronic device, and lighting device
US11189286B2 (en) 2019-10-22 2021-11-30 Sonos, Inc. VAS toggle based on device orientation
JP2021077639A (ja) 2019-11-08 2021-05-20 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、電子機器および照明装置
US11200900B2 (en) 2019-12-20 2021-12-14 Sonos, Inc. Offline voice control
US11562740B2 (en) 2020-01-07 2023-01-24 Sonos, Inc. Voice verification for media playback
US11556307B2 (en) 2020-01-31 2023-01-17 Sonos, Inc. Local voice data processing
US11308958B2 (en) 2020-02-07 2022-04-19 Sonos, Inc. Localized wakeword verification
US11482224B2 (en) 2020-05-20 2022-10-25 Sonos, Inc. Command keywords with input detection windowing
US11727919B2 (en) 2020-05-20 2023-08-15 Sonos, Inc. Memory allocation for keyword spotting engines
US11308962B2 (en) 2020-05-20 2022-04-19 Sonos, Inc. Input detection windowing
US11698771B2 (en) 2020-08-25 2023-07-11 Sonos, Inc. Vocal guidance engines for playback devices
US11984123B2 (en) 2020-11-12 2024-05-14 Sonos, Inc. Network device interaction by range
US11551700B2 (en) 2021-01-25 2023-01-10 Sonos, Inc. Systems and methods for power-efficient keyword detection
US11698703B2 (en) * 2021-07-08 2023-07-11 Idex Biometrics Asa Integrated system including a sensor switch and a display switch above the common substrate
CN115513394A (zh) * 2022-09-26 2022-12-23 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 发光层、发光元件及显示面板

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05202355A (ja) 1992-01-29 1993-08-10 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010182699A (ja) 2004-02-13 2010-08-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012212879A (ja) 2011-03-23 2012-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
JP2014045179A (ja) 2012-08-03 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6028808Y2 (ja) 1977-10-07 1985-09-02 不二サッシ株式会社 二部材の締結構造
US5597890A (en) * 1993-11-01 1997-01-28 Research Corporation Technologies, Inc. Conjugated polymer exciplexes and applications thereof
US5599899A (en) 1993-11-01 1997-02-04 Research Corporation Technologies, Inc. Rigid rod and ladder polymers and process for making same
DE60111473T3 (de) 2000-10-30 2012-09-06 Kabushiki Kaisha Toyota Chuo Kenkyusho Organische lichtemittierende Bauelemente
TW519770B (en) 2001-01-18 2003-02-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and manufacturing method thereof
ITTO20010692A1 (it) 2001-07-13 2003-01-13 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico basato sull'emissione di ecciplessi od elettroplessi e sua realizzazione.
EP1426399A4 (en) 2001-09-04 2005-07-13 Canon Kk HIGHLY MOLECULAR COMPOUNDS AND ORGANIC LUMINESCENT DEVICES
JP2003073479A (ja) * 2001-09-04 2003-03-12 Canon Inc 高分子化合物及び有機発光素子
US6863997B2 (en) 2001-12-28 2005-03-08 The Trustees Of Princeton University White light emitting OLEDs from combined monomer and aggregate emission
ITBO20020165A1 (it) 2002-03-29 2003-09-29 Consiglio Nazionale Ricerche Dispositivo elettroluminescente organico con droganti cromofori
TWI314947B (en) 2002-04-24 2009-09-21 Eastman Kodak Compan Organic light emitting diode devices with improved operational stability
US7175922B2 (en) 2003-10-22 2007-02-13 Eastman Kodak Company Aggregate organic light emitting diode devices with improved operational stability
US7597967B2 (en) 2004-12-17 2009-10-06 Eastman Kodak Company Phosphorescent OLEDs with exciton blocking layer
US20060134464A1 (en) 2004-12-22 2006-06-22 Fuji Photo Film Co. Ltd Organic electroluminescent element
US20070090756A1 (en) 2005-10-11 2007-04-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
CN102633820B (zh) 2005-12-01 2015-01-21 新日铁住金化学株式会社 有机电致发光元件用化合物及有机电致发光元件
JP4793009B2 (ja) * 2006-02-10 2011-10-12 セイコーエプソン株式会社 発光素子、発光素子の製造方法、発光装置および電子機器
EP2044636A1 (en) * 2006-07-25 2009-04-08 Merck Patent GmbH Polymer blends and their use in organic light emitting devices
JP2008288344A (ja) 2007-05-16 2008-11-27 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> 有機ｅｌ素子
US8034465B2 (en) 2007-06-20 2011-10-11 Global Oled Technology Llc Phosphorescent oled having double exciton-blocking layers
JP5325707B2 (ja) 2008-09-01 2013-10-23 株式会社半導体エネルギー研究所 発光素子
WO2010026859A1 (en) 2008-09-05 2010-03-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
JP5732463B2 (ja) 2009-10-05 2015-06-10 トルン ライティング リミテッドＴｈｏｒｎ Ｌｉｇｈｔｉｎｇ Ｌｉｍｉｔｅｄ 多層有機素子
KR101352116B1 (ko) 2009-11-24 2014-01-14 엘지디스플레이 주식회사 백색 유기 발광 소자
EP2511360A4 (en) 2009-12-07 2014-05-21 Nippon Steel & Sumikin Chem Co Organic light-emitting material and organic light-emitting element
KR101812673B1 (ko) 2011-02-16 2017-12-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR20180004335A (ko) 2011-02-16 2018-01-10 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 엘리먼트
TWI563702B (en) 2011-02-28 2016-12-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd Light-emitting device
CN105702873B (zh) 2011-03-30 2017-11-24 株式会社半导体能源研究所 发光元件
TWI532822B (zh) 2011-04-29 2016-05-11 半導體能源研究所股份有限公司 利用磷光之發光裝置，電子裝置及照明裝置
US9178159B2 (en) * 2011-07-25 2015-11-03 Merck Patent Gmbh Copolymers with functionalized side chains
KR101803537B1 (ko) 2012-02-09 2017-11-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자
KR101419810B1 (ko) 2012-04-10 2014-07-15 서울대학교산학협력단 엑시플렉스를 형성하는 공동 호스트를 포함하는 유기 발광 소자
WO2013157591A1 (en) 2012-04-20 2013-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, electronic appliance, and lighting device
KR102198635B1 (ko) * 2012-04-20 2021-01-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 유기 화합물, 발광 소자, 발광 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
US8994013B2 (en) * 2012-05-18 2015-03-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, display device, electronic device, and lighting device
JP6375600B2 (ja) * 2013-09-03 2018-08-22 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法、有機ｅｌ素子、有機ｅｌ装置、電子機器
KR102399397B1 (ko) * 2014-09-30 2022-05-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 소자, 표시 장치, 전자 기기, 및 조명 장치
JP6764671B2 (ja) 2015-04-14 2020-10-07 株式会社半導体エネルギー研究所 複素環化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
CN107534090B (zh) * 2015-05-21 2019-10-18 株式会社半导体能源研究所 发光元件、显示装置、电子设备及照明装置
TWI837587B (zh) 2015-05-21 2024-04-01 日商半導體能源研究所股份有限公司 發光元件、顯示裝置、電子裝置、及照明裝置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05202355A (ja) 1992-01-29 1993-08-10 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2010182699A (ja) 2004-02-13 2010-08-19 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP2012212879A (ja) 2011-03-23 2012-11-01 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子
JP2014045179A (ja) 2012-08-03 2014-03-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光素子

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