JP2008522345A - 温度に基づくdramリフレッシュ - Google Patents
温度に基づくdramリフレッシュ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008522345A JP2008522345A JP2007544363A JP2007544363A JP2008522345A JP 2008522345 A JP2008522345 A JP 2008522345A JP 2007544363 A JP2007544363 A JP 2007544363A JP 2007544363 A JP2007544363 A JP 2007544363A JP 2008522345 A JP2008522345 A JP 2008522345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- refresh
- array
- integrated circuit
- circuit die
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 230000004044 response Effects 0.000 abstract description 8
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 abstract 2
- 230000015654 memory Effects 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000003491 array Methods 0.000 description 3
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 3
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000004043 responsiveness Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/406—Management or control of the refreshing or charge-regeneration cycles
- G11C11/40626—Temperature related aspects of refresh operations
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Dram (AREA)
Abstract
Description
図1は電子システム101のブロック図である。電子システム101は、DRAMセルのアレイ105を有する集積回路ダイ103と、DRAMコントローラを有する集積回路ダイ121と、プロセッサ134とを備える。一実施形態では、システム101は、例えば、パーソナルコンピュータ、サーバ、又はラップトップコンピュータなど、コンピュータシステムである。他の実施形態では、システム101は携帯電話である。さらに他の実施形態では、システム101は、例えば、携帯情報端末(PDA)、カムコーダ、又は電子カメラなど、他のタイプの電子システムであってよい。
戻って図1を参照すると、ダイ121はRREQ信号に対するDRAM制御回路127の応答性をプログラム可能に制御する回路を備える。制御レジスタ128は、制御回路127にRREQ信号を無視させ、リフレッシュタイマ125によってリフレッシュサイクルを開始させる値を用いてプログラムされ得る。幾つかの実施形態では、制御レジスタ128は、RREQ信号が無視されるときに制御回路127がリフレッシュサイクルを開始させるレートを設定する値を用いてプログラムされてもよい。このレジスタ128の値は、製造中、初期化中、又はシステム101の動作中(プロセッサ134による)にプログラムされ得る。
Claims (28)
- 第1の集積回路ダイと、第2の集積回路ダイとを含む電子システムであって、
第1の集積回路ダイは、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セルのアレイと、
温度センサと、
アレイのDRAMセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すリフレッシュリクエスト指示を供給する外部出力と、を含むことと、
第2の集積回路ダイは、
制御回路と、
リフレッシュリクエスト指示を受信するように接続されている入力と、
第2の集積回路ダイの制御回路は受信したリフレッシュリクエスト指示を利用して、アレイのリフレッシュサイクルを開始させることと、を含むことと、からなる電子システム。 - 自己リフレッシュモードの動作中、第1の集積回路ダイの制御回路はリフレッシュ回路によるアレイの自己リフレッシュサイクルを開始させる請求項1に記載の電子システム。
- アクティブモードの動作中、第1の集積回路ダイはアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、
第1の集積回路ダイは温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、を含む請求項2に記載の電子システム。 - アクティブモードの動作中、第2の集積回路ダイはアレイに書き込まれるデータを第1の集積回路ダイに供給する請求項3に記載の電子システム。
- 自己リフレッシュモードの動作中、第1の集積回路ダイはリフレッシュサイクルの実行をリクエストするリフレッシュリクエスト指示を供給しない請求項1に記載の電子システム。
- 第2の集積回路ダイはプログラム可能なレジスタを備えることと、レジスタの内容は第2の集積回路ダイの制御回路がリフレッシュリクエスト指示に応答するか否かを表すことと、を含む請求項1に記載の電子システム。
- 外部出力は第1の集積回路ダイの端子を含むことと、リフレッシュリクエスト指示は同端子によって供給される信号をアサートすることを含むことと、を含む請求項1に記載の電子システム。
- ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セルの第2のアレイと、
第2の温度センサと、
第2のアレイのDRAMセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
第2のリフレッシュリクエスト指示を供給する第2の外部出力と、第2のリフレッシュリクエスト指示は第2の温度センサの測定した温度に基づき第2のアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すことと、を含む第3の集積回路ダイを含む請求項1に記載の電子システム。 - リフレッシュリクエスト指示は第1のライン上で搬送され、第2のリフレッシュリクエスト指示は第2のライン上で搬送されることと、第1のライン及び第2のラインはワイヤードOR構成により一体に有線接続されていることと、を含む請求項8に記載の電子システム。
- DRAMセルをリフレッシュするための方法であって、
アクティブモードにて動作する工程と、同工程は、
ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セルのアレイと同じ集積回路ダイに位置する温度センサを用いて温度を感知する工程と、
リフレッシュサイクルを開始させる第1の指示を第1の制御回路へ供給する工程と、第1の指示は温度センサによって測定された温度に基づくことと、
第1の制御回路によって、第1の指示に基づきアレイのリフレッシュサイクルを開始させる第2の指示を供給する第2指示供給工程と、
第1の制御回路からの第2の指示によってアレイをリフレッシュする第1アレイリフレッシュ工程と、を含むことと、
自己リフレッシュサイクルモードにて動作する工程と、同工程は、
温度センサを用いて温度を感知する温度感知工程と、
温度センサによって測定された温度に基づき第2の制御回路によるアレイのリフレッシュを開始させるリフレッシュ開始工程と、
リフレッシュ開始工程によってアレイをリフレッシュする第2アレイリフレッシュ工程と、を含むことと、を含む方法。 - 第2の制御回路はアレイ及び温度センサと同じ集積回路ダイに位置することと、第1の制御回路は第2の集積回路ダイに位置することと、を含む請求項10に記載の方法。
- 第2指示供給工程はアレイのリフレッシュサイクルを始動させる機会に基づく請求項10に記載の方法。
- 前記機会はアレイに対し読出アクセス又は書込アクセスが行われていない時間である請求項12に記載の方法。
- 第2指示供給工程はリフレッシュ命令を供給する工程を含む請求項10に記載の方法。
- リフレッシュ命令はアレイと同じ集積回路ダイ上の回路によって受信されることと、第1の制御回路は異なる集積回路ダイ上にあることと、を含む請求項14に記載の方法。
- 第1アレイリフレッシュ工程及び第2アレイリフレッシュ工程はアレイと同じ集積回路ダイに位置するアドレス生成器を用いて実行される請求項10に記載の方法。
- 第1の制御回路及び第2の制御回路は同じICパッケージに位置する請求項10に記載の方法。
- 第1の制御回路及び第2の制御回路は同じ集積回路ダイに位置する請求項10に記載の方法。
- アクティブモード中、アレイに対するデータ読出アクセス及びデータ書込アクセスは可能であることと、リフレッシュモード中、アレイに対するデータ読出アクセス及びデータ書込アクセスは不可能であることと、を含む請求項10に記載の方法。
- 第1アレイリフレッシュ工程は自動リフレッシュサイクルを実行する工程を含む請求項10に記載の方法。
- 第1の制御回路によって、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セルの第2のアレイのリフレッシュサイクルを開始させる指示を供給する工程と、
第1の制御回路からの指示によって第2のアレイをリフレッシュする工程と、
アレイをリフレッシュする工程は第1のアドレス生成器を用いて実行されることと、
第2のアレイをリフレッシュする工程は第2のアドレス生成器を用いて実行されることと、を含む請求項10に記載の方法。 - ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)セルのアレイと、
温度センサと、
制御回路と、
アレイのDRAMセルをリフレッシュするためのリフレッシュ回路と、
リフレッシュリクエスト指示を供給する外部出力と、リフレッシュリクエスト指示は温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表すことと、からなる集積回路ダイ。 - タイマと、リフレッシュリクエスト指示はタイマに基づきリフレッシュリクエストを指示するために供給されることと、を含む請求項22に記載の集積回路ダイ。
- リフレッシュリクエスト指示を供給してリフレッシュリクエストをリクエストするレートは温度センサの測定した温度に基づく請求項22に記載の集積回路ダイ。
- 外部出力は外部端子を含むことと、
リフレッシュリクエスト指示はリフレッシュサイクルを実行するリクエストを表す第1の状態によりアサートされる不連続な信号を含むことと、
不連続な信号はリフレッシュサイクルを実行するリクエストがないことを表す第2の状態を有することと、を含む請求項22に記載の集積回路ダイ。 - 自己リフレッシュモードの動作中、制御回路はリフレッシュ回路によるアレイの自己リフレッシュサイクルを開始させる請求項22に記載の集積回路ダイ。
- アクティブモードの動作中、外部出力はアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、
外部出力は温度センサの測定した温度に基づきアレイのリフレッシュサイクルを実行するリクエストを指示するリフレッシュリクエスト指示を供給することと、を含む請求項22に記載の集積回路ダイ。 - 自己リフレッシュモードの動作中、外部出力はリフレッシュサイクルの実行をリクエストするリフレッシュリクエスト指示を供給しない請求項27に記載の集積回路ダイ。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/000,560 US7206244B2 (en) | 2004-12-01 | 2004-12-01 | Temperature based DRAM refresh |
US11/000,560 | 2004-12-01 | ||
PCT/US2005/041150 WO2006060151A2 (en) | 2004-12-01 | 2005-11-10 | Temperature based dram refresh |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008522345A true JP2008522345A (ja) | 2008-06-26 |
JP2008522345A5 JP2008522345A5 (ja) | 2008-12-25 |
JP4954890B2 JP4954890B2 (ja) | 2012-06-20 |
Family
ID=36565512
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007544363A Active JP4954890B2 (ja) | 2004-12-01 | 2005-11-10 | 温度に基づくdramリフレッシュ |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7206244B2 (ja) |
JP (1) | JP4954890B2 (ja) |
KR (1) | KR101242809B1 (ja) |
CN (1) | CN101061548B (ja) |
WO (1) | WO2006060151A2 (ja) |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005124785A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Fujitsu Limited | 半導体装置の温度検出器および半導体記憶装置 |
KR100655076B1 (ko) * | 2005-01-20 | 2006-12-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 온도 데이터 출력 방법 및그에 따른 내부 온도 데이터 출력회로 |
KR100807594B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2008-02-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 정보 출력장치 및 그를 구비하는 반도체소자 |
US20080239852A1 (en) * | 2007-03-28 | 2008-10-02 | Reza Jazayeri | Test feature to improve DRAM charge retention yield |
KR100855578B1 (ko) | 2007-04-30 | 2008-09-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자의 리프레시 주기 제어회로 및 리프레시주기 제어방법 |
US7545698B2 (en) * | 2007-06-28 | 2009-06-09 | Intel Corporation | Memory test mode for charge retention testing |
US7843753B2 (en) * | 2008-03-19 | 2010-11-30 | Qimonda Ag | Integrated circuit including memory refreshed based on temperature |
CN104766633A (zh) * | 2008-12-30 | 2015-07-08 | E·孔法洛涅里 | 具有扩展工作温度范围的非易失性存储器 |
KR101649395B1 (ko) * | 2009-12-02 | 2016-08-19 | 마이크론 테크놀로지, 인크. | 비휘발성 메모리에 대한 리프레시 아키텍처 및 알고리즘 |
KR20120075983A (ko) | 2010-12-29 | 2012-07-09 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체메모리장치 |
US8848471B2 (en) | 2012-08-08 | 2014-09-30 | International Business Machines Corporation | Method for optimizing refresh rate for DRAM |
US9058896B2 (en) | 2012-08-29 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | DRAM refresh |
US8887014B2 (en) | 2012-12-11 | 2014-11-11 | International Business Machines Corporation | Managing errors in a DRAM by weak cell encoding |
US8898544B2 (en) | 2012-12-11 | 2014-11-25 | International Business Machines Corporation | DRAM error detection, evaluation, and correction |
US9336855B2 (en) * | 2013-05-14 | 2016-05-10 | Qualcomm Incorporated | Methods and systems for smart refresh of dynamic random access memory |
KR102140783B1 (ko) | 2013-06-17 | 2020-08-04 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 패키지 |
US9704557B2 (en) * | 2013-09-25 | 2017-07-11 | Qualcomm Incorporated | Method and apparatus for storing retention time profile information based on retention time and temperature |
KR102254098B1 (ko) * | 2014-11-20 | 2021-05-20 | 삼성전자주식회사 | 온도를 센싱할 수 있는 반도체 칩, 및 상기 반도체 칩을 포함하는 반도체 시스템 |
KR102373543B1 (ko) * | 2015-04-08 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 멀티칩 패키지에서 온도 편차를 이용하여 동작 제어하는 방법 및 장치 |
US9875785B2 (en) * | 2015-10-01 | 2018-01-23 | Qualcomm Incorporated | Refresh timer synchronization between memory controller and memory |
KR102373544B1 (ko) | 2015-11-06 | 2022-03-11 | 삼성전자주식회사 | 요청 기반의 리프레쉬를 수행하는 메모리 장치, 메모리 시스템 및 메모리 장치의 동작방법 |
US10354714B2 (en) * | 2016-08-23 | 2019-07-16 | Micron Technology, Inc. | Temperature-dependent refresh circuit configured to increase or decrease a count value of a refresh timer according to a self-refresh signal |
KR20180081989A (ko) | 2017-01-09 | 2018-07-18 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치 및 그것의 리프레시 방법 |
US9857978B1 (en) | 2017-03-09 | 2018-01-02 | Toshiba Memory Corporation | Optimization of memory refresh rates using estimation of die temperature |
US20190026028A1 (en) * | 2017-07-24 | 2019-01-24 | Qualcomm Incorporated | Minimizing performance degradation due to refresh operations in memory sub-systems |
TWI639920B (zh) | 2017-11-17 | 2018-11-01 | 財團法人工業技術研究院 | 記憶體控制器及其控制方法以及記憶體及其控制方法 |
US10497423B1 (en) * | 2018-05-14 | 2019-12-03 | Nanya Technology Corporation | Frequency-adjusting circuit, electronic memory, and method for determining a refresh frequency for a plurality of dram chips |
US10725670B2 (en) | 2018-08-01 | 2020-07-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for temperature-gradient aware data-placement for 3D stacked DRAMs |
US10672452B2 (en) * | 2018-09-21 | 2020-06-02 | Micron Technology, Inc. | Temperature informed memory refresh |
TWI671632B (zh) | 2018-10-24 | 2019-09-11 | 財團法人工業技術研究院 | 記憶體裝置及其復新資訊同步方法 |
US11017834B2 (en) * | 2018-11-30 | 2021-05-25 | Micron Technology, Inc. | Refresh command management |
KR20220062756A (ko) | 2020-11-09 | 2022-05-17 | 삼성전자주식회사 | 메모리 장치, 스토리지 모듈, 호스트 및 이들의 동작 방법 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10255467A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-09-25 | Lsi Logic Corp | Dramアレイのリフレッシュ速度を調節するためのオンチップ温度センサーを含むメモリシステム |
JP2001035148A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | データ処理装置 |
JP2002343079A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Melco Inc | Dram装置およびdram装置のリフレッシュ方法 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6061992A (ja) * | 1983-09-14 | 1985-04-09 | Nec Corp | 擬似スタティックメモリ |
US4715551A (en) * | 1986-04-26 | 1987-12-29 | E. C. H. Will (Gmbh & Co.) | Self-locking device for transmitting torque to bobbin cores |
JPS63304499A (ja) * | 1987-06-05 | 1988-12-12 | Nec Corp | 半導体ダイナミックリ−ドライトメモリ |
US5278796A (en) * | 1991-04-12 | 1994-01-11 | Micron Technology, Inc. | Temperature-dependent DRAM refresh circuit |
KR0129197B1 (ko) * | 1994-04-21 | 1998-10-01 | 문정환 | 메모리셀어레이의 리플레쉬 제어회로 |
JP4606565B2 (ja) * | 2000-11-02 | 2011-01-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 同期型半導体記憶装置 |
US6483764B2 (en) * | 2001-01-16 | 2002-11-19 | International Business Machines Corporation | Dynamic DRAM refresh rate adjustment based on cell leakage monitoring |
US6557072B2 (en) * | 2001-05-10 | 2003-04-29 | Palm, Inc. | Predictive temperature compensation for memory devices systems and method |
JP2002373489A (ja) * | 2001-06-15 | 2002-12-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6438057B1 (en) * | 2001-07-06 | 2002-08-20 | Infineon Technologies Ag | DRAM refresh timing adjustment device, system and method |
JP2003100074A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Seiko Epson Corp | 集積回路の温度変化に応じた動作制御 |
JP4021643B2 (ja) * | 2001-10-29 | 2007-12-12 | 富士通株式会社 | 温度検出機能を備えた半導体装置 |
KR20030050349A (ko) * | 2001-12-18 | 2003-06-25 | 삼성전자주식회사 | 셀프 리프레시 소모 전류 감소 회로 및 소모 전류 감소 방법 |
KR100475736B1 (ko) * | 2002-08-09 | 2005-03-10 | 삼성전자주식회사 | 고속 테스트에 적합한 편이온도 검출회로를 갖는온도감지기 및 편이온도 검출방법 |
JP2004273029A (ja) * | 2003-03-10 | 2004-09-30 | Sony Corp | 記憶装置およびそれに用いられるリフレッシュ制御回路ならびにリフレッシュ方法 |
JP2004294117A (ja) * | 2003-03-25 | 2004-10-21 | Sony Corp | 温度検出回路および記憶装置 |
DE10317364B4 (de) * | 2003-04-15 | 2005-04-21 | Infineon Technologies Ag | Integrierter dynamischer Speicher mit Steuerungsschaltung zur Steuerung eines Refresh-Betriebs von Speicherzellen |
JP4194561B2 (ja) * | 2003-04-23 | 2008-12-10 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
DE10329369B4 (de) * | 2003-06-30 | 2010-01-28 | Qimonda Ag | Schaltung und Verfahren zum Auffrischen von Speicherzellen eines dynamischen Speichers |
US7027343B2 (en) * | 2003-09-22 | 2006-04-11 | Micron Technology | Method and apparatus for controlling refresh operations in a dynamic memory device |
KR100577560B1 (ko) * | 2003-12-23 | 2006-05-08 | 삼성전자주식회사 | 온도감지 데이터에 응답하는 내부회로를 갖는 반도체메모리장치 |
US7583551B2 (en) * | 2004-03-10 | 2009-09-01 | Micron Technology, Inc. | Power management control and controlling memory refresh operations |
WO2005124785A1 (ja) * | 2004-06-18 | 2005-12-29 | Fujitsu Limited | 半導体装置の温度検出器および半導体記憶装置 |
-
2004
- 2004-12-01 US US11/000,560 patent/US7206244B2/en active Active
-
2005
- 2005-11-10 WO PCT/US2005/041150 patent/WO2006060151A2/en active Application Filing
- 2005-11-10 KR KR1020077012465A patent/KR101242809B1/ko active IP Right Grant
- 2005-11-10 CN CN2005800391786A patent/CN101061548B/zh active Active
- 2005-11-10 JP JP2007544363A patent/JP4954890B2/ja active Active
-
2007
- 2007-03-13 US US11/685,419 patent/US7295484B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10255467A (ja) * | 1996-12-23 | 1998-09-25 | Lsi Logic Corp | Dramアレイのリフレッシュ速度を調節するためのオンチップ温度センサーを含むメモリシステム |
JP2001035148A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-09 | Sanyo Electric Co Ltd | データ処理装置 |
JP2002343079A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Melco Inc | Dram装置およびdram装置のリフレッシュ方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4954890B2 (ja) | 2012-06-20 |
KR101242809B1 (ko) | 2013-03-12 |
US20070153606A1 (en) | 2007-07-05 |
KR20070085662A (ko) | 2007-08-27 |
CN101061548A (zh) | 2007-10-24 |
CN101061548B (zh) | 2011-08-10 |
US20060114734A1 (en) | 2006-06-01 |
US7295484B2 (en) | 2007-11-13 |
US7206244B2 (en) | 2007-04-17 |
WO2006060151A2 (en) | 2006-06-08 |
WO2006060151A3 (en) | 2006-12-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4954890B2 (ja) | 温度に基づくdramリフレッシュ | |
US10665273B2 (en) | Semiconductor memory devices, memory systems and refresh methods of the same | |
JP5098391B2 (ja) | 半導体メモリ、システムおよび半導体メモリの動作方法 | |
JP5000844B2 (ja) | メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法 | |
US7317648B2 (en) | Memory logic for controlling refresh operations | |
US20110161578A1 (en) | Semiconductor memory device performing partial self refresh and memory system including same | |
JP2012038399A (ja) | 半導体装置 | |
US7746718B2 (en) | Semiconductor memory, operating method of semiconductor memory, memory controller, and system | |
JPH05266657A (ja) | ダイナミック型半導体メモリ | |
JP2004342244A (ja) | 半導体メモリ装置および電子機器 | |
US6597615B2 (en) | Refresh control for semiconductor memory device | |
US7042774B2 (en) | Semiconductor memory device to supply stable high voltage during auto-refresh operation and method therefor | |
US6501699B2 (en) | Refresh control for semiconductor memory device | |
US20100182851A1 (en) | Refresh control circuit and semiconductor memory device and memory system including the same | |
JP3705276B2 (ja) | 半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成 | |
US6741516B2 (en) | Semiconductor memory | |
JPH1153882A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2004227624A (ja) | 半導体メモリ装置のパーシャルリフレッシュ | |
US9583172B1 (en) | Self-refresh control device | |
JP2002269981A (ja) | 半導体メモリ装置 | |
JP4207905B2 (ja) | 半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成 | |
JP4100403B2 (ja) | 半導体メモリ装置におけるリフレッシュ制御および内部電圧の生成 | |
KR101020289B1 (ko) | 셀프리프레쉬 테스트회로 | |
JP2010160837A (ja) | Sdram、sdramのリフレッシュ発行システム、及びsdramのリフレッシュ発行方法 | |
JP2004185733A (ja) | 半導体メモリ装置のリフレッシュ制御 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081110 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081110 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110519 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20110928 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20111005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120221 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120314 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4954890 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150323 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |