JP5000844B2

JP5000844B2 - メモリのリフレッシュ周期を制御するメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法

Info

Publication number: JP5000844B2
Application number: JP2004204269A
Authority: JP
Inventors: 永振鄭; 炳輝尹; 珍彦李; 敏洙林
Original assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Current assignee: Samsung Electronics Co Ltd
Priority date: 2003-07-12
Filing date: 2004-07-12
Publication date: 2012-08-15
Anticipated expiration: 2024-07-12
Also published as: US20050007864A1; DE102004034760B4; US7395176B2; KR20050007910A; KR100532448B1; DE102004034760A1; JP2005032428A

Description

本発明はメモリコントローラに係り、特に外部メモリのリフレッシュ周期を制御できるメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法に関する。

通常ＤＲＡＭセルのキャパシタには電荷の形態でデータが保存されるが、キャパシタが完壁でないため、保存された電荷は外部に少しずつ漏れて消滅する。したがって、キャパシタに保存されたデータが完全に消滅する前にデータを読み出し、再び書き込む反復過程が必要であるが、それをリフレッシュ動作という。これと関連した先行技術として特許文献１または２がある。

原則的にはリフレッシュ動作中にはコンピュータはＤＲＡＭを使用できない。１回のリフレッシュ動作にかかる時間は通常の書込み動作サイクルと同一であり、その時間が過ぎれば外部コンピュータがＤＲＡＭを使用できる。リフレッシュ動作のためにＤＲＡＭを使用できない比率をビジー率といい、その値は短いほど良い。コンピュータシステムがスリープモードにある場合、大部分の内部装置はターンオフされるが、ＤＲＡＭはデータを維持するためにリフレッシュする必要があり、それによりＤＲＡＭではセルフリフレッシュ電流が流れる。ところで、バッテリで動作するコンピュータシステムではセルフリフレッシュ電流を減らすことが非常に重要である。

最近の技術開発傾向のうち一つが、リフレッシュ周期を温度によって変化させて電流を減らそうとすることである。温度を複数の領域に分け、低温ではリフレッシュクロックの周波数を相対的に低くし、電流消耗を減らすことである。それは、ＤＲＡＭのデータ保持時間が温度が低くなるほど長くなるという事実に基づいている。
システムオンチップ（ＳＯＣ：ＳｙｓｔｅｍＯｎＣｈｉｐ）製品およびＮＡＮＤフラッシュメモリやＳＤＲＡＭあるいはＤＤＲＳＤＲＡＭなどのメモリを１パッケージ内に入れるＳＩＰ（ＳｙｓｔｅｍＩｎＰａｃｋａｇｅ）技術の場合、プロセッサの上層に配置されるメモリには下層にあるプロセッサから発生する熱がそのまま伝達される。

熱の影響を多く受けるＤＲＡＭの場合、このような熱の影響がＤＲＡＭのリフレッシュ動作の特性低下につながってＳＩＰ技術で大きな問題となっている。すなわち、プロセッサやその他周辺環境で発生する熱によってＤＲＡＭがデータを保存できる時間が急激に短くなっている。

これを防止するために最も一般的に使われる方法は、温度条件を最悪と仮定し、ＤＲＡＭ内のデータ維持のためにそれに合わせて自動リフレッシュ周期を短くする方法である。
最近の移動用装置は高性能および多様なマルチメディアを実現すると同時に速いデータ通信を必要とする趨勢であるため、ＤＲＡＭの性能が重要視されている。したがって、最悪の温度条件に合わせて自動リフレッシュ命令の周期を短くしてＤＲＡＭに送りつつ、発生するシステムの性能低下問題をＳＩＰやＳＯＣ製品がそのまま甘受するしかない。

したがって、最近に利用されている自動リフレッシュ周期を短く制御する方法は、温度が最も高い時、すなわち、ＤＲＡＭのリフレッシュ特性が最も悪い時にＤＲＡＭのデータを保存するための唯一の方法として使われている。
しかし、これでは最悪の状況に合わせてＤＲＡＭの自動リフレッシュ周期が決定されるため、ＳＯＣ製品やＳＩＰで温度が実際に最も高い場合を除いてはＤＲＡＭの性能を低下させる要件となる。
米国特許第２００２／６６０４７Ａ１号公報特開平７−３２６７１４号公報

本発明が解決しようとする技術的課題は、温度によってメモリのリフレッシュ周期を制御できるメモリコントローラを提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、温度によってメモリのリフレッシュ周期を制御できる方法を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、温度によってメモリのリフレッシュ周期を制御できるメモリコントローラを具備するＳＯＣを提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、温度によってメモリのリフレッシュ周期を制御できるメモリコントローラを具備する半導体システムを提供するところにある。

前記技術的課題を達成するための本発明の実施例によるメモリコントローラを具備するＳＯＣの外部メモリのリフレッシュ周期制御方法は、（ａ）一定時間ごとに前記メモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる段階と、（ｂ）前記温度測定命令に応答して測定された測定温度を受信する段階と、（ｃ）前記測定温度と基準温度とが相異なれば温度差を検出して前記温度差によってリフレッシュ周期を変化させ、前記測定温度と前記基準温度とが同一であれば前記（ａ）段階に戻る段階と、（ｄ）変化されたリフレッシュ周期に応答してリフレッシュ命令を前記メモリに印加する段階と、を具備することを特徴とする。

前記（ｃ）段階は、（ｃ１）前記メモリコントローラの状態を検討する段階と、（ｃ２）前記メモリコントローラの状態が前記リフレッシュ命令を発生させうる状態である確認されれば前記変化されたリフレッシュ周期を発生させる段階と、をさらに具備することを特徴とする。
前記温度測定命令は、発生する一定の時間間隔をユーザが設定できることを特徴とする。前記温度測定命令は、前記メモリが待機状態である場合に前記メモリに印加されることを特徴とする。

システムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法は、前記測定温度が前記基準温度より低ければ前記変化されたリフレッシュ周期は長くなり、前記測定温度が前記基準温度より高ければ前記変化されたリフレッシュ周期は短くなることを特徴とする。前記基準温度は、前記変化されたリフレッシュ周期に応答して変わることを特徴とする。
前記他の技術的課題を達成するための本発明の実施例によるメモリコントローラは、
温度測定命令発生部、制御部およびリフレッシュ命令発生部を具備する。

温度測定命令発生部は、所定の周期信号に応答して外部メモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる。制御部は、基準温度に関する情報を持つ基準温度情報信号および測定温度を受信し、前記測定温度と前記基準温度が違えば温度差を検出して前記温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号を発生させる。リフレッシュ命令発生部は、前記リフレッシュ周期に制御信号に応答してリフレッシュ命令を前記外部メモリに印加する。

前記メモリコントローラは、前記リフレッシュ周期制御信号を受信して現在の動作状態を判断し、現在の動作状態が前記リフレッシュ命令を発生させうる動作状態であると確認されれば前記リフレッシュ周期制御信号を前記リフレッシュ命令発生部に印加する動作状態点検部をさらに具備する。

前記リフレッシュ命令を発生させうる現在の動作状態は、リフレッシュ制御を除外した前記外部メモリに対するあらゆる制御動作が停止した状態を意味する。前記メモリコントローラは、指定されたカウント値をカウントする度に前記周期信号を発生させ、前記カウント値をユーザが制御できるタイマをさらに具備する。

前記温度測定命令は、前記外部メモリが待機状態である場合に前記メモリに印加される。前記制御部は、前記測定温度が前記基準温度より低ければリフレッシュ周期が長くなるように前記リフレッシュ周期制御信号を発生させ、前記測定温度が前記基準温度より高ければ前記リフレッシュ周期が短くなるように前記リフレッシュ周期制御信号を発生させる。前記基準温度情報信号は、前記リフレッシュ周期制御信号に応答して変わることを特徴とする。前記基準温度はユーザが設定できる。

前記他の技術的課題を達成するための本発明の実施例によるシステムオンチップは、温度測定命令発生部、制御部、リフレッシュ命令発生部、動作状態点検部およびタイマを具備する。前記温度測定命令発生部は、所定の周期信号に応答して外部メモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる。制御部は、基準温度に関する情報を持つ基準温度情報信号および測定温度を受信し、前記測定温度と前記基準温度とが相異なれば温度差を検出して前記温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号を発生させる。リフレッシュ命令発生部は、前記リフレッシュ周期制御信号に応答してリフレッシュ命令を前記外部メモリに印加する。動作状態点検部は、前記リフレッシュ周期制御信号を受信して現在の動作状態を判断し、現在の動作状態が前記リフレッシュ命令を発生させうる動作状態であると確認されれば前記リフレッシュ周期制御信号を前記リフレッシュ命令発生部に印加する。

タイマは、指定されたカウント値をカウントする度に前記周期信号を発生させ、前記カウント値をユーザが制御できる。
前記他の技術的課題を達成するための本発明の実施例による半導体システムは前記ＳＯＣおよびメモリを具備する。

本発明によるメモリコントローラおよびリフレッシュ周期制御方法は、メモリの動作温度に合わせてメモリのリフレッシュ周期を制御できてメモリのデータ保持問題を解消するだけでなく、また外部温度や現在メモリの動作状態および温度に適したリフレッシュ周期を設定することにより効率的にメモリにアクセスでき、動作性能を向上させうる長所がある。
また、メモリコントローラがＳＯＣや半導体システムに適用されることによってＳＯＣおよび半導体システムの動作性能も向上させうる長所がある。

本発明と本発明の動作上の利点および本発明の実施によって達成される目的を十分に理解するためには、本発明の望ましい実施例を例示する添付図面および図面に記載された内容を参照しなければならない。
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施例を説明することによって本発明を詳細に説明する。各図面に付された同一参照符号は同一部材を示す。
図１は、本発明の実施例によるリフレッシュ周期制御方法を説明するフローチャートである。

図１を参照すれば、本発明の実施例によるメモリコントローラを具備するＳＯＣの外部メモリのリフレッシュ周期制御方法１００はまず、一定時間ごとにメモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる（１１０段階）。そして、この温度測定命令に応答して測定された測定温度を受信する（１２０段階）。測定温度と基準温度とが相異なれば温度差を検出して温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号を発生させ、測定温度と基準温度とが同一であれば１１０段階に戻る（１３０および１４０段階）。最後に、変化されたリフレッシュ周期に応答してリフレッシュ命令をメモリに印加する（１５０段階）。図３は、本発明の他の実施例によるメモリコントローラを説明するブロック図である。

他の技術的課題を達成するための本発明の実施例によるメモリコントローラ３００は温度測定命令発生部３２０、制御部３３０およびリフレッシュ命令発生部３４０を具備する。以下、図１および図３を参照して本発明の実施例によるリフレッシュ周期制御方法１００およびメモリコントローラ３００の動作が詳細に説明される。

一定時間ごとにメモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる（１１０段階）。１１０段階は、図３の温度測定命令発生部３２０の動作に対応する。すなわち、温度測定命令発生部３２０は所定の周期信号ＰＲＤＳに応答して外部メモリ３１０の動作温度を測定する温度測定命令ＴＣＣＭＤを発生させる。

外部メモリ３１０にユーザが所望の時間ごとに温度測定命令ＴＣＣＭＤを印加して周期的に温度をチェックする。最初の初期化時には最悪の条件で自動リフレッシュ周期を設定し、次いでメモリ３１０で発生する温度に関連した信号に応答して自動リフレッシュ周期を決定する。最初に自動リフレッシュ周期を長くする理由は最悪の環境でもメモリ３１０のデータを保存するためである。この時、メモリ３１０の温度チェック周期はユーザの所望の周期にメモリコントローラ３００内部のレジスタ（図示せず）に保存することができる。

すなわち、温度測定命令ＴＣＣＭＤは発生する一定の時間間隔をユーザが設定できる。そのために、メモリコントローラ３００は指定されたカウント値をカウントする度に周期信号ＰＲＤＳを発生させ、カウント値をユーザが制御できるタイマ３６０をさらに具備する。
ユーザがカウント値を設定すれば、タイマ３６０は設定されたカウント値をカウントする度に周期信号ＰＲＤＳを発生させる。

メモリコントローラ３００が温度測定命令ＴＣＣＭＤを発生させる場合、メモリコントローラ３００はデータの書込み／読出し動作およびプリチャージ、リフレッシュやＭＲＳ（ＭｏｄｅＲｅｇｉｓｔｅｒＳｅｔ）などあらゆる命令をメモリ３１０に送信できない。
すなわち、温度測定命令ＴＣＣＭＤはメモリ３１０が待機状態である場合にメモリ３１０に印加される。

温度測定命令に応答して測定された測定温度を受信する（１２０段階）。そして、測定温度と基準温度とが相異なれば温度差を検出して温度差によってリフレッシュ周期を変化させ、測定温度と基準温度とが同一であれば前記１１０段階に戻る（１３０および１４０段階）

１２０段階ないし１４０段階の動作は図３のメモリコントローラ３００の制御部３３０で行われる。すなわち、制御部３３０は基準温度に関する情報を持つ基準温度情報信号ＳＴＤ＿ＴＥＭおよび測定温度ＣＴＥＭを受信し、測定温度ＣＴＥＭと基準温度とが相異なれば温度差を検出して温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを発生させる。１２０段階は、メモリ３１０から実際に測定された測定温度ＣＴＥＭを受信する段階である。測定温度ＣＴＥＭから、メモリコントローラ３００はメモリ３１０の現在温度状態が分かり、測定温度ＣＴＥＭがメモリ３１０の自動リフレッシュ周期を変更させることができる根拠となる。

制御部３３０は、もし測定温度ＣＴＥＭが基準温度情報信号ＳＴＤ＿ＴＥＭが持っている基準温度と同一であれば、タイマ３６０のカウント値がいずれもカウントされるまでメモリコントローラ３００を待機状態にする。基準温度はユーザが設定できる。タイマ３６０のカウント値がいずれもカウントされて周期信号ＰＲＤＳが発生すれば温度測定命令ＴＣＣＭＤが再びメモリ３１０に印加され、制御部３３０は新しく測定された測定温度ＣＴＥＭを受信して基準温度と比較する。

一方、測定温度ＣＴＥＭが基準温度と異なれば測定温度ＣＴＥＭと基準温度との差を検出して温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを発生させる。
制御部３３０は、測定温度ＣＴＥＭが基準温度より低ければリフレッシュ周期が長くなるようにリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを発生させ、測定温度ＣＴＥＭが基準温度より高ければリフレッシュ周期が短くなるようにリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを発生させる。
リフレッシュ周期を変化させる方法は、リフレッシュタイマ（図示せず）のカウント値を変化させる方法を利用できる。

基準温度情報信号ＳＴＤ＿ＴＥＭはリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬに応答して変化される。すなわち、リフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬは、基準温度情報信号ＳＴＤ＿ＴＥＭがメモリ３１０の測定温度ＣＴＥＭに対応する変化された基準温度の情報を持つように制御する。したがって、次に測定されるメモリ３１０の測定温度ＣＴＥＭは新しい基準温度と比較される。

変化されたリフレッシュ周期に応答してリフレッシュ命令をメモリに印加する（１５０段階）。１５０段階の動作は図３のリフレッシュ命令発生部３４０で行われる。
リフレッシュ命令発生部３４０は、リフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬに応答してリフレッシュ命令ＲＥＦＣＭＤを外部メモリ３１０に印加する。すなわち、現在メモリ３１０の動作温度の状態をメモリコントローラ３００が認識してその温度に適した周期にメモリ３１０セルをリフレッシュして性能向上を図れる。

図２は、図１の第１４０段階と第１５０段階との間に行われる動作を説明するフローチャートである。
図２を参照すれば、リフレッシュ周期制御方法１００は第１４０段階と第１５０段階との間に、メモリコントローラの状態を検討する段階（２１０段階）およびメモリコントローラの状態がリフレッシュ命令を発生させうる状態であると確認されれば変化されたリフレッシュ周期を発生させる段階（２２０および２３０段階）をさらに具備する。

第２１０ないし第２３０段階の動作は図３の動作状態点検部３５０で行われる。動作状態点検部３５０はリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを受信してメモリコントローラ３００の現在動作状態を判断し、現在動作状態がリフレッシュ命令ＲＥＦＣＭＤを発生させうる動作状態であると確認されればリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬをリフレッシュ命令発生部３４０に印加する。

メモリコントローラ３００は、メモリコントローラ３００の動作状態によってリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬに応答して直ちにリフレッシュ周期を変えられない場合があるため、そのような場合に備えるためにリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを保存してメモリコントローラ３００の動作状態を把握する必要がある。
すなわち、メモリコントローラ３００がリフレッシュ命令ＲＥＦＣＭＤを発生させるためには、メモリコントローラ３００がリフレッシュ制御を除外した外部メモリ３１０に対するいずれの制御動作もしない状態でなければならない。

したがって、動作状態点検部３５０は、メモリコントローラ３００がメモリ３１０に対する制御動作を行わないならばリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬをリフレッシュ命令発生部３４０に印加し、メモリコントローラ３００がメモリ３１０に対する制御動作を行うならばリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬを保存し、メモリ３１０に対する制御動作が終わった後にそのリフレッシュ周期制御信号ＲＥＦＣＴＲＬをリフレッシュ命令発生部３４０に印加する。

前記の動作によってメモリコントローラ３００はユーザの所望の時間ごとにメモリ３１０の動作温度を感知して動作レイテンシなしに現状態に合うリフレッシュ周期を設定してメモリ内のデータを保存できる。
また、本発明の実施例によるメモリコントローラ３００およびリフレッシュ周期制御方法１００によれば、リフレッシュ周期を最悪の条件に固定させる時より良い性能を得られるため、今後ＳＩＰだけでなくＳＯＣの設計への適用に当って温度変化によりメモリ３１０の性能が低下する短所を最小化できる。図４は、本発明の他の実施例によるＳＯＣを説明するブロック図である。

図３および４を参照すれば、他の技術的課題を達成するための本発明の実施例によるＳＯＣ４００は温度測定命令発生部３２０、制御部３３０、リフレッシュ命令発生部３４０、動作状態点検部３５０およびタイマ３６０を具備する。温度測定命令発生部３２０、制御部３３０、リフレッシュ命令発生部３４０、動作状態点検部３５０およびタイマ３６０は図３のメモリコントローラ３００の構成要素と同一である。そして、図４のＳＯＣ４００は図３のメモリコントローラ３００を具備する。

ＳＯＣ４００はマイクロプロセッサ４１０、ＤＳＰ（ＤｉｇｉｔａｌＳｉｇｎａｌＰｒｏｃｅｓｓｏｒ）のようなマスタ４２０、４３０とメモリコントローラ３００およびその他スレーブ４４０を具備する。外部のメモリ３１０のリフレッシュ周期を制御する動作はＳＯＣ４００のメモリコントローラ３００で行われ、メモリコントローラ３００の動作は既に説明されたので詳細な説明を省略する。

他の技術的課題を達成するための本発明の実施例による半導体システムはＳＯＣ４００およびメモリ３１０を具備する。ＳＯＣ４００およびメモリ３１０に関する動作説明は前述したので詳細な説明を省略する。

本発明の実施例によるＳＯＣ４００や半導体システムはメモリのリフレッシュ周期を温度によって制御できるので、メモリと共に動作されるＳＯＣまたはメモリを含む半導体システムの動作性能を向上させうる。

以上のように図面および明細書で最適の実施例が開示された。ここで特定の用語が使われたが、これは単に本発明を説明するための目的で使われたものであって、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使われたものではない。したがって、本技術分野の当業者ならばこれより多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想により決まらねばならない。

本発明は半導体メモリ分野に適用でき、特にメモリのリフレッシュ周期を設計する分野に適用できる。

本発明の実施例によるリフレッシュ周期制御方法を説明するフローチャートである。図１の第１４０段階と第１５０段階間に行われる動作を説明するフローチャートである。本発明の他の実施例によるメモリコントローラを説明するブロック図である。本発明の他の実施例によるＳＯＣを説明するブロック図である。

Claims

メモリコントローラを具備するシステムオンチップの外部メモリのリフレッシュ周期制御方法において、
（ａ）前記メモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる段階と、（ｂ）前記温度測定命令に応答して測定された測定温度を受信する段階と、
（ｃ）前記測定温度と基準温度とが相異なれば温度差を検出して前記温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号を発生させ、前記測定温度と前記基準温度とが同一であれば前記（ａ）段階に戻る段階と、
（ｄ）前記メモリコントローラの状態を判断する段階と、
（ｅ）前記メモリコントローラの状態がリフレッシュ命令を発生させうる状態であると確認されれば前記リフレッシュ周期制御信号をリフレッシュ命令発生部に印加する段階と、
（ｆ）変化されたリフレッシュ周期に応答して前記リフレッシュ命令を前記メモリに印加する段階とを、具備することを特徴とするシステムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法。
前記温度測定命令は一定の時間間隔で発生することを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法。
前記温度測定命令は、
発生する一定の時間間隔をユーザが設定できることを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法。
前記温度測定命令は、
前記メモリが待機状態である場合に前記メモリに印加されることを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法。
前記測定温度が前記基準温度より低ければ前記変化されたリフレッシュ周期は長くなり、前記測定温度が前記基準温度より高ければ前記変化されたリフレッシュ周期は短くなることを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法。
前記基準温度は、
前記変化されたリフレッシュ周期に応答して変わることを特徴とする請求項１に記載のシステムオンチップのメモリリフレッシュ周期制御方法。
所定の周期信号に応答して外部メモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる温度測定命令発生部と、
基準温度に関する情報を持つ基準温度情報信号および測定温度を受信し、前記測定温度と前記基準温度とが相異なれば温度差を検出して前記温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号を発生させる制御部と、
前記リフレッシュ周期制御信号に応答してリフレッシュ命令を前記外部メモリに印加するリフレッシュ命令発生部と、
前記リフレッシュ周期制御信号を受信して現在の動作状態を判断し、現在の動作状態がリフレッシュ命令を発生させうる動作状態であると確認されれば前記リフレッシュ周期制御信号を前記リフレッシュ命令発生部に印加する動作状態点検部と、を具備することを特徴とするメモリコントローラ。
前記リフレッシュ命令を発生させうる現在の動作状態は、
リフレッシュ制御を除外した前記外部メモリに対するあらゆる制御動作が停止した状態を意味することを特徴とする請求項７に記載のメモリコントローラ。
指定されたカウント値をカウントする度に前記周期信号を発生させるタイマをさらに具備することを特徴とする請求項７に記載のメモリコントローラ。
前記カウント値はユーザにより制御されることを特徴とする請求項９に記載のメモリコントローラ。
前記温度測定命令は、前記外部メモリが待機状態である場合に前記メモリに印加されることを特徴とする請求項７に記載のメモリコントローラ。
前記制御部は、
前記測定温度が前記基準温度より低ければリフレッシュ周期が長くなるように前記リフレッシュ周期制御信号を発生させ、前記測定温度が前記基準温度より高ければ前記リフレッシュ周期が短くなるように前記リフレッシュ周期制御信号を発生させることを特徴とする請求項７に記載のメモリコントローラ。
前記基準温度情報信号は、
前記リフレッシュ周期制御信号に応答して変わることを特徴とする請求項７に記載のメモリコントローラ。
前記基準温度は、
ユーザが設定できることを特徴とする請求項１３に記載のメモリコントローラ。
所定の周期信号に応答して外部メモリの動作温度を測定する温度測定命令を発生させる温度測定命令発生部と、
基準温度に関する情報を持つ基準温度情報信号および測定温度を受信し、前記測定温度と前記基準温度とが相異なれば温度差を検出して前記温度差によってリフレッシュ周期を変化させるリフレッシュ周期制御信号を発生させる制御部と、
前記リフレッシュ周期制御信号に応答してリフレッシュ命令を前記外部メモリに印加するリフレッシュ命令発生部と、
前記リフレッシュ周期制御信号を受信して現在の動作状態を判断し、現在の動作状態が前記リフレッシュ命令を発生させうる動作状態であると確認されれば前記リフレッシュ周期制御信号を前記リフレッシュ命令発生部に印加する動作状態点検部と、
指定されたカウント値をカウントする度に前記周期信号を発生させ、前記カウント値をユーザが制御できるタイマと、を具備することを特徴とするシステムオンチップ。