JP5098391B2 - 半導体メモリ、システムおよび半導体メモリの動作方法 - Google Patents
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Description
書き込み動作およびリフレッシュ動作は、メモリブロックBLK0−3のいずれかで実行される。ワード線活性化信号WLZは、ワード線WLの活性化タイミングを制御し、センスアンプ活性化信号LEZは、センスアンプSAの活性化タイミングを制御する。コラム選択信号CLZは、コラムスイッチCSWのオン/オフタイミングを制御し、プリチャージ制御信号BRSは、プリチャージ回路PREのオン/オフタイミングを制御する。
(付記1)
ダイナミックメモリセルを有する複数のメモリブロックと、
前記各メモリブロックに対するリフレッシュ動作の許可/禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報が外部入力に応じて設定され、設定されたパーシャルリフレッシュ情報をパーシャル設定信号として出力するリフレッシュ設定回路と、
前記パーシャル設定信号により許可が示されているメモリブロックに対応するリフレッシュ要求信号を周期的に出力するリフレッシュ要求生成回路と、
リフレッシュ動作が実行されるメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を、前記リフレッシュ要求信号に応答して生成するリフレッシュアドレスカウンタと、
前記リフレッシュ要求信号に応答して前記メモリブロックのいずれかのリフレッシュ動作を実行する動作制御回路と、
前記パーシャルリフレッシュ情報が前記外部入力により変更されている間に、前記リフレッシュ設定回路からの前記パーシャル設定信号をマスクし、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可することを示すパーシャル設定信号を前記リフレッシュ要求生成回路に出力するフィルタ回路とを備えていることを特徴とする半導体メモリ。
(付記2)
付記1記載の半導体メモリにおいて、
前記リフレッシュ要求生成回路は、
基準リフレッシュ要求信号を周期的に生成するリフレッシュ生成回路と、
前記基準リフレッシュ要求信号の周波数を、前記パーシャル設定信号の値に応じて分周し、分周した信号を前記リフレッシュ要求信号として出力する分周器とを備え、
前記リフレッシュアドレスカウンタは、前記リフレッシュアドレス信号の少なくとも1ビットの論理を前記パーシャル設定信号に応じて固定することを特徴とする半導体メモリ。
(付記3)
付記1記載の半導体メモリにおいて、
前記リフレッシュ要求生成回路は、
基準リフレッシュ要求を周期的に生成するリフレッシュ生成回路と、
前記基準リフレッシュ要求信号の一部のパルスを、前記パーシャル設定信号および前記リフレッシュアドレス信号に応じてマスクし、マスクしない残りのパルスを前記リフレッシュ要求信号として出力するリフレッシュ選択回路とを備えていることを特徴とする半導体メモリ。
(付記4)
付記1記載の半導体メモリにおいて、
前記フィルタ回路からのパーシャル設定信号を、前記基準リフレッシュ要求信号に同期させ、前記リフレッシュ要求生成回路に出力する同期回路を備えていることを特徴とする半導体メモリ。
(付記5)
付記4記載の半導体メモリにおいて、
前記同期回路は、前記パーシャル設定信号を前記基準リフレッシュ要求信号に同期して順次にラッチするために直列に接続された一対のフリップフロップを備えていることを特徴とする半導体メモリ。
(付記6)
付記4記載の半導体メモリにおいて、
前記同期回路は、前記リフレッシュアドレスカウンタが前記リフレッシュ要求信号に応答してリフレッシュアドレス信号を切り替える前に、前記パーシャル設定信号を出力することを特徴とする半導体メモリ。
(付記7)
付記1記載の半導体メモリにおいて、
半導体メモリの動作仕様が外部入力に応じて設定されるモードレジスタを備え、
前記リフレッシュ設定回路は、前記モードレジスタ内に形成されることを特徴とする半導体メモリ。
(付記8)
付記1記載の半導体メモリにおいて、
前記パーシャルリフレッシュ情報を前記外部入力として受ける専用の端子を備えていることを特徴とする半導体メモリ。
(付記9)
半導体メモリと、半導体メモリへのアクセス要求を出力するコントローラとを備えたシステムであって、
前記半導体メモリは、
ダイナミックメモリセルを有する複数のメモリブロックと、
前記各メモリブロックに対するリフレッシュ動作の許可/禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報が外部入力に応じて設定され、設定されたパーシャルリフレッシュ情報をパーシャル設定信号として出力するリフレッシュ設定回路と、
前記パーシャル設定信号により許可が示されているメモリブロックに対応するリフレッシュ要求信号を周期的に出力するリフレッシュ要求生成回路と、
リフレッシュ動作が実行されるメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を、前記リフレッシュ要求信号に応答して生成するリフレッシュアドレスカウンタと、
前記リフレッシュ要求信号に応答して前記メモリブロックのいずれかのリフレッシュ動作を実行する動作制御回路と、
前記パーシャルリフレッシュ情報が前記外部入力により変更されている間に、前記リフレッシュ設定回路からの前記パーシャル設定信号をマスクし、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可することを示すパーシャル設定信号を前記リフレッシュ要求生成回路に出力するフィルタ回路とを備え、
前記コントローラは、前記半導体メモリにパーシャルリフレッシュ情報を設定することを特徴とするシステム。
(付記10)
付記9記載のシステムにおいて、
前記リフレッシュ要求生成回路は、
基準リフレッシュ要求信号を周期的に生成するリフレッシュ生成回路と、
前記基準リフレッシュ要求信号の周波数を、前記パーシャル設定信号の値に応じて分周し、分周した信号を前記リフレッシュ要求信号として出力する分周器とを備え、
前記リフレッシュアドレスカウンタは、前記リフレッシュアドレス信号の少なくとも1ビットの論理を前記パーシャル設定信号に応じて固定することを特徴とするシステム。
(付記11)
付記9記載のシステムにおいて、
前記リフレッシュ要求生成回路は、
基準リフレッシュ要求を周期的に生成するリフレッシュ生成回路と、
前記基準リフレッシュ要求信号の一部のパルスを、前記パーシャル設定信号および前記リフレッシュアドレス信号に応じてマスクし、マスクしない残りのパルスを前記リフレッシュ要求信号として出力するリフレッシュ選択回路とを備えていることを特徴とするシステム。
(付記12)
付記9記載のシステムにおいて、
前記半導体メモリは、前記フィルタ回路からのパーシャル設定信号を、前記基準リフレッシュ要求信号に同期させ、前記リフレッシュ要求生成回路に出力する同期回路を備えていることを特徴とするシステム。
(付記13)
付記12記載のシステムにおいて、
前記同期回路は、前記パーシャル設定信号を前記基準リフレッシュ要求信号に同期して順次にラッチするために直列に接続された一対のフリップフロップを備えていることを特徴とするシステム。
(付記14)
付記12記載のシステムにおいて、
前記同期回路は、前記リフレッシュアドレスカウンタが前記リフレッシュ要求信号に応答してリフレッシュアドレス信号を切り替える前に、前記パーシャル設定信号を出力することを特徴とするシステム。
(付記15)
付記9記載のシステムにおいて、
前記半導体メモリは、動作仕様が外部入力に応じて設定されるモードレジスタを備え、
前記リフレッシュ設定回路は、前記モードレジスタ内に形成されることを特徴とするシステム。
(付記16)
付記9記載のシステムにおいて、
前記半導体メモリは、前記パーシャルリフレッシュ情報を前記外部入力として受ける専用の端子を備えていることを特徴とするシステム。
(付記17)
ダイナミックメモリセルを有する複数のメモリブロックで構成され、外部からのアクセス要求信号および内部で生成されるリフレッシュ要求信号に応答して動作する半導体メモリの動作方法であって、
前記各メモリブロックに対するリフレッシュ動作の許可/禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報を外部入力に応じて設定し、設定したパーシャルリフレッシュ情報をパーシャル設定信号として出力し、
前記パーシャル設定信号により許可が示されているメモリブロックに対応するリフレッシュ要求信号を周期的に出力し、
リフレッシュ動作が実行されるメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を、前記リフレッシュ要求信号に応答して生成し、
前記リフレッシュ要求信号に応答して前記メモリブロックのいずれかのリフレッシュ動作を実行し、
前記パーシャルリフレッシュ情報が前記外部入力により変更されている間に、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可するために、前記パーシャル設定信号をマスクすることを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記18)
付記17記載の半導体メモリの動作方法において、
基準リフレッシュ要求信号を周期的に生成し、
前記基準リフレッシュ要求信号の周波数を、前記パーシャル設定信号の値に応じて分周し、分周した信号を前記リフレッシュ要求信号として出力し、
前記リフレッシュアドレス信号の少なくとも1ビットの論理を前記パーシャル設定信号に応じて固定することを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記19)
付記17記載の半導体メモリの動作方法において、
基準リフレッシュ要求を周期的に生成し、
前記基準リフレッシュ要求信号の一部のパルスを、前記パーシャル設定信号および前記リフレッシュアドレス信号に応じてマスクし、
マスクしない残りのパルスを前記リフレッシュ要求信号として出力することを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記20)
付記17記載の半導体メモリの動作方法において、
前記パーシャル設定信号を、前記基準リフレッシュ要求信号に同期させることを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記21)
付記20記載の半導体メモリの動作方法において、
前記パーシャル設定信号を前記基準リフレッシュ要求信号に同期して順次にラッチすることを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記22)
付記20記載の半導体メモリの動作方法において、
前記リフレッシュ要求信号に応答してリフレッシュアドレス信号を切り替える前に、前記パーシャル設定信号を出力することを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記23)
付記17記載の半導体メモリの動作方法において、
前記パーシャルリフレッシュ情報を、半導体メモリの動作仕様が設定されるモードレジスタに設定することを特徴とする半導体メモリの動作方法。
(付記24)
付記17記載の半導体メモリの動作方法において、
前記パーシャルリフレッシュ情報を前記外部入力として専用の端子で受けることを特徴とする半導体メモリの動作方法。
Claims (10)
- ダイナミックメモリセルを有する複数のメモリブロックと、
前記各メモリブロックに対するリフレッシュ動作の許可/禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報が外部入力に応じて設定され、設定されたパーシャルリフレッシュ情報をパーシャル設定信号として出力するリフレッシュ設定回路と、
前記パーシャル設定信号により許可が示されているメモリブロックに対応するリフレッシュ要求信号を周期的に出力するリフレッシュ要求生成回路と、
リフレッシュ動作が実行されるメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を、前記リフレッシュ要求信号に応答して生成するリフレッシュアドレスカウンタと、
前記リフレッシュ要求信号に応答して前記メモリブロックのいずれかのリフレッシュ動作を実行する動作制御回路と、
前記パーシャルリフレッシュ情報が前記外部入力により変更されている間に、前記リフレッシュ設定回路からの前記パーシャル設定信号を変更し、その代わりに、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可することを示すパーシャル設定信号を前記リフレッシュ要求生成回路に出力するフィルタ回路とを備えていることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記リフレッシュ要求生成回路は、
基準リフレッシュ要求信号を周期的に生成するリフレッシュ生成回路と、
前記基準リフレッシュ要求信号の周波数を、前記パーシャル設定信号の値に応じて分周し、分周した信号を前記リフレッシュ要求信号として出力する分周器とを備え、
前記リフレッシュアドレスカウンタは、前記リフレッシュアドレス信号の少なくとも1ビットの論理を前記パーシャル設定信号に応じて固定することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記リフレッシュ要求生成回路は、
基準リフレッシュ要求信号を周期的に生成するリフレッシュ生成回路と、
前記基準リフレッシュ要求信号の一部のパルスを、前記パーシャル設定信号および前記リフレッシュアドレス信号に応じてマスクし、マスクしない残りのパルスを前記リフレッシュ要求信号として出力するリフレッシュ選択回路とを備えていることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項2記載の半導体メモリにおいて、
前記フィルタ回路からのパーシャル設定信号を、前記基準リフレッシュ要求信号に同期させ、前記リフレッシュ要求生成回路に出力する同期回路を備えていることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項4記載の半導体メモリにおいて、
前記同期回路は、前記パーシャル設定信号を前記基準リフレッシュ要求信号に同期して順次にラッチするために直列に接続された一対のフリップフロップを備えていることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項4記載の半導体メモリにおいて、
前記同期回路は、前記リフレッシュアドレスカウンタが前記リフレッシュ要求信号に応答してリフレッシュアドレス信号を切り替える前に、前記パーシャル設定信号を出力することを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
半導体メモリの動作仕様が外部入力に応じて設定されるモードレジスタを備え、
前記リフレッシュ設定回路は、前記モードレジスタ内に形成されることを特徴とする半導体メモリ。 - 請求項1記載の半導体メモリにおいて、
前記パーシャルリフレッシュ情報を前記外部入力として受ける専用の端子を備えていることを特徴とする半導体メモリ。 - 半導体メモリと、半導体メモリへのアクセス要求を出力するコントローラとを備えたシステムであって、
前記半導体メモリは、
ダイナミックメモリセルを有する複数のメモリブロックと、
前記各メモリブロックに対するリフレッシュ動作の許可/禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報が外部入力に応じて設定され、設定されたパーシャルリフレッシュ情報をパーシャル設定信号として出力するリフレッシュ設定回路と、
前記パーシャル設定信号により許可が示されているメモリブロックに対応するリフレッシュ要求信号を周期的に出力するリフレッシュ要求生成回路と、
リフレッシュ動作が実行されるメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を、前記リフレッシュ要求信号に応答して生成するリフレッシュアドレスカウンタと、
前記リフレッシュ要求信号に応答して前記メモリブロックのいずれかのリフレッシュ動作を実行する動作制御回路と、
前記パーシャルリフレッシュ情報が前記外部入力により変更されている間に、前記リフレッシュ設定回路からの前記パーシャル設定信号を変更し、その代わりに、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可することを示すパーシャル設定信号を前記リフレッシュ要求生成回路に出力するフィルタ回路とを備え、
前記コントローラは、前記半導体メモリにパーシャルリフレッシュ情報を設定することを特徴とするシステム。 - ダイナミックメモリセルを有する複数のメモリブロックで構成され、外部からのアクセス要求信号および内部で生成されるリフレッシュ要求信号に応答して動作する半導体メモリの動作方法であって、
前記各メモリブロックに対するリフレッシュ動作の許可/禁止を示すパーシャルリフレッシュ情報を外部入力に応じてリフレッシュ設定回路に設定し、設定したパーシャルリフレッシュ情報をパーシャル設定信号として前記リフレッシュ設定回路から出力し、
前記パーシャル設定信号により許可が示されているメモリブロックに対応するリフレッシュ要求信号を周期的に出力し、
リフレッシュ動作が実行されるメモリセルを示すリフレッシュアドレス信号を、前記リフレッシュ要求信号に応答して生成し、
前記リフレッシュ要求信号に応答して前記メモリブロックのいずれかのリフレッシュ動作を実行し、
前記パーシャルリフレッシュ情報が前記外部入力により変更されている間に、前記リフレッシュ設定回路からの前記パーシャル設定信号を変更し、その代わりに、全てのメモリブロックのリフレッシュ動作を許可することを示すパーシャル設定信号を出力することを特徴とする半導体メモリの動作方法。
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